JP2008226839A - プラズマプロセスの動作の際のアーク放電の抑制のための方法及びプラズマプロセスに対するアーク放電識別装置及びプラズマプロセスの電力供給のための電力源を有するプラズマ電力供給装置 - Google Patents
プラズマプロセスの動作の際のアーク放電の抑制のための方法及びプラズマプロセスに対するアーク放電識別装置及びプラズマプロセスの電力供給のための電力源を有するプラズマ電力供給装置 Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】上記課題は、プラズマプロセスの動作の際のアーク放電の抑制のための方法において、対抗措置の時間経過は選択的に次のパラメータのうちの少なくとも1つに依存して決定される、すなわち、少なくとも1つの以前の対抗措置に対する時間間隔;当該開始時点以来の又は当該開始時点の前の可変的な時間以来の少なくとも1つの特性量の経過;以前の対抗措置が少なくとも1つの特性量の経過に基づいてトリガされたか又は少なくとも1つの以前の対抗措置に対する時間間隔に基づいてトリガされたかの区別に依存して決定されることによって解決される。
【選択図】図4
Description
対抗措置の時間経過は選択的に次のパラメータのうちの少なくとも1つに依存して決定される、すなわち、
少なくとも1つの以前の対抗措置に対する時間間隔;
当該開始時点以来の又は当該開始時点の前の可変的な時間以来の少なくとも1つの特性量の経過;
以前の対抗措置が少なくとも1つの特性量の経過に基づいてトリガされたか又は少なくとも1つの以前の対抗措置に対する時間間隔に基づいてトリガされたかの区別に依存して決定されることによって解決され、
さらに、プラズマプロセスに対するアーク放電識別装置において、
制御ユニットは上記本発明の方法を実施するために構成されていることによって解決され、
プラズマプロセスの電力供給のための電力源を有するプラズマ電力供給装置において、
電力源と作用接続されたアーク放電識別装置によって解決される。
少なくとも1つの以前の対抗措置に対する時間間隔;
当該開始時点以来の又は当該開始時点の前の可変的な時間以来の少なくとも1つの特性量の経過;
以前の対抗措置が少なくとも1つの特性量の経過に基づいてトリガされたか又は少なくとも1つの以前の対抗措置に対する時間間隔に基づいてトリガされたかの区別。
本発明の第1の局面による方法を実施するように制御ユニットが構成されることによって解決される。
t(x)=[t(0)−t(−1)]・k
この場合、t(x)は次のパルスP(x)の開始時点、すなわち次の消去の開始時点であり、t(−1)は以前のパルスP(−1)の開始時点であり、t(0)は瞬時のパルスP(0)の開始時点であり、kは係数又は数値ファクタであり、この係数又は数値ファクタはタイムスパンT3に対するタイムスパンT2の本発明の延長又は短縮を制御する。以前のパルスP(−1)が実際に識別されたアーク放電に起因した場合、kにはファクタk1が選択され、このファクタk1は典型的には1より小さい、k1<1。この場合ファクタk1は典型的には0.5と1との間の範囲にある。このようにして次のパルスP(x)は現在のパルスP(0)の比較的近傍にくる。すなわち、T2<T3である。前のパルスP(−1)が予期されたアーク放電によりトリガされた場合、すなわち、というのも実際にはこのようなアーク放電が電気特性量に基づいて識別されたのではなく、本発明の方法によって予期された場合には、ファクタk2が選択され、このファクタk2は典型的には1より大きく、k2>1である。このようにしてパルスP(x)とP(0)との間の時間間隔は増大する。すなわちT2>T3である。
2 プラズマプロセス
3 直流電圧源
4 アーク放電識別装置
5 監視ユニット
6 制御ユニット
7 タイマーユニット
8 メモリユニット
KG 特性量
MS 監視信号
SS 制御信号
TS 時間基準信号
P アーク放電消去パルス
Claims (15)
- プラズマプロセス(2)の動作の際のアーク放電の抑制のための方法であって、アーク放電の抑制のための対抗措置としてプラズマプロセスの電力供給は少なくとも1つの特性量(KG)に依存して中断される又は極性反転される、プラズマプロセス(2)の動作の際のアーク放電の抑制のための方法において、
対抗措置の時間経過は選択的に次のパラメータのうちの少なくとも1つに依存して決定される、すなわち、
少なくとも1つの以前の対抗措置に対する時間間隔(T3);
当該開始時点以来の又は当該開始時点の前の可変的な時間以来の少なくとも1つの特性量(KG)の経過;
以前の対抗措置が少なくとも1つの特性量の経過に基づいてトリガされたか又は少なくとも1つの以前の対抗措置に対する時間間隔に基づいてトリガされたかの区別
に依存して決定されることを特徴とする、プラズマプロセス(2)の動作の際のアーク放電の抑制のための方法。 - 対抗措置の開始時点(t(x))は選択的に次のパラメータのうちの少なくとも1つに依存して決定される、すなわち、
少なくとも1つの以前の対抗措置に対する時間間隔(T3);
当該開始時点以来の又は当該開始時点の前の可変的な時間以来の少なくとも1つの特性量(KG)の経過;
以前の対抗措置が少なくとも1つの特性量の経過に基づいてトリガされたか又は少なくとも1つの以前の対抗措置に対する時間間隔に基づいてトリガされたかの区別
に依存して決定されることを特徴とする、請求項1記載の方法。 - 対抗措置はアーク放電の識別の後で直ぐに、すなわち数百ナノ秒内にトリガされることを特徴とする、請求項1又は2記載の方法。
- 対抗措置は第1の時間インターバル(t1)の間に実施され、前記第1の時間インターバル(t1)の持続時間は1〜5μsであることを特徴とする、請求項3記載の方法。
- 電気特性量(KG)の経過が自ずと消滅しないアーク放電を示す場合には、トリガされた対抗措置の持続時間(t1)は特性量(KG)の経過に依存して第2の時間インターバル(t2)の活性化によって延長されることを特徴とする、請求項1〜4のうちの1項記載の方法。
- 対抗措置の終了後の第1の予め設定された時間(T1)内に新たにアーク放電が識別される場合には、第2の時間インターバル(t2)が延長インターバル(Δt2+)だけ延長されることを特徴とする、請求項5記載の方法。
- 第1の予め設定された時間(T1)内に新たなアーク放電が識別されない場合には、第2の時間インターバル(t2)が低減インターバル(Δt2−)だけ短縮されることを特徴とする、請求項5又は6記載の方法。
- 第2の時間インターバル(t2)は段階的に予め設定された最小値(t2min)まで短縮されることを特徴とする、請求項7記載の方法。
- 対抗措置の終了以来第2の時間(T2)が経過した後で新たに対抗措置が実施され、前記第2の時間は新たな対抗措置毎に新たに決定されることを特徴とする、請求項1〜8のうちの1項記載の方法。
