JP2008206215A - 電源回路、電源制御回路および電源制御方法 - Google Patents

電源回路、電源制御回路および電源制御方法 Download PDF

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Abstract

【課題】 二次電池の充電に伴う温度上昇を抑制して二次電池の温度が比較的高い状態での充電を可能にする。
【解決手段】 スイッチング素子およびインダクタンス素子を用いたDC−DCコンバータにより二次電池を充電する電源回路は、電流調整回路を備えて構成される。電流調整回路は、基準電圧および二次電池の温度に対応する第1制御電圧のうち低い方と二次電池の充電電流に対応する電流検出電圧との電圧差に応じてスイッチング素子をオン/オフさせることで二次電池の充電電流を調整する。
【選択図】 図1

Description

本発明は、電源回路、電源制御回路および電源制御方法に関する。
ノート型パーソナルコンピュータ等の携帯型電子機器においては、電源として二次電池が搭載されているが、ACアダプタ等を介して外部電源を接続することで簡単に二次電池を充電できるように充電回路も搭載されていることが多い。また、携帯型電子機器は、外部電源が接続されていないときには二次電池の電源供給を使用して駆動され、外部電源が接続されているときには外部電源の電源供給を使用して駆動されるのが一般的である。
携帯型電子機器において、二次電池の充電は、DC−DCコンバータを用いた充電回路により定電圧や定電流を二次電池に印加することで実施される。二次電池は、充電や放電に伴って発熱するが、温度に対して非常に敏感であり、温度が許容範囲外であるときに充電されると急速に劣化する。このため、従来の充電回路は、二次電圧の温度を監視して二次電池の温度が許容範囲外であるときに二次電池の充電を停止するように構成されている。
図7は、従来の充電回路を示している。図8および図9は、図7のPWM比較器の動作を示している。図10は、図7のサーミスタの温度特性を示している。図11は、図7のウィンドウ比較器に供給される電圧の温度特性を示している。従来の充電回路CHGは、PWM制御方式のDC−DCコンバータを用いた構成であり、メインスイッチングトランジスタT1、同期整流トランジスタT2、チョークコイルL1、平滑用コンデンサC1、電流測定用抵抗RSおよび制御回路CTLを有している。
メインスイッチングトランジスタT1は、n型トランジスタで構成されている。メインスイッチングトランジスタT1の入力端子は、入力電圧Viを受けるための端子P1に接続されている。メインスイッチングトランジスタT1の出力端子は、チョークコイルL1の一端に接続されている。メインスイッチングトランジスタT1の制御端子は、制御回路CTLにおけるPWM比較器PCMPの出力信号Q1を受けている。同期整流トランジスタT2は、n型トランジスタで構成されている。同期整流トランジスタT2の入力端子は、接地線に接続されている。同期整流トランジスタT2の出力端子は、チョークコイルL1の一端に接続されている。同期整流トランジスタT2の制御端子は、制御回路CLTにおけるゲート回路G2の出力信号/Q1aを受けている。チョークコイルL1の他端は、平滑用コンデンサC1の一端および電流測定用抵抗RSの一端に接続されている。平滑用コンデンサC1の他端は、接地線に接続されている。電流測定用抵抗RSの他端は、二次電池BTRに出力電圧Voを供給するための端子P2に接続されている。
制御回路CTLは、電圧増幅器AMP、電圧発生器E1、E2、誤差増幅器ERA1、ERA2、抵抗R1〜R3、n型トランジスタT3、三角波発振器OSC、PWM比較器PCMP、ゲート回路G1、G2およびウィンドウ比較器WCMPを備えて構成されている。電圧増幅器AMPは、電流測定用抵抗RSの一端の電圧を非反転入力端子で受け、電流測定用抵抗RSの他端の電圧(出力電圧Vo)を反転入力端子で受けている。これにより、電圧増幅器AMPは、電流測定用抵抗RSの一端の電圧と電流測定用抵抗RSの他端の電圧との電圧差を増幅して電圧Vcを生成する。従って、電圧増幅器AMPにより生成される電圧Vcは、充電回路CHGの出力電流(二次電池BTRの充電電流)に対応している。
電圧発生器E1は、基準電圧Ve1を発生させる。誤差増幅器ERA1は、基準電圧Ve1を非反転入力端子で受け、電圧Vcを反転入力端子で受けている。これにより、誤差増幅器ERA1は、基準電圧Ve1と電圧Vcとの電圧差を増幅して出力信号DF1を生成する。電圧発生器E2は、基準電圧Ve2を発生させる。抵抗R1、R2およびトランジスタT3は、端子P2と接地線との間に直列接続されている。トランジスタT3の制御端子は、ゲート回路G1から供給される停止信号/STPを受けている。誤差増幅器ERA2は、基準電圧Ve2を非反転入力端子で受け、抵抗R1、R2の接続ノードの電圧(抵抗R1、R2およびトランジスタT3により出力電圧Voを分圧した電圧)を反転入力端子で受けている。これにより、誤差増幅器ERA2は、基準電圧Ve2と抵抗R1、R2の接続ノードの電圧との電圧差を増幅して出力信号DF2を生成する。三角波発振器OSCは、所定周期の三角波信号TWを発生させる。
PWM比較器PCMPは、第1非反転入力端子の電圧および第2非反転入力端子の電圧のうち低い方と反転入力端子の電圧とを比較し、反転入力端子の電圧の方が低いときに出力信号Q1(/Q1)を高レベル(低レベル)に設定し、反転入力端子の電圧の方が高いときに出力信号Q1(/Q1)を低レベル(高レベル)に設定する電圧−パルス幅変換器である。PWM比較器PCMPは、誤差増幅器ERA1の出力信号DF1を第1非反転入力端子で受け、誤差増幅器ERA2の出力信号DF2を第2非反転入力端子で受け、三角波信号TWを反転入力端子で受けている。
