JP2008235850A - 誘電体デバイス及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 誘電体デバイスの製造方法において、以下の工程を有する。(1)混合工程S21:母材の粉末と、当該母材の焼結のための添加剤の粉末と、を混合する。(2)混合物熱処理工程S22:前記混合工程を経た、前記母材と前記添加剤との混合物を、熱処理する。(3)成膜層形成工程S24:前記混合物熱処理工程を経て得られた前記原料粉末を噴射することで成膜層を形成する。(4)成膜層熱処理工程S25:前記成膜層形成工程を経て形成された前記成膜層を熱処理することで前記誘電体層を得る。
【選択図】図7
Description
図1は、本実施形態に係る誘電体デバイス20の概略構成を示す断面図である。
以下、本実施形態に係る誘電体デバイス20の適用の一つの具体例について説明する。
電子放出源装置110は、薄い平板状に構成されている。この電子放出源装置110には、本実施形態に係る誘電体デバイス20の具体化の一例としての電子放出素子120が、2次元的に多数形成されている。
図4は、図2に示されている電子放出素子120に印加される駆動電圧Vaの波形を示す図である。図5Aないし図5C、及び図6Aないし図6Cは、図2に示されている電子放出素子120に対して図4に示されている駆動電圧Vaが印加された場合の動作の様子を示す図である。以下、電子放出素子120の電子放出原理について、図4ないし図6Cを用いて説明する。
図7は、図1に示されている誘電体デバイス20の製造方法の一例を示す工程フロー図である。以下、図1及び図7を参照しつつ、誘電体デバイス20の製造方法の一実施形態について説明する。
次に、上述のような誘電体デバイス20の製造方法の具体例(実施例)について、比較例と対照しつつ説明する。
なお、上述の実施形態及び実施例は、出願人が取り敢えず本願の出願時点において最良であると考えた、本発明の代表的な実施形態及び実施例が単に例示的に記述されているものにすぎない。本発明はもとより、上述の実施形態等に何ら限定されるものではない。よって、上述の実施形態や実施例に対しては、本発明の本質的部分を変更しない範囲内において、種々の変形が施され得ることは当然である。
22…下部電極 23…誘電体層
24…上部電極
100…ディスプレイ 110…電子放出源装置
120…電子放出素子 121…基板
122…下部電極 123…誘電体層
124…上部電極 125…エミッタ部
Claims (3)
- 誘電体デバイスの製造方法において、
母材の粉末と、当該母材の焼結のための添加剤としての低融点ガラスの粉末と、を混合する、混合工程と、
前記混合工程を経た、前記母材と前記添加剤との混合物を、熱処理する、混合物熱処理工程と、
前記混合物熱処理工程を経て得られた原料粉末を、基板に向けて噴射することで、前記基板に成膜層を形成する、成膜層形成工程と、
前記成膜層形成工程を経て前記基板に形成された前記成膜層を熱処理することで、前記基板に誘電体層を形成する、成膜層熱処理工程と、
を有することを特徴とする、誘電体デバイスの製造方法。 - 請求項1に記載の、誘電体デバイスの製造方法において、
前記混合物熱処理工程にて熱処理された後の被処理物を粉砕することで、前記原料粉末を得る、粉砕工程を、さらに有することを特徴とする、誘電体デバイスの製造方法。 - 熱処理された、誘電体と低融点ガラスとの混合物を、噴射して成膜層を形成した後に、当該成膜層を熱処理することで形成された、誘電体層を備えたことを特徴とする誘電体デバイス。
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