JP2008181921A - 電子部品内蔵基板とこれを用いた電子機器、およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】半導体ベアチップICを内蔵する電子部品内蔵基板の層間接続を簡易かつ高信頼性化を図る。
【解決手段】本発明の電子部品内蔵基板は、第2導電性パターン6の上面に設けられたレジスト膜19と、第2絶縁層4の上面に設けられた第1金属からなる第3導電性パターン7と、第2絶縁層4とレジスト膜19とを貫通し、第2導電性パターン6と第3導電性パターン7とを第2めっき膜9により電気的に接続するビアホール8とを備える。第1導電性パターン2上に第2金属からなる第1めっき膜3を形成する際に、第2導電性パターン6上に第1めっき膜3が付着することを防止し、第2めっき膜9により第3導電性パターン7と第2導電性パターン6を確実に接続することができる。
【選択図】図1
【解決手段】本発明の電子部品内蔵基板は、第2導電性パターン6の上面に設けられたレジスト膜19と、第2絶縁層4の上面に設けられた第1金属からなる第3導電性パターン7と、第2絶縁層4とレジスト膜19とを貫通し、第2導電性パターン6と第3導電性パターン7とを第2めっき膜9により電気的に接続するビアホール8とを備える。第1導電性パターン2上に第2金属からなる第1めっき膜3を形成する際に、第2導電性パターン6上に第1めっき膜3が付着することを防止し、第2めっき膜9により第3導電性パターン7と第2導電性パターン6を確実に接続することができる。
【選択図】図1
Description
本発明は、多層基板内に電子部品が埋設された電子部品内蔵基板とこれを用いた電子機器、およびその製造方法に関するものである。
電子機器の小型化・軽量化に伴い、プリント配線板の高密度化や実装部品の小型化に対する要求が厳しくなっている。プリント配線板においては、配線ルールの縮小により配線板表面と平行な方向について高密度化が図られている。さらに、ビルドアップ工法を採用して配線を積層させ、任意の層間にビアホールを形成することにより、配線板表面に垂直な方向で高密度化も可能となった。
一方、半導体パッケージとしては、従来パッケージの外周に多ピン化されたリードを有するSOP(Small Outline Package)やQFP(Quad Flat Package)等の表面実装デバイス(SMD;Surface Mount Device)が用いられることが多かった。近年、半導体パッケージをさらに小型化するため、半導体素子の能動面を基板に向けたフリップ・チップ実装により、チップ・サイズ・パッケージ(CSP)化が図られている。フリップ・チップ実装によれば半導体素子をベアチップのままリードを用いずに、バンプと呼ばれる電極端子を介して基板にダイレクトに実装される。上記のフリップ・チップ実装によれば、ベアチップ半導体の実装が可能な領域は基板表面であり、実装密度は基板サイズの制限を受けるため、実装密度をさらに飛躍的に向上させることは困難である。そこで、半導体素子を基板の内部に実装して実装密度を上げ、電子機器を小型化する手段が提案されている。
以下、従来の電子部品内蔵基板について、図7を用いて説明する。図7は、従来の電子部品内蔵基板の断面図である。
図7において、従来の電子部品内蔵基板は基材からなる第1絶縁層201とこの第1絶縁層201の上に設けられた絶縁樹脂層からなる第2絶縁層202を有し、第1絶縁層201には絶縁樹脂層202内に埋め込まれたベアチップICからなる電子部品203が実装されている。第1絶縁層201と電子部品203との接続は、電子部品203のアルミ電極表面に形成されたバンプ204とCu電極である第2導電性パターン206によりなされている。第1絶縁層201の上面には電子部品203実装用の第2導電性パターン206と外部電極への引出し電極としての第1導電性パターン208が形成されており、電子部品203実装用の第2導電性パターン206以外はすべてソルダーレジスト220で覆われている。第2絶縁層202の上層には接着層209を介して、所定のパターンを有する第3導電性パターン210が形成されており、第1導電性パターン208上部の第2絶縁層202、接着層209および第3導電性パターン210にはビアホール215が形成され、ビアホール215内は導電層216が形成されている。
なお、この出願の発明に関連する先行技術文献情報としては、例えば、特許文献1が知られている。
特開2003−234439号公報
このような従来の電子部品内蔵基板において、第1絶縁層201の上面にある電子部品203を実装するための第2導電性パターン206以外はすべてソルダーレジスト220で覆われており、このソルダーレジスト220をすべて覆うように第2絶縁層202が形成されている。しかしながら、ソルダーレジスト220の役割はそもそもはんだ実装時のはんだ材料の付着を防止することが目的であり、そのためソルダーレジスト220の表面は撥水・撥油性が非常に高い状態に保たれているものである。従って、第1絶縁層201上の第2導電性パターン206部以外をすべてソルダーレジスト220で覆い、このソルダーレジスト220上に第2絶縁層202を形成した状態では、ソルダーレジスト220と第2絶縁層202を強固に接着することができず、容易にそれぞれの間で隔離が起こるという問題点を有していた。
また、第2導電性パターン206上にはAuめっき処理を行っていないため、電子部品203をフリップ・チップ実装する場合には、第2導電性パターン206表面の酸化膜の影響で実装後の接続抵抗が不安定になるという問題点を有していた。
本発明はこのような問題を解決したもので、簡易かつ接続信頼性の高い電子部品内蔵基板とこれを用いた電子機器およびその製造方法を提供することを目的としたものである。