従って、図8に示すように、誤差増幅器ERA1の出力信号DF1の電圧が誤差増幅器ERA2の出力信号DF2の電圧より低い場合、PWM比較器PCMPは、誤差増幅器ERA1の出力信号DF1の電圧と三角波信号TWの電圧とを比較し、誤差増幅器ERA1の出力信号DF1の電圧が三角波信号TWの電圧より高ければ出力信号Q1を高レベルに設定し、誤差増幅器ERA1の出力信号DF1の電圧が三角波信号TWの電圧より低ければ出力信号Q1を低レベルに設定する。
また、図9に示すように、誤差増幅器ERA2の出力信号DF2の電圧が誤差増幅器ERA1の出力信号DF1の電圧より低い場合、PWM比較器PCMPは、誤差増幅器ERA2の出力信号DF2の電圧と三角波信号TWの電圧とを比較し、誤差増幅器ERA2の出力信号DF2の電圧が三角波信号TWの電圧より高ければ出力信号Q1を高レベルに設定し、誤差増幅器ERA2の出力信号DF2の電圧が三角波信号TWの電圧より低ければ出力信号Q1を低レベルに設定する。
抵抗R3は、プルアップ用電圧Vhの供給線と端子P3との間に接続されている。端子P3は、二次電池BTRにおける温度測定用のサーミスタThの一端に接続されている。サーミスタThの他端は、接地線に接続されている。サーミスタThは、温度に応じて抵抗値が変化する感温抵抗素子であり、図10に示すような温度特性を有している。抵抗R3とサーミスタThとで構成される直列抵抗に一定の電圧Vhが印加されるため、ウィンドウ比較器WCMPに供給される端子P3の電圧Vt1は、図11に示すような温度特性を有している。
二次電池BTRの温度が許容範囲の最高温度であるときに電圧Vt1がαVであり、二次電圧BTRの温度が許容範囲の最低温度であるときに電圧Vt1がβVであると仮定すると、ウィンドウ比較器WCMPは、電圧Vt1がαVより高くβVより低いときに停止信号STP1を低レベルに設定し、電圧Vt1がαVより低いときあるいは電圧Vt1がβVより高いときに停止信号STP1を高レベルに設定する。
ゲート回路G1は、停止信号STP1、STP2の少なくともいずれかが高レベルに設定されているときに停止信号/STPを低レベルに設定し、停止信号STP1、STP2の双方が低レベルに設定されているときに停止信号/STPを高レベルに設定する。なお、停止信号STP2は、充電回路CHGの起動/停止を要求するための信号であり、充電回路CHGの停止を要求するときに高レベルに設定され、充電回路CHGの起動を要求するときに低レベルに設定される。ゲート回路G2は、停止信号/STPが高レベルに設定されているときにPWM比較器PCMPの出力信号/Q1を出力信号/Q1aとして同期整流トランジスタT2の制御端子に供給し、停止信号/STPが低レベルに設定されているときに低レベル信号を出力信号/Q1aとして同期整流トランジスタT2の制御端子に供給する。
以上のような充電回路CHGにおいて、メインスイッチングトランジスタT1がオン状態になると、同期整流トランジスタT2がオフ状態になり、入力側からチョークコイルL1を介して負荷に電流が供給される。チョークコイルL1の両端には入力電圧Viと出力電圧Voとの電圧差が印加されるため、チョークコイルL1を流れる電流は時間の経過に伴って増加し、負荷に供給される電流も時間の経過に伴って増加する。また、チョークコイルL1を電流が流れることで、チョークコイルL1にエネルギーが蓄積される。
そして、メインスイッチングトランジスタT1がオフ状態になると、同期整流トランジスタT2がオン状態になり、チョークコイルL1に蓄積されたエネルギーが放電される。このとき、出力電圧Voは、メインスイッチングトランジスタT1のオン期間Ton、メインスイッチングトランジスタT1のオフ期間Toffおよび入力電圧Viを用いて式(1)で表される。
Vo={Ton/(Ton+Toff)}×Vi・・・(1)
また、チョークコイルL1を流れる電流は、メインスイッチングトランジスタT1のオン期間では入力側から出力側に流れ、メインスイッチングトランジスタT1のオフ期間では同期整流トランジスタT2を介して供給される。従って、平均入力電流Iiは、メインスイッチングトランジスタT1のオン期間Ton、メインスイッチングトランジスタT1のオフ期間Toffおよび出力電流Ioを用いて式(2)で表される。
Ii={Ton/(Ton+Toff)}×Io・・・(2)
従って、入力電圧Viの変動に起因して出力電圧Voが変動する場合、出力電圧Voの変動を検出してメインスイッチングトランジスタT1のオン期間/オフ期間の比率を制御することで、出力電圧Voを一定に保つことができる。同様に、負荷の変動に起因して出力電圧Voが変動する場合も、出力電圧Voの変動を検出してメインスイッチングトランジスタT1のオン期間/オフ期間の比率を制御することで、出力電圧Voを一定に保つことができる。
また、充電回路CHGにおいて、負荷電流が増加すると、電流測定用抵抗RSを流れる電流が増加し、電流測定用抵抗RSの両端に発生する電圧降下が大きくなる。電流測定用抵抗RSの両端に発生する電圧降下が大きくなると、誤差増幅器ERA1において非反転入力端子の電圧と反転入力端子の電圧との電圧差が小さくなるため、誤差増幅器ERA1の出力信号DF1の電圧が下がる。この結果、PWM比較器PCMPの出力信号Q1のパルス幅(高レベル期間)が小さくなるため、出力電圧Voが下がり、二次電池BTRの充電電流が減少する。
