JP2008182198A - リソグラフィデバイス製造方法、リソグラフィセル、およびコンピュータプログラム - Google Patents

Abstract

【課題】第１のパターニングの後の、および第２のパターニングの前のエッチングプロセスの悪影響が緩和される、密ラインを印刷するためのダブルパターニングプロセスを実現する。
【解決手段】第１の処理では、ラインの第１の半密パターンが、下層反射防止コーティングを施された基板の上に重なる第１のレジスト層内に印刷される。第２の処理では、ラインの第２の半密パターンが、クリアされた領域上に設けられた第２のレジスト層内に印刷される。第１および第２の半密ラインパターンは、交互位置に配置され、ラインアンドスペースの所望の密パターンをもたらす。第１のレジストを現像した後、第２のレジストを基板に設ける前に、下層反射防止コーティングの表面調整が、第１のレジスト材料のライン間のクリアされた領域に対し行われる。表面調整ステップは、クリアされた領域の表面への第２のレジストのフィーチャの接着を改善する。
【選択図】図４

Description

本発明は、概して、半導体基板を露光するためのリソグラフィならびに関連する方法および装置に関する。

リソグラフィ露光装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）の製造で使用することができる。このような場合、パターニングデバイスは、ＩＣの個々の層に対応する回路パターンを生成することができる。フォトリソグラフィでは、放射ビームにパターニングデバイスを横断させることにより、放射ビームのパターンが形成され、放射ビームは、リソグラフィ装置の投影システムにより、光活性レジスト（つまり、フォトレジスト）材料の層でコートされた基板（シリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば、１つまたは複数のダイを含む）に投影され、例えば、レジスト内に所望のパターンを結像する。一般に、単一の基板は、投影システムを介して一度に１つずつ連続的に照射される隣接ターゲット部分のネットワーク全体を含む。

半導体産業では、ＩＣの層内により小さなフィーチャを持つより小さな半導体デバイスに対する絶えることのない需要が、基板上にゲートおよび接点などの密配列されたフィーチャのパターンを印刷するタスクの推進役となっている。特に、密のラインアンドスペースからなるパターンを印刷することに対するニーズがある。このようなパターンを印刷するには、少なくとも２つのリソグラフィ処理ステップを必要とする。第１の処理ステップでは、パターンをパターニングデバイス（例えば、マスクパターンを備えるマスクまたはレチクル）から基板に覆い被さるレジスト層に転写する光学結像およびレジスト露光を必要とする。第２の処理ステップでは、露光されたレジスト層にレジスト現像を施す必要があり、そこでは、それぞれポジティブトーンまたはネガティブトーンのレジストの露光済みまたは未露光のレジスト部分が溶解され、後に基板から突出するレジストフィーチャを残す。例えば、密のラインアンドスペースは、ポジティブトーンレジストを使用して印刷することができ、したがって、未露光のポジティブトーンレジスト材料からなるラインが得られる。

一般に、基板表面における露光放射の反射の悪影響は、レジスト層を施す前に基板に下層反射防止コーティング(bottom anti-reflection coating)を施すことにより緩和される。このような下層反射防止コーティングは、これ以降、ＢＡＲＣと呼ばれる。

最良の分解能で印刷された密のラインアンドスペースのパターンにおいて、複数のラインのライン幅ＣＤ（クリティカルディメンション）は、スペースのスペース幅に実質的に等しく、ライン幅は、ラインをパターン内に配置するピッチの半分である。

ラインを印刷できる最大密度は、リソグラフィ装置特性とともに印刷プロセス特性により決定される。装置特性は、装置のイメージングシステム（例えば、光学投影システム）の特性を含む。プロセス特性は、露光および現像プロセスならびにレジストの特性を含む。

通常、上述の特性と最大印刷可能密度で配列されたラインまたはスペースの最小幅ＣＤとの間の関係は、ＣＤ＝ｋ_１（λ／ＮＡ）と書かれる。ここで、ＮＡは、投影システムの開口数を表し、λは、露光放射の波長を表し、ｋ_１は、ＮＡおよびλ以外の特性のどれかの効果を表す係数である。

上記の関係は、従来の単一露光リソグラフィ印刷プロセスを指している。そのようなプロセスでは、限界ｋ_１＝０．２５は密ライン構造を印刷するうえで基本的な物理的光学的限界であるため、ｋ_１＜０．２５となるように印刷を配列することは可能でない。

波長を縮小し、開口数を大きくするほかに、多数のいわゆる解像度向上技術（Resolution Enhancement Technology ＲＥＴ）が、ｋ_１に対するできる限り小さい値を得るために使用されているか、または開発中であり、ＲＥＴの実施例としては、マスクパターンアシストフィーチャの使用、最適なマスク照射スキームおよび関係するマスクパターンレイアウトを識別するためのソースマスク最適化計算の使用、ハーフトーン型(attenuated)位相シフトマスク（Phase shifting Mask ＰＳＭ）およびレベンソン型(alternating)もしくはクロムレスＰＳＭなどのさまざまな種類のマスクの使用が挙げられる。

密ラインスペースパターンの最大密度をさらに高めるために、ｋ_１＜０．２５のラインを印刷することを可能にするダブルパターニング技術が提案され、開発されている。例えば、密のラインアンドスペースを印刷するためのデュアルトレンチダブルパターニングプロセスでは、スペースの第１および第２のパターンは、ターゲット層内で交互位置にエッチングされる。ターゲット層は、例えば、ターゲット層の下にある層のエッチングに使用される犠牲エッチングマスクとすることができる。このようなダブルパターニング技術では、単一露光プロセスにおいて、所定の開口数ＮＡおよび波長λに関して、スペースが２ｋ_１（λ／ＮＡ）を超えるピッチで配列されたときに値ＣＤよりも低い幅ＣＤ_ｄｐでスペースの半密パターンを印刷できる可能性を利用する。したがって、このようなパターンは、ラインアンドスペースの幅が等しいという意味で密パターンではない。代わりに、ラインの幅は、例えば、スペースの幅ＣＤ_ｄｐの３倍の係数である。そのようなライン形状のスペースの半密パターンまたはトレンチの半密パターンを印刷するために、ＣＤ_ｄｐ＜ＣＤとして、一般にポジティブトーンレジストが使用される。

