JP2008147558A - レーザ装置 - Google Patents

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Noritomo Hirayama
紀友 平山
Kazuhiro Koizumi
和裕 小泉
Yusuke Nakamura
裕介 中村
Hideo Kanai
秀夫 金井
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Abstract

【課題】断熱性を確保した上で温度調整機能を持たせるとともに、部品点数の増大を抑制しつつ、レンズとの光軸中心を精度よく合わせることが可能なレーザ装置を提供する。
【解決手段】レーザ素子201は、絶縁性伝熱プレート202およびペルチェ素子204を順次介してベースプレート206上に配置され、レーザ素子201、絶縁性伝熱プレート202およびペルチェ素子204をハウジング205にて上から挟み込むようにしてベースプレート206上に固定し、ハウジング205は、ベースプレート206と実質的に同じ熱膨張係数を持つ樹脂材料から構成する。
【選択図】 図1

Description

本発明はレーザ装置に関し、特に、温度調節機能が設けられたレーザ素子をマウントする方法に適用して好適なものである。
従来のレーザ装置では、産業用やセンシング用として用いられる場合において、発光波長を固定したり、製造過程における発光波長のバラツキを補正したりする場合には、レーザ素子の温度をペルチェ素子などにて安定化させたり制御したりすることが行われている(特許文献1)。ここで、冷却機能を持たせることなく、カンケースの中にレーザ素子が収められたレーザパッケージを固定し、かつ温度制御を行うためのユニットをレーザマウントと呼ぶ。
図5は、従来のレーザ装置のマウント方法を示す斜視図である。
図5において、レーザ素子10は電気駆動型のレーザであり、レーザ素子10を収納するハウジングもしくは容器は全体としてシリンダ状であり、かつ全体としてシリンダ状の基部12を具備する。3本のリード線がこの基部12から延設されている。
レーザ素子10は厚膜ハイブリッド回路として統合されており、導電通路16、18を具備した基板14を有している。導電通路16は厚膜度導電性インクと称される導電材料にて形成されており、導電性材料をその表面に形成したスルーホール(メッキ付スルーホールと称される)を介して延設されている。これらのスルーホールはレーザ素子10のベース12からのリード線を連結するため設けられものである。導電通路18は3つのタイプの材料もしくはインクを有しており、それは、感温性の抵抗材料と、非感温性の抵抗材料と、導電性材料とである。感温性の抵抗材料は基板14の後側における回路に沿って分布されている。この感温性材料もしくはインクは感温性抵抗(サーミスタ)22として図示されている。非感温性の抵抗24は感温性抵抗22と直列に設けられている。抵抗22、24は導電性材料通路を介して分布型サーミスタ回路の端部のターミナル26に接続されている。レーザ素子10からの導電通路16はターミナル28に接続されている。これらのターミナル26、28は矩形をなす基板14の一つのエッジに沿って直線上に配置されている。
レーザ素子10は、電気的かつ熱的に導電性の材料(エポキシセメント)よりなる環状の導電通路に接続され、基板14及び抵抗(サーミスタ)22及び更には基板14上の導電通路は厚膜インテギュレーテッドサーキットを構成している。
このチップは熱−電気型の冷却器32に対して配置されており、この冷却器32は矩形の部材であり、貫通開口を有しており、一連のソリッドステートの反対極性(PN)型の一連のシリコンエレメントによって構成されている。このタイプの熱−電気型の冷却器32はこの分野では公知であり、市販品として入手が可能である。この型の冷却器32はペルチェ冷却器と通常称されるものである。
レーザ素子10のための電気的駆動機構はレーザ電力制御回路34によって構成される。このレーザ電力制御回路34もまた通常のものである。このレーザ電力制御回路34はマウントの外側にあり、このレーザ電力制御回路34はマウントを介して延びる配線によってターミナル28に接続される。レーザ温度制御回路(LTCC)36はターミナル26に接続され、抵抗(サーミスタ)22により検出されるレーザ素子10の温度に応動するようになっている。
