JP2008219004A - Uvリソグラフィシステムおよび方法 - Google Patents
Uvリソグラフィシステムおよび方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008219004A JP2008219004A JP2008038841A JP2008038841A JP2008219004A JP 2008219004 A JP2008219004 A JP 2008219004A JP 2008038841 A JP2008038841 A JP 2008038841A JP 2008038841 A JP2008038841 A JP 2008038841A JP 2008219004 A JP2008219004 A JP 2008219004A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- design
- mask
- initial
- lithographic
- shift
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 196
- 238000013461 design Methods 0.000 claims abstract description 338
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims abstract description 64
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 32
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims abstract description 14
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims abstract description 12
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims description 80
- 238000012937 correction Methods 0.000 claims description 66
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 60
- 239000013598 vector Substances 0.000 claims description 45
- 238000013507 mapping Methods 0.000 claims description 22
- 238000004590 computer program Methods 0.000 claims description 8
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 3
- 238000013500 data storage Methods 0.000 claims description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 10
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 23
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 22
- 230000006870 function Effects 0.000 description 21
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 16
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 10
- 238000004422 calculation algorithm Methods 0.000 description 6
- 230000008859 change Effects 0.000 description 6
- 238000001900 extreme ultraviolet lithography Methods 0.000 description 6
- 238000009795 derivation Methods 0.000 description 5
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 5
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 5
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 4
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 4
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 4
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 4
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 3
- 238000010606 normalization Methods 0.000 description 3
- 230000006399 behavior Effects 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- 238000000233 ultraviolet lithography Methods 0.000 description 2
- 230000002745 absorbent Effects 0.000 description 1
- 239000002250 absorbent Substances 0.000 description 1
- 239000011358 absorbing material Substances 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 238000013528 artificial neural network Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 238000007726 management method Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000013178 mathematical model Methods 0.000 description 1
- 230000000116 mitigating effect Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000003954 pattern orientation Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/22—Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultraviolet [EUV] masks; Preparation thereof
- G03F1/24—Reflection masks; Preparation thereof
