JP2009010208A - Compound lead frame and semiconductor device using compound lead frame - Google Patents
Compound lead frame and semiconductor device using compound lead frame Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009010208A JP2009010208A JP2007170802A JP2007170802A JP2009010208A JP 2009010208 A JP2009010208 A JP 2009010208A JP 2007170802 A JP2007170802 A JP 2007170802A JP 2007170802 A JP2007170802 A JP 2007170802A JP 2009010208 A JP2009010208 A JP 2009010208A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead frame
- heat sink
- caulked
- composite
- pad
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 61
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 title abstract 5
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 39
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 39
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 26
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 42
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 claims description 6
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 3
- 230000005855 radiation Effects 0.000 abstract description 2
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 2
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 2
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000640 Fe alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000005728 strengthening Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
Landscapes
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
Description
本発明は、リードフレームに放熱板がかしめ結合された複合リードフレーム及びこの複合リードフレームを用いた半導体装置に関する。 The present invention relates to a composite lead frame in which a heat sink is caulked to a lead frame, and a semiconductor device using the composite lead frame.
半導体装置は高速化(高周波化)、小型化、低コスト化を要請され、放熱性がすぐれた小型の半導体装置が提案されている。放熱性をよくするには放熱板が、リードフレームを介して半導体装置に取付けられ、この放熱板の一面が封止樹脂から露出している。
一方、放熱板はリードフレームに接着テープにより設けられるが、接着テープは吸湿性があって、樹脂封止した後、半導体装置としての使用時の温度上昇によって吸湿分が気化、膨張し、封止樹脂に亀裂や剥離を生じる。特に、小型化のために樹脂封止パッケージを薄型にする場合にはこれが顕著になる。また、接着テープはコスト高をもたらす。
Semiconductor devices are required to have high speed (high frequency), small size, and low cost, and small semiconductor devices with excellent heat dissipation have been proposed. In order to improve heat dissipation, a heat sink is attached to the semiconductor device via a lead frame, and one surface of the heat sink is exposed from the sealing resin.
On the other hand, the heat sink is provided on the lead frame with adhesive tape. The adhesive tape is hygroscopic, and after sealing with resin, the moisture absorption vaporizes and expands due to temperature rise during use as a semiconductor device. Cracks and peeling occur in the resin. This is particularly noticeable when the resin-sealed package is made thin for miniaturization. Moreover, the adhesive tape brings about high cost.
このような事情から、例えば、特許文献1に記載のリードフレーム及び半導体装置が提案されている。この特許文献1に記載の複合リードフレームを図7(A)〜(D)に示すが、図7(A)、(B)に示すように、リード60に対して中央のパッド61が下位置にあるリードフレーム62の前記パッド61に複数のかしめ突起63を形成し、図7(C)、(D)に示す放熱板64の所定位置にかしめ穴65を形成して、かしめ手段によって放熱板64をリードフレーム62に結合することがなされている。
Under such circumstances, for example, a lead frame and a semiconductor device described in Patent Document 1 have been proposed. The composite lead frame described in Patent Document 1 is shown in FIGS. 7A to 7D. As shown in FIGS. 7A and 7B, the
しかしながら、特許文献1記載のリードフレーム及びその半導体装置の技術を用いて、
薄型の半導体装置を製造する場合、樹脂封止している樹脂に剥離を生じるおそれがある。
また、リードフレームと放熱板は一般に板厚が異なり、放熱板が厚く、リードフレームが薄いことから、温度上昇による熱膨張の差に起因してリードフレームと放熱板の間で剥がれが発生することがある。
However, using the technology of the lead frame and its semiconductor device described in Patent Document 1,
In the case of manufacturing a thin semiconductor device, there is a possibility that peeling occurs in the resin which is sealed with resin.
In addition, the lead frame and the heat sink generally have different thicknesses, and the heat sink is thick and the lead frame is thin, so peeling may occur between the lead frame and the heat sink due to the difference in thermal expansion due to temperature rise. .
