JP2008192314A - 有機ｅｌ表示装置およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】表示装置として機能するとともに、鏡として効果的に機能する有機ＥＬ表示装置およびその製造方法を提供すること
【解決手段】本発明にかかる有機ＥＬ表示装置は、表示領域内に、発光画素１２２が複数設けられている有機ＥＬ表示装置１であって、素子基板１０１上に設けられた陽極１０２と、陽極１０２の反視認側に設けられ、陽極１０２と対向する陰極１０４と、発光画素１２２において、陽極１０２と陰極１０４との間に配置された有機ＥＬ層１０８と、隣接する発光画素１２２の間において、有機ＥＬ層１０８の視認側、又は有機ＥＬ層１０８が形成されている領域の外側に配置された反射膜１２０と、を有するものである。
【選択図】図２

Description

本発明は、有機ＥＬ（Electro Luminescence）装置およびその製造方法に関し、特に鏡として機能する有機ＥＬ表示装置およびその製造方法に関する。

近年、ＦＰＤ(Flat Panel Display)として有機ＥＬ（Electro Luminescence）表示装置が注目されている。有機ＥＬ表示装置は自発光表示装置であり、液晶表示装置と比較して視野角が広く、バックライトが不要なため薄型化が可能である。また、応答速度も速く、有機物が有する発光性の多様性から、携帯電話や車載用等の様々な分野での使用が期待されている。

有機ＥＬ表示装置は、画素となる複数の有機ＥＬ素子がマトリクス状に配置された有機ＥＬパネルを備えている。例えば、パッシブマトリクス型の有機ＥＬパネルは、ストライプ状に配列された複数の陽極と、陽極に交差するようにストライプ状に配列された複数の陰極と、両電極間に有機ＥＬ層が挟持された構造を有する。陽極と陰極との交差部が、それぞれ１つの画素となる。

一般的に、ボトムエミッション方式のパッシブマトリクス型有機ＥＬパネルでは、陽極はＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などの透明導電膜により形成され、陰極はＡｌなどの光反射性の金属膜により形成されている。電流駆動により有機ＥＬ層から生成された発光は陽極を通ってガラス等の透明な絶縁基板から外部に出射する。また、有機ＥＬ層から生成された発光は、同時に陰極で反射して有機ＥＬ層、陽極、絶縁基板から外部に出射する。

上記のような有機ＥＬパネルを用いて、画像表示の他に鏡として機能する有機ＥＬ表示装置が提案されている（例えば、特許文献１、２）。特許文献１では、画像表示モードと鏡として機能する鏡面モードを備える有機ＥＬ表示装置が開示されている。鏡面モードでは、有機ＥＬ層を非発光状態とし、有機ＥＬ表示装置に入射した外光を陰極で反射させることにより鏡面効果を生じさせている。
特開２００５−３３２５８７号公報 特開２００６−３０８８９７号公報

しかしながら、特許文献１では、有機ＥＬ層が非発光状態のとき、外光は、絶縁基板、陽極、有機ＥＬ層を通って陰極で反射し、再び有機ＥＬ層、陽極、絶縁基板を通過して外部に出射する反射光となる。このとき、有機ＥＬ層及び陽極による吸収や干渉により、反射光の色味が変化してしまうことがある。このため、鏡面モードにおいて反射率の波長分散が大きく、反射色が実際と異なって見えてしまうという問題がある。また、鏡面モードにおける反射率は比較的低く、反射像を見にくいということがある。

本発明は、このような問題点を解決するためになされたものであり、表示装置として機能するとともに、鏡として効果的に機能する有機ＥＬ表示装置およびその製造方法を提供することを目的とする。

本発明に係る有機ＥＬ表示装置は、表示領域内に、発光画素が複数設けられている有機ＥＬ表示装置であって、基板上に設けられた透明電極と、前記透明電極の反視認側に設けられ、前記透明電極と対向する対向電極と、前記発光画素において、前記透明電極と前記対向電極との間に配置された有機ＥＬ層と、隣接する前記発光画素の間において、前記有機ＥＬ層の視認側、又は前記有機ＥＬ層が形成されている領域の外側に配置された反射膜と、を有するものである。このような構成により、有機ＥＬ表示装置は駆動電圧がオン状態のとき、発光画素が発光し画像表示を行う画像表示モードとして機能するとともに、駆動電圧がオフ状態のとき、外光を十分に反射し鏡面効果を生じさせる鏡面モードとして機能することができる。特に、反射膜の設けられた領域の反射光は、有機ＥＬ層及び陽極による吸収や干渉の影響を受けることがないため、鏡面モードにおける反射光の色変化は小さくなり、反射率が向上する。

このとき、前記透明電極と前記対向電極との間に配置され、前記発光画素において開口部を有する絶縁層をさらに備え、前記反射膜が前記絶縁層よりも視認側、又は前記絶縁層の前記開口部内に配置されていると効果的である。これにより、反射膜の設けられた領域の反射光は、絶縁層による吸収や干渉の影響を受けることがない。したがって、鏡面モードにおける反射光の色変化はさらに小さくなり、反射率がより向上する。

さらに、本発明の有機ＥＬ表示装置は、前記発光画素において前記透明電極の視認側に配置されたカラーフィルタを備え、前記反射膜が前記カラーフィルタの視認側、又は前記カラーフィルタが設けられている領域の外側に配置されているものである。これにより、有機ＥＬ表示装置は駆動電圧がオン状態のとき、発光画素が発光しカラー画像表示を行う画像表示モードとして機能することができる。

ここで、前記透明電極又は前記対向電極と接続された補助配線をさらに備え、前記補助配線と同じ層によって前記反射膜が形成されていると効果的である。これにより、反射膜は補助配線と同じ工程で形成することができ、生産性を向上させることができる。あるいは、前記対向電極と同じ層によって前記反射膜が形成されていてもよい。これにより、反射膜は対向電極と同じ工程で形成することができ、生産性を向上させることができる。

本発明に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法は、表示領域内に、発光画素が複数設けられている有機ＥＬ表示装置の製造方法であって、基板上に複数の透明電極を形成する工程と、前記表示領域内において、前記複数の透明電極の間に配置される反射膜を形成する工程と、前記発光画素となる箇所が開口した絶縁層を前記透明電極及び前記反射膜の上に形成する工程と、前記透明電極上の前記絶縁層が開口した箇所に有機ＥＬ層を形成する工程と、前記発光画素となる箇所に形成された前記有機ＥＬ層の上に対向電極を形成する工程と、を備えるものである。このような方法により、駆動電圧がオン状態のとき、発光画素が発光し画像表示を行う画像表示モードとして機能するとともに、駆動電圧がオフ状態のとき、外光を十分に反射し鏡面効果を生じさせる鏡面モードとして機能する有機ＥＬ表示装置を作製することができる。

このとき、前記反射膜を形成する工程では、前記透明電極又は前記対向電極と接続する補助配線を形成すると効果的である。これにより、反射膜は補助配線と同じ工程で形成することができ、生産性を向上させることができる。

また、本発明に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法は、表示領域内に、発光画素が複数設けられている有機ＥＬ表示装置の製造方法であって、基板上に複数の透明電極を形成する工程と、前記発光画素となる箇所が開口した絶縁層を前記透明電極の上に形成する工程と、前記透明電極上の前記絶縁層が開口した箇所に有機ＥＬ層を形成する工程と、前記有機ＥＬ層が形成されている領域の外側であって、前記透明電極間の前記絶縁層が開口した箇所に配置される反射膜と、前記発光画素となる領域に形成された前記有機ＥＬ層の上に配置される対向電極と、を形成する工程と、を備えるものである。このような方法により、駆動電圧がオン状態のとき、発光画素が発光し画像表示を行う画像表示モードとして機能するとともに、駆動電圧がオフ状態のとき、外光を十分に反射し鏡面効果を生じさせる鏡面モードとして機能する有機ＥＬ表示装置を、工程数を増加させずに作製することができる。

