JP2008177317A - 基板支持装置、表面電位測定装置、膜厚測定装置および基板検査装置 - Google Patents

Abstract

【課題】基板を平坦化しつつ支持する。
【解決手段】表面電位測定装置１の基板支持装置２では、第１流体噴出部２１の円環状の第１多孔質部材２１１から、基板９の上面９１上の対象領域９１１の周囲に向けて第１流体が噴出され、基板９を挟んで第１流体噴出部２１と対向する第２流体噴出部２２の円環状の第２多孔質部材２２１から基板９の下面９２に向けて第２流体が噴出される。これにより、第１流体噴出部２１と第２流体噴出部２２との間において基板９を平坦化しつつ基板９を支持することができる。また、基板９と第１流体噴出部２１の第１多孔質部材２１１との間の距離を、簡素な構造で一定に維持することができる。その結果、表面電位測定装置１において、平坦化された対象領域９１１上に所望の間隔をあけてプローブ３１を位置させることができ、基板９上の対象領域９１１に対する表面電位の測定を高精度に行うことができる。
【選択図】図２

Description

本発明は、基板を支持する基板支持装置、並びに、当該基板支持装置を備える表面電位測定装置、膜厚測定装置および基板検査装置に関する。

従来より、半導体素子や平面表示装置等の製造において、半導体基板や平面表示装置用のガラス基板等の各種基板の表面に対して様々な測定や処理が行われており、このような測定や処理を行う装置では、基板を保持する保持部の１つとして基板を吸着して保持する基板保持装置が利用されている。

例えば、特許文献１の電子ビーム照射装置は、上面上に載置された光ディスクの原盤を保持する回転テーブルを備え、回転テーブルと共に回転する原盤に対して電子ビームが照射されることにより、原盤に対する情報の記録が行われる。電子ビーム照射装置は、また、多孔性の金属により形成されたリング状の通気体から原盤の上面に向けて圧縮気体を噴出することにより、原盤に対して非接触で浮上する浮上パッドを備え、電子ビーム照射ヘッドは浮上パッドに搭載されている。これにより、原盤の厚さムラや回転ぶれ等の影響を緩和し、電子ビーム照射ヘッドと原盤との間の隙間を維持することが図られている。
特開２００３−３１６０１７号公報

ところで、成膜やアニール等の様々な処理が行われた基板は通常、僅かな反りや傾き等を有しており、完全には平坦な形状とはなっていない。このため、基板が平坦であるものとして行われる様々な処理や検査の精度向上に限界がある。特許文献１の電子ビーム照射装置では、原盤の厚さムラ等の影響を緩和することが図られているが、一方で、原盤が回転テーブルと接触することにより、原盤の下面にパーティクルが付着したり傷が付いてしまう恐れがある。また、原盤の大型化に伴って回転テーブルも大型化する必要があるが、大型の回転テーブルでは、原盤が載置される上面を精度良く形成することが困難であり、回転テーブルの製造に要するコストが増大してしまう。

本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、基板を平坦化しつつ支持することを主な目的としている。

請求項１に記載の発明は、基板を支持する基板支持装置であって、基板の一方の主面上の対象領域の周囲に向けて、第１多孔質部材から第１流体を噴出する第１流体噴出部と、前記第１流体噴出部に対向して配置され、前記基板の他方の主面に向けて第２多孔質部材から第２流体を噴出することにより、前記第１多孔質部材と前記第２多孔質部材との間にて前記基板を非接触にて支持する第２流体噴出部と、前記基板の外縁部に当接して前記基板の前記一方の主面に平行な方向への移動を規制する移動規制部と、前記基板の前記一方の主面に沿って前記第１流体噴出部を前記基板に対して相対的に移動することにより前記対象領域を変更する移動機構とを備える。

請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の基板支持装置であって、前記第１多孔質部材が、前記対象領域の周囲を囲む環状である。

請求項３に記載の発明は、請求項２に記載の基板支持装置であって、前記第１多孔質部材が、円環状である。

請求項４に記載の発明は、請求項２または３に記載の基板支持装置であって、前記第１流体噴出部が、前記第１多孔質部材の前記基板とは反対側において前記第１多孔質部材の内側の空間を閉塞する閉塞部をさらに備える。

請求項５に記載の発明は、請求項４に記載の基板支持装置であって、前記第１多孔質部材の内側の前記空間が、不活性ガス雰囲気または減圧雰囲気とされる。

請求項６に記載の発明は、請求項１ないし５のいずれかに記載の基板支持装置であって、前記第２流体噴出部が、前記基板の前記他方の主面の一部に向けて前記第２流体を噴出し、前記第１流体噴出部と共に前記基板に対して相対的に移動する。

請求項７に記載の発明は、請求項６に記載の基板支持装置であって、前記第１多孔質部材と前記第２多孔質部材とが同形状であり、かつ、前記基板に垂直な方向において重なっている。

請求項８に記載の発明は、請求項１ないし７のいずれかに記載の基板支持装置であって、前記基板の前記一方の主面と前記第１多孔質部材との間の距離が、５μｍ以上３０μｍ以下とされる。

請求項９に記載の発明は、請求項１ないし８のいずれかに記載の基板支持装置であって、前記基板の前記外縁部近傍において前記基板を補助的に支持する補助支持部をさらに備える。

請求項１０に記載の発明は、請求項１ないし９のいずれかに記載の基板支持装置であって、前記第１流体が気体である。

請求項１１に記載の発明は、基板の表面電位を測定する表面電位測定装置であって、請求項１０に記載の基板支持装置と、前記基板支持装置の前記第１流体噴出部に取り付けられ、前記基板の前記対象領域に対向するプローブを有する測定部と、前記測定部からの出力に基づいて前記対象領域の表面電位を求める演算部とを備える。

請求項１２に記載の発明は、基板上の膜の厚さを測定する膜厚測定装置であって、請求項１ないし１０のいずれかに記載の基板支持装置と、前記基板支持装置の前記第１流体噴出部に取り付けられ、前記基板の前記対象領域に光を傾斜して入射させる光源部と、前記第１流体噴出部に取り付けられ、前記光源部からの光の前記対象領域からの反射光を受光して前記反射光の偏光状態を取得する受光部と、前記受光部にて取得された偏光状態に基づいて前記対象領域における膜の厚さを求める演算部とを備える。

