JP2008225154A - 液晶装置、及び電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】コントラストの低下を防止するとともに視野角特性の向上を図った、液晶装置、及び電子機器を提供する。
【解決手段】液晶層５０を挟持して対向配置された第１基板１０および第２基板２０を有し、１つのサブ画素領域が反射表示をなす反射表示領域Ｒおよび透過表示をなす透過表示領域Ｔを有して構成され、反射表示領域Ｒにおける液晶層５０の層厚が透過表示領域Ｔよりも小さい、半透過反射型の液晶装置１００である。第２基板２０の液晶層５０側の透過表示領域および反射表示領域に位相差層２３が設けられ、位相差層２３は、反射表示領域Ｒに対応する位相差値が透過表示領域Ｔに対応する位相差値に比べて小さくなっている。
【選択図】図３

Description

本発明は、液晶装置、及び電子機器に関するものである。

反射表示と透過表示の２つの表示方式を兼ね備えた、いわゆる半透過反射型の液晶装置は、周囲の明るさに応じて反射モードまたは透過モードのいずれかの表示方式に切り替えることにより、消費電力を低減しつつ周囲が暗い場合でも明瞭な表示を行うことができるものである。この種の半透過反射型の液晶装置としては、光透過部を有する反射膜を下基板の内面に備え、この反射膜を半透過反射膜として機能させる液晶装置がある。この場合、反射モードでは上基板側から入射した外光が、液晶層透過後に下基板内面の反射膜により反射され、再び液晶層透過後に上基板側から射出され、表示に寄与する。一方、透過モードでは下基板側から入射したバックライトからの光が、光透過部から液晶層を透過した後に上基板側から外部に出射され、表示に寄与する。

ところで、液晶装置では一般に視野角特性が問題となる。このような問題を解決すべく、反射表示領域に対応させてλ／４波長板（位相差層）を選択的に設け、広視野角化を図る技術がある（例えば、特許文献１参照）。しかしながら、λ／４波長板を反射表示領域のみに形成するだけでは、依然として十分な視野角特性が得るのが難しい。
また、液晶層の駆動モードとしては、ＴＮモード、ＳＴＮモード、ＯＣＢモード、ＥＣＢモード等の種々のものがあるが、上述した広視野角化の実現は駆動モードによらず望まれる。そこで、上記駆動モードのうち、例えば半透過反射型のＥＣＢモードの液晶装置において、λ／４位相差板として液晶分子がハイブリッド構造からなるフィルムを用い、上基板の全面に前記フィルムを形成することにより視野角特性の向上を図ることが考えられる。このフィルムは位相差値が高くなるに従い、視野角補償性が向上する特性を有している。
特表２００５−５０１２９３号公報

しかしながら、上記フィルムの位相差値が大きすぎると、反射時における黒表示電圧が透過時における黒表示電圧に比べて増加（シフト）してしまい、コントラストが低下するといった不具合が生じる可能性がある。この場合、反射表示領域にて電圧シフトが起こらない値に、前記ＮＲフィルムの位相差値を設定する必要があるが、透過領域での視野角特性を十分に向上させることができない。

本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであって、コントラストの低下を防止するとともに視野角特性の向上を図った、液晶装置、及び電子機器を提供することを目的としている。

本発明は、前記課題を解決するために以下の構成を採用した。
すなわち、本発明の液晶装置は、液晶層を挟持して対向配置された第１基板および第２基板を有し、１つのサブ画素領域が反射表示をなす反射表示領域および透過表示をなす透過表示領域を有して構成され、前記反射表示領域における前記液晶層の層厚が前記透過表示領域における前記液晶層の層厚よりも小さい、半透過反射型の液晶装置であって、前記第２基板の前記液晶層側の前記透過表示領域および前記反射表示領域に位相差層が設けられ、該位相差層は、前記反射表示領域に対応する位相差値が前記透過表示領域に対応する位相差値に比べて小さいことを特徴とする。