一方、負荷電流が減少すると、電流測定用抵抗RSを流れる電流が減少し、電流測定用抵抗RSの両端に発生する電圧降下が小さくなる。電流測定用抵抗RSの両端に発生する電圧降下が小さくなると、誤差増幅器ERA1において非反転入力端子の電圧と反転入力端子の電圧との電圧差が大きくなるため、誤差増幅器ERA1の出力信号DF1の電圧が上がる。この結果、PWM比較器PCMPの出力信号Q1のパルス幅が大きくなるため、出力電圧Voが上がり、二次電池BTRの充電電流が増加する。このように、PWM制御方式のDC−DCコンバータを用いた充電回路CHGでは、メインスイッチングトランジスタT1のオン期間/オフ期間の比率を制御することにより、出力電圧Voを制御して二次電池BTRの充電電流や充電電圧を制御することができる。
また、充電回路CHGでは、二次電池BTRの温度が許容範囲の最高温度より高いとき、電圧Vt1がαVより低くなるため、ウィンドウ比較器WCMPから供給される停止信号STP1が高レベルに設定される。これにより、ゲート回路G1から供給される停止信号/STPが低レベルに設定され、充電回路CHGが停止して二次電圧BTRの充電が停止される。同様に、二次電池BTRの温度が許容範囲の最低温度より低いとき、電圧Vt1がβVより高くなるため、停止信号STP1が高レベルに設定される。これにより、停止信号/STPが低レベルに設定され、充電回路CHGが停止して二次電圧BTRの充電が停止される。
充電回路CHGが停止しているとき、ゲート回路G1から供給される停止信号/STPが低レベルに設定されるため、ゲート回路G2の出力信号/Q1aが低レベルに設定されて同期整流トランジスタT2がオフし、同期整流トランジスタT2を介して二次電池BTRが放電されることが防止される。同様に、充電回路CHGが停止しているとき、停止信号/STPが低レベルに設定されるため、トランジスタT3がオフし、抵抗R1、R2およびトランジスタT3を介して二次電池BTRが放電されることが防止される。
なお、本発明の先行技術としては、特許文献1〜9などが挙げられる。
特開平8−33230号公報 特開平5−207671号公報 特開平5−227677号公報 特開平6−165408号公報 特開平10−32475号公報 特開平11−150885号公報 特開2001−211562号公報 特開平6−284593号公報 特開2005−274372号公報
従来の充電回路は、二次電池の温度が許容範囲外であるときは二次電池の充電を中止するように構成されている。このため、二次電池が放電された直後においては、二次電池の温度が比較的高くなっているため、二次電池の充電が開始されても直ぐに二次電池の充電が停止され、二次電圧の温度が許容範囲内に下がるまで二次電池の充電が停止されたままになる。また、携帯型電子機器が二次電池の電源供給を使用して駆動された直後においては、二次電池の温度が比較的高くなっているため、二次電池の充電が開始されると、二次電池の温度が許容範囲外まで直ぐに上がり、携帯型電子機器の温度が充分に下がるまでは二次電池の充電の開始および停止が頻繁に繰り返される場合がある。
本発明は、このような問題点に鑑みてなされたものであり、二次電池の充電に伴う温度上昇を抑制して二次電池の温度が比較的高い状態での充電を可能にすることを目的とする。
本発明の一形態では、スイッチング素子およびインダクタンス素子を用いたDC−DCコンバータにより二次電池を充電する電源回路(その電源回路に適用される電源制御回路)は、電流調整回路を備えて構成される。電流調整回路は、基準電圧および二次電池の温度に対応する第1制御電圧のうち低い方と二次電池の充電電流に対応する電流検出電圧との電圧差に応じてスイッチング素子をオン/オフさせることで二次電池の充電電流を調整する(電流調整工程)。電流調整回路を設けることで、二次電池の温度が高くなるのに従って二次電池の充電電流を減少させることができる。二次電池の温度上昇率は充電電流に大きく依存するため、二次電池の充電に伴う温度上昇を抑制でき、二次電池の温度が比較的高い状態での充電が可能になる。
本発明の一形態における好ましい例では、電流調整回路は、基準電圧および第1制御電圧に加えて、電源回路の温度に対応する第2制御電圧および二次電池の充電電圧に応じて基準電圧より高い電圧または基準電圧より低い電圧のいずれかに設定される第3制御電圧を使用し、基準電圧および第1〜第3制御電圧のうち最も低いものと電流検出電圧との電圧差に応じてスイッチング素子をオン/オフさせる。
電源回路自体も二次電池の充電に伴って発熱するが、一般に、電源回路は二次電池の近傍に配置されるため、電源回路の発熱による煽り熱の影響で二次電池の温度が上がる。従って、電源調整回路が第2制御電圧も使用することで、二次電池の充電電流を精度よく調整できる。また、電源調整回路が第3制御電圧も使用することで、二次電池の充電電圧が所定電圧より低いときに二次電池の充電電流が小さく設定され、二次電池の充電電圧が所定電圧より高いときに二次電池の充電電流が大きく設定されるような電源回路の出力特性を実現できる。
本発明の一形態における好ましい例では、電源回路(電源制御回路)は、非線形変換回路を更に備えて構成される。非線形変換回路は、第1制御電圧を予め決められた変換規則に従って非線形に変換して第1変換制御電圧を生成する(非線形変換工程)。電流調整回路は、第1制御電圧の代わりに第1変換制御電圧を使用する。非線形変換回路を設けることで、二次電池の充電電流を第1制御電圧により決まる電流値以外の電流値に設定することが可能になり、電源回路の利便性の向上に寄与する。
