JP2008225296A - 電気光学装置、及び電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】階調反転を抑制することで、表示品位が高く、かつ広視野角を得る、電気光学装置、及び電子機器を提供する。
【解決手段】電気光学層５０を挟持して対向配置された一対の基板１０，２０と、一対の基板１０，２０の少なくとも一方の基板２０における電気光学層５０とは反対側に設けられ、光学媒体をハイブリッド配向させてなる光学異方層２３と、を備えた電気光学装置１００である。電気光学層５０は、白色表示時にて、電気光学層５０の厚み方向のチルト角が中央側および基板面側で異なる。
【選択図】図３

Description

本発明は、電気光学装置、及び電子機器に関するものである。

一般的に液晶表示装置（電気光学装置）は視野角特性が問題となり、このような問題を解決すべくλ／４波長板（位相差層）を設けることで広視野角化を図る技術が知られている（例えば、特許文献１参照）。
ところで、液晶表示装置の駆動モードとして種々のものがあるが、例えば液晶層の複屈折性を利用するものとしてＥＣＢモードが知られている。このようなＥＣＢモードによって駆動される液晶層を有した液晶表示装置においても、同様に広視野角化が望まれる。
例えば、反射表示および透過表示を行う半透過反射型のＥＣＢモードの液晶表示装置の視野角特性を向上させるために、位相差板に液晶分子がハイブリッド配向した構造を持つＮＲフィルム（光学補償フィルム）を用いることが考えられる。
特表２００５−５０１２９３号公報

しかしながら、上述したようにＮＲフィルムを用いると視野角を拡大することができるものの、白色および黒色における階調が反転してしまい表示品位が低下する可能性がある。すなわち、表示品位と広視野角化との両立を図るのが難しかった。

本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであって、階調反転を抑制することで、表示品位が高く、かつ広視野角を得る、電気光学装置、及び電子機器を提供することを目的としている。

本発明は、前記課題を解決するために以下の構成を採用した。
すなわち、本発明の電気光学装置は、電気光学層を挟持して対向配置された一対の基板と、該一対の基板の少なくとも一方の基板における前記電気光学層とは反対側に設けられ、光学媒体をハイブリッド配向させてなる光学異方層と、を備えた電気光学装置であって、前記電気光学層は、白色表示時にて、前記電気光学層の厚み方向のチルト角が中央側および前記基板面側で異なることを特徴とする。

本発明の電気光学装置によれば、白色表示（ノーマリーホワイト）時において、例えば中央側のチルト角を基板側に対して異ならせる、すなわち中央側のチルト角を所定値とすることで、後述する実験結果に示されるように斜め方向から表示部を視た場合における、白色の輝度で規定される階調の反転が生じるのを良好に抑制することができる。また、光学媒体をハイブリッド配向させてなる光学異方層を備えたことで、広視野角化を実現できる。したがって、階調反転を抑制することで、表示品位が高く、かつ広視野角を得ることのできる電気光学装置を提供できる。

また、上記電気光学装置においては、前記中央側におけるチルト角は、チルト角をａ、前記電気光学層のリタデーションをｘ、としたとき、
ｘ／２５ ＜ ａ ＜ ｘ／１０
の関係を満たすのが好ましい。
このようにすれば、上記関係で規定されるチルト角を採用することで、階調反転を良好に抑制することができる。

また、上記電気光学装置においては、前記チルト角は、前記基板側および前記中央側間において連続的に変化するのが好ましい。
このようにすれば、電気光学層内でチルト角が急激に変化するのが防止されるので、階調反転抑制効果を安定させることができる。

また、上記電気光学装置においては、前記電気光学層が、ＥＣＢモードにより駆動される液晶層であるのが好ましい。
このようにすれば、高表示品位および広視野角化を実現した、信頼性の高いＥＣＢモードの液晶表示装置を提供できる。

また、上記電気光学装置においては、１つのサブ画素領域が反射表示をなす反射表示領域および透過表示をなす透過表示領域から構成され、前記反射表示領域における前記電気光学層の層厚を前記透過表示領域における前記電気光学層の層厚よりも小さくする電気光学層厚調整部材を備えるのが好ましい。
このようにすれば、所謂マルチギャップ構造を備えた半透過反射型の電気光学装置においても、階調反転を抑制し、表示品位が高く、かつ広視野角を得ることができる。

