JP2008224256A

JP2008224256A - 電極検査方法

Info

Publication number: JP2008224256A
Application number: JP2007059294A
Authority: JP
Inventors: Masanori Fukuda; 雅典福田; Koichi Wakitani; 康一脇谷; Hajime Kawano; 肇川野; Shoichi Ishii; 彰一石井
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 2007-03-09
Filing date: 2007-03-09
Publication date: 2008-09-25

Abstract

【課題】連続的にピッチが変化する繰り返しパターンを持つ電極に対して、従来方法でも検出できていた欠陥はもとより、従来方法では見逃していたあらゆる形態の欠陥についても、安定して確実に検出することができる電極検査方法を提供する。
【解決手段】連続的にピッチが変化する繰り返しパターンを持つ電極に対して、ピッチを規定する情報をピッチテーブルメモリに記憶し、ピッチテーブルメモリからピッチ情報を読み出し、そのピッチ情報を基に撮像画像における電極の繰り返しピッチだけ離れた画素の濃度をＦＩＦＯメモリに記憶し、ＦＩＦＯメモリから読み出された画素濃度をサブピクセル処理し、さらに繰り返しピッチの小数部分に対応する画素濃度を求めるサブピクセル処理をし、それらのサブピクセル処理により得られた画素濃度を基にして繰り返しピッチ離れた画素を比較処理し、その比較結果から欠陥部を抽出する。
【選択図】図２

Description

本発明は、プラズマディスプレイパネルや液晶ディスプレイパネル、有機ＥＬディスプレイパネルなどを駆動するために繰り返しパターンで形成された電極の断線やショートなどの欠陥部分を検出するための電極検査方法に関するものである。

近年、パソコンやＴＶの一般ユーザにおいて、ディスプレイパネルとして、薄型化による省スペースを特徴とするプラズマディスプレイパネル（以下、ＰＤＰ）や液晶ディスプレイパネル（以下、ＬＣＤ）、有機ＥＬディスプレイパネルなどの利用が、増加しつつある。

このようなＰＤＰやＬＣＤ、有機ＥＬディスプレイパネルにおいて、それらの画素を駆動するために電極が繰り返しパターンで形成されているが、それらの電極の断線やショートなどの欠陥部分を検出するための電極検査方法について、その従来技術を以下に説明する。

図８にＰＤＰの電極部の一般的な構造を示す。１０１は背面板の電極の端子部、１０２は背面板の電極の引込部、１０３は背面板の電極の表示部である。背面板の電極の端子部１０１はフレキシブル電極１０４を介して駆動回路部１０５へ接続される。前面板にも同様に電極が形成され、１０６は前面板の電極の端子部、１０７は前面板の電極の引込部、１０８は前面板の電極の表示部である。前面板の電極の端子部１０６はフレキシブル電極１０９を介して駆動回路部１１０に接続される。引込部１０２、１０７は、駆動回路部１０５、１１０に接続される端子部１０１、１０６のピッチと表示部１０３、１０８の電極のピッチが異なるために、連続的にピッチが変化する斜め方向のパターンが繰り返し形成されているものが一般的である。

ＰＤＰの画面の発光表示は、背面板の表示部１０３の電極と前面板の表示部１０８の電極の間で放電を行い、前面板と背面板および隔壁部１１１で挟まれた空間に封入されているキセノンなどの希ガスを励起させて紫外光を発光し、この紫外光によって隔壁部１１１で挟まれた部分に塗布された蛍光体を発光させて表示を行う。ここで用いられる電極パターンのオープン・ショート・線幅異常などの不具合は、表示の品質に深く関わることから、高精度に検査を行う必要がある。

ＰＤＰの電極パターンの検査方法の従来技術（例えば、特許文献１を参照）として、例えば隣接する電極配線の画像データ同志を比較して得られた差分画像データから、欠陥箇所を抽出する処理や、デザインルールに基づき、撮影画像データに対し、順次収縮処理と膨張処理あるいは順次膨張処理と収縮処理を施して得られた画像データと元の撮影画像データとを比較することにより、欠陥部を抽出する処理を実行する方法がある。