- 第2の時間(T2)は電気特性量(KG)の経過及び/又は少なくとも1つの以前の対抗措置に対する時間間隔(T3)に基づいて決定されることを特徴とする、請求項9記載の方法。
- 第2の時間(T2)の決定は次の関係式に従って行われる、すなわち、
t(x)=[t(0)−t(−1)]・k
ただしここでt(x)は新たな対抗措置の開始時点、t(0)は瞬時の対抗措置の開始時点、t(−1)は以前の対抗措置の開始時点、そしてkは数値ファクタを示すことを特徴とする、請求項9又は10記載の方法。 - 以前の対抗措置がアーク放電の識別に基づいてトリガされた場合、k=k1、0.5≦k1≦1が選択され、
以前の対抗措置がアーク放電の識別に依存せずに第2の時間(T2)の経過後にトリガされた場合、k=k2、k2>1が選択されることを特徴とする、請求項11記載の方法。 - 対抗措置のタイムシーケンスに対して下限値及び/又は上限値が予め設定されることを特徴とする、請求項1〜12のうちの1項記載の方法。
- プラズマプロセス(2)に対するアーク放電識別装置(4)は次のものを有する、すなわち、
監視ユニット(5)を有し、該監視ユニット(5)は特性量に基づくプラズマプロセスにおけるアーク放電の識別のために少なくとも1つの特性量(KG)を監視するために及び相応の監視信号(MS)を出力するために構成されており、
制御ユニット(6)を有し、該制御ユニット(6)は監視ユニット(5)からの監視信号の受信のために及びアーク放電の抑制のための対抗措置の惹起のための制御信号(SS)を出力するために構成されており、
タイマーユニット(7)を有し、該タイマーユニット(7)は制御ユニット(6)に時間基準信号(TS)を供給するために構成されている、プラズマプロセス(2)に対するアーク放電識別装置(4)において、
制御ユニット(6)は請求項1〜13のうちの1項記載の方法を実施するために構成されていることを特徴とする、プラズマプロセス(2)に対するアーク放電識別装置(4)。 - プラズマプロセスの電力供給のための電力源(3)を有するプラズマ電力供給装置(1)において、
電力源(3)と作用接続された請求項14記載のアーク放電識別装置(4)を特徴とする、プラズマプロセスの電力供給のための電力源(3)を有するプラズマ電力供給装置(1)。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
EP07004758A EP1978542B1 (de) | 2007-03-08 | 2007-03-08 | Verfahren und Vorrichtung zum Unterdrücken von Bogenentladungen beim Betreiben eines Plasmaprozesses |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
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Family
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Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008057910A Pending JP2008226839A (ja) | 2007-03-08 | 2008-03-07 | プラズマプロセスの動作の際のアーク放電の抑制のための方法及びプラズマプロセスに対するアーク放電識別装置及びプラズマプロセスの電力供給のための電力源を有するプラズマ電力供給装置 |
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---|---|
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017527092A (ja) * | 2014-06-27 | 2017-09-14 | トゥルンプフ ヒュッティンガー ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング ウント コンパニー コマンディートゲゼルシャフトTRUMPF Huettinger GmbH + Co. KG | 電力発生器を動作させるための方法、及び、電力発生器 |
KR20170109047A (ko) * | 2015-02-03 | 2017-09-27 | 트럼프 휴팅거 에스피 제트 오. 오. | 아크 처리 장치 및 그 방법 |
Families Citing this family (51)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102004015090A1 (de) | 2004-03-25 | 2005-11-03 | Hüttinger Elektronik Gmbh + Co. Kg | Bogenentladungserkennungseinrichtung |
ATE421791T1 (de) * | 2005-12-22 | 2009-02-15 | Huettinger Elektronik Gmbh | Verfahren und vorrichtung zur arcerkennung in einem plasmaprozess |
DE502006005363D1 (de) * | 2006-11-23 | 2009-12-24 | Huettinger Elektronik Gmbh | Verfahren zum Erkennen einer Bogenentladung in einem Plasmaprozess und Bogenentladungserkennungsvorrichtung |
US7795817B2 (en) * | 2006-11-24 | 2010-09-14 | Huettinger Elektronik Gmbh + Co. Kg | Controlled plasma power supply |
EP1928009B1 (de) * | 2006-11-28 | 2013-04-10 | HÜTTINGER Elektronik GmbH + Co. KG | Bogenentladungs-Erkennungseinrichtung, Plasma-Leistungsversorgung und Verfahren zum Erkennen von Bogenentladungen |
EP1933362B1 (de) * | 2006-12-14 | 2011-04-13 | HÜTTINGER Elektronik GmbH + Co. KG | Bogenentladungs-Erkennungseinrichtung, Plasma-Leistungsversorgung und Verfahren zum Erkennen von Bogenentladungen |