上記目的を達成するために本発明は、第1絶縁層と、この第1絶縁層の上面に設けられた第1金属からなる第1導電性パターンと、前記第1導電性パターンの上面に形成された第2金属からなる第1めっき膜と、前記第1導電性パターン及び前記第1めっき膜を覆うように前記第1絶縁層の上に設けられた第2絶縁層と、前記第1導電性パターンに前記第1めっき膜およびバンプを介して接続されると共に前記第2絶縁層の内部に配置された前記バンプを有する電子部品と、前記第1絶縁層の上面に設けられた第1金属からなる第2導電性パターンと、この第2導電性パターンの上面に設けられたレジスト膜と、前記第2絶縁層の上面に設けられた前記第1金属からなる第3導電性パターンと、前記第2絶縁層と前記レジスト膜とを貫通し、前記第2導電性パターンと前記第3導電性パターンとを第2めっき膜により電気的に接続するビアホールとを備えた電子部品内蔵基板としたものであり、第1導電性パターン上に第2金属からなる第1めっき膜を形成する際に、第2導電性パターン上に第1めっき膜が付着することを防止し、第2めっき膜により第3導電性パターンと第2導電性パターンを確実に接続することができるという作用を有する。
請求項2に記載の発明は、前記第2めっき膜は、第1金属からなる請求項1に記載の電子部品内蔵基板としたものであり、第2めっき膜を第1金属からなる第2導電性パターンおよび第3導電性パターンと同一材料で構成できるため信頼性の高いめっき膜形成を行うことができるという作用を有する。
請求項3に記載の発明は、前記第1金属はCuであり、前記第2金属はAuである請求項1に記載の電子部品内蔵基板としたものであり、安価で信頼性の高いCuを用いて第1〜第3導電性パターンを形成することができると共に、第2金属にAuを用いることで電子部品と第1導電性パターンの接続について高信頼性を確保することができるという作用を有する。
請求項4に記載の発明は、前記第2めっき膜は、Cu、Pd、Zn、Ni、Ti、Cr、Sn、Ag、Auのうち少なくとも1つからなる請求項1に記載の電子部品内蔵基板としたものであり、第2導電性パターンおよび第3導電性パターンとの良好な接続が可能となるという作用を有する。
請求項5に記載の発明は、前記バンプが少なくともAuまたはSnまたはAgにより構成されている請求項1に記載の電子部品内蔵基板としたものであり、Au線によるスタッドバンプ、めっきによるAuまたははんだバンプ、導電性ペーストによるAgバンプ等簡易な方法で形成可能なバンプを用いて、電子部品と第1導電性パターン間の信頼性の高い接続を実現することができるという作用を有する。
請求項6に記載の発明は、前記レジスト膜は、前記第2導電性パターンと略同一の形状を有する請求項1に記載の電子部品内蔵基板としたものであり、第2導電性パターン上への第1めっき膜付着を防止しながら、レジスト膜による第1絶縁層と第2絶縁層の密着力低下を防止するという両方の効果を1度に実現することができるという作用を有する。
請求項7に記載の発明は、第1絶縁層と、この第1絶縁層の上面に設けられた第1金属からなる第1導電性パターンと、前記第1導電性パターンの上面に形成された第2金属からなる第1めっき膜と、前記第1導電性パターン及び前記第1めっき膜を覆うように前記第1絶縁層の上に設けられた第2絶縁層と、前記第1導電性パターンに前記第1めっき膜およびバンプを介して接続されると共に前記第2絶縁層の内部に配置された前記バンプを有する電子部品と、前記第1絶縁層の上面に設けられた第1金属からなる第2導電性パターンと、この第2導電性パターンの上面に設けられたレジスト膜と、前記第2絶縁層の上面に設けられた前記第1金属からなる第3導電性パターンと、前記第2絶縁層と前記レジスト膜とを貫通し、前記第2導電性パターンと前記第3導電性パターンとを第2めっき膜により電気的に接続するビアホールとを備えた電子部品内蔵基板を有する受信装置としたものであり、超小型受信装置を実現することができるという作用を有する。
請求項8に記載の発明は、第1絶縁層と、この第1絶縁層の上面に設けられた第1金属からなる第1導電性パターンと、前記第1導電性パターンの上面に形成された第2金属からなる第1めっき膜と、前記第1導電性パターン及び前記第1めっき膜を覆うように前記第1絶縁層の上に設けられた第2絶縁層と、前記第1導電性パターンに前記第1めっき膜およびバンプを介して接続されると共に前記第2絶縁層の内部に配置された前記バンプを有する電子部品と、前記第1絶縁層の上面に設けられた第1金属からなる第2導電性パターンと、この第2導電性パターンの上面に設けられたレジスト膜と、前記第2絶縁層の上面に設けられた前記第1金属からなる第3導電性パターンと、前記第2絶縁層と前記レジスト膜とを貫通し、前記第2導電性パターンと前記第3導電性パターンとを第2めっき膜により電気的に接続するビアホールとを備えた電子部品内蔵基板を有する電子機器としたものであり、超小型電子機器を実現することができるという作用を有する。
請求項9に記載の発明は、上面に第1金属からなる第1導電性パターンおよび第2導電性パターンを有し、第1導電性パターン上には第2金属からなる第1めっき膜、第2導電性パターン上にはレジスト膜が形成された第1絶縁層の前記第1導電性パターンの上面の前記第1めっき膜上にバンプを介して電子部品を実装する工程と、前記第1絶縁層上に前記電子部品を覆うように第2絶縁層を積層する工程と、前記第2絶縁層上に前記第1金属からなる金属箔を積層する工程と、積層された前記第1絶縁層と前記第2絶縁層と前記金属箔を加熱しながら加圧して一体化する工程と、前記金属箔の所定の位置に穴加工を行い前記第2絶縁層を露出させる工程と、前記第2絶縁層および前記レジスト膜を加工して前記第2導電性パターンを露出させる工程と、第2めっき膜により前記第2導電性パターンと前記金属箔を電気的に接続する工程と、前記金属箔を加工して第3導電性パターンを形成する工程を備えた電子部品内蔵基板の製造方法としたものであり、第1導電性パターン上に第2金属からなる第1めっき膜を形成する際に、第2導電性パターン上に第1めっき膜が付着することを防止し、第2めっき膜により第3導電性パターンと第2導電性パターンを確実に接続することができるという作用を有する。