本発明の液晶装置によれば、位相差層の透過表示領域における位相差値を大きくすることで、透過表示領域の広視野角化を実現できる。また、反射表示領域における位相差値を透過表示領域に比べて小さくすることで、例えばノーマリーホワイト表示の場合に反射表示領域で黒を表示する際にコントラストが低下するといった不具合を防止することができる。したがって、液晶装置全体としてのコントラスト低下を防止するとともに、視野角特性の向上が図られたものとなる。

また、上記液晶装置においては、前記位相差層が、光学媒体をハイブリッド配向させてなる光学異方性層を備えなるのが好ましい。
このようにすれば、位相差層により液晶装置における高視野角化を図ることができる。

また、上記液晶装置においては、前記位相差層の前記反射表示領域における位相差値が、８０ｎｍ以上１２０ｎｍ以下であり、前記位相差層の前記透過表示領域における位相差値が、１００ｎｍ以上１５０ｎｍ以下であるのが好ましい。
このようにすれば、前記位相差層をλ／４位相差板として機能させることができるとともに、上述したコントラスト低下の防止、および視野角特性の向上を良好に実現することができる。

また、上記液晶装置においては、前記液晶層が、ＥＣＢモードにより駆動される液晶層であるのが好ましい。
このようにすれば、コントラストの低下防止、および視野角特性の向上を実現した、半透過反射型のＥＣＢモードの液晶装置を提供できる。

また、上記液晶装置においては、前記第２基板は基板本体を主体として構成され、該基板本体における前記位相差層側にλ／２位相差層が設けられ、該λ／２位相差層は、前記反射表示領域および前記透過表示領域に対応する位相差値がそれぞれ独立に設定されるのが好ましい。
このようにすれば、位相差層の位相差値に応じて、λ／２位相差層における反射表示領域および透過表示領域に対応する位相差値をそれぞれ独立に設定でき、反射表示および透過表示をそれぞれ最適化することにより、液晶装置全体としての表示品位を向上できる。

本発明の電子機器は、上記の液晶装置を備えたことを特徴とする。

本発明の電子機器によれば、上述したようなコントラスト低下を防止するとともに視野角特性の向上が図られた液晶装置を備えているので、電子機器自体も表示特性が高く、高性能なものとなる。

以下、本発明における液晶装置の一実施形態を、図面に基づいて説明する。なお、以下の説明に用いる各図面では、各部材を認識可能な大きさとするために縮尺を適宜変更している。また、本実施形態では、液晶装置として半透過反射型の液晶装置を例に挙げて説明する。ここで、図１は液晶装置の等価回路図、図２は液晶装置のサブ画素領域を示す部分拡大平面構成図、図３は図２のＡ−Ａ’矢視断面を示す図である。

本実施形態の液晶装置１００は、アクティブマトリクス方式の透過型液晶装置であって、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の各色光を出力する３個のサブ画素で１個の画素を構成するものである。ここで、表示を構成する最小単位となる表示領域を「サブ画素領域」、３個のサブ画素により形成される表示領域を「画素領域」と称する。

図１に示すように、液晶装置１００の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数のサブ画素領域には、それぞれ画素電極９と画素電極９をスイッチング制御するためのＴＦＴ（Thin Film Transistor：薄膜トランジスタ）３０とが形成されており、データ線駆動回路（図示せず）から延びるデータ線６ａがＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。また、走査線駆動回路（図示せず）は、走査信号Ｇ１〜Ｇｍを所定のタイミングでパルス的に線順次で供給する。データ線駆動回路は、画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを、データ線６ａを介して各サブ画素に供給する。前記画像信号Ｓ１〜Ｓｎはこの順に線順次に供給しても構わないし、相隣接する複数のデータ線６ａ同士に対して、グループ毎に供給するようにしてもよい。