好ましくは、非線形変換回路により生成される電圧は、基準電圧より低く設定される。電流調整回路は、基準電圧を使用対象から除外する。これにより、電流調整回路を簡易化でき、電源回路の回路規模を低減することができる。より好ましくは、非線形変換回路は、電源回路の温度に対応する第2制御電圧および二次電池の充電電圧を予め決められた変換規則に従って非線形に変換して第2および第3変換制御電圧として出力とする。電流調整回路は、第1変換制御電圧に加えて、第2および第3変換制御電圧を使用し、第1〜第3変換制御電圧のうち最も低いものと電流検出電圧との電圧差に応じてスイッチング素子をオン/オフさせる。
電源調整回路が第2変換制御電圧も使用することで、二次電池の充電電流を精度よく調整できる。また、二次電池の充電電流を第2制御電圧により決まる電流値以外の電流値に設定することが可能になり、電源回路の利便性の向上に寄与する。更に、電源調整回路が第3変換制御電圧も使用することで、二次電池の充電電圧が所定電圧より低いときに二次電池の充電電流が小さく設定され、二次電池の充電電圧が所定電圧より高いときに二次電池の充電電流が大きく設定されるような電源回路の出力特性を実現できる。
また、好ましくは、非線形変換回路は、変換規則変更回路を備えて構成される。変換規則変更回路は、二次電池に合わせて変換規則を変更する(変換規則変更工程)。例えば、変換規則変更回路は、外部装置と通信する通信回路を用いて変換規則を変更する。変換規則変更回路を設けることで、二次電池の充電電流を二次電池に合わせて高精度に調整できる。
本発明によれば、二次電池の充電に伴う温度上昇を抑制でき、二次電池の温度が比較的高い状態での充電が可能になる。
以下、本発明の実施形態について図面を用いて説明する。図1は、本発明の第1実施形態を示している。以下、第1実施形態について説明するが、図7で説明した要素と同一の要素については、図7で使用した符号と同一の符号を使用し、詳細な説明を省略する。第1実施形態の充電回路CHGaは、図7の充電回路CHGにおいて、制御回路CTLを制御回路CTLaに置き換えて構成されている。例えば、充電回路CHGaは、半導体装置により具現され、二次電池BTRの充電に用いるために携帯型電子機器に搭載されている。制御回路CTLaは、制御回路CTLにおいて、ゲート回路G1を取り除き、ウィンドウ比較器WCMPおよび誤差増幅器ERA1をウィンドウ比較器WCMPaおよび誤差増幅器ERA1aに置き換えて構成されている。
ウィンドウ比較器WCMPaは、電圧Vt1がαVより高くβVより低いときに停止信号/STPを高レベルに設定し、電圧Vt1がαVより低いときあるいは電圧Vt1がβVより高いときに停止信号/STPを低レベルに設定する。誤差増幅器ERA1aは、基準電圧Ve1を第1非反転入力端子で受け、電圧Vt1を第2非反転入力端子で受け、電圧Vcを反転入力端子で受けている。誤差増幅器ERA1aは、第1非反転入力端子の電圧および第2非反転入力端子の電圧のうち低い方と反転入力端子の電圧との電圧差を増幅して出力信号DF1を生成する。従って、誤差増幅器ERA1aは、電圧Vt1が基準電圧Ve1より高いときに基準電圧Ve1と電圧Vcとの電圧差を増幅して出力信号DF1を生成し、電圧Vt1が基準電圧Ve1より低いときに電圧Vt1と電圧Vcとの電圧差を増幅して出力信号DF1を生成する。
ウィンドウ比較器WCMPaに供給される端子P3の電圧Vt1は、図11に示したように、二次電池BTRの温度が高いほど電圧値が低くなる温度特性を有している。二次電池BTRの温度は充電や放電に伴って上がるが、温度上昇率は充電電流や放電電流に大きく依存するため、充電電流や放電電流が減少すれば温度上昇率が低下する。第1実施形態では、二次電池BTRの温度が低いときは基準電圧Ve1に基づいて二次電池BTRの充電電流が調整されるが、二次電池BTRの温度が上昇すると電圧Vt1に基づいて二次電池BTRの充電電流が調整される。このため、二次電池BTRの温度が高くなるほど二次電池BTRの充電電流を減少させることができる。従って、二次電池BTRの温度が許容範囲外まで上がることを防止でき、二次電池BTRの温度が比較的高い状態での充電が可能になる。
図2は、本発明の第2実施形態を示している。図3は、第2実施形態の充電回路の出力特性を示している。以下、第2実施形態について説明するが、第1実施形態で説明した要素と同一の要素については、第1実施形態で使用した符号と同一の符号を使用し、詳細な説明を省略する。第2実施形態の充電回路CHGbは、第1実施形態の充電回路CHGaにおいて、制御回路CTLaを制御回路CTLbに置き換えて構成されている。例えば、充電回路CHGbは、半導体装置により具現され、二次電池BTRの充電に用いるために携帯型電子機器に搭載されている。制御回路CTLbは、制御回路CTLaにおいて、電圧発生器E3〜E5、電圧比較器VCMPおよびスイッチ回路SWを追加し、誤差増幅器ERA1aを誤差増幅器ERA1bに置き換えて構成されている。
電圧発生器E3は、基準電圧Ve3を発生させる。電圧比較器VCMPは、出力電圧Vo(二次電池BTRの充電電圧)を非反転入力端子で受け、基準電圧Ve3を反転入力端子で受けている。これにより、電圧比較器VCMPは、二次電圧BTRの充電電圧が基準電圧Ve3より高いときに出力信号を高レベルに設定し、二次電圧BTRの充電電圧が基準電圧Ve3より低いときに出力信号を低レベルに設定する。
電圧発生器E4は、基準電圧Ve1より高い基準電圧Ve4を発生させる。電圧発生器E5は、基準電圧Ve1より低い基準電圧Ve5を発生させる。スイッチ回路SWは、電圧比較器VCMPの出力信号が高レベルに設定されているとき(二次電圧BTRの充電電圧が基準電圧Ve3より高いとき)、基準電圧Ve4を電圧Vsとして出力する。一方、スイッチ回路SWは、電圧比較器VCMPの出力信号が低レベルに設定されているとき(二次電圧BTRの充電電圧が基準電圧Ve3より低いとき)、基準電圧Ve5を電圧Vsとして出力する。
