JP2008181983A - Lead frame for semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device using the same - Google Patents

Lead frame for semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device using the same Download PDF

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To improve the productivity of a semiconductor device in a cut-bend step for an outer lead and a heat radiating fin, in a semiconductor device that is provided with a die pad for mounting a semiconductor chip, heat radiating fins that are extended outward from facing two sides among virtual four sides that are set while the die pad is located at its center, and a plurality of inner leads that is formed toward the remaining two sides thereof. <P>SOLUTION: The lead frame has a suspension lead 8. The suspension lead 8 is arranged inside a resin sealing area 17 in the semiconductor device and a part other than a heat radiating fin 4 exposing over the sealing resin in the lead frame. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明は、例えば高耐圧用素子などを備えて高放熱性を必要とする半導体装置のための、半導体装置用リードフレームおよびそれを用いた半導体装置の製造方法に関する。   The present invention relates to a lead frame for a semiconductor device and a method of manufacturing a semiconductor device using the same for a semiconductor device that includes, for example, a high breakdown voltage element and requires high heat dissipation.

従来、高耐圧用素子などを備えて高放熱性を必要とする半導体装置のためのリードフレームは、図１０に示すような構成を有している。
すなわち図１０に示す半導体装置用リードフレームは、半導体チップを搭載すべきダイパット３を備えている。ダイパット３を中央に位置させて、仮想の四辺を設定することができる。そして図示のリードフレームは、ダイパット３について想定した四辺のうち、対向する二辺から外向きに延びるように配置された放熱フィン４と、ダイパット３について想定した残りの二辺に向かう方向に形成された複数のインナーリード５とを有する。 2. Description of the Related Art Conventionally, a lead frame for a semiconductor device that includes a high withstand voltage element and requires high heat dissipation has a configuration as shown in FIG.
That is, the lead frame for a semiconductor device shown in FIG. 10 includes a die pad 3 on which a semiconductor chip is to be mounted. The virtual four sides can be set by positioning the die pad 3 in the center. The illustrated lead frame is formed in a direction toward the other two sides assumed for the die pad 3 and the heat dissipating fins 4 arranged to extend outward from two opposite sides of the four sides assumed for the die pad 3. And a plurality of inner leads 5.

また、１０はリードフレーム枠、１２はアウターリード、１３はＧＮＤリード、１４は、ＧＮＤリード１３に対応したインナーリードの部分に設けられた屈曲部、１６はタイバーである。１７は、図示のリードフレームを用いて得られる半導体装置における樹脂封止エリアである。   Further, 10 is a lead frame frame, 12 is an outer lead, 13 is a GND lead, 14 is a bent portion provided in an inner lead portion corresponding to the GND lead 13, and 16 is a tie bar. Reference numeral 17 denotes a resin sealing area in a semiconductor device obtained using the illustrated lead frame.

図１１〜図１９は、図１０に示したリードフレームを用いた半導体装置の製造方法を示す。
すなわち、まず、図１１に示すように、図１０に示したリードフレームのダイパット３に半導体チップ２がダイボンドされ、この半導体チップ２の電極パッド７とインナーリード５のボンディング部とが金属細線９でワイヤーボンドされる。 11 to 19 show a method of manufacturing a semiconductor device using the lead frame shown in FIG.
That is, first, as shown in FIG. 11, the semiconductor chip 2 is die-bonded to the die pad 3 of the lead frame shown in FIG. 10, and the electrode pad 7 of the semiconductor chip 2 and the bonding portion of the inner lead 5 are connected by a thin metal wire 9. Wire bonded.

次に、図１２に示すように、半導体チップ２、ダイパット３、インナーリード５、放熱フィン４の一部は、封止樹脂１１によって封止される。そして封止樹脂１１の端面から、放熱フィン４の一部とアウターリード１２とＧＮＤリード１３とが露出される。次に、アウターリード１２と連結するタイバー１６がタイバーカットされる。図１３は、図１２に示すタイバー１６がカットされた状態を示す。   Next, as shown in FIG. 12, a part of the semiconductor chip 2, the die pad 3, the inner lead 5, and the heat radiation fin 4 are sealed with a sealing resin 11. Then, from the end surface of the sealing resin 11, a part of the radiation fin 4, the outer lead 12, and the GND lead 13 are exposed. Next, the tie bar 16 connected to the outer lead 12 is cut with a tie bar. FIG. 13 shows a state where the tie bar 16 shown in FIG. 12 is cut.

次に、アウターリード１２とリードフレーム枠１０との間がカットされる。図１４は、そのカット後の状態を示す。また、図１５に示すように、アウターリード１２およびＧＮＤリード１３がガルウイング状に折り曲げられる。１９は、その折り曲げ屈曲部である。さらに、図１６に示すように、ガルウイング状に折り曲げられたアウターリード１２の先端がカットされる。図１４から図１６に示す状態では、放熱フィン４が吊りリードとして働いており、それぞれの図に示されている部分は、この放熱フィン４を介して図外のリードフレーム枠１０に保持される。   Next, the space between the outer lead 12 and the lead frame frame 10 is cut. FIG. 14 shows the state after the cutting. Further, as shown in FIG. 15, the outer lead 12 and the GND lead 13 are bent into a gull wing shape. Reference numeral 19 denotes a bent portion. Furthermore, as shown in FIG. 16, the tip of the outer lead 12 bent into a gull wing shape is cut. In the state shown in FIGS. 14 to 16, the radiating fins 4 function as suspension leads, and the portions shown in the drawings are held by the lead frame frame 10 outside the figure via the radiating fins 4. .

その後、図１７に示すように、吊りリードとして働いていた放熱フィン４がカットされ、それによって得られた図示の半導体装置が個片化される。その後、図１８に示すように、放熱フィン４がガルウイング状に折り曲げられる。２０は、その折り曲げ屈曲部である。さらに、図１９に示すように、ガルウイング状に折り曲げられた放熱フィン４の先端がカットされて、半導体装置が完成される。   After that, as shown in FIG. 17, the radiating fins 4 functioning as the suspension leads are cut, and the illustrated semiconductor device obtained as a result is separated. Then, as shown in FIG. 18, the radiation fin 4 is bent into a gull wing shape. Reference numeral 20 denotes a bent portion. Further, as shown in FIG. 19, the tips of the heat radiation fins 4 bent in a gull wing shape are cut to complete the semiconductor device.