また今後、ＰＤＰの微細化・高密度化が進み、線幅は細くかつ線間ピッチはますます狭くなってくることから、微細な欠陥を高感度に検出する技術が求められている。これまで、図８に示す背面板の引込部１０２や前面板の引込部１０７などのように、連続的にピッチが変化する繰り返しパターンを持つＰＤＰに対する検査方法の従来技術（例えば、特許文献２を参照）として、得られた引込部１０２、１０７の画像データに対して、デザインルールに基づき、順次、モフォロジ処理と呼ばれる収縮・膨張処理もしくは膨張・収縮処理を施して、それらの処理の後に、撮影画像データを比較することで欠陥部を抽出する方法が用いられている。

図９に特許文献２で示された欠陥検出フローを示す。Ｓ２０１にて検査対象物を撮像し、Ｓ２０４にて撮像画像の画素情報をメモリに格納する。Ｓ２０２で検査対象物の撮像画像を複数回の膨張処理もしくは収縮処理を実行する。Ｓ２０３では、Ｓ２０２の膨張処理もしくは収縮処理を実行した画像を、その回数分の収縮処理もしくは膨張処理を実行する。次にＳ２０５にてＳ２０４でメモリに格納された撮像画像の画素情報とＳ２０３で収縮処理もしくは膨張処理を施した画像とを比較することで、検査対象物の異常部を検出するものである。

図１０に収縮処理の後に膨張処理を施して欠陥を検出する例を示す。３０１は正常な電極パターンであり、３０２は正常な電極パターン３０１の線幅以下の幅を持つショート欠陥、３０３は凸欠陥を示す。これらショート欠陥３０２および凸欠陥３０３の欠陥は、画像３０４のように収縮処理を施すことによって消失する。そしてさらに画像３０４を膨張処理することによって、電極パターン３０１について元の正常な線幅まで戻す。この画像３０５と元の画像３０１とを比較することで、ショート欠陥３０２や凸欠陥３０３を検出することができる。

図１１に膨張処理の後に収縮処理を施して欠陥を検出する例を示す。４０１は正常な電極パターンであり、４０２はオープン欠陥、４０３は凹欠陥を示す。この画像を膨張処理することにより画像４０４を得る。画像４０４においてオープン欠陥４０２および凹欠陥４０３は消失する。この膨張処理した画像４０４をさらに収縮処理を施すことにより、電極パターン４０１について元の正常な線幅まで戻して画像４０５を得る。この画像４０５と元の画像４０１を比較することによって、オープン欠陥４０２や凹欠陥４０３を検出することができる。
特開平１１−２３３０２１号公報（請求項２）特許第３６３３７７６号公報（５項４９行−６項８行）

しかしながら、連続的にピッチが変化する繰り返しパターンを持つ電極の検査方法として、上記のような従来のモフォロジ処理を用いて、収縮・膨張処理もしくは、膨張・収縮処理を施して撮影画像データを比較することで欠陥部分を抽出する欠陥検出方法では、原理上どうしても検出できない欠陥があった。そのような検出できない欠陥について、以下に例を示して説明する。

図１２には規定サイズ以上のショート欠陥を見逃す例を示す。５０１は正常な線幅の電極パターンを示し、５０２に規定サイズ以上のショート欠陥を示す。この画像を画像５０３のように収縮処理してもショート欠陥５０２は消失することは無い。さらにこの画像５０３を膨張処理して画像５０４を得る。このように収縮処理の後に膨張処理した画像５０４と元の画像５０１を比較しても差が無いことから、このショート欠陥５０２を検出することができない。

また、図１３には線幅の異常欠陥を見逃す例を示す。６０１は正常な線幅を持つ電極パターンを示し、６０２は線幅が正常よりも細い電極パターンにおける線幅異常欠陥を示す。このような画像に収縮処理を施して画像６０３を得、さらに膨張処理を施して画像６０４を得る。このように収縮処理の後に膨張処理した画像６０４と元の画像６０１を比較しても差が無いことから、線幅の異常を検出することができない。また、元の画像を膨張処理して画像６０５を得、さらに収縮処理して画像６０６を得る。このように膨張処理の後に収縮処理した画像６０６と元の画像６０１を比較しても差が無いことから、やはり線幅の異常を検出することができない。