液晶装置１００は、スイッチング素子であるＴＦＴ３０が走査信号Ｇ１〜Ｇｍの入力により一定期間だけオン状態とされることで、データ線６ａから供給される画像信号Ｓ１〜Ｓｎが、所定のタイミングで画素電極９に書き込まれる構成となっている。そして、画素電極９を介して液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１〜Ｓｎは、画素電極９と液晶層５０を介して対向配置された後述する共通電極との間で一定期間保持される。
ここで、保持された画像信号Ｓ１〜Ｓｎがリークするのを防止するため、画素電極９と共通電極との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量１７が接続されている。蓄積容量１７は、ＴＦＴ３０のドレインと容量線３ｂとの間に設けられている。

次に、図２，３を参照して、液晶装置１００の詳細な構成について説明する。図２において、平面視でほぼ矩形状のサブ画素領域の長軸方向、画素電極９の長軸方向、並びにデータ線６ａの延在方向をＸ軸方向、サブ画素領域の短軸方向や画素電極９の短軸方向、走査線３ａ及び容量線３ｂの延在方向をＹ軸方向と規定している。

各々のサブ画素領域には、一方向（Ｘ軸方向）に長手の平面視矩形状の画素電極９が形成されている。画素電極９の辺端のうち、長辺の縁に沿ってデータ線６ａが延在しており、短辺の縁に沿って走査線３ａが延在している。走査線３ａの画素電極９側には、走査線３ａと平行に延びる容量線３ｂが形成されている。

画素電極９は、サブ画素領域を長軸方向で区画するように配置された透明電極１９ａと、反射電極１９ｂとからなる。透明電極１９ａおよび反射電極１９ｂは、互いに電気的に接続されている。また、画素電極９に対向配置されて共通電極２５が形成されている。

本実施形態において、透明電極１９ａの形成領域、すなわち照明装置６０からの照明光が透過することで表示を行う領域が透過表示領域Ｔであり、反射電極１９ｂの形成領域、すなわち外光を反射させて表示を行う領域が反射表示領域Ｒである。

透明電極１９ａは、ＩＴＯ（インジウム錫酸化物）などの透明導電膜からなり、反射電極１９ｂはアルミニウムや銀などの光反射性の金属膜等からなる。透明電極１９ａは容量線３ｂと部分的に重なって配置されており、透明電極１９ａは隣接するサブ画素領域の走査線３ａと部分的に重なって配置されている。透明電極１９ａと容量線３ｂとが平面的に重なる領域に画素電極９とＴＦＴ３０との接続部が形成されている。また透明電極１９ａの平面領域内であって、走査線３ａとデータ線６ａとの交差部近傍にＴＦＴアレイ基板（第１基板）１０と対向基板（第２基板）２０との間隔（液晶層５０の層厚）を一定に保持するスペーサ４０が形成されている。スペーサ４０は、走査線３ａやデータ線６ａ等の信号配線上に配置することもでき、反射表示領域Ｒに配置することもできる。

走査線３ａ上に、スイッチング素子であるＴＦＴ３０が形成されている。ＴＦＴ３０は、島状のアモルファスシリコン膜からなる半導体層３５と、半導体層３５に対して一部平面的に重なるように配置されたソース電極６ｂ及びドレイン電極３２と、を備えている。
走査線３ａは半導体層３５と平面的に重なる位置でＴＦＴ３０のゲート電極として機能する。

ソース電極６ｂは、半導体層３５と反対側の端部でデータ線６ａと電気的に接続されている。ドレイン電極３２は半導体層３５と反対側の端部で容量電極３１を構成している。
容量電極３１は容量線３ｂの平面領域内に配置されており、当該位置に容量電極３１と容量線３ｂとを電極とする蓄積容量１７が形成されている。容量電極３１の平面領域内に形成された画素コンタクトホール１４を介して画素電極９と容量電極３１とが電気的に接続されることで、ＴＦＴ３０のドレインと画素電極９とが電気的に導通している。