PL2648209T3 (pl) * | 2009-02-17 | 2018-06-29 | Solvix Gmbh | Urządzenie zasilające do obróbki plazmowej |
DE102009002684B4 (de) * | 2009-04-28 | 2013-12-24 | TRUMPF Hüttinger GmbH + Co. KG | Verfahren zur Leistungsversorgung einer Plasmalast und Plasmaversorgungseinrichtung zu seiner Durchführung |
US9435029B2 (en) | 2010-08-29 | 2016-09-06 | Advanced Energy Industries, Inc. | Wafer chucking system for advanced plasma ion energy processing systems |
US9287086B2 (en) | 2010-04-26 | 2016-03-15 | Advanced Energy Industries, Inc. | System, method and apparatus for controlling ion energy distribution |
US9287092B2 (en) | 2009-05-01 | 2016-03-15 | Advanced Energy Industries, Inc. | Method and apparatus for controlling ion energy distribution |
US9767988B2 (en) | 2010-08-29 | 2017-09-19 | Advanced Energy Industries, Inc. | Method of controlling the switched mode ion energy distribution system |
US11615941B2 (en) | 2009-05-01 | 2023-03-28 | Advanced Energy Industries, Inc. | System, method, and apparatus for controlling ion energy distribution in plasma processing systems |
US8619395B2 (en) | 2010-03-12 | 2013-12-31 | Arc Suppression Technologies, Llc | Two terminal arc suppressor |
US9309594B2 (en) | 2010-04-26 | 2016-04-12 | Advanced Energy Industries, Inc. | System, method and apparatus for controlling ion energy distribution of a projected plasma |
US8552665B2 (en) * | 2010-08-20 | 2013-10-08 | Advanced Energy Industries, Inc. | Proactive arc management of a plasma load |
US9362089B2 (en) | 2010-08-29 | 2016-06-07 | Advanced Energy Industries, Inc. | Method of controlling the switched mode ion energy distribution system |
US9210790B2 (en) | 2012-08-28 | 2015-12-08 | Advanced Energy Industries, Inc. | Systems and methods for calibrating a switched mode ion energy distribution system |
KR101909571B1 (ko) | 2012-08-28 | 2018-10-19 | 어드밴스드 에너지 인더스트리즈 인코포레이티드 | 넓은 다이내믹 레인지 이온 에너지 바이어스 제어; 고속 이온 에너지 스위칭; 이온 에너지 제어와 펄스동작 바이어스 서플라이; 및 가상 전면 패널 |
US9685297B2 (en) | 2012-08-28 | 2017-06-20 | Advanced Energy Industries, Inc. | Systems and methods for monitoring faults, anomalies, and other characteristics of a switched mode ion energy distribution system |
CN105891769B (zh) * | 2016-06-21 | 2018-09-04 | 北京航空航天大学 | 一种电弧放电能量修正系数校准方法及校准装置 |
CN109256759B (zh) | 2017-07-14 | 2021-04-16 | 台达电子工业股份有限公司 | 电弧抑制装置与电弧抑制方法 |
CN111868873B (zh) | 2017-11-17 | 2023-06-16 | 先进工程解决方案全球控股私人有限公司 | 等离子体处理源和衬底偏置的同步的脉冲化 |
EP3711082A4 (en) | 2017-11-17 | 2021-09-29 | AES Global Holdings, Pte. Ltd. | IMPROVED USE OF MODULATION SUPPLIES IN A PLASMA PROCESSING SYSTEM |
KR20200100642A (ko) | 2017-11-17 | 2020-08-26 | 에이이에스 글로벌 홀딩스 피티이 리미티드 | 플라즈마 프로세싱을 위한 이온 바이어스 전압의 공간 및 시간 제어 |
US10555412B2 (en) | 2018-05-10 | 2020-02-04 | Applied Materials, Inc. | Method of controlling ion energy distribution using a pulse generator with a current-return output stage |
DE102018216969A1 (de) * | 2018-10-03 | 2020-04-09 | centrotherm international AG | Plasma-Behandlungsvorrichtung und Verfahren zum Ausgeben von Pulsen elektischer Leistung an wenigstens eine Prozesskammer |