誤差増幅器ERA1bは、基準電圧Ve1を第1非反転入力端子で受け、電圧Vt1を第2非反転入力端子で受け、電圧Vt2を第3非反転入力端子で受け、電圧Vsを第4非反転入力端子で受け、電圧Vcを反転入力端子で受けている。誤差増幅器ERA1bは、第1〜第4非反転入力端子の電圧のうち最も低いものと反転入力端子の電圧との電圧差を増幅して出力信号DF1を生成する。すなわち、誤差増幅器ERA1bは、基準電圧Ve1、電圧Vt1、電圧Vt2および電圧Vsのうち最も低いものと電圧Vcとの電圧差を増幅して出力信号DF1を生成する。なお、電圧Vt2は、充電回路CHGbの温度に対応している。電圧Vt2と充電回路CHGbの温度との関係は、電圧Vt1と二次電池BTRの温度との関係と同様である。
以上のような第2実施形態でも、第1実施形態と同様の効果が得られる。また、第2実施形態では、電圧Vt1、Vsおよび基準電圧Ve1が電圧Vt2より高い場合、充電回路CHGbの温度に対応する電圧Vt2に基づいて二次電池BTRの充電電流が調整される。従って、二次電池BTRの充電電流を精度よく調整できる。更に、電圧Vt1、Vt2が基準電圧Ve1より高い場合、二次電圧BTRの充電電圧が基準電圧Ve3より高ければ基準電圧Ve1に基づいて二次電池BTRの充電電流が調整され、二次電池BTRの充電電圧が基準電圧Ve3より低ければ基準電圧Ve1より低い基準電圧Ve5に基づいて二次電池BTRの充電電流が調整される。従って、図3に示すように、二次電池BTRの充電電圧(充電回路CHGbの出力電圧Vo)が電圧V0より低いときに二次電池BTRの充電電流(充電回路CHGbの出力電流)が電流I0となり、二次電圧BTRの充電電圧が電圧V0より高いときに二次電池BTRの充電電流が電流I1となるような出力特性を実現できる。
図4は、本発明の第3実施形態を示している。以下、第3実施形態について説明するが、第1実施形態で説明した要素と同一の要素については、第1実施形態で使用した符号と同一の符号を使用し、詳細な説明を省略する。第3実施形態の充電回路CHGcは、第1実施形態の充電回路CHGaについて、制御回路CTLaを制御回路CTLcに置き換えて構成されている。例えば、充電回路CHGcは、半導体装置により具現され、二次電池BTRの充電に用いるために携帯型電子機器に搭載されている。制御回路CTLcは、制御回路CTLaにおいて、非線形変換回路NLCを追加して構成されている。
非線形変換回路NLCは、A/D変換器ADC、不揮発性メモリMEM、D/A変換器DACおよび通信回路COMを備えて構成されている。A/D変換器ADCは、電圧Vt1をディジタル値に変換して不揮発性メモリMEMに供給する。不揮発性メモリMEMは、A/D変換器ADCから供給されるディジタル値をアドレスとして受け、そのアドレスに格納されているディジタル値を読み出してD/A変換器DACに供給する。D/A変換器DACは、不揮発性メモリMEMから供給されるディジタル値をアナログ電圧に変換して電圧Vt1aとして誤差増幅器ERA1aの第2非反転入力端子に供給する。通信回路COMは、シリアルインタフェース回路等(例えば、IIC)を用いて構成され、端子P4を介して外部装置との間で通信可能であり、外部装置からの要求に従って不揮発性メモリMEMに格納されているディジタル値を書き換える。
以上のような第3実施形態でも、第1実施形態と同様の効果が得られる。また、第3実施形態では、D/A変換器DACから供給される電圧Vt1aが基準電圧Ve1より高いときに基準電圧Ve1に基づいて二次電池BTRの充電電流が調整され、電圧Vt1aが基準電圧Ve1より低いときに電圧Vt1aに基づいて二次電池BTRの充電電流が調整される。また、不揮発性メモリMEMに格納されるディジタル値は通信回路COMを介して外部装置から書き換え可能であるため、二次電池BTRの特性に合わせて二次電池BTRの充電電流を調整することが可能である。従って、二次電池BTRの充電電流をサーミスタThの温度特性により決まる電流値にのみ設定可能である第1実施形態に比べて、利便性を大きく向上させることができる。
図5は、本発明の第4実施形態を示している。以下、第4実施形態について説明するが、第1および第3実施形態で説明した要素と同一の要素については、第1および第3実施形態で使用した符号と同一の符号を使用し、詳細な説明を省略する。第4実施形態の充電回路CHGdは、第3実施形態の充電回路CHGcにおいて、制御回路CTLcを制御回路CTLdに置き換えて構成されている。例えば、充電回路CHGdは、半導体装置により具現され、二次電池BTRの充電に用いるために携帯型電子機器に搭載されている。制御回路CTLdは、制御回路CTLcにおいて、電圧発生器E1を取り除き、誤差増幅器ERA1aを誤差増幅器ERA1cに置き換えて構成されている。
誤差増幅器ERA1cは、電圧Vt1aを非反転入力端子で受け、電圧Vcを反転入力端子で受けている。これにより、誤差増幅器ERA1cは、電圧Vt1aと電圧Vcとの電圧差を増幅して出力信号DF1を生成する。なお、非線形変換回路NLCにおいて、不揮発性メモリMEMに格納されるディジタル値は、D/A変換器DACから供給される電圧Vt1aが基準電圧Ve1より低くなるように設定される。以上のような第4実施形態では、第1および第3実施形態と同様の効果が得られるうえに、電圧発生器E1を取り除いて誤差増幅器ERA1aより非反転入力端子の数が少ない誤差増幅器ERA1cを用いているため、回路規模を低減できる。