また、本発明に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法は、表示領域内に、発光画素が複数設けられている有機ＥＬ表示装置の製造方法であって、基板上に、反射膜、及び対向電極を形成する工程と、前記対向電極の上の前記発光画素となる箇所、及び前記反射膜上が開口した絶縁層を形成する工程と、前記反射膜上の前記絶縁層が開口した箇所の外側に設けられ、前記対向電極上の前記絶縁層が開口した箇所に配置される有機ＥＬ層を形成する工程と、前記有機ＥＬ層の上に、透明電極を形成する工程と、を備えるものである。このような方法により、駆動電圧がオン状態のとき、発光画素が発光し画像表示を行う画像表示モードとして機能するとともに、駆動電圧がオフ状態のとき、外光を十分に反射し鏡面効果を生じさせる鏡面モードとして機能するトップエミッション方式の有機ＥＬ表示装置を、工程数を増加させずに作製することができる。

本発明によれば、表示装置として機能するとともに、鏡として効果的に機能する有機ＥＬ表示装置およびその製造方法を提供することができる。

実施の形態１．
本実施の形態における有機ＥＬ表示装置の構成について、図１を用いて説明する。図１は、実施の形態１に係る有機ＥＬ表示装置１の構成の一例を示す図である。

図１に示すように、有機ＥＬ表示装置１は、素子基板１０１を有している。素子基板１０１は、ガラスなどからなる透明な矩形状の平板部材である。透明電極である陽極１０２は、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などの透明性導電材料からなり、素子基板１０１上に形成されている。複数の陽極１０２は、一定間隔を隔ててそれぞれ平行に形成されている。また、素子基板１０１上には、それぞれの陽極１０２から延設された補助配線１０３が設けられる。また、素子基板１０１上には、後述するそれぞれの対向電極である陰極１０４に接続された補助配線１０５が設けられる。補助配線１０５は陰極１０４から素子基板１０１の一辺側まで延設して形成されている。補助配線１０３、１０５などは、低抵抗化のために下層にＩＴＯ、接続部となる上層に金属材料の積層膜から形成される。

陽極１０２、補助配線１０３、１０５が形成された素子基板１０１上には、画素を区画するための絶縁層が形成される。絶縁層は、陽極１０２と後述する陰極１０４との絶縁性を確保するために設けられる。絶縁層は、ポリイミドなどの絶縁材料からなる。絶縁層には、画素１１２となる位置に対応して開口部が設けられている。つまり、絶縁層の開口部は、画素１１２を画定する役割を果たしている。素子基板１０１上には、画素１１２がマトリクス状に配列される。従って、複数の画素１１２から構成される領域が表示領域となる。

なお、ここでは図示していないが、絶縁層上には、陰極隔壁が形成される。陰極隔壁は、陰極１０４を分離形成するため、陰極１０４を蒸着などにより形成する前に所望のパターンに形成される。陽極１０２に対し直交し、陰極１０４に対して平行に設けられる。陰極１０４の分離をより確実なものとするため、陰極隔壁は逆テーパ構造を有している。すなわち、素子基板１０１から離れるにつれて、断面が広がるように形成される。

前述した陽極１０２、絶縁層、陰極隔壁の上に、図示しない有機ＥＬ層が所定の大きさで配置される。有機ＥＬ層は、例えば、正孔注入層、正孔輸送層、有機発光層、電子輸送層、電子注入層を順次積層した構成を有している。

陰極１０４は、光反射性を有するアルミニウムなどの導電性材料からなり、有機ＥＬ層上に設けられる。陰極１０４は、陰極隔壁によって分離されるため、陰極隔壁の間に配設される。従って、陰極１０４は陽極１０２に対して直交して設けられる。素子基板１０１上に順次積層された陽極１０２、有機ＥＬ層、陰極１０４により有機ＥＬ素子が構成されている。陽極１０２と陰極１０４とが有機ＥＬ層を介して交差する位置が有機ＥＬ素子の発光画素となる。画素１１２内には1つの発光画素が形成されている。

また、素子基板１０１には図示しない封止基板が対向して配置されている。封止基板は、パネル中に水分や酸素が入らないように設けられる。封止基板としては、ステンレス、アルミニウム又はその合金などの金属類のほか、ガラス、アクリル系樹脂などの１種類又は、２種類以上からなるものを使用することができる。封止基板の画素１１２に対向する面上には、捕水材を配置するための凹部が形成されている。

封止基板と素子基板１０１とは、光硬化型のシール材を介して固着されている。シール材としては、水分などの透過性の低い紫外線硬化型のエポキシ系シール材などを用いることができる。シール材は、表示領域を囲むように形成されている。シール材は、封止基板と素子基板１０１とを固着し、表示領域を含む空間を封止する。すなわち、有機ＥＬ素子は、素子基板１０１、封止基板、シール材で形成される気密空間に配置されている。従って、補助配線１０３、１０５の一部、後述するドライバＩＣ１１３などは、素子基板１０１、封止基板、シール材で形成される気密空間外に配置される。この素子基板１０１、封止基板、シール材で形成される気密空間外を周辺領域とする。

気密空間内には、画素１１２などへの水分や酸素の影響を抑制し、安定した発光特性を維持するための捕水材が設けられている。捕水材は、封止基板上の、有機ＥＬ素子と対向する面に形成された凹部に設けられている。捕水材としては、無機系の乾燥剤や、水分と反応性の高い有機金属化合物を膜状にしたもの、フッ素系オイルからなる不活性液体中に固体の吸湿剤を混合したものなどを用いることができる。

また、素子基板１０１の周辺領域の一辺側には、ドライバＩＣ１１３が実装されている。ドライバＩＣ１１３には、陰極１０４にコモン電圧を供給する陰極駆動回路と、陽極１０２に表示電圧を供給する陽極駆動回路とが内蔵されている。

ドライバＩＣ１１３の表示電圧出力端子と各陽極１０２とは、補助配線１０３を介して接続されている。また、コモン電圧出力端子と各陰極１０４とは、補助配線１０５を介して接続されている。また、ドライバＩＣ１１３には、有機ＥＬ表示装置１の外部から、図１中下側の辺近傍に設けられた入力信号線１１４を介して、表示に必要な各種の制御信号、電源などが供給される。

次に、画素１１２の構成について、図２を用いて詳細に説明する。図２（ａ）は、実施の形態１に係る有機ＥＬ表示装置１の画素構成の一例を示す図であり、図２（ｂ）は図２（ａ）のＡ−Ａ断面図である。図２において、図１と同じ構成部分については同一の符号を付し、説明を省略する。本実施の形態では、ボトムエミッション方式のパッシブマトリクス型有機ＥＬ表示装置を用いているため、図２（ｂ）の下方向に発光する。すなわち、素子基板１０１が視認側となり、封止基板側が反視認側となる。

図２において、素子基板１０１の上には、複数の陽極１０２が一定間隔を隔てて平行に設けられている。本実施の形態では、陽極１０２に隣接する形で反射膜１２０が形成されている。従って、複数の反射膜１２０が一定間隔を隔てて平行に設けられる。図２では、反射膜１２０、及び陽極１０２のそれぞれが縦方向（Ｙ方向）に沿って設けられている。陽極１０２の間には、反射膜１２０が形成されている。よって、Ｘ方向には陽極１０２と反射膜１２０が交互に配置されている。