本発明は、上記従来の問題点を解決するもので、連続的にピッチが変化する繰り返しパターンを持つ電極に対して、従来方法でも検出できていた欠陥はもとより、従来方法では見逃していたあらゆる形態の欠陥についても、安定して確実に検出することができる電極検査方法を提供する。

上記の課題を解決するために、本発明の請求項１に記載の電極検査方法は、規定されたピッチ情報に基づいて繰り返しピッチが連続して変化するように基板上に形成された電極のパターンを撮像し、前記撮像により得られた撮像画像上で、前記ピッチ情報に基づく前記繰り返しピッチだけ離れた３点の電極パターン上の画素のうち中心画素を処理対象画素として、各電極パターンごとに、前記繰り返しピッチの整数部分のピッチにおける画素濃度と、前記繰り返しピッチの小数部分のピッチにおける画素濃度とに対して、前記小数部分のピッチにより重み付け演算し、前記３点の電極パターン上の画素濃度を求めるサブピクセル処理を実行し、前記サブピクセル処理の実行により得られた前記３点の電極パターン上の画素濃度の大小比較結果に応じて、前記処理対象画素の画素濃度を補正した第１の濃度補正値を演算する比較演算処理を実行し、前記サブピクセル処理および前記比較演算処理の実行を前記撮像により得られた撮像画像上の全ての処理対象画素に対して行い、前記全ての処理対象画素のそれぞれに対して、前記処理対象画素の第１の濃度補正値と前記電極パターンと異なる欠陥部分を検出するためのしきい値との大小比較結果に応じて、前記処理対象画素の第１の濃度補正値を補正した第２の濃度補正値を求めるしきい値処理を実行し、前記全ての処理対象画素の第２の濃度補正値に基づいて、前記電極部分の撮像画像から前記電極パターン部分を除去することにより、前記電極部分の撮像画像に存在する前記欠陥部分を検出することを特徴とする。

また、本発明の請求項２に記載の電極検査方法は、請求項１記載の電極検査方法であって、前記サブピクセル処理により画素濃度を求める際に、前記繰り返しピッチの小数部を２のべき乗分の１を単位とすることを特徴とする。

また、本発明の請求項３に記載の電極検査方法は、請求項２記載の電極検査方法であって、前記繰り返しピッチの小数部を０．２５単位とすることを特徴とする。

以上のように本発明によれば、ディスプレイパネルなどに含まれる引込部と呼ばれる連続的にピッチが変化する繰り返しパターンを持つ電極のパターンを除去し、欠陥部分のみを、見逃しや誤検出することなく確実に抽出することができる。

以上により、連続的にピッチが変化する繰り返しパターンを持つ電極に対して、従来方法でも検出できていた欠陥はもとより、従来方法では見逃していたあらゆる形態の欠陥についても、安定して確実に検出することができる。

以下、本発明の実施の形態を示す電極検査方法について、図面を参照しながら具体的に説明する。
図１は本実施の形態の電極検査方法が実行されるシステム構成を示す概略図である。７０１はＣＣＤカメラなどの撮像手段であり、ＰＤＰなどの検査対象物７０２を照明手段７０３によって透過させて撮像手段７０１で撮像し、撮像した画像データを画像処理手段７０４によって画像データを処理することにより、検査対象物７０２における欠陥部分（例えば、電極パターンなどの欠陥部分）の検出を行う。

図２は本実施の形態の電極検査方法の手順を示すフロー図であり、欠陥検出までのフローを示す。
Ｓ８０１にて引込部などで変化する繰り返しピッチを予め教示し、ＦＩＦＯメモリへの書き込みから読み出しまでのタイミングの差を、繰り返しピッチに応じて設定する。Ｓ８０２で検査対象物を撮像し、Ｓ８０３にて撮像した画像信号を画像データにＡ／Ｄ変換する。Ｓ８０４にて画像データをＦＩＦＯメモリへ格納する。Ｓ８０４で格納された画像データをＳ８０５にて読み出す。Ｓ８０５で読み出された画像データをさらにＳ８０７にて別のＦＩＦＯメモリに格納する。Ｓ８０８にてＳ８０７で格納されたＦＩＦＯメモリから画像データを読み出し、Ｓ８０９にてサブピクセル演算処理を施す。