US11476145B2 (en) | 2018-11-20 | 2022-10-18 | Applied Materials, Inc. | Automatic ESC bias compensation when using pulsed DC bias |
JP7451540B2 (ja) | 2019-01-22 | 2024-03-18 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | パルス状電圧波形を制御するためのフィードバックループ |
US11508554B2 (en) | 2019-01-24 | 2022-11-22 | Applied Materials, Inc. | High voltage filter assembly |
CN114222958B (zh) | 2019-07-12 | 2024-03-19 | 先进工程解决方案全球控股私人有限公司 | 具有单个受控开关的偏置电源 |
US11462388B2 (en) | 2020-07-31 | 2022-10-04 | Applied Materials, Inc. | Plasma processing assembly using pulsed-voltage and radio-frequency power |
US11901157B2 (en) | 2020-11-16 | 2024-02-13 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and methods for controlling ion energy distribution |
US11798790B2 (en) | 2020-11-16 | 2023-10-24 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and methods for controlling ion energy distribution |
US11495470B1 (en) | 2021-04-16 | 2022-11-08 | Applied Materials, Inc. | Method of enhancing etching selectivity using a pulsed plasma |
US11948780B2 (en) | 2021-05-12 | 2024-04-02 | Applied Materials, Inc. | Automatic electrostatic chuck bias compensation during plasma processing |
US11791138B2 (en) | 2021-05-12 | 2023-10-17 | Applied Materials, Inc. | Automatic electrostatic chuck bias compensation during plasma processing |
US11967483B2 (en) | 2021-06-02 | 2024-04-23 | Applied Materials, Inc. | Plasma excitation with ion energy control |
US11984306B2 (en) | 2021-06-09 | 2024-05-14 | Applied Materials, Inc. | Plasma chamber and chamber component cleaning methods |
US11810760B2 (en) | 2021-06-16 | 2023-11-07 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method of ion current compensation |
US11569066B2 (en) | 2021-06-23 | 2023-01-31 | Applied Materials, Inc. | Pulsed voltage source for plasma processing applications |
US11776788B2 (en) | 2021-06-28 | 2023-10-03 | Applied Materials, Inc. | Pulsed voltage boost for substrate processing |
US11476090B1 (en) | 2021-08-24 | 2022-10-18 | Applied Materials, Inc. | Voltage pulse time-domain multiplexing |
US12106938B2 (en) | 2021-09-14 | 2024-10-01 | Applied Materials, Inc. | Distortion current mitigation in a radio frequency plasma processing chamber |
US11694876B2 (en) | 2021-12-08 | 2023-07-04 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for delivering a plurality of waveform signals during plasma processing |
US11670487B1 (en) | 2022-01-26 | 2023-06-06 | Advanced Energy Industries, Inc. | Bias supply control and data processing |
US12046448B2 (en) | 2022-01-26 | 2024-07-23 | Advanced Energy Industries, Inc. | Active switch on time control for bias supply |
US11942309B2 (en) | 2022-01-26 | 2024-03-26 | Advanced Energy Industries, Inc. | Bias supply with resonant switching |
US11972924B2 (en) | 2022-06-08 | 2024-04-30 | Applied Materials, Inc. | Pulsed voltage source for plasma processing applications |
US11978613B2 (en) | 2022-09-01 | 2024-05-07 | Advanced Energy Industries, Inc. | Transition control in a bias supply |