本発明はかかる事情に鑑みてなされたもので、小型化、高速化、低コスト化を図りながら半導体装置に樹脂の亀裂や剥離が生ぜず信頼性がすぐれ、且つ、リードフレームと放熱板が繰り返して温度上昇及び降下を受けても放熱板が剥がれず、強く結合した複合リードフレーム及びこれを用いた半導体装置を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of such circumstances, and the semiconductor device is excellent in reliability without cracking or peeling of the resin while reducing the size, increasing the speed, and reducing the cost, and the lead frame and the heat sink are repeated. Accordingly, an object of the present invention is to provide a composite lead frame and a semiconductor device using the same, in which the heat sink is not peeled off even if the temperature rises and falls.
前記目的に沿う第1の発明に係る複合リードフレームは、リードフレームに放熱板がかしめ結合された複合リードフレームにおいて、
前記リードフレームのパッドに前記放熱板がかしめ結合され、該かしめ結合したパッドと前記放熱板を通して貫通し、封止樹脂が(通して)入り込む導通孔が形成されている。
The composite lead frame according to the first invention that meets the above object is a composite lead frame in which a heat sink is caulked and coupled to the lead frame.
The heat radiating plate is caulked and coupled to the pad of the lead frame, and a conduction hole is formed through the caulking and bonding pad and the heat radiating plate so that the sealing resin enters (through).
また、第2の発明に係る複合リードフレームは、リードフレームに放熱板がかしめ結合された複合リードフレームにおいて、
前記リードフレームの複数の支持リードに前記放熱板がかしめ結合され、該かしめ結合した複数の前記支持リードのそれぞれと前記放熱板を通して貫通し、封止樹脂が(通して)入り込む導通孔がそれぞれ形成されている。
The composite lead frame according to the second invention is a composite lead frame in which a heat sink is caulked and coupled to the lead frame.
The heat sink is caulked and coupled to the plurality of support leads of the lead frame, and a plurality of the caulking coupled support leads and through holes through the heat dissipating plate are formed, and through holes through which sealing resin enters (through) are formed. Has been.
なお、第1、第2の発明に係る複合リードフレームにおいて、前記リードフレームと前記放熱板とのかしめ結合は、前記リードフレームの所定位置に設けられた貫通孔に前記放熱板の上部に設けられたかしめ突起が嵌入して形成されているものであってもよいし、従来のように、リードフレームに形成した半抜き突起を放熱板の上部に設けたかしめ穴に嵌入させてもよい。 In the composite lead frame according to the first and second inventions, the caulking coupling between the lead frame and the heat radiating plate is provided at an upper portion of the heat radiating plate in a through hole provided at a predetermined position of the lead frame. Caulking protrusions may be inserted and formed, or half-extruded protrusions formed on the lead frame may be inserted into the caulking holes provided on the upper portion of the heat radiating plate as in the prior art.
第3の発明に係る半導体装置は、リードフレームに放熱板がかしめ結合された複合リードフレームに半導体チップを搭載し、該半導体チップの電極とリードを電気的に接続して樹脂封止した半導体装置において、
前記リードフレームのパッドに前記放熱板がかしめ結合されていると共に、該パッドと前記放熱板を通して貫通した導通孔が形成され、前記パッドに搭載された前記半導体チップの電極と前記リードが電気的に接続され、前記放熱板の下面を露出して前記半導体チップ及び前記リードが樹脂封止され、前記放熱板と前記パッドの前記導通孔に封止樹脂が(通して)入り込んでいる。
According to a third aspect of the present invention, there is provided a semiconductor device in which a semiconductor chip is mounted on a composite lead frame in which a heat sink is caulked and joined to a lead frame, and the electrodes and leads of the semiconductor chip are electrically connected and sealed with a resin. In
The heat sink is caulked to the pad of the lead frame, and a conduction hole is formed through the pad and the heat sink to electrically connect the electrode of the semiconductor chip mounted on the pad and the lead. The semiconductor chip and the lead are resin-sealed by exposing the lower surface of the heat radiating plate, and sealing resin enters (through) the conduction holes of the heat radiating plate and the pad.
