JP2008140946A - 半導体装置 - Google Patents
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- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01082—Lead [Pb]
Abstract
【課題】半導体チップや回路基板の微細化に対応すると共に、信号や電源、電極位置の配線自由度向上を図る。これによって半導体チップの小型化や複数の半導体チップの積層を容易にする技術を提供する。
【解決手段】金属細線1の先端の金属ボール2からなる突起部が接触半導体チップもしくは電気的接続配線層を有する基材の主面にある絶縁層5の上に配置され、さらに前記金属細線1が前記絶縁層5に倣うように配置され、且つ前記金属細線1が前記金属ボール2以外の部位で前記絶縁層5の開口に露出する電極4に接合されて、前記半導体チップもしくは前記基材の主面上に外部配線を形成する。
【選択図】図1
【解決手段】金属細線1の先端の金属ボール2からなる突起部が接触半導体チップもしくは電気的接続配線層を有する基材の主面にある絶縁層5の上に配置され、さらに前記金属細線1が前記絶縁層5に倣うように配置され、且つ前記金属細線1が前記金属ボール2以外の部位で前記絶縁層5の開口に露出する電極4に接合されて、前記半導体チップもしくは前記基材の主面上に外部配線を形成する。
【選択図】図1
Description
本発明は半導体装置に関し、電気的接続配線層を有する基材と半導体チップや、異なる半導体チップどうしにおいて配線面、素子面を合わせてフリップ接続し積層する際に、相対する位置には存在しない互いの任意の電極間を金属細線で接続する技術に係るものである。
現在、小型表面実装型の半導体パッケージに関する技術はリードフレーム系や基板系に大別されており、それぞれの系において複数の半導体チップを積層搭載して配線接続する技術がある。
以下、従来の半導体装置について図7を参照しながら説明する。図7は従来の半導体装置における金属細線を用いた配線方法を示す断面図である。
図7(a)に示すように、ツール3を通して金属細線1を配置する。図7(b)に示すように、ツール3を通った金属細線1の先端に金属ボール2を形成する。この金属ボール2は、いわゆるワイヤーボンディング工法によって形成するものであり、瞬間放電する電気的エネルギーによって金属細線1の先端部を溶融せしめ、その溶融金属を表面張力により凝集させ、その後に冷却凝固させたものである。
図7(a)に示すように、ツール3を通して金属細線1を配置する。図7(b)に示すように、ツール3を通った金属細線1の先端に金属ボール2を形成する。この金属ボール2は、いわゆるワイヤーボンディング工法によって形成するものであり、瞬間放電する電気的エネルギーによって金属細線1の先端部を溶融せしめ、その溶融金属を表面張力により凝集させ、その後に冷却凝固させたものである。
図7(c)に示すように、金属細線1を電極4に圧着接合し、図7(d)に示すように、ツール3を引き上げて金属細線1の引ちぎりを実施する。この一連の動作を連続して行う。その後に、所定の形状を有する金型にて封止樹脂(図示せず)でモールドする。
半導体装置が完成した後は、電気的接続あるいは信号検査,信頼性試験が行われ、良品判定された製品は梱包出荷される。
ところで、近年においてはLSIの分野でメモリ/ロジック混載あるいはアナログ/デジタル混載が急速に進行している。しかし、市場のコスト競争力はさらに進み、今や1チップ化する構成と比較して複数の半導体チップを1パッケージ化する構成が利益を上げる可能性が出てきた。その例としてマルチチップタイプや積層タイプの半導体装置がある。
特開平10−335368号公報
ところで、近年においてはLSIの分野でメモリ/ロジック混載あるいはアナログ/デジタル混載が急速に進行している。しかし、市場のコスト競争力はさらに進み、今や1チップ化する構成と比較して複数の半導体チップを1パッケージ化する構成が利益を上げる可能性が出てきた。その例としてマルチチップタイプや積層タイプの半導体装置がある。
しかしながら、従来の半導体装置において、特に積層したマルチチップタイプの半導体装置では、チップシュリンクやパッドサイズの縮小化や微細化が進んで製品信頼性確保の難易度が高いこと、また、ほぼ同じサイズの半導体チップを縦に積層することは不可能であり、PAD配置やパッドサイズの違うチップ間の接続に対して制約があった。