請求項10に記載の発明は、上面に第1金属からなる第1導電性パターンおよび第2導電性パターンを有し、第1導電性パターン上には第2金属からなる第1めっき膜、第2導電性パターン上にはレジスト膜が形成された第1絶縁層の前記第1導電性パターンの上面の前記第1めっき膜上にバンプを介して電子部品を実装する工程と、前記第1絶縁層上に前記電子部品を覆うように第2絶縁層を積層する工程と、積層された前記第1絶縁層と前記第2絶縁層を加熱しながら加圧して一体化する工程と、前記第2絶縁層および前記レジスト膜を加工して前記第2導電性パターンを露出させる工程と、第2めっき膜により前記第2絶縁層の上面に第3導電性パターンを形成すると共に前記第2導電性パターンと電気的に接続する工程を備えた電子部品内蔵基板の製造方法としたものであり、第1導電性パターン上に第2金属からなる第1めっき膜を形成する際に、第2導電性パターン上に第1めっき膜が付着することを防止し、第2めっき膜により第3導電性パターンと第2導電性パターンを確実に接続することができるという作用を有する。
請求項11に記載の発明は、前記第2めっき膜は、第1金属からなる請求項9または請求項10に記載の電子部品内蔵基板の製造方法としたものであり、第2めっき膜を第1金属からなる第2導電性パターンおよび第3導電性パターンと同一材料で構成できるため信頼性の高いめっき膜形成を行うことができるという作用を有する。
請求項12に記載の発明は、前記第1金属はCuであり、前記第2金属はAuである請求項9または請求項10に記載の電子部品内蔵基板の製造方法としたものであり、安価で信頼性の高いCuを用いて第1〜第3導電性パターンを形成することができると共に、第2金属にAuを用いることで電子部品と第1導電性パターンの接続について高信頼性を確保することができるという作用を有する。
請求項13に記載の発明は、前記第2めっき膜は、Cu、Pd、Zn、Ni、Ti、Cr、Sn、Ag、Auのうち少なくとも1つからなる請求項9または請求項10に記載の電子部品内蔵基板の製造方法としたものであり、第2導電性パターンと第3導電性パターンとの良好な接続が可能となるという作用を有する。
請求項14に記載の発明は、前記バンプが少なくともAuまたはSnまたはAgにより構成されている請求項9または請求項10に記載の電子部品内蔵基板の製造方法としたものであり、Au線によるスタッドバンプ、めっきによるAuまたははんだバンプ、導電性ペーストによるAgバンプ等簡易な方法で形成可能なバンプを用いて、電子部品と第1導電性パターン間の信頼性の高い接続を実現することができるという作用を有する。
請求項15に記載の発明は、前記第2絶縁層は少なくとも1枚以上の織布または不織布に熱硬化性樹脂を含浸させたプリプレグからなる請求項9または請求項10に記載の電子部品内蔵基板の製造方法としたものであり、第1絶縁層と略同一材料を用いることで信頼性の高い電子部品内蔵基板を実現することができるという作用を有する。
請求項16に記載の発明は、前記積層前の前記第2絶縁層に前記電子部品より大きな空隙を形成し、前記積層時に前記空隙内に前記電子部品を配置する請求項9または請求項10または請求項15に記載の電子部品内蔵基板の製造方法としたものであり、積層された前記第1絶縁層と前記第2絶縁層と前記金属箔を加熱しながら加圧して一体化する工程において、電子部品への不要な荷重を防止することができるという作用を有する。
請求項17に記載の発明は、前記第2導電性パターンを露出させる工程はレーザ加工またはドリル加工にて行う請求項9または請求項10に記載の電子部品内蔵基板の製造方法としたものであり、簡易な方法により高度な位置精度で第2導電性パターンを露出させることができるという作用を有する。
請求項18に記載の発明は、前記レジスト膜は、前記第2導電性パターンと略同一の形状を有する請求項9または請求項10に記載の電子部品内蔵基板の製造方法としたものであり、第2導電性パターン上への第1めっき膜付着を防止しながら、レジスト膜による第1絶縁層と第2絶縁層の密着力低下を防止するという両方の効果を1度に実現することができるという作用を有する。
請求項19に記載の発明は、前記第3導電性パターンは前記第2絶縁層の上面の全面に前記第2めっき膜を形成した後所望の形状にパターニングされる請求項10に記載の電子部品内蔵基板の製造方法としたものであり、簡易なビルドアップ工法により電子部品内蔵基板を製造することができるという作用を有する。
第1導電性パターン上に第2金属からなる第1めっき膜を形成する際に、第2導電性パターン上に第1めっき膜が付着することを防止し、第2めっき膜により第3導電性パターンと第2導電性パターンを確実に接続しつつ、レジスト膜による第1絶縁層と第2絶縁層の密着力低下を防止するという両方の効果を実現することが可能となるものである。
(実施の形態1)
以下に、本発明の電子部品内蔵基板およびその製造方法の実施の形態について、図面を参照して説明する。図1は本発明の実施の形態1による電子部品内蔵基板の断面図である。
以下に、本発明の電子部品内蔵基板およびその製造方法の実施の形態について、図面を参照して説明する。図1は本発明の実施の形態1による電子部品内蔵基板の断面図である。