陽極１０２、及び反射膜１２０の上には、格子状の絶縁層１０６が設けられている。すなわち、絶縁層１０６には、マトリクス状に配列された複数の開口部が設けられている。この開口部は、隣接する陽極１０２、及び反射膜１２０の上に配置される。絶縁層１０６の格子方向は陽極１０２が設けられている方向と垂直方向、及び平行方向となる。従って、絶縁層１０６は、隣接している陽極１０２及び反射膜１２０上を横切るように配置される。さらに、絶縁層１０６は、陽極１０２と反射膜１２０の間にも配置される。すなわち、陽極１０２と反射膜１２０との間を埋めるように絶縁層１０６が配設される。ここで、絶縁層１０６は、陽極１０２と反射膜１２０の間を一つおきに配置される。従って、図２の横方向（Ｘ方向）では、陽極１０２、反射膜１２０、絶縁層１０６の順番で繰り返し配置される。すなわち、隣接して配置されている１つの陽極１０２と１つの反射膜１２０とを１ライン１０７とすると、各ライン１０７の間には絶縁層１０６が配置される。

絶縁層１０６に設けられている開口部が画素１１２となる。そして、陽極１０２に対し垂直な方向に設けられた絶縁層１０６の上には陰極隔壁１２１が形成されている。陰極隔壁１２１は、陽極１０２、及び反射膜１２０を横切るように形成されている。図２（ａ）中では有機ＥＬ層１０８及び陰極１０４を省略しているが、有機ＥＬ層１０８は陰極隔壁１２１の間に埋設されており、さらに有機ＥＬ層１０８の上には陰極１０４が形成されている。従って、陽極１０２と陰極１０４が交差する位置では、有機ＥＬ層１０８が陽極１０２と陰極１０４によって挟持されている。すなわち、陰極１０４が有機ＥＬ層１０８を介して、透明電極である陽極１０２に対向配置されている。よって、陰極１０４は透明電極である陽極１０２と対向する対向電極となる。これにより、有機ＥＬ層１０８が発光し、陽極１０２を介して、視認側に光が出射する。すなわち、絶縁層１０６に設けられている開口部内において、有機ＥＬ層１０８が陽極１０２と陰極１０４に狭持されている部分に発光画素１２２が形成される。

このようにマトリクス状に配列された開口部内には、発光画素１２２が設けられている。発光画素１２２では、陽極１０２、有機ＥＬ層１０８、陰極１０４が順次積層されており、有機ＥＬ素子１０９を構成している。電流が供給されると、発光画素１２２の有機ＥＬ層１０８は発光する。一方、発光画素１２２と隣接する発光画素１２２との間には、素子基板１０１上に反射膜１２０が直接設けられ、高反射領域１２３が形成される。図２において、高反射領域１２３は、ストライプ状の形状を有している。高反射領域１２３では、反射膜１２０、有機ＥＬ層１０８、陰極１０４が順次積層されている。反射膜１２０はＡｌ等の光反射性を有する金属材料により形成されており、ここでは補助配線１０３、１０５で用いられる金属材料と同じ材料を用いる。

本実施の形態では、上述のように画素１１２は、開口部内に設けられた発光画素１２２と隣接する発光画素１２２間に設けられた高反射領域１２３とを有する構成となっている。高反射領域１２３の画素１１２に占める割合は４０〜７０％とされている。このため、有機ＥＬ表示装置１の駆動電圧がオン状態のとき、発光画素１２２は発光し、画像表示を行う。従って、有機ＥＬ表示装置１は画像表示モードとなる。また、高反射領域１２３では、反射膜１２０と陰極１０４との電流によって、有機ＥＬ層１０８が発光するが、反射膜１２０によって遮光されるため、視認側に光が出射しない。一方、有機ＥＬ表示装置１の駆動電圧がオフ状態のとき、発光画素１２２は発光しない（非発光状態）。このとき、有機ＥＬ表示装置１に外光が入射すると、発光画素１２２及び高反射領域１２３は外光を反射し、鏡面効果を生じさせる。従って、有機ＥＬ表示装置１は鏡面モードとなる。

鏡面モードにおいて、発光画素１２２では、外光は素子基板１０１、陽極１０２、有機ＥＬ層１０８を通って陰極１０４で反射し、再び有機ＥＬ層１０８、陽極１０２、素子基板１０１を通過して外部に出射する。ここで、発光画素１２２の反射光は、有機ＥＬ層１０８、陽極１０２による吸収や干渉により、色味が変化する。さらに、発光画素１２２では外光の反射率が低くなり、低反射光が出射される。

また、高反射領域１２３では、外光は素子基板１０１を通って反射膜１２０で反射し、再び素子基板１０１を通過して外部に出射する。すなわち、反射膜１２０が素子基板１０１上の最も視認側に配置されているため、高反射領域１２３では外光が有機膜を介さずに視認側に出射する。ここで、高反射領域１２３の反射光は、有機ＥＬ層１０８、陽極１０２による吸収や干渉がないため、色度変化がほとんどない。さらに、高反射領域１２３では外光の反射率が高くなり、高反射光が出射される。この低反射光と高反射光とが加法混色され、鏡面モードにおける反射光となる。したがって、鏡面モードにおける反射色の色度変化は減少し、また反射率が向上する。

次に、本発明の実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置１の製造方法について、図３を用いて説明する。図３は、有機ＥＬ表示装置１の製造工程を示すフローチャートである。

まず、有機ＥＬ素子１０９を備える素子基板１０１の製造方法について説明する。素子基板１０１には、厚さが例えば、０．７ｍｍ〜１．１ｍｍのガラス基板を用いる。ガラス基板には無アルカリガラス（例えば、旭硝子社製ＡＮ１００）あるいはアルカリガラス（旭硝子社製ＡＳ）を用いることができる。このガラス基板の上にＩＴＯ等の透明電極材料からなる陽極材料を成膜する（Ｓ１０１）。ＩＴＯはスパッタや蒸着によって、ガラス基板全面に均一性よく成膜することができる。ここではＤＣスパッタ法により膜厚１５０ｎｍで成膜する。フォトリソグラフィー及びエッチングにより陽極材料をパターニングし、陽極１０２を形成する（Ｓ１０２）。レジストとしてはフェノールノボラック樹脂を使用し、露光現像を行う。エッチングはウェットエッチングあるいはドライエッチングのいずれでもよいが、ここでは塩酸及び硝酸の混合水溶液を使用してＩＴＯをパターニングした。レジスト剥離材としてはモノエタノールアミンを使用した。

陽極１０２の上から補助配線材料を成膜する（Ｓ１０３）。補助配線材料はＡｌあるいはＡｌ合金などの低抵抗な金属材料が用いられ、スパッタ、蒸着によって成膜することができる。さらに下地との密着性を向上させるため、あるいは腐食を防止するために、Ａｌ膜の下層又は上層にバリア層を形成して補助配線を積層構造としても良い。このバリア層も蒸着あるいはスパッタにより形成できる。ここではＡｌ膜を補助配線材料として成膜する。この補助配線材料をフォトリソグラフィー及びエッチングによりパターニングして、補助配線パターンを形成する（Ｓ１０４）。また、本実施の形態では、補助配線パターンの形成と同時に反射膜パターンを形成する。これにより、補助配線１０３、１０５、及び反射膜１２０が形成される。エッチングには燐酸、酢酸、硝酸等の混合水溶液よりなるエッチング液を使用することができる。この補助配線パターンにより、陽極１０２又は陰極１０４に信号が供給される。

次に、開口部を有した絶縁層１０６を形成する（Ｓ１０５）。絶縁層１０６としては感光性のポリイミドをスピンコーティングして、フォトリソグラフィー工程でパターニングした後、キュアし、画素１１２に対応する位置に開口部を有する絶縁層１０６を形成する。同時に陰極１０４と補助配線１０５とのコンタクトホールを形成する。例えば、開口部は３００μｍ×３００μｍ程度で形成する。