上述したとおりに、また特許文献１において開示されているように、図示の半導体装置においては、放熱フィン４は、リードフレーム枠１０とダイパット３とを繋いでダイパット３をリードフレーム枠１０に保持するための吊りリードとして用いられているとともに、電源用リードとしても用いられている。
特開平４−１３０６５３号公報 As described above and as disclosed in Patent Document 1, in the illustrated semiconductor device, the radiating fin 4 connects the lead frame frame 10 and the die pad 3 to hold the die pad 3 to the lead frame frame 10. In addition to being used as a suspension lead, it is also used as a power supply lead.
Japanese Patent Laid-Open No. 4-130653

特許文献１に記載された先行技術を図１０〜図１９を参照してさらに説明する。これらの図に示すように、半導体チップ２を搭載するダイパット３と、このダイパット３について想定された対向二辺から延在する放熱フィン４と、ダイパット３について想定された残りの二辺に向かうように設けられた複数のインナーリード５とを有するリードフレームを用いた半導体装置では、放熱フィン４を設けたことによって高放熱性を発揮することが可能である。この放熱フィン４は、リードフレーム枠１０とダイパット３とを繋いでいることで、ダイパット３をリードフレーム枠１０に保持するための吊りリードとして用いられる。このため、上述のように、放熱フィン４とアウターリード１２とをガルウイング状に折り曲げ加工する工程において、まずアウターリード１２をカットベンドすることでガルウイング状に加工し、その後、放熱フィン４をカットして、リードフレーム枠１０から半導体装置を個片化した後に、各半導体装置の１つずつについて、放熱フィン４をガルウイング状に曲げ加工しなければならない。このため、生産性が非常に悪いという課題がある。   The prior art described in Patent Document 1 will be further described with reference to FIGS. As shown in these drawings, the die pad 3 on which the semiconductor chip 2 is mounted, the heat dissipating fins 4 extending from the opposite two sides assumed for the die pad 3, and the remaining two sides assumed for the die pad 3. In a semiconductor device using a lead frame having a plurality of inner leads 5 provided on the substrate, it is possible to exhibit high heat dissipation by providing the radiation fins 4. The heat radiating fins 4 are used as suspension leads for holding the die pad 3 on the lead frame frame 10 by connecting the lead frame frame 10 and the die pad 3. For this reason, as described above, in the process of bending the radiating fin 4 and the outer lead 12 into a gull wing shape, the outer lead 12 is first cut and bent into a gull wing shape, and then the radiating fin 4 is cut. Thus, after the semiconductor device is separated from the lead frame frame 10, the heat radiation fin 4 must be bent into a gull wing shape for each semiconductor device. For this reason, there exists a subject that productivity is very bad.

ここで、放熱フィン４とアウターリード１２とをガルウイング状に加工する工程において、リードフレーム枠１０から半導体装置を個片化してから折り曲げ加工せずに、まずアウターリード１２をカットし、その後ベンドすることでガルウイング状に加工し、その後、放熱フィン４について、カットとベンドを同時に行うことで、リードフレーム枠１０から個片化すると同時にガルウイング状に加工することも可能である。しかし、この場合は、アウターリード１２をガルウイング状に加工する方法および工程と、放熱フィン４をガルウイング状に加工する方法および工程とが別々になってしまう。このため、アウターリード１２および放熱フィン４の平坦度が悪くなりやすく、したがって半導体装置の実装不良を起こしやすいという課題がある。   Here, in the process of processing the heat radiating fins 4 and the outer leads 12 into a gull wing shape, the outer leads 12 are first cut and then bent without being bent after the semiconductor device is separated from the lead frame frame 10. Then, it can be processed into a gull wing shape, and then the radiating fin 4 can be cut and bent at the same time to be separated from the lead frame frame 10 and simultaneously processed into a gull wing shape. However, in this case, a method and a process for processing the outer lead 12 into a gull wing and a method and a process for processing the radiating fin 4 into a gull wing are separated. For this reason, the flatness of the outer leads 12 and the heat radiating fins 4 tends to be deteriorated, so that there is a problem that the mounting failure of the semiconductor device is likely to occur.

そこで本発明は、上記課題を解決するために、半導体装置６をリードフレーム枠１０に支持したまま、封止樹脂１１から露出したアウターリード１２および放熱フィン４をカットしベンドすることを可能として、生産性を改善できるようにすることを目的とする。また本発明は、放熱フィン４をガルウイング状に屈曲させる工程と、アウターリード１２をガルウイング状に屈曲させる工程とを同時に行うことを可能とし、かつ放熱フィン４の先端とアウターリード１２の先端とをカットする工程を同時に行うことを可能として、アウターリード１２と放熱フィン４とについて良好な平坦度を得ることができるようにすることを目的とする。   Therefore, in order to solve the above problems, the present invention makes it possible to cut and bend the outer leads 12 and the radiation fins 4 exposed from the sealing resin 11 while supporting the semiconductor device 6 on the lead frame frame 10. The goal is to improve productivity. In addition, the present invention makes it possible to simultaneously perform the step of bending the radiating fin 4 in a gull wing shape and the step of bending the outer lead 12 in a gull wing shape, and connecting the tip of the radiating fin 4 and the tip of the outer lead 12 to each other. An object of the present invention is to make it possible to perform the cutting step at the same time and to obtain good flatness for the outer lead 12 and the radiating fin 4.

上記課題を解決するため、本発明の半導体装置用リードフレームは、半導体チップを搭載するためのダイパットと、このダイパットを中央に位置させて設定された仮想の四辺のうちの対向する二辺から外向きに延びるように配置された放熱フィンと、前記四辺のうちの残りの二辺に向かう方向に形成された複数のインナーリードとを有する半導体装置用リードフレームであって、吊りリードを有し、この吊りリードは、半導体装置における樹脂封止エリアの内部と、リードフレームにおける封止樹脂から露出した放熱フィンの部分以外の部分とにわたって配置されていることを特徴とするものである。   In order to solve the above-described problems, a lead frame for a semiconductor device according to the present invention includes a die pad for mounting a semiconductor chip and an outer side from two opposite sides of the virtual four sides set with the die pad positioned at the center. A lead frame for a semiconductor device having heat dissipating fins arranged to extend in the direction and a plurality of inner leads formed in a direction toward the remaining two sides of the four sides, and having a suspension lead, This suspension lead is arranged over the inside of the resin sealing area in the semiconductor device and the portion other than the portion of the heat radiation fin exposed from the sealing resin in the lead frame.

本発明によれば、上記の半導体装置用リードフレームにおいて、半導体チップは高耐圧用素子であり、吊りリードは、ダイパットと連なっているとともに、四辺のうちの放熱フィンの存在する辺に設けられているものであることが好適である。   According to the present invention, in the above lead frame for a semiconductor device, the semiconductor chip is a high-voltage element, and the suspension lead is connected to the die pad and is provided on the side where the radiation fins are present among the four sides. It is preferable that

本発明の半導体装置の製造方法は、上記の半導体装置用リードフレームを用い、ダイパットと半導体チップと放熱フィンの一部とインナーリードと吊りリードの一部とを樹脂で封止し、封止樹脂から露出した放熱フィンの部分とアウターリードとをリードフレームからカットしたうえでガルウイング状に屈曲させ、その後、封止樹脂から露出した吊りリードの部分をリードフレームからカットするものである。   The method of manufacturing a semiconductor device according to the present invention uses the lead frame for a semiconductor device described above, and seals the die pad, the semiconductor chip, a part of the radiating fin, the inner lead, and a part of the suspension lead with a resin. The portion of the heat radiating fin exposed from the outer portion and the outer lead are cut from the lead frame, bent in a gull wing shape, and then the portion of the suspended lead exposed from the sealing resin is cut from the lead frame.