そして、第4の発明に係る半導体装置は、リードフレームに放熱板がかしめ結合された複合リードフレームに半導体チップを搭載し、該半導体チップの電極とリードを電気的に接続し、樹脂封止した半導体装置において、
前記リードフレームの複数の支持リードに前記放熱板がかしめ結合されていると共に、該支持リードと前記放熱板を通して貫通した導通孔が形成され、前記放熱板に搭載された前記半導体チップの電極と前記リードが電気的に接続され、前記放熱板の下面を露出して、前記半導体チップ及び前記リードが樹脂封止され、前記放熱板と前記支持リードの前記導通孔に封止樹脂が(通して)入り込んでいる。
In the semiconductor device according to the fourth aspect of the present invention, a semiconductor chip is mounted on a composite lead frame in which a heat sink is caulked and bonded to the lead frame, the electrodes of the semiconductor chip and the leads are electrically connected, and the resin is sealed. In semiconductor devices,
The heat sink is caulked and coupled to a plurality of support leads of the lead frame, and a conduction hole penetrating through the support lead and the heat sink is formed, and the electrode of the semiconductor chip mounted on the heat sink and the A lead is electrically connected, the lower surface of the heat sink is exposed, the semiconductor chip and the lead are resin-sealed, and a sealing resin is passed through the conduction hole of the heat sink and the support lead It has entered.
請求項1及びこれに従属する請求項3記載の複合リードフレームによると、リードフレームのパッドに放熱板がかしめ結合され、且つ、パッドと放熱板を通して貫通し樹脂封止の樹脂が入り込む導通孔が形成されているので、接着テープが不要でコストを低下しながら、導通孔には樹脂封止した樹脂が入り込んでパッドと放熱板の結合をより高めると共に、樹脂と複合リードフレームの接合強度が増し、樹脂の剥離や亀裂を防止する。この効果は薄く樹脂封止し、放熱板の下面を露出した半導体装置を製造する場合に顕著にあらわれる。 According to the composite lead frame of claim 1 and claim 3 dependent thereon, the heat sink is caulked and coupled to the pad of the lead frame, and the conduction hole through which the resin sealing resin penetrates through the pad and the heat sink As it is formed, adhesive tape is not required and the cost is reduced, while resin-sealed resin enters the conduction hole to increase the bonding between the pad and the heat sink, and the bonding strength between the resin and the composite lead frame increases. Prevents resin peeling and cracking. This effect is conspicuous when manufacturing a semiconductor device that is thinly resin-sealed and exposes the lower surface of the heat sink.
請求項2及びこれに従属する請求項3記載の複合リードフレームによると、リードフレームの複数の支持リードに放熱板がかしめ結合され、且つ、支持リードのそれぞれと放熱板を貫通した導通孔が形成されているので、導通孔には樹脂封止した樹脂が通して入り込み、請求項1と同様な効果が奏される。 According to the composite lead frame of claim 2 and dependent claim 3, the heat sink is caulked and coupled to the plurality of support leads of the lead frame, and a conduction hole is formed through each of the support leads and the heat sink. Therefore, the resin-sealed resin passes through the conduction hole, and the same effect as in the first aspect can be obtained.
特に、請求項3記載の複合リードフレームにおいては、リードフレームと放熱板とのかしめ結合は、リードフレームの所定位置に設けられた貫通孔に放熱板の上部に設けられたかしめ突起が嵌入して形成されているので、かしめ突起の長さをリードフレームの厚みより厚くして上端を潰すことによって、リードフレームと放熱板の結合がより強固になる。 In particular, in the composite lead frame according to claim 3, the caulking connection between the lead frame and the heat radiating plate is performed by inserting a caulking protrusion provided at an upper portion of the heat radiating plate into a through hole provided at a predetermined position of the lead frame. Since it is formed, the length of the caulking protrusion is made thicker than the thickness of the lead frame and the upper end is crushed, thereby further strengthening the coupling between the lead frame and the heat sink.
請求項4、5記載の半導体装置は、リードフレームと放熱板がかしめ結合されていると共に、リードフレームと放熱板を貫通する導通孔が設けられているので、樹脂封止時に、この導通孔に封止樹脂が通して入り込み、封止樹脂とリードフレーム及び放熱板との接合強度が高まる。これによって、薄型で放熱性がすぐれていながら、封止樹脂に亀裂や剥離が発生せず、またリードフレームと放熱板が温度上昇と降下を繰り返し受けても剥がれず、信頼性がすぐれる。 In the semiconductor device according to claims 4 and 5, the lead frame and the heat radiating plate are caulked and coupled, and a conduction hole penetrating the lead frame and the heat radiating plate is provided. The sealing resin passes through and the bonding strength between the sealing resin, the lead frame, and the heat sink increases. As a result, the sealing resin does not crack or peel off while being thin and excellent in heat dissipation, and even if the lead frame and the heat dissipation plate are repeatedly subjected to temperature rise and fall, they are not peeled off and reliability is improved.