また、上記電気光学装置においては、前記光学異方層は、透過光に対して略１／４波長の位相差を付与するλ／４位相差板を構成するのが好ましい。
このようにすれば、光学異方層が、視野角を補償する光学補償機能に加え、１／４波長板の機能も兼ねた構成となっているので、電気光学装置自体が高性能なものとなる。

本発明の電子機器は、上記の電気光学装置を備えたことを特徴とする。

本発明の電子機器によれば、上述したように階調反転を抑制することで、表示品位が高く、かつ広視野角化が実現された電気光学装置を備えているので、電子機器自体も、高性能かつ高信頼性なものとなる。

以下、本発明における電気光学装置の一実施形態を、図面に基づいて説明する。なお、以下の説明に用いる各図面では、各部材を認識可能な大きさとするために縮尺を適宜変更している。また、本実施形態では、電気光学装置として半透過反射型の液晶表示装置を例に挙げて説明する。ここで、図１は液晶表示装置の等価回路図、図２は液晶表示装置のサブ画素領域を示す部分拡大平面構成図、図３は図２のＡ−Ａ’矢視断面を示す図である。

本実施形態の液晶表示装置１００は、アクティブマトリクス方式の透過型液晶表示装置であって、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の各色光を出力する３個のサブ画素で１個の画素を構成するものである。ここで、表示を構成する最小単位となる表示領域を「サブ画素領域」、３個のサブ画素により形成される表示領域を「画素領域」と称する。

図１に示すように、液晶表示装置１００の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数のサブ画素領域には、それぞれ画素電極９と画素電極９をスイッチング制御するためのＴＦＴ（Thin Film Transistor：薄膜トランジスタ）３０とが形成されており、データ線駆動回路（図示せず）から延びるデータ線６ａがＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。また、走査線駆動回路（図示せず）は、走査信号Ｇ１〜Ｇｍを所定のタイミングでパルス的に線順次で供給する。データ線駆動回路は、画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを、データ線６ａを介して各サブ画素に供給する。前記画像信号Ｓ１〜Ｓｎはこの順に線順次に供給しても構わないし、相隣接する複数のデータ線６ａ同士に対して、グループ毎に供給するようにしてもよい。

液晶表示装置１００は、スイッチング素子であるＴＦＴ３０が走査信号Ｇ１〜Ｇｍの入力により一定期間だけオン状態とされることで、データ線６ａから供給される画像信号Ｓ１〜Ｓｎが、所定のタイミングで画素電極９に書き込まれる構成となっている。そして、画素電極９を介して液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１〜Ｓｎは、画素電極９と液晶層５０を介して対向配置された後述する共通電極との間で一定期間保持される。
ここで、保持された画像信号Ｓ１〜Ｓｎがリークするのを防止するため、画素電極９と共通電極との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量１７が接続されている。蓄積容量１７は、ＴＦＴ３０のドレインと容量線３ｂとの間に設けられている。

次に、図２，３を参照して、液晶表示装置１００の詳細な構成について説明する。図２において、平面視でほぼ矩形状のサブ画素領域の長軸方向、画素電極９の長軸方向、並びにデータ線６ａの延在方向をＸ軸方向、サブ画素領域の短軸方向や画素電極９の短軸方向、走査線３ａ及び容量線３ｂの延在方向をＹ軸方向と規定している。

各々のサブ画素領域には、一方向（Ｘ軸方向）に長手の平面視矩形状の画素電極９が形成されている。画素電極９の辺端のうち、長辺の縁に沿ってデータ線６ａが延在しており、短辺の縁に沿って走査線３ａが延在している。走査線３ａの画素電極９側には、走査線３ａと平行に延びる容量線３ｂが形成されている。

画素電極９は、サブ画素領域を長軸方向で区画するように配置された透明電極１９ａと、反射電極１９ｂとからなる。透明電極１９ａおよび反射電極１９ｂは、互いに電気的に接続されている。また、画素電極９に対向配置されて共通電極２５が形成されている。

本実施形態において、透明電極１９ａの形成領域、すなわち照明装置６０からの照明光が透過することで表示を行う領域が透過表示領域Ｔであり、反射電極１９ｂの形成領域、すなわち外光を反射させて表示を行う領域が反射表示領域Ｒである。