図6は、本発明の第5実施形態を示している。以下、第5実施形態について説明するが、第1〜第4実施形態で説明した要素と同一の要素については、第1〜第4実施形態で使用した符号と同一の符号を使用し、詳細な説明を省略する。第5実施形態の充電回路CHGeは、第3実施形態の充電回路CHGcにおいて、制御回路CTLcを制御回路CTLeに置き換えて構成されている。例えば、充電回路CHGeは、半導体装置により具現され、二次電池BTRの充電に用いるために携帯型電子機器に搭載されている。制御回路CTLeは、制御回路CTLcにおいて、非線形変換回路NLCおよび誤差増幅器ERA1aを非線形変換回路NLCaおよび誤差増幅器ERA1dに置き換えて構成されている。
非線形変換回路NLCaは、A/D変換器ADCa、不揮発性メモリMEMa、D/A変換器DACaおよび通信回路COMaを備えて構成されている。A/D変換器ADCaは、第1〜第3チャネルを有している。A/D変換器ADCaの第1チャネルは、電圧Vt1をディジタル値に変換して不揮発性メモリMEMaに供給する。A/D変換器ADCaの第2チャネルは、電圧Vt2をディジタル値に変換して不揮発性メモリMEMaに供給する。A/D変換器ADCaの第3チャネルは、出力電圧Vo(二次電池BTRの充電電圧)をディジタル値に変換して不揮発性メモリMEMaに供給する。
不揮発性メモリMEMaは、第1〜第3メモリ領域を有している。不揮発性メモリMEMaの第1メモリ領域は、A/D変換器ADCaの第1チャネルから供給されるディジタル値をアドレスとして受け、そのアドレスに格納されているディジタル値を読み出してD/A変換器DACaに供給する。不揮発性メモリMEMaの第2メモリ領域は、A/D変換器ADCaの第2チャネルから供給されるディジタル値をアドレスとして受け、そのアドレスに格納されているディジタル値を読み出してD/A変換器DACaに供給する。不揮発性メモリMEMaの第3メモリ領域は、A/D変換器ADCaの第3チャネルから供給されるディジタル値をアドレスとして受け、そのアドレスに格納されているディジタル値を読み出してD/A変換器DACaに供給する。
D/A変換器DACaは、第1〜第3チャネルを有している。D/A変換器DACaの第1チャネルは、不揮発性メモリMEMaの第1メモリ領域から供給されるディジタル値をアナログ電圧に変換して電圧Vt1aとして出力する。D/A変換器DACaの第2チャネルは、不揮発性メモリMEMaの第2メモリ領域から供給されるディジタル値をアナログ電圧に変換して電圧Vt2aとして出力する。D/A変換器DACaの第3チャネルは、不揮発性メモリMEMaの第3メモリ領域から供給されるディジタル値をアナログ電圧に変換して電圧Vsとして出力する。
通信回路COMaは、シリアルインタフェース回路等(例えば、IIC)を用いて構成され、端子P4を介して外部装置との間で通信可能であり、外部装置からの要求に従って不揮発性メモリMEMaの第1〜第3メモリ領域に格納されているディジタル値を書き換える。なお、非線形変換回路NLCaにおいて、不揮発性メモリMEMaの第1〜第3メモリ領域に格納されるディジタル値は、D/A変換器DACaから供給される電圧Vt1a、Vt2a、Vsが基準電圧Ve1より低くなるように設定される。
誤差増幅器ERA1dは、電圧Vt1aを第1非反転入力端子で受け、電圧Vt2aを第2非反転入力端子で受け、電圧Vsを第3非反転入力端子で受け、電圧Vcを反転入力端子で受けている。誤差増幅器ERA1dは、第1〜第3非反転入力端子の電圧のうち最も低いものと反転入力端子の電圧との電圧差を増幅して出力信号DF1を生成する。すなわち、誤差増幅器ERA1dは、電圧Vt1a、電圧Vt2aおよび電圧Vsのうち最も低いものと電圧Vcとの電圧差を増幅して出力信号DF1を生成する。以上のような第5実施形態でも、第1〜第4実施形態と同様の効果が得られる。
なお、第1〜第5実施形態では、充電回路が半導体装置により具現された例について述べたが、本発明はかかる実施形態に限定されるものではない。例えば、充電回路がモジュール(プリント基板等)により具現されてもよい。また、第1〜第5実施形態では、充電回路および二次電池が別々に携帯型電子機器に搭載される場合に本発明を適用した例について述べたが、本発明はかかる実施形態に限定されるものではない。例えば、充電回路および二次電池で構成される二次電池パックが携帯型電子機器に搭載される場合に本発明を適用してもよい。
以上の実施形態において説明した発明を整理して、付記として以下に開示する。
(付記1)
スイッチング素子およびインダクタンス素子を用いたDC−DCコンバータにより二次電池を充電する電源回路であって、
基準電圧および二次電池の温度に対応する第1制御電圧のうち低い方と二次電池の充電電流に対応する電流検出電圧との電圧差に応じてスイッチング素子をオン/オフさせることで二次電池の充電電流を調整する電流調整回路を備えることを特徴とする電源回路。
(付記2)
付記1に記載の電源回路において、
前記電流調整回路は、前記基準電圧および前記第1制御電圧に加えて、電源回路の温度に対応する第2制御電圧および二次電池の充電電圧に応じて前記基準電圧より高い電圧または前記基準電圧より低い電圧のいずれかに設定される第3制御電圧を使用し、前記基準電圧および前記第1〜第3制御電圧のうち最も低いものと前記電流検出電圧との電圧差に応じてスイッチング素子をオン/オフさせることを特徴とする電源回路。
(付記3)
付記1に記載の電源回路において、
前記第1制御電圧を予め決められた変換規則に従って非線形に変換して第1変換制御電圧を生成する非線形変換回路を備え、
前記電流調整回路は、前記第1制御電圧の代わりに前記第1変換制御電圧を使用することを特徴とする電源回路。
(付記4)
付記3に記載の電源回路において、