本発明によれば、上記の半導体装置の製造方法において、ハンマーゲート方式によって樹脂による封止を行うことが好適である。
また本発明によれば、上記の半導体装置の製造方法において、封止樹脂から露出した放熱フィンの部分をガルウイング状に屈曲させる工程と、アウターリードをガルウイング状に屈曲させる工程とを同時に行うことが好適である。 According to the present invention, in the semiconductor device manufacturing method described above, it is preferable to perform sealing with a resin by a hammer gate method.
According to the invention, in the method for manufacturing a semiconductor device, the step of bending the portion of the radiating fin exposed from the sealing resin into a gull wing shape and the step of bending the outer lead into a gull wing shape can be simultaneously performed. Is preferred.

また本発明によれば、上記の半導体装置の製造方法において、ガルウイング状に屈曲された放熱フィンの先端をカットする工程と、ガルウイング状に屈曲されたアウターリードの先端をカットする工程とを同時に行うことが好適である。   According to the invention, in the method of manufacturing a semiconductor device described above, the step of cutting the tip of the radiating fin bent in a gull wing shape and the step of cutting the tip of the outer lead bent in the gull wing shape are performed simultaneously. Is preferred.

本発明の半導体装置は、上記の半導体装置の製造方法を用いて製造されたものであることを特徴とするものである。   A semiconductor device of the present invention is manufactured using the above-described method for manufacturing a semiconductor device.

本発明の半導体装置用リードフレームおよびそれを用いた半導体装置の製造方法によれば、半導体装置における樹脂封止エリアの内部と、リードフレームにおける封止樹脂から露出した放熱フィンの部分以外の部分とにわたって配置されている吊りリードを有するため、この吊りリードによって半導体装置をリードフレーム枠に支持したまま、アウターリードと、封止樹脂から露出した放熱フィンの部分とをカットベンドすることができ、このため半導体装置の生産性を改善することができる。   According to the lead frame for a semiconductor device and the method of manufacturing a semiconductor device using the semiconductor device according to the present invention, the inside of the resin sealing area in the semiconductor device and the portion other than the portion of the heat dissipation fin exposed from the sealing resin in the lead frame Therefore, the outer lead and the portion of the radiating fin exposed from the sealing resin can be cut and bent while the semiconductor device is supported on the lead frame by the suspension lead. Therefore, the productivity of the semiconductor device can be improved.

また本発明によれば、半導体装置をリードフレーム枠に支持したまま、アウターリードと封止樹脂から露出した放熱フィンの部分とを加工することが可能であり、このため、封止樹脂から露出した放熱フィンの部分をガルウイング状に屈曲させる工程と、アウターリードをガルウイング状に屈曲させる工程とを同時に行うことができ、さらに、ガルウイング状に屈曲した放熱フィンの先端をカットする工程と、ガルウイング状に屈曲したアウターリードの先端をカットする工程とを同時に行うことが可能であり、その結果、アウターリードと封止樹脂から露出した放熱フィンの部分との平坦度を良好とすることができ、それによって半導体装置の実装不良の発生を低減することができる。   Further, according to the present invention, it is possible to process the outer lead and the portion of the radiating fin exposed from the sealing resin while supporting the semiconductor device on the lead frame frame. The step of bending the radiating fin part in a gull wing shape and the step of bending the outer lead in a gull wing shape can be performed at the same time. It is possible to simultaneously perform the process of cutting the tip of the bent outer lead, and as a result, the flatness between the outer lead and the portion of the radiating fin exposed from the sealing resin can be improved, thereby The occurrence of defective mounting of the semiconductor device can be reduced.

以下、本発明の実施の形態について図１〜図９を参照して説明する。
（第１の実施の形態）
図１は、本発明の第１の実施形態である、例えば高放熱性を必要とする素子のために用いられるリードフレームの平面図である。このリードフレームは、熱伝導性の良い金属、例えば銅合金の薄板（例えば厚み０．２５ｍｍ程度）から成型される。このリードフレームは、半導体チップを搭載することのできる面積を有するダイパット３と、ダイパット３について設定される仮想の四辺のうちの対向する二辺から外向きに延びるように形成された放熱フィン４と、ダイパット３について想定した残りの二辺に向かう方向に形成された８本のインナーリード５とを備えている。なお、インナーリード５の本数は上記に限定されるものではなく、素子として必要な本数であればよい。インナーリード５は、タイバー１６を挟んで、アウターリード１２と連結されている。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to FIGS.
(First embodiment)
FIG. 1 is a plan view of a lead frame used for an element requiring high heat dissipation, for example, according to a first embodiment of the present invention. The lead frame is formed from a thin plate (for example, about 0.25 mm thick) of a metal having good thermal conductivity, for example, a copper alloy. The lead frame includes a die pad 3 having an area where a semiconductor chip can be mounted, and heat radiating fins 4 formed to extend outward from two opposite sides of the virtual four sides set for the die pad 3. The eight inner leads 5 formed in the direction toward the remaining two sides assumed for the die pad 3 are provided. Note that the number of inner leads 5 is not limited to the above, and may be any number necessary for the element. The inner lead 5 is connected to the outer lead 12 with the tie bar 16 interposed therebetween.

タイバー１６は、樹脂による封止を行うときに放熱フィン部４の側部に樹脂バリ（樹脂性異物）が付着することを防止するために設けられたものである。樹脂バリは、以下の事項を原因として発生する。すなわち、樹脂封止の工程において、トランスファー・モールディング法によって、成型金型にリードフレームを位置決めし、その後に成型金型のキャビティの中に封止樹脂を注入する際に、成型金型の外形サイズが、封止樹脂から露出する放熱フィン４の部分よりも大きくなっており、しかも、樹脂が注入されるキャビティと連なっていることにより、封止樹脂から露出する放熱フィン４の側部において樹脂封止体と連なる形で形成されるものである。   The tie bar 16 is provided in order to prevent resin burrs (resinous foreign matter) from adhering to the side portions of the radiation fin portion 4 when sealing with resin. Resin burrs are caused by the following matters. That is, when the lead frame is positioned in the molding die by the transfer molding method in the resin sealing process and then the sealing resin is injected into the cavity of the molding die, the outer size of the molding die Is larger than the portion of the radiating fin 4 exposed from the sealing resin, and is connected to the cavity into which the resin is injected, so that the resin sealing is performed at the side of the radiating fin 4 exposed from the sealing resin. It is formed in a form that is continuous with the stationary body.