図1において、実施の形態1の電子部品内蔵基板は、第1絶縁層1と、この第1絶縁層1の上に設けられた第2絶縁層4とを備える。第1絶縁層1の上面には第1導電性パターン2及び第2導電性パターン6が設けられている。この第1絶縁層1は、熱硬化性樹脂を主成分とする多層配線基板である。熱硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、シアネート樹脂またはBTレジン(ビスマレイミド・トリアジン樹脂)を用いることができる。エポキシ樹脂は耐熱性が高いために特に好ましい。第1導電性パターン2や第2導電性パターン6は電気導電性を有する物質から成り、例えば、Cu箔や導電性樹脂組成物から成る。本発明においてはCu箔を用いている。また、第1絶縁層1に含まれるインナービア13は、例えば、Cuめっきによる金属材料や、金属粒子と熱硬化性樹脂とを混合した導電性樹脂組成物などの熱硬化性の導電性物質から成る。導電性物質中の金属粒子としては、Au、AgまたはCuなどを用いることができる。Au、AgまたはCuは導電性が高いために好ましく、Cuは導電性が高くマイグレーションも少なく、また、低コストであるため特に好ましい。熱硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、シアネート樹脂を用いることができる。エポキシ樹脂は耐熱性が高いために特に好ましい。
第2導電性パターン6上には第2導電性パターン6の形状と略同一形状のレジスト膜19を形成しており、例えば、第2導電性パターン6の形状がφ0.5mmである時は、第2導電性パターン6と同心円上に、レジスト膜19のサイズをφ0.5mm〜φ0.7mmとしている。第2導電性パターン6のサイズに対してレジスト膜19のサイズを同一サイズまたはやや大きめのサイズとしているのは、第2導電性パターン6上にレジスト膜19を形成する際の位置精度の誤差を考慮しているためである。ただし、あくまでレジスト膜19を第2導電性パターン6より若干大きくしているのは作製時の位置ずれを考慮するために行っているのであって、レジスト膜19を際限なく第2導電性パターン6より大きくしても良いというものではない。従って第2導電性パターン6とレジスト膜19は略同一形状としているのである。レジスト膜19としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、シアネート樹脂等の熱硬化性樹脂を用いることができる。エポキシ樹脂は耐熱性が高いために特に好ましい。
また、第1絶縁層1の上面にある第1導電性パターン2上に第1めっき膜3を形成する。第1めっき膜3としては、例えば、下地金属に無電解めっき法によるNiめっきを行い、Niめっき上に同じく無電解めっき法によるAuめっき膜を形成している。なお、めっき膜形成方法については、上述した方法に限らず種々の方法によって実現することが可能であるが、後にバンプ10を介して電子部品5を実装した際の接続安定性を考慮して、最表層にはAuめっき膜が形成されていることが重要である。
この第1めっき膜3が形成された第1導電性パターン2上にバンプ10が形成された半導体ベアチップICからなる電子部品5がフリップ・チップ実装されている。バンプ10の材料としては、Au線によるスタッドバンプ、めっきによるAuまたははんだバンプ、導電性ペーストによるAgバンプ等簡易な方法で形成可能なバンプを用いることができる。なお上述した方法に限らず種々の方法でバンプ10を形成しても良い。
半導体ベアチップICからなる電子部品5のフリップ・チップ実装方法については、実装時に補助材料を用いないAu−Au直接接続方式やはんだバンプによるはんだ接続方式を用いることができるが、上記した方法に限らず半導体ベアチップICをフェイスダウンで実装するフリップ・チップ実装方式であるなら何れの方法も使用可能である。
この電子部品5を完全に埋め込むように第1絶縁層1上に第2絶縁層4が形成されている。第2絶縁層4は織布または不織布に未硬化状態の熱硬化性樹脂を含浸させたプリプレグを加熱しながら加圧して熱硬化性樹脂を硬化させることにより形成している。プリプレグとしては、ガラスクロスに熱硬化性のエポキシ樹脂を含浸させたガラスエポキシプリプレグ、ガラスクロスに熱硬化性のビスマレイミド・トリアジン樹脂を含浸させたBTレジンプリプレグ、アラミド不織布に熱硬化性のエポキシ樹脂を含浸させたアラミドプリプレグ等を使用することが可能であるが、織布または不織布に熱硬化性樹脂を含浸させた構造であれば、様々な材料を使用することが可能である。また、織布または不織布に熱硬化性樹脂を含浸させたプリプレグ以外にも、二酸化珪素やアルミナ等の無機フィラーと熱硬化性樹脂との混合物を用いる事も可能である。
この第2絶縁層4上には、第3導電性パターン7を配置している。第3導電性パターン7は電気導電性を有する物質から成り、例えば、Cu箔や導電性樹脂組成物から成る。本発明においてはCu箔を用いている。
そして、第3導電性パターン7、第2絶縁層4およびレジスト膜19を貫通し第1絶縁層1の上面に配置されている第2導電性パターン6に接続されるブラインドビアホール8内の第2めっき膜9により、第3導電性パターン7と第2導電性パターン6は電気的に接続されている。第2めっき膜9はPdを核とした無電解Cuめっきや電解Cuめっきで構成される。また、第2めっき膜9は、Cuめっきに限らず、その他Zn、Ni、Ti、Cr、Sn、Ag、Au等の材料で構成しても良い。ただし、第2導電性パターン6および第3導電性パターン7はそれぞれCu箔で形成されているので、第2めっき膜9はCuへの反応が十分に行われるめっき材料を選択することが重要である。本実施の形態1においては、第2めっき膜9にはCuを使用している。