請求項１３に記載の発明は、基板上の膜の厚さを測定する膜厚測定装置であって、請求項１ないし１０のいずれかに記載の基板支持装置と、前記基板支持装置の前記第１流体噴出部に取り付けられ、前記基板の前記対象領域に向けて光を出射する光源部と、前記第１流体噴出部に取り付けられ、前記光源部からの光の前記対象領域からの反射光を受光する受光部と、前記受光部からの出力に基づいて光干渉法により前記対象領域における膜の厚さを求める演算部とを備える。

請求項１４に記載の発明は、基板を検査する基板検査装置であって、請求項１ないし１０のいずれかに記載の基板支持装置と、前記基板支持装置の前記第１流体噴出部および前記第２流体噴出部の一方に取り付けられ、前記基板の前記対象領域に向けて光を出射する光源部と、前記第１流体噴出部および前記第２流体噴出部の他方に取り付けられ、前記対象領域を透過した前記光源部からの光を受光する受光部と、前記受光部からの出力に基づいて前記対象領域に対する検査または測定を行う演算部とを備える。

本発明では、第１流体噴出部と第２流体噴出部との間において基板を平坦化しつつ支持することができる。請求項２ないし５の発明では、第１流体噴出部と第２流体噴出部との間において基板をより平坦化することができる。請求項６および７の発明では、第２流体噴出部の第２多孔質部材の基板に対向する面を高精度に形成することができる。

請求項１１の発明では、基板の表面電位を高精度に測定することができる。請求項１２および１３の発明では、基板上の膜厚を高精度に測定することができる。請求項１４の発明では、基板に対する高精度な検査を実現することができる。

図１は、本発明の第１の実施の形態に係る表面電位測定装置１の構成を示す平面図である。また、図２は、表面電位測定装置１を図１中のＡ−Ａの位置にて切断した縦断面図である。表面電位測定装置１は、円板状の半導体基板９（以下、「基板９」という。）の表面電位を測定する装置である。図２では、図１に示す演算部４の図示を省略している。

図１および図２に示すように、表面電位測定装置１は、基板９を支持する基板支持装置２、および、基板支持装置２の後述する第１流体噴出部２１に取り付けられて基板９に対向するプローブ３１を有する測定部３を備え、また、図１に示すように、測定部３からの出力に基づいて基板９の表面電位を求める演算部４を備える。以下の説明では、図２に示す基板９の一方の主面９１（図２中の上側の主面であり、以下、「上面９１」という。）上において、表面電位測定用のプローブ３１が対向する領域（すなわち、表面電位の測定対象となる領域）を、「対象領域９１１」という。

図２に示すように、基板支持装置２は、基板９の上方に配置される第１流体噴出部２１、および、基板９の下方において基板９を挟んで第１流体噴出部２１に対向して配置される第２流体噴出部２２を備え、第１流体噴出部２１は、図１に示すように、平面視において円形である。以下の説明では、図２に示す基板９の第２流体噴出部２２側の主面９２（すなわち、上面９１とは反対側の他方の主面）を、「下面９２」という。

第１流体噴出部２１は、基板９の上面９１上の対象領域９１１の周囲を囲む円環状であるとともに対象領域９１１の周囲（すなわち、基板９の上面の一部）に向けて流体を噴出する第１多孔質部材２１１を備える。第１多孔質部材２１１の内周縁および外周縁の中心は一致している。

また、第１流体噴出部２１は、第１多孔質部材２１１の上側において第１多孔質部材２１１を支持する円環状の第１ベース部２１２、および、第１ベース部２１２の上部開口を閉塞する円板状の第１閉塞部２１３をさらに備える。第１流体噴出部２１では、第１閉塞部２１３が、第１多孔質部材２１１の内側の空間（すなわち、第１多孔質部材２１１の内周縁よりも内側の空間）を第１多孔質部材２１１の基板９とは反対側において閉塞する閉塞部となっている。

第２流体噴出部２２は、第１流体噴出部２１の第１多孔質部材２１１と対向するとともに基板９の下面９２の一部に向けて流体を噴出する第２多孔質部材２２１を備える。第２多孔質部材２２１は、平面視において第１多孔質部材２１１と同形状（すなわち、内周縁および外周縁の中心が一致する円環状）であり、かつ、基板９に垂直な方向において第１多孔質部材２１１と重なる。

また、第２流体噴出部２２は、第２多孔質部材２２１の下側において第２多孔質部材２２１を支持する円環状の第２ベース部２２２、および、第２ベース部２２２の下部開口を閉塞する円板状の第２閉塞部２２３をさらに備える。第２流体噴出部２２では、第２閉塞部２２３が、第２多孔質部材２２１の内側の空間（すなわち、第２多孔質部材２２１の内周縁よりも内側の空間）を第２多孔質部材２２１の基板９とは反対側において閉塞する閉塞部となっている。平面視において、第１多孔質部材２１１および第２多孔質部材２２１の面積は、基板９の面積に比べて小さい。

第１多孔質部材２１１および第２多孔質部材２２１は、多孔質セラミックや多孔質ステンレス材料等により形成される。また、ステンレス材料以外の他の金属系多孔質材料やプラスチック系多孔質材料が、第１多孔質部材２１１および第２多孔質部材２２１として利用されてもよい。第１多孔質部材２１１および第２多孔質部材２２１のそれぞれの空孔率は、好ましくは、１％以上１０％以下（より好ましくは、３％以上５％以下）とされる。本実施の形態では、第１多孔質部材２１１および第２多孔質部材２２１は、同一の材料により形成され、空孔率もほぼ等しくされる。

また、第１多孔質部材２１１および第２多孔質部材２２１の内径は、好ましくは、１０ｍｍ以上５０ｍｍ以下とされ、両多孔質部材の外径は、好ましくは、５０ｍｍ以上１００ｍｍ以下とされる。ただし、両多孔質部材の外径と内径との差は、１０ｍｍ以上とされる。

第１多孔質部材２１１の内部には略円環状の流路（図示省略）が形成されており、流路は気体供給ポート２１４を介して第１流体供給装置に接続されている。第１流体噴出部２１では、第１流体供給装置から流路に流体（以下の説明では、「第１流体」という。）が供給されることにより、第１多孔質部材２１１の下面全体から基板９の上面９１に向けて第１流体が均一に噴出する。

第２多孔質部材２２１の内部には、第１多孔質部材２１１と同様に、略円環状の流路（図示省略）が形成されており、流路は気体供給ポート２２４を介して第２流体供給装置に接続されている。第２流体噴出部２２では、第２流体供給装置から流路に流体（以下の説明では、「第２流体」という。）が供給されることにより、第２多孔質部材２２１の上面全体から基板９の下面９２に向けて第２流体が均一に噴出する。

