JP2008145846A - パネルの製造方法および表示装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】大型基板の剛性を保ちつつ薄型化することができるパネルの製造方法およびこれを用いた表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】各々ガラス基板を有する駆動パネル１００と対向パネル２００とを、剥離可能な接着材３１０を間にして外周部を除く全面にわたり接着し、外周部にエッチング保護のための封止層３２０を設けて接合体３００を形成する。接合体３００のエッチングによりガラス基板の厚みを薄くする。ガラス基板の剛性を保持し、エッチングの際の撓みや変形を抑える。ポイントスクライブにより分割線を形成したのち、外周部を切断して封止層３２０を除去し、加熱または紫外線照射により接着材３１０の密着力を弱めて剥離する。得られた駆動パネル１００および対向パネル２００を用いて、表示装置を形成するための組立体を形成し、この組立体を分割線よりも外側の切断線で切断する。
【選択図】図５

Description

本発明は、液晶などを用いた表示装置に好適なパネルの製造方法およびこれを用いた表示装置の製造方法に関する。

従来、液晶表示装置の製造工程では、液晶の注入方法により滴下注入と真空注入との二つに大きく分けられる。液晶滴下注入による製造工程では、例えば、図１８に示したように、まず、薄膜デバイスなどが形成された二枚のガラス基板の間に液晶を封入して表示装置を形成し（ステップＳ２０１）、次いで、この表示装置をエッチングすることによりガラス基板の厚みを薄くしたのち（ステップＳ２０２）、ホイールスクライブにより表示装置を所定の寸法に切断している（ステップＳ２０３）。また、図１９に示したように、上述した方法と同様にして表示装置を形成したのち（ステップＳ２０１）、ホイールスクライブにより切断し（ステップＳ２０３）、化学的機械研磨によりガラス基板の厚みを薄くする（ステップＳ３０１）方法も行われている。

また、液晶真空注入による製造工程では、例えば、図２１に示したように、薄膜デバイスなどが形成された二枚のガラス基板を貼り合わせて空セルを形成し（ステップＳ４０１）、次いで、この空セルをエッチングすることによりガラス基板の厚みを薄くし（ステップＳ２０２）、ホイールスクライブにより切断したのち（ステップＳ２０３）、真空容器内で空セルに液晶を注入して表示装置を形成している（ステップＳ４０２）。あるいは、図２２に示したように、上述した方法と同様にして空セルを形成し（ステップＳ４０１）、次いでホイールスクライブにより切断し（ステップＳ２０３）、真空容器内で空セルに液晶を注入して表示装置を形成したのち（ステップＳ４０２）、化学的機械研磨によりガラス基板の厚みを薄くする（ステップＳ３０１）方法もある。
特開２００５−３４０１８２号公報 「’９９最新液晶プロセス技術」，プレスジャーナル，１９９８年，ｐ．５３−５９ 「フラットパネル・ディスプレイ１９９９」，日経ＢＰ社，１９９８年，ｐ．１３２−１３９

しかしながら、図１８に示した方法では、ガラス基板の厚みを薄くしたのちに切断するので、薄型化した大型基板の保持が困難であり、また、切断後のパネル端面の機械的強度にも問題があった。また、図１９に示した方法では、化学的機械研磨によりガラス基板の厚みを薄くするので、製造コストが高くなってしまうという問題があった。

なお、特許文献１では、ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）装置の製造工程に関して、ＥＬ素子部を形成した二枚の基板を対向配置し、周辺部を貼り合せてエッチングあるいは研磨などにより基板を薄型化することが記載されている。しかし、この従来方法では大型基板の周辺部のみを貼り合わせるので、エッチングの際にガラス基板の撓みや変形が生じるおそれがあり、薄型化には限界があった。また、特許文献１には厚みや基板寸法について特に記載されていないが、例えば片側の基板の厚みが０．１５ｍｍ、寸法６００ｍｍを超えると保持や搬送が困難になる。

本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、ガラスなどの大型基板の剛性を保ちつつ薄型化することができるパネルの製造方法およびこれを用いた表示装置の製造方法を提供することにある。