US12111341B2 (en) | 2022-10-05 | 2024-10-08 | Applied Materials, Inc. | In-situ electric field detection method and apparatus |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1999014394A1 (en) * | 1997-09-17 | 1999-03-25 | Tokyo Electron Limited | Device and method for detecting and preventing arcing in rf plasma systems |
JP2006278335A (ja) * | 2005-03-26 | 2006-10-12 | Huettinger Elektronik Gmbh & Co Kg | プラズマプロセスでのアーク識別方法およびプラズマ励起装置 |
JP2008047292A (ja) * | 2006-08-10 | 2008-02-28 | Nippon Reliance Kk | アーク放電抑止装置および方法 |
WO2008071734A2 (en) * | 2006-12-12 | 2008-06-19 | Oc Oerlikon Balzers Ag | Arc suppression and pulsing in high power impulse magnetron sputtering (hipims) |
Family Cites Families (69)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4031464A (en) | 1976-03-01 | 1977-06-21 | Control Data Corporation | Line power distortion detector |
US4396478A (en) | 1981-06-15 | 1983-08-02 | Aizenshtein Anatoly G | Method of control of chemico-thermal treatment of workpieces in glow discharge and a device for carrying out the method |
US4625283A (en) | 1982-05-07 | 1986-11-25 | Cooper Industries, Inc. | Method and apparatus for digitally measuring alternating current |
JPS59111231A (ja) | 1982-12-16 | 1984-06-27 | Japan Atom Energy Res Inst | ア−ク放電異常検出方式 |
US4694402A (en) | 1985-05-28 | 1987-09-15 | Basic Measuring Instruments | Waveform disturbance detection apparatus and method |
US4936960A (en) | 1989-01-03 | 1990-06-26 | Advanced Energy Industries, Inc. | Method and apparatus for recovery from low impedance condition during cathodic arc processes |
US5241152A (en) | 1990-03-23 | 1993-08-31 | Anderson Glen L | Circuit for detecting and diverting an electrical arc in a glow discharge apparatus |
US6545420B1 (en) | 1990-07-31 | 2003-04-08 | Applied Materials, Inc. | Plasma reactor using inductive RF coupling, and processes |
DE4127504A1 (de) | 1991-08-20 | 1993-02-25 | Leybold Ag | Einrichtung zur unterdrueckung von lichtboegen |
CH689767A5 (de) | 1992-03-24 | 1999-10-15 | Balzers Hochvakuum | Verfahren zur Werkstueckbehandlung in einer Vakuumatmosphaere und Vakuumbehandlungsanlage. |
US5729145A (en) | 1992-07-30 | 1998-03-17 | Siemens Energy & Automation, Inc. | Method and apparatus for detecting arcing in AC power systems by monitoring high frequency noise |
US5718813A (en) | 1992-12-30 | 1998-02-17 | Advanced Energy Industries, Inc. | Enhanced reactive DC sputtering system |
WO1994025977A1 (en) | 1993-04-28 | 1994-11-10 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for etchback endpoint detection |
US5698082A (en) | 1993-08-04 | 1997-12-16 | Balzers Und Leybold | Method and apparatus for coating substrates in a vacuum chamber, with a system for the detection and suppression of undesirable arcing |
DE4326100B4 (de) | 1993-08-04 | 2006-03-23 | Unaxis Deutschland Holding Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zum Beschichten von Substraten in einer Vakuumkammer, mit einer Einrichtung zur Erkennung und Unterdrückung von unerwünschten Lichtbögen |
JPH07191764A (ja) | 1993-12-27 | 1995-07-28 | Fujitsu Ltd | 高周波電源装置及びプラズマ発生装置 |