図6は、従来のレーザ装置のマウント方法を示す断面図である。
図6において、図5のレーザ素子10及び基板14を有した厚膜フィルムハイブリッド回路はマウントプレート62の空所60内に配置されるように図示される。マウントプレート62は絶縁材料にて形成される。この絶縁材料としてはエポキシが適当であるが、切削加工が可能でかつ成形が可能でしかも熱的かつ電気的に絶縁性を有するセラミック(例えばグラス−マイカ複合物)でもよい。このマウントプレート62は3つの座ぐり孔64及び3つの貫通孔66を形成している。座ぐり孔64は相互に120゜だけ離間しており、貫通孔66についても同様である。
空所60は後方を面した前壁70と前方を面した肩部72とを有し、これらの前壁70と肩部72とはマウントの光学的軸74に直交した基準面に配置されている。レーザ素子10は光が放出されるポート76を有する。このポート76は基板14から離間する方向(後方)を向いており、かつレーザ光はこのポートを介して投影される。
光学的アッセンブリ78は肩部72上に取り付けられ、一方インテギュレーテッドサーキット、特にレーザ素子10の取り付け(インデックスもしくは位置決め)は、レーザ素子が壁面70に突き当り、光学的アッセンブリ78が肩部72に突き当り拘束を受けることによって行なわれる。従って、光学的アッセンブリ78及びレーザ素子10は光学軸に直交する同一平面に拘束を受ける。レーザ素子10より低温の光学的アッセンブリ78が同一平面にあることにより熱勾配の影響は最小となる。その結果、レーザ素子10を光学的アッセンブリ78に対して軸方向にシフトせしめる膨張もしくは収縮の影響がキャンセルされる。光学的軸74は、光学的アッセンブリ78の外側胴84に対して伸縮自在な内部胴82内のレンズユニット80の軸線ともなっている。マウントが対称配置であるため横方向のシフトは防止される。
内部胴82及び外側胴84は異質の材料にて形成される。内部胴82及び外側胴84は焦点調整ノブ86によって係合するようにスプリング付勢を受けている。焦点調整ノブ86は外側胴84の前端にねじ込まれている。圧縮スプリング88は内部胴82及び外側胴84及び内部胴82の肩部90、92間に配置されている。内部胴82及び外側胴84が異なった材料によって作られていることから、光学的軸74に沿った収縮及び膨張が起こるが、このような収縮及び膨張は圧縮スプリング88によって許容されるものである。ガラス製のカバープレート94は内側胴82の後端に配置され、必要であれば光学的長の修正を行なうことができる。キー−スロット構造96、98は内側胴の回転を防止すると共に、光学的軸線に沿ったその並進運動を制限している。
ボルト99は貫通孔66内を延びており、光学的アッセンブリ78を取り付けプレートに取り付けている。この取り付けに先だって、移動プレートが熱交換器100に取り付けられる。この熱交換器100は基部102を備え、この基部102から熱交換エレメントもしくはフィン104が延設される。これらのフィン104は垂直もしくは半径方向のプレートとしてもよく、ロッドとすることも普通である。基部102は壁108を形成するボス106を有する。この壁108の表面は気冷却器32に対して配置され、冷却器32を厚膜ハイブリッド回路の基板14に対してサンドイッチしている。サーミスタ回路は冷却器32の向き合った側面の一方の側面の周囲に分布している。極度に薄い熱伝導性の熱パッドが冷却器32の向き合った側面上に、この間に形成される空間や隙間を充填するように配置されており、前面側における冷却器32とインテギュレーテッドサーキットとの間及び後面側における冷却器と熱交換器100との間の熱抵抗を減少させることができる。