透明電極１９ａは、ＩＴＯ（インジウム錫酸化物）などの透明導電膜からなり、反射電極１９ｂはアルミニウムや銀などの光反射性の金属膜等からなる。透明電極１９ａは容量線３ｂと部分的に重なって配置されており、透明電極１９ａは隣接するサブ画素領域の走査線３ａと部分的に重なって配置されている。透明電極１９ａと容量線３ｂとが平面的に重なる領域に画素電極９とＴＦＴ３０との接続部が形成されている。また透明電極１９ａの平面領域内であって、走査線３ａとデータ線６ａとの交差部近傍にＴＦＴアレイ基板（他方の基板）１０と対向基板（一方の基板）２０との間隔（液晶層５０の層厚）を一定に保持するスペーサ４０が形成されている。スペーサ４０は、走査線３ａやデータ線６ａ等の信号配線上に配置することもでき、反射表示領域Ｒに配置することもできる。

走査線３ａ上に、スイッチング素子であるＴＦＴ３０が形成されている。ＴＦＴ３０は、島状のアモルファスシリコン膜からなる半導体層３５と、半導体層３５に対して一部平面的に重なるように配置されたソース電極６ｂ及びドレイン電極３２と、を備えている。
走査線３ａは半導体層３５と平面的に重なる位置でＴＦＴ３０のゲート電極として機能する。

ソース電極６ｂは、半導体層３５と反対側の端部でデータ線６ａと電気的に接続されている。ドレイン電極３２は半導体層３５と反対側の端部で容量電極３１を構成している。
容量電極３１は容量線３ｂの平面領域内に配置されており、当該位置に容量電極３１と容量線３ｂとを電極とする蓄積容量１７が形成されている。容量電極３１の平面領域内に形成された画素コンタクトホール１４を介して画素電極９と容量電極３１とが電気的に接続されることで、ＴＦＴ３０のドレインと画素電極９とが電気的に導通している。

次に、図３に示す断面構造をみると、液晶表示装置１００は、互いに対向して配置されたＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間に、ホモジーニアス型の液晶層５０が挟持されている。前記液晶層５０は、前記画素電極９および共通電極２５間に電圧を印加し液晶の複屈折性を利用することで入射光の通過／遮断を制御するＥＣＢ（Electrically Controlled Birefringence）モードで動作する構成となっている。なお、本実施形態に係るＥＣＢモードの液晶表示装置１００は、画素電極９および共通電極２５間に電圧を印加しない際に白表示（ノーマリーホワイト）となっている。

前記対向基板２０は、例えばガラスや石英、プラスチックなどの透光性材料で構成された基板本体２１を主体として構成される。基板本体２１の外面（前記液晶層５０）には、
詳細について後述する、光学媒体をハイブリッド配向させてなる光学異方層２３を備えている。なお光学異方層２３は、透過光に対して略１／４波長の位相差を付与するλ／４位相差板を構成し、位相差が９０〜１４０ｎｍに設定される。そして、この光学異方層２３上には、透過光に対して略１／２波長の位相差を付与するλ／２位相差板２６と偏光板２７とが順に積層されている。なお、本実施形態では、前記λ／２位相差板２６の位相差は、２８０ｎｍに設定される。

また、基板本体２１の内側（液晶層５０側）には、各サブ画素領域を縁取るようにして形成される遮光膜（ブラックマトリクス；不図示）と、各々のサブ画素領域に対応する色種の色材層からなるカラーフィルタ２２とが形成されている。

カラーフィルタ２２は、サブ画素領域内で色度の異なる２種類の領域に区画されている構成とすることが好ましい。具体例を挙げると、透過表示領域Ｔの平面領域に対応して第１の色材領域が設けられ、反射表示領域Ｒの平面領域に対応して第２の色材領域が設けられており、第１の色材領域の色度が、第２の色材領域の色度より大きいものとされている構成を採用できる。このような構成とすることで、カラーフィルタ２２を表示光が１回のみ透過する透過表示領域Ｔと、２回透過する反射表示領域Ｒとの間で表示光の色度が異なるのを防止でき、反射表示と透過表示の見映えを揃えて表示品質を向上させることができる。
また、カラーフィルタ２２上には、さらに透明樹脂材料等からなる平坦化膜を積層することが好ましい。これにより対向基板２０表面を平坦化して液晶層５０の厚さを均一化でき、サブ画素領域内で駆動電圧が不均一になりコントラストが低下するのを防止することができる。