続いて、添付した図面を参照しつつ、本発明を具体化した実施の形態につき説明し、本発明の理解に供する。
ここで、図1は本発明の第1の実施の形態に係る複合リードフレームの平面図、図2は図1におけるX−X断面図、図3は同複合リードフレームを用いた半導体装置の断面図、図4は本発明の第2の実施の形態に係る複合リードフレームの平面図、図5は図4におけるY−Y断面図、図6は同複合リードフレームを用いた半導体装置の断面図である。
Next, embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings for understanding of the present invention.
1 is a plan view of the composite lead frame according to the first embodiment of the present invention, FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line XX in FIG. 1, and FIG. 3 is a cross section of a semiconductor device using the composite lead frame. 4 is a plan view of a composite lead frame according to a second embodiment of the present invention, FIG. 5 is a cross-sectional view along line YY in FIG. 4, and FIG. 6 is a cross-sectional view of a semiconductor device using the composite lead frame. It is.
図1、図2に示すように、本発明の第1の実施の形態に係る複合リードフレーム10は、リードフレーム11とその下部に連結される放熱板12とを有している。リードフレーム11は、銅、銅合金又は鉄合金からなる薄板材をプレス加工又はエッチング加工によって造られる周知の構造であって、四角形の角部を支持リード13〜16によって支持されるパッド17とパッド17の周囲4方に配置されている複数のリード18とを有している。リード18の周囲は連結バー19で連結され、その周囲には枠体20を備える。
As shown in FIGS. 1 and 2, the
パッド17の周囲には、かしめ孔(貫通孔)21と導通孔22が設けられている。かしめ孔21はパッド17の角部近傍の内側に、導通孔22はパッド17の外側辺23の内側近傍にそれぞれ2つずつ隙間を有して設けられている。パッド17には最終的には半導体チップ24(図3参照)が搭載されるが、半導体チップ24が搭載される領域の外側に、かしめ孔21及び導通孔22は設けられている。これによって、樹脂封止時に封止樹脂31(図3参照)が導通孔22に確実に入り込み、更には、半導体チップ24の搭載する領域の平面性を確保している。
A caulking hole (through hole) 21 and a
放熱板12は、リードフレーム11より厚い銅板材からなって、その寸法はパッド17より僅少の範囲で大きくなっている。なお、パッド17の周囲に配置される複数のリード18の先端で形成される四角形より隙間を有して小さい。
放熱板12の上部に、リードフレーム11に形成されたかしめ孔21に符合するかしめ突起26がプレス加工によって設けられている。このかしめ突起26の高さはリードフレーム11の厚みの1.2〜2倍程度あって、上部をパンチで叩いて平面状に広げ、リードフレーム11と放熱板12を強固に連結する構造となっている。
The
A
そして、この放熱板12には、リードフレーム11に形成されている導通孔22に連通する導通孔27が設けられている。導通孔22と導通孔27は封止樹脂31が通して入り込むために、平面的に見てラップしていることが条件であるが、導通孔22と導通孔27は正確に軸心を一致していなくてもよい。
The
この複合リードフレーム10を用いた半導体装置29を図3に示すが、パッド17の上に半導体チップ24が搭載され、半導体チップ24の各電極パッドと、リード18の先部(インナーリード)はボンディングワイヤ30でそれぞれ連結され、半導体チップ24とリード18が樹脂封止されている。この状態で、放熱板12の底部(下面)は封止樹脂31から露出し、リード18は外側が封止樹脂31から突出している。これによって、冷却効果がよく、更に封止樹脂31と複合リードフレーム10の接合性がよい半導体装置29を提供できる。
A
続いて、図4、図5に示す本発明の第2の実施の形態に係る複合リードフレーム35について説明する。
この複合リードフレーム35はリードフレーム36と放熱板37とを有している。リードフレーム36、放熱板37の材質は前記リードフレーム11と放熱板12と同じである。枠体38内に形成されたリードフレーム36の半導体チップ搭載領域の角部には対角線方向に支持リード39〜42が設けられ、その先部が四角形の放熱板37の角部に載置されている。支持リード39〜42の先部にそれぞれ基側からかしめ孔(貫通孔)43と導通孔44が設けられている。
Next, the
The