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70283—Mask effects on the imaging process
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
- G03F7/70433—Layout for increasing efficiency or for compensating imaging errors, e.g. layout of exposure fields for reducing focus errors; Use of mask features for increasing efficiency or for compensating imaging errors
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
【解決手段】基板のリソグラフプロセスで使用するリソグラフマスクを設計するための方法(1400)であって、初期位置を有する複数の初期設計構造物を備えたリソグラフマスクのための初期設計を取得すること(1402)と、少なくとも1つのシフトを少なくとも1つの初期設計構造物に適用して(1412)、そこから変更した設計を導出して(1416)、前記所定の照射構成における前記変更した設計に対応したリソグラフマスクを用いて基板を照射する場合のシャド−イング効果を補償することとを含む。
【選択図】図14
Description
該リソグラフプロセスは、所定の照射構成を用いてリソグラフマスクのマスク構造物(features)を照射することを含み、
リソグラフマスクを設計するための方法は、初期位置を有する複数の初期設計構造物を備えたリソグラフマスクのための初期設計を取得することと、
少なくとも1つのシフトを少なくとも1つの初期設計構造物に適用して、そこから変更した設計を導出して、前記所定の照射構成における前記変更した設計に対応したリソグラフマスクを用いて基板を照射する場合のシャド−イング効果を補償することとを含む。
Claims (32)
- 基板(106)のリソグラフプロセスで使用するリソグラフマスク(104)を設計するための方法(1400)であって、
該リソグラフプロセスは、所定の照射構成を用いてリソグラフマスクのマスク構造物を照射することを含み、
リソグラフマスク(104)を設計するための方法(1400)は、
・初期位置を有する複数の初期設計構造物を備えたリソグラフマスクのための初期設計を取得すること(1402)と、
・少なくとも1つのシフトを少なくとも1つの初期設計構造物に適用して(1412)、そこから変更した設計を導出して(1416)、前記所定の照射構成における前記変更した設計に対応したリソグラフマスク(104)を用いて基板(106)を照射する場合のシャド−イング効果を補償することとを含み、
少なくとも1つの初期設計構造物の少なくとも1つのシフトは、少なくとも1つの初期設計構造物の配向から独立しているようにした方法。 - 少なくとも1つのシフトを少なくとも1つの初期設計構造物に適用すること(1412)は、少なくとも1つのシェーディングベクトルを少なくとも1つの初期設計構造物へ適用すること、及び/又は少なくとも1つのシフティングベクトルを少なくとも1つの初期設計構造物へ適用することを含む請求項1記載の方法。
- 少なくとも1つのシェーディングベクトルを少なくとも1つの初期設計構造物へ適用して、そこから変更した設計を導出して、シャド−イング効果を補償することは、初期設計構造物(1632,1634,1636)へのバイアス効果を補償するために変更した設計を導出することを含む請求項2記載の方法。
- 少なくとも1つのシフティングベクトルを少なくとも1つの初期設計構造物へ適用して、そこから変更した設計を導出して、シャド−イング効果を補償することは、初期設計構造物(1632,1634,1636)へのオーバーレイ効果を補償するために変更した設計を導出することを含む請求項2または3記載の方法。
- 少なくとも1つの初期設計構造物への少なくとも1つのシフトは、少なくとも2つの初期設計構造物のシフトを含んでもよく、各シフトはシフティング軸に沿っており、シフティング軸は交差している請求項1〜4のいずれかに記載の方法。
- シフティング軸は、設計をほぼ等しいサイズの2つの部分に分割する設計軸に対してほぼ交差している請求項5記載の方法。
- 設計軸に関して対称に位置決めされた設計構造物についてのシフティング軸の方向は、設計軸に関して鏡像である請求項6記載の方法。
- 所定の照射構成は、マスク構造物(202,204,206)と照射源(102)との間に所定の位置を備え、
・マスク構造物(202,204,206)によって決定される平面(104)における照射源(102)の垂直投影(P)に基づく所定の照射構成のマッピング(M)、および初期設計(1624)への投影照射源(1612)およびマスク構造物(202,204,206)のマッピングを得ること(1406)と、
・初期設計構造物でのマッピングした照射の入射方向を決定すること(1408)とを含み、
これにより、少なくとも1つのシフトを少なくとも1つの初期設計構造物へ適用すること(1412)は、少なくとも1つの初期設計構造物のシフトを、初期設計構造物でのマッピングした照射の入射方向に沿って適用することを含む請求項1〜7のいずれかに記載の方法。 - マッピングした照射の入射方向は、マッピングした投影照射源(1622)の位置および初期設計構造物(202,204,206)の位置によって決定するようにした請求項8記載の方法。
- リソグラフマスクは反射リソグラフマスクであり、所定の照射構成は軸外照射源を備える請求項1〜9のいずれかに記載の方法。
- 投影照射源(1612)およびマスク構造物(202,204,206)を初期設計にマッピングすることは、マスク構造物(202,204,206)を初期設計構造物(1632,1634,1636)にマッピングすることと、マスク構造物(202,204,206)に対する投影照射源(1612)の相対位置と略等しい、初期設計構造物(1632,1634,1636)に対する相対位置を有するマッピングした投影照射源(1622)を設けることとを含む請求項8〜10のいずれかに記載の方法。
- 所定の照射構成は、リング状の照射源(102)を備える請求項1〜11のいずれかに記載の方法。
- 設計は、複数のセクションを含み、同じセクションに位置決めされた初期設計構造物は同じ方向にシフトするようにした請求項1〜12のいずれかに記載の方法。
- 照射源(102)の投影照射野の対称軸に関して対称に位置決めされたセクションに位置決めされた2つの構造物は、同じ方向に同じ大きさでシフトするようにした請求項13記載の方法。
- 変更した設計を導出することは、少なくとも1つの変更した設計構造物を変更した設計に提供することを含み、該少なくとも1つの変更した設計構造物は、少なくとも2つの異なる位置に位置決めされた初期設計構造物の表面エリアで覆われた少なくともエリア合計を覆う表面エリアを有するようにした請求項1〜14のいずれかに記載の方法。
- 少なくとも1つの変更した設計構造物は、少なくとも2つの異なる位置に位置決めされた初期設計構造物の外コーナーで決まる多角形によって決定されるエリアを少なくとも覆う表面エリアを有する請求項15記載の方法。
- 少なくとも1つのシフトを少なくとも1つの初期設計構造物へ適用すること(1412)は、少なくとも1つの初期設計構造物のシフトをマッピングした照射の入射方向に沿って初期設計構造物(1632,1634,1636)の参照ポイントに適用することを含む請求項8〜16のいずれかに記載の方法。