基板支持装置２では、第１流体噴出部２１の第１多孔質部材２１１、および、第２流体噴出部２２の第２多孔質部材２２１から基板９に向けて第１流体および第２流体を噴出することにより、基板９が第１多孔質部材２１１と第２多孔質部材２２１との間にて非接触にて支持される。本実施の形態では、第１多孔質部材２１１および第２多孔質部材２２１から噴出される第１流体および第２流体は気体（例えば、加圧エア）であり、第１多孔質部材２１１と基板９の上面９１との間の距離（すなわち、基板９に垂直な方向に関する距離）は、５μｍ以上３０μｍ以下とされる。また、第２多孔質部材２２１と基板９の下面９２との間の距離（すなわち、基板９に垂直な方向に関する距離）も、５μｍ以上３０μｍ以下とされる。なお、第１流体および第２流体は同一の流体でもよく、種類が異なる流体でもよい。

ところで、基板９は、成膜やアニール等の様々な処理が行われることにより、僅かな反りや傾きを有しており、完全には平坦な形状とはなっていない。基板支持装置２では、基板９の第１多孔質部材２１１と第２多孔質部材２２１との間の部位が、第１多孔質部材２１１および第２多孔質部材２２１から噴出される第１流体および第２流体により、上下両側から（すなわち、上面９１および下面９２から）押圧されて平坦化される。

基板支持装置２は、図１および図２に示すように、基板９の周囲に配置される円環状のガイド部２３を備え、ガイド部２３は、基板９の外縁部９３において、基板９の外周面に全周に亘って当接または対向し、基板９の上面９１および下面９２に平行な方向への移動を規制する円環状の移動規制部２３１を備える。ガイド部２３は、また、図２に示すように、基板９の外縁部９３近傍において、複数の支持ピン２３３を基板９の下面９２に当接させることにより、基板９を補助的に支持する補助支持部２３２を備える。本実施の形態では、３つ以上の支持ピン２３３が等角度ピッチにて配列されている。

基板支持装置２は、また、図１に示すように、基板９の中心を通るとともに基板９に垂直な中心軸を中心として、基板９をガイド部２３と共に回転する基板回転機構２４を備える。基板回転機構２４は、第１モータ２４１、第１モータ２４１の回転軸に取り付けられたプーリ２４２、および、プーリ２４２の外周面およびガイド部２３の外周面に当接する環状のベルト２４３を備える。基板回転機構２４では、第１モータ２４１によりプーリ２４２が図１中の時計回りに回転することにより、ベルト２４３を介してガイド部２３が基板９と共に図１中の時計回りに回転される。なお、図２では、ガイド部２３を支持しつつ回転方向に案内する案内部の図示を省略している（図３ないし図５、並びに、図７においても同様）。

図３は、表面電位測定装置１を図１中のＢ−Ｂの位置にて切断した縦断面図である。図１および図３に示すように、表面電位測定装置１の基板支持装置２は、第１流体噴出部２１および第２流体噴出部２２を基板９の上面９１および下面９２に沿って図１中の左右方向に移動する噴出部移動機構２５を備える。図１に示すように、噴出部移動機構２５は、第２モータ２５１、第２モータ２５１に接続されるボールねじ２５２、ボールねじ２５２に螺合するナット２５３、および、ナット２５３に固定されるとともに第１流体噴出部２１を保持する第１アーム２５４を備え、図３に示すように、ナット２５３に固定されるとともに第２流体噴出部２２を保持する第２アーム２５５を備える。図３に示すように、第１流体噴出部２１の第１閉塞部２１３および第２流体噴出部２２の第２閉塞部２２３はそれぞれ、第１アーム２５４および第２アーム２５５に固定される。

図１に示す噴出部移動機構２５では、第２モータ２５１によりボールねじ２５２が回転することにより、ナット２５３がボールねじ２５２に沿って移動し、これにより、第１アーム２５４および第１流体噴出部２１が、ボールねじ２５２に平行に設けられたスライダ２５６に沿って基板９に対して相対的に移動する。また、図３に示す第２アーム２５５および第２流体噴出部２２も、第１流体噴出部２１と共に、スライダ２５６に沿って基板９に対して相対的に移動する。

図１に示す表面電位測定装置１では、基板回転機構２４により、基板９が中心軸を中心として回転するとともに、噴出部移動機構２５により、第１流体噴出部２１および第２流体噴出部２２（図２参照）が基板９の上面９１および下面９２（図２参照）に沿って移動することにより、第１流体噴出部２１に取り付けられた測定部３のプローブ３１が基板９に対して相対的に移動する。

図２に示すように、第１流体噴出部２１では、プローブ３１の先端が、円環状の第１多孔質部材２１１の内側の空間を介して基板９の上面９１に向けられているため、基板９の上面９１においてプローブ３１が対向する領域（すなわち、対象領域９１１）は、平面視における第１多孔質部材２１１の内側の円形の領域に含まれる。表面電位測定装置１では、第１流体噴出部２１の基板９に対する相対移動により、基板９の上面９１において対象領域９１１が変更される。すなわち、基板支持装置２では、基板回転機構２４および噴出部移動機構２５が、基板９の上面９１に沿って第１流体噴出部２１を基板に対して相対的に移動することにより対象領域９１１を変更する移動機構となっている。

表面電位測定装置１では、当該移動機構（すなわち、基板回転機構２４および噴出部移動機構２５）により、基板９の上面９１において対象領域９１１を変更しつつ、測定部３のプローブ３１により基板９の表面電位が順次測定される。そして、演算部４により、測定部３からの出力に基づいて基板９の対象領域９１１の表面電位が順次求められ、基板９の上面９１全体（あるいは、所定の領域）の表面電位が求められる。

以上に説明したように、表面電位測定装置１の基板支持装置２では、第１流体噴出部２１の第１多孔質部材２１１から、基板９の上面９１上の対象領域９１１の周囲に向けて第１流体が噴出され、基板９を挟んで第１流体噴出部２１と対向する第２流体噴出部２２の第２多孔質部材２２１から、基板９の下面９２に向けて第２流体が噴出される。これにより、第１流体噴出部２１と第２流体噴出部２２との間において基板９を平坦化しつつ（すなわち、対象領域９１１を平坦化しつつ）基板９を支持することができる。また、基板９と第１流体噴出部２１の第１多孔質部材２１１との間の距離を、オートフォーカス機構等の他の機構を設けることなく、簡素な構造で一定に維持することができる。その結果、表面電位測定装置１において、平坦化された対象領域９１１上に所望の間隔をあけてプローブ３１を位置させることができ、基板９上の対象領域９１１に対する表面電位の測定を高精度に行うことができる。また、フォーカス調整等に要する作業時間を削減することができ、表面電位の迅速な測定を実現することができる。