前記カラーフィルタ２２上にＩＴＯ等の透明導電材料からなる共通電極２５が形成されている。共通電極２５は複数のサブ画素領域を覆う平面形状である。共通電極２５を覆ってポリイミド等からなる配向膜２９が形成されている。配向膜２９の表面にはサブ画素領域の長軸方向（図２Ｘ軸方向）のラビング処理が施されている。かかる配向膜２９により、図２中、実線の矢印で示す配向方向２９ａに沿って液晶分子が配向する。なお、後述するＴＦＴアレイ基板１０側の配向膜１８により、図２中破線の矢印で示す配向方向１８ａに沿って液晶分子が配向する。

（光学異方層）
前記光学異方層２３は、ディスコティック化合物等の負の屈折率異方性を有する光学異方体（光学媒体）からなり、その主屈折率ｎｘ，ｎｙ，ｎｚは、ｎｘ＝ｎｙ＞ｎｚを満たす構成とされている。また膜厚方向に対してディスコティック化合物の光軸角度が変化しているハイブリット配向した構成であるため、平均的な屈折率楕円体の主屈折率ｎｚの方向は基板法線に対してある角度をなして傾いているものとなっている。

基板１０，２０間に封入された液晶層５０は、光学的に正の一軸性を示すもので、液晶分子のダイレクタ方向の屈折率が他の方向の屈折率より大きくなっている。ここで、界面付近の液晶分子は黒表示の際、完全に立ち上がることができないために、残留リタデーションを生じ、これを打ち消す必要がある。さらにラグビーボール型の屈折率楕円体は、斜め方向から観察すると楕円になり、その長軸と短軸との差が複屈折となる。この斜め方向から観察した場合の位相差が、黒表示における光漏れの原因となり、液晶パネルのコントラスト比を低下させることになる。

これに対して、光学異方層２３を構成するディスコティック液晶は、上述したように光学的に負の一軸性を示すものであり、光学異方層２３における円盤型の屈折率楕円体のｚ方向の光軸を、それぞれが配設される側のラグビーボール型の屈折率楕円体の光軸と平行に配置することで光学的な正負が逆になって複屈折効果を打ち消すことができる。そこで、光学異方層２３における配向膜の配向規制方向が、配向膜の配向規制方向（ラビング方向１８ａ、２９ａ）と略一致するように配置し、かつ光学異方層２３におけるディスコティック液晶の傾斜角度が大きい方の面が、液晶層５０と対向するように配置する。これにより、光入射側領域に生じる光学的な位相差を３次元的に補償することが可能になり、液晶表示装置における広視野角化を図ることができる。

前記光学異方層２３は、具体的には、トリアセチルセルロース（ＴＡＣ）等からなる支持体上に配向膜（不図示）を設け、その配向膜上にトリフェニレン誘導体等のディスコティック化合物層を形成したものである。なお、配向膜はポリビニルアルコール（ＰＶＡ）等からなり、その表面にはラビング等が施されて、液晶分子の配向方向を規制している。一方、ディスコティック化合物層は、負の一軸性を示す光学媒体であるディスコティック液晶（ディスコティック化合物）の光軸（盤面法線方向の軸）の傾斜角度が厚み方向に連続的に変化した光学的構造を有する光学異方性層である。このようなハイブリッド配向構造は、支持体上に前記一軸性の光学媒体である液晶性ディスコティック液晶を塗布し、一定温度に加熱してディスコティックネマチック相（ＮＤ相）を形成した後、硬化させることによって得ることができる。なおディスコティック液晶は、支持体側で最小のチルト角（０°〜１５°、例えば３°）を示し、その反対側である空気界面側で最大のチルト角（例えば４０°〜７０°）を呈する。なおディスコティック液晶の配向規制方向は、上述したように液晶表示装置における配向膜１８，２９のラビング方向１８ａ、２９ａと平行である。

一方、ＴＦＴアレイ基板１０の外面側（液晶層５０と反対側）には、λ／４位相差板３６とλ／２位相差板３７と偏光板３８とが順に積層されている。なお、本実施形態では、前記λ／２位相差板３７の位相差は、２５０〜２８０ｎｍ程度に設定される。また、前記λ／４位相差板３６の位相差は、９０〜１４０ｎｍ程度に設定される。

前記ＴＦＴアレイ基板１０は、ガラスや石英、プラスチック等の透光性の基板本体１１を基体としてなり、基板本体１１の内面側（液晶層５０側）には、走査線３ａ及び容量線３ｂが形成されており、走査線３ａ及び容量線３ｂを覆って、酸化シリコン等の透明絶縁材料からなるゲート絶縁膜１２が形成されている。