DE4420951C2 (de) | 1994-06-16 | 1998-01-22 | Leybold Ag | Einrichtung zum Erfassen von Mikroüberschlägen in Zerstäubungsanlagen |
DE4441206C2 (de) | 1994-11-19 | 1996-09-26 | Leybold Ag | Einrichtung für die Unterdrückung von Überschlägen in Kathoden-Zerstäubungseinrichtungen |
JPH08167500A (ja) | 1994-12-15 | 1996-06-25 | Jeol Ltd | 高周波プラズマ発生装置用電源 |
JP2733454B2 (ja) | 1995-02-16 | 1998-03-30 | 株式会社京三製作所 | 成膜装置用異常放電抑制装置 |
WO1996031899A1 (en) | 1995-04-07 | 1996-10-10 | Advanced Energy Industries, Inc. | Adjustable energy quantum thin film plasma processing system |
US5576939A (en) | 1995-05-05 | 1996-11-19 | Drummond; Geoffrey N. | Enhanced thin film DC plasma power supply |
JPH09170079A (ja) | 1995-12-18 | 1997-06-30 | Asahi Glass Co Ltd | スパッタリング方法および装置 |
US5804975A (en) | 1996-09-18 | 1998-09-08 | Lucent Technologies Inc. | Detecting breakdown in dielectric layers |
DE19651615C1 (de) | 1996-12-12 | 1997-07-10 | Fraunhofer Ges Forschung | Verfahren zum Aufbringen von Kohlenstoffschichten durch reaktives Magnetron-Sputtern |
WO1998037257A1 (fr) | 1997-02-20 | 1998-08-27 | Shibaura Mechatronics Corporation | Bloc d'alimentation pour dispositif de pulverisation cathodique |
US5993615A (en) * | 1997-06-19 | 1999-11-30 | International Business Machines Corporation | Method and apparatus for detecting arcs |
EP1018088A4 (en) | 1997-09-17 | 2006-08-16 | Tokyo Electron Ltd | SYSTEM AND METHOD FOR CONTROLLING AND REGULATING PLASMA TREATMENTS |
US5889391A (en) | 1997-11-07 | 1999-03-30 | Sierra Applied Sciences, Inc. | Power supply having combined regulator and pulsing circuits |
US6162332A (en) | 1998-05-07 | 2000-12-19 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Method and apparatus for preventing arcing in sputter chamber |
WO1999058743A1 (fr) | 1998-05-08 | 1999-11-18 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Unite source d'alimentation en energie pour traitement de surface par decharges |
JP3036514B2 (ja) | 1998-06-26 | 2000-04-24 | 松下電器産業株式会社 | ガスレーザ発振装置 |
JP3478327B2 (ja) | 1998-10-19 | 2003-12-15 | 日立プラント建設株式会社 | 電気集塵装置の火花検出装置 |
DE19848636C2 (de) | 1998-10-22 | 2001-07-26 | Fraunhofer Ges Forschung | Verfahren zur Überwachung einer Wechselspannungs-Entladung an einer Doppelelektrode |
US6213050B1 (en) | 1998-12-01 | 2001-04-10 | Silicon Genesis Corporation | Enhanced plasma mode and computer system for plasma immersion ion implantation |
DE19937859C2 (de) | 1999-08-13 | 2003-06-18 | Huettinger Elektronik Gmbh | Elektrische Versorgungseinheit für Plasmaanlagen |
DE19949394A1 (de) | 1999-10-13 | 2001-04-19 | Balzers Process Systems Gmbh | Elektrische Versorgungseinheit und Verfahren zur Reduktion der Funkenbildung beim Sputtern |
TW505939B (en) | 2000-03-28 | 2002-10-11 | Kumamoto Technopolis Foundatio | Apparatus for detecting plasma anomalous discharge and method of detecting the same |
US6472822B1 (en) | 2000-04-28 | 2002-10-29 | Applied Materials, Inc. | Pulsed RF power delivery for plasma processing |
