JP2008159654A5 - - Google Patents

Claims (7)

1. 基板上にインダクタ素子を備えた半導体装置であって、
   前記インダクタ素子を覆う磁性樹脂体を備え、
   前記磁性樹脂体は粉末状の磁性体が分散された樹脂材で形成され、前記粉末状の磁性体の中心粒径が、前記インダクタ素子の巻き線間隔よりも大きく形成されていることを特徴とする半導体装置。
2. 前記基板の第一面側に配置された第一インダクタ素子と、この第一インダクタ素子を覆う前記磁性樹脂体からなる第一磁性樹脂層と、
   前記基板の第二面側に配置された第二インダクタ素子と、この第二インダクタ素子を覆う前記磁性樹脂層からなる第二磁性樹脂層とが形成され、
   前記第一インダクタ素子および前記第二インダクタ素子は、前記基板を挟んで面対称となる位置に形成されていることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
3. 前記基板には、前記第一磁性樹脂層と前記第二磁性樹脂層とを前記磁性樹脂体で接続する少なくとも二箇所の接続部が形成され、前記第一インダクタ素子および前記第二インダクタ素子の周囲に閉磁路が形成されていることを特徴とする請求項２記載の半導体装置。
4. 前記インダクタ素子は、渦巻き状の巻き線が平面内に形成されたスパイラルインダクタ素子であることを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれか１項に記載の半導体装置。
5. 前記渦巻き状の巻き線が、非磁性材料を間に挟んで複数層に亘って積層されることを特徴とする請求項４記載の半導体装置。
6. 半導体基板と、
   前記半導体基板上に設けられたインダクタ素子と、
   前記インダクタ素子上に設けられた、粉末状の磁性体及び樹脂材を含む磁性樹脂材とを有し、
   前記粉末状の磁性体は、当該磁性体の中心粒径が、前記インダクタ素子の配線間隔よりも大きいことを特徴とする半導体装置。
7. 請求項１ないし請求項６のいずれかに記載の半導体装置を備えたことを特徴とする電子
   機器。