ところで、従来の基板を吸着して保持する基板保持装置の場合、当該基板保持装置のステージに接触する基板の下面にパーティクルが付着したり傷が付いてしまう恐れがある。また、ステージ上に異物が付着している場合には、基板の異物近傍の領域が撓んで変形してしまう。これに対し、基板支持装置２では、第１多孔質部材２１１および第２多孔質部材２２１が基板９に対して非接触とされるため、基板９の下面９２に対するパーティクルの付着や下面９２の損傷を防止することができる。また、第１多孔質部材２１１や第２多孔質部材２２１の表面に異物が付着していたとしても、基板９が異物の影響により変形することを防止することができる。その結果、表面電位測定装置１において、基板９上の対象領域９１１に対する表面電位の測定をより高精度に行うことができる。

表面電位測定装置１では、測定部３のプローブ３１が第１流体噴出部２１に取り付けられており、第１流体噴出部２１が、基板回転機構２４および噴出部移動機構２５により、基板９の上面９１に対して相対移動することにより、表面電位の測定対象となる対象領域９１１が変更される。このとき、第１流体噴出部２１が基板９に接触することなく迅速に相対移動することにより、対象領域９１１の変更を迅速に行うことができる。その結果、基板９全体の表面電位の測定を迅速に行うことができる。

基板支持装置２では、第２流体噴出部２２が、第２多孔質部材２２１から基板９の下面９２の一部に向けて第２流体を噴出し、第１流体噴出部２１と共に基板９に対して相対移動する構造とされることにより、第２流体噴出部２２の第２多孔質部材２２１を小型化することができる。

ところで、基板の下面全体を吸着保持する従来の基板保持装置の場合、基板が大型化すると基板を保持するステージも大型化する必要がある。しかしながら、大型ステージの上面を精度良く形成することは困難であり、高精度な大型ステージの製造には多大なコストが必要となる。これに対して、本実施の形態に係る基板支持装置２では、第２多孔質部材２２１を小型化することができるため、比較的大型の基板を支持する場合であっても、上記従来の基板保持装置のステージに比べて、製造コストを低減しつつ第２多孔質部材２２１の上面（すなわち、基板９の下面９２に対向する面）を高精度に形成することができる。その結果、第１多孔質部材２１１と第２多孔質部材２２１との間における基板９の平坦化をより高精度に実現することができる。

また、基板支持装置２では、第２多孔質部材２２１が、第１多孔質部材２１１と同形状とされ、中心軸方向において第２多孔質部材２２１が第１多孔質部材２１１に重ねて配置される。これにより、第１多孔質部材２１１および第２多孔質部材２２１において、基板９の平坦化に寄与しない部分が省かれ、第１多孔質部材２１１および第２多孔質部材２２１を共に小型化することができる。

第１流体噴出部２１では、第１多孔質部材２１１が対象領域９１１の周囲を囲む環状とされることにより、対象領域９１１の周囲において基板９に対する押圧力の均一性を向上することができ、第１流体噴出部２１と第２流体噴出部２２との間において基板９をより平坦化することができる。また、第１多孔質部材２１１が円環状とされることにより、対象領域９１１の周囲において基板９に対する押圧力の均一性をより向上することができ、第１流体噴出部２１と第２流体噴出部２２との間において基板９をさらに平坦化することができる。その結果、表面電位測定装置１において、基板９の表面電位の測定をより高精度に行うことができる。

また、第１流体噴出部２１では、第１多孔質部材２１１が円環状とされることにより、第１多孔質部材２１１を容易に形成することもできる。第２流体噴出部２２においても同様に、第２多孔質部材２２１が円環状とされることにより、対象領域９１１をより平坦化することができるとともに第２多孔質部材２２１を容易に形成することができる。さらには、第１流体噴出部２１では、第１多孔質部材２１１の内側の空間が第１閉塞部２１３により閉塞されることにより、表面電位の測定時に、浮遊パーティクル等が対象領域９１１に付着することが防止される。

基板支持装置２では、第１多孔質部材２１１と基板９の上面９１との間の距離、および、第２多孔質部材２２１と基板９の下面９２との間の距離が５μｍ以上とされることにより、第１流体噴出部２１および第２流体噴出部２２の移動時に、第１多孔質部材２１１および第２多孔質部材２２１が基板９と接触することを確実に防止することができる。また、上記距離が３０μｍ以下とされることにより、基板９の第１多孔質部材２１１と第２多孔質部材２２１との間の部位を十分に平坦化することができる。

また、基板支持装置２では、第１流体噴出部２１および第２流体噴出部２２から噴出される第１流体および第２流体が気体とされることにより、基板支持装置２の構造を簡素化することができる。さらには、基板９を補助的に支持する補助支持部２３２が設けられることにより、第１流体噴出部２１および第２流体噴出部２２のみにより基板９を支持する場合に比べて、基板９をより安定して支持することができる。

次に、本発明の第２の実施の形態に係る表面電位測定装置について説明する。図４は、第２の実施の形態に係る表面電位測定装置１ａの構成を示す縦断面図である。図４は、第１の実施の形態にかかる表面電位測定装置１の図２に対応する（図５および図７においても同様）。表面電位測定装置１ａの基板支持装置２では、図２に示す基板支持装置２の第１閉塞部２１３に代えて、図４に示すドーム状（すなわち、略半球面状）の第１閉塞部２１３ａが第１流体噴出部２１に設けられる。その他の構成は、図１ないし図３に示す表面電位測定装置１と同様であり、以下の説明において同符号を付す。

図４に示す基板支持装置２の第１流体噴出部２１では、第１閉塞部２１３ａ内の空間が、第１閉塞部２１３ａの上部に設けられた接続部２１３１を介して図示省略のガス供給装置に接続される。第１流体噴出部２１では、第１多孔質部材２１１の基板９とは反対側に配置される第１閉塞部２１３ａにより、第１多孔質部材２１１の内側の空間が閉塞されており、ガス供給装置から第１閉塞部２１３ａ内に不活性ガス（本実施の形態では、窒素（Ｎ_２））が供給されることにより、第１閉塞部２１３ａ内の空間、並びに、第１ベース部２１２および第１多孔質部材２１１の内側の空間（すなわち、対象領域９１１上の空間）が不活性ガス雰囲気とされる。