次に、図３に示す断面構造をみると、液晶装置１００は、互いに対向して配置されたＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間に、誘電率異方性が正の液晶層５０が挟持されている。前記液晶層５０は、前記画素電極９および共通電極２５間に電圧を印加し液晶の複屈折性を利用することで入射光の通過／遮断を制御するＥＣＢ（Electrically Controlled Birefringence）モードで動作する構成となっている。なお、本実施形態に係るＥＣＢモードの液晶装置１００は、画素電極９および共通電極２５間に電圧を印加しない際に白表示（ノーマリーホワイト）となっている。また、本実施形態では、対向基板２０側から目視した際に、透過表示および反射表示を確認することが可能となっている。すなわち、対向基板２０側が視認側となっている。

前記対向基板２０は、例えばガラスや石英、プラスチックなどの透光性材料で構成された基板本体２１を主体として構成される。対向基板２０の外面側には、λ／２位相差層２６と偏光板２７とが順に積層されている。前記λ／２位相差層２６は、透過光に対して略１／２波長の位相差を付与する位相差板である。一方、基板本体２１の内側（液晶層５０側）には、各サブ画素領域を縁取るようにして形成される遮光膜（ブラックマトリクス；不図示）と、各々のサブ画素領域に対応する色種の色材層からなるカラーフィルタ２２とが形成されている。

カラーフィルタ２２は、サブ画素領域内で色度の異なる２種類の領域に区画されている構成とすることが好ましい。具体例を挙げると、透過表示領域Ｔの平面領域に対応して第１の色材領域が設けられ、反射表示領域Ｒの平面領域に対応して第２の色材領域が設けられており、第１の色材領域の色度が、第２の色材領域の色度より大きいものとされている構成を採用できる。このような構成とすることで、カラーフィルタ２２を表示光が１回のみ透過する透過表示領域Ｔと、２回透過する反射表示領域Ｒとの間で表示光の色度が異なるのを防止でき、反射表示と透過表示の見映えを揃えて表示品質を向上させることができる。
また、カラーフィルタ２２上には、さらに透明樹脂材料等からなる平坦化膜を積層することが好ましい。これにより対向基板２０表面を平坦化して液晶層５０の厚さを均一化でき、サブ画素領域内で駆動電圧が不均一になりコントラストが低下するのを防止することができる。

前記カラーフィルタ２２上には、透過光に対して略１／４波長の位相差を付与するλ／４位相差板としての機能を有する、位相差層２３が形成されている。そして、この位相差層２３上にＩＴＯ等の透明導電材料からなる共通電極２５が形成されている。共通電極２５は複数のサブ画素領域を覆う平面形状である。共通電極２５を覆ってポリイミド等からなる配向膜２９が形成されている。配向膜２９の表面にはサブ画素領域の長軸方向（図２Ｘ軸方向）のラビング処理が施されている。かかる配向膜２９により、図２中、実線の矢印で示す配向方向２９ａに沿って液晶分子が配向する。

ＴＦＴアレイ基板１０の外面側（液晶層５０と反対側）には、λ／４位相差板３６とλ／２位相差層３７と偏光板３８とが順に積層されている。なお、本実施形態では、前記λ／４位相差板３６の位相差は、９０〜１５０ｎｍ程度に設定される。また、前記λ／２位相差層３７の位相差は、２５０〜２８０ｎｍ程度に設定される。なお、上記λ／４位相差板３６の位相差は、上記位相差層２３の位相差値に応じて、上述した範囲内で適宜調整される。例えば、位相差層２３の位相差値が大きい場合（反射表示領域Ｒで１２０ｎｍ、透過表示領域Ｔで１５０ｎｍ）、上記λ／４位相差板３６の位相差を小さく（９０ｎｍ）設定するのが好ましく、位相差層２３の位相差値が小さい場合（反射表示領域Ｒで８０ｎｍ、透過表示領域Ｔで１００ｎｍ）、上記λ／４位相差板３６の位相差を大きく（１５０ｎｍ）するのが好ましい。