密ラインを印刷するためのデュアルトレンチダブルパターニングプロセスは、以下の３つの処理で特徴付けられる。第１のステップでは、スペースの第１の半密パターンがレジスト内に印刷される。レジストの現像後、残りのレジストマスクは、第２の処理のエッチングマスクとして使用される。第２の処理では、スペースは、異方性エッチングプロセスを基板に施すことによりターゲット層に転写され、次いでレジストマスクが剥離される。一般に、反応性イオンエッチング法が使用される（ＲＩＥプロセス）。第３の処理では、ターゲット層は、再び、レジストでコーティングされ、スペースの第２の半密パターンは、レジスト内に印刷される。第２の印刷は、第２のパターンのスペースがターゲット層内にエッチングされたスペースに関して交互に配置されるように配列される。交互配置の結果、ここでもまたＲＩＥプロセスを使用するターゲット層の後続のエッチングで、基板の表面から突出するターゲット層材料のラインが生じる。それぞれスペース幅ＣＤ_ｄｐとピッチ４ＣＤ_ｄｐにより特徴付けられる、半密スペースの２つのパターンを交互に配置することにより、結果として得られるラインは、スペース幅ＣＤ_ｄｐに等しい幅を持ち、密ラインパターンが得られる。

上述のようなデュアルトレンチダブルパターニングプロセスに関連する問題として、第１と第２の印刷処理の間のターゲット層のＲＩＥ処理のせいで、基板にパターンを形成する速度が低下するという点と、従来のリソグラフィ装置または従来のトラック装置（リソグラフィ装置に接続される）はＲＩＥ処理手段を備えていないという点が挙げられる。トラック装置は、リソグラフィ装置からの、またリソグラフィ装置への基板を取り扱い、例えばレジストコーティング、レジスト現像、および露光前ベークおよび露光後ベークなどの他の標準露光前および露光後レジストプロセスなどの複数のレジスト処理ステップを実行するように配列される。

例えば、第１のパターニングの後の、および第２のパターニングの前のエッチングプロセスの悪影響が緩和されるダブルパターニング法を実現することが望ましい。

本発明の一態様によれば、基板の表面を部分的に少なくとも覆う第１の放射感応性材料の層を、表面から突出し、表面の覆われていない部分により分離された第１および第２のフィーチャセグメントを含むパターンで、感応性パターニングすること、第２の放射感応性材料の層を表面の覆われていない部分に設けること、第２の放射感応性材料の層を、第１および第２のフィーチャセグメントに関して交互位置で配置され、表面の覆われていない部分から突出し、第１および第２のフィーチャセグメントと組み合わせて所望のパターンの一部を与える第３のフィーチャセグメントを含むパターンで、パターニングすることを含み、さらに、第２の放射感応性材料の層を設ける前、第１の放射感応性材料の層をパターニングした後に、表面の覆われていない部分に表面調整プロセスを施して、表面への第３のフィーチャセグメントの接着力を高めることを含むリソグラフィデバイス製造方法が実現される。

本発明の一態様によれば、リソグラフィ装置、複数のプロセス装置、およびリソグラフィ装置とプロセス装置の両方を制御するための制御ユニットを備え、複数のプロセス装置は、基板の表面の覆われていない部分への接着を高めるように配列され、第１の放射感応性材料の第１および第２のフィーチャセグメント、第２の放射感応性材料の第３のフィーチャセグメントの間に配置された表面調整装置を備える、リソグラフィセルが実現される。

本発明の一態様によれば、コンピュータ読取可能媒体上に記録されている命令を含み、命令はリソグラフィセルを制御してデバイス製造方法を実行するように適合される、コンピュータプログラムが実現され、方法は、次述の順序で、第１の放射感応性材料の層を基板の表面に設け、表面から突出し、表面の覆われていない部分により分離された第１および第２のフィーチャセグメントを含むパターンで、層をパターニングし、表面の覆われていない部分に表面調整プロセスを施して、表面への第２の放射感受性材料の第３のフィーチャセグメントの接着力を高め、第２の放射感応性材料の層を表面の覆われていない部分に施し、第１および第２のフィーチャセグメントに関して交互位置で配置され、表面の覆われていない部分から突出している第３のフィーチャセグメントを含むパターンで第２の放射感応性材料の層をパターニングし、第１、第２、および第３のフィーチャセグメントが組み合わせで所望のパターンの部分を与えることを含む。

本発明のいくつかの実施形態は、実施例を使ってのみ、対応する参照記号が対応する部分を示す付属の概略図面を参照しつつ説明される。

実施形態１
本発明の一実施形態によれば、図１に例示されているように、最上層１１４の表面１１２から突出しているレジスト材料のラインの密ラインスペースパターン１００が設けられる。最上層１１４は、リソグラフィ基板Ｗに少なくとも部分的に重なる下層反射防止コーティング（ＢＡＲＣ）とすることができる。２つの隣接するライン１１０および１１１のレジストは、基板上の２つのそれぞれの分離したレジスト堆積から得られるものである。第１および第２のレジスト堆積は、それぞれの第１および第２のレジスト材料を基板Ｗに施してリソグラフィ処理することを含む。第１および第２のレジスト材料はそれぞれ、例えばポジティブトーンレジストまたはネガティブトーンレジストなどの放射感応性材料とできる。第１および第２のレジスト材料は、反対トーンのレジストとすることができる。ライン１１０は、１つまたは複数のレジスト材料フィーチャの単なるフィーチャセグメントであってよい。同様に、ライン１１１は、そのようなセグメントとすることができる。一実施形態では、基板は、シリコンウェーハであり、これは、本発明のダブルパターニングプロセスを施す前に１つまたは複数のＩＣ層を設けるようにリソグラフィ処理しておくことができる。基板は、さらに、ＢＡＲＣ層１１４の下にターゲット層ＴＬを設けられ、これは本発明の方法により所望のパターンでパターンを形成されるべきである。ライン１１０および１１１は、所望のパターンの一部にすぎなくてもよい。ターゲット層ＴＬは、リソグラフィ処理で使用されるＩＣ層または他の種類の層としてよい。ＢＡＲＣの代わりに、最上層１１４は、例えば、無機下層反射防止コーティング、または基板上に配置されたハードマスクとすることができる。ハードマスクは、例えば、酸化物層またはＳｉＯＮまたはＳｉＮまたはＴｉＮなどの窒化物の層とすることができる。