表面電位測定装置１ａの基板支持装置２では、第１の実施の形態と同様に、第１流体噴出部２１と第２流体噴出部２２との間において基板９を平坦化しつつ（すなわち、対象領域９１１を平坦化しつつ）基板９を支持することができる。また、基板９と第１流体噴出部２１の第１多孔質部材２１１との間の距離を、簡素な構造で一定に維持することができる。その結果、表面電位測定装置１ａにおいて、基板９上の対象領域９１１に対する表面電位の測定を高精度に行うことができる。さらには、第１流体噴出部２１および第２流体噴出部２２を基板９に対して迅速に相対移動することにより、基板９全体の表面電位の測定を迅速に行うことができる。

基板支持装置２では、第１の実施の形態と同様に、第１多孔質部材２１１の内側の空間が第１閉塞部２１３ａにより閉塞されることにより、表面電位の測定時に対象領域９１１にパーティクル等が付着することが防止される。

第２の実施の形態に係る表面電位測定装置１ａの基板支持装置２では、特に、第１閉塞部２１３ａに接続されたガス供給機構から不活性ガスが供給されることにより、第１多孔質部材２１１の内側の空間（すなわち、対象領域９１１上の空間）を簡素な構造で不活性ガス雰囲気とすることができる。そして、対象領域９１１上の空間が不活性ガス雰囲気とされた状態で測定が行われることにより、対象領域９１１に対する有機汚染等の汚染を抑制しつつ表面電位の測定を行うことができる。このように、表面電位測定装置１ａの基板支持装置２では、表面電位の測定に適した環境を容易に実現することができる。

なお、第１流体噴出部２１において、第１流体として不活性ガスが利用される場合、ガス供給装置から第１閉塞部２１３ａに不活性ガスが供給されることなく、第１多孔質部材２１１の内周面から第１多孔質部材２１１の内側の空間に向かって噴出する第１流体により、当該空間が不活性ガス雰囲気とされてもよい。

次に、本発明の第３の実施の形態に係る膜厚測定装置について説明する。図５は、第３の実施の形態に係る膜厚測定装置５の構成を示す縦断面図である。膜厚測定装置５は、基板９の上面９１上に形成された膜の厚さを測定する装置である。膜厚測定装置５では、図１ないし図３に示す表面電位測定装置１の測定部３のプローブ３１に代えて、図５に示す膜厚測定部６が基板支持装置２の第１流体噴出部２１に取り付けられる。その他の構成は、図１ないし図３に示す表面電位測定装置１と同様であり、以下の説明おいて同符号を付す。

図５に示すように、膜厚測定部６は、基板９上の膜に対する偏光解析に用いられる情報を取得するエリプソメータ６１、および、基板９からの反射光の分光強度を取得する光干渉ユニット６２を備える。

エリプソメータ６１は、基板支持装置２の第１流体噴出部２１に取り付けられるとともに基板９に向けて光を出射して基板９上の対象領域９１１に傾斜して入射させる第１光源部６１１、および、第１流体噴出部２１に取り付けられるとともに第１光源部６１１からの光の対象領域９１１からの反射光を受光して反射光の偏光状態を取得する第１受光部６１２を備える。第１受光部６１２にて取得された偏光状態を示すデータは演算部４へと出力され、演算部４により当該データに基づいて対象領域９１１における膜の厚さが求められる。

第１光源部６１１は、光ビームを出射する光源である半導体レーザ（ＬＤ）６１１１、および、半導体レーザ６１１１からの光ビームを遮断する電磁シャッタ６１１２を備え、電磁シャッタ６１１２により基板９への光の照射がＯＮ／ＯＦＦ制御される。第１受光部６１２は、フォトニック結晶により形成された１／４波長板アレイ（以下、「λ／４板アレイ」という。）６１２１および偏光子アレイ６１２２、並びに、ＣＣＤ（Charge Coupled Device）６１２３を備える。

λ／４板アレイ６１２１では、結晶軸が互いに異なる複数の領域がストライプ状に配列されており、偏光子アレイ６１２２でも同様に、結晶軸が互いに異なる複数の領域がストライプ状に配列されている。偏光子アレイ６１２２は、ストライプ状の複数の領域の配列方向が、λ／４板アレイ６１２１のストライプ状の複数の領域の配列方向に垂直となるように配置される。

図６は、基板支持装置２の第１流体噴出部２１の第１多孔質部材２１１を示す平面図である。図６に示すように、第１多孔質部材２１１は、基板９上の対象領域９１１（図５参照）の周囲を囲む円環状であり、第１多孔質部材２１１の上側の面には、図５および図６に示すように、中心を通る直線上に配置される（すなわち、第１多孔質部材２１１の中心を挟んで反対側に配置される）２つの傾斜溝２１１１が形成されている。なお、図５では、第１多孔質部材２１１の切断面よりも奥側の部位の一部（すなわち、傾斜溝２１１１の奥側の部位）も併せて描いている。

図５に示す膜厚測定装置５のエリプソメータ６１では、第１光源部６１１の半導体レーザ６１１１から出射された光が、第１多孔質部材２１１の一方の傾斜溝２１１１を通過して基板９上の対象領域９１１に入射し、対象領域９１１にて反射された反射光が、第１多孔質部材２１１の他方の傾斜溝２１１１を通過して第１受光部６１２のλ／４板アレイ６１２１および偏光子アレイ６１２２を介してＣＣＤ６１２３に入射する。そして、ＣＣＤ６１２３により、様々な結晶軸を有するλ／４板と偏光子の組み合わせを透過した光の強度（すなわち、反射光の偏光状態を示すデータ）が取得されて演算部４に出力され、演算部４において偏光解析法により対象領域９１１における膜の厚さが求められる。

光干渉ユニット６２は、基板支持装置２の第１流体噴出部２１に取り付けられるとともに基板９上の対象領域９１１に向けて光を出射する第２光源部６２１、および、第１流体噴出部２１に取り付けられるとともに第２光源部６２１からの光の対象領域９１１からの反射光を分光して受光する第２受光部６２２を備える。演算部４では、第２受光部６２２からの出力に基づいて光干渉法により対象領域９１１における膜の厚さが求められる。