Ｓ８０５で読み出された画像データを処理すべき注目画像データとし、その注目画像データに対して比較する周囲の画素の画像データを得るために、Ｓ８０６でサブピクセル演算処理を施して得られる画像データを右側の比較画像データとし、同様にＳ８０９でサブピクセル演算処理を施して得られる画像データを左側の比較画像データとし、Ｓ８１０にて比較演算処理を施し、さらにＳ８１１にて正常部とは異なる部分を抽出する閾値処理を施し、Ｓ８１２で欠陥部分を検出する。

図３は本実施の形態の電極検査方法における検査対象物の電極パターンの撮像図であり、検査対象物の一例としてＰＤＰの電極パターンを示す。ＰＤＰの場合、基板となるガラス部９０１上に、駆動回路に接続される端子部９０２、繰り返しパターンの表示電極部９０４、端子部９０２と表示電極部９０４を接続する引込部９０３が形成されている。

図４は本実施の形態の電極検査方法における検査対象物の電極パターンの配置関係説明図である。通常ＰＤＰを駆動するための駆動回路部と接続される端子部９０２の繰り返しピッチ１００１は、表示電極部９０４の繰り返しピッチ１００３よりも狭く、端子部９０２と表示電極部９０４を接続するための引込部９０３の電極パターンは、繰り返しピッチ１００１の端子部９０２から繰り返しピッチ１００３の表示電極部９０４に向かって広がって形成されている。

ここで、繰り返しピッチ１００１の端子部９０２と繰り返しピッチ１００３の表示電極部９０４との距離を引込部９０３の高さ１００２で示す。引込部９０３の横方向の繰り返しピッチは、繰り返しピッチ１００１の端子部９０２から繰り返しピッチ１００３の表示電極部９０４に向かって連続的に大きくなるが、断面内で見た場合の電極パターンの繰り返しピッチは一定になっており、これが縦方向に連続的に繰り返しピッチが変化することで、引込部９０３の電極が形成されている。ここで、横方向に画像を１行分抜き出したものをラインと呼ぶ。

端子部９０２と引込部９０３が接続される屈曲部分のラインを０として、引込部９０３と表示電極部９０４が接続される屈曲部分のラインをＨとした場合、引込部９０３のラインｎ中に現れる電極の繰り返しピッチ１００４をＰｎとすると、Ｐｎは、図４に示すように、端子部９０２のピッチ１００１で示すＴｐ、および表示電極部９０４のピッチ１００３で示すＤｐ、および引込部９０３の高さ１００２で示すＨから、以下の式１で求めることができる。

Ｐｎ＝（Ｄｐ−Ｔｐ）／Ｈ×ｎ＋Ｔｐ・・・式１

上記より、ｎを０からＨまで変化させた場合のＰｎを予め求めておき、ピッチテーブルとしてメモリに格納しておく。また、この際、繰り返しピッチは小数部を含む値になるため、必要に応じて小数点以下の桁数を制限してピッチテーブルに格納する。

本実施の形態の電極検査方法のフローを、以下に順を追って記す。
図２に示すように、Ｓ８０１にて検査対象物の繰り返しピッチの変化の様子を前述の式１により求め、予め教示しておく。その後、Ｓ８０２にて検査対象物を撮像し、Ｓ８０３にてＡ／Ｄ変換を行う。通常Ａ／Ｄ変換は８ｂｉｔで行われ、検査対象物の画素の濃度は０〜２５５の階調で表される。画像データは、撮像と同時にＳ８０６のサブピクセル処理を実行するサブピクセル処理回路、およびＳ８０４の格納を実行するＦＩＦＯメモリへと入力され、２系統に分岐される。

次に、ＦＩＦＯメモリに画像データを格納してから読み出すまでの処理の方法を記す。
図５は本実施の形態の電極検査方法におけるメモリ上の画像データの書き込み・読み出しの説明図であり、ＦＩＦＯメモリの書き込みおよび読み出しの様子を示す。ＦＩＦＯメモリとは先入れ先出しのメモリであり、メモリセル１１０１が連続して配置されており、書き込まれた書き込みデータ１１０２は、一定時間経過後に読み出しデータ１１０３として読み出される。