前記ＴＦＴアレイ基板１０は、ガラスや石英、プラスチック等の透光性の基板本体１１を基体としてなり、基板本体１１の内面側（液晶層５０側）には、走査線３ａ及び容量線３ｂが形成されており、走査線３ａ及び容量線３ｂを覆って、酸化シリコン等の透明絶縁材料からなるゲート絶縁膜１２が形成されている。

ゲート絶縁膜１２上に、アモルファスシリコンの半導体層３５が形成されており、半導体層３５に一部乗り上げるようにしてソース電極６ｂと、ドレイン電極３２とが設けられており、これらソース電極６ｂ及びドレイン電極３２と同層であって、容量線３ｂと対向する位置に容量電極３１が形成されている。ドレイン電極３２は、図２に示したように、接続配線３１ａ及び容量電極３１と一体に形成されている。半導体層３５は、ゲート絶縁膜１１を介して走査線３ａと対向しており、当該対向領域で走査線３ａがＴＦＴ３０のゲート電極を構成している。容量電極３１はこれに対向する容量線３ｂとともに、ゲート絶縁膜１１をその誘電体膜とする蓄積容量１７を形成している。

半導体層３５、ソース電極６ｂ、ドレイン電極３２、及び容量電極３１を覆って、酸化シリコン等からなる層間絶縁膜１３が形成されている。反射表示領域Ｒに対応する層間絶縁膜１３上には、アクリル樹脂等の透明絶縁材料からなる液晶層厚調整層４８がサブ画素領域内で部分的に形成されている。この液晶層厚調整層４８の表面と層間絶縁膜１３の表面とに跨って画素電極９が形成されており、具体的には前記液晶層厚調整層４８の表面に倣って反射電極１９が形成される。なお、前記液晶層厚調整層４８の表面部には凹凸形状を有する樹脂膜４８ａが形成されている。そして、この樹脂膜４８ａ上に形成された反射電極１９ｂ表面の表面も樹脂膜４８ａに倣う凹凸形状を有している。これにより、反射電極１９ｂは、入射光を散乱させつつ反射させる散乱反射層として機能するものとなっている。

前記液晶層厚調整層４８は、反射表示領域Ｒにおける液晶層厚と透過表示領域Ｔにおける液晶層厚とを異ならせ、液晶層５０を透過する光に付与される位相差を反射表示領域Ｒおよび透過表示領域Ｔの各々で最適化するものであり、少なくとも前記反射電極１９ｂが形成される領域を含む領域に形成される。本実施形態の場合、反射表示領域Ｒにおける液晶層５０の膜厚が、透過表示領域Ｔにおける液晶層５０の膜厚の略半分になるように設定されている。

また、前記層間絶縁膜１３を貫通して、ドレイン電極３２に達するコンタクトホール１４が形成されており、このコンタクトホール１４内に画素電極９が一部埋設されることで、画素電極９とＴＦＴ３０とが電気的に接続されている。また、画素電極９および層間絶縁膜１３を覆ってポリイミド等からなる配向膜１８が形成されている。この配向膜１８により、図２に破線の矢印で示す配向方向１８ａに沿って液晶分子が配向する。

前記位相差層２３は、ディスコティック化合物等の負の屈折率異方性を有する光学異方体（光学媒体）からなり、その主屈折率ｎｘ，ｎｙ，ｎｚは、ｎｘ＝ｎｙ＞ｎｚを満たす構成とされている。また膜厚方向に対してディスコティック化合物の光軸角度が変化しているハイブリット配向した構成であるため、平均的な屈折率楕円体の主屈折率ｎｚの方向は基板法線に対してある角度をなして傾いているものとなっている。