- 少なくとも1つのシフトの大きさは、設計での設計構造物の位置に依存している請求項1〜17のいずれかに記載の方法。
- 変更した設計を導出することは、局所的なバイアス補正を、構造物の境界線に沿った複数のポイントに適用することを含む請求項1〜18のいずれかに記載の方法。
- 変更した設計を導出することは、局所的なオーバーレイ補正を、構造物の境界線に沿って複数のポイントに適用することを含む請求項1〜19のいずれかに記載の方法。
- 少なくとも1つのシフトの大きさは、初期設計構造物でのマッピングした照射の入射方向の関数として適合している請求項5〜20のいずれかに記載の方法。
- そこから変更した設計を導出して、シャド−イング効果を補償することは、初期設計構造物のシフトを補償するために変更した設計を導出することを含む請求項1〜21のいずれかに記載の方法。
- 変更した設計構造物のサイズの補正は、変更した設計構造物のサイズを、結像した構造物の目標サイズに調整するために実施する(1414)ようにした請求項1〜22のいずれかに記載の方法。
- リソグラフプロセスで使用するリソグラフマスクであって、
所定の設計によるマスク構造物を含み、
該設計は、請求項1〜23のいずれかに記載のリソグラフマスクを設計する方法によって得られたものであるリソグラフマスク。 - リソグラフプロセスを設定する方法であって、
該リソグラフプロセスは、所定の照射構成を用いてリソグラフマスクのマスク構造物を照射することを含み、
リソグラフプロセスを設定する方法は、リソグラフマスクを選択することを含み、該リソグラフマスクは、請求項1〜24のいずれかに記載の方法を用いて得られる設計を有するようにした方法。 - 基板にリソグラフプロセスを施す方法であって、
該方法は、所定の照射構成を用いてリソグラフマスクのマスク構造物を照射することを含み、該リソグラフマスクは、請求項1〜25のいずれかに記載の方法を用いて得られる設計を有するようにした方法。 - 請求項26記載の方法に従ってリソグラフプロセスが施されたデバイス。
- 複数の設計構造物を含むリソグラフマスクの設計であって、
該設計構造物は、初期位置を有する複数の初期設計構造物を備えたリソグラフマスクの初期設計を取得し、少なくとも1つのシフトを少なくとも1つの設計構造物に適用し、そこから変更した設計を導出して、前記所定の照射構成における前記変更した設計に対応したリソグラフマスクを用いて基板を照射する場合のシャド−イング効果を補償することによって決定されるようにした設計。 - 基板のリソグラフプロセスで使用されるリソグラフマスクを設計するシステムであって、該リソグラフプロセスは、所定の照射構成を用いてリソグラフマスクのマスク構造物を照射することを含むものであり、
・初期位置を有する複数の初期設計構造物を備えたリソグラフマスクの初期設計を取得するための入力手段と、
・少なくとも1つのシフトを少なくとも1つの設計構造物に適用するための処理手段と、
・そこから変更した設計を導出して、前記所定の照射構成における前記変更した設計に対応したリソグラフマスクを用いて基板を照射する場合のシャド−イング効果を補償するための演算手段とを備えるシステム。 - 請求項1〜29のいずれかに記載の方法を実行するようにしたコンピュータプログラム製品。
- 請求項30記載のコンピュータプログラム製品を格納する機械読み取り可能なデータストレージデバイス。
- ローカルエリアまたはワイドエリアの遠距離伝送ネットワークにおける、請求項30記載のコンピュータプログラム製品の伝送。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
EP07447013A EP1962138B1 (en) | 2007-02-23 | 2007-02-23 | Systems and methods for UV lithography |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008219004A true JP2008219004A (ja) | 2008-09-18 |
Family
ID=38180134
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008038841A Pending JP2008219004A (ja) | 2007-02-23 | 2008-02-20 | Uvリソグラフィシステムおよび方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8006202B2 (ja) |
EP (1) | EP1962138B1 (ja) |
JP (1) | JP2008219004A (ja) |
KR (1) | KR101472902B1 (ja) |
AT (1) | ATE537484T1 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013115304A (ja) * | 2011-11-30 | 2013-06-10 | Nuflare Technology Inc | 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 |
KR20190046680A (ko) * | 2017-10-26 | 2019-05-07 | 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 | 마이크로리소그라픽 마스크, 그러한 마스크의 구조의 이미지의 에지 위치를 결정하기 위한 방법 및 그러한 방법을 실행하기 위한 시스템 |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
NL2007287A (en) * | 2010-09-14 | 2012-03-15 | Asml Netherlands Bv | Correction for flare effects in lithography system. |
US8601404B2 (en) * | 2011-03-14 | 2013-12-03 | Synopsys, Inc. | Modeling EUV lithography shadowing effect |
NL2013630A (en) * | 2013-11-05 | 2015-05-07 | Asml Netherlands Bv | Method of characterising, method of forming a model, method of simulating, mask manufacturing method and device manufacturing method. |
KR102225619B1 (ko) | 2015-02-10 | 2021-03-12 | 한화테크윈 주식회사 | 고속직렬데이터수신장치 |
KR102550350B1 (ko) | 2017-09-08 | 2023-07-04 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 기계 학습 보조 광 근접 오차 보정을 위한 트레이닝 방법들 |
WO2019218698A1 (zh) * | 2018-05-15 | 2019-11-21 | Xiong Xiangwen | 3D立体照射掩膜版(Mask)的极紫外光刻(EUVL)的高产量(HVM)曝光技术及系统装置 |