熱絶縁材料(好ましくはウレタン発泡体)より成るU字型のブロック112、114が冷却器32の周囲に配置され、長い距離に渡っての対流的な熱循環を防止し、レーザ素子10/インテギュレーテッドサーキット及び冷却器21を組立体の残りの部分から遮断している。リード線26は基板14のエッジから延びており、冷却器32のリード線はそのターミナルからそのエッジに沿ってパッド114の上部を横切りマウントプレート62の通路を介して延びている。リード線が通過するこれらの通路は絶縁コンパウンドによって埋められており、レーザ素子10の厚膜ハイブリッド回路、基板14及び冷却器32からの熱の漏洩を防止し、リード線26、ターミナル28並びに熱−電気冷却器32からのリード線にかかる応力を緩和している。マウントプレート62はボルト118によって熱交換器のベースプレート102に取り付けられ、このボルト112は座ぐり孔64内に延びている。
このようなレーザマウントにおいて、温度調整が可能なことと、レンズとの位置関係、特にレンズとレーザ素子10の光軸中心が温度によって移動しないことなどが必要となる。
図7は、従来のレーザ装置のマウント方法のその他の例(TOPTICA社製)を示す斜視図である。
図7において、レーザ素子303は、立方体のアルミブロック302に収容され、このアルミブロック302の四方にはペルチェ素子304a〜304dが配置され、これらペルチェ素子304a〜304dを介してハウジング301に固定されることで、断熱性と冷却性が確保されている。
特開平5−218596号公報
しかしながら、図5および図6のレーザマウント方法では、断熱性を確保し、光軸を合わせるために、レーザ素子10の配線に使われるサーミスタを薄膜化し、レーザ素子10の背面にヒートシンクを配置するとともに、エポキシなどの樹脂材料で構成されたマウントプレート62が用いられる。このため、アルミ容器に収容されたレーザ素子10とマウントプレート62との熱膨張係数が異なるとともに、構造上の部品点数が多くなることから、レーザ素子10の光軸合わせが困難になるという問題があった。
また、図7のレーザマウント方法では、レーザ素子303がペルチェ素子304a〜304dによって支持されるとともに、アルミブロック302との間に熱膨張係数の差異が発生する。このため、ペルチェ素子304a〜304dの厚み方向の寸法公差や加熱・冷却による熱膨張によって、レンズとレーザ素子302の光軸中心が合わなかったり、レンズとレーザ素子302の光軸中心がずれたりするという問題があった。
また、図7のレーザマウント方法では、4枚のペルチェ素子304a〜304dを使用するため、消費電力が大きく、装置に組み込むことが困難であるという問題があった。
そこで、本発明の目的は、断熱性を確保した上で温度調整機能を持たせるとともに、部品点数の増大を抑制しつつ、レンズとの光軸中心を精度よく合わせることが可能なレーザ装置を提供することである。
上述した課題を解決するために、請求項1記載のレーザ装置によれば、リード端子が設けられた容器内に封入されたレーザ素子と、前記レーザ素子の温度を検出する温度検出手段と、前記リード端子を通す貫通穴が形成され、前記レーザ素子の温度を調節する温度調節手段と、前記温度検出手段が埋め込まれ、熱伝達を行う絶縁性伝熱プレートと、前記温度調節手段および前記絶縁性伝熱プレートを順次介して前記レーザ素子が搭載され、前記温度調節手段の放熱を行うベースプレートと、前記レーザ素子、前記絶縁性伝熱プレートおよび前記温度調節手段を挟み込むようにして前記レーザ素子、前記絶縁性伝熱プレートおよび前記温度調節手段を前記ベースプレート上に固定するハウジングとを備え、前記ベースプレートは熱伝導性金属材料から構成され、前記ハウジングは前記ベースプレートと実質的に同じ熱膨張係数を持つ樹脂材料から構成されることを特徴とする。
また、請求項2記載のレーザ装置によれば、前記ハウジングはポリフェニレンサスファイドから構成されることを特徴とする。
また、請求項3記載のレーザ装置によれば、前記リード端子は、少なくとも前記温度調節手段、前記絶縁性伝熱プレートおよび前記ベースプレートとの接触部分については絶縁性チューブで被覆されていることを特徴とする。
また、請求項4記載のレーザ装置によれば、前記リード端子は、少なくとも前記温度調節手段、前記絶縁性伝熱プレートおよび前記ベースプレートとの接触部分については絶縁性被膜が形成されていることを特徴とする。