ゲート絶縁膜１２上に、アモルファスシリコンの半導体層３５が形成されており、半導体層３５に一部乗り上げるようにしてソース電極６ｂと、ドレイン電極３２とが設けられており、これらソース電極６ｂ及びドレイン電極３２と同層であって、容量線３ｂと対向する位置に容量電極３１が形成されている。ドレイン電極３２は、図２に示したように、接続配線３１ａ及び容量電極３１と一体に形成されている。半導体層３５は、ゲート絶縁膜１２を介して走査線３ａと対向しており、当該対向領域で走査線３ａがＴＦＴ３０のゲート電極を構成している。容量電極３１はこれに対向する容量線３ｂとともに、ゲート絶縁膜１２をその誘電体膜とする蓄積容量１７を形成している。

半導体層３５、ソース電極６ｂ、ドレイン電極３２、及び容量電極３１を覆って、酸化シリコン等からなる層間絶縁膜１３が形成されている。反射表示領域Ｒに対応する層間絶縁膜１３上には、アクリル樹脂等の透明絶縁材料からなる液晶層厚調整層４８がサブ画素領域内で部分的に形成されている。この液晶層厚調整層４８の表面と層間絶縁膜１３の表面とに跨って画素電極９が形成されており、具体的には前記液晶層厚調整層４８の表面に倣って反射電極１９が形成される。なお、前記液晶層厚調整層４８の表面部には凹凸形状を有する樹脂膜４８ａが形成されている。そして、この樹脂膜４８ａ上に形成された反射電極１９ｂ表面の表面も樹脂膜４８ａに倣う凹凸形状を有している。これにより、反射電極１９ｂは、入射光を散乱させつつ反射させる散乱反射層として機能するものとなっている。

前記液晶層厚調整層４８は、反射表示領域Ｒにおける液晶層厚と透過表示領域Ｔにおける液晶層厚とを異ならせ、液晶層５０を透過する光に付与される位相差を反射表示領域Ｒおよび透過表示領域Ｔの各々で最適化する、所謂マルチギャップ構造を構成するものであり、少なくとも前記反射電極１９ｂが形成される領域を含む領域に形成される。本実施形態の場合、反射表示領域Ｒにおける液晶層５０の膜厚が、透過表示領域Ｔにおける液晶層５０の膜厚の略半分になるように設定されている。

また、前記層間絶縁膜１３を貫通して、ドレイン電極３２に達するコンタクトホール１４が形成されており、このコンタクトホール１４内に画素電極９が一部埋設されることで、画素電極９とＴＦＴ３０とが電気的に接続されている。また、画素電極９および層間絶縁膜１３を覆ってポリイミド等からなる配向膜１８が形成されている。

次に、液晶表示装置１００における各光学軸の関係について図４を参照して説明する。なお、図４では基準線の反時計回りを＋方向とした。図４に示すように、基準線（走査線３ａの延在方向）に対し、上側の偏光板２７の吸収軸が−３°、λ／２位相差板２６の遅相軸が２１°、光学異方層２３の遅相軸が９０°をなすようにそれぞれが配置される。また、下側の偏光板３８の吸収軸が７５°、λ／４位相差板３６の遅相軸が７５°、λ／２位相差板の遅相軸が１５０°をなすようにそれぞれが配置される。なお、上述したように液晶分子の初期配向方向（ラビング方向１８ａ，２９ａ）は、光学異方層２３およびλ／４位相差板３６の遅相軸と平行に設定される。

ところで、光学異方層２３を液晶表示装置に組み合わせることで、上述したように広視野角を得ることができる。一般的に上述したような光学異方層を液晶表示装置に設けると白色の輝度で規定される階調の低下が生じる。また、階調が低下する割合は、基板の視認角（基板を垂直方向から視た場合を０°基準とし、この基準から傾斜する角度）によって異なる。

図５は光学異方層を設けたことに起因する階調低下を説明する図であり、視認角と輝度の関係を示している。なお図５中、実線で示される光学異方層を設けた場合であり、破線で示されるは光学異方層を設けない場合である。