前記非線形変換回路により生成される電圧は、前記基準電圧より低く設定され、
前記電流調整回路は、前記基準電圧を使用対象から除外することを特徴とする電源回路。
(付記5)
付記4に記載の電源回路において、
前記非線形変換回路は、前記第1変換制御電圧を生成するのに加えて、電源回路の温度に対応する第2制御電圧および二次電池の充電電圧を予め決められた変換規則に従って非線形に変換して第2および第3変換制御電圧を生成し、
前記電流調整回路は、前記第1変換制御電圧に加えて、前記第2および第3変換制御電圧を使用し、前記第1〜第3変換制御電圧のうち最も低いものと前記電流検出電圧との電圧差に応じてスイッチング素子をオン/オフさせることを特徴とする電源回路。
(付記6)
付記3〜付記5のいずれかに記載の電源回路において、
前記非線形変換回路は、二次電池に合わせて変換規則を変更する変換規則変更回路を備えることを特徴とする電源回路。
(付記7)
付記6に記載の電源回路において、
前記変換規則変更回路は、外部装置と通信する通信回路を用いて変換規則を変更することを特徴とする電源回路。
(付記8)
スイッチング素子およびインダクタンス素子を用いたDC−DCコンバータにより二次電池を充電する電源回路に適用される電源制御回路であって、
基準電圧および二次電池の温度に対応する第1制御電圧のうち低い方と二次電池の充電電流に対応する電流検出電圧との電圧差に応じてスイッチング素子をオン/オフさせることで二次電池の充電電流を調整する電流調整回路を備えることを特徴とする電源制御回路。
(付記9)
付記8に記載の電源制御回路において、
前記電流調整回路は、前記基準電圧および前記第1制御電圧に加えて、電源回路の温度に対応する第2制御電圧および二次電池の充電電圧に応じて前記基準電圧より高い電圧または前記基準電圧より低い電圧のいずれかに設定される第3制御電圧を使用し、前記基準電圧および前記第1〜第3制御電圧のうち最も低いものと前記電流検出電圧との電圧差に応じてスイッチング素子をオン/オフさせることを特徴とする電源制御回路。
(付記10)
付記8に記載の電源制御回路において、
前記第1制御電圧を予め決められた変換規則に従って非線形に変換して第1変換制御電圧を生成する非線形変換回路を備え、
前記電流調整回路は、前記第1制御電圧の代わりに前記第1変換制御電圧を使用することを特徴とする電源制御回路。
(付記11)
付記10に記載の電源制御回路において、
前記非線形変換回路により生成される電圧は、前記基準電圧より低く設定され、
前記電流調整回路は、前記基準電圧を使用対象から除外することを特徴とする電源制御回路。
(付記12)
付記11に記載の電源制御回路において、
前記非線形変換回路は、前記第1変換制御電圧を生成するのに加えて、電源回路の温度に対応する第2制御電圧および二次電池の充電電圧を予め決められた変換規則に従って非線形に変換して第2および第3変換制御電圧を生成し、
前記電流調整回路は、前記第1変換制御電圧に加えて、前記第2および第3変換制御電圧を使用し、前記第1〜第3変換制御電圧のうち最も低いものと前記電流検出電圧との電圧差に応じてスイッチング素子をオン/オフさせることを特徴とする電源制御回路。
(付記13)
付記10〜付記12のいずれかに記載の電源制御回路において、
前記非線形変換回路は、二次電池に合わせて変換規則を変更する変換規則変更回路を備えることを特徴とする電源制御回路。
(付記14)
付記13に記載の電源制御回路において、
前記変換規則変更回路は、外部装置と通信する通信回路を用いて変換規則を変更することを特徴とする電源制御回路。
(付記15)
スイッチング素子およびインダクタンス素子を用いたDC−DCコンバータにより二次電池を充電する電源回路に適用される電源制御方法であって、
基準電圧および二次電池の温度に対応する第1制御電圧のうち低い方と二次電池の充電電流に対応する電流検出電圧との電圧差に応じてスイッチング素子をオン/オフさせることで二次電池の充電電流を調整する電流調整工程を含むことを特徴とする電源制御方法。
(付記16)
付記15に記載の電源制御方法において、
前記電流調整工程では、前記基準電圧および前記第1制御電圧に加えて、電源回路の温度に対応する第2制御電圧および二次電池の充電電圧に応じて前記基準電圧より高い電圧または前記基準電圧より低い電圧のいずれかに設定される第3制御電圧を使用し、前記基準電圧および前記第1〜第3制御電圧のうち最も低いものと前記電流検出電圧との電圧差に応じてスイッチング素子をオン/オフさせることを特徴とする電源制御方法。
(付記17)
付記15に記載の電源制御方法において、
前記第1制御電圧を予め決められた変換規則に従って非線形に変換して第1変換制御電圧を生成する非線形変換工程を含み、
前記電流調整工程では、前記第1制御電圧の代わりに前記第1変換制御電圧を使用することを特徴とする電源制御方法。
(付記18)
付記17に記載の電源制御方法において、
前記非線形変換工程により生成される電圧は、前記基準電圧より低く設定され、
前記電流調整工程では、前記基準電圧を使用対象から除外することを特徴とする電源制御方法。
(付記19)
付記18に記載の電源制御方法において、
前記非線形変換工程では、前記第1変換制御電圧を生成するのに加えて、電源回路の温度に対応する第2制御電圧および二次電池の充電電圧を予め決められた変換規則に従って非線形に変換して第2および第3変換制御電圧を生成し、
前記電流調整工程では、前記第1変換制御電圧に加えて、前記第2および第3変換制御電圧を使用し、前記第1〜第3変換制御電圧のうち最も低いものと前記電流検出電圧との電圧差に応じてスイッチング素子をオン/オフさせることを特徴とする電源制御方法。