基板１０，２０間に封入された液晶層５０は、光学的に正の一軸性を示すもので、液晶分子のダイレクタ方向の屈折率が他の方向の屈折率より大きくなっている。ここで、界面付近の液晶分子は黒表示の際、完全に立ち上がることができないために、残留リタデーションを生じ、これを打ち消す必要がある。さらにラグビーボール型の屈折率楕円体は、斜め方向から観察すると楕円になり、その長軸と短軸との差が複屈折となる。この斜め方向から観察した場合の位相差が、黒表示における光漏れの原因となり、液晶パネルのコントラスト比を低下させることになる。

これに対して、位相差層２３を構成するディスコティック液晶は、上述したように光学的に負の一軸性を示すものであり、位相差層２３における円盤型の屈折率楕円体のｚ方向の光軸を、それぞれが配設される側のラグビーボール型の屈折率楕円体の光軸と平行に配置することで光学的な正負が逆になって複屈折効果を打ち消すことができる。そこで、位相差層２３における配向膜の配向規制方向が、配向膜の配向規制方向（ラビング方向１８ａ、２９ａ）と略一致するように配置し、かつ位相差層２３におけるディスコティック液晶の傾斜角度が大きい方の面が、液晶層５０と対向するように配置する。これにより、光入射側領域に生じる光学的な位相差を３次元的に補償することが可能になる。これにより、液晶装置における広視野角化を図ることができる。

位相差層２３は、具体的には、トリアセチルセルロース（ＴＡＣ）等からなる支持体上に配向膜（不図示）を設け、その配向膜上にトリフェニレン誘導体等のディスコティック化合物層を形成したものである。なお、配向膜はポリビニルアルコール（ＰＶＡ）等からなり、その表面にはラビング等が施されて、液晶分子の配向方向を規制している。一方、ディスコティック化合物層は、負の一軸性を示す光学媒体であるディスコティック液晶（ディスコティック化合物）の光軸（盤面法線方向の軸）の傾斜角度が厚み方向に連続的に変化した光学的構造を有する光学異方性層である。このようなハイブリッド配向構造は、支持体上に前記一軸性の光学媒体である液晶性ディスコティック液晶を塗布し、一定温度に加熱してディスコティックネマチック相（ＮＤ相）を形成した後、硬化させることによって得ることができる。なおディスコティック液晶は、支持体側で最小のチルト角（０°〜１５°、例えば３°）を示し、その反対側である空気界面側で最大のチルト角（例えば４０°〜７０°）を呈する。またディスコティック液晶の配向規制方向は、液晶装置における配向膜のラビング方向１８ａ、２９ａと平行である。

ここで、液晶装置１００における各光学軸の関係について図４を参照して説明する。
図４に示すように、偏光板２７，３８は、互いの吸収軸を直交させるように配置される。また、上側の偏光板２７の吸収軸と略１５°の角度をなすようにλ／２位相差層２６が配置される。そして、上側偏光板（偏光板２７）の吸収軸と液晶分子の初期配向方向（ラビング方向１８ａ，２９ａ）および前記位相差層２３の遅相軸とが略７５°の角度をなすようにそれぞれ配置される。なお、ＴＦＴアレイ基板１０側に形成されるλ／２位相差層３７は、前記対向基板２０側に設けられた前記λ／２位相差層２６の遅相軸と直交するように配置される。また、ＴＦＴアレイ基板１０側に形成されるλ／４位相差板３６は、前記対向基板２０側に設けられた前記位相差層２３の遅相軸に平行に配置される。

ところで、ハイブリッド配向構造を有するλ／４位相差板（位相差層２３）は、位相差に応じて視野角補償性が向上することが分かっている。図５は、ハイブリッド配向構造を有するλ／４位相差板における、位相差値による視角特性の測定結果を示す図である。図５（ａ）は位相差値が１００ｎｍの場合のコントラスト曲線を示し、図５（ｂ）は位相差値が１２０ｎｍの場合のコントラスト曲線を示している。図５に示されるように、位相差が増加すると、高コントラスト、かつ広視野角な表示が行なわれる範囲が拡がることが確認できる。すなわち、位相差層２３としては、できるだけ位相差値を大きく設定するのが好ましい。