図５に示すように視認角が小さい場合（０°近傍）、光学異方層を設けた場合は、光学異方層を設けない場合に比べて階調が高くなる。しかしながら、視認角が大きく（絶対値が３０°以上）なると、光学異方層を設けた場合は光学異方層を設けない場合に比べて、階調が低下する。すなわち、ある視認角以上になると階調反転が生じるといった問題が生じる。

このような問題を解決するため、本実施形態に係る液晶表示装置１００は、以下の構成を採用した。
本実施形態に係る液晶表示装置１００では、白色表示にて、液晶層５０の厚み方向のチルト角が中央側および基板１０，２０の基板面側で異なる構成とした。前記液晶層５０における基板面側のチルト角は、ＴＦＴアレイ基板１０および対向基板２０の内面側にそれぞれ形成された配向膜１８，２９によって規定され、具体的なチルト角としては３°に設定される。

また、前記中央側におけるチルト角は、以下の式（１）に示される関係を有している。式（１）においては、液晶分子のチルト角をａとし、液晶層５０におけるリタデーションΔｎ・ｄ（ｎ：液晶の複屈折率、ｄ：液晶層厚）をｘとしている。

ｘ／２５ ＜ ａ ＜ ｘ／１０ 式（１）

本実施形態に係る液晶表示装置１００では、液晶層５０のリタデーションΔｎ・ｄが３２０ｎｍとなっている。この場合、上記式（１）に代入すると、液晶分子のチルト角ａは、２１．３°以上３２°以下となる。本実施形態では、例えば液晶層５０中に電界を生じさせることで上記チルト角ａを２７°に設定した。

すなわち、本実施形態では、中央側のチルト角（本実施形態では２７°）が基板１０，２０側のチルト角（配向膜１８，２９で規定されるプレチルト角３°）よりも大きくなっている。また、液晶層５０のチルト角は、前記基板側（チルト角＝３°）および前記中央側（チルト角＝２７°）間において連続的に変化するのが望ましい。このようにすれば、液晶層５０内でチルト角が急激に変化することが防止されるので、後述する実験結果に示される階調反転抑制効果を安定させることができる。

（実験例）
図６は、本発明に係る効果を検証した実験結果を示す図である。図６（ａ）は図５に対応するものであり、上述したように視認角度の絶対値が３０°以上になると光学異方層２３を設けたことに起因する階調反転が生じることとなる。一方、図６（ｂ）は本発明を採用することで、上記光学異方層２３を設けた際に、チルト角を液晶層５０の厚み方向で異ならせた場合の視認角度と輝度との関係を示している。

一方、図６（ｂ）に示さるように本発明を採用し、液晶層５０のチルト角を基板面側（３°）から中央側（２７°）に変化させると、視認角度の絶対値が５０°程度になった際に、上記光学異方層２３を設けたことに起因する階調反転が生じることが確認できる。

したがって、液晶層５０におけるリタデーションに応じ上記式（１）から算出した値で液晶層５０の中央側のチルト角を規定することで、階調反転が発生する視認角度の絶対値を大きくすることができる。この場合、全体としての輝度は低下するものの、上記式（１）で規定される範囲でチルト角が規定されるので、実使用上の問題はない。
すなわち、本発明を採用することで、光学異方層２３を設けることに起因する階調反転の発生を抑制することができる。

以上述べたように、上記実施形態に係る液晶表示装置１００によれば、白色表示（ノーマリーホワイト）時において、液晶層５０の中央側におけるチルト角を所定値（上記式（１）で規定される値）とすることで、光学異方層２３を設けたことに起因して階調反転が発生する視認角度を拡げることができ、結果的に階調反転の発生を抑制できる。また、光学媒体をハイブリッド配向させてなる光学異方層２３を備えているので、広視野角化が実現されている。
したがって、本実施形態に係る液晶表示装置１００は、階調反転が抑制され、表示品位が高く、かつ広視野角を得るものとなる。

（電子機器）
次に、上述した構成の液晶表示装置１００を備える電子機器について説明する。なお、この実施形態は、本発明の一例を示すものであり、本発明がこの実施形態に限定されるものではない。ここで、図７は、本発明の液晶表示装置を備える電子機器である携帯電話機を示す外観斜視図である。本実施形態における電子機器は、図７に示すような携帯電話機３００であって、本体部１０１と、これに開閉可能に設けられた表示体部１０２とを有する。表示体部１０２の内部には表示装置１０３が配置されており、電話通信に関する各種表示が表示画面１０４において視認可能となっている。また、本体部１０１には操作ボタン１０５が配列されている。
そして、表示体部１０２の一端部には、アンテナ１０６が伸縮自在に取り付けられている。また、表示体部１０２の上部に設けられた受話部１０７の内部には、スピーカ（図示略）が内蔵されている。さらに、本体部１０１の下端部に設けられた送話部１０８の内部には、マイク（図示略）が内蔵されている。
ここで、表示装置１０３には、上記液晶表示装置１００が用いられている。