以上説明したように、本発明によれば、レーザ素子を固定するハウジングを樹脂材料から構成した場合においても、温度調節手段の放熱を行うベースプレートとハウジングの熱膨張係数を実質的に等しくすることができる。このため、ベースプレートとハウジングとの熱膨張係数の差異に起因する合わせずれを伴うことなく、レーザ素子、絶縁性伝熱プレートおよび温度調節手段をベースプレート上に固定することが可能となり、断熱性を確保した上で温度調整機能を持たせるとともに、部品点数の増大を抑制しつつ、レンズとの光軸中心を精度よく合わせることが可能となる。
以下、本発明の実施形態に係るレーザ装置について図面を参照しながら説明する。
図1は、本発明の一実施形態に係るレーザ装置の概略構成を示す断面図である。
図1において、レーザ素子201は、絶縁性伝熱プレート202およびペルチェ素子204を順次介してベースプレート206上に配置され、レーザ素子201、絶縁性伝熱プレート202およびペルチェ素子204はハウジング205にて上から挟み込まれるようにしてベースプレート206上に固定されている。
ここで、レーザ素子201は、アルミニウムなどの熱伝導性金属材料から構成された円筒状の容器内に封入されている。そして、レーザ素子201を封入する容器の底には、リード端子209a、209bが延設され、レーザ素子201の位置合わせの基準となる円筒状の基部が設けられている。このレーザ素子201が封入された容器はカンタイプのパッケージを構成し、例えば、TO5.6やTO9と呼ばれる形式のものを使用することができる。
また、絶縁性伝熱プレート202には、図2に示すように、レーザ素子201のリード端子209a、209bを通す貫通孔202a、202bがプレート面に垂直に形成されるとともに、温度センサ203を埋め込む開口部202cが側面に形成されている。そして、温度センサ203が絶縁性伝熱プレート202の開口部202cに埋め込まれ、シリコンなどの熱伝導性材料にて固定されている。なお、温度センサ203としては、例えば、温度に対して電気的特性が変化するサーミスタなどを用いることができる。
また、ペルチェ素子204には、図3に示すように、レーザ素子201のリード端子209a、209bを通す貫通孔204a、204bがプレート面に垂直に形成されている。
また、ハウジング205は、ベースプレート206と実質的に同じ熱膨張係数を持つ樹脂材料から構成され、ハウジング205を構成する樹脂材料として、例えば、アルミニウムの熱膨張係数=2.4×10−51/℃に近いポリフェニレンサスファイドを用いることができる。
また、ベースプレート206は、アルミニウムや銅などの熱伝導性金属材料から構成することができる。そして、ベースプレート206には、レーザ素子201に電源を供給するためのコネクタ207が埋め込まれ、コネクタ207には外部と電気的に接続するためにリード線210a、210bが設けられている。
そして、ベースプレート206上にペルチェ素子204および絶縁性伝熱プレート202を順次配置し、ベースプレート206、ペルチェ素子204および絶縁性伝熱プレート202を通してレーザ素子201のリード端子209a、209bをコネクタ207に接続することができる。そして、レーザ素子201、絶縁性伝熱プレート202およびペルチェ素子204が上から挟み込まれるようにしてハウジング205をベースプレート206上に結合することにより、レーザ素子201の中心軸の位置を調整しながら、レーザ素子201、絶縁性伝熱プレート202およびペルチェ素子204cをベースプレート206上に固定することができる。なお、ハウジング205をベースプレート206上に結合する方法としては、ネジ208にてハウジング205をベースプレート206にネジ止めすることができる。
なお、ベースプレート206、ペルチェ素子204および絶縁性伝熱プレート202をリード端子209a、209bと絶縁するために、リード端子209a、209bは、少なくともベースプレート206、ペルチェ素子204および絶縁性伝熱プレート202との接触部分については絶縁性チューブで被覆するようにしてもよいし、リード端子209a、209bに塗装などの表面処理を行うことで、リード端子209a、209bに絶縁性被膜を形成するようにしてもよい。
また、レーザ素子201と絶縁性伝熱プレート202との間、絶縁性伝熱プレート202とペルチェ素子204との間、ペルチェ素子204とベースプレート206との間には、伝熱性を向上させるためにシリコングリースなどを充填するようにしてもよい。
そして、図4に示すように、温度安定化用ドライバにてペルチェ素子204に流す電流を調整し、温度センサ203の出力を確認しながらレーザ素子201の温度を制御することにより、レーザ素子201の発光波長を調整することができる。
そして、レーザ素子201がマウントされたレーザ装置は、例えば、煙道や排ガスなどの各種のガスの濃度測定などに用いられる光源として用いることができる。そして、レーザ素子201は絶縁性伝熱プレート202を介して加熱または冷却され、樹脂材料から構成されたハウジング205にて断熱することができる。
ここで、ハウジング205を構成する樹脂材料としてポリフェニレンサスファイドを用いることにより、レーザ素子201を固定するハウジング205を樹脂材料から構成した場合においても、ベースプレート206とハウジング205の熱膨張係数を実質的に等しくすることができる。このため、ベースプレート206とハウジング205との熱膨張係数の差異に起因する合わせずれを伴うことなく、レーザ素子201をベースプレート206上に固定することが可能となり、部品点数の増大を抑制しつつ、レンズとの光軸中心を精度よく合わせることが可能となる。
また、レーザ素子201の底面側にペルチェ素子204を配置することで、ペルチェ素子204を1個だけ用いた場合においても、レーザ素子201を効率よく加熱または冷却することができ、消費電力を低減することが可能となるとともに、レーザ装置の小型化および低価格化を図ることができる。
本発明の一実施形態に係るレーザ装置の概略構成を示す断面図である。 図2(a)は、図1の伝熱プレート202の概略構成を示す平面図、図2(b)は、図1の伝熱プレート202の概略構成を示す断面図である。 図3(a)は、図1のペルチェ素子204の概略構成を示す平面図、図3(b)は、図1のペルチェ素子204の概略構成を示す側面図、図3(c)は、図1のペルチェ素子204の概略構成を示す裏面図である。 本発明の一実施形態に係る温度とレーザ素子の発光波長との関係を示す図である。 従来のレーザ装置のマウント方法を示す斜視図である。 従来のレーザ装置のマウント方法を示す断面図である。 従来のレーザ装置のマウント方法のその他の例を示す斜視図である。
符号の説明
201 レーザ素子
202 絶縁性伝熱プレート
203 温度センサ
204 ペルチェ素子
205 ハウジング
206 ベースプレート
207 コネクタ
208 ネジ
209a、209b、210a、210b リード線
202a、202b、204a、204b 貫通孔
202c 開口部

Claims (4)

  1. リード端子が設けられた容器内に封入されたレーザ素子と、
    前記レーザ素子の温度を検出する温度検出手段と、
    前記リード端子を通す貫通穴が形成され、前記レーザ素子の温度を調節する温度調節手段と、
    前記温度検出手段が埋め込まれ、熱伝達を行う絶縁性伝熱プレートと、
    前記温度調節手段および前記絶縁性伝熱プレートを順次介して前記レーザ素子が搭載され、前記温度調節手段の放熱を行うベースプレートと、
    前記レーザ素子、前記絶縁性伝熱プレートおよび前記温度調節手段を挟み込むようにして前記レーザ素子、前記絶縁性伝熱プレートおよび前記温度調節手段を前記ベースプレート上に固定するハウジングとを備え、
    前記ベースプレートは熱伝導性金属材料から構成され、前記ハウジングは前記ベースプレートと実質的に同じ熱膨張係数を持つ樹脂材料から構成されることを特徴とするレーザ装置。
  2. 前記ハウジングはポリフェニレンサスファイドから構成されることを特徴とする請求項1記載のレーザ装置。
  3. 前記リード端子は、少なくとも前記温度調節手段、前記絶縁性伝熱プレートおよび前記ベースプレートとの接触部分については絶縁性チューブで被覆されていることを特徴とする請求項1または2記載のレーザ装置。
  4. 前記リード端子は、少なくとも前記温度調節手段、前記絶縁性伝熱プレートおよび前記ベースプレートとの接触部分については絶縁性被膜が形成されていることを特徴とする請求項1または2記載のレーザ装置。
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