放熱板37の角部にはかしめ孔43に正確に一致するかしめ突起45が形成され、かつその内側には、導通孔44に連通する導通孔46がそれぞれ形成されている。かしめ突起45の高さは、リードフレーム36の厚みより大きく、かしめ孔43の上端から突出したかしめ突起45の先端部は押し潰されて拡径し、支持リード39〜42が放熱板37に強固に取付けられている。
A
図6はこの複合リードフレーム35を用いた半導体装置47を示すが、放熱板37の内側中央に半導体チップ48が搭載され、半導体チップ48の各電極パッドと、リード49の先部はボンディングワイヤ50でそれぞれ電気的に連結されている。なお、放熱板37の広さは、半導体チップ48の寸法の1.5〜3倍あって、周辺部にかしめ孔43及び導通孔44が形成できる隙間を有している。また、51は封止樹脂、52は放熱板37にかしめ突起45を形成した場合に発生する凹部である。そして、放熱板37の下面を露出して、半導体チップ48とリード49が樹脂封止され、支持リード39〜42と放熱板37の導通孔44、46に封止樹脂51が入りこんでいる。
FIG. 6 shows a
前記実施の形態においては、放熱板に4つのかしめ突起、8つ(又は4つ)の導通孔を設けているが、これらはそれ以下又はそれ以上の数であっても、本発明は適用される。
また、この実施の形態においては、各リードが封止樹脂の側方から突出しているが、下方に露出又は突出する場合も本発明は適用される。
In the above-described embodiment, four caulking protrusions and eight (or four) conduction holes are provided in the heat sink, but the present invention is applied even if the number is less than or more than that. The
Further, in this embodiment, each lead protrudes from the side of the sealing resin, but the present invention is also applied to the case where the lead is exposed or protrudes downward.
10:複合リードフレーム、11:リードフレーム、12:放熱板、13〜16:支持リード、17:パッド、18:リード、19:連結バー、20:枠体、21:かしめ孔、22:導通孔、23:外側辺、24:半導体チップ、26:かしめ突起、27:導通孔、29:半導体装置、30:ボンディングワイヤ、31:封止樹脂、35:複合リードフレーム、36:リードフレーム、37:放熱板、38:枠体、39〜42:支持リード、43:かしめ孔、44:導通孔、45:かしめ突起、46:導通孔、47:半導体装置、48:半導体チップ、49:リード、50:ボンディングワイヤ、51:封止樹脂、52:凹部
10: composite lead frame, 11: lead frame, 12: heat sink, 13-16: support lead, 17: pad, 18: lead, 19: connecting bar, 20: frame, 21: caulking hole, 22: conduction hole , 23: outer side, 24: semiconductor chip, 26: caulking protrusion, 27: conduction hole, 29: semiconductor device, 30: bonding wire, 31: sealing resin, 35: composite lead frame, 36: lead frame, 37: Radiation plate, 38: frame, 39 to 42: support lead, 43: caulking hole, 44: conduction hole, 45: caulking projection, 46: conduction hole, 47: semiconductor device, 48: semiconductor chip, 49: lead, 50 : Bonding wire, 51: sealing resin, 52: recess
Claims (5)
前記リードフレームのパッドに前記放熱板がかしめ結合され、該かしめ結合したパッドと前記放熱板を通して貫通し、封止樹脂が通して入り込む導通孔が形成されていることを特徴とする複合リードフレーム。 In a composite lead frame in which a heat sink is caulked and joined to the lead frame,
A composite lead frame, wherein the heat dissipation plate is caulked and bonded to the pad of the lead frame, and a conductive hole is formed through the caulking and bonding pad and the heat dissipating plate and through which a sealing resin passes.