図２は、本発明のダブルパターニング法の一部である処理ステップ２００の流れを示している。第１のレジストを基板Ｗに設けた後（図２、ステップ２１０）、第１の半密ラインパターンが、第１のレジスト層内に印刷される（図２、ステップ２２０）。印刷は、第１の現像液が与えられてスペースの第１セットを形成する現像ステップを含む。従来の水酸化物現像プロセスを、第１のレジストを現像するために使用することができる。例えば、本発明では、水酸化テトラメチルアンモニウム溶液が使用され、この種の現像液は、通常、ＴＭＡＨ現像液と呼ばれる。

図３Ａには、第１の２つのステップ２１０および２２０の結果が例示されている。ＢＡＲＣ表面から突出している結果として得られるライン３１０の第１セットのライン幅は、ＣＤ_ｄｐであり、ライン間のスペースの幅は、３ＣＤ_ｄｐである。図３Ａの２つのライン１１０は、１つまたは複数のフィーチャの第１および第２のフィーチャセグメントにすぎないものとしてもよい。

次に、第２のレジストが、基板に施される（図２、ステップ２３０）。このプロセスでは、ライン３１０の第１セットの間の表面１１２の少なくとも覆われていない部分（例えば、スペース）が第２のレジスト材料で覆われるか、または満たされる。さらに、レジスト前処理も行ってよい。次に、第２の半密ラインパターン３２０が、第２のレジスト層内に印刷される（図２、ステップ２４０）。ステップ２３０および２４０の結果は、図３Ｂに例示されている。第２のパターンは、ＢＡＲＣ表面１１４から突出している結果として得られるライン３２０の第２セットのライン幅もＣＤ_ｄｐであり、ライン１１１間のスペースの幅が３ＣＤ_ｄｐであるように配列される。ライン３２０の第２セットの位置は、ライン３１０の第１セットに関して交互位置に配列される。これは、図３Ｂに概略として示されている。図３Ｂの２つのライン１１０の間のライン１１１は、前述の１つまたは複数のフィーチャの第１および第２のフィーチャセグメントの間の第３のフィーチャセグメントにすぎないものとしてもよい。交互配置は、例えば、それぞれ第１および第２の半密ラインパターン３１０および３２０によるパターンとともに第１および第２のマスクを使用することにより得られる。次いで、交互配置は、マスク上の１つまたは複数の共通アライメントマークに関して相互にずれている２つのパターンを配置することにより得られ、この２つのパターンのずれは、所望の交互配置により選択される。結果として得られるパターンのピッチは２ＣＤ_ｄｐであり、したがって、所望の密ラインスペースパターンが得られ、ＣＤ_ｄｐがＣＤよりも小さいということを考慮して、実際に、係数ｋ_１は０．２５よりも小さいか、または小さい可能性がある。

第２の印刷プロセス（ステップ２４０）は、第２の現像液を使用する第２のレジスト材料の現像を含み、これはスペースの第２セット（つまり、図３Ｂのライン１１０と１１１との間のスペース）を形成する。第２の現像液と第１のレジスト材料の組成は、ライン１１０を含むフィーチャ３１０の第１セットの第２の現像液への暴露がこれらのラインの構成および形状に実質的な影響を及ぼさないようになされる。

第２の半密ラインパターン３２０の印刷の後、密のラインアンドスペースの所望のエッチングマスクパターンが得られる。従来のＲＩＥプロセスを施して、ラインの所望のパターンをターゲット層ＴＬに転写することができる（図２、ステップ２５０）。その後レジストマスクを剥離することができるが、このときに従来のレジスト除去プロセスを使用する。

本発明の実施形態では、第１のレジスト材料は、例えば、ＴＯＫ Ｐ６２３９レジストなどのポジティブトーンフォトレジストであり、ラインの第１セットは、ＴＭＡＨ現像液を使用して印刷される。半密ラインを印刷するために使用できるマスクタイプは、例えば、明視野クロムオンガラスマスク（chrome-one-glass ＣＯＧマスク）、レベンソン型位相シフトマスク（ alternating Phase Shifting Mask ＰＳＭ）またはクロムレスＰＳＭなどの明視野マスクである。第２のレジストは、例えばＴＯＫ Ｎ０２３またはＴＯＫ Ｎ０２７レジストなどのネガティブトーンフォトレジストであり、ラインの第２セットは、例えば、暗視野ＣＯＧマスク、または暗視野ハーフトーン型(attenuated)ＰＳＭを使用して印刷することができる。

基板レベルで得られるようなフィーチャおよびパターン寸法に関して（例えば、マスクレベルで対応する寸法を得るには、リソグラフィ装置の投影システムによる結像の縮小率を考慮しなければならない）、２つの半密ラインパターンを使用して幅５０ｎｍのラインが結像され、５０ｎｍラインは２００ｎｍのピッチで配置された。本発明の方法を応用することにより、幅５０ｎｍの密ラインおよび幅５０ｎｍのスペースのレジストパターンが得られ、このときに、露光毎に、ＮＡ＝０．９３およびλ＝１９３ｎｍでリソグラフィ装置を使用した。照射設定は、シグマ＝０．５であり、ＣＯＧマスクパターンが使用された。ＢＡＲＣは、ＡＺ １Ｃ５Ｄ ＢＡＲＣであった。

したがって、本発明では、原理上、中間ＲＩＥまたは他のエッチングプロセスを回避するためにダブルパターニングに使用できるが、本発明のダブルパターニングプロセスの歩留まりの改善は、第１の露光および現像の後（つまり、第１のレジスト材料層の第１のパターニングの後）と第２のレジストを基板に施す前に、図３Ａのフィーチャ１１０の間にある表面１１２のクリアされた覆われていない部分を調整するようになされた表面調整プロセスステップを適用することにより得られる。図４に例示されているようなプロセスの流れ４００では、この表面調整処理は、ステップ４１０で参照される。図２と比較すると、追加の処理ステップ４１０は、第１の半密ラインパターンを印刷する処理ステップ２２０と第２のレジストを基板に施す処理ステップ２３０との間で実行される。望ましくは、ＢＡＲＣ表面調整ステップは、第１の現像の後、第２のレジスト材料を基板に設ける前に施される。