第２光源部６２１は、白色光を照明光として出射するランプ６２１１、および、ランプ６２１１からの光を反射して対物レンズ６２３を介して基板９上の対象領域９１１へと導くハーフミラー６２１２を備える。第２受光部６２２は、基板９上の対象領域９１１にて反射されて対物レンズ６２３を介して入射する反射光を平行光とするコリメートミラー６２２１、コリメートミラー６２２１からの平行光を分光する反射型のグレーティング６２２２、フォーカスミラー６２２３、フィルタ６２２４およびＣＣＤ６２２５を備える。

膜厚測定装置５の光干渉ユニット６２では、第２光源部６２１のランプ６２１１から出射された照明光が、ハーフミラー６２１２および対物レンズ６２３を介して第１多孔質部材２１１の内側の空間を通過した後、基板９上の対象領域９１１に入射する。対象領域９１１にて反射された反射光は、第１多孔質部材２１１の内側の空間を通過して対物レンズ６２３およびハーフミラー６２１２を透過し、第２受光部６２２のコリメートミラー６２２１、グレーティング６２２２、フォーカスミラー６２２３およびフィルタ６２２４を介して分光された状態でＣＣＤ６２２５に入射する。そして、ＣＣＤ６２２５により、対象領域９１１からの反射光の分光強度が取得されて演算部４に出力され、演算部４において光干渉法により対象領域９１１における膜の厚さが求められる。

膜厚測定装置５では、基板支持装置２により支持される基板９の上面９１上の膜が比較的薄い場合には、エリプソメータ６１からの偏光状態を示す出力に基づいて偏光解析方式による膜厚測定が行われ、膜が比較的厚い、あるいは、多層膜の場合には、光干渉ユニット６２からの分光強度を示す出力に基づいて分光反射率を求めつつ光干渉法により膜厚が算出される。

膜厚測定装置５の基板支持装置２では、第１の実施の形態と同様に、第１流体噴出部２１と第２流体噴出部２２との間において基板９を平坦化しつつ基板９を支持することができる。また、基板９と第１流体噴出部２１の第１多孔質部材２１１との間の距離を、簡素な構造で一定に維持することができる。その結果、膜厚測定装置５において、エリプソメータ６１により基板９上の対象領域９１１の膜厚を高精度に測定することができる。また、光干渉ユニット６２によっても基板９上の対象領域９１１の膜厚を高精度に測定することができる。さらには、第１流体噴出部２１および第２流体噴出部２２を基板９に対して迅速に相対移動することにより、基板９全体の膜厚の測定を迅速に行うことができる。

次に、本発明の第４の実施の形態に係る基板検査装置について説明する。図７は、第４の実施の形態に係る基板検査装置７の構成を示す縦断面図である。基板検査装置７は、基板９ａの欠陥を検査する装置である。基板９ａは、通常の厚さ（約７００μｍ）の半導体基板を研磨することにより、厚さが約３０μｍとされた半導体基板（いわゆる、薄化ウエハ）であり、基板検査装置７により、基板９ａの削り痕が欠陥として検出される。

基板検査装置７では、図１ないし図３に示す表面電位測定装置１の測定部３のプローブ３１に代えて、図７に示すように、受光部７２が第１流体噴出部２１に取り付けられる。また、光源部７１が第２流体噴出部２２に取り付けられる。その他の構成は、図１ないし図３に示す表面電位測定装置１と同様であり、以下の説明おいて同符号を付す。

図７に示すように、光源部７１は、第２多孔質部材２２１の内側の空間を介して基板９ａの上面９１上の対象領域９１１に向けて下側から光を出射するランプ７１１を備える。受光部７２は、対物レンズ７２１、および、ＣＣＤ７２２を備える。基板検査装置７では、対象領域９１１を透過した光源部７１のランプ７１１からの光が、第１多孔質部材２１１の内側の空間を介して対物レンズ７２１に入射し、ＣＣＤ７２２により受光される。ＣＣＤ７２２により取得されたデータは演算部４へと出力され、演算部４により当該データに基づいて対象領域９１１に対する欠陥検査が行われる。

基板検査装置７の基板支持装置２では、第１の実施の形態と同様に、第１流体噴出部２１の第１多孔質部材２１１から、基板９ａの上面９１上の対象領域９１１の周囲に向けて第１流体がを噴出され、基板９ａを挟んで第１流体噴出部２１と対向する第２流体噴出部２２の第２多孔質部材２２１から、基板９ａの下面９２に向けて第２流体が噴出される。これにより、第１流体噴出部２１と第２流体噴出部２２との間において基板９ａを平坦化しつつ基板９ａを支持することができる。また、基板９ａと第１多孔質部材２１１との間の距離、および、基板９ａと第２多孔質部材２２１との間の距離を、簡素な構造で一定に維持することができる。その結果、基板検査装置７において、基板９ａ上の対象領域９１１の欠陥検査を高精度に行うことができる。さらには、第１流体噴出部２１および第２流体噴出部２２を基板９ａに対して迅速に相対移動することにより、基板９ａ全体の欠陥検査を迅速に行うことができる。

以上、本発明の実施の形態について説明してきたが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、様々な変更が可能である。

例えば、第１および第２の実施の形態に係る表面電位測定装置では、プローブ３１が取り付けられた第１流体噴出部２１は、必ずしも、基板９の重力方向における上側に配置される必要はなく、第１流体噴出部２１が基板９の下側に配置され、第２流体噴出部２２が基板９の上側に配置されてもよい（第３の実施の形態に係る膜厚測定装置５においても同様）。

第１の実施の形態に係る表面電位測定装置１では、第１流体噴出部２１および第２流体噴出部２２の双方にプローブ３１が取り付けられ、基板９の上面９１および下面９２の表面電位が測定されてもよい。

第２の実施の形態に係る表面電位測定装置１ａでは、第１流体噴出部２１の第１閉塞部２１３ａに排気装置が接続され、第１閉塞部２１３ａ内の空間、並びに、第１ベース部２１２および第１多孔質部材２１１の内側の空間（すなわち、対象領域９１１上の空間）が減圧雰囲気（真空雰囲気を含む。）とされてもよい。真空雰囲気とされる場合、第１多孔質部材２１１の内側の空間には、第１多孔質部材２１１の内側面等から第１流体が流入するため、当該空間は弱真空雰囲気となる。また、このときの第１多孔質部材２１１と基板９の上面９１との間の距離は、約５μｍとなる。