次に、陰極隔壁１２１を形成する（Ｓ１０６）。陰極隔壁１２１には、例えば、ノボラック樹脂を用いる。ノボラック樹脂をスピンコートして、フォトリソグラフィー工程でパターニングした後、光反応させて陰極隔壁１２１を形成する。陰極隔壁１２１が逆テーパ構造を有するようネガタイプの感光性樹脂を用いることが望ましい。ネガタイプの感光性樹脂を用いると、上から光を照射した場合、深い場所ほど光反応が不十分となる。その結果、上から見た場合、硬化部分の断面積が上の方より下の方が狭い構造を有する。これが逆テーパ構造を有するという意味である。このような構造にすると、その後、陰極１０４の蒸着時に蒸着源から見て陰になる部分は蒸着が及ばないため、隣接する陰極１０４同士を分離することが可能になる。さらに、開口部のＩＴＯ層の表面改質を行うために、酸素プラズマ又は紫外線を照射してもよい。

次に、開口部の上に有機ＥＬ層１０８を形成する（Ｓ１０７）。例えば、蒸着装置を用い、有機ＥＬ層１０８を蒸着する。有機ＥＬ層１０８は正孔輸送層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層などを構成要素とすることが多い。ただし、これとは異なる層構成を有する場合もある。有機ＥＬ層１０８の厚さは通常１００〜３００ｎｍ程度である。界面層として銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）を厚さ１０ｎｍ、正孔輸送層としてＮ，Ｎ'−ジ（ナフタレン−１−イル）−Ｎ，Ｎ'−ジフェニル−ベンジジン（α―ＮＰＤ）を厚さ６０ｎｍ、発光層としてＡｌｑを厚さ５０ｎｍ、電子注入層としてＬｉＦを厚さ０．５ｎｍ蒸着する。上述の構成で正孔輸送層をα―ＮＰＤの代わりにトリフェニルジアミン（ＴＰＤ）等のトリフェニルアミン系の物質を使用することもできる。

その後、蒸着装置を用い陰極１０４を蒸着する（Ｓ１０８）。陰極１０４には、Ａｌを使用することが多いが、Ｌｉ等のアルカリ金属、Ａｇ、Ｃａ、Ｍｇ、Ｙ、Ｉｎやそれらを含む合金を用いることも可能である。陰極１０４の厚さは通常５０〜３００ｎｍ程度であり、ここでは厚さ１００ｎｍのＡｌとする。陰極１０４はこの他、スパッタリング、イオンプレーティングなどの物理的気相成長法（ＰＶＤ）で形成することができる。これにより、発光画素１２２となる有機ＥＬ素子１０９が形成される。

これらの工程により有機ＥＬ素子１０９が複数形成された素子基板１０１が製造される。上述の有機ＥＬ素子基板の製造工程は典型的な有機ＥＬ表示装置に用いられる素子基板の製造工程の一例であり、上述の製造工程に限られるものではない。

次に、有機ＥＬ素子１０９を封止するための封止基板の製造工程について説明する。有機ＥＬ素子１０９は空気中の水分等により劣化するので、封止基板を用いて封止する。封止基板としては、厚さ０．７ｍｍ〜１．１ｍｍのガラス基板が使用され、素子基板１０１と同様のものを用いることができる。そして、封止基板となるガラス基板を加工して、凹部を形成する（Ｓ２０１）。具体的にはエッチングにより、捕水材を設けるため、封止基板の一部に掘り込み凹部を形成する。

次に、捕水材を形成する（Ｓ２０２）。捕水材には例えば、ゼオライトが用いられる。ゼオライトは元が粉末で成形が容易、低コストであり、捕水力が高い。本実施の形態では、捕水材は樹脂と混ぜ合わせて用いる。まず、２液性のエポキシ樹脂に同量のゼオライトと混練する。そして、表示領域に対応する位置に、封止基板の表面に捕水材を配置する。すなわち、捕水材は少なくとも、後述する接着材が形成される位置の内側に設けられる。なお、捕水材には、ゼオライトの他、酸化カルシウムや酸化バリウムなどを用いることができる。

捕水材の外側にディスペンサを用いて接着材を塗布する（Ｓ２０３）。接着材は捕水材の外側に設けられる。接着材としては感光性エポキシ樹脂が望ましく、例えば、光カチオン重合型エポキシ樹脂を用いることができ、素子基板１０１と封止基板を貼り合わせる機能を果たす。

次に、素子基板１０１と封止基板を貼り合わせて、有機ＥＬ素子１０９を封止する（Ｓ１０９）。両基板を加圧して、ＵＶ光を接着材に照射する。これにより、接着材が押し潰された状態で感光性樹脂が硬化され、素子基板１０１と封止基板とを貼り合わせることができる。上述の工程により、素子基板１０１と封止基板との間の空間は、接着材により封止される。

上述の工程により貼り合わされた基板を切断する（Ｓ１１０）。通常１枚の素子基板１０１には複数の有機ＥＬ素子１０９を有する有機ＥＬ表示装置１が複数形成される。各有機ＥＬ表示装置１を切断分離することにより、１枚のマザーガラスから複数の有機ＥＬ表示装置１が得られる。これにより、それぞれの有機ＥＬ表示装置１に分割される。次に、駆動回路などを実装する（Ｓ１１１）。ドライバＩＣ１１３を素子基板１０１上に実装し、入力信号線１１４に外部周辺回路を接続するフレキシブル基板を実装する。このようにして、有機ＥＬ表示装置１が完成する（Ｓ１１２）。

以上のように、本実施の形態では、開口部内に設けられた発光画素１２２と隣接する発光画素１２２間に設けられた高反射領域１２３とを有する構成となっている。駆動電圧がオン状態のとき、有機ＥＬ表示装置１は、発光画素１２２が発光し画像表示を行う画像表示モードとして機能する。一方、駆動電圧がオフ状態のとき、有機ＥＬ表示装置１は、発光画素１２２及び高反射領域１２３は外光を反射し鏡面効果を生じさせる鏡面モードとして機能する。高反射領域１２３では、反射膜１２０が素子基板１０１上に直接設けられており、反射光は有機ＥＬ層１０８及び陽極１０２による吸収や干渉の影響を受けることがない。そのため、高反射領域１２３では、反射光の色度変化がほとんどなく、高い反射率が得られる。これにより、有機ＥＬ表示装置１の鏡面モードにおける反射率の波長分散は小さくなり、反射光の色度変化は減少する。また、反射率が向上し、反射像が見やすくなる。したがって、有機ＥＬ表示装置１は、表示装置として機能するとともに鏡として効果的に機能することが可能となる。また、高反射領域１２３を形成する反射膜１２０は、補助配線１０３、１０５と同じ工程で形成することができ、工程数は増加しない。よって、生産性を向上することができる。

実施の形態２．
本実施の形態における有機ＥＬ表示装置の構成について、図４を用いて説明する。図４（ａ）は、実施の形態２に係る有機ＥＬ表示装置２の画素構成の一例を示す図であり、図４（ｂ）は図４（ａ）のＢ−Ｂ断面図である。図４において、図１、図２と同じ構成部分については同一の符号を付し、説明を省略する。なお、図４（ａ）では、有機ＥＬ層１０８、及び陰極１０４を省略して記載している。

本実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置２の全体構造は、図１に示す有機ＥＬ表示装置１と同様である。本実施の形態では、実施の形態１の構成に加え、カラーフィルタが形成されていて、それ以外の構成は実施の形態１と同じであるため説明を省略する。

図４において、素子基板１０１と陽極１０２との間にカラーフィルタ１２４が形成されている。例えば、カラーフィルタ１２４は陽極１０２と略同一のストライプ形状を有しており、赤、緑、青のカラーフィルタ（１２４Ｒ、１２４Ｇ、１２４Ｂ）が一定間隔を隔てて平行に繰り返し配設される。なお、カラーフィルタ１２４は高反射領域１２３にはみ出して形成されないことが好ましい。