ＴＭＡＨ現像液の適用中（図４のステップ２２０の一部である）、ＢＡＲＣ表面１１２の一部が、第１のレジストの溶解時に露出し、ＴＭＡＨ現像液にことは理解される。ＢＡＲＣのこれらの覆われていない部分の表面は、ライン１１０間の図３Ａのスペースの表面を具現化する。ＴＭＡＨ現像プロセスは、図５の斜線の入っている表面部分５１０により概略が示されているように、覆われていないＢＡＲＣ部分の表面１１２の近くの、およびその表面１１２のところの層１１４のＢＡＲＣ材料の特性を変える。ＢＡＲＣ表面をＴＭＡＨ現像液に曝すと、ＢＡＲＣの表面部分５１０に含まれる材料の極性および／または酸性度が変化する。表面部分５１０の極性の高さは、下にある現像液暴露ＢＡＲＣ表面へのその後印刷されたレジストフィーチャの接着力が減少することに連関し、表面部分５１０の酸性度の低さは、第２のレジストとして、ネガティブトーンレジストを使用したときに許容値を超えるその後印刷されたレジストフィーチャのアンダーカット（接着力の減少）をもたらすことに連関する。ＢＡＲＣをＴＭＡＨ現像液に曝すことは、極性の増大および／または酸性度の減少を引き起こすものと理解される。ＢＡＲＣ表面調整ステップ４１０は、ＴＭＡＨによって引き起こされる極性増大および／またはＴＭＡＨによって引き起こされる酸性度減少を完全にまたは少なくとも一部は低減するようになされる。ＢＡＲＣ表面調整ステップ４１０が存在しないと、ＢＡＲＣ表面への第２のレジストフィーチャの接着力減少または第２のレジストのフィーチャのアンダーカットの発生により、パターンの潰れが発生する可能性が高い。パターン潰れの例が、図６に例示されている。この悪影響は、ＢＡＲＣ表面部分５１０の極性および／または酸性度（単位ｐＨで表される）に影響を及ぼすようにＢＡＲＣ表面調整ステップ４１０を配列することにより回避できる。

本発明の実施形態では、本発明の一態様により、ＢＡＲＣ表面調整ステップ４１０は、基板を酸に曝すことを含み、酸はフッ化水素酸または酢酸であってよい。例えば、基板に対し、フッ化水素（ＨＦ）噴霧プロセスを施すことができる。このような処理は、酸噴霧デバイスを使用して実行することができ、これはトラックシステムの一部であってよい。例えばＨＦ酸噴霧などの酸噴霧に基板を曝した結果、親水性水酸基は、疎水性フッ素基で置き換えられ、ＢＡＲＣ領域５１０の酸性度は増大する。

本発明で得られた結果は、図７に示されている。

第２の実施形態
第２の実施形態は、ＢＡＲＣ表面調整ステップ４１０がフッ化炭素ベースプラズマまたは水素含有フッ化炭素ベースプラズマに基板を曝すことを含むことを除き第１の実施形態と同じである。例えば、Ｃ_ｘＨ_ｙＦ_ｚプラズマ処理は、疎水性フッ素基により親水性水酸基を置き換える効果も有する。第１および第２の実施形態のＢＡＲＣ表面調整ステップは、組み合わせて使用することができる。

第３の実施形態
第３の実施形態は、ＢＡＲＣ表面調整ステップ４１０に加えて、この方法は、さらに、第１のレジスト材料のフィーチャ１１０に対するその後の処理ステップ（例えば、ステップ４１０、２３０、および２４０のうちのどれか１つなど）の考えられる悪影響をさらに低減するようになされた固定ステップを含むことを除き第１の実施形態と同じである。固定ステップは、例えば、第１のレジストの層をパターニングした後、第２のレジストの層を施す前に、第１の半密ラインパターンのラインフィーチャ１１０の少なくともある程度の流れを引き起こすだけ十分に高い温度で基板をハードベークすることを含むことができる。望ましくは、ハードベークは、２００度Ｋ以上の温度で実行される。第１および第２の実施形態のＢＡＲＣ表面調整ステップは、それぞれ、本発明の実施形態のハードベークステップと組み合わせて使用することができる。

ハードベークの他の効果は、残りの第１のレジストの光活性成分を非活性化することであり、そのような残留光活性成分は、第２の露光時に活性化されると悪影響をもたらしうる。ハードベークステップの他のまたは代替えの利点は、第２の現像液中の第１のレジストフィーチャ１１０の残留可溶性を低減する点であり、ライン１１０のさらなる溶解は、第２のレジストの現像処理のときに生じる可能性がある。

本発明の実施形態の利点は、第２の露光時に、図３Ｂのライン１１１に対応するレジスト部分のみが露光され、ライン形状のレジストフィーチャ１１０における露光放射の散乱が実質的に回避される。これにより、第２の半密ラインパターンの像の、第２のレジスト内でのコントラストが最適なものとなる可能性がある。

本発明の一態様によれば、ＢＡＲＣ表面調整ステップのそれぞれを従来の方法と組み合わせ、すすぎ液を施す、および／または超臨界二酸化炭素現像液を使用するなどして、パターンの潰れを防止する。

第４の実施形態
第４の実施形態では、図８に例示されているように、リソグラフィ装置８１０、複数のプロセス装置８２０、およびリソグラフィ装置とプロセス装置の両方を制御するための制御ユニット８３０を備えており、複数のプロセス装置は、第１の放射感応性材料の第１および第２のフィーチャセグメントの間に配置された基板の表面の覆われていない部分への、第３の放射感応性材料のフィーチャセグメントであるレジスト材料フィーチャセグメントの接着を高めるように配列された表面調整装置８４０を備える、リソグラフィセル８００が実現される。リソグラフィ投影装置８１０は、上述の本発明によりＢＡＲＣ表面を調整するデバイス８４０と組み合わされる。デバイス８４０は、基板を取り扱い、リソグラフィ装置から、またリソグラフィ装置へ基板を搬送し、スピンコーティング、レジスト現像、および／または露光前ベークおよび／または露光後ベークなどの他の標準露光前および露光後レジストプロセスなどの複数のレジスト処理を実行するように配列されたリソグラフィ投影装置８１０に接続された、トラック装置８６０の一部であってよい。