なお、第2めっき膜9を形成したブラインドビアホール8内は図1に示すように凹状のままでも良いが、凹部内を熱硬化性樹脂により充填した構造であっても良い。ただし、凹部内を熱硬化性樹脂により充填した場合には、ブラインドビアホール8上面部をCuめっき等のめっき膜で覆っておくことが望ましい。凹部内に充填する熱硬化性樹脂は導電性材料または絶縁性材料の何れの材料であっても使用可能であるが、電気的導通を伴う信頼性を考えた場合、導電性材料の方が望ましい。
次に本発明の電子部品内蔵基板の製造方法の実施の形態について、図面を参照して説明する。
図2は、本発明の実施の形態1による電子部品内蔵基板の製造工程断面図である。
図2(a)に示すように、第1絶縁層1の上面に配置した第1導電性パターン2と、第2導電性パターン6およびインナービア13とを含む多層配線基板の第2導電性パターン6上に、略同一形状のレジスト膜19を感光性樹脂によるフォトリソグラフィや、液状樹脂を用いた印刷工法により第2導電性パターン6に被さるように形成し、第1導電性パターン2上にはAuめっきからなる第1めっき膜3を形成する。その後、電極上にバンプ10を形成した半導体ベアチップICからなる電子部品5を第1導電性パターン2上へフリップ・チップ実装する。
次に、図2(b)に示すように、電子部品5を実装済みの第1絶縁層1の電子部品5を実装している面に、電子部品5を覆うようにプリプレグ4a、4bと金属箔17を所望の位置に重ね合わせる。
なお、第1絶縁層1とプリプレグ4a、4bは、基板の反りや変形を防止するために、同一組成の材料であることが望ましいが、異種材料を使用する場合には、線膨張係数差の小さい材料を選択することが重要である。
また、プリプレグ4aには、電子部品5と接触しないように空間14が形成されている。この空間14は、複数個の電子部品5を実装する場合(図示せず)でも、実装エリアをすべて囲むように1つの空間としている。こうすることで、空間14の加工を単純化することができるため、製造工程の簡略化が可能となる。また、プリプレグ4a、4bが電子部品5に接触することによって電子部品5に圧力がかからないように、プリプレグ4aは、電子部品5の実装後の第1絶縁層1からの高さより厚く形成する必要がある。
一方、電子部品5への接触を避ける目的でプリプレグ4aを厚くするために特別に厚い材料を作ることは、特注品であるが故の高コスト化を避けることが難しく、また量産性には不向きである。従って、プリプレグ4aには、通常配線基板を作製する際に使用している一般的な厚み(例えば100μm)のプリプレグを複数枚使用することで、所望の厚みを確保している。
また、プリプレグ4a、4bは、織布または不織布と未硬化状態の熱硬化性樹脂の混合シートや、無機フィラーと熱硬化性樹脂との混合物であるが、このプリプレグ4a、4bは加熱しながら加圧することにより、プリプレグ4a、4bから軟化した熱硬化性樹脂が流れ出し、加熱・加圧終了後には初期の厚みより必ず薄くなる。このため、この厚みの減少分を予め考慮して設計すれば、積層後でもプリプレグ4bが電子部品5に接触することを未然に防止することが可能である。そして更には、プリプレグ4aを複数枚使用することにより、加熱・加圧時にプリプレグ4aから流出する熱硬化性樹脂の量を十分に確保することができるため、複数の電子部品5が存在する場合(図示せず)にできる大きな空間14であっても、その隙間を熱硬化性樹脂で確実に充填させることが可能となる。
なお、図2(b)では空間14を形成していないプリプレグ4bを空間14を形成したプリプレグ4aの上に配置しているが、すべて空間14を形成したプリプレグ4aに置き換えることも可能である。
上述したプリプレグ4a、4bの特性により、図2(c)に示すように、積層したそれぞれの構成材料をプレス機(図示せず)により加熱しながら加圧を行うことで、プリプレグ4a、4bを硬化させて第2絶縁層4とすることができる。
次に、図2(d)に示すように、金属箔17、第2絶縁層4およびレジスト膜19の所望の位置を穴18加工して、第2導電性パターン6を露出させる。金属箔17の加工方法は、エッチングによるサブトラクティブ法、CO2レーザやYAGレーザによるレーザ加工、およびドリル加工等の加工方法を用いることができる。また、第2絶縁層4およびレジスト膜19の加工方法は、CO2レーザやYAGレーザによるレーザ加工、またはドリル加工による加工方法を用いることができる。なお、各種加工方法により第2導電性パターン6を露出させた後、穴18部の洗浄(デスミア処理)を行うことは重要である。
デスミア処理完了後、図2(e)に示すように、穴18を介して金属箔17と第2導電性パターン6を電気的に接続するように、第2めっき膜9を形成する。第2めっき膜9は、例えばPdを核付けした後、無電解Cuめっき膜を形成し、更にその上に電解Cuめっき膜を形成して安定したCuめっき膜を形成する。Cuめっき膜は、接続信頼性を確保するためには通常20〜30μm程度の膜厚が必要である。
なお、第2めっき膜9は上述した方法に限らず、Cu箔からなる第2導電性パターン6に反応可能なめっき材料であるなら、Zn、Ni、Ti、Cr、Sn、Ag、Au等様々なめっき膜を用いることが可能である。
次に、図2(f)に示すように、金属箔17を所望の形状にパターニングして第3導電性パターン7を形成し、必要に応じて、図2(g)に示すように、表裏面にソルダーレジスト12を形成し電子部品内蔵基板とする。なお、図2(g)には表裏面の両面にソルダーレジスト12を形成しているが、片面のみの形成、あるいは両面ともソルダーレジスト12を形成しない場合もある。求められる基板形状により構造を選択することが可能である。
