JP2008115039A - 炭化珪素単結晶基板の製造方法及び炭化珪素単結晶基板 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】炭化珪素単結晶基板の直径よりも小さく、かつ中心位置が基板の中心位置と異なる円形領域を加工によって、基板から種結晶基板として取り出す工程と、しかる後に取り出した円形種結晶基板の表面上に炭化珪素単結晶インゴットを成長させる工程、及び得られた炭化珪素単結晶インゴットを切断し、研磨して炭化珪素単結晶基板を作製する工程からなる製造工程を、少なくとも2回繰り返す。
【選択図】図1
Description
(1) 炭化珪素単結晶基板の直径よりも小さく、かつ中心位置が前記基板の中心位置と異なる円形領域を加工によって、前記基板から種結晶基板として取り出す工程と、しかる後に取り出した該円形種結晶基板の表面上に炭化珪素単結晶インゴットを成長させる工程と、該炭化珪素単結晶インゴットを切断し、研磨して炭化珪素単結晶基板を作製する工程とからなる製造工程を、少なくとも2回繰り返すことを特徴とする炭化珪素単結晶基板の製造方法、
(2) 前記加工により除去される種結晶基板に、小傾角粒界あるいは亜粒界が存在する領域が含まれる (1)記載の炭化珪素単結晶基板の製造方法。
(3) 前記種結晶基板の直径が、炭化珪素単結晶基板の直径の70%以上である (1)又は(2)に記載の炭化珪素単結晶基板の製造方法、
(4) 前記種結晶基板の直径が、炭化珪素単結晶基板の直径の85%以上である (1)又は(2)に記載の炭化珪素単結晶基板の製造方法、
(5) 前記円形領域の加工を、ワイヤー放電切断、ダイシングソー、又は外周研削加工により、切断又は研削除去することによって行う (1)〜(4)のいずれかに記載の炭化珪素単結晶基板の製造方法、
(6) 前記炭化珪素単結晶インゴットを成長させる工程が、昇華再結晶法によって行われる (1)〜(5)のいずれかに記載の炭化珪素単結晶基板の製造方法、
(7) (1)〜(6)のいずれかに記載の製造方法で得られる炭化珪素単結晶基板であって、小傾角粒界あるいは亜粒界が15本以下であることを特徴とする炭化珪素単結晶基板、
(8) 前記炭化珪素単結晶基板の口径が50mm以上である (7)記載の炭化珪素単結晶基板、
(9) 前記炭化珪素単結晶基板の口径が100mm以上である (7)記載の炭化珪素単結晶基板、
である。
(実施例1)
直径が76mmの4H-SiC単結晶インゴットから、ワイヤーソーによる切断及び研磨加工により、(0001)面を有する、直径が76mmの円形状の種結晶基板を準備した。厚さは1mmである。この種結晶を透過偏光観察によって亜粒界の分布を同定した。図1にその分布の概略図を示す。直径が60.5mmの円形領域を図1に示すように取り、このように決定された円形領域を残すように、ワイヤー放電加工を用いて切断加工を行った。切断後に得られた結晶板の直径を実測したところ、約60.3mmであった。この結晶板を種結晶として用い、図3に示す単結晶成長装置によって、SiC単結晶インゴットを成長した。即ち、黒鉛からなる坩堝3内にアチソン法等々により作製したSiC結晶原料粉末2を充填し、その対向位置に、上記にて予め作製した直径60.3mmの種結晶1を設置した。黒鉛坩堝3は、二重石英管4の内部に、黒鉛の支持棒上に静置され、坩堝3周囲は、熱シールドのための断熱材5によって覆われている。石英管4の内部を真空排気した後、ワークコイル7に電流を流し、坩堝上部の表面温度を1700℃まで上げた。その後、雰囲気ガスとして高純度Arガス(純度99.9995%)を流入させ、石英管内圧力を約80kPaに保ちながら、温度を目標温度である2250℃まで上昇させた。成長圧力である1.3kPaには約30分かけて減圧し、その後、約30時間成長を継続した。この成長中に、雰囲気ガス中に窒素ガスを体積比で約7%混合することで、結晶中に窒素原子をドープした。成長終了後、坩堝内より成長結晶と取り出したところ、結晶の口径は77.5mmで、成長結晶の高さから計算される成長速度は約0.85mm/hであった。
実施例1において、最初の種結晶を取り出した4H-SiC単結晶インゴットと同一のインゴットから準備した(0001)面を有する直径76mmの円形状の種結晶基板について、透過偏光観察によって亜粒界の分布状況を調べた。準備した種結晶基板は、実施例1で使用した種結晶とほぼ隣接する位置からスライス切断された種結晶であり、このため亜粒界の分布状況は、ほぼ図1と同等であることが確認できた。
2 SiC結晶粉末原料
3 坩堝
4 二重石英管(水冷)
5 断熱材
6 真空排気装置
7 ワークコイル
8 測温用窓
9 二色温度計(放射温度計)
Claims (9)
- 炭化珪素単結晶基板の直径よりも小さく、かつ中心位置が前記基板の中心位置と異なる円形領域を加工によって、前記基板から種結晶基板として取り出す工程と、しかる後に取り出した該円形種結晶基板の表面上に炭化珪素単結晶インゴットを成長させる工程と、該炭化珪素単結晶インゴットを切断し、研磨して炭化珪素単結晶基板を作製する工程とからなる製造工程を、少なくとも2回繰り返すことを特徴とする炭化珪素単結晶基板の製造方法。
- 前記加工により除去される種結晶基板に、小傾角粒界あるいは亜粒界が存在する領域が含まれる請求項1記載の炭化珪素単結晶基板の製造方法。
- 前記種結晶基板の直径が、炭化珪素単結晶基板の直径の70%以上である請求項1又は2に記載の炭化珪素単結晶基板の製造方法。
- 前記種結晶基板の直径が、炭化珪素単結晶基板の直径の85%以上である請求項1又は2に記載の炭化珪素単結晶基板の製造方法。
- 前記円形領域の加工を、ワイヤー放電切断、ダイシングソー、又は外周研削加工により、切断又は研削除去することによって行う請求項1〜4のいずれかに記載の炭化珪素単結晶基板の製造方法。
- 前記炭化珪素単結晶インゴットを成長させる工程が、昇華再結晶法によって行われる請求項1〜5のいずれかに記載の炭化珪素単結晶基板の製造方法。
- 請求項1〜6のいずれかに記載の製造方法で得られる炭化珪素単結晶基板であって、小傾角粒界あるいは亜粒界が15本以下であることを特徴とする炭化珪素単結晶基板。
- 前記炭化珪素単結晶基板の口径が50mm以上である請求項7記載の炭化珪素単結晶基板。
- 前記該炭化珪素単結晶基板の口径が100mm以上である請求項7記載の炭化珪素単結晶基板。
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