JP2008187459A - ラットレースハイブリッド - Google Patents
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Abstract
【課題】集中定数素子からなる直並列共振回路により回路を小形に構成し、且つ異なる2つの周波数帯域で動作するラットレースハイブリッドを得る。
【解決手段】第1〜第4の入出力端子1〜4と、第1〜第4の接続部5〜8と、第1〜第3の直列共振回路9〜11と、一端を接地した第1、第2の並列共振回路12、13と、第3の並列共振回路14とを設け、第1の接続部5に、第1の入出力端子1と、第1及び第2の直列共振回路9、10の一端と、第1の並列共振回路12の他端を接続し、第2の接続部6に、第2の入出力端子2と、第1の直列共振回路9の他端と、第3の並列共振回路14の一端を接続し、第3の接続部7に、第3の入出力端子3と、第3の並列共振回路14の他端と、第3の直列共振回路11の一端を接続し、第4の接続部8に、第4の入出力端子4と、第2及び第3の直列共振回路10、11の他端と、第2の並列共振回路13の他端を接続した。
【選択図】図1
【解決手段】第1〜第4の入出力端子1〜4と、第1〜第4の接続部5〜8と、第1〜第3の直列共振回路9〜11と、一端を接地した第1、第2の並列共振回路12、13と、第3の並列共振回路14とを設け、第1の接続部5に、第1の入出力端子1と、第1及び第2の直列共振回路9、10の一端と、第1の並列共振回路12の他端を接続し、第2の接続部6に、第2の入出力端子2と、第1の直列共振回路9の他端と、第3の並列共振回路14の一端を接続し、第3の接続部7に、第3の入出力端子3と、第3の並列共振回路14の他端と、第3の直列共振回路11の一端を接続し、第4の接続部8に、第4の入出力端子4と、第2及び第3の直列共振回路10、11の他端と、第2の並列共振回路13の他端を接続した。
【選択図】図1
Description
この発明は、マイクロ波帯やミリ波帯で使用されるラットレースハイブリッドに関するものである。
従来のラットレースハイブリッドは、4つの入出力端子と、伝送線路により構成される。これにより、第1の周波数帯と第2の周波数帯において、ラットレースハイブリッドとして動作させている(例えば、非特許文献1参照)。
K.−K.M. Cheng and F.−L. Wong"A Novel Rat Race Coupler Design for Dual−Band Applications,"IEEE Microw. Wireless Compon. Lett.,vol.15,no.8,pp.521−523,Aug. 2005.
従来のラットレースハイブリッドは、伝送線路を用いているため、特に低周波数帯の使用において、回路面積が大きくなってしまうという問題点があった。
この発明は、上述のような課題を解決するためになされたもので、その目的は、キャパシタンスやインダクタンスといった集中定数素子からなる直並列共振回路により回路を小形に構成し、且つ異なる2つの周波数帯域において動作するラットレースハイブリッドを得るものである。
この発明に係るラットレースハイブリッドは、第1、第2、第3及び第4の入出力端子と、第1、第2、第3及び第4の接続部と、集中定数素子からなる第1、第2及び第3の直列共振回路と、集中定数素子からなり、一端を接地した第1及び第2の並列共振回路と、集中定数素子からなる第3の並列共振回路とを設け、前記第1の接続部に、前記第1の入出力端子と、前記第1及び第2の直列共振回路の一端と、前記第1の並列共振回路の他端を接続し、前記第2の接続部に、前記第2の入出力端子と、前記第1の直列共振回路の他端と、前記第3の並列共振回路の一端を接続し、前記第3の接続部に、前記第3の入出力端子と、前記第3の並列共振回路の他端と、前記第3の直列共振回路の一端を接続し、かつ前記第4の接続部に、前記第4の入出力端子と、前記第2及び第3の直列共振回路の他端と、前記第2の並列共振回路の他端を接続したものである。
この発明に係るラットレースハイブリッドは、キャパシタンスやインダクタンスといった集中定数素子からなる直並列共振回路により回路を小形に構成し、且つ異なる2つの周波数帯域において動作するという効果を奏する。
実施の形態1.