汎用メモリーチップに対して制御用半導体チップを上または下にフリップチップ積層する場合においても、汎用メモリーチップの世代交代やメーカー差異に合わせて制御用半導体の再設計をしており設計効率も悪かった。
また、チップにダメージを与えることなく、かつ接続安定性も確保してフリップチップのチップ間を一定にすることは、チップ設計のシュリンク化とパッケージの小型化、要求される高信頼性にとって課題である。
本発明は接続ダメージの低減と接続高さのバラツキ低減によりパッドサイズの縮小化に対応し、パッドへの応力ダメージや接続信頼性低下を防止し、品質及び生産安定性の向上を図った半導体装置を提供することを目的とする。
上記の課題を解決するために、本発明の半導体装置は、金属細線の先端の金属ボールからなる突起部が接触半導体チップもしくは電気的接続配線層を有する基材の主面にある絶縁層の上に配置されるとともに、前記金属細線が前記絶縁層に倣うように配置され、前記金属細線が前記金属ボール以外の部位で前記絶縁層の開口に露出する電極に接合されて、前記半導体チップもしくは前記基材の主面上に外部配線を形成したことを特徴とする。
また、前記金属細線の先端の前記金属ボールからなる前記突起部が扁平形状化により金属ボール径を大きくして前記半導体チップもしくは前記基材の主面にある前記絶縁層の上に配置されることを特徴とする。
また、前記金属ボールおよび前記金属細線が配置された前記半導体チップもしくは前記基材の主面の上方に電気的接続配線層を有する第二の基材が配置され、前記金属ボールと前記第二の基材の電極部とが一致することを特徴とする。
また、前記第一の半導体チップもしくは前記第一の基材の絶縁層の表面に、前記金属ボールが接着可能な粘着材が配置されたことを特徴とする。
また、前記第一の半導体チップもしくは前記第一の基材の絶縁層の表面に、前記金属ボールが合金接着可能な金属箔が配置されたことを特徴とする。
また、前記第一の半導体チップもしくは前記第一の基材の絶縁層の表面に、前記金属ボールが合金接着可能な金属箔が配置されたことを特徴とする。
本発明によると、フリップチップ接合する半導体チップの相互間や電気的接続配線層を有する基材(実装基板、キャリア等)間において電極位置を互いに同じ位置で対向させる必要がなく、任意の長さの金属細線の先にある金属ボールを相手の電極位置に致させることができるので、特に汎用性が高くて外部調達が可能なメモリーチップと制御用LSIチップとの間や基材間の回路設計や基板設計を外部調達先別に設計変更する制約が無くなる。
また、従来のワイヤーボンド技術でフリップチップ接続用のバンプ(電極間接続用の金属の突起)を形成するには電極サイズとツール先端径、金属線径の組合せに制約があり、微細化に伴う電極サイズの縮小化を阻害していたが、本発明では電極サイズに合ったツール径を選択してもバンプに変わる金属ボールの径を小さくする必要がなく、対向するチップや基材のギャップ間を技術的に難しい小さいギャップにする必要はなく、既存技術の延長で微細化に対応できる。
また、従来のワイヤーボンド工法によるバンプではどちらか1つの電極に対して2回から3回の超音波加重や熱圧着加重ダメージがかかるが、本発明では全ての電極に対して1回の加重ダメージですむので、電極の下層内へのダメージを最小限に抑えることができ、より微細化に対応することができる。また、従来のワイヤーボンド技術を活用することにより金属ボールの径や形状もツール径に関係なく変えることができる。
以下、本発明の半導体装置における実施の形態について図面を参照しながら説明する。
(実施の形態1)
図1は本発明の実施の形態1における半導体装置の構成を示す模式図である。図1において、1は金属細線、2は金属ボール、3はツール、4は電極、5は絶縁膜、11は基材であって、基材11はフリップチップ接合前の半導体チップまたは電気的接続配線層を有するものであり、金属細線1と金属ボール2はワイヤーボンディング法により形成した形状を例示している。
(実施の形態1)
図1は本発明の実施の形態1における半導体装置の構成を示す模式図である。図1において、1は金属細線、2は金属ボール、3はツール、4は電極、5は絶縁膜、11は基材であって、基材11はフリップチップ接合前の半導体チップまたは電気的接続配線層を有するものであり、金属細線1と金属ボール2はワイヤーボンディング法により形成した形状を例示している。
図1(a)に示すように、ツール3を通った金属細線1の先端に金属ボール2を形成する。この金属ボール2は、いわゆるワイヤーボンディング工法によって形成するものであり、瞬間放電する電気的エネルギーによって金属細線1の先端部を溶融せしめ、その溶融金属を表面張力により凝集させ、その後に冷却凝固させたものである。
この際に、ツール3は電気的接続配線層を有する基材11の絶縁層5の表面に対して垂直方向にあり、金属ボール2の中心と、ツール3を通った金属細線1の軸心と、ツール3の内部にある金属ボール2の軸心とが直線上に位置する。このツール3の挙動は操作手段(図示省略)のXYZ軸の動作と超音波振動とにより制御し、その際に加重や超音波出力、時間等を制御パラメータとする。
図1(b)に示すように、金属細線1を電極4に圧着させるには、金属ボール2がツール3の先端から離間する状態で金属ボール2を絶縁層5に接触させ、図1(c)に示すように、金属ボール2と絶縁層5との摩擦抵抗力を利用して金属ボール2の位置を保持しながらツール3をXY動作(水平方向)させ、金属ボール2と金属細線1の境界、つまり熱影響を受けた再結晶組織部を曲げながら金属細線1をツール3から繰り出す。
次に、図1(d)に示すように、所定の電極4をめがけてツール3を動かし、電極4が露出したエリアにツール3の先端を対応させて金属細線1を電極4に圧着接合し、その後にツール3をZ動作(垂直方向)させて金属細線1の引ちぎりを実施する。この一連の動作を連続して行う。
したがって、本実施の形態1では、金属ボール2と絶縁層5との摩擦抵抗力を利用してツール3をXY動作(水平方向)させ、金属ボール2と金属細線1の境界を曲げながら金属細線1をツール3から繰り出すので、絶縁層5の上に金属ボール2を持つ配線が可能となり、金属ボール2は直径精度がよいので、金属ボール2を突起として第二の半導体チップ(図示せず)の電極(図示せず)に対してフリップチップ接続が可能となり、配線設計の自由度が向上する。
(実施の形態2)
図2は本発明の実施の形態2における半導体装置の構成を示す模式図である。図1に示したものと同様の作用を行なう構成要件には同一符号を付して説明する。
(実施の形態2)
図2は本発明の実施の形態2における半導体装置の構成を示す模式図である。図1に示したものと同様の作用を行なう構成要件には同一符号を付して説明する。
図2(a)に示すように、ツール3を通った金属細線1の軸心と、ツール3の内部にある金属ボール2の軸心とが所定角度で屈曲している。図2(b)に示すように、ツール3を通った金属細線1の先端に金属ボール2を形成する。この金属ボール2は、いわゆるワイヤーボンディング工法によって形成するものであり、瞬間放電する電気的エネルギーによって金属細線1の先端部を溶融せしめ、その溶融金属を表面張力により凝集させ、その後に冷却凝固させたものである。
この際に、ツール3は電気的接続配線層を有する基材11の絶縁層5の表面に対して垂直方向にあるが、ツール3を通った金属細線1の軸心と、ツール3の内部にある金属ボール2の軸心とが所定角度で屈曲しているので、金属ボール2がゴルフクラブのヘッドの様になる。このツール3の挙動は操作手段(図示省略)のXYZ軸の動作と超音波振動とにより制御し、その際に加重や超音波出力、時間等を制御パラメータとする。
図2(c)に示すように、金属細線1を電極4に圧着させるには、金属ボール2がツール3の先端から離間する状態で金属ボール2を絶縁層5に接触させ、金属ボール2と絶縁層5との摩擦抵抗力を利用して金属ボール2の位置を保持しながらツール3をXY動作(水平方向)させ、金属ボール2と金属細線1の境界、つまり熱影響を受けた再結晶組織部を曲げながら金属細線1をツール3から繰り出す。
次に、図2(d)に示すように、所定の電極4をめがけてツール3を動かし、電極4が露出したエリアにツール3の先端を対応させて金属細線1を電極4に圧着接合し、その後にツール3をZ動作(垂直方向)させて金属細線1の引ちぎりを実施する。この時にツール3をZ動作に加えてXY動作させることによりツール3の先端の金属細線1が曲がった状態になる。この一連の動作を連続して行う。
したがって、本実施の形態2では、金属ボール2と絶縁層5との摩擦抵抗力を利用してツール3をXY動作(水平方向)させ、金属ボール2と金属細線1の境界を曲げながら金属細線1をツール3から繰り出すので、絶縁層5の上に金属ボール2を持つ配線が可能となり、金属ボール2は直径精度がよいので、金属ボール2を突起として第二の半導体チップ(図示せず)の電極(図示せず)に対してフリップチップ接続が可能となり、配線設計の自由度が向上する。
(実施の形態3)
図3は本発明の実施の形態1における半導体装置の構成を示す模式図である。先の実施の形態で示したものと同様の作用を行なう構成要件には同一符号を付して説明する。
(実施の形態3)
図3は本発明の実施の形態1における半導体装置の構成を示す模式図である。先の実施の形態で示したものと同様の作用を行なう構成要件には同一符号を付して説明する。
図3(a)に示すように、ツール3を通った金属細線1の先端に金属ボール2を形成する。この金属ボール2は、いわゆるワイヤーボンディング工法によって形成するものであり、瞬間放電する電気的エネルギーによって金属細線1の先端部を溶融せしめ、その溶融金属を表面張力により凝集させ、その後に冷却凝固させたものである。
この際に、ツール3は電気的接続配線層を有する基材11の絶縁層5の表面に対して垂直方向にあり、金属ボール2の中心と、ツール3を通った金属細線1の軸心と、ツール3の内部にある金属ボール2の軸心とが直線上に位置する。このツール3の挙動は操作手段(図示省略)のXYZ軸の動作と超音波振動とにより制御し、その際に加重や超音波出力、時間等を制御パラメータとする。
図3(b)に示すように、金属細線1を電極4に圧着させるには、金属ボール2がツール3の先端に位置する状態で金属ボール2を絶縁層5に接触させ、さらにツール3の先端で加重して金属ボール2を扁平変形させる。この際に、強く加重すればより大きく扁平することで最初の金属ボール2の直径より大きい扁平径が得られる。
その後に、図3(c)に示すように、ツール3の先端から金属ボール2の扁平部を離間させ、金属ボール2に接触する絶縁層5の摩擦抵抗力を利用して金属ボール2の位置を保持しながらツール3をXY動作させ、金属ボール2と金属細線1の境界、つまり熱影響を受けた再結晶組織部を曲げながら金属細線1をツール3から繰り出す。この操作によって扁平した金属ボール2は最も径の大きい方向を上下方向に向けた姿勢に倒立する。
次に、図3(d)に示すように、所定の電極4をめがけてツール3を動かし、電極4が露出したエリアにツール3の先端を対応させて金属細線1を電極4に圧着接合し、その後にツール3をZ動作(垂直方向)させて金属細線1の引ちぎりを実施する。この一連の動作を連続して行う。
したがって、本実施の形態3では、金属ボール2と絶縁層5との摩擦抵抗力を利用してツール3をXY動作(水平方向)させ、金属ボール2と金属細線1の境界を曲げながら金属細線1をツール3から繰り出すので、絶縁層5の上に金属ボール2を持つ配線が可能となり、扁平した金属ボール2を高い突起として第二の半導体チップ(図示せず)の電極(図示せず)に対してフリップチップ接続が可能となり、ギャップ間を大きくするとともに、配線設計の自由度が向上する。
(実施の形態4)
図4は本発明の実施の形態4における半導体装置の構成を示す模式図である。先の実施の形態で示したものと同様の作用を行なう構成要件には同一符号を付して説明する。
(実施の形態4)
図4は本発明の実施の形態4における半導体装置の構成を示す模式図である。先の実施の形態で示したものと同様の作用を行なう構成要件には同一符号を付して説明する。
図4において、アイランド8を有する第一の半導体チップ9の電極4に接続した金属細線1の金属ボール2と、第二の半導体チップ10の電極4との位置が一致しており、第一の半導体チップ9と第二の半導体チップ10のフリップチップ接続が可能となり、配線設計の自由度が向上する。
(実施の形態5)
図5は本発明の実施の形態5における半導体装置の構成を示す模式図である。先の実施の形態で示したものと同様の作用を行なう構成要件には同一符号を付して説明する。
(実施の形態5)
図5は本発明の実施の形態5における半導体装置の構成を示す模式図である。先の実施の形態で示したものと同様の作用を行なう構成要件には同一符号を付して説明する。
図5(a)に示すように、ツール3を通った金属細線1の先端に金属ボール2を形成する。この金属ボール2は、いわゆるワイヤーボンディング工法によって形成するものであり、瞬間放電する電気的エネルギーによって金属細線1の先端部を溶融せしめ、その溶融金属を表面張力により凝集させ、その後に冷却凝固させたものである。
この際に、ツール3は電気的接続配線層を有する基材11の絶縁層5の表面に対して垂直方向にあり、金属ボール2の中心と、ツール3を通った金属細線1の軸心と、ツール3の内部にある金属ボール2の軸心とが直線上に位置する。このツール3の挙動は操作手段(図示省略)のXYZ軸の動作と超音波振動とにより制御し、その際に加重や超音波出力、時間等を制御パラメータとする。
図5(b)に示すように、金属細線1を電極4に圧着させるには、金属ボール2がツール3の先端から離間する状態で、金属ボール2を絶縁層5の上面に設けた粘着層6に接着させ、図1(c)に示すように、粘着層6の粘着力を利用して金属ボール2の位置を保持しながらツール3をXY動作(水平方向)させ、金属ボール2と金属細線1の境界、つまり熱影響を受けた再結晶組織部を曲げながら金属細線1をツール3から繰り出す。
次に、図5(d)に示すように、所定の電極4をめがけてツール3を動かし、電極4が露出したエリアにツール3の先端を対応させて金属細線1を電極4に圧着接合し、その後にツール3をZ動作(垂直方向)させて金属細線1の引ちぎりを実施する。この一連の動作を連続して行う。
したがって、本実施の形態1では、粘着層6の粘着力を利用してツール3をXY動作(水平方向)させ、金属ボール2を接着層6に位置精度よく接着した状態で、金属ボール2と金属細線1の境界を曲げながら金属細線1をツール3から繰り出すので、絶縁層5の上に金属ボール2を持つ配線が可能となり、金属ボール2は直径精度がよいので、金属ボール2を突起として第二の半導体チップ(図示せず)の電極(図示せず)に対してフリップチップ接続が可能となり、配線設計の自由度が向上し、金属ボール2は接着層6に位置精度よく接着しており、第二の半導体チップ(図示せず)の電極へのフリップチップ接続精度が向上する。
(実施の形態6)
図6は本発明の実施の形態6における半導体装置の構成を示す模式図である。先の実施の形態で示したものと同様の作用を行なう構成要件には同一符号を付して説明する。図6においては、絶縁層5に独立したエリアの金属箔層7を設けている。
(実施の形態6)
図6は本発明の実施の形態6における半導体装置の構成を示す模式図である。先の実施の形態で示したものと同様の作用を行なう構成要件には同一符号を付して説明する。図6においては、絶縁層5に独立したエリアの金属箔層7を設けている。
図6(a)に示すように、ツール3を通った金属細線1の先端に金属ボール2を形成する。この金属ボール2は、いわゆるワイヤーボンディング工法によって形成するものであり、瞬間放電する電気的エネルギーによって金属細線1の先端部を溶融せしめ、その溶融金属を表面張力により凝集させ、その後に冷却凝固させたものである。
この際に、ツール3は電気的接続配線層を有する基材11の絶縁層5の表面に対して垂直方向にあり、金属ボール2の中心と、ツール3を通った金属細線1の軸心と、ツール3の内部にある金属ボール2の軸心とが直線上に位置する。このツール3の挙動は操作手段(図示省略)のXYZ軸の動作と超音波振動とにより制御し、その際に加重や超音波出力、時間等を制御パラメータとする。
図6(b)に示すように、金属細線1を電極4に圧着させるには、金属ボール2がツール3の先端から離間する状態で、金属ボール2を絶縁層5の上面に設けた金属箔層7に合金接着させ、図6(c)に示すように、金属箔層7と金属ボール2との粘着力を利用して金属ボール2の位置を保持しながらツール3をXY動作(水平方向)させ、金属ボール2と金属細線1の境界、つまり熱影響を受けた再結晶組織部を曲げながら金属細線1をツール3から繰り出す。
次に、図6(d)に示すように、所定の電極4をめがけてツール3を動かし、電極4が露出したエリアにツール3の先端を対応させて金属細線1を電極4に圧着接合し、その後にツール3をZ動作(垂直方向)させて金属細線1の引ちぎりを実施する。この一連の動作を連続して行う。
したがって、本実施の形態6では、金属ボール2と金属箔層7との粘着力を利用してツール3をXY動作(水平方向)させ、金属ボール2と金属細線1の境界を曲げながら金属細線1をツール3から繰り出すので、絶縁層5の上に金属ボール2を持つ配線が可能となり、金属ボール2は直径精度がよいので、金属ボール2を突起として第二の半導体チップ(図示せず)の電極(図示せず)に対してフリップチップ接続が可能となり、配線設計の自由度が向上し、金属ボール2は金属箔層7に位置精度よく合金接着しており、第二の半導体チップ(図示せず)の電極へのフリップチップ接続精度が向上する。
本発明は、半導体チップや回路基板の設計自由度を向上せしめ、複数の半導体チップをパッケージに搭載してなる半導体装置等に有効である。
1 金属細線
2 金属ボール
3 ツール
4 電極
5 絶縁層
6 粘着層
7 金属箔層
8 アイランド
9 第一の半導体チップ
10 第二の半導体チップ
11 基材
2 金属ボール
3 ツール
4 電極
5 絶縁層
6 粘着層
7 金属箔層
8 アイランド
9 第一の半導体チップ
10 第二の半導体チップ
11 基材
Claims (5)
- 金属細線の先端の金属ボールからなる突起部が接触半導体チップもしくは電気的接続配線層を有する基材の主面にある絶縁層の上に配置されるとともに、前記金属細線が前記絶縁層に倣うように配置され、前記金属細線が前記金属ボール以外の部位で前記絶縁層の開口に露出する電極に接合されて、前記半導体チップもしくは前記基材の主面上に外部配線を形成したことを特徴とする半導体装置。
- 前記金属細線の先端の前記金属ボールからなる前記突起部が扁平形状化により金属ボール径を大きくして前記半導体チップもしくは前記基材の主面にある前記絶縁層の上に配置されることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記金属ボールおよび前記金属細線が配置された前記半導体チップもしくは前記基材の主面の上方に電気的接続配線層を有する第二の基材が配置され、前記金属ボールと前記第二の基材の電極部とが一致することを特徴とする請求項1または2に記載の半導体装置。
- 前記第一の半導体チップもしくは前記第一の基材の絶縁層の表面に、前記金属ボールが接着可能な粘着材が配置されたことを特徴とする請求項1〜3の何れか1項に記載の半導体装置。
- 前記第一の半導体チップもしくは前記第一の基材の絶縁層の表面に、前記金属ボールが合金接着可能な金属箔が配置されたことを特徴とする請求項1〜3の何れか1項に記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006325081A JP2008140946A (ja) | 2006-12-01 | 2006-12-01 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006325081A JP2008140946A (ja) | 2006-12-01 | 2006-12-01 | 半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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JP2008140946A true JP2008140946A (ja) | 2008-06-19 |
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Family Applications (1)
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JP2006325081A Withdrawn JP2008140946A (ja) | 2006-12-01 | 2006-12-01 | 半導体装置 |
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Country | Link |
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JP (1) | JP2008140946A (ja) |
-
2006
- 2006-12-01 JP JP2006325081A patent/JP2008140946A/ja not_active Withdrawn
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