JP2008118081A5 - - Google Patents

Claims (17)

1. デュアルダマシンプロセスを用いる半導体装置の製造方法であって、
   基板上に第１の絶縁膜を有する部材を用意し、
   前記第１の絶縁膜上に層を設け、
   配線溝と第１の接続孔とに対応したパターンを有するモールドを前記層にインプリントして、前記配線溝と前記第１の接続孔とを有する第２の絶縁膜を形成し、
   前記第２の絶縁膜をマスクとして、前記第１の絶縁膜をエッチングすることによって、前記第１の接続孔の長さよりも長く、且つ該第１の接続孔に連結する第２の接続孔を該第１の絶縁膜に形成し、
   前記配線溝、前記第１の接続孔、及び前記第２の接続孔に導電性材料を充填することを特徴とする半導体装置の製造方法。
2. 前記第２の接続孔の長さは、前記第１の接続孔の長さの２倍以上の長さであることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
3. 前記第１の絶縁膜は、比誘電率が４．０以下である有機材料あるいはポーラス無機材料からなることを特徴とする請求請１或は２に記載の半導体装置の製造方法。
4. 前記第２の絶縁膜を形成するための前記層は、ハイドロジェンシルセスキオキサン、エポキシ基を含有するシロキサン、若しくはエポキシ基を含有するシルセスキオキサンから選択される材料からなる請求項１乃至３のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
5. 前記導電性材料の充填は、メッキ法により金属を充填することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
6. 前記基板上に、平坦化処理が施されている第１の絶縁膜を有する部材を用意することを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
7. 前記平坦化処理は、前記基板上への前記第１の絶縁膜の形成をスピン塗布によって行われる請求項６記載の半導体装置の製造方法。
8. 前記平坦化処理は、前記基板上へ前記第１の絶縁膜を形成した後、該第１の絶縁膜の表面を化学的機械的研磨することによって行われる請求項６記載の半導体装置の製造方法。
9. 前記モールドと前記第１の絶縁膜との間に、紫外線硬化型の樹脂層を介在させ、
   前記樹脂層へ紫外線を照射することによって該樹脂層を硬化させ、前記配線溝と前記第１の接続孔とを有する第２の絶縁膜を形成することを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
10. 前記エッチングは、前記第２の絶縁膜を除去することなく行われることを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
11. 前記エッチングは、前記第２の絶縁膜のエッチングレートに対して、前記第１の絶縁膜のエッチングレートが５倍以上となるように行われることを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
12. 前記基板上に絶縁層を介して第１の絶縁膜を有する部材を用意し、
    前記第２の接続孔の底部に露出する絶縁層を除去して、前記第２の接続孔に連結する第３の接続孔を形成することを特徴とする請求項１乃至１１のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
13. 連通孔を有する物品の製造方法であって、
    基板上に第１の絶縁膜を有する部材を用意し、
    前記第１の絶縁膜上に層を設け、
    溝と第１の接続孔とに対応しているパターンを有するモールドを前記層にインプリントして、前記溝と前記第１の接続孔とを有する第２の絶縁膜を形成し、
    前記第２の絶縁膜をマスクとして、前記第１の絶縁膜をエッチングすることによって、前記第１の接続孔の長さよりも長く、且つ該第１の接続孔に連結する第２の接続孔を該第１の絶縁膜に形成し、
    前記配線溝、前記第１の接続孔、及び前記第２の接続孔に導電性材料を充填することを特徴とする物品の製造方法。
14. 前記基板上に、平坦化処理されている第１の絶縁膜を有する部材を用意することを特徴とする請求項１３に記載の物品の製造方法。
15. デュアルダマシンプロセスを用いる半導体装置の製造方法であって、
    基板上に第１の絶縁膜を有する部材を用意し、
    前記第１の絶縁膜上に層を設け、
    配線溝と第１の接続孔とに対応したパターンを有するモールドを前記層にインプリントして、前記配線溝と前記第１の接続孔とを有する第２の絶縁膜を形成し、
    前記第２の絶縁膜をマスクとして、前記第１の絶縁膜をエッチングすることによって、該配線溝に連結する第２の接続孔を該第１の絶縁膜に形成し、
    前記配線溝及び前記第２の接続孔に導電性材料を充填することを特徴とする半導体装置の製造方法。
16. デュアルダマシンプロセスを用いる半導体装置の製造方法であって、
    基板上に第１の絶縁膜を有する部材を用意し、
    前記第１の絶縁膜上に層を設け、
    配線溝と第１の接続孔とに対応したパターンを有するモールドを前記層にインプリントして、前記配線溝と前記第１の接続孔とを有する第２の絶縁膜を形成し、
    前記第２の絶縁膜をマスクとして、前記第１の絶縁膜をエッチングすることによって、前記第１の接続孔の長さよりも長く、且つ該第１の接続孔に連結する第２の接続孔を該第１の絶縁膜に形成し、
    前記第２の絶縁膜をエッチングすることによって、前記第２の接続孔に連結する前記配線溝を前記第２の絶縁膜に形成し、
    前記配線溝及び前記第２の接続孔に導電性材料を充填することを特徴とする半導体装置の製造方法。
17. デュアルダマシンプロセスを用いる半導体装置の製造方法であって、
    基板上に絶縁層を介して第１の絶縁膜を有する部材を用意し、
    前記第１の絶縁膜上に層を設け、
    配線溝と第１の接続孔とに対応しているパターンを有するモールドを、前記層にインプリントして、前記配線溝と前記第１の接続孔とを有する第２の絶縁膜を形成し、
    前記第２の絶縁膜をマスクとして、前記第１の絶縁膜をエッチングすることによって、前記第１の接続孔に連結する第２の接続孔を該第１の絶縁膜に形成し、
    該第２の接続孔の底部に露出する絶縁層を除去して、前記第２の接続孔に連結する第３の接続孔を形成し、
    前記配線溝、前記第１の接続孔、前記第２の接続孔、及び前記第３の接続孔に導電性材料を充填することを特徴とする半導体装置の製造方法。