DE10034895C2 (de) | 2000-07-18 | 2002-11-14 | Fraunhofer Ges Forschung | Verfahren zur Erkennung von Überschlägen in gepulst betriebenen Plasmen |
DE10119058C2 (de) | 2001-04-18 | 2003-05-08 | Logitex Reinstmedientechnik Gm | Vorrichtung zum Detektieren von Instabilitäten eines hochfrequent angeregten Plasmas, insbesondere von Arcing Ereignissen |
JP4500048B2 (ja) | 2001-10-22 | 2010-07-14 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | グロー放電装置のアーク判定方法及び高周波アーク放電抑制装置 |
JP3689732B2 (ja) | 2001-12-05 | 2005-08-31 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置の監視装置 |
US6736944B2 (en) | 2002-04-12 | 2004-05-18 | Schneider Automation Inc. | Apparatus and method for arc detection |
US7988833B2 (en) | 2002-04-12 | 2011-08-02 | Schneider Electric USA, Inc. | System and method for detecting non-cathode arcing in a plasma generation apparatus |
WO2003103348A1 (ja) | 2002-05-31 | 2003-12-11 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | 放電用電源、スパッタリング用電源及びスパッタリング装置 |
US6859042B2 (en) | 2002-06-07 | 2005-02-22 | Hendry Mechanical Works | Arc detection by non-causal signal correlation |
US20040031699A1 (en) * | 2002-08-19 | 2004-02-19 | Applied Materials, Inc. | Method for performing real time arcing detection |
US6806651B1 (en) | 2003-04-22 | 2004-10-19 | Zond, Inc. | High-density plasma source |
US6967305B2 (en) | 2003-08-18 | 2005-11-22 | Mks Instruments, Inc. | Control of plasma transitions in sputter processing systems |
JP2005077248A (ja) | 2003-08-29 | 2005-03-24 | Daihen Corp | 高周波電源装置 |
KR101144449B1 (ko) | 2003-09-22 | 2012-05-10 | 엠케이에스 인스트루먼츠, 인코포레이티드 | 무선 주파수 플라즈마 프로세싱 내에서 불안정성을 방지하기 위한 장치 및 방법 |
WO2005057993A1 (ja) | 2003-11-27 | 2005-06-23 | Daihen Corporation | 高周波電力供給システム |
US7016172B2 (en) | 2003-12-20 | 2006-03-21 | Lear Corporation | Method of detecting an arc and protecting the load against said arc |
DE102004015090A1 (de) | 2004-03-25 | 2005-11-03 | Hüttinger Elektronik Gmbh + Co. Kg | Bogenentladungserkennungseinrichtung |
US6943317B1 (en) | 2004-07-02 | 2005-09-13 | Advanced Energy Industries, Inc. | Apparatus and method for fast arc extinction with early shunting of arc current in plasma |
US7081598B2 (en) | 2004-08-24 | 2006-07-25 | Advanced Energy Industries, Inc. | DC-DC converter with over-voltage protection circuit |
US7408750B2 (en) | 2004-09-09 | 2008-08-05 | Sensata Technologies Massachusetts, Inc. | Methods of detecting arc faults characterized by consecutive periods of arcing |
US20060100824A1 (en) | 2004-10-27 | 2006-05-11 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus, abnormal discharge detecting method for the same, program for implementing the method, and storage medium storing the program |
US7262606B2 (en) | 2005-03-26 | 2007-08-28 | Huettinger Elektronik Gmbh + Co. Kg | Method of arc detection |
US7305311B2 (en) | 2005-04-22 | 2007-12-04 | Advanced Energy Industries, Inc. | Arc detection and handling in radio frequency power applications |
EP1720195B1 (de) | 2005-05-06 | 2012-12-12 | HÜTTINGER Elektronik GmbH + Co. KG | Arcunterdrückungsanordnung |