TWI794544B (zh) | 2018-10-09 | 2023-03-01 | 荷蘭商Asml荷蘭公司 | 用於高數值孔徑穿縫源光罩最佳化之方法 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09213599A (ja) * | 1996-01-22 | 1997-08-15 | Lucent Technol Inc | X線マスクの特徴物の公称寸法を特徴物の位置に応じて補正する方法 |
JP2006259699A (ja) * | 2005-02-03 | 2006-09-28 | Asml Netherlands Bv | フォトリソグラフィ・パターン化装置を生成する方法、コンピュータ・プログラム、パターン化装置、基板上若しくは基板の近傍の目標画像の位置を決定する方法、測定装置及びリソグラフィ装置 |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5798936A (en) * | 1996-06-21 | 1998-08-25 | Avant| Corporation | Congestion-driven placement method and computer-implemented integrated-circuit design tool |
JP4302809B2 (ja) | 1999-02-12 | 2009-07-29 | 富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 | リソグラフィ用データ補正装置及びその装置での処理をコンピュータにて行なわせるためのプログラムを格納した記録媒体 |
US6370673B1 (en) * | 1999-03-22 | 2002-04-09 | Synopsys, Inc. | Method and system for high speed detailed placement of cells within an integrated circuit design |
DE10123768C2 (de) | 2001-05-16 | 2003-04-30 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zur Herstellung einer lithographischen Reflexionsmaske insbesondere für die Strukturierung eines Halbleiterwafers sowie Reflexionsmaske |
DE10134231B4 (de) | 2001-07-13 | 2006-06-14 | Infineon Technologies Ag | EUV-Reflektionsmaske |
US7197734B1 (en) * | 2002-07-12 | 2007-03-27 | Altera Corporation | Method and apparatus for designing systems using logic regions |
US7042550B2 (en) | 2002-11-28 | 2006-05-09 | Asml Netherlands B.V. | Device manufacturing method and computer program |
US7022443B2 (en) | 2003-02-12 | 2006-04-04 | Intel Corporation | Compensation of reflective mask effects in lithography systems |
US7594204B1 (en) * | 2003-10-06 | 2009-09-22 | Altera Corporation | Method and apparatus for performing layout-driven optimizations on field programmable gate arrays |
EP1907957A4 (en) * | 2005-06-29 | 2013-03-20 | Otrsotech Ltd Liability Company | INVESTMENT METHODS AND SYSTEMS |
US7752588B2 (en) * | 2005-06-29 | 2010-07-06 | Subhasis Bose | Timing driven force directed placement flow |
US7574685B1 (en) * | 2006-04-24 | 2009-08-11 | Cadence Design Systems, Inc. | Method, system, and article of manufacture for reducing via failures in an integrated circuit design |
US8332793B2 (en) * | 2006-05-18 | 2012-12-11 | Otrsotech, Llc | Methods and systems for placement and routing |
-
2007
- 2007-02-23 AT AT07447013T patent/ATE537484T1/de active
- 2007-02-23 EP EP07447013A patent/EP1962138B1/en active Active
-
2008
- 2008-02-20 JP JP2008038841A patent/JP2008219004A/ja active Pending
- 2008-02-21 US US12/035,343 patent/US8006202B2/en active Active
- 2008-02-22 KR KR1020080016368A patent/KR101472902B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09213599A (ja) * | 1996-01-22 | 1997-08-15 | Lucent Technol Inc | X線マスクの特徴物の公称寸法を特徴物の位置に応じて補正する方法 |
JP2006259699A (ja) * | 2005-02-03 | 2006-09-28 | Asml Netherlands Bv | フォトリソグラフィ・パターン化装置を生成する方法、コンピュータ・プログラム、パターン化装置、基板上若しくは基板の近傍の目標画像の位置を決定する方法、測定装置及びリソグラフィ装置 |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013115304A (ja) * | 2011-11-30 | 2013-06-10 | Nuflare Technology Inc | 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 |
KR20190046680A (ko) * | 2017-10-26 | 2019-05-07 | 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 | 마이크로리소그라픽 마스크, 그러한 마스크의 구조의 이미지의 에지 위치를 결정하기 위한 방법 및 그러한 방법을 실행하기 위한 시스템 |