書き込み信号を入力した後に読み出し信号を入力するが、この時間の差は前述の式１で求められた繰り返しピッチに応じて設定する。読み出し信号を入力すると、先に書き込んだデータから順番に読み出される。このＦＩＦＯメモリを用いて、前記の繰り返しピッチＰｎの整数部をＰｎ＿ｄとすると、書き込み許可信号を入力して画像データを書き込み、Ｐｎ＿ｄだけ遅らせた後に読み出し許可信号を入力すると、撮像画像データに対して繰り返しピッチだけ遅らせた画像データを読み出しデータ１１０３として得ることができる。

次に、ＦＩＦＯメモリから読み出された画像データを基に、サブピクセル処理を行う方法を以下に記す。この後の比較処理では処理対象の画素と繰り返しピッチ左右に離れた画素との比較を行う。

図６は本実施の形態の電極検査方法における処理対象画素と比較対象画素の位置関係の説明図であり、処理したい中心の画素と繰り返しピッチＰｎだけ離れた比較すべき画素との位置関係を示す。１２０１は処理を行う中心画素を示し、１２０２は繰り返しピッチＰｎの整数部Ｐｎ＿ｄだけ離れた画素を示し、１２０３はさらに１画素離れた画素を示す。１２０４は比較すべき繰り返しピッチＰｎの距離を示す。１２０５はＰｎの整数部Ｐｎ＿ｄの距離を示し、１２０６はＰｎの小数部Ｐｎ＿ｆの距離を示す。通常、Ｐｎは整数値だけをとることは無く、比較すべき距離１２０４で示すＰｎの距離離れた位置は、図６に示すように画素の中心部を通るとは限らない。

そこで、Ｐｎ＿ｆの値を用いて、繰り返しピッチの整数部Ｐｎ＿ｄ離れた画素１２０２の濃度Ｘと１画素隣の画素１２０３の濃度Ｙとの重み付け演算を、以下の式２のように行い、比較すべき仮想位置の画素濃度Ｘ’を求める。

Ｘ’＝（１−Ｐｎ＿ｆ）×Ｘ＋Ｐｎ＿ｆ×Ｙ・・・式２

なお、実際の画像を処理する際には、繰り返しピッチの小数部Ｐｎ＿ｆの値の有効桁数が制限される。

また処理の高速化が求められるため、Ｐｎ＿ｆは２のべき乗分の１の値であることが望ましい。例えば、図４における寸法が、Ｔｐ＝５００μｍ、Ｄｐ＝８００μｍ、Ｈ＝１５０００μｍの場合には、繰り返しピッチの変化の割合は１ラインごとに０．０２となる。このように繰り返しピッチの小数部を２のべき乗分の１の値にすることにより、ＸおよびＹの画素濃度について得られたデジタル値を、除算を使わずに乗算とビットシフトさせることでＸ’が求められるため、処理の高速化を図ることができる。

また、繰り返しピッチの小数部Ｐｎ＿ｆの値を０．２５すなわち２の２乗分の１の単位で丸めても、処理結果すなわち欠陥の検出結果は、Ｐｎ＿ｆを０．０１で処理した結果と同等であった。逆に小数部の桁数を２の１乗分の１すなわち０．５の単位で丸めると、欠陥を誤検出することがあった。

ここでは、Ｐｎ＿ｆを０．２５単位に丸めて計算することを考える。Ｐｎ＿ｆが０．２５すなわち１／４（すなわち１／２＾２）であった場合は、Ｘ’は以下の式３から求められる。ここで、＞＞の記号は右方向へのビットシフト計算を表す。

Ｘ’＝（１−０．２５）×Ｘ＋０．２５×Ｙ
＝０．７５×Ｘ＋０．２５×Ｙ
＝３／４×Ｘ＋１／４×Ｙ
＝（３×Ｘ）＞＞２＋Ｙ＞＞２・・・式３

図７は本実施の形態の電極検査方法における比較位置の画素濃度の説明図であり、処理対象の中心画素と比較対象画素の画素濃度の関係を示す。１３０１は中心画素（処理対象の画素）を示し、この濃度をＮとする。１３０２に左側の比較対象の画素位置を示し、この濃度をＸＬとする。１３０３に右側の比較対象の画素位置を示し、この濃度をＸＲとする。

画素位置１３０２および１３０３は、通常、画素の中心部には存在しないため、左側比較画素の場合は前述の式３のようにして濃度ＸＬを求め、同様に、右側比較画素の場合は、中心画素から右方向にＰｎ＿ｄ離れた画素とさらに１画素右側の画素の濃度を使うことで、右側比較画素の仮想濃度ＸＲを求めることができる。

次に、処理したい中心画素および左側比較画素、右側比較画素の濃度を使って比較演算する方法を記す。
ＸＲ、ＸＬのうち、大きいほうをＸｍａｘ、小さいほうをＸｍｉｎとし、Ｎ＜Ｘｍａｘ、かつＮ＞Ｘｍｉｎの場合は、Ｎ’は式４で表される。

Ｎ’＝１２８・・・式４

また、Ｎ＜Ｘｍｉｎの場合は、Ｎ’は次５で表される。

Ｎ’＝（Ｎ−Ｘｍｉｎ）／２＋１２８・・・式５

また、Ｎ＞Ｘｍａｘの場合は、Ｎ’は次６で表される。

Ｎ’＝（Ｎ−Ｘｍａｘ）／２＋１２８・・・式６

このようにして全画素について処理を行い、Ｎ’を求め処理画像を得る。

さらに、１２８階調を中心として白欠陥検出しきい値をＴｈｒ＿ｗ、黒欠陥検出しきい値をＴｈｒ＿ｂとして、

Ｎ”＝２５５（Ｎ’≧Ｔｈｒ＿ｗ）・・・式７
Ｎ”＝１２８（Ｔｈｒ＿ｂ＜Ｎ’＜Ｔｈｒ＿ｗ）・・・式８
Ｎ”＝０（Ｎ’≦Ｔｈｒ＿ｂ）・・・式９

とする。通常、Ｔｈｒ＿ｗは１２８よりも大きい値をとり、Ｔｈｒ＿ｂは１２８よりも小さい値をとる。

式７で示すように、Ｎ’がＴｈｒ＿ｗ以上の場合にＮ”を２５５とする。また、式８に示すように、Ｎ’がＴｈｒ＿ｂよりも大きくＴｈｒ＿ｗよりも小さい場合にはＮ”を１２８とする。また、式９で示すように、Ｎ’がＴｈｒ＿ｂ以下の場合にＮ”を０とする。

Ｎ”が２５５の画素についてラベリング処理を行うことで白欠陥の検出ができる。同様にＮ”が０の画素についてラベリング処理を行うことで黒欠陥の検出ができる。このようにして得られた欠陥部は、従来の処理では得られない規定サイズ以上のショート欠陥やオープン欠陥、また線幅の異常などの欠陥を確実に検出することができる。

本発明の電極検査方法は、連続的にピッチが変化する繰り返しパターンを持つ電極に対して、従来方法でも検出できていた欠陥はもとより、従来方法では見逃していたあらゆる形態の欠陥についても、安定して確実に検出することができるもので、繰り返しピッチが予め規定できる電極パターンについてすべてに適応できるため、ＰＤＰに限らずＬＣＤやプリント基板の電極パターンなどにも適用が可能である。

本発明の実施の形態の電極検査方法が実行されるシステム構成を示す概略図同実施の形態の電極検査方法の手順を示すフロー図同実施の形態の電極検査方法における電極パターンの撮像図同実施の形態の電極検査方法における電極パターンの配置関係の説明図同実施の形態の電極検査方法におけるＦＩＦＯメモリ上の画像データの書き込み・読み出しの説明図同実施の形態の電極検査方法における処理対象画素と比較対象画素の位置関係の説明図同実施の形態の電極検査方法における比較位置の画素濃度の説明図従来の電極検査方法における検査対象物の一例であるＰＤＰの電極の構成例を示す模式図同従来例の電極検査方法におけるモフォロジ処理による欠陥検出のフロー図同従来例の電極検査方法におけるモフォロジ処理による凸およびショートの欠陥検出の模式図同従来例の電極検査方法におけるモフォロジ処理による凹およびオープンの欠陥検出の模式図同従来例の電極検査方法におけるモフォロジ処理による規定サイズ以上のショート欠陥の見逃しの模式図同従来例の電極検査方法におけるモフォロジ処理による線幅異常欠陥の見逃しの模式図