リソグラフィセル８００の表面調整装置８４０は、例えば、フッ化水素酸または酢酸などの酸の供給源８５０に接続されうる。それとは別に、表面調整装置８４０は、フッ化炭素ベースプラズマまたは水素含有フッ化炭素ベースプラズマに基板を曝すようにすることができ、その場合、供給源８５０は、エッチングガスを供給する手段を意味する。本発明の実施形態では、表面調整装置８４０は、リソグラフィ投影装置８１０に接続され、リソグラフィ投影装置８１０とともに使用されるトラック８６０に含まれる。

制御ユニット８３０は、言及されている順序でリソグラフィセル８００に方法を実行させる命令を格納している記憶媒体を備え、この方法は、第１のレジストまたは放射感応性材料の層を基板Ｗ上層１１４（例えば、ＢＡＲＣなど）の表面１１２に設け、第１のレジストの層を、表面１１２から突出し、表面１１２の覆われていない部分により分離された第１および第２のフィーチャセグメントを含むパターン３１０で、パターニングし、表面１１２の覆われていない部分に表面調整プロセス４１０を施して、表面１１２への第２のレジストまたは放射感応性材料の層の接着力を高め、第２のレジストの層を表面１１２の覆われていない部分に設け、第２のレジストの層を、第１および第２のフィーチャセグメントに関して交互位置で配置され、表面１１２の覆われていない部分から突出している第３のフィーチャセグメントを含むパターンで、パターニングし、第１、第２、および第３のフィーチャセグメントが組み合わせで所望のパターンの部分を与えることを含む。第１および第２のフィーチャセグメントは、ライン形状のフィーチャ１１０からなる複数のセグメントとしてよく、第３のフィーチャセグメントは、ライン形状のフィーチャ１１１からなる１本のラインの１つのセグメントとしてよい。

図９は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置８１０を示す。装置は、
放射ビームＢを調整するように構成された照射システム（イルミネータ）ＩＬ（例えば、１９３ｎｍまたは２４８ｎｍの波長で動作するエキシマレーザーにより生成されるようなＵＶ放射およびＤＵＶ放射、または１３．６ｎｍで動作するレーザー発火プラズマ源により生成されるようなＥＵＶ放射）と、
パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡを支持するように構築され、いくつかのパラメータに従ってパターニングデバイスの位置を正確に決めるように構成された第１のポジショナＰＭに接続されたサポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴと、
基板（例えば、レジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構築され、いくつかのパラメータに従って基板の位置を正確に決めるように構成された第２のポジショナＰＷに接続された基板テーブル（例えば、ウェーハテーブル）ＷＴと、
パターニングデバイスＭＡにより放射ビームＢに与えられるパターンを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば、１つまたは複数のダイを含む）上に投影するように構成された投影システム（例えば、屈折投影レンズ系）ＰＳとを備える。

照明システムは、放射の誘導、整形、または制御を行うための屈折、反射、磁気、電磁気、静電気、または他の種類の光学コンポーネントなどのさまざまな種類の光学コンポーネント、またはそれらの任意の組み合わせを含むことができる。

サポート構造は、パターニングデバイスを支持する、つまりパターニングデバイスの重みを支える。これは、パターニングデバイスの向き、リソグラフィ装置の設計、および例えば、パターニングデバイスが真空環境に保持されるかされないかなどの他の条件に依存する方法でパターニングデバイスを保持する。サポート構造は、機械的、真空、静電気、または他のクランプ技術を使用してパターニングデバイスを保持することができる。

サポート構造は、例えば必要に応じて固定または移動可能とすることができる、フレームまたはテーブルとすることができる。サポート構造は、例えば投影システムに関してパターニングデバイスが確実に所望の位置に来るようにすることができる。本明細書で「レチクル」または「マスク」という用語を使用した場合、これは、より一般的な用語「パターニングデバイス」と同義と考えることができる。

本明細書で使用される「パターニングデバイス」という用語は、基板の目標部分にパターンを作成するなど、放射ビームにその断面にてパターンを与えるために使用することができる任意のデバイスを意味するものとして広い意味で解釈すべきである。放射ビームに与えられるパターンは、例えば、位相シフトフィーチャまたはいわゆるアシストフィーチャを含む場合に、パターンが基板のターゲット部分の中の所望のパターンに正確に対応するわけではないことに留意されたい。一般に、放射ビームに与えられるパターンは、集積回路などのターゲット部分の中に作成されるデバイス内の特定の機能層に対応する。

パターニングデバイスは、透過型または反射型とすることができる。パターニングデバイスの実施例は、マスク、プログラマブルミラーアレイ、およびプログラマブルＬＣＤパネルを含む。マスクは、リソグラフィではよく知られており、バイナリマスク、レベンソン型(alternating)位相シフトマスク、およびハーフトーン型(attenuated)位相シフトマスクなどの種類のマスクを含む。プログラマブルミラーアレイの一実施例では、入射放射ビームを異なる方向に反射するように個別にそれぞれ傾斜させることができる小型の鏡からなるマトリックス配列を採用する。傾斜された鏡は、ミラーマトリックスにより反射される放射ビーム内にパターンを与える。

本明細書で使用される「投影システム」という用語は、使用している露光放射、または浸液の使用もしくは真空の使用などの他の要因に必要に応じて、屈折光学システム、反射光学システム、反射屈折光学システム、および静電気光学システム、またはそれらの組み合わせを含む、さまざまな種類の投影システムを包含するものとして広く解釈すべきである。本明細書で「投影レンズ」という用語を使用するが、これは、より一般的な用語「投影システム」と同義と考えることができる。

ここで示されているように、装置は、透過型である（例えば、透過マスクを採用する）。それとは別に、装置は、反射型（例えば、上述のような種類のプログラマブルミラーアレイを採用するか、または反射マスクを採用する）とすることもできる。

リソグラフィ装置は、２つ（デュアルステージ）またはそれ以上の基板テーブル（および／または２つまたはそれ以上のマスクテーブル）を持つ種類のものとすることができる。このような「マルチステージ」装置では、追加テーブルを並列で使用することができるが、１つまたは複数の他のテーブルを露光に使用しながら、準備処理を１つまたは複数のテーブル上で実行することもできる。

リソグラフィ装置は、さらに、基板の少なくとも一部が比較的高い屈折率を持つ液体、例えば水で覆い、投影システムと基板との間のスペースを埋めることができるタイプのものとすることができる。浸液は、さらに、例えば、マスクと投影システムとの間の、リソグラフィ装置内の他のスペースにも付けることができる。浸せきする手法は、投影システムの開口数を増やすための技術としてよく知られている。本明細書で使用されている用語「液浸」は、基板などの構造を液中に沈めなければならないことを意味するのではなく、むしろ、液体が露光中に投影システムと基板との間に配置されることしか意味しない。

図９を参照すると、イルミネータＩＬは、放射源ＳＯから放射ビームを受け取る。放射源およびリソグラフィ装置は、例えば、放射源がエキシマレーザーの場合には、別の要素としてよい。このような場合、放射源は、リソグラフィ装置の一部を形成するとみなされず、放射ビームは、例えば、適当な指向ミラーおよび／またはビームエキスパンダを備えるビームデリバリーシステムＢＤの助けを借りて、放射源ＳＯからイルミネータＩＬに渡される。他の場合、放射源は、例えば放射源が水銀灯の場合、リソグラフィ装置に一体化することもできる。放射源ＳＯおよびイルミネータＩＬは、必要ならばビームデリバリーシステムＢＤと合わせて、放射システムと呼ぶことができる。

イルミネータＩＬは、放射線ビームの角強度分布を調整するためのアジャスタＡＤを備えることができる。一般的に、イルミネータの瞳面内の強度分布の少なくとも外側および／または内側半径範囲（通常、それぞれσ-outerおよびσ-innerと呼ばれる）を調整することができる。それに加えて、イルミネータＩＬは、インテグレータＩＮおよびコンデンサＣＯなどのさまざまな他のコンポーネントを含むことができる。イルミネータは、断面内で所望の一様性および強度分布を持つように放射ビームを調整するために使用できる。

放射ビームＢは、サポート構造（例えば、マスクテーブルＭＴ）上に保持され、パターニングデバイスによりパターン形成される、パターニングデバイス（例えば、マスクＭＡ）上に入射する。マスクＭＡを横断した、放射ビームＢは、投影システムＰＳを通過し、ビームを基板Ｗのターゲット部分Ｃ上に集束する。ポジショナＰＷおよび位置センサＩＦ（例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ、または容量センサなど）の助けを借りて、基板テーブルＷＴを正確に移動することができ、これにより、例えば、放射ビームＢの経路内で異なるターゲット位置Ｃを決定することができる。同様に、第１のポジショナＰＭおよび他の位置センサ（図９で明示的に示されていない）は、例えば、マスクライブラリから機械的に取り出した後、またはスキャン中に、放射ビームＢの経路に関してマスクＭＡの位置を正確に決めるために使用することができる。一般に、マスクテーブルＭＴの移動は、第１のポジショナＰＭの一部をなす、ロングストロークモジュール（粗動位置決め）およびショートストロークモジュール（微動位置決め）の助けを借りて実現することができる。同様に、基板テーブルＷＴの移動は、第２のポジショナＰＷの一部をなす、ロングストロークモジュールおよびショートストロークモジュールの助けを借りて実現することができる。ステッパーの場合（スキャナとは反対に）、マスクテーブルＭＴは、ショートストロークアクチュエータのみに接続できるか、または固定することができる。マスクＭＡおよび基板Ｗは、マスクアライメントマークＭ１、Ｍ２、および基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を使用して位置合わせすることができる。例示されているような基板アライメントマークは、専用のターゲット部分を占有するが、これらは、ターゲット部分の間の空間内に配置することができる（これらは、スクライブレーンアライメントマークと呼ばれる）。同様に、複数のダイがマスクＭＡ上に用意される状況では、マスクアライメントマークは、それらのダイとダイの間に配置することができる。

示されている装置は、以下のモードのうちの少なくとも１つで使用することが可能であろう。
１．ステップモードでは、マスクテーブルＭＴおよび基板テーブルＷＴは、本質的に静止状態に保たれるが、放射ビームに与えられるパターンは全体として一度に（つまり、単一静的露光）ターゲット部分Ｃに投影される。その後、異なるターゲット部分Ｃを露光できるように、基板テーブルＷＴは、Ｘおよび／またはＹ方向にシフトされる。ステップモードでは、露光フィールドの最大サイズにより、単一静的露光で転写されるターゲット部分Ｃのサイズが制限される。
２．スキャンモードでは、マスクテーブルＭＴおよび基板テーブルＷＴは、同期スキャンされるが、放射ビームに与えられるパターンはターゲット部分Ｃに投影される（つまり、単一動的露光）。マスクテーブルＭＴに関する基板テーブルＷＴの速度および方向は、投影システムＰＳの拡大（縮小）および像反転特性により決定されうる。スキャンモードでは、露光フィールドの最大サイズにより、単一動的露光のターゲット部分の幅（非スキャン方向）が制限されるが、スキャン動作の長さにより、ターゲット部分の高さ（スキャン方向）が決まる。
３．他のモードでは、マスクテーブルＭＴは、本質的に静止状態に保たれ、プログラマブルパターニングデバイスを保持するが、基板テーブルＷＴは、放射ビームに与えられるパターンがターゲット部分Ｃに投影される間に、移動またはスキャンされる。このモードでは、一般的に、パルス放射源が採用され、プログラマブルパターニングデバイスは、基板テーブルＷＴが移動するたび毎に、またはスキャン中の次々に発生する放射パルスと放射パルスの間に必要に応じて更新される。この動作モードは、上述のようなプログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを利用するマスクレスリソグラフィに容易に与えられうる。

上述の使用モードまたは全く異なる使用モードにおいて組み合わせ形態および／または変更形態を使用することもできる。

上述の実施形態において、本明細書のラインアンドスペースへの参照は、フィーチャおよびそのようなフィーチャの間のギャップに一般化できることは理解されるであろう。

上述の実施形態において、交互に配置されるフィーチャの所望の幅および交互に配置されるフィーチャの間の結果として得られるギャップの所望の幅を一様分布（所望のパターンの領域上の）にすることが望ましい。例えば、ダイ内の異なる位置における密ラインスペースパターン（所望のライン幅および所望スペース幅ＣＤ_ｄｐにより特徴付けられる）の印刷では、印刷されたラインアンドスペースの幅のダイ領域上に一様分布を実現することが望ましい。それぞれ第１および第２の半密ラインパターン３１０および３２０による複数のパターンを伴う第１および第２のマスクを使用することにより交互配置をもたらしうる。２つのパターンが、マスク上の１つまたは複数の共通の（同等の）アライメントマークに関して位置決めされ、共通アライメントマークに関して、一方のマスク上のフィーチャの位置は他のマスク上のフィーチャの位置と十分な相関関係を持つ。しかし、２つのマスクの間のフィーチャ位置の望ましい相関を与えると、アライメントマークに関する同じ位置でラインの幅に誤差を生じる可能性があるが、それは、例えば、２つのマスクパターンが、同じ工具を使用して、短い時間間隔のまま、書き込まれるか、または印刷されているからである。この結果、すべての隣接する印刷されたラインが公称幅よりも大きい幅を持つ領域およびすべての隣接する印刷されたラインが公称幅よりも小さい幅を持つ領域が生じる。類似の印刷されたラインの幅の誤差は、結像装置の結像パラメータの体系的変化および／または結像視野もしくはターゲット部分にわたる露光ドーズの体系的変化によるものとすることができる。

すべてのラインが公称幅よりも大きい幅を有する領域では、交互配置ラインを備えることによりダブルパターニングプロセスを完了させた後にラインとラインの間に短絡が発生する可能性が高くなりうる。太いラインのある領域内で短絡が生じるリスクを減らすために、交互配置されるラインは、第２の露光時に、好ましくは、公称幅よりも小さい幅を持つラインとして印刷される。実施形態のどれかのように、異なるトーンを持つレジストを第２の露光ステップで使用することにより、ＣＤ応答（つまり、マスクパターンフィーチャのサイズ誤差および／または印刷プロセス誤差に応じた、印刷ライン幅の偏差）は、第１の露光に関して逆転され、その結果、短絡が発生する可能性が実質的に低減される。

本文ではＩＣの製造にリソグラフィ装置を使用することについて具体的参照を行う場合があるが、本明細書で説明されているリソグラフィ装置には、集積光学システム、磁気ドメインメモリの誘導および検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッドなどの製造など、他の応用例のあることは理解されるであろう。当業者であれば、このような他の応用に関して、本明細書の「ウェーハ」または「ダイ」という用語の使用は、それぞれ「基板」または「ターゲット部分」というより一般的な用語の同義語であると考えられることを理解するであろう。本明細書で参照している基板は、露光前後に、例えばトラック（通常レジスト層を基板上に設け、露光したレジストを現像するツール）、メトロロジツール、および／またはインスペクションツール内で処理されるようにできる。該当する場合には、本明細書の開示をそのような基板処理ツールおよび他の基板処理ツールに適用することができる。さらに、基板は、例えば、多層ＩＣを作製するために複数回処理することができ、したがって、本明細書で使用される基板という用語は、すでに複数の処理済み層を含む基板をも指すことができる。

光リソグラフィとの関連で本発明の実施例の使用について特に言及しているかもしれないが、本発明は、他の用途で使用することができ、また背景状況が許せば、光リソグラフィに限定されないことは理解されるであろう。

リソグラフィ装置は、基板の表面が比較的高い屈折率を持つ液体、例えば水に浸され、投影システムの最終要素と基板との間のスペースを埋める種類のものとすることもできる。液浸液は、さらに、例えば、パターニングデバイスと投影システムの第１要素との間の、リソグラフィ装置内の他のスペースにも与えることもできる。液浸技術は、投影システムの開口数を増やすための技術ものとしてよく知られている。

本明細書で使用されている「放射」および「ビーム」という用語は、紫外線（ＵＶ）放射を含む、あらゆる種類の電磁波放射（例えば、３６５、２４８、１９３、１５７、もしくは１２６ｎｍ、またはその辺りの波長を有する）および極単紫外線（ＥＵＶ）（例えば、５〜２０ｎｍの範囲の波長を持つ）を包含する。

これまで本発明の特定の実施例を説明してきたが、本発明は説明した以外の方法でも実施することができることは理解されるであろう。どの実施形態でも、層１１４をＢＡＲＣとする代わりに、最上層１１４は、例えば、無機下層反射防止コーティング、または基板上に配置されたハードマスクとすることができる。ハードマスクは、例えば、酸化物層またはＳｉＯＮまたはＳｉＮまたはＴｉＮなどの窒化物の層とすることができる。第１の放射感応性材料を現像するために使用される現像液は、塩基性溶液であることは理解される。層１１４は、塩基の特性を有する現像液に対し感応性を有する任意の材料としてよい。

本発明は、上述のように方法を記述する機械読取可能命令の１つまたは複数のシーケンスを含むコンピュータプログラム、またはそのようなコンピュータプログラムを格納するデータ記憶媒体（例えば、半導体メモリ、磁気または光ディスク）の形を取りうる。特に、本発明の一実施形態によれば、コンピュータ読取可能媒体上に記録されている命令を含み、命令はリソグラフィセル８００を制御してデバイス製造方法を実行するように適合される、コンピュータプログラムが実現され、方法は、次述の順序で、第１の放射感応性材料の層を基板Ｗの表面１１２に設け、この層を、表面から突出し、表面１１２の覆われていない部分により分離された第１および第２のフィーチャセグメントを含むパターン３１０で、パターニングし、表面の覆われていない部分に表面調整プロセス４１０を施して、表面への第２の放射感応性材料の第３のフィーチャセグメントの接着力を高め、第２の放射感応性材料の層を表面の覆われていない部分に設け、第２の放射感応性材料の層を、第１および第２のフィーチャセグメントに関して交互位置で配置され、表面１１２の覆われていない部分から突出している第３のフィーチャセグメントを含むパターン３２０で、パターニングし、第１、第２、および第３のフィーチャセグメントが組み合わせで所望のパターンの部分を与えることを含む。

上の説明は、例示的であることを意図しており、制限することを意図していない。したがって、当業者にとっては、特許請求の範囲から逸脱することなく、説明されている通りの本発明に対して修正を加えることができることは、明白であろう。

密ラインスペースパターンとして配列されているライン形状のフィーチャのレジストマスクが与えられた基板を示す図である。 本発明の一実施形態によるダブルパターニング法の一部であるステップの流れ図である。 本発明の一実施形態によるラインの第１の半密パターンの印刷の結果を示す図である。 本発明の一実施形態によるラインの第１の半密パターンに関する交互位置に配置されたラインの第２の半密パターンの印刷の結果を示す図である。 ＢＡＲＣ表面調整ステップを含む本発明の一実施形態によるダブルパターニング法の流れ図である。 第１の現像への暴露の影響を受けるＢＡＲＣ表面の部分を含む、図１に例示されているようなラインの第１の半密パターンの印刷の結果を示す図である。 密ラインスペースパターンとして配列され、パターンの潰れを生じているライン形状のフィーチャのレジストマスクが実験的に与えられた基板を示す図である。 本発明の一実施形態による密ラインスペースパターンとして配列されたライン形状のフィーチャのレジストマスクが実験的に与えられた基板を示す図である。 トラック装置の一部である、ＢＡＲＣ表面を調整するデバイスに接続されたリソグラフィ装置を示す図である。 本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を示す図である。

Claims (17)

1. 基板の表面を少なくとも部分的に覆う第１の放射感応性材料の層を、前記表面から突出し、前記表面の覆われていない部分により分離されている第１および第２のフィーチャセグメントを含むパターンで、パターニングすること、
   第２の放射感応性材料の層を前記表面の前記覆われていない部分に設けること、
   前記第２の放射感応性材料の前記層を、前記第１および第２のフィーチャセグメントに対して交互位置に配置され、前記表面の前記覆われていない部分から突出し、前記第１および第２のフィーチャセグメントと組み合わせて所望のパターンの一部を与える第３のフィーチャセグメントを含むパターンで、パターニングすること
   を含み、さらに、
   前記第２の放射感応性材料の前記層を設ける前、前記第１の放射感応性材料の前記層をパターニングした後に、前記表面の前記覆われていない部分に表面調整プロセスを施して、前記表面への前記第３のフィーチャセグメントの接着を高めること
   を含むリソグラフィデバイス製造方法。
2. 前記表面調整プロセスは、前記表面の前記覆われていない部分の極性、酸性度、または極性と酸性度を変える、請求項１に記載の方法。
3. 前記表面調整プロセスは、前記基板を酸に曝すことを含む、請求項２に記載の方法。
4. 前記酸は、フッ化水素酸または酢酸である、請求項３に記載の方法。
5. 前記表面調整プロセスは、前記基板をフッ化炭素ベースプラズマまたは水素含有フッ化炭素ベースプラズマに曝すことを含む、請求項２に記載の方法。
6. 前記表面は、前記基板上に配置された下層反射防止コーティング、無機下層反射防止コーティング、またはハードマスクの表面である、請求項１から５のいずれか１項に記載の方法。
7. 前記第２の放射感応性材料は、前記第１の放射感応性材料のトーンと反対のトーンを有する、請求項１から５のいずれか１項に記載の方法。
8. 前記第１の放射感応性材料は、ポジティブトーナリティを有し、前記第２の放射感応性材料は、ネガティブトーナリティを有する、請求項１から５のいずれか１項に記載の方法。
9. 前記第２の放射感応性材料の前記層を施す前、および前記第１の放射感応性材料の前記層にパターンを形成した後に、前記基板をハードベークに曝すことをさらに含む、請求項１から５のいずれか１項に記載の方法。
10. 前記ハードベークは、２００度Ｋを超える高温で実行される、請求項９に記載の方法。
11. リソグラフィ装置、複数のプロセス装置、および前記リソグラフィ装置と前記プロセス装置の両方を制御するための制御ユニットを備え、前記複数のプロセス装置は、基板の表面の覆われていない部分への第２の放射線感応性材料の第３のフィーチャセグメントの接着を高めるように配置され、且つ第１の放射線感応性材料の第１および第２のフィーチャセグメント感応性フィーチャセグメントの間に配置された表面調整装置を備える、リソグラフィセル。
12. 前記表面調整装置は、酸、フッ化水素酸、または酢酸の供給源に接続される、請求項１１に記載のリソグラフィセル。
13. 前記表面調整プロセスは、基板をフッ化炭素ベースプラズマまたは水素含有フッ化炭素ベースプラズマに曝す、請求項１１に記載のリソグラフィセル。
14. 前記表面調整装置は、前記リソグラフィ投影装置に接続され、前記リソグラフィ投影装置とともに使用するトラックに含まれる、請求項１１から１３のいずれか１項に記載のリソグラフィセル。
15. 前記制御ユニットは、リソグラフィセルに方法を実行させる命令を格納している記憶媒体を備え、前記方法は、次述の順序で、
    第１の放射感応性材料の層を基板の表面に設け、
    前記表面から突出し、前記表面の覆われていない部分により分離される第１および第２のフィーチャセグメントを含むパターンで、前記層をパターニングし、
    前記表面の前記覆われていない部分に表面調整プロセスを施して、前記表面への第２の放射感応性材料の第３のフィーチャセグメントの接着を高め、
    前記第２の放射感応性材料の層を前記表面の前記覆われていない部分に設け、
    前記第２の放射感応性材料の前記層を、前記第１および第２のフィーチャセグメントに対して交互位置に配置され、前記表面の前記覆われていない部分から突出している前記第３のフィーチャセグメントを含むパターンで、パターニングし、前記第１、第２、および第３のフィーチャセグメントが組み合わせで所望のパターンの一部を与えること
    を含む、請求項１１から１４のいずれか１項に記載のリソグラフィセル。
16. 前記第２の放射感応性材料は、前記第１の放射感応性材料のトーンと反対のトーンを有する、請求項１５に記載のリソグラフィセル。
17. コンピュータ読取可能媒体上に記録されている命令を含み、前記命令はリソグラフィセルを制御してデバイス製造方法を実行するように適合される、コンピュータプログラムであって、前記方法は、次述の順序で、
    第１の放射感応性材料の層を基板の表面に施し、
    前記表面から突出し、前記表面の覆われていない部分により分離される第１および第２のフィーチャセグメントを含むパターンで、前記層をパターニングし、
    前記表面の前記覆われていない部分に表面調整プロセスを施して、前記表面への第２の放射感応性材料の第３のフィーチャセグメントの接着を高め、
    前記第２の放射感応性材料の層を前記表面の前記覆われていない部分に設け、
    前記第２の放射感応性材料の前記層を、前記第１および第２のフィーチャセグメントに対して交互位置に配置され、前記表面の前記覆われていない部分から突出している前記第３のフィーチャセグメントを含むパターンで、パターニングし、前記第１、第２、および第３のフィーチャセグメントが組み合わせで所望のパターンの一部を与えること
    を含む、コンピュータプログラム。