JP2019082684A (ja) * | 2017-10-26 | 2019-05-30 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | マイクロリソグラフィマスク、そのようなマスクの構造の画像のエッジ位置を決定する方法、及びそのような方法を実施するためのシステム |
JP7390104B2 (ja) | 2017-10-26 | 2023-12-01 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | マイクロリソグラフィマスク、そのようなマスクの構造の像のエッジ位置を決定する方法、及びそのような方法を実施するためのシステム |
KR102663061B1 (ko) | 2017-10-26 | 2024-05-07 | 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 | 마이크로리소그라픽 마스크, 그러한 마스크의 구조의 이미지의 에지 위치를 결정하기 위한 방법 및 그러한 방법을 실행하기 위한 시스템 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US8006202B2 (en) | 2011-08-23 |
EP1962138A1 (en) | 2008-08-27 |
KR20080078608A (ko) | 2008-08-27 |
US20080229273A1 (en) | 2008-09-18 |
ATE537484T1 (de) | 2011-12-15 |
EP1962138B1 (en) | 2011-12-14 |
KR101472902B1 (ko) | 2014-12-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2008219004A (ja) | Uvリソグラフィシステムおよび方法 | |
JP6824999B2 (ja) | パターニングプロセスパラメータを決定する方法及び装置 | |
TWI810540B (zh) | 用於處理度量衡資料之方法及電腦程式產品 | |
US9823585B2 (en) | EUV focus monitoring systems and methods | |
TWI486801B (zh) | 光罩、光罩佈線資料、非暫態之電腦可讀取儲存媒體及用於在一光罩佈線中放置次解析度輔助特徵之方法 | |
US8285030B2 (en) | Determining calibration parameters for a lithographic process | |
US10036961B2 (en) | Optical proximity correction (OPC) method and method of fabricating mask using the OPC method | |
US20090217218A1 (en) | Opc simulation model using socs decomposition of edge fragments | |
US8407629B2 (en) | Pattern verification-test method, optical image intensity distribution acquisition method, and computer program | |
JP5681762B2 (ja) | リソグラフィ装置で使用するための調和レジストモデル及びデバイス製造方法 | |
US20050198598A1 (en) | OPC simulation model using SOCS decomposition of edge fragments | |
TWI795566B (zh) | 用於執行光學近接校正的方法及使用光學近接校正製造遮罩的方法 | |
JP2006114898A (ja) | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 | |
CN107003625A (zh) | 使用图案形成装置形貌引入的相位的方法和设备 | |
JP2006114901A (ja) | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 | |
CN107111239A (zh) | 使用图案形成装置形貌引入的相位的方法和设备 | |
CN107111240A (zh) | 使用图案形成装置形貌引入的相位的方法和设备 | |
CN107111243A (zh) | 使用图案形成装置形貌引入的相位的方法和设备 | |
CN107111244A (zh) | 使用图案形成装置形貌引入的相位的方法和设备 | |
US20090276735A1 (en) | System and Method of Correcting Errors in SEM-Measurements | |
US20110177437A1 (en) | Compensating Masks, Multi-Optical Systems Using the Masks, and Methods of Compensating for 3-D Mask Effect Using the Same | |
US11169437B2 (en) | Optical proximity correction (OPC) methods and methods of manufacturing masks using the OPC methods | |
JP2009204823A (ja) | シミュレーション方法及びシミュレーション用のプログラム | |
Sturtevant | Patterning Process Model Challenges for 14 nm | |
JP2005049460A (ja) | レジストパターン作成方法、レジストパターン作成装置、フォトマスクの設計方法及びフォトマスク |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20100924 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120420 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120424 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120709 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130521 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20130821 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20130826 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20130924 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20130927 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20131021 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20131024 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20140520 |