JP2008193061A - 半導体装置の作製方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】インクジェット装置で吐出して描くことの可能な基本パターンを複数用意し、それらを組み合わせて所望の集積回路のレイアウトを行う。得られたレイアウトを基にして露光マスクを形成する。露光マスクを用いて露光を行った後、現像して液滴の径よりも幅の細い露光領域にレジスト膜を残存させる。そして、被処理表面の露呈部分に対して撥液処理を行った後、レジスト膜上に材料液滴を滴下する。液滴吐出法により選択的に吐出を行い、ドット径よりも幅の細い配線を形成する。
【選択図】図1
Description
本実施の形態では、図1を用いて、マスク作成の手順と、ラスタデータの作成の手順を説明する。
ここでは、被処理面上に導電材料の液滴を吐出するまでのフロー図を図2に説明する。なお、図1と共通の部分は、共通の符号を用いる。ガラス基板の被処理面に銀ナノ粒子を含む液滴を吐出して銀を主成分とする配線を形成する方法を以下に説明する。
ここでは、図4とは異なるブロックパターンを用いたマスク設計図の一例及びラスタデータの一例を図5または図6に説明する。
実施の形態2では、ネガ型のレジストを残存させた領域上に銀ナノ粒子を含む導電材料の液滴吐出を行う例を示したが、ここでは、レジストを除去した後に銀ナノ粒子を含む導電材料の液滴吐出を行う例を示す。
101 無機絶縁膜
102 感光材料膜
103 露光マスク
104 光
111 登録図面ライブラリ
112 露光後の感光材料膜
113 ヘッド
114 液滴
115 印刷方向
121 撥液性を有する表面
131 配線
280 基板
281 ゲート電極層
282 半導体層
283a 一導電型を有する半導体層
283b 一導電型を有する半導体層
285 ソース電極層
286 ドレイン電極層
288 絶縁層
290 トランジスタ
292 導電層
401 斜線部分
402 場所
501 斜線部分
502 場所
601 斜線部分
602 場所
1516 ICチップ
1517 導電層
1518 カード状基板
9501 表示パネル
9502 回路基板
9503 接続配線
9504 コントロール回路
9505 信号分割回路
9506 画素部
9507 走査線駆動回路
9508 信号線駆動回路
9511 チューナ
9512 映像検波回路
9513 映像信号処理回路
9514 コントロール回路
9515 表示パネル
9516 走査線駆動回路
9517 信号線駆動回路
9518 信号分割回路
9521 音声検波回路
9522 音声信号処理回路
9523,9533 スピーカー
9524 制御回路
9525 入力部
9531 筐体
9532 表示画面
9534 操作スイッチ
Claims (7)
- 液滴吐出装置を用いて被処理面に着弾させた液滴の径を測定し、
前記液滴の径よりも小さい長さを一辺とする矩形要素を決定し、
被処理基板の面積に相当する領域を複数の前記矩形要素で分割してX座標およびY座標に前記矩形要素が複数配置されたデータマップを作成し、
複数種類の図形ブロックを有する図形登録ライブラリから図形ブロックを選択して回路設計を行い、前記データマップにそれぞれ図形ブロックを配置して、図形データマップを作成し、
前記図形データマップを基に露光マスクを作製し、
前記露光マスクを用いて被処理基板上に互いにぬれ性の異なる第1領域及び第2領域を形成し、
前記図形データマップ及び前記図形登録ライブラリを基に作成したラスタデータを作成し、
前記ラスタデータに従って液滴吐出装置を用いて液滴の吐出を前記第1領域に行う半導体装置の作製方法。 - 請求項1において、前記図形登録ライブラリは、予め定めた複数種類の前記図形ブロックが記憶されている半導体装置の作製方法。
- 請求項1または請求項2において、前記第1領域は親液性を有する領域であり、前記第2領域は、撥液性領域である半導体装置の作製方法。
- 請求項1乃至3のいずれか一において、前記矩形要素の一辺は、液滴の径の50%以上90%未満である半導体装置の作製方法。
- 請求項1において、前記図形登録ライブラリは、少なくとも第1図形ブロックと、第2図形ブロックとを有し、
前記第1図形ブロックは、液滴の径よりも幅が広い配線が配置される部分であり、
前記第2図形ブロックは、液滴の径よりも幅が狭い配線が配置される部分である半導体装置の作製方法。 - 絶縁表面を有する基板上に少なくとも配線を液滴吐出装置で形成する半導体装置の作製方法であり、
液滴吐出装置を用いて液滴の径を測定するための基板に、後の工程で被処理面に着弾させる導電材料を含む液滴を滴下し、その径を測定し、
前記導電材料を含む液滴の径の50%以上90%未満のサイズを一辺とする矩形要素を1単位とするマスクを形成し、
前記マスクを用いて被処理基板上に選択的に親液領域或いは撥液領域を形成し、
前記マスクと同じサイズを一辺とする矩形要素を1単位とするラスタデータを作成し、
前記ラスタデータに基づいて導電材料を含む液滴の吐出を行い、液滴の径よりも細い幅を有する配線を形成する半導体装置の作製方法。 - 請求項6において、
前記液滴吐出装置は、複数のノズルを有するヘッドを備え、
前記液滴吐出装置のヘッドの長軸方向と、副走査方向とがなすヘッド傾き角度θを決定し、
前記ヘッド傾き角度θに基づいて各ノズルの吐出タイミングを補正した第2のラスタデータを作成し、
前記ヘッド傾き角度θを維持したまま、ヘッドと基板を主走査方向または副走査方向に相対的に移動させて前記第2ラスタデータに基づく液滴吐出を行い、絶縁表面を有する基板上に配線を形成する半導体装置の作製方法。
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