放熱フィン４の側部に付着した樹脂バリは、封止工程以後のカットベンド工程における切断時のストレスなどにより亀裂が入りやすく、それが原因となって、落下したり、もしくは落下せずに露出した放熱フィン４の側部に残ったものが、リードフレーム１の搬送中に落下して搬送不良を招く要因となったり、半導体装置の実装工程において実装基板に落下して実装不良を招く要因となったりする。放熱フィン４の側部に付着する樹脂バリは、ウォータージェットなどの方法で除去することが出来るが、手間がかかり、しかも樹脂封止体へのダメージがあるため、歩留の低下や製造コストの増大を招く。   Resin burrs adhering to the sides of the radiating fins 4 are likely to crack due to stress at the time of cutting in the cut bend process after the sealing process, and it may be dropped or exposed without dropping. What remains on the side of the radiating fin 4 may cause a drop in the lead frame 1 during transfer and cause a transfer failure, or may cause a drop in the mounting board in the semiconductor device mounting process and cause a mounting failure. It becomes. The resin burrs adhering to the side portions of the radiating fins 4 can be removed by a method such as a water jet. However, it takes time and damages the resin sealing body. Incurs an increase.

図１に示されるリードフレームにおいては、放熱フィン４の側方にタイバー１６が形成されていることによって、露出する放熱フィン部４の根元からタイバー１６までの領域における樹脂バリの発生が抑制され、樹脂バリを除去する必要がなくなるため、歩留の向上や製造コストの低減を図ることが出来る。   In the lead frame shown in FIG. 1, since the tie bar 16 is formed on the side of the heat radiating fin 4, the occurrence of resin burrs in the region from the root of the exposed heat radiating fin portion 4 to the tie bar 16 is suppressed. Since it is not necessary to remove the resin burrs, the yield can be improved and the manufacturing cost can be reduced.

図１に示されるリードフレームの特徴は、放熱フィン４とは別に、樹脂封止エリア内から樹脂封止エリア外へ延びるように形成された吊りリード８を有することにある。
なお、図１に示されるリードフレームでは、吊りリード８は４本であり、ダイパット３と樹脂による封止エリア１７の四隅との間にわたされるように形成されているが、これに限定されず、樹脂封止後の半導体装置をリードフレーム枠１０に保持できる本数と太さを有すればよく、またたとえばダイパット３と矩形状の樹脂封止エリア１７の四辺との間にわたされるように形成されたものであってもよい。また、吊りリード８は、ダイパット３と接続している必要はなく、樹脂封止エリア１７の内部とその外部との間に配置されていればよい。 A feature of the lead frame shown in FIG. 1 is that, apart from the heat radiating fins 4, there are suspension leads 8 formed so as to extend from the resin sealing area to the outside of the resin sealing area.
In the lead frame shown in FIG. 1, there are four suspension leads 8, which are formed between the die pad 3 and the four corners of the resin sealing area 17, but are not limited thereto. The number of the semiconductor devices after resin sealing may be sufficient to hold the lead frame 10 and the thickness thereof. For example, the semiconductor device is formed so as to extend between the die pad 3 and the four sides of the rectangular resin sealing area 17. It may be what was done. Further, the suspension leads 8 do not need to be connected to the die pad 3 and may be disposed between the inside of the resin sealing area 17 and the outside thereof.

このように吊りリード８が設けられていることによって、半導体装置の製造工程において、半導体装置をリードフレーム枠１０に支持したまま、アウターリード１２と、樹脂封止エリア１７に形成される封止樹脂から露出した放熱フィン４の部分とをカットベンドすることが可能となり、生産性を改善することができる。また、封止樹脂から露出した放熱フィン４をガルウイング状に屈曲させる工程と、アウターリード１２をガルウイング状に屈曲させる工程とを同時に行うことができるとともに、それらの先端を同時に切断することができ、したがってアウターリード１２と放熱フィン４とについて良好な平坦度を得ることができる。   By providing the suspension leads 8 in this manner, the sealing resin formed in the outer lead 12 and the resin sealing area 17 while supporting the semiconductor device on the lead frame frame 10 in the manufacturing process of the semiconductor device. It is possible to cut and bend the portion of the heat dissipating fin 4 exposed from the above, and the productivity can be improved. In addition, the step of bending the radiating fin 4 exposed from the sealing resin into a gull wing and the step of bending the outer lead 12 into the gull wing can be performed at the same time, and the tips thereof can be cut simultaneously. Therefore, good flatness can be obtained for the outer leads 12 and the heat radiating fins 4.

なお、吊りリード８は、放熱フィン４をカットするときにも半導体装置を支持しておくことが求められる。このため、封止樹脂から露出した放熱フィン４の部分以外の部分につながっていることが必要である。   The suspension leads 8 are required to support the semiconductor device even when the heat radiation fins 4 are cut. For this reason, it is necessary to be connected to a part other than the part of the radiation fin 4 exposed from the sealing resin.

（第２の実施の形態）
図２は、本発明の第２の実施形態である、例えば高耐圧用素子を用いた小型半導体装置に用いられるリードフレームの平面図である。このリードフレームは、高耐圧用素子である半導体チップを搭載することのできる面積を有するダイパット３と、ダイパット３について設定される仮想の四辺のうちの対向する二辺から外向きに延びるように形成された放熱フィン４と、ダイパット３について想定した残りの二辺に向かう方向に形成された７本のインナーリード５とを備えている。複数のインナーリード５のうちの１本は、ダイパッド３と連結されたＧＮＤ（接地）リード１３を構成している。ここでは、インナーリード５を７本とし、そのうち１本をＧＮＤリード１３としたが、素子として必要な本数を有すればよく、これに限定されるものではない。図示のものでは、ＧＮＤリード１３が抜きピンとなったインナーリード５の領域に屈曲部１４を有し、これは、インナーリード５と連結していないアウターリード１２の延長線上でダイパット３と連結することによって、ＧＮＤリード１３を有しても余分に面積を取ることがないようにすることができる。このため、高耐圧用素子用半導体装置の小型化が可能となる。 (Second Embodiment)
FIG. 2 is a plan view of a lead frame used in a small semiconductor device using, for example, a high breakdown voltage element according to the second embodiment of the present invention. The lead frame is formed to extend outward from two opposite sides of the die pad 3 having an area capable of mounting a semiconductor chip that is a high-voltage element and the virtual four sides set for the die pad 3. And the seven inner leads 5 formed in the direction toward the remaining two sides assumed for the die pad 3. One of the plurality of inner leads 5 constitutes a GND (ground) lead 13 connected to the die pad 3. Here, the number of inner leads 5 is seven, and one of them is the GND lead 13. However, the number of elements required for the element is sufficient, and the present invention is not limited to this. In the example shown in the figure, the bent portion 14 is provided in the region of the inner lead 5 where the GND lead 13 becomes the extraction pin, and this is connected to the die pad 3 on the extension line of the outer lead 12 not connected to the inner lead 5. Therefore, even if the GND lead 13 is provided, an extra area can be prevented. For this reason, it is possible to reduce the size of the semiconductor device for a high voltage element.