ATE421791T1 (de) | 2005-12-22 | 2009-02-15 | Huettinger Elektronik Gmbh | Verfahren und vorrichtung zur arcerkennung in einem plasmaprozess |
DE102006002333A1 (de) | 2006-01-18 | 2007-07-19 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Verfahren und Vorrichtung zum Löschen von Bogenentladungen |
US7445695B2 (en) | 2006-04-28 | 2008-11-04 | Advanced Energy Industries Inc. | Method and system for conditioning a vapor deposition target |
DE502006005363D1 (de) | 2006-11-23 | 2009-12-24 | Huettinger Elektronik Gmbh | Verfahren zum Erkennen einer Bogenentladung in einem Plasmaprozess und Bogenentladungserkennungsvorrichtung |
US7795817B2 (en) | 2006-11-24 | 2010-09-14 | Huettinger Elektronik Gmbh + Co. Kg | Controlled plasma power supply |
EP1928009B1 (de) | 2006-11-28 | 2013-04-10 | HÜTTINGER Elektronik GmbH + Co. KG | Bogenentladungs-Erkennungseinrichtung, Plasma-Leistungsversorgung und Verfahren zum Erkennen von Bogenentladungen |
EP1933362B1 (de) | 2006-12-14 | 2011-04-13 | HÜTTINGER Elektronik GmbH + Co. KG | Bogenentladungs-Erkennungseinrichtung, Plasma-Leistungsversorgung und Verfahren zum Erkennen von Bogenentladungen |
-
2007
- 2007-03-08 AT AT07004758T patent/ATE493749T1/de active
- 2007-03-08 EP EP07004758A patent/EP1978542B1/de active Active
- 2007-03-08 DE DE502007006093T patent/DE502007006093D1/de active Active
-
2008
- 2008-03-07 US US12/044,338 patent/US7929261B2/en active Active
- 2008-03-07 JP JP2008057910A patent/JP2008226839A/ja active Pending
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1999014394A1 (en) * | 1997-09-17 | 1999-03-25 | Tokyo Electron Limited | Device and method for detecting and preventing arcing in rf plasma systems |
JP2006278335A (ja) * | 2005-03-26 | 2006-10-12 | Huettinger Elektronik Gmbh & Co Kg | プラズマプロセスでのアーク識別方法およびプラズマ励起装置 |
JP2008047292A (ja) * | 2006-08-10 | 2008-02-28 | Nippon Reliance Kk | アーク放電抑止装置および方法 |
WO2008071734A2 (en) * | 2006-12-12 | 2008-06-19 | Oc Oerlikon Balzers Ag | Arc suppression and pulsing in high power impulse magnetron sputtering (hipims) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017527092A (ja) * | 2014-06-27 | 2017-09-14 | トゥルンプフ ヒュッティンガー ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング ウント コンパニー コマンディートゲゼルシャフトTRUMPF Huettinger GmbH + Co. KG | 電力発生器を動作させるための方法、及び、電力発生器 |
KR20170109047A (ko) * | 2015-02-03 | 2017-09-27 | 트럼프 휴팅거 에스피 제트 오. 오. | 아크 처리 장치 및 그 방법 |
JP2018504760A (ja) * | 2015-02-03 | 2018-02-15 | トゥルンプフ ヒュッティンガー スプウカ ズ オグラニショナ オドポヴィヂャルノスツィアTRUMPF Huettinger Sp. z o. o. | アークを処理する装置およびアークを処理する方法 |
US10297431B2 (en) | 2015-02-03 | 2019-05-21 | Trumpf Huettinger Sp. Z O. O. | Treating arcs in a plasma process |
KR102223497B1 (ko) * | 2015-02-03 | 2021-03-09 | 트럼프 휴팅거 에스피 제트 오.오. | 아크 처리 장치 및 그 방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP1978542B1 (de) | 2010-12-29 |
US7929261B2 (en) | 2011-04-19 |
US20080218923A1 (en) | 2008-09-11 |
EP1978542A1 (de) | 2008-10-08 |
DE502007006093D1 (de) | 2011-02-10 |
ATE493749T1 (de) | 2011-01-15 |
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