本発明によるパネルの製造方法は、各々基板を有する二枚のパネルを、剥離可能な接着材を間にして外周部を除く全面にわたり接着し、外周部にエッチング保護のための封止層を設けて接合体を形成し、接合体をエッチングすることにより基板の厚みを薄くする薄型化工程と、外周部を切断することにより封止層を除去したのち、接着材を剥離する分解工程とを含むようにしたものである。

本発明による表示装置の製造方法は、本発明によるパネルの製造方法により得られた二枚のパネルを用いて、表示装置を形成するための組立体を形成する組立工程と、組立体を切断する切断工程とを含むようにしたものである。

本発明のパネルの製造方法によれば、各々基板を有する二枚のパネルを、剥離可能な接着材を間にして外周部を除く全面にわたり接着し、外周部にエッチング保護のための封止層を設けて接合体を形成し、この接合体をエッチングすることにより基板の厚みを薄くするようにしたので、ガラスなどの大型基板の剛性を保持しつつエッチングの際の撓みや変形を抑えることができ、極めて薄いパネルを堅牢かつ低コストに製造することができる。よって、この製造方法により得られたパネルを用いて表示装置を製造することにより、従来の限界を超える極薄型表示装置を実現することができる。

以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。

図１は、本発明の一実施の形態に係る液晶表示装置の製造方法の流れを表すものであり、図２ないし図１７は、この製造方法を工程順に表したものである。なお、本発明によるパネルの製造方法は、以下の液晶表示装置の製造方法の一部を構成するものであるので、併せて説明する。

この液晶表示装置の製造方法は、液晶プロジェクタ，ＴＶ（TeleVision）装置，ＰＤＡ（Personal Digital Assistants ）または携帯電話などに用いられ、画像信号に基づいて映像表示を行う液晶表示装置を製造するものであり、例えば、パネル作製工程，薄型化工程，分割工程，支持体貼合工程，分解工程，組立工程，切断工程および液晶封入工程を含んでいる。

（パネル作製工程）
まず、例えば長辺３５０ｍｍ、短辺３００ｍｍ、厚み０．７ｍｍの２枚のガラス基板１０１，２０１を用意し、ガラス基板１０１には、図２に示したように、複数の画素１１がマトリクス状に配置されてなる表示領域１０を形成すると共に、この表示領域１０の周辺に、映像表示用のドライバであるデータドライバ１２および走査ドライバ１３とを形成し、駆動パネル１００を形成する。一方、ガラス基板２０１には、図３に示したように、共通電極２１０を形成し、対向パネル２００を形成する（ステップＳ１０１）。

各画素１１内には画素駆動回路１４を形成する。画素駆動回路１４は、後述する画素電極１２０の下層に形成され、一般にＣＭＯＳ（Complementary Metal-Oxide Semiconductor ）やＮＭＯＳ（negative Metal-Oxide Semiconductor）などのトランジスタＴ１と、液晶２０に電圧を供給するキャパシタ（補助容量）Ｃ１とを有するアクティブ型の駆動回路である。

画素駆動回路１４において、列方向にはデータ線１２Ａが複数配置され、行方向には走査線１３Ａが複数配置されている。各データ線１２Ａと各走査線１３Ａとの交差点が、１画素に対応している。各トランジスタＴ１のソース電極はデータ線１２Ａに接続され、ゲート電極は走査線１３Ａに接続されている。各トランジスタＴ１のドレイン電極は、画素電極１２０と補助容量Ｃ１とに接続されている。各データ線１２Ａは、データドライバ１２に接続され、このデータドライバ１２から画像信号が供給されるようになっている。各走査線１３Ａは走査ドライバ１３に接続され、この走査ドライバ１３から走査信号が順次供給されるようになっている。

図４は、トランジスタＴ１の一例の断面構成を表したものである。トランジスタＴ１は、ボトムゲート型薄膜トランジスタ（ＴＦＴ；Thin Film Transistor）であり、例えば一般的な低温ポリシリコン技術（例えば、非特許文献１および非特許文献２参照。）により形成することができる。すなわち、まず、ガラス基板１０１に、例えばスパッタ法により厚みが１００ｍｍのモリブデン（Ｍｏ）よりなるゲート１１１を形成し、例えばフォトリソグラフィ技術により所定の形状に成形する。次いで、例えばプラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition ；化学気相成長）法により、二酸化ケイ素（ＳｉＯ₂ ）層、または二酸化ケイ素層と窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）層との積層体よりなるゲート絶縁膜１１２を形成する。続いて、厚みが３０ｎｍないし１００ｎｍの非晶質シリコン層を連続的に形成し、この非晶質シリコン層に例えば波長が３０８ｎｍのＸｅＣｌエキシマレーザパルスを照射することにより非晶質シリコン層を溶融させたのち再結晶化させて結晶シリコン層１１３を形成する。そののち、結晶シリコン層１１３のチャネル領域１１３Ａの形成予定領域に、例えば二酸化ケイ素よりなるストッパ層１１４を形成する。このストッパ層１１４は、後述するｎ^- 型ドープ領域１１３Ａを形成するためのリン（Ｐ）イオン打込み時のチャネル保護膜としての機能を有している。ストッパ層１１４を形成したのち、例えばイオン打込みにより、結晶シリコン層１１３のストッパ層１１４で覆われていない領域に、ｎ^- 型ドープ領域１１３Ｂおよびｎ⁺ 型ドープ領域１１３Ｃよりなるアクティブ領域を形成する。アクティブ領域は、高いオン電流と低いオフ電流とを両立するためのＬＤＤ（Lightly Doped Drain ）構造とする。結晶シリコン層１１３のストッパ層１１４で覆われた領域はチャネル領域１１３Ａとなる。ｎ^- 型ドープ領域１１３Ｂおよびｎ⁺ 型ドープ領域１１３Ｃを形成したのち、例えばプラズマＣＶＤ法により、二酸化ケイ素層、または二酸化ケイ素層と窒化ケイ素層との積層体よりなるパッシベーション膜１１５を形成する。パッシベーション膜１１５を形成したのち、このパッシベーション膜１１５に接続孔を設け、例えばアルミニウム（Ａｌ）よりなるソース電極１１６およびドレイン電極１１７を形成し、パッシベーション膜１１５の接続孔を介してｎ⁺ 型ドープ領域１１３Ｃに接続する。ソース電極１１６およびドレイン電極１１７を形成したのち、例えば赤色のカラーレジストを塗布してカラーフィルタ１１８を形成し、このカラーフィルタ１１８をフォトリソグラフィ技術により所定の形状に成形すると共にソース電極１１６に対応して接続孔を設ける。赤色のカラーフィルタ１１８を形成したのち、同様にして緑色および青色のカラーフィルタ１１８を形成する。カラーフィルタ１１８を形成したのち、例えばアクリル系樹脂よりなる平坦化層１１９を形成し、この平坦化層１１９をフォトリソグラフィ技術により所定の形状に成形すると共にソース電極１１６に対応して接続孔を設ける。平坦化層１１９を形成したのち、例えばスパッタ法により、酸化スズ（ＳｎＯ₂ ）と酸化インジウム（Ｉｎ₂ Ｏ₃ ）との固溶体物質であるＩＴＯ（Indium Tin Oxide；インジウムスズ酸化物）よりなる画素電極１２０を形成し、平坦化層１１９およびカラーフィルタ１１８に設けられた接続孔を介してソース電極１１６に接続する。画素電極１２０を形成したのち、例えば二酸化ケイ素の斜め蒸着、またはポリイミド系の有機化合物をラビング（配向）処理することにより、配向膜（図示せず）を形成する。

共通電極２１０は、例えばスパッタ法により、ＩＴＯにより形成する。共通電極２１０の上には、画素電極１２０上の配向膜と同様にして、配向膜（図示せず）を形成する。

（薄型化工程）
次いで、図５に示したように、駆動パネル１００と対向パネル２００とを、剥離可能な接着材３１０を間にして外周部を除く全面にわたり接着し、外周部にはエッチング保護のための封止層３２０を設けて、接合体３００を形成する（ステップＳ１０２）。その際、駆動パネル１００の画素１１等が形成されている側と、対向パネル２００の共通電極２１０が形成されている側とを対向させる。なお、接合体３００は、必ずしも駆動パネル１００と対向パネル２００とにより構成する必要はなく、二枚の駆動パネル１００、または二枚の対向パネル２００により構成してもよい。また、駆動パネル１００または対向パネル２００と、画素１１等や共通電極２１０などを一切形成していない素ガラス基板とを用いてもよい。

接着材３１０としては、例えば、厚みが３００μｍであり、ポリエステルよりなる基材に粘着剤が塗布されたもの（例えば、日東電工社製「リバアルファ」）を用いることができる。粘着剤にはカプセルが含まれており、所定の温度、例えば９０℃〜１２０℃に加熱することによりカプセルが膨張し、粘着力を弱めて剥離することができる。また、接着材３１０としては、紫外線照射により粘着力を弱めて剥離するものも使用可能である。

接着材３１０と駆動パネル１００および対向パネル２００との接着は、図６に示したような真空貼合装置（真空ラミネータ）を用いて行う。この真空貼合装置４００は、本体４０１内に第１真空室４１０と第２真空室４２０を設けたものである。第１真空室４１０と第２真空室４２０とは、通気孔（図示せず）を有する隔壁４３０で隔てられている。第２真空室４２０には、駆動パネル１００を載せるステージ４２１と、シリコーンシートよりなる押圧部材４２２とが設けられている。

この真空貼合装置４００では、まず、大気開放された状態でステージ４２１に駆動パネル１００を置き、その上に接着材３１０を載せる。この状態では、接着材３１０は駆動パネル１００に接触しているだけで密着はしていない。次いで、第１真空室４１０および第２真空室４２０をポンプ（図示せず）により真空引きし減圧する。真空度が５０Ｐａないし１００Ｐａに到達してから５分〜１０分大気し脱気する。続いて、第２真空室４２０を減圧させたまま、第１真空室４１０を大気圧に戻すことにより差圧を生じさせると、押圧部材４２２が膨らみ、接着材３１０を押して、駆動パネル１００に密着させる。そののち、同様にして、接着材３１０と対向パネル２００とを密着させる。

封止層３２０は、エッチング液が接合体３００内部に浸入することを防ぐためのものであり、耐フッ酸性を有するものが好ましい。封止層３２０としては、例えば紫外線硬化型のシール剤（ノーランドプロダクツ社（Norland Products Inc. ）製「ＮＯＡ６５」）を用いることができる。

続いて、図７に示したように、接合体３００をエッチングすることによりガラス基板１０１，２０１の厚みを薄くする（ステップＳ１０２）。エッチング液としては、例えばフッ化水素酸を用い、初期濃度を例えば重量濃度１５％とし、エッチング中は液の攪拌を行う。このとき、駆動パネル１００と対向パネル２００とを、外周部の封止層３２０だけでなく、接着材３１０を間にして外周部を除く全面にわたり接着してエッチングするようにしたので、ガラス基板１０１，２０１の剛性を保持し、エッチングの際の撓みや変形を抑えることができ、極めて薄い駆動パネル１００および対向パネル２００を堅牢かつ低コストに製造することができる。なお、上述した方法と同様にして実際に接合体３００を形成し、エッチングを行ったところ、ガラス基板１０１，２０１の厚みを、従来では不可能であった０．０１ｍｍ〜０．２ｍｍと極めて薄くすることができた。

（分割工程）
そののち、図８に示したように、ガラス基板１０１，２０１の厚み方向の少なくとも一部に、例えばダイヤモンドスクライバー５００を用いたポイントスクライブにより、分割線Ｌ１を形成する（ステップＳ１０３）。ダイヤモンドスクライバー５００としては、例えば、旭ダイヤモンド工業社製の４ポイント，２ポイント，８ポイントまたは３ポイントタイプなどを用いることができる。荷重は例えば５０ｇｆ〜１５０ｇｆ、ガラス基板１００，２００の表面に対する取付角αは例えば４５°〜８５°とする。

分割線Ｌ１は、図９に示したように、表示装置形成予定領域１０００Ａの外寸に沿った線で形成する。また、形成された分割線Ｌ１は、図１０に示したようなＶ字溝となっており、更にこのＶ字溝の先端から、ガラス基板１０１，２０１の厚み方向の少なくとも一部に割れ線Ｃ１が生じている。

分割線Ｌ１を形成したのち、図１１に示したように、ガラス基板１０１，２０１を円筒面（湾曲面）６１０を有する治具６００に沿わせることにより、曲げ応力を利用してガラス基板１０１，２０１を劈開し、割れ線Ｃ１をガラス基板１０１，２０１の厚み方向の全部にわたり形成する。円筒面６１０の曲率半径は例えば５０ｍｍ〜２００ｍｍとする。なお、この工程は、分割線Ｌ１を形成した時点で割れ線Ｃ１がガラス基板１０１，２０１の厚み方向の全部にわたり形成されている場合には不要である。

（支持体貼合工程）
ガラス基板１０１，２０１を治具６００を用いて劈開したのち、図１２に示したように、ガラス基板１０１，２０１に、シリコーンゴム等よりなるローラ７１０により支持体７００を貼り合わせる（ステップＳ１０４）。支持体７００としては、例えば、厚みが１００μｍ〜２００μｍであり、表面に接着剤が塗布されたプラスチックフィルムを用いることができる。

（分解工程）
ガラス基板１０１，２０１に支持体７００を貼り合わせたのち、図１３に示したように、外周部を切断線Ｌ２で切断することによりエッチング保護のための封止層３２０を除去する（ステップＳ１０５）。切断線Ｌ２は、ガラス基板１０１，２０１の四辺に沿って、封止層３２０が内部の表示領域１０から切り離される位置に設ける。切断方法としては、例えばレーザ切断が好ましく、レーザとしては例えばコヒーレント社（Coherent Inc. ）製の炭酸ガスレーザを用いることができる。切断条件は、例えば、レーザ波長９．４μｍ、周波数８１ＭＨｚのパルス出力とする。平均出力は最大で２２５Ｗであるがパルス周期およびパルス幅によって変化する。ここでは、例えば、パルス周期１０μｓ、パルス幅２μｓとする。

封止層３２０を除去したのち、図１４に示したように、例えば加熱または紫外線照射により接着材３１０と駆動パネル１０１および対向パネル２００との密着力を弱め、接着材３１０を剥離する（ステップＳ１０５）。加熱の場合、例えば、ホットプレートに接合体３００を載せるか、あるいは接合体３００をオーブンに入れて、接着材３１０を所定の温度、例えば９０℃〜１２０℃に到達させる。これにより、支持体７００に支持された駆動パネル１００と、支持体７００に支持された対向パネル２００とが形成される。

（組立工程）
接着材３１０を剥離したのち、図１５および図１６に示したように、駆動パネル１００に紫外線硬化型シール剤を塗布することにより液晶封止層１３０を形成する一方、対向パネル２００にはスペーサ２２０を散布し、駆動パネル１００と対向パネル２００とを対向させて液晶封止層１３０を硬化させ、液晶表示装置を形成するための組立体８００を形成する（ステップＳ１０６）。

（切断工程）
組立体８００を形成したのち、同じく図１５に示したように、この組立体８００を切断線Ｌ３で切断する（ステップＳ１０７）。切断方法は、上述した分解工程において封止層３２０を除去する場合と同様にレーザ切断が好ましく、使用するレーザおよび切断条件も同様である。切断線Ｌ３は、分割工程において形成したポイントスクライブによる分割線Ｌ１よりも外側に形成することが好ましい。切断によりひび，割れ等が生じた場合にも、それらのひび，割れ等の進行を分割線Ｌ１で止めることができ、内部の表示領域１０への影響を抑えることができるからである。

（液晶封入工程）
組立体８００を切断したのち、図１６に示したように、駆動パネル１００と対向パネル２００と液晶封止層１３０とにより囲まれた空間に液晶２０を封入し、支持体７００の表面に偏光板等の光学フィルム９００を貼り合わせる。なお、液晶２０としては、垂直配向液晶，水平配向液晶，強誘電性液晶、ＴＮ（Twisted Nematic ）モードの液晶またはＯＣＢ（Optically Compensated Birefringence ）方式の液晶など、特に限定されない。以上により、表示装置１０００が完成する。

この表示装置１０００では、バックライト装置（図示せず）からの光が、駆動パネル１００，液晶２０および対向パネル２００を通過して出射される。このとき、液晶２０は、対向する電極間の電位差に応じて、その光学的な特性が変化し、通過する光を変調させる。この光変調により階調表現が可能となり、その変調された光が映像表示に利用される。液晶２０への電圧印加は、図２に示した画素駆動回路１４によって行われる。データドライバ１２は、データ線１２Ａに画像信号を供給する。走査ドライバ１３は、所定のタイミングで各走査線１３Ａに走査信号を順次供給する。これにより、走査線１３Ａからの走査信号によって走査され、かつデータ線１２Ａからの画像信号が印加された部分の画素が、選択的に駆動される。

以上のように、本実施の形態では、駆動パネル１００および対向パネル２００を、剥離可能な接着材３１０を間にして外周部を除く全面にわたり接着し、外周部にエッチング保護のための封止層３２０を設けて接合体３００を形成し、この接合体３００をエッチングすることによりガラス基板１０１，２０１の厚みを薄くするようにしたので、ガラス基板１０１，２０１の剛性を保持し、エッチングの際の撓みや変形を抑えることができ、極めて薄い駆動パネル１００および対向パネル２００を堅牢かつ低コストに製造することができる。よって、この製造方法により得られた駆動パネル１００および対向パネル２００を用いて表示装置１０００を製造することにより、従来の限界を超える極薄型液晶表示装置を実現することができ、携帯電話などの薄型化の要求に応えることができる。あるいはガラス基板１０１，２０１が薄くなることで駆動パネル１００および対向パネル２００の湾曲が可能となり、曲面表示の表示装置を実現することができる。

また、厚みを薄くしたガラス基板１０１，２０１に、ポイントスクライブにより分割線Ｌ１を形成し、組立体８００を切断する際にはこの分割線Ｌ１よりも外側の切断線Ｌ３で切断するようにしたので、切断線Ｌ３でひび，割れ等が生じても、その進行を分割線Ｌ１で止めることができ、内部の表示領域１０への影響を抑えることができる。

以上、実施の形態を挙げて本発明を説明したが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、種々変形が可能である。例えば、上記実施の形態において説明した各層の材料および厚み、成膜方法および成膜条件、または切断方法および切断条件などは限定されるものではなく、他の材料および厚みとしてもよく、他の成膜方法および成膜条件、または他の切断方法および他の切断条件としてもよい。

また、例えば、上記実施の形態では、ガラス基板１０１，２０１を有する駆動パネル１００または対向パネル２００を用いて表示装置１０００を製造する場合について説明したが、本発明の方法は、対象物である基板の構成材料によって限定されるものではなく、エッチングが可能な基板であれば、ガラス以外の他の材料（半導体など）よりなる基板の薄型化についても適用可能性を有するものである。

また、上記実施の形態では、表示装置１０００の構成を具体的に挙げて説明したが、全ての層を備える必要はなく、また、他の層を更に備えていてもよい。例えば、上記実施の形態では、トランジスタＴ１としてボトムゲート型ポリシリコンＴＦＴを形成する場合について説明したが、トップゲート型ポリシリコンＴＦＴまたはアモルファスＴＦＴでもよい。

更に、上記実施の形態では、液晶表示装置の製造方法において、パネル作製工程，薄型化工程，分割工程，支持体貼合工程，分解工程，組立工程，切断工程および液晶封入工程のすべてを行う場合について説明したが、分割工程または支持体貼合工程については必ずしも行わなくてもよく、パネル作製工程，薄型化工程，分解工程，組立工程，切断工程および液晶封入工程を行うようにしてもよい。なお、液晶以外の、例えば有機発光（有機ＥＬ）表示装置を製造する場合には、パネル作製工程において有機発光（有機ＥＬ）素子を形成するので、液晶封入工程は不要であることは言うまでもない。また、単にパネルを薄型化するだけであれば、少なくともパネル作製工程，薄型化工程および分解工程を行えば足りる。薄膜デバイス等を形成しない素ガラス基板の薄型化を行うなら、更にパネル作製工程も省略し、薄型化工程および分解工程のみを行うようにすることも可能である。

加えて、例えば、上記実施の形態では、ガラス基板１０１，２０１にプラスチックフィルムよりなる支持体７００を貼り合わせ、この支持体７００に偏光板などの光学フィルム９００を貼り付けるようにした場合について説明したが、支持体７００を省略し、光学フィルム９００を直接ガラス基板１００，２００に貼り合わせることも可能である。

更にまた、上記実施の形態等では、透過型の液晶表示装置について説明したが、本発明は反射型や半透過型の液晶表示装置、あるいは有機発光（有機ＥＬ）表示装置にも適用することが可能である。

本発明の一実施の形態に係る液晶表示装置の製造方法の流れを表す図である。 図１に示した製造方法を工程順に表した断面図である。 図２に続く工程を表す断面図である。 図３に続く工程を表す断面図である。 図４に続く工程を表す断面図である。 図５に続く工程を表す断面図である。 図６に続く工程を表す断面図である。 図７に続く工程を表す断面図である。 図７に続く工程を表す断面図である。 図７に続く工程を表す断面図である。 図８ないし図１０に続く工程を表す断面図である。 図１１に続く工程を表す断面図である。 図１２に続く工程を表す断面図である。 図１３に続く工程を表す断面図である。 図１４に続く工程を表す断面図である。 図１４に続く工程を表す断面図である。 図１６に続く工程を表す断面図である。 従来の液晶表示装置の製造方法の流れの一例を表す図である。 従来の液晶表示装置の製造方法の流れの他の例を表す図である。 従来の液晶表示装置の製造方法の流れの更に他の例を表す図である。 従来の液晶表示装置の製造方法の流れの更に他の例を表す図である。

符号の説明

１０…表示領域、１１…画素、１２…データドライバ、１２Ａ…データ線、１３…走査ドライバ、１３Ａ…走査線、１４…画素駆動回路、２０…液晶、１００…駆動パネル、２００…対向パネル、１０１，２０１…ガラス基板、１２０…画素電極、２１０…共通電極、２２０…スペーサ、３００…接合体、３１０…接着材、３２０…封止層、４００…真空貼合装置、６００…治具、７００…支持体、８００…組立体、９００…光学フィルム、１０００…表示装置、Ｔ１…トランジスタ

Claims (6)

1. 各々基板を有する二枚のパネルを、剥離可能な接着材を間にして外周部を除く全面にわたり接着し、前記外周部にエッチング保護のための封止層を設けて接合体を形成し、前記接合体をエッチングすることにより前記基板の厚みを薄くする薄型化工程と、
   前記外周部を切断することにより前記封止層を除去したのち、前記接着材を剥離する分解工程と
   を含むことを特徴とするパネルの製造方法。
2. 前記基板はガラス基板である
   ことを特徴とする請求項１記載のパネルの製造方法。
3. 各々基板を有する二枚のパネルを、剥離可能な接着材を間にして外周部を除く全面にわたり接着し、前記外周部にエッチング保護のための封止層を設けて接合体を形成し、前記接合体をエッチングすることにより前記基板の厚みを薄くする薄型化工程と、
   前記外周部を切断することにより前記封止層を除去したのち、前記接着材を剥離する分解工程と、
   前記二枚のパネルを用いて、表示装置を形成するための組立体を形成する組立工程と、
   前記組立体を切断する切断工程と
   を含むことを特徴とする表示装置の製造方法。
4. 前記基板はガラス基板である
   ことを特徴とする請求項３記載の表示装置の製造方法。
5. 前記薄型化工程を行ったのち前記分解工程を行う前に、前記基板の厚み方向の少なくとも一部に、ポイントスクライブにより分割線を形成する分割工程を含み、
   前記切断工程において、前記分割線よりも外側の切断線で切断する
   ことを特徴とする請求項３記載の表示装置の製造方法。
6. 前記分割工程を行ったのち前記分解工程を行う前に、前記基板に支持体を貼り合わせる支持体貼合工程を含む
   ことを特徴とする請求項５記載の表示装置の製造方法。

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