また、図４に示す表面電位測定装置１ａの第２流体噴出部２２に、第２閉塞部２２３に代えて、第１流体噴出部２１と同様のドーム状の第２閉塞部が設けられ、第２閉塞部内の空間、並びに、第２ベース部２２２および第２多孔質部材２２１の内側の空間が不活性ガス雰囲気または減圧雰囲気（真空雰囲気を含む。）とされてもよい。特に、第１多孔質部材２１１の内側の空間が減圧雰囲気とされる場合には、第２多孔質部材２２１の内側の空間も減圧雰囲気とされることにより、第１流体噴出部２１および第２流体噴出部２２からの基板９に対する押圧力を容易に同一とすることができ、基板９をより安定して支持することができる。

第３および第４の実施の形態に係る膜厚測定装置５および基板検査装置７では、第１多孔質部材２１１および第２多孔質部材２２１から噴出される第１流体および第２流体は、必ずしも気体には限定されず、例えば、純水等の比較的低粘度の液体とされてもよい。

第３の実施の形態に係る膜厚測定装置５では、エリプソメータ６１または光干渉ユニット６２のいずれか一方のみが膜厚測定部６として設けられてもよい。また、第１流体噴出部２１にエリプソメータ６１および光干渉ユニット６２のいずれか一方または双方が取り付けられ、第２流体噴出部２２にもエリプソメータ６１および光干渉ユニット６２のいずれか一方または双方が取り付けられることにより、基板９の上面９１および下面９２の膜厚が測定されてもよい。

膜厚測定装置５では、上述のエリプソメータ６１に代えて、第１光源部６１１に偏光子およびλ／４波長板を備え、第１受光部６１２に回転検光子を備えるエリプソメータが第１流体噴出部２１に取り付けられてもよい。この場合、偏光した光が基板９上の対象領域９１１に傾斜して入射する。

第４の実施の形態に係る基板検査装置７では、必ずしも基板９ａの欠陥検査が行われる必要はなく、基板９ａ上に形成されたパターンの検査や基板９ａの厚さの測定等が行われてもよい。

上記実施の形態に係る基板支持装置２では、第１流体噴出部２１に表面電位測定用のプローブ３１が取り付けられ、第２流体噴出部２２に膜厚測定用のエリプソメータ６１および／または光干渉ユニット６２が取り付けられてもよい。また、第１流体噴出部２１にエリプソメータ６１および／または光干渉ユニット６２が取り付けられ、第２流体噴出部２２にプローブ３１が取り付けられてもよい。

基板支持装置２では、第１流体噴出部２１と第２流体噴出部２２とは必ずしも接続されている必要はなく、第２流体噴出部２２を移動する移動機構が、第１流体噴出部２１を移動する移動機構とは独立して設けられ、両移動機構が同期して駆動されてもよい。また、第１流体噴出部２１および第２流体噴出部２２に磁石が組み込まれ、移動機構により第１流体噴出部２１が移動される際に、第２流体噴出部２２が磁力により第１流体噴出部２１に追従して移動する構造とされてもよい。

基板支持装置２では、第１流体噴出部２１および第２流体噴出部２２の位置が固定され、基板が水平方向（すなわち、基板９の上面９１および下面９２に平行な方向）に移動されることにより、第１流体噴出部２１および第２流体噴出部２２の基板に対する相対的な移動が実現されてもよい。これにより、第１流体噴出部２１および第２流体噴出部２２の相対移動に係る構造を簡素化することができる。一方、上述の基板処理装置のように、第１流体噴出部２１および第２流体噴出部２２を移動する構造とすることにより、装置のフットスタンプを小型化することができる。

基板支持装置２の補助支持部２３２は、移動規制部２３１とは個別に設けられてもよい。また、基板支持装置２から補助支持部２３２が省略され、第１流体噴出部２１および第２流体噴出部２２のみにより基板が支持されてもよい。

移動規制部２３１は、基板の外縁部９３に当接するのであれば、必ずしも基板の外周面に当接する必要はなく、例えば、基板の下面９２の外周縁近傍の部位に当接し、基板の重量による基板の下面９２と移動規制部との摩擦により基板の移動が規制されてもよい。この場合、基板支持装置２の補助支持部２３２が移動規制部の役割を兼ねてもよい。

基板支持装置２では、例えば、第１流体噴出部２１が基板９の上面９１に垂直な方向に移動された状態で、基板支持装置２への基板の搬出入が行われる。この場合、表面電位等の測定時には、第１流体噴出部２１は上下方向には移動しないように固定される。なお、第１流体噴出部２１は、表面電位等の測定時においても、上下に移動可能とされてもよい。

第１多孔質部材２１１および第２多孔質部材２２１の形状は、内周縁の中心と外周縁の中心とがずれている円環状（すなわち、内側の空間が偏心した円環状）とされてもよい。また、第１多孔質部材２１１および第２多孔質部材２２１は、必ずしも円環状とされる必要はなく、他の外形を有する環状（例えば、矩形枠状）とされてもよく、環状以外の他の形状とされてもよい。例えば、平面視において対象領域９１１を間に挟むＵ字型の第１多孔質部材２１１により、対象領域９１１の周囲に第１流体が噴出されてもよい。また、第１多孔質部材２１１は、対象領域９１１を間に挟んで対向する平行な２つのバー状の多孔質部材とされてもよい。

基板支持装置２では、第１多孔質部材２１１と第２多孔質部材２２１とは必ずしも同形状とされる必要はなく、例えば、平面視において第２流体噴出部２２が第１流体噴出部２１よりも大きくされてもよい。また、支持対象となる基板が比較的小さい場合等、第２多孔質部材の上面（すなわち、基板側の面）が高精度に形成できる場合には、第２多孔質部材が基板の下面と同形状とされ、当該第２多孔質部材から基板の下面全体に向けて第２流体が均一に噴出されてもよい。この場合、噴出部移動機構２５により、第１流体噴出部２１のみが基板に対して相対移動される。

上記実施の形態に係る基板支持装置２では、上述の表面電位測定や膜厚測定、欠陥検査以外の他の測定や検査に利用される様々な機器等が第１流体噴出部２１および／または第２流体噴出部２２に取り付けられてよい。第２の実施の形態に係る基板支持装置２では、第１流体噴出部２１に取り付けられる機器に合わせて、第１多孔質部材２１１の内側の空間を、当該機器による測定や検査に適した雰囲気とすることができる。第１ないし第４の実施の形態に係る基板支持装置２は、また、基板支持装置単体として利用されてもよい。

基板支持装置２は、半導体基板以外にも、例えば、液晶表示装置やプラズマ表示装置等の平面表示装置用のガラス基板の支持に利用されてもよい。また、それ以外の他の基板（例えば、有機半導体の薄膜が形成された（あるいは、形成される予定の）プラスチック基板や太陽電池に利用されるプラスチックフィルム基板）の支持に利用されてもよい。

第１の実施の形態に係る表面電位測定装置の平面図である。 表面電位測定装置の縦断面図である。 表面電位測定装置の縦断面図である。 第２の実施の形態に係る表面電位測定装置の縦断面図である。 第３の実施の形態に係る膜厚測定装置の縦断面図である。 第１多孔質部材の平面図である。 第４の実施の形態に係る基板検査装置の縦断面図である。

符号の説明

１，１ａ 表面電位測定装置
２ 基板支持装置
３ 測定部
４ 演算部
５ 膜厚測定装置
７ 基板検査装置
９，９ａ 基板
２１ 第１流体噴出部
２２ 第２流体噴出部
２４ 基板回転機構
２５ 噴出部移動機構
３１ プローブ
７１ 光源部
７２ 受光部
９１ 上面
９２ 下面
９３ 外縁部
２１１ 第１多孔質部材
２１３ 第１閉塞部
２２１ 第２多孔質部材
２３１ 移動規制部
２３２ 補助支持部
６１１ 第１光源部
６１２ 第１受光部
６２１ 第２光源部
６２２ 第２受光部
９１１ 対象領域

Claims (14)

1. 基板を支持する基板支持装置であって、
   基板の一方の主面上の対象領域の周囲に向けて、第１多孔質部材から第１流体を噴出する第１流体噴出部と、
   前記第１流体噴出部に対向して配置され、前記基板の他方の主面に向けて第２多孔質部材から第２流体を噴出することにより、前記第１多孔質部材と前記第２多孔質部材との間にて前記基板を非接触にて支持する第２流体噴出部と、
   前記基板の外縁部に当接して前記基板の前記一方の主面に平行な方向への移動を規制する移動規制部と、
   前記基板の前記一方の主面に沿って前記第１流体噴出部を前記基板に対して相対的に移動することにより前記対象領域を変更する移動機構と、
   を備えることを特徴とする基板支持装置。
2. 請求項１に記載の基板支持装置であって、
   前記第１多孔質部材が、前記対象領域の周囲を囲む環状であることを特徴とする基板支持装置。
3. 請求項２に記載の基板支持装置であって、
   前記第１多孔質部材が、円環状であることを特徴とする基板支持装置。
4. 請求項２または３に記載の基板支持装置であって、
   前記第１流体噴出部が、前記第１多孔質部材の前記基板とは反対側において前記第１多孔質部材の内側の空間を閉塞する閉塞部をさらに備えることを特徴とする基板支持装置。
5. 請求項４に記載の基板支持装置であって、
   前記第１多孔質部材の内側の前記空間が、不活性ガス雰囲気または減圧雰囲気とされることを特徴とする基板支持装置。
6. 請求項１ないし５のいずれかに記載の基板支持装置であって、
   前記第２流体噴出部が、前記基板の前記他方の主面の一部に向けて前記第２流体を噴出し、前記第１流体噴出部と共に前記基板に対して相対的に移動することを特徴とする基板支持装置。
7. 請求項６に記載の基板支持装置であって、
   前記第１多孔質部材と前記第２多孔質部材とが同形状であり、かつ、前記基板に垂直な方向において重なっていることを特徴とする基板支持装置。
8. 請求項１ないし７のいずれかに記載の基板支持装置であって、
   前記基板の前記一方の主面と前記第１多孔質部材との間の距離が、５μｍ以上３０μｍ以下とされることを特徴とする基板支持装置。
9. 請求項１ないし８のいずれかに記載の基板支持装置であって、
   前記基板の前記外縁部近傍において前記基板を補助的に支持する補助支持部をさらに備えることを特徴とする基板支持装置。
10. 請求項１ないし９のいずれかに記載の基板支持装置であって、
    前記第１流体が気体であることを特徴とする基板支持装置。
11. 基板の表面電位を測定する表面電位測定装置であって、
    請求項１０に記載の基板支持装置と、
    前記基板支持装置の前記第１流体噴出部に取り付けられ、前記基板の前記対象領域に対向するプローブを有する測定部と、
    前記測定部からの出力に基づいて前記対象領域の表面電位を求める演算部と、
    を備えることを特徴とする表面電位測定装置。
12. 基板上の膜の厚さを測定する膜厚測定装置であって、
    請求項１ないし１０のいずれかに記載の基板支持装置と、
    前記基板支持装置の前記第１流体噴出部に取り付けられ、前記基板の前記対象領域に光を傾斜して入射させる光源部と、
    前記第１流体噴出部に取り付けられ、前記光源部からの光の前記対象領域からの反射光を受光して前記反射光の偏光状態を取得する受光部と、
    前記受光部にて取得された偏光状態に基づいて前記対象領域における膜の厚さを求める演算部と、
    を備えることを特徴とする膜厚測定装置。
13. 基板上の膜の厚さを測定する膜厚測定装置であって、
    請求項１ないし１０のいずれかに記載の基板支持装置と、
    前記基板支持装置の前記第１流体噴出部に取り付けられ、前記基板の前記対象領域に向けて光を出射する光源部と、
    前記第１流体噴出部に取り付けられ、前記光源部からの光の前記対象領域からの反射光を受光する受光部と、
    前記受光部からの出力に基づいて光干渉法により前記対象領域における膜の厚さを求める演算部と、
    を備えることを特徴とする膜厚測定装置。
14. 基板を検査する基板検査装置であって、
    請求項１ないし１０のいずれかに記載の基板支持装置と、
    前記基板支持装置の前記第１流体噴出部および前記第２流体噴出部の一方に取り付けられ、前記基板の前記対象領域に向けて光を出射する光源部と、
    前記第１流体噴出部および前記第２流体噴出部の他方に取り付けられ、前記対象領域を透過した前記光源部からの光を受光する受光部と、
    前記受光部からの出力に基づいて前記対象領域に対する検査または測定を行う演算部と、
    を備えることを特徴とする基板検査装置。

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