以下、実施の形態1に示す電子部品内蔵基板およびその製造方法の特徴について説明する。
本発明の電子部品内蔵基板においては、第1絶縁層1上の第1導電性パターン2上に半導体ベアチップICからなる電子部品5を実装した後、第2絶縁層4に内蔵し、ブラインドビアホール8により電気的導通を行う構造となっている。電子部品5の実装方法は、機能素子面を第1導電性パターン2上に対向させて実装するフリップ・チップ実装方式を採用しており、電気的導通を安定化するためにCu箔からなる第1導電性パターン2上に直接電子部品5を実装するのではなく、第1導電性パターン2上には表面が酸化されにくいAuめっきからなる第1めっき膜3を形成している。このAuめっき膜からなる第1めっき膜3の存在により、電子部品5は確実に電気的導通を取りながら第1導電性パターン2上に実装することができるのである。
この第1導電性パターン2上への第1めっき膜3形成は、第1絶縁層1をすべてめっき形成液中に浸漬して行う必要がある。そのため、本来電子部品5を実装するために、第1導電性パターン2上の電子部品5を実装するためのバンプ10が接する部分のみ第1めっき膜3が形成されていれば良いのであるが、第1絶縁層1をすべてめっき形成液中に浸漬するため、第1導電性パターン2の表面はすべて第1めっき膜が形成されることになる。この時、ブラインドビアホール8の底面部となる第2導電性パターン6が第1導電性パターン2と同じ第1絶縁層1の上面に形成されているので、第2導電性パターン6上にも第1めっき膜3が形成されることになる。
しかしながら、第2導電性パターン6上にAuめっきからなる第1めっき膜3が形成されると、ブラインドビアホール8を介して第3導電性パターン7と第2導電性パターン6を電気的に接続する第2めっき膜9を形成する時に、第2導電性パターン6上には既に第1めっき膜3であるAuめっきが形成されているので、Auめっき表面は他のめっき膜と反応することができず、第2めっき膜を形成することができないため、第3導電性パターン7と第2導電性パターン6を電気的に接続することができなくなる。このような接続不良を防ぐためには第2導電性パターン6上に第1めっき膜3としてのAuめっき付着を防止しなければならない。ただし、この第2導電性パターン6上への第1めっき膜3付着防止方法として、第1導電性パターン2以外の全面をソルダーレジストで覆うような構造とした場合、ソルダーレジストと第2絶縁層4の密着力は非常に弱くすぐに各々の界面で剥離してしまうという問題点を有している。
そのため本発明においては、ブラインドビアホール8の底面となる第2導電性パターン6と略同一形状のレジスト膜19を第2導電性パターン6上に形成することで、第1導電性パターン2上への第1めっき膜3形成時に、第2導電性パターン6上への第1めっき膜3の付着を完全に防止している。更に、レジスト膜19は、単に第2導電性パターン6上面を保護して第1めっき膜3の付着を防止するだけでなく、レジスト膜19を第2導電性パターン6のサイズと略同一形状としているため、密着力の弱いレジスト膜19と第2絶縁層4との接触面積を小さくし、第1絶縁層1と第2絶縁層4とが直接接着するようにし高密着力を実現しているものである。
以上に示すように、本実施の形態1によれば、ブラインドビアホール8の底面部として作用する第2導電性パターン6上に略同一形状のレジスト膜19を形成しているので、第1めっき膜3形成時に第2導電性パターン上への第1めっき膜3の付着を防止すると共に、第1絶縁層1と第2絶縁層4を直接接着することができるため、簡易で接続信頼性の高い電子部品内蔵基板およびその製造方法を提供することが可能となるものである。
(実施の形態2)
以下、本発明に係る実施の形態2について図を用いて説明する。図3は本発明の実施の形態2による電子部品内蔵基板の断面図、図4は本発明の実施の形態2による電子部品内蔵基板の製造工程断面図である。なお、特に説明しない限りは実施の形態1と同一の構造については、同一番号を付与して説明を省略する。
以下、本発明に係る実施の形態2について図を用いて説明する。図3は本発明の実施の形態2による電子部品内蔵基板の断面図、図4は本発明の実施の形態2による電子部品内蔵基板の製造工程断面図である。なお、特に説明しない限りは実施の形態1と同一の構造については、同一番号を付与して説明を省略する。
実施の形態2における実施の形態1との主な相違点は、図3に示すように、半導体ベアチップICからなる電子部品5の実装方式に、実装補助材11として、ACF(Anisotrophic Conductive Film;異方性導電フィルム)やNCF(Non Conductive Film;絶縁性フィルム)を用いたAuバンプによる圧接接続方式または電子部品5実装後に電子部品5と第1絶縁層1の間にアンダーフィルを充填する方式を用いている。なお、上記した方法に限らず、実装補助材11を用いて半導体ベアチップICをフェイスダウンで実装するフリップ・チップ実装方式であるなら何れの方法も使用可能である。
この実装補助材11を用いた実装方式を採用した電子部品5を第2絶縁層4に内蔵する場合、図4(b)に示すように、実施の形態1と同様にプリプレグ4aに電子部品5より大きな空間14を形成しているのであるが、実装補助材11は電子部品5の周囲にはみ出して形成されており、このはみ出した実装補助材11を囲むように実装補助材11より大きな空間14を形成することが重要である。この実装補助材11より大きな空間14の存在により、プリプレグ4aが電子部品5に接触することによって電子部品5に圧力がかかるようなことがないようにすることができるのである。
(実施の形態3)
