JP2008113028A - シリコンのエッチング方法、シリコンのエッチング装置、ポーラスシリコン - Google Patents
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Abstract
簡易な方法によってシリコンウェーハ表面を加工することができるようにし、シリコンウェーハ表面を加工するためのコストを低減する。
【解決手段】
水素の標準電極電位よりも正電位である物質をシリコン表面に局所的に付着させ、前記シリコンに対する光を遮断して当該シリコンに生成される電子正孔対を抑制しつつ、当該シリコン表面のうち前記物質が付着する部分でHFと当該シリコンを酸化反応させて電子e−を生成し、当該電子e−を水素イオンH+と反応させる。
【選択図】 図7
Description
水素の標準電極電位よりも正電位である物質をシリコン表面に局所的に付着させ、
前記シリコンに対する光を遮断して当該シリコンに生成される電子正孔対を抑制しつつ、前記物質が付着する当該シリコンと表面近傍でHFとが当該シリコンを酸化反応させて電子e−を生成し、当該電子e−を水素イオンH+と反応すること
を特徴とする。
シリコン表面の酸化膜を除去する酸化膜除去工程と、
水素の標準電極電位よりも正電位である物質を前記シリコン表面に局所的に付着させる物質付着工程と、
前記シリコンに対する光を遮断した暗状態で、HFを含む溶液と前記シリコンとを接触させて、前記物質が付着する前記シリコン表面近傍でシリコン溶解反応を発生させるシリコン溶解工程と、を含むこと
を特徴とする。
さらに前記シリコン溶解工程において、明状態にし、局所的な前記シリコンの溶解反応を抑制すること
を特徴とする。
水素の標準電極電位よりも正電位である物質をシリコン表面に局所的に付着させる物質付着手段と、
前記シリコンに対する光の照射と遮断を担う光照射・遮断手段と、
前記物質が表面に付着した前記シリコンに対する光を前記光照射・遮断手段を用いて遮断した暗状態で、HFを含む溶液と前記シリコンとを接触させて、前記物質が付着する前記シリコン表面で溶解反応を発生させるシリコン溶解手段と、を有すること
を特徴とする。
さらに前記シリコン溶解手段において、前記光照射・遮断手段を用いて局所的な前記シリコンの溶解反応を抑制すること
を特徴とする。
水素の標準電極電位よりも正電位である物質をシリコン表面に局所的に付着させ、前記シリコンに対する光を遮断して当該シリコンに生成される電子正孔対を抑制しつつ、前記物質が付着する当該シリコン表面近傍でHFと当該シリコンを酸化反応させて電子e−を生成し、当該電子e−を水素イオンH+と反応することによって形成されること
を特徴とする。
シリコン表面の酸化膜を除去し、水素の標準電極電位よりも正電位である物質を前記シリコン表面に局所的に付着させ、 前記シリコンに対する光を遮断した暗状態で、HFを含む溶液と前記シリコンとを接触させて、前記物質が付着する前記シリコン表面近傍でシリコン溶解反応を発生させることによって形成されること
を特徴とする。
10、20 容器
11 HF系溶液
12 光源
13、23 キャリア
Claims (7)
- 水素の標準電極電位よりも正電位である物質をシリコン表面に局所的に付着させ、
前記シリコンに対する光を遮断して当該シリコンに生成される電子正孔対を抑制しつつ、前記物質が付着する当該シリコンと表面近傍でHFとが当該シリコンを酸化反応させて電子e−を生成し、当該電子e−を水素イオンH+と反応すること
を特徴とするシリコンのエッチング方法。 - シリコン表面の酸化膜を除去する酸化膜除去工程と、
水素の標準電極電位よりも正電位である物質を前記シリコン表面に局所的に付着させる物質付着工程と、
前記シリコンに対する光を遮断した暗状態で、HFを含む溶液と前記シリコンとを接触させて、前記物質が付着する前記シリコン表面近傍でシリコン溶解反応を発生させるシリコン溶解工程と、を含むこと
を特徴とするシリコンのエッチング方法。 - さらに前記シリコン溶解工程において、明状態にし、局所的な前記シリコンの溶解反応を抑制すること
を特徴とする請求項2記載のシリコンのエッチング方法。 - 水素の標準電極電位よりも正電位である物質をシリコン表面に局所的に付着させる物質付着手段と、
前記シリコンに対する光の照射と遮断を担う光照射・遮断手段と、
前記物質が表面に付着した前記シリコンに対する光を前記光照射・遮断手段を用いて遮断した暗状態で、HFを含む溶液と前記シリコンとを接触させて、前記物質が付着する前記シリコン表面で溶解反応を発生させるシリコン溶解手段と、を有すること
を特徴とするシリコンのエッチング装置。 - さらに前記シリコン溶解手段において、前記光照射・遮断手段を用いて局所的な前記シリコンの溶解反応を抑制すること
を特徴とする請求項4記載のシリコンのエッチング装置。 - 水素の標準電極電位よりも正電位である物質をシリコン表面に局所的に付着させ、前記シリコンに対する光を遮断して当該シリコンに生成される電子正孔対を抑制しつつ、前記物質が付着する当該シリコン表面近傍でHFと当該シリコンを酸化反応させて電子e−を生成し、当該電子e−を水素イオンH+と反応することによって形成されること
を特徴とするポーラスシリコン。 - シリコン表面の酸化膜を除去し、水素の標準電極電位よりも正電位である物質を前記シリコン表面に局所的に付着させ、 前記シリコンに対する光を遮断した暗状態で、HFを含む溶液と前記シリコンとを接触させて、前記物質が付着する前記シリコン表面近傍でシリコン溶解反応を発生させることによって形成されること
を特徴とするポーラスシリコン。
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---|---|---|---|---|
JP2002314110A (ja) * | 2001-02-07 | 2002-10-25 | Ebara Corp | 太陽電池及びその製造方法 |
WO2003105209A1 (ja) * | 2002-06-06 | 2003-12-18 | 関西ティー・エル・オー株式会社 | 太陽電池用多結晶シリコン基板の製造方法 |
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- 2007-12-26 JP JP2007334414A patent/JP4799539B2/ja not_active Expired - Lifetime
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