本実施の形態では、画素１１２は開口部内に設けられた発光画素１２２と隣接する発光画素１２２間に設けられた高反射領域１２３とを有する構成となっており、発光画素１２２の視認側にはカラーフィルタ１２４が形成されている。このため、有機ＥＬ表示装置１の駆動電圧がオン状態のとき、発光画素１２２は発光し、カラー画像表示を行う。従って、有機ＥＬ表示装置１は画像表示モードとなる。一方、有機ＥＬ表示装置１の駆動電圧がオフ状態のとき、発光画素１２２及び高反射領域１２３は外光を反射し、鏡面効果を生じさせる。従って、有機ＥＬ表示装置１は鏡面モードとなる。

鏡面モードにおいて、発光画素１２２では、外光は素子基板１０１、カラーフィルタ１２４、陽極１０２、有機ＥＬ層１０８を通って陰極１０４で反射し、再び有機ＥＬ層１０８、陽極１０２、カラーフィルタ１２４、素子基板１０１を通過して外部に出射する。ここで、発光画素１２２の反射光は、有機ＥＬ層１０８、陽極１０２、カラーフィルタ１２４による吸収や干渉により、色味が変化する。さらに、発光画素１２２では外光の反射率が低くなり、低反射光が出射される。

また、高反射領域１２３では、外光は素子基板１０１を通って反射膜１２０で反射し、再び素子基板１０１を通過して外部に出射する。よって、外光は、反射膜１２０によって、絶縁層１０６、カラーフィルタ１２４、有機ＥＬ層１０８などの有機膜を介さずに視認側に反射される。ここで、高反射領域１２３の反射光は、有機ＥＬ層１０８、陽極１０２、カラーフィルタ１２４による吸収や干渉がないため、色度変化がほとんどない。さらに、高反射領域１２３では外光の反射率が高くなり高反射光が出射される。この低反射光と高反射光とが加法混色され、鏡面モードにおける反射光となる。したがって、鏡面モードにおける反射色の色度変化は減少し、また反射率が向上する。

続いて、本実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置２の製造方法について説明する。本実施の形態では、図３に示す実施の形態１の製造方法とほぼ同様であり、異なる点について図３を用いて説明をする。Ｓ１０１における陽極材料成膜の前に、カラーフィルタ１２４をガラス基板の上に形成する。例えばスピンコーターを用いたレジスト塗布及びフォトリソグラフィーを繰り返すことにより、赤、緑、青のカラーフィルタ（１２４Ｒ、１２４Ｇ、１２４Ｂ）を形成することができる。表示領域において、カラーフィルタは高反射領域１２３外に形成される。そして、Ｓ１０１においてカラーフィルタ１２４の上に陽極材料を成膜し、Ｓ１０２において、カラーフィルタ１２４の形成された領域上に陽極１０２を形成する。以降の工程については、図３に示す実施の形態１と同様である。このようにして、有機ＥＬ表示装置２が完成する（Ｓ１１２）。

以上のように、本実施の形態では、開口部内に設けられた発光画素１２２と隣接する発光画素１２２間に設けられた高反射領域１２３とを有する構成となっており、発光画素１２２の視認側にはカラーフィルタ１２４が形成されている。これにより、画像表示モードにおいてカラー表示をすることができる。また、実施の形態１と同様に、有機ＥＬ表示装置２の鏡面モードにおける反射光色の色度変化は小さくなり、反射率が向上する。したがって、有機ＥＬ表示装置２は、表示装置として機能するとともに鏡として効果的に機能することが可能となる。

実施の形態３．
次に、本実施の形態における有機ＥＬ表示装置の構成について、図５を用いて説明する。図５（ａ）は、実施の形態３に係る有機ＥＬ表示装置３の画素構成の一例を示す図である。図５（ｂ）は図５（ａ）のＣ−Ｃ断面図であり、図５（ｃ）は図５（ａ）のＤ−Ｄ断面図である。図５において、図１、図２と同じ構成部分については同一の符号を付し、説明を省略する。なお、図５（ａ）では、有機ＥＬ層１０８ａ、及び陰極１０４を省略して記載している。

本実施の形態では、実施の形態１、２と異なる画素構成を有している。図５において、画素１１２ａがマトリクス状に配列されている。画素１１２ａ内には、１つの発光画素１２２ａと１つの高反射領域１２３ａとが形成される。発光画素１２２ａと高反射領域１２３ａは矩形状の形状を有している。発光画素１２２ａと高反射領域１２３ａとを互いに対向する頂点に配置した矩形の領域が画素１１２ａである。実施の形態１、２と異なり画素１１２ａは絶縁層１０６ａにより画定されていない。また、画素１１２ａ内には、矩形状の非発光領域１３０、１３１が形成されている。発光画素１２２ａ、高反射領域１２３ａ、及び非発光領域１３０、１３１により画素１１２ａを形成している。

非発光領域１３０、１３１は、隣り合う発光画素１２２ａの間に配置される。また、非発光領域１３０、１３１は、隣り合う高反射領域１２３ａの間に配置される。陽極１０２上において、矩形状の発光画素１２２ａと非発光領域１３０が交互に配置される。そして、陽極１０２上において交互に配置された発光画素１２２ａと非発光領域１３０の間には、陰極隔壁１２１ａが配置される。一方、隣接する陽極１０２間の領域において、矩形状の高反射領域１２３ａと非発光領域１３１が交互に配置される。そして、隣接する陽極１０２間の領域において交互に配置された高反射領域１２３ａと非発光領域１３１の間には、陰極隔壁１２１ａが配置される。また、斜め方向（Ｘ方向とＹ方向の間の方向）に隣接する発光画素１２２ａの間には、高反射領域１２３ａが配置される。このように、矩形状の画素１１２ａにおいて、右上には、非発光領域１３１が配置され、左上には、発光画素１２２ａが配置され、右下には、高反射領域１２３ａが配置され、左下には非発光領域１３０が配置される。そして、非発光領域１３０、１３１、高反射領域１２３ａ、及び発光画素１２２ａを有する画素１１２ａがマトリクス状に配列されている。

素子基板１０１の上には、実施の形態１と同様に、複数の陽極１０２が一定間隔を隔てて平行に設けられている。本実施の形態では、陽極１０２の上に一定の間隔を隔てて矩形状の絶縁層１０６ａが形成される。発光画素１２２ａ、非発光領域１３１、高反射領域１２３ａでは絶縁層１０６ａが開口している。すなわち、絶縁層１０６ａは、非発光領域１３０にのみ形成されている。なお、実施の形態１で示したように格子状の絶縁層１０６ａがさらに形成されていてもよい。そして、絶縁層１０６ａの陽極１０２に対し垂直な外周端上を連なるように陰極隔壁１２１ａが形成されている。陰極隔壁１２１ａと陽極１０２とは直交している。そして、陰極隔壁１２１ａ間のうち、絶縁層１０６ａの設けられていない陰極隔壁１２１ａ間に、有機ＥＬ層１０８ａが埋設される。すなわち、有機ＥＬ層１０８ａは発光画素１２２ａ、非発光領域１３１上に設けられ、高反射領域１２３ａ、非発光領域１３０上には設けられていない。さらに、陰極１０４が全ての陰極隔壁１２１ａ間に形成されている。

発光画素１２２ａでは、素子基板１０１上に陽極１０２、有機ＥＬ層１０８ａ、陰極１０４が順次積層されており、有機ＥＬ素子１０９を構成している。一方、高反射領域１２３ａでは、素子基板１０１上に陰極１０４が直接設けられている。また、非発光領域１３０では、素子基板１０１上に陽極１０２、絶縁層１０６ａ、陰極１０４が順次積層されている。非発光領域１３１では、素子基板１０１上に有機ＥＬ層１０８ａ、陰極１０４が順次積層されている。

本実施の形態では、上述のような画素１１２ａが形成されている。このため、有機ＥＬ表示装置３の駆動電圧がオン状態のとき、発光画素１２２ａは発光し、画像表示を行う。従って、有機ＥＬ表示装置３は画像表示モードとなる。非発光領域１３０では、有機ＥＬ層１０８ａがないため発光しない。また、非発光領域１３１では、有機ＥＬ層１０８ａの下に陽極１０２が形成されていないため、有機ＥＬ層１０８ａに電流が供給されない。従って、高反射領域１２３ａ、及び非発光領域１３０、１３１は発光せずに、発光画素１２２ａのみが発光する。一方、有機ＥＬ表示装置３の駆動電圧がオフ状態のとき、発光画素１２２ａ、高反射領域１２３ａ、非発光領域１３０、１３１は外光を反射し、鏡面効果を生じさせる。従って、有機ＥＬ表示装置３は鏡面モードとなる。

鏡面モードにおいて、発光画素１２２ａでは、外光は素子基板１０１、陽極１０２、有機ＥＬ層１０８ａを通って陰極１０４で反射し、再び有機ＥＬ層１０８ａ、陽極１０２、素子基板１０１を通過して外部に出射する。ここで、発光画素１２２ａの反射光は、有機ＥＬ層１０８ａ、陽極１０２による吸収や干渉により、色味が変化する。さらに、発光画素１２２ａでは外光の反射率が低くなり、低反射光が出射される。

また、非発光領域１３０では、外光は素子基板１０１、陽極１０２、絶縁層１０６ａを通って陰極１０４で反射し、再び絶縁層１０６ａ、陽極１０２、素子基板１０１を通過して外部に出射する。ここで、非発光領域１３０の反射光は、絶縁層１０６ａ、陽極１０２による吸収や干渉により、色味が変化する。非発光領域１３０では外光の反射率が低くなり、低反射光が出射される。

さらに、非発光領域１３１では、外光は素子基板１０１、有機ＥＬ層１０８ａを通って、陰極１０４で反射し、再び陰極１０４、有機ＥＬ層１０８ａ、素子基板１０１を通過して外部に出射する。ここで、非発光領域１３１の反射光は、有機ＥＬ層１０８ａによる吸収や干渉により、色味が変化する。非発光領域１３１では外光の反射率が低くなり、低反射光が出射される。このように、発光画素１２２ａ、非発光領域１３０、１３１では１層以上の有機膜を介して外光が視認側に反射される。

一方、高反射領域１２３ａでは、外光は素子基板１０１を通って陰極１０４で反射し、再び素子基板１０１を通過して外部に出射する。ここで、高反射領域１２３ａの反射光は、有機ＥＬ層１０８ａ、絶縁層１０６ａ、陽極１０２による吸収や干渉がないため、色度変化がほとんどない。さらに、高反射領域１２３ａでは外光の反射率が高くなり高反射光が出射される。これらの低反射光と高反射光とが加法混色され、鏡面モードにおける反射光となる。したがって、鏡面モードにおける反射色の色度変化は減少し、また反射率が向上する。このように、高反射領域１２３ａでは有機膜を介さずに外光が視認側に反射される。

続いて、本実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置３の製造方法について説明する。本実施の形態では、図３に示す実施の形態１の製造方法とほぼ同様であり、異なる点について図３を用いて説明をする。

初めに、実施の形態１と同様に、陽極材料を成膜し（Ｓ１０１）、陽極を形成する（Ｓ１０２）。補助配線材料を成膜した後（Ｓ１０３）、Ｓ１０４において補助配線パターンを形成するが、本実施の形態はここでは同時に反射膜１２０を形成しない。次に、Ｓ１０５において、矩形状の絶縁層１０６ａを陽極１０２上に形成する。絶縁層１０６ａは非発光領域１３０に形成される。Ｓ１０６では、陰極隔壁１２１ａを形成する。その後、Ｓ１０７において、有機ＥＬ層１０８ａを形成する。本実施の形態では、陰極隔壁１２１ａ間のうち、絶縁層１０６ａの設けられた陰極隔壁１２１ａ間に、有機ＥＬ層１０８ａを埋設する。これにより、発光画素１２２ａ、非発光領域１３１上に有機ＥＬ層１０８ａが形成される。そして、実施の形態１と同様に、陰極１０４を形成する（Ｓ１０８）以降の工程については、図３に示す実施の形態１と同様である。このようにして、有機ＥＬ表示装置３が完成する（Ｓ１１２）。

以上のように、本実施の形態では、画素１１２ａ内に発光画素１２２ａと高反射領域１２３ａとが設けられている。また、画素１１２ａ内には、非発光領域１３０、１３１が設けられる。駆動電圧がオン状態のとき、有機ＥＬ表示装置３は、発光画素１２２ａが発光し画像表示を行う画像表示モードとして機能する。一方、駆動電圧がオフ状態のとき、有機ＥＬ表示装置３は、発光画素１２２ａ、高反射領域１２３ａ、及び非発光領域１３０、１３１は外光を反射し鏡面効果を生じさせる鏡面モードとして機能する。高反射領域１２３ａでは、陰極１０４が素子基板１０１上に直接設けられており、反射光は有機ＥＬ層１０８ａ、絶縁層１０６ａ、及び陽極１０２による吸収や干渉の影響を受けることがない。そのため、高反射領域１２３ａでは、反射光の色度変化がほとんどなく、高い反射率が得られる。これにより、有機ＥＬ表示装置３の鏡面モードにおける反射光の色度変化は小さくなり、反射率が向上する。したがって、有機ＥＬ表示装置３は、実施の形態１と同様、表示装置として機能するとともに鏡として効果的に機能することが可能となる。また、高反射領域１２３ａを形成する陰極１０４は、発光画素１２２ａの陰極１０４と同じ工程で形成することができ、工程数は増加しない。よって、生産性を向上することができる。

実施の形態４．
本実施の形態における有機ＥＬ表示装置の構成について、図６を用いて説明する。図６は、実施の形態４に係る有機ＥＬ表示装置４の画素構成の一例を示す断面図である。実施の形態１〜３では、本発明をボトムエミッション方式のパッシブマトリクス型有機ＥＬ表示装置に適応したが、本実施の形態では本発明をトップエミッション方式のアクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置に適応する。

本実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置４は、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）アレイ基板１４１を有している。ＴＦＴアレイ基板１４１はガラス等の絶縁基板である。絶縁基板の表示領域には、複数のゲート配線（不図示）と複数のソース配線（不図示）とが形成されている。複数のゲート配線は平行に設けられている。同様に、複数のソース配線は平行に設けられている。ゲート配線とソース配線とは、互いに交差するように形成されている。ゲート配線とソース配線とは直交している。隣接するゲート配線とソース配線とで囲まれた領域が画素１１２ｂとなる。したがって、ＴＦＴアレイ基板１では、画素１１２ｂがマトリクス状に配列される。

図６に示すように、画素１１２ｂ内には、ＴＦＴ１４２が形成される。ＴＦＴ１４２はソース配線とゲート配線の交差点付近に配置される。ＴＦＴ１４２、ソース配線、ゲート配線、蓄積容量等を覆うように、平坦化膜１４３が設けられている。平坦化膜１４３は、例えば、有機絶縁膜により形成される。

平坦化膜１４３の上には、平坦化膜１４３を貫通するコンタクトホールを介してＴＦＴ１４２と接続する陽極１４４が設けられている。本実施の形態では、陽極１４４は、光反射性を有するアルミニウムなどの導電性材料からなる。陽極１４４の上には、開口部を有する絶縁層１４５が形成されている。絶縁層１４５はまた、開口部以外の陽極１４４と他の導電体との絶縁性を確保する。

そして、有機ＥＬ層１４６が絶縁層１４５の上から開口部を覆うように形成されている。ここでは、有機ＥＬ層１４６は、赤、緑、青の有機ＥＬ層（１４６Ｒ、１４６Ｇ、１４６Ｂ）に塗り分けられている。さらに、陰極１４７が有機ＥＬ層１４６の上に形成される。本実施の形態では、陰極１４７は、半透明電極からなる。このように、画素１１２ｂ内には、陽極１４４、有機ＥＬ層１４６、陰極１４７が順次積層した発光画素１２２ｂが形成される。

また、平坦化膜１４３の上には、陽極１４４、絶縁層１４５が形成されない領域の一部に反射膜１４８が形成されている。すなわち、絶縁層１４５には、発光画素１２２ｂとなる開口部の間に、反射膜１４８が配置される開口部が設けられている。従って、発光画素１１２ｂの間に、開口部が形成されている。すなわち、発光画素１１２ｂの間において、有機ＥＬ層１４６が形成されている領域の外側に反射膜１４８が配置されている。反射膜１４８は、陽極１４４と同じ工程で形成してもよい。このように、画素１１２ｂ内には、反射膜１４８がＴＦＴアレイ基板１４１の最上層に設けられている高反射領域１２３ｂが形成される。従って、隣接する発光画素１２２ｂの間には、高反射領域１２３ｂが配置される。

本実施の形態では、上述のように画素１１２ｂが発光画素１２２ｂと高反射領域１２３ｂとを有する構成となっている。このため、有機ＥＬ表示装置４の駆動電圧がオン状態のとき、発光画素１２２ａは発光し、画像表示を行う。従って、有機ＥＬ表示装置４は画像表示モードとなる。一方、有機ＥＬ表示装置４の駆動電圧がオフ状態のとき、発光画素１２２ｂを含む陽極１４４の形成領域及び高反射領域１２３ｂは外光を反射し、鏡面効果を生じさせる。従って、有機ＥＬ表示装置４は鏡面モードとなる。

鏡面モードにおいて、発光画素１２２ｂを含む陽極１４４の形成領域の反射光は、絶縁層１４５、有機ＥＬ層１４６、陰極１４７による吸収や干渉により、色味が変化する。発光画素１２２ｂでは外光の反射率が低くなり、低反射光が出射される。また、高反射領域１２３ｂの反射光は、絶縁層１４５、有機ＥＬ層１４６、陰極１４７による吸収や干渉がないため、色度変化がほとんどない。高反射領域１２３ｂでは外光の反射率が高くなり、高反射光となる。この低反射光と高反射光とが加法混色され、鏡面モードにおける反射光となる。したがって、鏡面モードにおける反射色の色度変化は減少し、また反射率が向上する。

続いて、本実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置４の製造方法について説明する。まず初めに、ＴＦＴアレイ基板１４１を形成する。絶縁性を有する基板上に、ＴＦＴ１４２、ソース配線、ゲート配線、及び蓄積容量等を形成し、ＴＦＴアレイ基板１４１を作製する。次に、ＴＦＴアレイ基板１４１上に設けられたＴＦＴ１４２、配線、蓄積容量等を覆うように平坦化膜１４３を形成する。例えば有機絶縁膜により平坦化膜１４３を形成する。ＴＦＴ１４２上の平坦化膜１４３にコンタクトホールを開口し、ＴＦＴ１４２の表面を露出させる。

そして、コンタクトホールを介してＴＦＴ１４２と接続するように陽極１４４を形成する。光反射性を有するＡｌ等の導電性材料を用いて陽極１４４を形成する。ここでは、反射膜１４８を陽極１４４とともに形成することが好ましい。表示領域内において陽極１４４が形成されない領域に、反射膜１４８を配置する。このとき、反射膜１４８が陽極１４４と分離するように形成する。

続いて、陽極１４４の上に絶縁層１４５を形成する。絶縁層１４５は、陽極１４４上のうち一部の領域、すなわち発光画素１２２ｂとなる箇所が開口するように形成し、反射膜１４８上には設けない。そして、陽極１４４上の開口部に有機ＥＬ層１４６を形成し、さらにその上に陰極１４７を形成する。このようにして、有機ＥＬ表示装置４が完成する。

以上のように、本実施の形態では、画素１１２ｂ内に発光画素１２２ｂと高反射領域１２３ｂとが設けられている。駆動電圧がオン状態のとき、有機ＥＬ表示装置４は、発光画素１２２ｂが発光し画像表示を行う画像表示モードとして機能する。一方、駆動電圧がオフ状態のとき、有機ＥＬ表示装置４は、発光画素１２２ｂ、高反射領域１２３ｂは外光を反射し鏡面効果を生じさせる鏡面モードとして機能する。高反射領域１２３ｂでは、反射膜１４８が上層に設けられており、反射光は絶縁層１４５、有機ＥＬ層１４６、及び陰極１４７による吸収や干渉の影響を受けることがない。そのため、高反射領域１２３ｂでは、反射光の色度変化がほとんどなく、また高い反射率が得られる。これにより、有機ＥＬ表示装置４の鏡面モードにおける反射光の色度変化は小さくなり、反射率が向上する。したがって、有機ＥＬ表示装置４は、実施の形態１、２と同様、表示装置として機能するとともに鏡として効果的に機能することが可能となる。また、高反射領域１２３ｂを形成する反射膜１４８は、発光画素１２２ｂの陽極１４４と同じ工程で形成することができ、工程数は増加しない。

実施例１．
Ｘ方向２７５μｍ×Ｙ方向２７０μｍの画素１１２がマトリクス状に配列した有機ＥＬ表示装置１を作製した。陽極１０２に平行に設けられた絶縁層１０６の幅は２５μｍ、直交して設けられた絶縁層１０６の幅は３０μｍである。実施例１として、陽極１０２の幅が１３７．５μｍ、反射膜１２０の幅が１３７．５μｍとなるように作製し、高反射領域１２３を設けた。したがって、発光画素１２２の寸法はＸ方向１３７．５μｍ×Ｙ方向２７０μｍである。また、比較例１として、陽極１０２の幅が２７５μｍ、反射膜１２０の幅が０μｍとなるように作製し、高反射領域１２３を設けなかった。したがって、発光画素の寸法はＸ方向２７５μｍ×Ｙ方向２７０μｍである。

その後、鏡面モードにおける反射率、及び反射色を測定した。色度（０．３３４，０．３３４）を有する光源を用いて、５５０ｎｍにおける反射率、及び反射光の色度を測定した。また、光源と反射色との色差の計算を行った。このときの結果を、表１に示す。

表１に示すように、高反射領域１２３を設けることによって、反射率は８７．１％から９１．１％に向上した。また、反射色の色度変化（Δｘ，Δｙ）は、（０．００３，０．００９）から（０．００１，０．００４）に減少した。

実施例２．
Ｘ方向２７５μｍ×Ｙ方向２７０μｍの画素１１２がマトリクス状に配列した有機ＥＬ表示装置２を作製した。陽極１０２に平行に設けられた絶縁層１０６の幅は２５μｍ、直交して設けられた絶縁層１０６の幅は３０μｍである。実施例２として、陽極１０２の幅が１３７．５μｍ、反射膜１２０の幅が１３７．５μｍとなるように作製し、高反射領域１２３を設けた。したがって、発光画素１２２の寸法はＸ方向１３７．５μｍ×Ｙ方向２７０μｍである。また、比較例２として、陽極１０２の幅が２７５μｍ、反射膜１２０の幅が０μｍとなるように作製し、高反射領域１２３を設けなかった。したがって、発光画素の寸法はＸ方向２７５μｍ×Ｙ方向２７０μｍである。

その後、鏡面モードにおける反射率、及び反射色を測定した。色度（０．３３４，０．３３４）を有する光源を用いて、５５０ｎｍにおける反射率、及び反射光の色度を測定した。また、光源と反射色との色差の計算を行った。このときの結果を、表２に示す。

表２に示すように、高反射領域１２３を設けることによって、反射率は２６．６％から６０．８％に向上した。また、反射色の色度変化（Δｘ，Δｙ）は、（０．００３９，０．０３５）から（０．００７，０．００６）に減少した。

実施例３．
Ｘ方向３００μｍ×Ｙ方向２７０μｍの画素１１２ａがマトリクス状に配列した有機ＥＬ表示装置３を作製した。陰極隔壁１２１ａの幅は３０μｍとした。実施例３として、陽極１０２の幅が１５０μｍ、反射膜１２０の幅が１５０μｍとなるように作製し、高反射領域１２３ａを設けた。

その後、鏡面モードにおける反射率、及び反射色を測定した。色度（０．３３４，０．３３４）を有する光源を用いて、５５０ｎｍにおける反射率、及び反射光の色度を測定した。また、光源と反射色との色差の計算を行った。このときの結果を、表３に示す。

実施例４．
画素１１２ｂがマトリクス状に配列した有機ＥＬ表示装置４を作製した。実施例４として、高反射領域１２３ｂを設けた。

その後、鏡面モードにおける反射率、及び反射色を測定した。色度（０．３３４，０．３３４）を有する光源を用いて、５５０ｎｍにおける反射率、及び反射光の色度を測定した。また、光源と反射色との色差の計算を行った。このときの結果を、表４に示す。

なお、本実施の形態１〜４では、高反射領域を設けることによって発光画素の占有比率が減少するため、高輝度で長寿命の有機ＥＬ素子を組み合わせることが好ましい。これにより、画像表示モードにおいて輝度が向上し、画像表示を十分に視認することができる。また、発光領域と高反射領域の大きさ、形状については特に限定されるものではない。

実施の形態１〜２では、陽極１０２と反射膜１２０は隣接して形成される例について例示的に説明している。陰極隔壁１２１が形成されない側の陽極１０２と反射膜１２０とは重なって形成されても離れて形成されてもよい。特に消費電力の観点からは、重なり合わないことが好ましく、その場合、絶縁層を適切に組み合わせても良い。一方、画素数の多い大画面ディスプレイの場合は、陽極１０２の配線抵抗に起因する輝度低下や輝度傾斜を改善するため、重なっていることが好ましい。実施の形態３では、実施の形態２のようにカラーフィルタを追加して形成してもよい。また、実施の形態４では、赤、緑、青の有機ＥＬ層を塗り分けた例について例示的に説明をしたが、他の色の組み合わせ、あるいはモノカラーなど様々な有機ＥＬ表示装置に適用することができる。

以上の説明は、本発明を実施の形態を説明するものであり、本発明が以上の実施の形態に限定されるものではない。また、当業者であれば、以上の実施の形態の各要素を、本発明の範囲において、容易に変更、追加、変換することが可能である。

実施の形態１に係る有機ＥＬ表示装置の構成の一例を示す図である。 実施の形態１に係る有機ＥＬ表示装置の画素構成を示す図である。 実施の形態１に係る有機ＥＬ表示装置の製造工程を示すフローチャートである。 実施の形態２に係る有機ＥＬ表示装置の画素構成の一例を示す図である。 実施の形態３に係る有機ＥＬ表示装置の画素構成の一例を示す図である。 実施の形態４に係る有機ＥＬ表示装置の画素構成の一例を示す図である。

符号の説明

１、２、３、４ 有機ＥＬ表示装置、
１０１ 素子基板、
１０２ 陽極（透明電極）、１０３ 補助配線、
１０４ 陰極（対向電極）、１０５ 補助配線、
１０６、１０６ａ 絶縁層、１０７ ライン、
１０８、１０８ａ 有機ＥＬ層、１０９ 有機ＥＬ素子、
１１２、１１２ａ、１１２ｂ 画素、
１１３ ドライバＩＣ、１１４ 入力信号線、
１２０ 反射膜、１２１、１２１ａ 陰極隔壁、
１２２、１２２ａ、１２２ｂ 発光画素、
１２３、１２３ａ、１２３ｂ 高反射領域、
１２４、１２４Ｒ、１２４Ｇ、１２４Ｂ カラーフィルタ、
１３０、１３１ 非発光領域、
１４１ ＴＦＴアレイ基板、１４２ ＴＦＴ、
１４３ 平坦化膜、１４４ 陽極（透明電極）、１４５ 絶縁層、
１４６、１４６Ｒ、１４６Ｇ，１４６Ｂ 有機ＥＬ層、
１４７ 陰極（対向電極）、１４８ 反射膜

Claims (9)

1. 表示領域内に、発光画素が複数設けられている有機ＥＬ表示装置であって、
   基板上に設けられた透明電極と、
   前記透明電極の反視認側に設けられ、前記透明電極と対向する対向電極と、
   前記発光画素において、前記透明電極と前記対向電極との間に配置された有機ＥＬ層と、
   隣接する前記発光画素の間において、前記有機ＥＬ層の視認側、又は前記有機ＥＬ層が形成されている領域の外側に配置された反射膜と、を有する有機ＥＬ表示装置。
2. 前記透明電極と前記対向電極との間に配置され、前記発光画素において開口部を有する絶縁層をさらに備え、
   前記反射膜は、前記絶縁層よりも視認側、又は前記絶縁層の前記開口部内に配置され、前記表示領域内において外光を反射する請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
3. 前記発光画素において前記透明電極の視認側に配置されたカラーフィルタをさらに備え、
   前記反射膜が前記カラーフィルタの視認側、又は前記カラーフィルタが設けられている領域の外側に配置されている請求項１又は２に記載の有機ＥＬ表示装置。
4. 前記透明電極又は前記対向電極と接続された補助配線をさらに備え、
   前記補助配線と同じ層によって前記反射膜が形成されている請求項１乃至３のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置。
5. 前記反射膜は、前記対向電極と同じ層によって形成されている請求項１乃至３のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置。
6. 表示領域内に、発光画素が複数設けられている有機ＥＬ表示装置の製造方法であって、
   基板上に複数の透明電極を形成する工程と、
   前記表示領域内において、前記複数の透明電極の間に配置される反射膜を形成する工程と、
   前記発光画素となる箇所が開口した絶縁層を前記透明電極及び前記反射膜の上に形成する工程と、
   前記透明電極上の前記絶縁層が開口した箇所に有機ＥＬ層を形成する工程と、
   前記発光画素となる箇所に形成された前記有機ＥＬ層の上に対向電極を形成する工程と、を備える有機ＥＬ表示装置の製造方法。
7. 前記反射膜を形成する工程では、前記透明電極又は前記対向電極と接続する補助配線を形成する請求項６に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
8. 表示領域内に、発光画素が複数設けられている有機ＥＬ表示装置の製造方法であって、
   基板上に複数の透明電極を形成する工程と、
   前記発光画素となる箇所が開口した絶縁層を前記透明電極の上に形成する工程と、
   前記透明電極上の前記絶縁層が開口した箇所に有機ＥＬ層を形成する工程と、
   前記有機ＥＬ層が形成されている領域の外側であって、前記透明電極間の前記絶縁層が開口した箇所に配置される反射膜と、前記発光画素となる領域に形成された前記有機ＥＬ層の上に配置される対向電極と、を形成する工程と、を備える有機ＥＬ表示装置の製造方法。
9. 表示領域内に、発光画素が複数設けられている有機ＥＬ表示装置の製造方法であって、
   基板上に、反射膜、及び対向電極を形成する工程と、
   前記対向電極の上の前記発光画素となる箇所、及び前記反射膜上が開口した絶縁層を形成する工程と、
   前記反射膜上の前記絶縁層が開口した箇所の外側に設けられ、前記対向電極上の前記絶縁層が開口した箇所に配置される有機ＥＬ層を形成する工程と、
   前記有機ＥＬ層の上に、透明電極を形成する工程と、を備える有機ＥＬ表示装置の製造方法。

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