しかしながら、反射表示領域Ｒ上に設けられる位相差層２３の位相差値が大きすぎると、同程度の黒表示（階調）を得るために液晶層５０に印加する電圧が増加してしまう。そこで本実施形態に係る位相差層２３は、反射表示領域Ｒおよび透過表示領域Ｔにおける位相差値をそれぞれ異ならせており、前記反射表示領域Ｒに対応する位相差値を前記透過表示領域Ｔに対応する位相差値に比べ小さくしている。具体的には、反射表示領域Ｒにおける位相差値は８０ｎｍ以上１２０ｎｍ以下、透過表示領域Ｔにおける位相差値は１００ｎｍ以上１５０ｎｍ以下に設定するのが好ましい。

このような構成により、透過表示領域Ｔにおける位相差値を大きくすることで、透過表示領域Ｔで広視野角化を実現できる。また、反射表示領域Ｒにおける位相差値を透過表示領域に比べて小さくすることで、反射表示領域Ｒにて黒表示をする際にコントラストが低下するといった不具合が防止されたものとなる。
したがって、以上述べたように本実施形態に係る液晶装置１００によれば、装置全体としてのコントラスト低下を防止するとともに視野角特性の向上が図られたものとなる。

（第２実施形態）
次に、本発明の液晶装置の第２実施形態について図面を参照して説明する。図６は本実施形態に係る液晶装置２００の概略断面構成を示す図である。なお、本実施形態の液晶装置２００は、前記対向基板２０側に設けられるλ／２位相差層を基板本体２１の内面（液晶層５０）側に設ける点において異なっている。それ以外の基本構成は上記実施形態と同様であるから、共通の構成要素には同一の符号を付し、詳細な説明は省略若しくは簡略する。

図６に示すように、本実施形態に係る液晶装置２００では、前記基板本体２１の内面側（前記位相差層２３側）にλ／２位相差層２６´が設けられている。また、このλ／２位相差層２６´は、前記反射表示領域Ｒおよび前記透過表示領域Ｔに対応する位相差値がそれぞれ独立に設定される。反射表示領域Ｒおよび透過表示領域Ｔは、位相差値が２５０〜２８０ｎｍの範囲でそれぞれ独立に設定されるようになっている。

本実施形態に係る液晶装置２００によれば、上記実施形態に係る液晶装置１００で得られる作用効果に加え、位相差層２３の位相差値に応じて、λ／２位相差層２６´における反射表示領域Ｒおよび透過表示領域Ｔに対応する位相差値をそれぞれ独立に設定することで、反射表示および透過表示におけるコントラスト等をそれぞれ最適化でき、液晶装置２００全体としての表示品位が向上されたものとなる。

（電子機器）
次に、上述した構成の液晶装置１００を備える電子機器について説明する。なお、この実施形態は、本発明の一例を示すものであり、本発明がこの実施形態に限定されるものではない。ここで、図７は、本発明の液晶装置を備える電子機器である携帯電話機を示す外観斜視図である。本実施形態における電子機器は、図７に示すような携帯電話機３００であって、本体部１０１と、これに開閉可能に設けられた表示体部１０２とを有する。表示体部１０２の内部には表示装置１０３が配置されており、電話通信に関する各種表示が表示画面１０４において視認可能となっている。また、本体部１０１には操作ボタン１０５が配列されている。
そして、表示体部１０２の一端部には、アンテナ１０６が伸縮自在に取り付けられている。また、表示体部１０２の上部に設けられた受話部１０７の内部には、スピーカ（図示略）が内蔵されている。さらに、本体部１０１の下端部に設けられた送話部１０８の内部には、マイク（図示略）が内蔵されている。
ここで、表示装置１０３には、上記液晶装置１００が用いられている。