符号の説明

１０１（背面板電極の）端子部
１０２（背面板電極の）引込部
１０３（背面板電極の）表示部
１０４（背面板の）フレキシブル電極
１０５（背面板の）駆動回路部
１０６（前面板電極の）端子部
１０７（前面板電極の）引込部
１０８（前面板電極の）表示部
１０９（前面板の）フレキシブル電極
１１０（前面板の）駆動回路部
１１１（背面板上の）隔壁部
３０１電極パターン
３０２ショート欠陥
３０３凸欠陥
３０４収縮処理後の画像
３０５収縮・膨張処理後の画像
４０１電極パターン
４０２オープン欠陥
４０３凹欠陥
４０４膨張処理後の画像
４０５膨張・収縮処理後の画像
５０１電極パターン
５０２（規定サイズ以上の）ショート欠陥
５０３収縮処理後の画像
５０４収縮・膨張処理後の画像
６０１電極パターン
６０２線幅異常欠陥
６０３（収縮処理後の）線幅異常欠陥
６０４（収縮・膨張処理後の）線幅異常欠陥
６０５（膨張処理後の）線幅異常欠陥
６０６（膨張・収縮処理後の）線幅異常欠陥
７０１撮像手段
７０２検査対象物
７０３照明手段
７０４画像処理手段
９０１ガラス部
９０２端子部
９０３引込部
９０４表示電極部
１００１端子部の繰り返しピッチ（Ｔｐ）
１００２引込部の高さ（Ｈ）
１００３表示電極部の繰り返しピッチ（Ｄｐ）
１００４ｎラインでの繰り返しピッチ（Ｐｎ）
１１０１ＦＩＦＯメモリのメモリセル
１１０２ＦＩＦＯメモリへの書き込みデータ
１１０３ＦＩＦＯメモリからの読み出しデータ
１２０１処理を行う中心画素
１２０２中心画素から繰り返しピッチの整数部だけ離れた左側の画素
１２０３中心画素から繰り返しピッチの整数部＋１だけ離れた左側の画素
１２０４繰り返しピッチ（Ｐｎ）
１２０５繰り返しピッチの整数部（Ｐｎ＿ｄ）
１２０６繰り返しピッチの小数部（Ｐｎ＿ｆ）
１３０１中心画素（処理対象画素）（Ｎ）
１３０２左側比較画素（ＸＬ）
１３０３右側比較画素（ＸＲ）

Claims

規定されたピッチ情報に基づいて繰り返しピッチが連続して変化するように基板上に形成された電極のパターンを撮像し、
前記撮像により得られた撮像画像上で、前記ピッチ情報に基づく前記繰り返しピッチだけ離れた３点の電極パターン上の画素のうち中心画素を処理対象画素として、各電極パターンごとに、前記繰り返しピッチの整数部分のピッチにおける画素濃度と、前記繰り返しピッチの小数部分のピッチにおける画素濃度とに対して、前記小数部分のピッチにより重み付け演算し、前記３点の電極パターン上の画素濃度を求めるサブピクセル処理を実行し、
前記サブピクセル処理の実行により得られた前記３点の電極パターン上の画素濃度の大小比較結果に応じて、前記処理対象画素の画素濃度を補正した第１の濃度補正値を演算する比較演算処理を実行し、
前記サブピクセル処理および前記比較演算処理の実行を前記撮像により得られた撮像画像上の全ての処理対象画素に対して行い、
前記全ての処理対象画素のそれぞれに対して、前記処理対象画素の第１の濃度補正値と前記電極パターンと異なる欠陥部分を検出するためのしきい値との大小比較結果に応じて、前記処理対象画素の第１の濃度補正値を補正した第２の濃度補正値を求めるしきい値処理を実行し、
前記全ての処理対象画素の第２の濃度補正値に基づいて、前記電極部分の撮像画像から前記電極パターン部分を除去することにより、前記電極部分の撮像画像に存在する前記欠陥部分を検出する
ことを特徴とする電極検査方法。
前記サブピクセル処理により画素濃度を求める際に、前記繰り返しピッチの小数部を２のべき乗分の１を単位とする
ことを特徴とする請求項１記載の電極検査方法。
前記繰り返しピッチの小数部を０．２５単位とする
ことを特徴とする請求項２記載の電極検査方法。