(付記20)
付記17〜付記19のいずれかに記載の電源制御方法において、
前記非線形変換工程は、二次電池に合わせて変換規則を変更する変換規則変更工程を含むことを特徴とする電源制御方法。
以上、本発明について詳細に説明してきたが、前述の実施形態およびその変形例は発明の一例に過ぎず、本発明はこれらに限定されるものではない。本発明を逸脱しない範囲で変形可能であることは明らかである。
本発明の第1実施形態を示す説明図である。 本発明の第2実施形態を示す説明図である。 第2実施形態の充電回路の出力特性を示す説明図である。 本発明の第3実施形態を示す説明図である。 本発明の第4実施形態を示す説明図である。 本発明の第5実施形態を示す説明図である。 従来の充電回路を示す説明図である。 図7のPWM比較器の動作を示す説明図(その1)である。 図7のPWM比較器の動作を示す説明図(その2)である。 図7のサーミスタの温度特性を示す説明図である。 図7のウィンドウ比較器に供給される電圧の温度特性を示す説明図である。
符号の説明
ADC、ADCa‥A/D変換器;AMP‥電圧増幅器;BTR‥二次電池;C1‥平滑用コンデンサ;CHGa〜CHGe‥充電回路;COM、COMa‥通信回路;CTLa〜CTLe‥制御回路;DAC、DACa‥D/A変換器;E1〜E5‥電圧発生器
ERA1a〜ERA1d、ERA2‥誤差増幅器;G1、G2‥ゲート回路;L1‥チョークコイル;MEM、MEMa‥不揮発性メモリ;NLC、NLCa‥非線形変換回路;OSC‥三角波発振器;PCMP‥PWM比較器;R1、R2、R3‥抵抗;RS‥電流測定用抵抗;SW‥スイッチ回路;T1‥メインスイッチングトランジスタ;T2‥同期整流トランジスタ;T3‥トランジスタ;Th‥サーミスタ;VCMP‥電圧比較器;WCMPa‥ウィンドウ比較器

Claims (10)

  1. スイッチング素子およびインダクタンス素子を用いたDC−DCコンバータにより二次電池を充電する電源回路であって、
    基準電圧および二次電池の温度に対応する第1制御電圧のうち低い方と二次電池の充電電流に対応する電流検出電圧との電圧差に応じてスイッチング素子をオン/オフさせることで二次電池の充電電流を調整する電流調整回路を備えることを特徴とする電源回路。
  2. 請求項1に記載の電源回路において、
    前記電流調整回路は、前記基準電圧および前記第1制御電圧に加えて、電源回路の温度に対応する第2制御電圧および二次電池の充電電圧に応じて前記基準電圧より高い電圧または前記基準電圧より低い電圧のいずれかに設定される第3制御電圧を使用し、前記基準電圧および前記第1〜第3制御電圧のうち最も低いものと前記電流検出電圧との電圧差に応じてスイッチング素子をオン/オフさせることを特徴とする電源回路。
  3. 請求項1に記載の電源回路において、
    前記第1制御電圧を予め決められた変換規則に従って非線形に変換して第1変換制御電圧を生成する非線形変換回路を備え、
    前記電流調整回路は、前記第1制御電圧の代わりに前記第1変換制御電圧を使用することを特徴とする電源回路。
  4. 請求項3に記載の電源回路において、
    前記非線形変換回路により生成される電圧は、前記基準電圧より低く設定され、
    前記電流調整回路は、前記基準電圧を使用対象から除外することを特徴とする電源回路。
  5. 請求項4に記載の電源回路において、
    前記非線形変換回路は、前記第1変換制御電圧を生成するのに加えて、電源回路の温度に対応する第2制御電圧および二次電池の充電電圧を予め決められた変換規則に従って非線形に変換して第2および第3変換制御電圧を生成し、
    前記電流調整回路は、前記第1変換制御電圧に加えて、前記第2および第3変換制御電圧を使用し、前記第1〜第3変換制御電圧のうち最も低いものと前記電流検出電圧との電圧差に応じてスイッチング素子をオン/オフさせることを特徴とする電源回路。
  6. 請求項3〜請求項5のいずれかに記載の電源回路において、
    前記非線形変換回路は、二次電池に合わせて変換規則を変更する変換規則変更回路を備えることを特徴とする電源回路。
  7. 請求項6に記載の電源回路において、
    前記変換規則変更回路は、外部装置と通信する通信回路を用いて変換規則を変更することを特徴とする電源回路。
  8. スイッチング素子およびインダクタンス素子を用いたDC−DCコンバータにより二次電池を充電する電源回路に適用される電源制御回路であって、
    基準電圧および二次電池の温度に対応する第1制御電圧のうち低い方と二次電池の充電電流に対応する電流検出電圧との電圧差に応じてスイッチング素子をオン/オフさせることで二次電池の充電電流を調整する電流調整回路を備えることを特徴とする電源制御回路。
  9. 請求項8に記載の電源制御回路において、
    前記第1制御電圧を予め決められた変換規則に従って非線形に変換して第1変換制御電圧を生成する非線形変換回路を備え、
    前記電流調整回路は、前記第1制御電圧の代わりに前記第1変換制御電圧を使用することを特徴とする電源制御回路。
  10. スイッチング素子およびインダクタンス素子を用いたDC−DCコンバータにより二次電池を充電する電源回路に適用される電源制御方法であって、
    基準電圧および二次電池の温度に対応する第1制御電圧のうち低い方と二次電池の充電電流に対応する電流検出電圧との電圧差に応じてスイッチング素子をオン/オフさせることで二次電池の充電電流を調整する電流調整工程を含むことを特徴とする電源制御方法。
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