本実施形態に係る携帯電話機３００によれば、上述したような焼きつきが防止された液晶表示装置１を表示体部１０２として備えているので、電子機器自体も表示品質が高く、高信頼性のものとなる。

なお、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。
上記実施形態に係る液晶表示装置１では、画素電極をスイッチング制御する駆動素子としてＴＦＴ素子を用いているが、ＴＦＴ素子に限らず、ＴＦＤ（Thin Film Diode：薄膜ダイオード）素子など、他の駆動素子を用いてもよい。また、上記液晶表示装置１では、透過型の表示装置としているが、半透過反射型の液晶表示装置や反射型の液晶表示装置であってもよい。
さらに、上記液晶表示装置１では、Ｒ、Ｇ、Ｂの３色の色表示を行うカラー液晶表示装置としているが、Ｒ、Ｇ、Ｂのいずれかまたは他の１色の色表示を行う単色の表示装置や、２色や４色以上の色表示を行う表示装置であってもよい。ここで、対向基板にカラーフィルタ層を設けずに、ＴＦＴアレイ基板にカラーフィルタ層を設けてもよい。

また、液晶表示装置を備える電子機器としては、携帯電話機に限らず、パーソナルコンピュータ、ノート型パーソナルコンピュータ、ワークステーション、デジタルスチルカメラ、車載用モニタ、カーナビゲーション装置、ヘッドアップディスプレイ、デジタルビデオカメラ、テレビジョン受像機、ビューファインダ型あるいはモニタ直視型のビデオテープレコーダ、ページャ、電子手帳、電卓、電子ブックやプロジェクタ、ワードプロセッサ、テレビ電話機、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備える機器などのような他の電子機器であってもよい。

液晶表示装置の等価回路を示す図である。 液晶表示装置のサブ画素領域を示す部分拡大平面構成図である。 液晶表示装置における図２のＡ−Ａ’矢視断面を示す図である。 液晶表示装置における各光学軸の関係を示す図である。 液晶表示装置における視認角と輝度との関係を示す図である。 本発明の効果を確認した実験結果を示す図である。 電子機器の一実施形態としての携帯電話の概略構成を示す図である。

符号の説明

Ｔ…透過表示領域、Ｒ…反射表示領域、１０…ＴＦＴアレイ基板（第１基板）、２０…対向基板（第２基板）、２３…光学異方層、５０…液晶層（電気光学層）、１００…液晶表示装置（電気光学装置）、３００…携帯電話（電子機器）

Claims (7)

1. 電気光学層を挟持して対向配置された一対の基板と、該一対の基板の少なくとも一方の基板における前記電気光学層とは反対側に設けられ、光学媒体をハイブリッド配向させてなる光学異方層と、を備えた電気光学装置であって、
   前記電気光学層は、白色表示時にて、前記電気光学層の厚み方向のチルト角が中央側および前記基板面側で異なることを特徴とする電気光学装置。
2. 前記中央側におけるチルト角は、
   チルト角をａ、前記電気光学層のリタデーションをｘ、としたとき、
   ｘ／２５ ＜ ａ ＜ ｘ／１０
   の関係を満たすことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
3. 前記チルト角は、前記基板側および前記中央側間において連続的に変化することを特徴とする請求項１又は２に記載の電気光学装置。
4. 前記電気光学層が、ＥＣＢモードにより駆動される液晶層であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の電気光学装置。
5. １つのサブ画素領域が反射表示をなす反射表示領域および透過表示をなす透過表示領域から構成され、前記反射表示領域における前記電気光学層の層厚を前記透過表示領域における前記電気光学層の層厚よりも小さくする電気光学層厚調整部材を備えることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の電気光学装置。
6. 前記光学異方層は、透過光に対して略１／４波長の位相差を付与するλ／４位相差板を構成することを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載の電気光学装置。
7. 請求項１〜６のいずれか一項に記載の電気光学装置を備えたことを特徴とする電子機器。

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