以下、本発明に係る実施の形態3について図を用いて説明する。図5は本発明の実施の形態3による電子部品内蔵基板の製造工程断面図である。なお、特に説明しない限りは実施の形態1と同一の構造については、同一番号を付与して説明を省略する。
以下、本発明に係る実施の形態3について図を用いて説明する。図5は本発明の実施の形態3による電子部品内蔵基板の製造工程断面図である。なお、特に説明しない限りは実施の形態1と同一の構造については、同一番号を付与して説明を省略する。
実施の形態3における実施の形態1との主な相違点は、図5(b)に示すようにプリプレグ4b上に金属箔17を用いず、第1絶縁層1上にプリプレグ4a、4bのみを積み重ねて加熱プレス(図示せず)により一体化するものである。その後、図5(d)に示すように第2絶縁層4およびレジスト膜19の所望の位置を加工して第2導電性パターン6を露出させる。加工方法については実施の形態1と同様の方法により加工可能である。加工終了後、第2絶縁層4上面に第2めっき膜9を形成しながら、加工した穴18部および第2導電性パターン6に第2めっき膜9を形成する。
本実施の形態3では、実施の形態1と比較して金属箔17を用いないため、穴18を形成する際に金属箔17の加工が必要ないため加工工程の簡素化および加工時間の短縮化が可能である。また、第2めっき膜9形成後パターニングして第3導電性パターン7を形成する際においても、金属箔17に関する膜厚(例えば18μm)がないため、第2めっき膜の膜厚(例えば20μm)のみのエッチングで第3導電性パターン7を加工することができるため、加工時間の短縮化を図ることが可能である。
(実施の形態4)
以下、本発明に係る実施の形態4について図を用いて説明する。図6は本発明の電子部品内蔵基板を用いた受信装置または電子機器の断面図である。なお、特に説明しない限りは実施の形態1と同一の構造については、同一番号を付与して説明を省略する。
以下、本発明に係る実施の形態4について図を用いて説明する。図6は本発明の電子部品内蔵基板を用いた受信装置または電子機器の断面図である。なお、特に説明しない限りは実施の形態1と同一の構造については、同一番号を付与して説明を省略する。
本実施の形態4では、図6に示すように、実施の形態1で作製した電子部品内蔵基板を使用し、その表面にはんだ23を用いて電子部品24を実装することにより、受信装置または電子機器を作製している。電子部品内蔵基板を使用することで、電子部品内蔵基板を使用しない場合と比べて受信装置または電子機器を小型化することが可能となる。
本発明における電子部品内蔵基板とこれを用いた電子機器、およびその製造方法は、半導体ベアチップICを基板内に内蔵した電子部品内蔵基板を簡易な工程で作製することができ、更に電子部品内蔵基板における電子部品の接続信頼性を向上させることができるので、例えば、超小型の3次元実装モジュールの製造に利用できる。
1 第1絶縁層
2 第1導電性パターン
3 第1めっき膜
4 第2絶縁層
5 電子部品
6 第2導電性パターン
7 第3導電性パターン
8 ビアホール
9 第2めっき膜
10 バンプ
11 実装補助材
12 ソルダーレジスト
13 インナービア
19 レジスト膜
2 第1導電性パターン
3 第1めっき膜
4 第2絶縁層
5 電子部品
6 第2導電性パターン
7 第3導電性パターン
8 ビアホール
9 第2めっき膜
10 バンプ
11 実装補助材
12 ソルダーレジスト
13 インナービア
19 レジスト膜
Claims (19)
- 第1絶縁層と、
この第1絶縁層の上面に設けられた第1金属からなる第1導電性パターンと、
前記第1導電性パターンの上面に形成された第2金属からなる第1めっき膜と、
前記第1導電性パターン及び前記第1めっき膜を覆うように前記第1絶縁層の上に設けられた第2絶縁層と、
前記第1導電性パターンに前記第1めっき膜およびバンプを介して接続されると共に前記第2絶縁層の内部に配置された前記バンプを有する電子部品と、
前記第1絶縁層の上面に設けられた第1金属からなる第2導電性パターンと、
この第2導電性パターンの上面に設けられたレジスト膜と、
前記第2絶縁層の上面に設けられた前記第1金属からなる第3導電性パターンと、
前記第2絶縁層と前記レジスト膜とを貫通し、前記第2導電性パターンと前記第3導電性パターンとを第2めっき膜により電気的に接続するビアホールとを備えた電子部品内蔵基板。 - 前記第2めっき膜は、第1金属からなる請求項1に記載の電子部品内蔵基板。
- 前記第1金属はCuであり、前記第2金属はAuである請求項1に記載の電子部品内蔵基板。
- 前記第2めっき膜は、Cu、Pd、Zn、Ni、Ti、Cr、Sn、Ag、Auのうち少なくとも1つからなる請求項1に記載の電子部品内蔵基板。
- 前記バンプが少なくともAuまたはSnまたはAgにより構成されている請求項1に記載の電子部品内蔵基板。
- 前記レジスト膜は、前記第2導電性パターンと略同一の形状を有する請求項1に記載の電子部品内蔵基板。
- 第1絶縁層と、
この第1絶縁層の上面に設けられた第1金属からなる第1導電性パターンと、
前記第1導電性パターンの上面に形成された第2金属からなる第1めっき膜と、
前記第1導電性パターン及び前記第1めっき膜を覆うように前記第1絶縁層の上に設けられた第2絶縁層と、
前記第1導電性パターンに前記第1めっき膜およびバンプを介して接続されると共に前記第2絶縁層の内部に配置された前記バンプを有する電子部品と、
前記第1絶縁層の上面に設けられた第1金属からなる第2導電性パターンと、
この第2導電性パターンの上面に設けられたレジスト膜と、
前記第2絶縁層の上面に設けられた前記第1金属からなる第3導電性パターンと、