前記リードフレームの複数の支持リードに前記放熱板がかしめ結合され、該かしめ結合した複数の前記支持リードのそれぞれと前記放熱板を通して貫通し、封止樹脂が通して入り込む導通孔がそれぞれ形成されていることを特徴とする複合リードフレーム。 In a composite lead frame in which a heat sink is caulked and joined to the lead frame,
The heat radiating plate is caulked and coupled to the plurality of support leads of the lead frame, and a plurality of the caulked and coupled support leads and through holes through which the sealing resin passes are formed. A composite lead frame characterized by
前記リードフレームのパッドに前記放熱板がかしめ結合されていると共に、該パッドと前記放熱板を通して貫通した導通孔が形成され、前記パッドに搭載された前記半導体チップの電極と前記リードが電気的に接続され、前記放熱板の下面を露出して前記半導体チップ及び前記リードが樹脂封止され、前記放熱板と前記パッドの前記導通孔に封止樹脂が通して入り込んでいることを特徴とする複合リードフレームを用いた半導体装置。 In a semiconductor device in which a semiconductor chip is mounted on a composite lead frame in which a heat sink is caulked and bonded to a lead frame, and the electrodes and leads of the semiconductor chip are electrically connected and resin-sealed,
The heat sink is caulked to the pad of the lead frame, and a conduction hole is formed through the pad and the heat sink to electrically connect the electrode of the semiconductor chip mounted on the pad and the lead. The composite is characterized in that the lower surface of the heat radiating plate is connected, the semiconductor chip and the lead are resin-sealed, and a sealing resin is inserted through the conduction hole of the heat radiating plate and the pad. A semiconductor device using a lead frame.
前記リードフレームの複数の支持リードに前記放熱板がかしめ結合されていると共に、該支持リードと前記放熱板を通して貫通した導通孔が形成され、前記放熱板に搭載された前記半導体チップの電極と前記リードが電気的に接続され、前記放熱板の下面を露出して、前記半導体チップ及び前記リードが樹脂封止され、前記放熱板と前記支持リードの前記導通孔に封止樹脂が通して入り込んでいることを特徴とする複合リードフレームを用いた半導体装置。 In a semiconductor device in which a semiconductor chip is mounted on a composite lead frame in which a heat sink is caulked and bonded to a lead frame, the electrodes of the semiconductor chip and leads are electrically connected, and resin-sealed,
The heat sink is caulked and coupled to a plurality of support leads of the lead frame, and a conduction hole penetrating through the support lead and the heat sink is formed, and the electrode of the semiconductor chip mounted on the heat sink and the A lead is electrically connected, the lower surface of the heat sink is exposed, the semiconductor chip and the lead are resin-sealed, and a sealing resin is inserted through the conduction hole of the heat sink and the support lead. A semiconductor device using a composite lead frame.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007170802A JP5096812B2 (en) | 2007-06-28 | 2007-06-28 | Semiconductor device using composite lead frame |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007170802A JP5096812B2 (en) | 2007-06-28 | 2007-06-28 | Semiconductor device using composite lead frame |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009010208A true JP2009010208A (en) | 2009-01-15 |
JP5096812B2 JP5096812B2 (en) | 2012-12-12 |
Family
ID=40324995
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007170802A Active JP5096812B2 (en) | 2007-06-28 | 2007-06-28 | Semiconductor device using composite lead frame |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5096812B2 (en) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013135022A (en) * | 2011-12-26 | 2013-07-08 | Toyota Motor Corp | Semiconductor device |
DE102015103897A1 (en) | 2014-03-18 | 2015-09-24 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Chiller frame with cooler plate, method for producing a lead frame with cooler plate, semiconductor device and method for producing a semiconductor device |
CN113202773A (en) * | 2017-08-23 | 2021-08-03 | 浙江三花智能控制股份有限公司 | Electric pump |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02163954A (en) * | 1988-12-16 | 1990-06-25 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor device |
JPH09129813A (en) * | 1995-10-26 | 1997-05-16 | Mitsui High Tec Inc | Lead frame and semiconductor device using the same |
JPH09186285A (en) * | 1996-01-04 | 1997-07-15 | Toppan Printing Co Ltd | Double layer lead frame |
JPH09205171A (en) * | 1996-01-25 | 1997-08-05 | Mitsui High Tec Inc | Lead frame and its manufacture |
JP2002280511A (en) * | 2001-03-15 | 2002-09-27 | Mitsui High Tec Inc | Method for manufacturing lead frame with heat sink plate |
JP2006140208A (en) * | 2004-11-10 | 2006-06-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Resin sealed semiconductor device, lead frame with die pad and manufacturing method of lead frame with die pad |
-
2007
- 2007-06-28 JP JP2007170802A patent/JP5096812B2/en active Active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02163954A (en) * | 1988-12-16 | 1990-06-25 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor device |