なお、図示のものでは、上記のようにＧＮＤリード１３はインナーリード５と連結していないアウターリード１２の延長線上でダイパット３と連結されているが、ＧＮＤリード１３の屈曲部１４が４つのコーナーを有したコの字状に形成されていてもよい。すなわち、インナーリード５と連結していないアウターリード１２の延長線上でダイパット３と連結しなくてもよい。   In the illustrated example, the GND lead 13 is connected to the die pad 3 on the extension line of the outer lead 12 not connected to the inner lead 5 as described above, but the bent portion 14 of the GND lead 13 has four corners. It may be formed in a U-shape having That is, it is not necessary to connect with the die pad 3 on the extension line of the outer lead 12 that is not connected with the inner lead 5.

この図２に示されるリードフレームの特徴は、吊りリード８が封止エリア１７の内部でダイパット３と連なっており、したがってダイパット３および放熱フィン４と同一の電位であり、また吊りリード８が前述の仮想の四辺のうちの放熱フィン４の存在する辺に設けられていることにある。   The feature of the lead frame shown in FIG. 2 is that the suspension lead 8 is connected to the die pad 3 inside the sealing area 17, and therefore has the same potential as the die pad 3 and the heat radiating fin 4. It exists in the edge | side in which the radiation fin 4 exists among these four virtual sides.

吊りリード８が樹脂による封止エリア１７の内部におけるリードフレーム構成物と連結していない場合は、半導体装置の製造時に吊りリード８をカットするときの機械的応力によって引抜かれてしまわないように、吊りリード８における封止エリア１７の内部に位置する部分に突出部を設けることが必要となり、このため突出部を設けるための領域を確保することが必要となるため、パッケージサイズが大型化してしまう。これに対し、吊りリード８を、樹脂による封止エリア１７の内部におけるリードフレーム構成物であるインナーリード５またはダイパット３と連結させると、それによるアンカー効果が得られるため、吊りリード８をカットするときの機械的応力による引抜きを防ぐことが可能である。これにより、上述の突出部を設けるための領域が不要になって、パッケージの小型化を図ることができる。   If the suspension lead 8 is not connected to the lead frame structure inside the sealing area 17 made of resin, it should not be pulled out by mechanical stress when the suspension lead 8 is cut during the manufacture of the semiconductor device. Since it is necessary to provide a projecting portion at a portion of the suspension lead 8 located inside the sealing area 17, it is necessary to secure a region for providing the projecting portion, which increases the package size. . On the other hand, when the suspension lead 8 is connected to the inner lead 5 or the die pad 3 which is a lead frame component inside the sealing area 17 made of resin, the anchor effect is obtained thereby, so the suspension lead 8 is cut. It is possible to prevent drawing due to mechanical stress. Thereby, the area | region for providing the above-mentioned protrusion part becomes unnecessary, and size reduction of a package can be achieved.

ここで、高耐圧素子を有する半導体チップをリードフレームに保持する場合は、ＧＮＤリード１３の延長線上に配置されたアウターリード１２およびこれと同一電位である放熱フィン４と、ＧＮＤリード１３に隣接するインナーリード５についての外方への延長線上に配置されたアウターリード１２との間に、比較的に高い電位差が生じる。このため、ＧＮＤリード１３に接続されたアウターリード１２および放熱フィン４と、他のアウターリード１２との絶縁距離を大きくとる必要がある。この絶縁距離は、具体的には、電位差１０００Ｖに対して１ｍｍほどであればよい。   Here, when a semiconductor chip having a high withstand voltage element is held in the lead frame, the outer lead 12 disposed on the extension line of the GND lead 13, the radiation fin 4 having the same potential as this, and the GND lead 13 are adjacent to each other. A relatively high potential difference is generated between the inner lead 5 and the outer lead 12 arranged on the outward extension line. For this reason, it is necessary to increase the insulation distance between the outer lead 12 and the heat radiation fin 4 connected to the GND lead 13 and the other outer lead 12. Specifically, the insulation distance may be about 1 mm for a potential difference of 1000V.

パッケージの小型化を図る観点にもとづき検討すると、吊りリード８を、樹脂による封止エリア１７の内部におけるリードフレーム構成物であるインナーリード５と連結すると、これらインナーリード５と吊りリード８とが同一電位となってしまい、吊りリード８が上述のように放熱フィン４の存在する辺に設けられた場合は、吊りリード８に対して高い電位差を有する放熱フィン４との絶縁距離が必要となり、半導体装置はインナーリード５が設けられている方向に大型化しなければならなくなる。また、吊りリード８がアウターリード１２の存在する辺に設けられた場合は、同様に吊りリード８に対して高い電位差を有するＧＮＤリード１３との絶縁距離が必要となり、しかも吊りリード８を設ける領域を確保しなければならないため、半導体装置のパッケージを放熱フィン４の存在する方向に大型化しなければならなくなる。   Considering from the viewpoint of reducing the size of the package, when the suspension lead 8 is connected to the inner lead 5 which is a lead frame component inside the sealing area 17 made of resin, the inner lead 5 and the suspension lead 8 are the same. When the suspension lead 8 is provided on the side where the radiation fin 4 exists as described above, an insulation distance from the radiation fin 4 having a high potential difference with respect to the suspension lead 8 is required. The apparatus must be enlarged in the direction in which the inner lead 5 is provided. Further, when the suspension lead 8 is provided on the side where the outer lead 12 exists, similarly, an insulation distance from the GND lead 13 having a high potential difference with respect to the suspension lead 8 is required, and the region where the suspension lead 8 is provided. Therefore, it is necessary to increase the size of the semiconductor device package in the direction in which the heat dissipating fins 4 exist.

吊りリード８が放熱フィン４に連続するダイパット３と連結するように設けられた場合は、この吊りリード８は放熱フィン４と同一電位となる。しかし、この放熱フィン４と同一電位となる吊りリード８がアウターリード１２の存在する辺に設けられた場合は、放熱フィン４および吊りリード８に対して比較的に高い電位差を有するインナーリード５についての外方への延長線上に配置されたアウターリード１２に対して相応の絶縁距離が必要となるため、半導体装置６を放熱フィン４が存在する方向に大型化しなければならなくなる。   When the suspension lead 8 is provided so as to be connected to the die pad 3 continuous with the heat radiation fin 4, the suspension lead 8 has the same potential as the heat radiation fin 4. However, when the suspension lead 8 having the same potential as that of the radiating fin 4 is provided on the side where the outer lead 12 exists, the inner lead 5 having a relatively high potential difference with respect to the radiating fin 4 and the suspending lead 8. Since a corresponding insulation distance is required for the outer lead 12 arranged on the outwardly extending line, the semiconductor device 6 must be enlarged in the direction in which the radiation fins 4 are present.

しかし、図示のように、放熱フィン４に連続したダイパット３に連結され放熱フィン４と同一電位とされた吊りリード８が、放熱フィン４の存在する辺から樹脂による封止エリア１７の領域外へと延びるように設けられた場合は、吊りリード８との間に比較的に高い電位差を有するインナーリード５の外側延長線上に配置されたアウターリード１２に対して、封止エリア１７に対応して形成される樹脂パッケージの角部を介して長い沿面距離を有することが可能となるため、半導体装置を大型化する必要がなくなり、その小型化を図ることが可能となる。   However, as shown in the drawing, the suspension lead 8 connected to the die pad 3 connected to the radiating fin 4 and having the same potential as that of the radiating fin 4 extends from the side where the radiating fin 4 exists to the outside of the sealing area 17 made of resin. The outer lead 12 disposed on the outer extension line of the inner lead 5 having a relatively high potential difference with the suspension lead 8 corresponds to the sealing area 17. Since it is possible to have a long creepage distance through the corner portion of the formed resin package, it is not necessary to increase the size of the semiconductor device, and it is possible to reduce the size.

なお、ダイパット３と連結した吊りリード８の本数は、アウターリード１２と放熱フィン４とをカットする工程後において半導体装置をリードフレーム枠１０に支持することが可能である本数であればよく、そのため３本以上であることが望ましい。   The number of the suspension leads 8 connected to the die pad 3 may be any number as long as the semiconductor device can be supported on the lead frame frame 10 after the step of cutting the outer leads 12 and the radiating fins 4. It is desirable that there are three or more.

また吊りリード８は、放熱フィン４と連結したタイバー１６をカットするときに切れない位置に設ければよい。つまり、タイバーカットのための刃が当たらない位置に設ければよい。   The suspension lead 8 may be provided at a position where it cannot be cut when the tie bar 16 connected to the radiation fin 4 is cut. That is, it may be provided at a position where the blade for tie bar cutting does not hit.

（第３の実施の形態）
図３〜図７に、図２に表わされたリードフレームを用いた小型半導体装置の製造方法を示す。なお、図１に表わされたリードフレームを用いてもよい。 (Third embodiment)
3 to 7 show a method of manufacturing a small semiconductor device using the lead frame shown in FIG. Note that the lead frame shown in FIG. 1 may be used.

図３に示すように、ダイパット３に、高耐圧用素子である半導体チップ２が搭載される。このとき半導体チップ２は、導電性接着剤でダイパット３にダイボンドされる。なお、本実施の形態では上記のようにダイボンド材として導電性接着剤を用いたが、それに限定されるものではなく、たとえば半田を用いてもよい。なお、本実施の形態では上記のように半導体チップ２は高耐圧用素子であるが、それに限定されるものではなく、半導体装置に高放熱性を必要とする半導体チップ２であってもよい。搭載された半導体チップ２の電極パット７とインナーリード５のボンディング部とが、金属細線９でワイヤーボンドされて、電気的接続が取られる。   As shown in FIG. 3, a semiconductor chip 2, which is a high breakdown voltage element, is mounted on the die pad 3. At this time, the semiconductor chip 2 is die-bonded to the die pad 3 with a conductive adhesive. In the present embodiment, the conductive adhesive is used as the die bond material as described above. However, the present invention is not limited thereto, and for example, solder may be used. In the present embodiment, as described above, the semiconductor chip 2 is a high breakdown voltage element. However, the semiconductor chip 2 is not limited thereto, and may be a semiconductor chip 2 that requires high heat dissipation in a semiconductor device. The electrode pad 7 of the mounted semiconductor chip 2 and the bonding portion of the inner lead 5 are wire-bonded by the fine metal wire 9 to be electrically connected.

次に、図４に示すように、半導体チップ２と電気的接続が取られたリードフレームは、例えばエポキシ樹脂といった封止樹脂１１を用いてトランスファーモールド法などにより封止される。図中における仮想線は、そのための樹脂供給経路２１すなわちゲートを概念的に示したものである。１５は、樹脂供給後のゲート残りである。この樹脂封止工程によって、放熱フィン４の一部と、タイバー１６と、インナーリード５に連結したアウターリード１２と、吊りリード８とが、封止樹脂１１の端面から露出される。このとき、樹脂封止１１による封止は、ハンマーゲート方式によって行われていることが望ましい。   Next, as shown in FIG. 4, the lead frame electrically connected to the semiconductor chip 2 is sealed by a transfer molding method or the like using a sealing resin 11 such as an epoxy resin. The virtual line in the figure conceptually shows the resin supply path 21 for that purpose, that is, the gate. Reference numeral 15 denotes a gate remaining after the resin is supplied. Through this resin sealing step, a part of the heat radiating fin 4, the tie bar 16, the outer lead 12 connected to the inner lead 5, and the suspension lead 8 are exposed from the end surface of the sealing resin 11. At this time, the sealing with the resin sealing 11 is preferably performed by a hammer gate method.

ハンマーゲート方式ではなく、スルーゲート方式で樹脂封止を行った場合は、矩形状のパッケージの二辺にゲート残りが発生する。すると、ゲート残りとなった樹脂をカットして除去する工程において、図示のものでは、樹脂封止エリア内から樹脂封止エリア外にわたって存在する吊りリード８のうち、少なくとも２本がカットされてしまう。これにより、アウターリード１２と放熱フィン４とをカットする工程の後において、半導体装置をリードフレーム枠１０に支持する強度が低くなって、その後の加工性、搬送性を悪化させてしまう。また、スルーゲート残りの樹脂によって、放熱フィン４にバリが付着してしまう。これらを防ぐためには、スルーゲートが放熱フィン４や吊りリード８にかからないようにすることを目的として、スルーゲートを細くするか、半導体装置を大きくしなければならない。スルーゲートを細くすると、キャビティへの封止樹脂１１の充填性が悪化し、生産性や歩留が悪化してしまうという問題点が発生する。   When resin sealing is performed by the through gate method instead of the hammer gate method, the gate remains on the two sides of the rectangular package. Then, in the step of cutting and removing the resin remaining as a gate, in the illustrated example, at least two of the suspension leads 8 existing from the inside of the resin sealing area to the outside of the resin sealing area are cut. . As a result, after the step of cutting the outer leads 12 and the heat radiating fins 4, the strength of supporting the semiconductor device on the lead frame frame 10 is lowered, and the subsequent workability and transportability are deteriorated. Further, burrs adhere to the heat radiation fin 4 due to the resin remaining in the through gate. In order to prevent these, the through gate must be thinned or the semiconductor device must be enlarged for the purpose of preventing the through gate from being applied to the heat radiating fins 4 and the suspension leads 8. When the through gate is made thin, the filling property of the sealing resin 11 into the cavity is deteriorated, which causes a problem that productivity and yield are deteriorated.

それに対して、ハンマーゲート方式で樹脂封止を行った場合は、樹脂封止エリア内から樹脂封止エリア外へと延びるように設けられた吊りリード８を有する少なくとも三辺、もしくは吊りリード８を有する矩形状のパッケージにおける少なくとも３点の角部が、その後のゲートカットにおいて取り除かれることがない。このため、アウターリード１２と封止樹脂１１から露出した放熱フィン４の部分とのカット工程後においても、半導体装置をリードフレーム枠１０に確実に支持することが可能となり、また、放熱フィン４にゲート残り１５によるバリが発生しない。このため、半導体装置６の小型化が可能となるのである。   On the other hand, when the resin sealing is performed by the hammer gate method, at least three sides having the suspension leads 8 provided so as to extend from the inside of the resin sealing area to the outside of the resin sealing area, or the suspension leads 8 are provided. At least three corners of the rectangular package with which it has are not removed in subsequent gate cuts. For this reason, even after the cutting process between the outer lead 12 and the portion of the radiating fin 4 exposed from the sealing resin 11, the semiconductor device can be reliably supported on the lead frame frame 10. No burrs are generated by the remaining gate 15. For this reason, the semiconductor device 6 can be downsized.

その後、ゲートカットによって、樹脂封止で発生したゲート残り１５が除去され、タイバー１６はタイバーカットによって除去される。
次に、図５に示すタイバーカットされた半導体装置は、アウターリード１２の先端部と、封止樹脂１１から露出した放熱フィン４における先端部とがカットされる。１８は、カットのための切断線である。このようなカットがなされても、半導体装置は、吊りリード８によって、リードフレーム枠１０に支持される。 Thereafter, the gate remaining 15 generated by the resin sealing is removed by gate cutting, and the tie bar 16 is removed by tie bar cutting.
Next, in the tie bar cut semiconductor device shown in FIG. 5, the front end portion of the outer lead 12 and the front end portion of the radiating fin 4 exposed from the sealing resin 11 are cut. Reference numeral 18 denotes a cutting line for cutting. Even if such a cut is made, the semiconductor device is supported on the lead frame frame 10 by the suspension leads 8.

次に、図６に示すように、それぞれ先端がカットされたアウターリード１２と放熱フィン４とは、ガルウイング状に曲げ加工される。この時、封止樹脂１１から露出した放熱フィン４をガルウイング状に屈曲させる工程と、アウターリード１２をガルウイング状に屈曲させる工程とは、同時に行われることが望ましい。これらの屈曲工程を同時に行うことによって、アウターリード１２と放熱フィン４とについて同様な曲げ形状を得ることができる。１９はアウターリード１２の折り曲げ屈曲部、２０は放熱フィン４の折り曲げ屈曲部である。   Next, as shown in FIG. 6, the outer leads 12 and the heat radiating fins 4 whose ends are cut are bent into a gull wing shape. At this time, it is desirable that the step of bending the radiating fins 4 exposed from the sealing resin 11 into a gull wing and the step of bending the outer lead 12 into a gull wing are performed simultaneously. By performing these bending steps at the same time, the same bent shape can be obtained for the outer lead 12 and the radiating fin 4. Reference numeral 19 denotes a bent portion of the outer lead 12, and 20 denotes a bent portion of the radiating fin 4.

次に、図７に示すように、ガルウイング状に曲げ加工されたアウターリード１２と放熱フィン４は、長さを揃えるため、その先端をカットされる。このとき、ガルウイング状に屈曲した放熱フィン４の先端をカットする工程と、ガルウイング状に屈曲したアウターリード１２の先端をカットする工程とが、同時に行われることが望ましい。両者の先端カットを同時に行うことによって、アウターリード１２と放熱フィン４について良好な平坦度を得ることができ、その結果、半導体装置の実装不良の発生を低減することができる。   Next, as shown in FIG. 7, the tips of the outer leads 12 and the heat radiating fins 4 bent into a gull wing shape are cut in order to have the same length. At this time, it is desirable that the step of cutting the tips of the radiating fins 4 bent into a gull wing and the step of cutting the tips of the outer leads 12 bent into a gull wing are performed simultaneously. By performing both end cuttings simultaneously, good flatness can be obtained for the outer leads 12 and the heat radiating fins 4, and as a result, the occurrence of defective mounting of the semiconductor device can be reduced.

このようにアウターリード１２と封止樹脂１１から露出した放熱フィン４とを加工した後、半導体装置をリードフレーム枠１０に保持していた吊りリード８は切断され、それによって小型半導体装置が単品化される。図８および図９は、それによって得られた小型半導体装置を示す。図９（ａ）は図８（ａ）におけるＡ−Ａ′線に沿った断面図、図９（ｂ）は図８（ａ）におけるＢ−Ｂ′線に沿った断面図である。   After processing the outer leads 12 and the radiating fins 4 exposed from the sealing resin 11 in this way, the suspension leads 8 holding the semiconductor device on the lead frame frame 10 are cut, thereby making the small semiconductor device a single product. Is done. 8 and 9 show a small semiconductor device obtained thereby. 9A is a cross-sectional view taken along line AA ′ in FIG. 8A, and FIG. 9B is a cross-sectional view taken along line BB ′ in FIG. 8A.

上述のとおり、本発明の実施の形態の半導体装置の製造方法は、吊りリード８によって半導体装置をリードフレーム枠１０に支持したまま、アウターリード１２と、封止樹脂１１から露出した放熱フィン４とをカットベンドすることができ、良好な生産性を得ることが可能である。   As described above, the method of manufacturing a semiconductor device according to the embodiment of the present invention includes the outer lead 12 and the heat radiation fin 4 exposed from the sealing resin 11 while the semiconductor device is supported on the lead frame frame 10 by the suspension leads 8. Can be cut and bent, and good productivity can be obtained.

また、上述の方法によって製造された本発明の実施の形態の半導体装置は、封止樹脂１１から露出した放熱フィン４をガルウイング状に屈曲させる工程と、アウターリード１２をガルウイング状に屈曲させる工程とが同時に行われることによって、また、ガルウイング状に屈曲した放熱フィン４の先端をカットする工程と、ガルウイング状に屈曲したアウターリード１２の先端をカットする工程とが同時に行われることによって、アウターリード１２と封止樹脂１１から露出した放熱フィン４との平坦度が良好であり、その結果、実装不良の発生を低減することが可能である。   The semiconductor device according to the embodiment of the present invention manufactured by the above-described method includes a step of bending the radiating fin 4 exposed from the sealing resin 11 into a gull wing shape, and a step of bending the outer lead 12 into a gull wing shape. Are simultaneously performed, and the step of cutting the tips of the radiating fins 4 bent into a gull wing and the step of cutting the tips of the outer leads 12 bent into a gull wing are performed at the same time. And the heat radiation fin 4 exposed from the sealing resin 11 have good flatness, and as a result, occurrence of mounting defects can be reduced.

本発明の半導体装置用リードフレームおよびそれを用いた半導体装置の製造方法は、アウターリードおよび放熱フィンをリードフレーム枠に支持したままカットベンドすることが可能なものであり、このため、生産性が改善され、またアウターリードと放熱フィンとの平坦度が良好となり、実装不良の発生の低減が可能となるため、種々の電子機器に適用される高放熱性半導体装置などに有用である。   The lead frame for a semiconductor device and the method for manufacturing a semiconductor device using the semiconductor device according to the present invention can be cut-bended while the outer lead and the heat radiating fin are supported on the lead frame frame. Further, the flatness between the outer leads and the heat radiation fins is improved, and the occurrence of mounting defects can be reduced. Therefore, it is useful for a high heat radiation semiconductor device applied to various electronic devices.

本発明の第１の実施の形態のリードフレームの構成を示す平面図The top view which shows the structure of the lead frame of the 1st Embodiment of this invention 本発明の第２の実施の形態のリードフレームの構成を示す平面図The top view which shows the structure of the lead frame of the 2nd Embodiment of this invention 本発明の第３の実施の形態にもとづく半導体装置の製造過程を示す平面図The top view which shows the manufacturing process of the semiconductor device based on the 3rd Embodiment of this invention 図３の次の段階の過程を示す平面図The top view which shows the process of the next step of FIG. 図４の次の段階の過程を示す平面図The top view which shows the process of the next step of FIG. 図５の次の段階の過程を示す平面図The top view which shows the process of the next step of FIG. 図６の次の段階の過程を示す平面図The top view which shows the process of the next step of FIG. 本発明の実施の形態の半導体装置を示す図The figure which shows the semiconductor device of embodiment of this invention 図８の半導体装置の断面図Sectional view of the semiconductor device of FIG. 従来の高耐圧用素子などの半導体装置のためのリードフレームの構成を示す平面図A plan view showing the configuration of a lead frame for a semiconductor device such as a conventional high voltage element 従来の半導体装置の製造過程を示す平面図Plan view showing the manufacturing process of a conventional semiconductor device 図１１の次の段階の過程を示す平面図The top view which shows the process of the next step of FIG. 図１２の次の段階の過程を示す平面図The top view which shows the process of the next step of FIG. 図１３の次の段階の過程を示す平面図The top view which shows the process of the next step of FIG. 図１４の次の段階の過程を示す平面図FIG. 14 is a plan view showing the process of the next stage of FIG. 図１５の次の段階の過程を示す平面図The top view which shows the process of the next step of FIG. 図１６の次の段階の過程を示す平面図The top view which shows the process of the next step of FIG. 図１７の次の段階の過程を示す平面図The top view which shows the process of the next step of FIG. 図１８の次の段階の過程を示す平面図The top view which shows the process of the next step of FIG.

符号の説明Explanation of symbols

３ ダイパット
４ 放熱フィン
５ インナーリード
８ 吊りリード
１０ リードフレーム枠
１２ アウターリード
１７ 封止エリア 3 Die pad 4 Radiation fin 5 Inner lead 8 Hanging lead 10 Lead frame frame 12 Outer lead 17 Sealing area

Claims (7)

半導体チップを搭載するためのダイパットと、このダイパットを中央に位置させて設定された仮想の四辺のうちの対向する二辺から外向きに延びるように配置された放熱フィンと、前記四辺のうちの残りの二辺に向かう方向に形成された複数のインナーリードとを有する半導体装置用リードフレームであって、吊りリードを有し、この吊りリードは、半導体装置における樹脂封止エリアの内部と、リードフレームにおける封止樹脂から露出した放熱フィンの部分以外の部分とにわたって配置されていることを特徴とする半導体装置用リードフレーム。   A die pad for mounting a semiconductor chip, a heat dissipating fin arranged to extend outward from two opposite sides of the virtual four sides set by positioning the die pad in the center, and of the four sides A lead frame for a semiconductor device having a plurality of inner leads formed in a direction toward the remaining two sides, and having a suspension lead, the suspension lead being formed inside the resin-encapsulated area in the semiconductor device and the lead A lead frame for a semiconductor device, wherein the lead frame is disposed over a portion other than the portion of the heat radiating fin exposed from the sealing resin in the frame. 半導体チップは高耐圧用素子であり、吊りリードは、ダイパットと連なっているとともに、四辺のうちの放熱フィンの存在する辺に設けられていることを特徴とする請求項１記載の半導体装置用リードフレーム。   2. The lead for a semiconductor device according to claim 1, wherein the semiconductor chip is a high-breakdown-voltage element, and the suspension lead is connected to the die pad, and is provided on a side of the four sides where the radiation fins are present. flame. 請求項１または２に記載の半導体装置用リードフレームを用い、ダイパットと半導体チップと放熱フィンの一部とインナーリードと吊りリードの一部とを樹脂で封止し、封止樹脂から露出した放熱フィンの部分とアウターリードとをリードフレームからカットしたうえでガルウイング状に屈曲させ、その後、封止樹脂から露出した吊りリードの部分をリードフレームからカットすることを特徴とする半導体装置の製造方法。   3. The semiconductor device lead frame according to claim 1 or 2, wherein the die pad, the semiconductor chip, a part of the radiating fin, a part of the inner lead and the part of the suspension lead are sealed with resin, and the heat dissipation exposed from the sealing resin. A method for manufacturing a semiconductor device, comprising: cutting a fin portion and an outer lead from a lead frame, bending the fin lead in a gull wing shape, and then cutting the portion of the suspended lead exposed from the sealing resin from the lead frame. ハンマーゲート方式によって樹脂による封止を行うことを特徴とする請求項３記載の半導体装置の製造方法。   4. The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 3, wherein sealing with resin is performed by a hammer gate method. 封止樹脂から露出した放熱フィンの部分をガルウイング状に屈曲させる工程と、アウターリードをガルウイング状に屈曲させる工程とを同時に行うことを特徴とする請求項３または４記載の半導体装置の製造方法。   5. The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 3, wherein the step of bending the portion of the radiation fin exposed from the sealing resin into a gull wing and the step of bending the outer lead into a gull wing are performed simultaneously. ガルウイング状に屈曲された放熱フィンの先端をカットする工程と、ガルウイング状に屈曲されたアウターリードの先端をカットする工程とを同時に行うことを特徴とする請求項３から５までのいずれか１項記載の半導体装置の製造方法。   6. The method according to claim 3, wherein the step of cutting the tip of the radiating fin bent into a gull wing and the step of cutting the tip of the outer lead bent into a gull wing are performed simultaneously. The manufacturing method of the semiconductor device of description. 請求項３から６までのいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法を用いて製造されたものであることを特徴とする半導体装置。   A semiconductor device manufactured using the method for manufacturing a semiconductor device according to claim 3.
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