前記第2絶縁層と前記レジスト膜とを貫通し、前記第2導電性パターンと前記第3導電性パターンとを第2めっき膜により電気的に接続するビアホールとを備えた電子部品内蔵基板を有する受信装置。 - 第1絶縁層と、
この第1絶縁層の上面に設けられた第1金属からなる第1導電性パターンと、
前記第1導電性パターンの上面に形成された第2金属からなる第1めっき膜と、
前記第1導電性パターン及び前記第1めっき膜を覆うように前記第1絶縁層の上に設けられた第2絶縁層と、
前記第1導電性パターンに前記第1めっき膜およびバンプを介して接続されると共に前記第2絶縁層の内部に配置された前記バンプを有する電子部品と、
前記第1絶縁層の上面に設けられた第1金属からなる第2導電性パターンと、
この第2導電性パターンの上面に設けられたレジスト膜と、
前記第2絶縁層の上面に設けられた前記第1金属からなる第3導電性パターンと、
前記第2絶縁層と前記レジスト膜とを貫通し、前記第2導電性パターンと前記第3導電性パターンとを第2めっき膜により電気的に接続するビアホールとを備えた電子部品内蔵基板を有する電子機器。 - 上面に第1金属からなる第1導電性パターンおよび第2導電性パターンを有し、第1導電性パターン上には第2金属からなる第1めっき膜、第2導電性パターン上にはレジスト膜が形成された第1絶縁層の前記第1導電性パターンの上面の前記第1めっき膜上にバンプを介して電子部品を実装する工程と、
前記第1絶縁層上に前記電子部品を覆うように第2絶縁層を積層する工程と、
前記第2絶縁層上に前記第1金属からなる金属箔を積層する工程と、
積層された前記第1絶縁層と前記第2絶縁層と前記金属箔を加熱しながら加圧して一体化する工程と、
前記金属箔の所定の位置に穴加工を行い前記第2絶縁層を露出させる工程と、
前記第2絶縁層および前記レジスト膜を加工して前記第2導電性パターンを露出させる工程と、
第2めっき膜により前記第2導電性パターンと前記金属箔を電気的に接続する工程と、
前記金属箔を加工して第3導電性パターンを形成する工程を備えた電子部品内蔵基板の製造方法。 - 上面に第1金属からなる第1導電性パターンおよび第2導電性パターンを有し、第1導電性パターン上には第2金属からなる第1めっき膜、第2導電性パターン上にはレジスト膜が形成された第1絶縁層の前記第1導電性パターンの上面の前記第1めっき膜上にバンプを介して電子部品を実装する工程と、
前記第1絶縁層上に前記電子部品を覆うように第2絶縁層を積層する工程と、
積層された前記第1絶縁層と前記第2絶縁層を加熱しながら加圧して一体化する工程と、
前記第2絶縁層および前記レジスト膜を加工して前記第2導電性パターンを露出させる工程と、
第2めっき膜により前記第2絶縁層の上面に第3導電性パターンを形成すると共に前記第2導電性パターンと電気的に接続する工程を備えた電子部品内蔵基板の製造方法。 - 前記第2めっき膜は、第1金属からなる請求項9または請求項10に記載の電子部品内蔵基板の製造方法。
- 前記第1金属はCuであり、前記第2金属はAuである請求項9または請求項10に記載の電子部品内蔵基板の製造方法。
- 前記第2めっき膜は、Cu、Pd、Zn、Ni、Ti、Cr、Sn、Ag、Auのうち少なくとも1つからなる請求項9または請求項10に記載の電子部品内蔵基板の製造方法。
- 前記バンプが少なくともAuまたはSnまたはAgにより構成されている請求項9または請求項10に記載の電子部品内蔵基板の製造方法。
- 前記第2絶縁層は少なくとも1枚以上の織布または不織布に熱硬化性樹脂を含浸させたプリプレグからなる請求項9または請求項10に記載の電子部品内蔵基板の製造方法。
- 前記積層前の前記第2絶縁層に前記電子部品より大きな空隙を形成し、前記積層時に前記空隙内に前記電子部品を配置する請求項9または請求項10または請求項15に記載の電子部品内蔵基板の製造方法。
- 前記第2導電性パターンを露出させる工程はレーザ加工またはドリル加工にて行う請求項9または請求項10に記載の電子部品内蔵基板の製造方法。
- 前記レジスト膜は、前記第2導電性パターンと略同一の形状を有する請求項9または請求項10に記載の電子部品内蔵基板の製造方法。
- 前記第3導電性パターンは前記第2絶縁層の上面の全面に前記第2めっき膜を形成した後所望の形状にパターニングされる請求項10に記載の電子部品内蔵基板の製造方法。
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JP2007012287A JP2008181921A (ja) | 2007-01-23 | 2007-01-23 | 電子部品内蔵基板とこれを用いた電子機器、およびその製造方法 |
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JP2011166081A (ja) * | 2010-02-15 | 2011-08-25 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置、半導体パッケージ、インタポーザ、半導体装置の製造方法、及びインタポーザの製造方法 |
JP2017135286A (ja) * | 2016-01-28 | 2017-08-03 | 新光電気工業株式会社 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
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2007
- 2007-01-23 JP JP2007012287A patent/JP2008181921A/ja active Pending
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