JPH09129813A (en) * | 1995-10-26 | 1997-05-16 | Mitsui High Tec Inc | Lead frame and semiconductor device using the same |
JPH09186285A (en) * | 1996-01-04 | 1997-07-15 | Toppan Printing Co Ltd | Double layer lead frame |
JPH09205171A (en) * | 1996-01-25 | 1997-08-05 | Mitsui High Tec Inc | Lead frame and its manufacture |
JP2002280511A (en) * | 2001-03-15 | 2002-09-27 | Mitsui High Tec Inc | Method for manufacturing lead frame with heat sink plate |
JP2006140208A (en) * | 2004-11-10 | 2006-06-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Resin sealed semiconductor device, lead frame with die pad and manufacturing method of lead frame with die pad |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013135022A (en) * | 2011-12-26 | 2013-07-08 | Toyota Motor Corp | Semiconductor device |
DE102015103897A1 (en) | 2014-03-18 | 2015-09-24 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Chiller frame with cooler plate, method for producing a lead frame with cooler plate, semiconductor device and method for producing a semiconductor device |
JP2015177149A (en) * | 2014-03-18 | 2015-10-05 | トヨタ自動車株式会社 | Lead frame with heat sink, manufacturing method of lead frame with heat sink, semiconductor device, and manufacturing method of semiconductor device |
CN105047635A (en) * | 2014-03-18 | 2015-11-11 | 丰田自动车株式会社 | Lead frame with radiator plate, method for manufacturing lead frame with radiator plate, semiconductor device, and method for manufacturing semiconductor device |
US9214418B2 (en) | 2014-03-18 | 2015-12-15 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Lead frame with radiator plate, method for manufacturing lead frame with radiator plate, semiconductor device, and method for manufacturing semiconductor device |
DE102015103897B4 (en) | 2014-03-18 | 2020-01-09 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Lead frame with cooler plate, method for producing a lead frame with cooler plate, semiconductor device and method for producing a semiconductor device |
CN113202773A (en) * | 2017-08-23 | 2021-08-03 | 浙江三花智能控制股份有限公司 | Electric pump |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5096812B2 (en) | 2012-12-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3087709B2 (en) | Semiconductor device and manufacturing method thereof | |
US8133759B2 (en) | Leadframe | |
JP2005217405A (en) | Thermal dissipation type semiconductor package and manufacturing method of same | |
JP2009105334A (en) | Semiconductor device and manufacturing method therefor | |
JP2007305671A (en) | Lead frame, and semiconductor device using the same | |
JP2006156436A (en) | Semiconductor device and its manufacturing method | |
JP4967277B2 (en) | Semiconductor device and manufacturing method thereof | |
JP4307362B2 (en) | Semiconductor device, lead frame, and lead frame manufacturing method | |
JP5096812B2 (en) | Semiconductor device using composite lead frame | |
US20080073763A1 (en) | Semiconductor device and method of manufacturing the same | |
JP6909630B2 (en) | Semiconductor device | |
TW381326B (en) | Semiconductor device and lead frame therefor | |
JP2008211168A (en) | Semiconductor device and semiconductor module | |
JP4291788B2 (en) | Semiconductor device and manufacturing method thereof | |
JP5066932B2 (en) | COF wiring board, manufacturing method thereof, and COF | |
JP2006286679A (en) | Semiconductor device and method of manufacturing it | |
JP3454192B2 (en) | Lead frame, resin-sealed semiconductor device using the same, and method of manufacturing the same | |
JP4207791B2 (en) | Semiconductor device | |
JP4695672B2 (en) | Semiconductor device | |
JP2007201251A (en) | Semiconductor package, and manufacturing method thereof | |
JP2005317860A (en) | Resin sealed semiconductor device | |
JP2008258541A (en) | Semiconductor device and its manufacturing method | |
JP4676252B2 (en) | Circuit device manufacturing method | |
JP2009158825A (en) | Semiconductor device | |
JP4241408B2 (en) | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20100319 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100713 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120612 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120806 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120828 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120921 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 5096812 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150928 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |