JP2008156385A - 低融点ガラス分散ペースト、及び、プラズマディスプレイパネルの製造方法 - Google Patents
低融点ガラス分散ペースト、及び、プラズマディスプレイパネルの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008156385A JP2008156385A JP2006343417A JP2006343417A JP2008156385A JP 2008156385 A JP2008156385 A JP 2008156385A JP 2006343417 A JP2006343417 A JP 2006343417A JP 2006343417 A JP2006343417 A JP 2006343417A JP 2008156385 A JP2008156385 A JP 2008156385A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- glass
- forming
- dielectric
- dispersion paste
- precursor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Gas-Filled Discharge Tubes (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
- Glass Compositions (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
Abstract
【解決手段】水酸基価が40mol%以上のポリビニルアセタール樹脂と、ガラス粉末と、誘電率が25以上、比重が0.95以上1.35未満、かつ、沸点が150℃以上300℃未満の溶剤とを含有する低融点ガラス分散ペースト。
【選択図】なし
Description
背面ガラス基板にはプラズマから電極を保護する目的で電極上に誘電体層が形成され、更にその表面に蛍光体層を塗工するガラスリブが形成されている。また、蛍光体層の表面積を稼ぐために、ガラスリブは、サンドブラストを用いて凹型ストライプ状に成形されている。背面ガラス基板表面に誘電体層とガラスリブとが形成されたものを背面板という。
以下に本発明を詳述する。
水酸基価が40mol%未満であると、エチルセルロースを用いてなる誘電体前駆層を破壊しない溶媒との相溶性が悪くなり、ペースト化できなくなる。
なお、上記水酸基価は、ポリビニルアセタール樹脂がポリビニルアルコール樹脂をアセタール化することで得られるために、13C−NMR評価にてアセタール化度を評価することで求めることができる。
また、重量平均分子量が1万〜2万であると、サンドブラスト性も良好であり、塗工、乾燥後の表面特性、及び、糸曳性も良好である。
なお、ポリスチレン換算による重量平均分子量の測定は、カラムとして例えばSHOKO社製カラムLF−804を用いてGPC測定を行うことで得ることができる。
また、本発明の低融点ガラス分散ペーストに用いるバインダー樹脂としてポリビニルアセタール樹脂合成反応の後の反応溶液をそのまま用いる場合には、重合溶液にモノマーやオリゴマー等の低分子量成分が含まれないことが好ましい。
上記ガラス粉末の組成としては特に限定されず、例えば、ケイ酸塩ガラス、鉛ガラス、CaO・Al2O3・SiO2系無機ガラス、MgO・Al2O3・SiO2系無機ガラス、LiO2・Al2O3・SiO2系無機ガラス等の各種ガラスが挙げられる。特に、融点が600℃以下の低融点ガラスであることが好ましい。
下記に例示として挙げられている溶剤のなかには、従来公知のものも挙げられるが、実際に脱脂・焼成工程を考慮すると、比重が0.95以上、1.35未満の溶剤はガラス粉末に対して一般的でなく、また、蒸発しにくいため用いられていないのが現状であった。しかし、本発明者らはこのような比重かつ沸点の溶剤をあえて用いることにより、シートアタックを防ぐことができるということを初めて見出した。
なお、これらの溶剤は単独で用いられてもよいし、2種以上が併用されてもよい。
また、本発明の低融点ガラス分散ペーストは、ガラス基板との密着性を向上させるために、ポリビニルアルコールを混合して使用することができる。
すなわち、シートアタックを生じないという特徴を活かし、今まで個別に焼結プロセスが必要であったグリーンシート上に導電ペーストでパターンを描く工程、電極シート上に誘電体ペーストをカバーする工程、リブシート上に蛍光体ペーストをスクリーン印刷する工程等を簡略化することが可能である。
また、未焼結リブ上にインクジェットで蛍光体を印刷したり、オフセット印刷で電極を印刷した上に誘電体前駆層をスクリーン印刷したりする等、異なる印刷法を組み合わせるときにも応用することができる。例えば、サンドブラストレジストパターンをフォトリソ工程で描く工程をスクリーン印刷に置き換える等である。
背面ガラス基板にエチルセルロースをバインダー主成分とする誘電体層用ペーストを塗工し、乾燥させることにより誘電体前駆層を形成させる誘電体前駆層形成工程と、脱脂工程を行わずに上記誘電体前駆層の表面に本発明の低融点ガラス分散ペーストを塗工し、乾燥させることによりガラスリブ前駆体を形成させるガラスリブ前駆体形成工程と、サンドブラストにより上記ガラスリブ前駆体に凹型形状を形成させる凹型形状形成工程と、上記誘電体前駆層及び上記ガラスリブ前駆体を加熱して脱脂・焼成する脱脂・焼成工程とを有するプラズマディスプレイパネルの製造方法もまた、本発明の1つである。
また、背面ガラス基板に本発明の低融点ガラス分散ペーストを塗工し、乾燥させることにより誘電体前駆層を形成させる誘電体前駆層形成工程と、脱脂工程を行わずに上記誘電体前駆層の表面にエチルセルロースをバインダー主成分とするガラスリブ用ペーストを塗工し、乾燥させることによりガラスリブ前駆体を形成させるガラスリブ前駆体形成工程と、サンドブラストにより上記ガラスリブ前駆体に凹型形状を形成させる凹型形状形成工程と、上記誘電体前駆層及び上記ガラスリブ前駆体を加熱して脱脂・焼成する脱脂・焼成工程とを有するプラズマディスプレイパネルの製造方法もまた、本発明の1つである。
なお、各工程については、本発明の低融点ガラス分散ペーストを用いることと、脱脂工程を減らすこと以外は、従来のプラズマディスプレイパネルの製造方法と同様の操作を行うことができる。
重合度360、けん化度98mol%のポリビニルアルコール180gを純水3000mLに加え、90℃で約2時間攪拌し、溶解させた。この溶液を28℃まで冷却し、35重量%の塩酸200gとn−ブチルアルデヒド110gとを添加し、液温を15℃に下げ、この温度を保持してアセタール化反応を行い、反応生成物を析出させた。その後、液温を30℃に5時間保持して反応を完了させ、中和、水洗、及び、乾燥を経てポリビニルアセタール樹脂の白色の粉末を得た。
得られたポリビニルアセタール樹脂をDMSO−d6(ジメチルスルホキサイド)に溶解し、13C−NMR(核磁気共鳴スペクトル)を用いてアセタール化度(ブチラール化度)を測定したところ、ブチラール化度は38mol%であった。また、得られたポリビニルアセタール樹脂について、用いたポリビニルアルコール樹脂の水酸基価は98mol%であるためアセタール化反応後の残された水酸基価は60mol%である。
得られた樹脂に対して、ノニオン系界面活性剤としてBL−9EX(日光ケミカル社製)、ガラス粉末として低融点ガラス微粒子ABX−169F(東罐マテリアルテクノロジー社製)80%とシリカ粒子20%の混合物、表1に示した溶剤をそれぞれ表1に記載した組成比になるよう添加し、高速攪拌装置を用いて充分混練し、3本ロールミルにてなめらかになるまで処理を行い、低融点ガラス分散ペーストを作製した。
n−ブチルアルデヒドの添加量、反応温度、反応時間を調整し、実施例1と同様に反応−中和−乾燥を行い、ポリビニルアセタール樹脂を得た。用いたポリビニルアルコールのけん化度はいずれも98mol%であり、重合度は表1のとおりであった。また、得られたポリビニルアセタール樹脂の水酸基価は表1のとおりであった。得られたポリビニルアセタール樹脂を用い、表1の組成比になるように各成分を調整し、実施例1と同様にして低融点ガラス分散ペーストを作製した。
エチルセルロース(STD46、アルドリッチ社製)をテルピネオールに10重量%になるように溶解させ、エチルセルロースビヒクルを作製した。表1の組成比になるように各成分を調整し、実施例1と同様にして低融点ガラス分散ペーストを作製した。
実施例1〜4及び比較例1〜3で得られた低融点ガラス分散ペーストについて、以下の評価を行った。結果を表2、表3に示した。
エチルセルロース(STD46、アルドリッチ社製)をテルピネオールに10重量%になるように溶解させ、エチルセルロースビヒクルを作製した。エチルセルロースビヒクルに1:1の割合で低融点ガラス微粒子ABX−169Fとシリカ微粒子(8:2)混合物を添加し、高速攪拌装置を用いて充分混練し、3本ロールミルにてなめらかになるまで処理を行うことにより得られたペーストを10ミルに設定したアプリケーターを用いてガラス基板上に塗工した。120℃オーブンで30分養生し、ペーストに含まれるテルピネオールを蒸発させることにより、エチルセルロースをバインダー主成分とする誘電体前駆層を形成した。厚みは10ミクロンで緻密で表面平滑性は良好であった。
実施例1〜4及び比較例1〜2で得られた低融点ガラス微粒子及びシリカ粒子を含まないビヒクル組成物を誘電体前駆層上に塗工後、120℃オーブンで30時間乾燥させ顕微鏡にてビヒクル塗布面のガラス粒子層(誘電体前駆層)の形状を観察し、層に穴が見られたものを×、変化がなかったものを○とした。
エチルセルロース(STD46、アルドリッチ社製)をテルピネオールに10重量%になるように溶解させ、エチルセルロースビヒクルを作製した。エチルセルロースビヒクルに1:1の割合で低融点ガラス微粒子ABX−169Fとシリカ粒子の(8:2)混合物を添加し、高速攪拌装置を用いて充分混練し、3本ロールミルにてなめらかになるまで処理を行うことにより得られたペーストを7ミルに設定したアプリケーターを用いてガラス基板上に塗工した。120℃オーブンで30分養生してペーストに含まれるテルピネオールを蒸発させ、エチルセルロースをバインダー主成分とする誘電体前駆層を形成した。厚みは50ミクロンで緻密で表面平滑性は良好であった。
実施例1〜4及び比較例1〜2で得られた低融点ガラス分散ペーストを誘電体前駆層上に塗工後、ナイフコーターで400ミクロンの厚みに成形し、120℃オーブンで1時間乾燥させ、厚み180ミクロンのガラスリブ前駆体を形成した。
ガラスリブ前駆体上にサンドブラスト用ドライフィルムレジスト(東京応化工業社製、BF603)を50℃でラミネート後、露光マスクをセットし、300mJ/cm2で露光した。0.2%炭酸ナトリウム水溶液で現像し、幅100ミクロンのライン&スペースのパターンを形成した。
リブ上へのレジストフィルムの密着が良好なものを表面性○とし、細かな気泡が抜けなかったものを表面性×とした。
パターンを形成した面に不二製作所社製サンドブラスト機(ニューマブラスターSCM−1ADE−NE−401)を用い、研磨剤(不二製作所社製S4#1000)を噴出圧力0.15MPaで吹き付けし、サンドブラスト処理を行った。
誘電体前駆層まで切削が進んだものを○、底まで切削が進まなかったものを×とした。
実施例1、4及び比較例3で作成した低融点ガラス分散ペーストを10ミルに設定したアプリケーターを用いてガラス基板上に塗工した。120℃オーブンで30分養生してペーストに含まれる溶剤を蒸発させ、誘電体前駆層を形成した。厚みは10ミクロンで緻密で表面平滑性は良好であった。
エチルセルロース(STD46、アルドリッチ社製)をブチルカルビトールアセテートに樹脂分10重量%になるよう作成したビヒクル組成物を5ミルに設定したアプリケーターを用いて誘電体前駆層上に塗工した。120℃オーブンで30分養生して溶剤成分を蒸発させ誘電体前駆層の状態を顕微鏡観察して確認した。誘電体前駆層に穴が見られたものを×、変化がなかったものを○とした。
実施例1、4及び比較例3で作成した低融点ガラス分散ペーストを10ミルに設定したアプリケーターを用いてガラス基板上に塗工した。120℃オーブンで30分養生してペーストに含まれる溶剤を蒸発させ、誘電体前駆層を形成した。厚みは10ミクロンで緻密で表面平滑性は良好であった。
エチルセルロース(STD46、アルドリッチ社製)をブチルカルビトールアセテートに樹脂分10重量%になるよう作成したビヒクル組成物に、実施例1のポリビニルアセタール樹脂をエチルセルロース(STD46、アルドリッチ社製)に、溶剤をブチルカルビトールアセテートに変更した以外は同じ組成比及び方法で作成したガラスペースト組成物を誘電体前駆層上に塗工後、ナイフコーターで400ミクロンの厚みに成形し、120℃オーブンで1時間乾燥させ厚み180ミクロンのガラスリブ前駆体を成形した。
ガラスリブ前駆体上にサンドブラスト用ドライフィルムレジスト(東京応化工業社製、BF603)を50℃でラミネート後、露光マスクをセットし、300mJ/cm2で露光した。0.2%炭酸ナトリウム水溶液で現像し、幅100ミクロン幅のライン&スペースのパターンを形成した。
リブ上へのレジストフィルムの密着が良好なものを表面性○とし、レジストフィルムの剥がれや細かな気泡が抜けなかったものを表面性×とした。
パターンを形成した面に不二製作所社製サンドブラスト機(ニューマブラスターSCM−1ADE−NE−401)を用い、研磨剤(不二製作所製S4#1000)を噴出圧力0.15MPaで吹き付けし、サンドブラスト処理を行った。
誘電体前駆層まで切削が進んだものを○、底まで切削が進まなかったものを×とした。
誘電体前駆層、ガラスリブ前駆体にエチルセルロースを用い、溶媒にそれぞれテルピネオール、ブチルカルビトールアセテートを用いた比較例3では、耐シートアタック性評価では、誘電体前駆層の亀裂が見られ、リブ表面性評価ではガラス基板とガラスリブ前駆体との界面にレジストフィルム現像、洗浄中に部分的に剥がれが見られ、またレジストフィルムも部分的に剥がれる現象が見られた。サンドブラスト性評価では、用いたブチルカルビトールアセテート溶剤が、誘電体前駆層を膨潤させ、ガラスリブ前駆体へ移行したため、ガラスリブ前駆体の底部の樹脂量が多くなり、サンドブラストにて切削することができなかった。
Claims (6)
- 水酸基価が40mol%以上のポリビニルアセタール樹脂と、ガラス粉末と、誘電率が25以上、比重が0.95以上1.35未満、かつ、沸点が150℃以上300℃未満の溶剤とを含有することを特徴とする低融点ガラス分散ペースト。
- 更に、ポリビニルアルコールを含有することを特徴とする請求項1記載の低融点ガラス分散ペースト。
- 溶剤は、エタンジオール、プロパンジオール、及び、ブタンジオールからなる群より選択される少なくとも1種であることを特徴とする請求項1又は2記載の低融点ガラス分散ペースト。
- ポリビニルアセタール樹脂は、ポリスチレン換算による重量平均分子量が5000〜100000であることを特徴とする請求項1、2又は3記載の低融点ガラス分散ペースト。
- 背面ガラス基板にエチルセルロースをバインダー主成分とする誘電体層用ペーストを塗工し、乾燥させることにより誘電体前駆層を形成させる誘電体前駆層形成工程と、脱脂工程を行わずに前記誘電体前駆層の表面に請求項1、2、3又は4記載の低融点ガラス分散ペーストを塗工し、乾燥させることによりガラスリブ前駆体を形成させるガラスリブ前駆体形成工程と、サンドブラストにより前記ガラスリブ前駆体に凹型形状を形成させる凹型形状形成工程と、前記誘電体前駆層及び前記ガラスリブ前駆体を加熱して脱脂・焼成する脱脂・焼成工程とを有することを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
- 背面ガラス基板に請求項1、2、3又は4記載の低融点ガラス分散ペーストを塗工し、乾燥させることにより誘電体前駆層を形成させる誘電体前駆層形成工程と、脱脂工程を行わずに前記誘電体前駆層の表面にエチルセルロースをバインダー主成分とするガラスリブ用ペーストを塗工し、乾燥させることによりガラスリブ前駆体を形成させるガラスリブ前駆体形成工程と、サンドブラストにより前記ガラスリブ前駆体に凹型形状を形成させる凹型形状形成工程と、前記誘電体前駆層及び前記ガラスリブ前駆体を加熱して脱脂・焼成する脱脂・焼成工程とを有することを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006343417A JP5060121B2 (ja) | 2006-12-20 | 2006-12-20 | 低融点ガラス分散ペースト、及び、プラズマディスプレイパネルの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006343417A JP5060121B2 (ja) | 2006-12-20 | 2006-12-20 | 低融点ガラス分散ペースト、及び、プラズマディスプレイパネルの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008156385A true JP2008156385A (ja) | 2008-07-10 |
JP5060121B2 JP5060121B2 (ja) | 2012-10-31 |
Family
ID=39657682
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006343417A Expired - Fee Related JP5060121B2 (ja) | 2006-12-20 | 2006-12-20 | 低融点ガラス分散ペースト、及び、プラズマディスプレイパネルの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5060121B2 (ja) |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000323046A (ja) * | 1999-05-12 | 2000-11-24 | Toray Ind Inc | プラズマディスプレイ部材およびその製造方法 |
JP2003020253A (ja) * | 2001-07-04 | 2003-01-24 | Mitsubishi Materials Corp | ペーストの製造方法及びそれを用いたリブ状物の形成方法 |
JP2006117843A (ja) * | 2004-10-22 | 2006-05-11 | Sekisui Chem Co Ltd | 塗工用ペースト |
JP2006131445A (ja) * | 2004-11-04 | 2006-05-25 | Sekisui Chem Co Ltd | 塗工用ペースト |
JP2006244922A (ja) * | 2005-03-04 | 2006-09-14 | Sekisui Chem Co Ltd | 塗工ペースト用ビヒクル及び塗工ペースト |
JP2006332621A (ja) * | 2005-04-26 | 2006-12-07 | Sekisui Chem Co Ltd | ポリビニルアセタール樹脂組成物 |
-
2006
- 2006-12-20 JP JP2006343417A patent/JP5060121B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000323046A (ja) * | 1999-05-12 | 2000-11-24 | Toray Ind Inc | プラズマディスプレイ部材およびその製造方法 |
JP2003020253A (ja) * | 2001-07-04 | 2003-01-24 | Mitsubishi Materials Corp | ペーストの製造方法及びそれを用いたリブ状物の形成方法 |
JP2006117843A (ja) * | 2004-10-22 | 2006-05-11 | Sekisui Chem Co Ltd | 塗工用ペースト |
JP2006131445A (ja) * | 2004-11-04 | 2006-05-25 | Sekisui Chem Co Ltd | 塗工用ペースト |
JP2006244922A (ja) * | 2005-03-04 | 2006-09-14 | Sekisui Chem Co Ltd | 塗工ペースト用ビヒクル及び塗工ペースト |
JP2006332621A (ja) * | 2005-04-26 | 2006-12-07 | Sekisui Chem Co Ltd | ポリビニルアセタール樹脂組成物 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5060121B2 (ja) | 2012-10-31 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100800263B1 (ko) | 오프셋 인쇄용 전극 조성물 및 그에 의한 전극의 제조방법,이를 이용한 플라즈마 디스플레이 패널 | |
KR100776133B1 (ko) | 오프셋 인쇄용 전극 조성물 및 그에 의한 전극의 제조방법 | |
JP5074761B2 (ja) | ガラスペースト、及び、プラズマディスプレイパネルの製造方法 | |
JP5060121B2 (ja) | 低融点ガラス分散ペースト、及び、プラズマディスプレイパネルの製造方法 | |
JP2004115783A (ja) | 隔壁用ペーストおよびプラズマディスプレイパネルの製造方法。 | |
JPH1192171A (ja) | プラズマディスプレイパネルの隔壁形成用ガラスペースト組成物 | |
JP2009173811A (ja) | 誘電体層用ガラスペースト | |
JPH11100232A (ja) | プラズマディスプレー装置のバリアリブを作成するための複合材料および方法 | |
JP2009108203A (ja) | ガラスペースト組成物、及び、プラズマディスプレイパネルの製造方法 | |
KR100634766B1 (ko) | 시트 형성용 조성물, 시트 형성용 조성물의 제조방법, 및디스플레이 패널 제조용 시트형 미소성체 | |
JP2009104949A (ja) | アドレス電極形成用導体ペースト及びプラズマディスプレイパネル | |
JP3619605B2 (ja) | パターン形成材料と厚膜パターン形成方法およびプラズマディスプレイパネル | |
JP3673320B2 (ja) | パターン形成用ペースト | |
JP2007161556A (ja) | ペースト組成物、無機膜およびこれを用いたプラズマディスプレイパネル用隔壁部材 | |
JP3979813B2 (ja) | プラズマディスプレイパネル用基板の製造方法 | |
JP2010080420A (ja) | プラズマディスプレイ用部材 | |
JP2009144078A (ja) | 誘電体層形成用シート、誘電体層−ガラスリブ形成用シート、プラズマディスプレイパネルの製造方法及びプラズマディスプレイパネル | |
KR100597149B1 (ko) | 그린 시트 제조용 무연 투명유전체 조성물 | |
KR100899622B1 (ko) | 기능성 패턴 형성용 감광성 수지조성물 및 기능성 패턴형성방법 | |
JP2009155451A (ja) | ガラスペースト組成物、及び、プラズマディスプレイパネルの製造方法 | |
KR100651672B1 (ko) | 무기질막, 그것을 사용한 pdp용 부재 및 그들의 제조방법 | |
JP2005008514A (ja) | 無機材料膜、無機材料膜構造物、およびその製造方法並びに転写フィルム | |
JP2009138106A (ja) | ガラスペースト組成物、及び、プラズマディスプレイパネルの製造方法 | |
JP2009256548A (ja) | ガラスペースト組成物、及び、プラズマディスプレイパネルの製造方法 | |
JP5280770B2 (ja) | ガラスペースト組成物、及び、プラズマディスプレイパネルの製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20091013 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100917 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120106 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120221 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120423 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20120423 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120710 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120803 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150810 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150810 Year of fee payment: 3 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |