JP2008124164A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
半導体装置およびその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008124164A JP2008124164A JP2006304728A JP2006304728A JP2008124164A JP 2008124164 A JP2008124164 A JP 2008124164A JP 2006304728 A JP2006304728 A JP 2006304728A JP 2006304728 A JP2006304728 A JP 2006304728A JP 2008124164 A JP2008124164 A JP 2008124164A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- group
- semiconductor device
- ligand
- channel layer
- electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Ceased
Links
Images
Abstract
【解決手段】ゲート絶縁膜12を介してゲート電極11とチャネル層13とが形成され、該チャネル層13の両側に電極(ソース電極14、ドレイン電極15)が形成された半導体装置1であって、前記チャネル層13は、金属イオンに配位できる置換基を連結するπ共役を持つ配位子もしくはσ共役を持つ配位子と前記金属イオンとの錯形成反応により得た共役高分子錯体からなり、前記チャネル層13の終端において前記電極と化学結合を形成する置換基を有することを特徴とする。
【選択図】図1
Description
Claims (15)
- ゲート絶縁膜を介してゲート電極とチャネル層とが形成され、該チャネル層の両側に電極が形成された半導体装置であって、
前記チャネル層は、
金属イオンに配位できる置換基を連結するπ共役を持つ配位子もしくはσ共役を持つ配位子と前記金属イオンとの錯形成反応により得た共役高分子錯体からなり、
前記チャネル層の終端において前記電極と化学結合を形成する置換基を有する
ことを特徴とする半導体装置。 - 前記金属イオンに配位する置換基は、
窒素原子、硫黄原子、酸素原子による1座、2座もしくは3座の配位子である
ことを特徴とする請求項1記載の半導体装置。 - 前記金属イオンに配位する置換基は、
オリゴピリジル基、チオフェニル基、ジチオラト基、オキサラト基である
ことを特徴とする請求項2記載の半導体装置。 - 前記置換基を連結するπ共役を持つ配位子は炭素系不飽和基である
ことを特徴とする請求項1記載の半導体装置。 - 前記炭素系不飽和基は、フェニル基、ビニル基もしくはエチニル基である
ことを特徴とする請求項4記載の半導体装置。 - 前記置換基を連結するσ共役を持つ配位子は、スルフィド基、ジスルフィド基もしくはシリル基である
ことを特徴とする請求項1記載の半導体装置。 - 前記チャネル層の終端において電極と化学結合を形成する置換基は、
チオール基、カルボキシル基、シアノ基、イソシアノ基、チオシアナト基、アミノ基、シラノール基、ヒドロキシル基、ピリジン類もしくはチオフェン類である
ことを特徴とする請求項1記載の半導体装置。 - ゲート絶縁膜を介してゲート電極とチャネル層が形成され、該チャネル層の両側に電極が形成される半導体装置の製造方法であって、
前記チャネル層を、
前記電極間に、
前記電極と化学結合を成す置換基を持つ分子を用いて単分子膜を作製し、
前記電極の少なくとも一方の電極と前記単分子膜との結合を持たせた上で、金属イオンに配位できる置換基を連結するπ共役を持つ配位子もしくはσ共役を持つ配位子と前記金属イオンとの錯形成反応により共役高分子錯体を得て形成する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記共役高分子錯体を形成する工程は、
有機分子と金属イオンとを含む溶液に浸漬する
ことを特徴とする請求項8記載の半導体装置の製造方法。 - 前記金属イオンに配位する置換基は、
窒素原子、硫黄原子、酸素原子による1座、2座もしくは3座の配位子である
ことを特徴とする請求項8記載の半導体装置の製造方法。 - 前記金属イオンに配位する置換基は、
オリゴピリジル基、チオフェニル基、ジチオラト基、オキサラト基である
ことを特徴とする請求項8記載の半導体装置の製造方法。 - 前記置換基を連結するπ共役を持つ配位子は炭素系不飽和基である
ことを特徴とする請求項8記載の半導体装置の製造方法。 - 前記炭素系不飽和基は、フェニル基、ビニル基もしくはエチニル基である
ことを特徴とする請求項12記載の半導体装置の製造方法。 - 前記置換基を連結するσ共役を持つ配位子は、スルフィド基、ジスルフィド基もしくはシリル基である
ことを特徴とする請求項8記載の半導体装置の製造方法。 - 前記単分子膜を自己集合的に形成する際に用いる置換基を有する分子の置換基は、
チオール基、カルボキシル基、シアノ基、イソシアノ基、チオシアナト基、アミノ基、シラノール基、ヒドロキシル基、ピリジン類もしくはチオフェン類である
ことを特徴とする請求項8記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006304728A JP2008124164A (ja) | 2006-11-10 | 2006-11-10 | 半導体装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006304728A JP2008124164A (ja) | 2006-11-10 | 2006-11-10 | 半導体装置およびその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008124164A true JP2008124164A (ja) | 2008-05-29 |
Family
ID=39508613
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006304728A Ceased JP2008124164A (ja) | 2006-11-10 | 2006-11-10 | 半導体装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2008124164A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011023678A (ja) * | 2009-07-21 | 2011-02-03 | National Institute For Materials Science | 分子電子デバイス及びその製造方法 |
WO2015045288A1 (ja) * | 2013-09-25 | 2015-04-02 | 凸版印刷株式会社 | 薄膜トランジスタ |
JP2019153661A (ja) * | 2018-03-02 | 2019-09-12 | ローム株式会社 | 接着構造体、及び半導体モジュール |
Citations (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09324006A (ja) * | 1996-06-05 | 1997-12-16 | Osaka Gas Co Ltd | 高導電性ポリマーの製造方法並びに高導電性ポリマー合成用有機金属錯体 |
WO2003089515A1 (fr) * | 2002-04-22 | 2003-10-30 | Konica Minolta Holdings, Inc. | Composition de semi-conducteur organique, element semi-conducteur organique et procede pour les produire |
JP2004161675A (ja) * | 2002-11-13 | 2004-06-10 | Osaka Gas Co Ltd | 三次元型金属錯体、吸着材および分離材 |
JP2004359677A (ja) * | 2003-05-13 | 2004-12-24 | Asahi Kasei Corp | 複核錯体 |
JP2005011901A (ja) * | 2003-06-17 | 2005-01-13 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 三端子素子の分子トランジスタ |
JP2006508525A (ja) * | 2002-04-05 | 2006-03-09 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション | 金属−金属結合錯体を使用した分子電子デバイス |
JP2006093539A (ja) * | 2004-09-27 | 2006-04-06 | Konica Minolta Holdings Inc | 半導体組成物、半導体組成物の分散液および該半導体組成物を用いた薄膜トランジスタ |
JP2006100519A (ja) * | 2004-09-29 | 2006-04-13 | Sony Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
WO2006038587A1 (ja) * | 2004-10-01 | 2006-04-13 | Ube Industries, Ltd. | 二核金属錯体、金属錯体色素、光電変換素子、及び光化学電池 |
WO2006095435A1 (ja) * | 2005-03-10 | 2006-09-14 | Fujitsu Limited | 架橋配位子、金属錯体、及び金属錯体集積構造物 |
JP2006253305A (ja) * | 2005-03-09 | 2006-09-21 | Mitsubishi Chemicals Corp | 電界効果トランジスタ及びその製造方法、並びに有機半導体材料 |
JP2006310437A (ja) * | 2005-04-27 | 2006-11-09 | Konica Minolta Holdings Inc | 有機薄膜トランジスタ及びその製造方法 |
JP2006310479A (ja) * | 2005-04-27 | 2006-11-09 | Fuji Photo Film Co Ltd | 有機電界発光素子 |
-
2006
- 2006-11-10 JP JP2006304728A patent/JP2008124164A/ja not_active Ceased
Patent Citations (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09324006A (ja) * | 1996-06-05 | 1997-12-16 | Osaka Gas Co Ltd | 高導電性ポリマーの製造方法並びに高導電性ポリマー合成用有機金属錯体 |
JP2006508525A (ja) * | 2002-04-05 | 2006-03-09 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション | 金属−金属結合錯体を使用した分子電子デバイス |
WO2003089515A1 (fr) * | 2002-04-22 | 2003-10-30 | Konica Minolta Holdings, Inc. | Composition de semi-conducteur organique, element semi-conducteur organique et procede pour les produire |
JP2004161675A (ja) * | 2002-11-13 | 2004-06-10 | Osaka Gas Co Ltd | 三次元型金属錯体、吸着材および分離材 |
JP2004359677A (ja) * | 2003-05-13 | 2004-12-24 | Asahi Kasei Corp | 複核錯体 |
JP2005011901A (ja) * | 2003-06-17 | 2005-01-13 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 三端子素子の分子トランジスタ |
JP2006093539A (ja) * | 2004-09-27 | 2006-04-06 | Konica Minolta Holdings Inc | 半導体組成物、半導体組成物の分散液および該半導体組成物を用いた薄膜トランジスタ |
JP2006100519A (ja) * | 2004-09-29 | 2006-04-13 | Sony Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
WO2006038587A1 (ja) * | 2004-10-01 | 2006-04-13 | Ube Industries, Ltd. | 二核金属錯体、金属錯体色素、光電変換素子、及び光化学電池 |
JP2006253305A (ja) * | 2005-03-09 | 2006-09-21 | Mitsubishi Chemicals Corp | 電界効果トランジスタ及びその製造方法、並びに有機半導体材料 |
WO2006095435A1 (ja) * | 2005-03-10 | 2006-09-14 | Fujitsu Limited | 架橋配位子、金属錯体、及び金属錯体集積構造物 |
JP2006310437A (ja) * | 2005-04-27 | 2006-11-09 | Konica Minolta Holdings Inc | 有機薄膜トランジスタ及びその製造方法 |
JP2006310479A (ja) * | 2005-04-27 | 2006-11-09 | Fuji Photo Film Co Ltd | 有機電界発光素子 |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
MARIA C. DEROSA ET AL.: ""Semiconductor Properties in an Iodine-Doped Platinum(II) Dinuclear Complex"", INORGANIC CHEMISTRY, vol. 40, JPN6012031586, 3 February 2001 (2001-02-03), US, pages 1406 - 1407, ISSN: 0002417467 * |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011023678A (ja) * | 2009-07-21 | 2011-02-03 | National Institute For Materials Science | 分子電子デバイス及びその製造方法 |
WO2015045288A1 (ja) * | 2013-09-25 | 2015-04-02 | 凸版印刷株式会社 | 薄膜トランジスタ |
JP2015065317A (ja) * | 2013-09-25 | 2015-04-09 | 凸版印刷株式会社 | 薄膜トランジスタ |
JP2019153661A (ja) * | 2018-03-02 | 2019-09-12 | ローム株式会社 | 接着構造体、及び半導体モジュール |
JP2022174198A (ja) * | 2018-03-02 | 2022-11-22 | ローム株式会社 | 半導体装置 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US10566537B2 (en) | Carbon nanotube-graphene hybrid transparent conductor and field effect transistor | |
JP4635410B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP4289385B2 (ja) | 有機電子デバイス及びその製造方法 | |
Metzger | Unimolecular electronics | |
CN103563052B (zh) | 具有纳米间隙长度的电极结构的制作方法、通过该方法得到的具有纳米间隙长度的电极结构和纳米器件 | |
JP5151122B2 (ja) | 電極被覆材料、電極構造体、及び、半導体装置 | |
CN104303313B (zh) | 纳米器件及其制作方法 | |
JPH0766990B2 (ja) | 有機デバイスおよびその製造方法 | |
Aswal et al. | Hybrid molecule-on-silicon nanoelectronics: Electrochemical processes for grafting and printing of monolayers | |
US9691998B2 (en) | Single-walled carbon nanotubes/quantum dot hybrid structures and methods of making and use of the hybrid structures | |
KR20050110640A (ko) | 공역 분자 어셈블리, 그 어셈블리의 제조 방법 및 그어셈블리를 포함하는 디바이스 | |
TWI229704B (en) | Molecular electronic device using metal-metal bonded complexes | |
Li et al. | Single-molecule nano-optoelectronics: insights from physics | |
JP2008124164A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
Saravanan et al. | Coordination-Controlled One-Dimensional Molecular Chains in Hexapodal Adenine–Silver Ultrathin Films | |
JP5510523B2 (ja) | 電極被覆材料、電極構造体、及び、半導体装置 | |
Wang et al. | Negative differential resistance in a hybrid silicon-molecular system: Resonance between the intrinsic surface-states and the molecular orbital | |
TWI815865B (zh) | 單分子電晶體 | |
JP2008153257A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP5111024B2 (ja) | ブロックポリマー、金属とブロックポリマーの複合体およびデバイス | |
Yamamoto | Development of interfacial nanoassembly techniques in functional nanomaterials | |
Lathika et al. | Direct Layer-by-Layer Growth of Crystalline Ag-TCNQ Thin Films on Functionalized Au Substrate: How Critical Is the pH of Ag (I) Solution? | |
JP4957735B2 (ja) | 有機電子デバイス及びその製造方法、並びに、有機半導体分子 | |
JP4639703B2 (ja) | 電子装置の製造方法、並びに、半導体装置の製造方法 | |
조경준 | Electrical Properties of MoS2 Field-Effect Transistors Treated with Organic Thiol Molecules |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20091013 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20091013 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20091030 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20091106 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120611 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120619 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120806 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20121225 |
|
A045 | Written measure of dismissal of application [lapsed due to lack of payment] |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A045 Effective date: 20130423 |