この発明の実施の形態1に係るラットレースハイブリッドについて図1から図3までを参照しながら説明する。図1は、この発明の実施の形態1に係るラットレースハイブリッドの構成を示す回路図である。なお、以降では、各図中、同一符号は同一又は相当部分を示す。
この発明の実施の形態1に係るラットレースハイブリッドについて図1から図3までを参照しながら説明する。図1は、この発明の実施の形態1に係るラットレースハイブリッドの構成を示す回路図である。なお、以降では、各図中、同一符号は同一又は相当部分を示す。
図1において、この実施の形態1に係るラットレースハイブリッドは、第1〜第4の入出力端子1〜4と、第1〜第4の接続部5〜8と、第1〜第3の直列共振回路9〜11と、一端を接地した第1及び第2の並列共振回路12、13と、第3の並列共振回路14とが設けられている。
また、図1において、第1〜第3の直列共振回路9、10、11は、キャパシタンスC1とインダクタンスL1によって構成され、一端を接地した第1及び第2の並列共振回路12、13は、キャパシタンスC2とインダクタンスL2によって構成され、第3の並列共振回路14は、キャパシタンスC3とインダクタンスL3によって構成される。
図1に示すラットレースハイブリッドは、第1の接続部5に、第1の入出力端子1と、第1及び第2の直列共振回路9、10の一端と、第1の並列共振回路12のもう一端(他端)を接続し、第2の接続部6に、第2の入出力端子2と、第1の直列共振回路9のもう一端(他端)と、第3の並列共振回路14の一端を接続し、第3の接続部7に、第3の入出力端子3と、第3の並列共振回路14のもう一端(他端)と、第3の直列共振回路11の一端を接続し、第4の接続部8に、第4の入出力端子4と、第2及び第3の直列共振回路10、11のもう一端(他端)と、第2の並列共振回路13のもう一端(他端)を接続して構成される。
また、第1〜第4の入出力端子1、2、3、4には、それぞれ負荷抵抗Rが接続されている。
つぎに、この実施の形態1に係るラットレースハイブリッドの動作について図面を参照しながら説明する。図2及び図3は、この発明の実施の形態1に係るラットレースハイブリッドにおける伝送特性(Sパラメータの周波数特性)の一例を示す図である。
ラットレースハイブリッドを動作させる異なる第1の周波数帯と第2の周波数帯のそれぞれの中心周波数をf1、f2とする。
中心周波数f1、f2でラットレースハイブリッドとして動作させるために、第1〜第3の直列共振回路9、10、11を構成するキャパシタンスC1、インダクタンスL1、第1及び第2の並列共振回路12、13を構成するキャパシタンスC2、インダクタンスL2、第3の並列共振回路14を構成するキャパシタンスC3、インダクタンスL3を、次の数式群(1)により与える。
数式群(1)から、第1〜第3の直列共振回路9、10、11、並びに第1〜第3の並列共振回路12、13、14の共振周波数は、中心周波数f1、f2の相乗平均値で与えられる。
ここでは、説明の便宜上、第1〜第4の入出力端子1、2、3、4に接続された負荷抵抗Rの値を50Ωとし、また、第1の周波数帯の中心周波数f1を1GHz、第2の周波数帯の中心周波数f2を2GHzに選択する。数式群(1)にしたがってラットレースハイブリッドを構成するキャパシタンスおよびインダクタンスの値を求めると、C1=1.125pF、L1=11.254nH、C2=4.502pF、L2=2.813nH、C3=2.251pF、L3=5.627nHとなる。
このようにして与えたラットレースハイブリッドのSパラメータの周波数特性(計算値)を図2及び図3に示す。
図2では、説明の便宜上、第1の入出力端子1から高周波信号を入力した場合の伝送特性を示す。図2(a)〜(d)において、横軸は周波数を表し、縦軸は、(a)では、第1の入出力端子1で反射される高周波信号の大きさ、すなわち反射振幅|S11|、(b)では、第1の入出力端子1から第3の入出力端子3へ伝送される高周波信号の大きさ、すなわちアイソレーション|S31|、(c)では、第1の入出力端子1から第2、第4の入出力端子2、4へ分配される高周波信号の大きさ、すなわち分配振幅|S21|、|S41|、(d)では、第1の入出力端子1から第2、第4の入出力端子2、4へ分配される高周波信号の位相差、すなわち分配位相差∠(S21/S41)を、それぞれ表す。
図2に示すSパラメータの周波数特性から、第1及び第2の周波数帯の中心周波数f1、f2において、低反射振幅、高アイソレーション、等分配振幅、且つ0度位相差特性が確保されている様子がわかる。そのため、第1の入出力端子1から第1の周波数帯および第2の周波数帯の両高周波信号を入力した場合、第1の入出力端子1でほとんど反射せずにラットレースハイブリッドに入力され、第3の入出力端子3へほとんど伝送されずに、第2、第4の入出力端子2、4へ0度の位相差で等分配される。
このような伝送特性は、第4の入出力端子4から高周波信号を入力した場合でも、本実施の形態1に係るラットレースハイブリッドの構成上の対称性から同様である。
また、図3では、説明の便宜上、第2の入出力端子2から高周波信号を入力した場合の伝送特性を示す。図3(a)〜(d)において、横軸は周波数を表し、縦軸は、(a)では、第2の入出力端子2で反射される高周波信号の大きさ、すなわち反射振幅|S22|、(b)では、第2の入出力端子2から第4の入出力端子4へ伝送される高周波信号の大きさ、すなわちアイソレーション|S42|、(c)では、第2の入出力端子2から第1、第3の入出力端子1、3へ分配される高周波信号の大きさ、すなわち分配振幅|S12|、|S32|、(d)では、第2の入出力端子2から第1、第3の入出力端子1、3へ分配される高周波信号の位相差、すなわち分配位相差∠(S32/S12)を、それぞれ表す。
図3に示すSパラメータの周波数特性から、第1及び第2の周波数帯の中心周波数f1、f2において、低反射振幅、高アイソレーション、等分配振幅、且つ180度位相差特性が確保されている様子がわかる。そのため、第2の入出力端子2から第1の周波数帯および第2の周波数帯の両高周波信号を入力した場合、第2の入出力端子2でほとんど反射せずにラットレースハイブリッドに入力され、第4の入出力端子4へほとんど伝送されずに、第1、第3の入出力端子1、3へ180度の位相差で等分配される。
このような伝送特性は、第3の入出力端子3から高周波信号を入力した場合でも、本実施の形態1に係るラットレースハイブリッドの構成上の対称性から同様である。
以上の説明から、第1の周波数帯と第2の周波数帯において、ラットレースハイブリッドとして動作することがわかる。
このようなラットレースハイブリッドは、例えばキャパシタンスおよびインダクタンスをチップ部品により実現し、これらチップ部品を誘電体基板上にそれぞれ配置して、チップ部品間を誘電体基板上に形成したストリップ導体パターンで接続することにより、小形に構成できる。
以上で明らかなように、この実施の形態1によれば、キャパシタンスとインダクタンスといった集中定数素子からなる直並列共振回路により回路を構成したので回路を小形に構成でき、且つ異なる2つの周波数帯域において動作するラットレースハイブリッドが得られる効果を奏する。
実施の形態2.
この発明の実施の形態2に係るラットレースハイブリッドについて図4から図6までを参照しながら説明する。図4は、この発明の実施の形態2に係るラットレースハイブリッドの構成を示す回路図である。
この発明の実施の形態2に係るラットレースハイブリッドについて図4から図6までを参照しながら説明する。図4は、この発明の実施の形態2に係るラットレースハイブリッドの構成を示す回路図である。
図4において、この実施の形態2に係るラットレースハイブリッドは、第1〜第4の入出力端子1〜4と、第1〜第4の接続部5〜8と、第1〜第3の並列共振回路21〜23と、一端を接地した第1及び第2の直列共振回路24、25と、第3の直列共振回路26とが設けられている。
また、図4において、第1〜第3の並列共振回路21、22、23は、キャパシタンスC1とインダクタンスL1によって構成され、一端を接地した第1及び第2の直列共振回路24、25は、キャパシタンスC2とインダクタンスL2によって構成され、第3の直列共振回路26は、キャパシタンスC3とインダクタンスL3によって構成される。
図4に示すラットレースハイブリッドは、第1の接続部5に、第1の入出力端子1と、第1及び第2の並列共振回路21、22の一端と、第1の直列共振回路24のもう一端(他端)を接続し、第2の接続部6に、第2の入出力端子2と、第1の並列共振回路21のもう一端(他端)と、第3の直列共振回路26の一端を接続し、第3の接続部7に、第3の入出力端子3と、第3の直列共振回路26のもう一端(他端)と、第3の並列共振回路23の一端を接続し、第4の接続部8に、第4の入出力端子4と、第2及び第3の並列共振回路22、23のもう一端(他端)と、第2の直列共振回路25のもう一端(他端)を接続して構成される。
また、第1〜第4の入出力端子1、2、3、4には、それぞれ負荷抵抗Rが接続されている。
つぎに、この実施の形態2に係るラットレースハイブリッドの動作について図面を参照しながら説明する。図5及び図6は、この発明の実施の形態2に係るラットレースハイブリッドにおける伝送特性(Sパラメータの周波数特性)の一例を示す図である。
ラットレースハイブリッドを動作させる異なる第1の周波数帯と第2の周波数帯のそれぞれの中心周波数をf1、f2とする。
中心周波数f1、f2でラットレースハイブリッドとして動作させるために、第1〜第3の並列共振回路21、22、23を構成するキャパシタンスC1、インダクタンスL1、第1及び第2の直列共振回路24、25を構成するキャパシタンスC2、インダクタンスL2、第3の直列共振回路26を構成するキャパシタンスC3、インダクタンスL3を、次の数式群(2)により与える。
数式群(2)から、第1〜第3の並列共振回路21、22、23、並びに第1〜第3の直列共振回路24、25、26の共振周波数は、中心周波数f1、f2の相乗平均値で与えられる。
ここでは、説明の便宜上、第1〜第4の入出力端子1、2、3、4に接続された負荷抵抗Rの値を50Ωとし、また、第1の周波数帯の中心周波数f1を1GHz、第2の周波数帯の中心周波数f2を2GHzに選択する。数式群(2)にしたがってラットレースハイブリッドを構成するキャパシタンスおよびインダクタンスの値を求めると、C1=2.251pF、L1=5.627nH、C2=2.251pF、L2=5.627nH、C3=1.125pF、L3=11.254nHとなる。
このようにして与えたラットレースハイブリッドのSパラメータの周波数特性(計算値)を図5及び図6に示す。
図5では、説明の便宜上、第1の入出力端子1から高周波信号を入力した場合の伝送特性を示す。図5(a)〜(d)において、横軸は周波数を表し、縦軸は、(a)では、第1の入出力端子1で反射される高周波信号の大きさ、すなわち反射振幅|S11|、(b)では、第1の入出力端子1から第3の入出力端子3へ伝送される高周波信号の大きさ、すなわちアイソレーション|S31|、(c)では、第1の入出力端子1から第2、第4の入出力端子2、4へ分配される高周波信号の大きさ、すなわち分配振幅|S21|、|S41|、(d)では、第1の入出力端子1から第2、第4の入出力端子2、4へ分配される高周波信号の位相差、すなわち分配位相差∠(S21/S41)を、それぞれ表す。
図5に示すSパラメータの周波数特性から、第1および第2の周波数帯の中心周波数f1、f2において、低反射振幅、高アイソレーション、等分配振幅、且つ0度位相差特性が確保されている様子がわかる。そのため、第1の入出力端子1から第1の周波数帯および第2の周波数帯の両高周波信号を入力した場合、第1の入出力端子1でほとんど反射せずにラットレースハイブリッドに入力され、第3の入出力端子3へほとんど伝送されずに、第2、第4の入出力端子2、4へ0度の位相差で等分配される。
このような伝送特性は、第4の入出力端子4から高周波信号を入力した場合でも、本実施の形態2に係るラットレースハイブリッドの構成上の対称性から同様である。
また、図6では、説明の便宜上、第2の入出力端子2から高周波信号を入力した場合の伝送特性を示す。図6(a)〜(d)において、横軸は周波数を表し、縦軸は、(a)では、第2の入出力端子2で反射される高周波信号の大きさ、すなわち反射振幅|S22|、(b)では、第2の入出力端子2から第4の入出力端子4へ伝送される高周波信号の大きさ、すなわちアイソレーション|S42|、(c)では、第2の入出力端子2から第1、第3の入出力端子1、3へ分配される高周波信号の大きさ、すなわち分配振幅|S12|、|S32|、(d)では、第2の入出力端子2から第1、第3の入出力端子1、3へ分配される高周波信号の位相差、すなわち分配位相差∠(S32/S12)を、それぞれ表す。
図6に示すSパラメータの周波数特性から、第1および第2の周波数帯の中心周波数f1、f2において、低反射振幅、高アイソレーション、等分配振幅、且つ180度位相差特性が確保されている様子がわかる。そのため、第2の入出力端子2から第1の周波数帯および第2の周波数帯の両高周波信号を入力した場合、第2の入出力端子2でほとんど反射せずにラットレースハイブリッドに入力され、第4の入出力端子4へほとんど伝送されずに、第1、第3の入出力端子1、3へ180度の位相差で等分配される。
このような伝送特性は、第3の入出力端子3から高周波信号を入力した場合でも、本実施の形態2に係るラットレースハイブリッドの構成上の対称性から同様である。
以上の説明から、第1の周波数帯と第2の周波数帯において、ラットレースハイブリッドとして動作することがわかる。
このようなラットレースハイブリッドは、例えばキャパシタンスおよびインダクタンスをチップ部品により実現し、これらチップ部品を誘電体基板上にそれぞれ配置して、チップ部品間を誘電体基板上に形成したストリップ導体パターンで接続することにより、小形に構成できる。
以上で明らかなように、この実施の形態2によれば、キャパシタンスとインダクタンスといった集中定数素子からなる直並列共振回路により回路を構成したので回路を小形に構成でき、且つ異なる2つの周波数帯域において動作するラットレースハイブリッドが得られる効果を奏する。
1 入出力端子、2 入出力端子、3 入出力端子、4 入出力端子、5 接続部、6 接続部、7 接続部、8 接続部、9 直列共振回路、10 直列共振回路、11 直列共振回路、12 並列共振回路、13 並列共振回路、14 並列共振回路、21 並列共振回路、22 並列共振回路、23 並列共振回路、24 直列共振回路、25 直列共振回路、26 直列共振回路。
Claims (5)
- 第1、第2、第3及び第4の入出力端子と、
第1、第2、第3及び第4の接続部と、
集中定数素子からなる第1、第2及び第3の直列共振回路と、
集中定数素子からなり、一端を接地した第1及び第2の並列共振回路と、
集中定数素子からなる第3の並列共振回路とを備え、
前記第1の接続部に、前記第1の入出力端子と、前記第1及び第2の直列共振回路の一端と、前記第1の並列共振回路の他端を接続し、
前記第2の接続部に、前記第2の入出力端子と、前記第1の直列共振回路の他端と、前記第3の並列共振回路の一端を接続し、
前記第3の接続部に、前記第3の入出力端子と、前記第3の並列共振回路の他端と、前記第3の直列共振回路の一端を接続し、かつ
前記第4の接続部に、前記第4の入出力端子と、前記第2及び第3の直列共振回路の他端と、前記第2の並列共振回路の他端を接続した
ことを特徴とするラットレースハイブリッド。 - 第1、第2、第3及び第4の入出力端子と、
第1、第2、第3及び第4の接続部と、
集中定数素子からなる第1、第2及び第3の並列共振回路と、
集中定数素子からなり、一端を接地した第1及び第2の直列共振回路と、
集中定数素子からなる第3の直列共振回路とを備え、
前記第1の接続部に、前記第1の入出力端子と、前記第1及び第2の並列共振回路の一端と、前記第1の直列共振回路の他端を接続し、
前記第2の接続部に、前記第2の入出力端子と、前記第1の並列共振回路の他端と、前
記第3の直列共振回路の一端を接続し、
前記第3の接続部に、前記第3の入出力端子と、前記第3の直列共振回路の他端と、前記第3の並列共振回路の一端を接続し、かつ
前記第4の接続部に、前記第4の入出力端子と、前記第2及び第3の並列共振回路の他端と、前記第2の直列共振回路の他端を接続した
ことを特徴とするラットレースハイブリッド。 - 前記第1、第2及び第3の直列共振回路、並びに前記第1、第2及び第3の並列共振回路の共振周波数は、所望の第1及び第2の周波数帯のそれぞれの中心周波数の相乗平均値で与えられる
ことを特徴とする請求項1又は2記載のラットレースハイブリッド。 - 前記第1、第2及び第3の直列共振回路、並びに前記第1、第2及び第3の並列共振回路は、キャパシタンスとインダクタンスにより形成した
ことを特徴とする請求項1、2又は3記載のラットレースハイブリッド。 - 誘電体基板と、
前記誘電体基板の表面に形成された導体パターンと、
前記誘電体基板の裏面に形成された接地導体とを備え、
前記誘電体基板の表面に、第1、第2、第3及び第4の入出力端子と、複数のキャパシタンスと、複数のインダクタンスとを配置し、
前記第1、第2、第3及び第4の入出力端子と、前記複数のキャパシタンスと、前記複数のインダクタンスとの間を、前記導体パターン及び前記接地導体により接続した
ことを特徴とする請求項1から請求項4までのいずれかに記載のラットレースハイブリッド。
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Cited By (1)
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