本実施形態に係る携帯電話機３００によれば、上述したような焼きつきが防止された液晶装置１を表示体部１０２として備えているので、電子機器自体も表示品質が高く、高信頼性のものとなる。

なお、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。
上記実施形態に係る液晶装置１では、画素電極をスイッチング制御する駆動素子としてＴＦＴ素子を用いているが、ＴＦＴ素子に限らず、ＴＦＤ（Thin Film Diode：薄膜ダイオード）素子など、他の駆動素子を用いてもよい。また、上記液晶装置１では、透過型の表示装置としているが、半透過反射型の液晶装置や反射型の液晶装置であってもよい。
さらに、上記液晶装置１では、Ｒ、Ｇ、Ｂの３色の色表示を行うカラー液晶装置としているが、Ｒ、Ｇ、Ｂのいずれかまたは他の１色の色表示を行う単色の表示装置や、２色や４色以上の色表示を行う表示装置であってもよい。ここで、対向基板にカラーフィルタ層を設けずに、ＴＦＴアレイ基板にカラーフィルタ層を設けてもよい。

また、液晶装置を備える電子機器としては、携帯電話機に限らず、パーソナルコンピュータ、ノート型パーソナルコンピュータ、ワークステーション、デジタルスチルカメラ、車載用モニタ、カーナビゲーション装置、ヘッドアップディスプレイ、デジタルビデオカメラ、テレビジョン受像機、ビューファインダ型あるいはモニタ直視型のビデオテープレコーダ、ページャ、電子手帳、電卓、電子ブックやプロジェクタ、ワードプロセッサ、テレビ電話機、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備える機器などのような他の電子機器であってもよい。

液晶装置の等価回路を示す図である。 液晶装置のサブ画素領域を示す部分拡大平面構成図である。 液晶装置における図２のＡ−Ａ’矢視断面を示す図である。 液晶装置における各光学軸の関係を示す図である。 面内位相差板の位相差値による視角特性の測定結果を示す図である。 第２実施形態に係る液晶装置の概略構成を示す図である。 電子機器の一実施形態としての携帯電話の概略構成を示す図である。

符号の説明

Ｔ…透過表示領域、Ｒ…反射表示領域、１００，２００…液晶装置、１０…ＴＦＴアレイ基板（第１基板）、２０…対向基板（第２基板）、２３…位相差層、２６´…λ／２位相差層、５０…液晶層、３００…携帯電話（電子機器）

Claims (6)

1. 液晶層を挟持して対向配置された第１基板および第２基板を有し、１つのサブ画素領域が反射表示をなす反射表示領域および透過表示をなす透過表示領域を有して構成され、前記反射表示領域における前記液晶層の層厚が前記透過表示領域における前記液晶層の層厚よりも小さい、半透過反射型の液晶装置であって、
   前記第２基板の前記液晶層側の前記透過表示領域および前記反射表示領域に位相差層が設けられ、
   該位相差層は、前記反射表示領域に対応する位相差値が前記透過表示領域に対応する位相差値に比べて小さいことを特徴とする液晶装置。
2. 前記位相差層が、光学媒体をハイブリッド配向させてなる光学異方性層を備えてなることを特徴とする請求項１に記載の液晶装置。
3. 前記位相差層の前記反射表示領域における位相差値が、８０ｎｍ以上１２０ｎｍ以下であり、前記位相差層の前記透過表示領域における位相差値が、１００ｎｍ以上１５０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１又は２に記載の液晶装置。
4. 前記液晶層が、ＥＣＢモードにより駆動される液晶層であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の液晶装置。
5. 前記第２基板は基板本体を主体として構成され、該基板本体における前記位相差層側にλ／２位相差層が設けられ、
   該λ／２位相差層は、前記反射表示領域および前記透過表示領域に対応する位相差値がそれぞれ独立に設定されることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の液晶装置。
6. 請求項１〜５のいずれか一項に記載の液晶装置を備えたことを特徴とする電子機器。

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