JP2008112196A - 光モジュール - Google Patents
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Abstract
【課題】 熱膨張係数の著しく異なる発光素子と光変調器素子を同一ケースに搭載した小型で高信頼性の光モジュールを提供する。
【解決手段】 発光素子11の熱膨張係数とケース30の熱膨張係数との差が、5×10−6[1/K]未満で、光変調器素子2の熱膨張係数とケース30の熱膨張係数との差が5×10−6[1/K]以上である光モジュールにおいて、光変調器素子2とケース30とを固定する部分の、光軸方向の幅を10mm以内とする。
【選択図】 図1
【解決手段】 発光素子11の熱膨張係数とケース30の熱膨張係数との差が、5×10−6[1/K]未満で、光変調器素子2の熱膨張係数とケース30の熱膨張係数との差が5×10−6[1/K]以上である光モジュールにおいて、光変調器素子2とケース30とを固定する部分の、光軸方向の幅を10mm以内とする。
【選択図】 図1
Description
本発明は、光モジュールに係り、特に光導波路を形成した光機能素子と発光素子とが同一ケースに搭載された光モジュールに関する。
光通信における変調器として、主に伝送レート10Gbit/sを超える高速域で利用されているニオブ酸リチウム(LiNbO3)、タンタル酸リチウム(LiTaO3)等を基板に用いた光機能素子は、半導体レーザダイオード素子とは、別体のそれぞれ気密封止されたケースに搭載されてきた。この理由は、光機能素子と半導体レーザダイオード素子との、熱膨張係数の違いによるものであった。
従来、半導体レーザダイオード素子に代表される発光素子は、熱膨張係数が発光素子とほぼ同じの材質で形成したパッケージに搭載されてきた。このとき、出力光は集光レンズを介してファイバ出射される。
同様に、電気光学効果を有する光導波路が形成された光機能素子も、光機能素子の熱膨張係数とほぼ同等の材質で形成したパッケージに搭載されてきた。光機能素子の入出射は、レンズを介して、または、接着剤等で直接、ファイバと結合される。
偏光方向依存性を有する光機能素子に、ファイバを介して光を入射するためには、偏波保持ファイバが利用される。発光素子からの光を、光機能素子に入射するには、発光素子パッケージの偏波保持ファイバと、光機能素子パッケージの入力側の偏波保持ファイバとをコネクタやスプライスによって結合してきた。
特許文献1には、発光素子と光機能素子とを別パッケージに収容し、それぞれのパッケージを溶接した光複合モジュールが記載されている。この光複合モジュールでは、発光素子と光機能素子との間の偏波面保存ファイバを省くことが可能である。
また、特許文献2には、光機能素子の入力端と出力端とをファイバに固定し、さらにファイバをパッケージに固定する構造の光機能素子モジュールの実装方法が記載されている。
また、特許文献2には、光機能素子の入力端と出力端とをファイバに固定し、さらにファイバをパッケージに固定する構造の光機能素子モジュールの実装方法が記載されている。
上述したように、レーザダイオード等の発光素子を実装したモジュールと、光変調器等の光機能素子を実装したモジュールとを、接続するには、ファイバを接続するためのスペースが必要である。また、偏波面を保持しながら両モジュールを接続するため、高価な偏波保持ファイバ及び偏波位置あわせが必要な場合があった。従って、スペースを削除し小型化するためにも、偏波保持ファイバを削除し低コスト化するためにも、発光素子と光機能素子とを同一パッケージに実装することが必要である。
しかしながら、発光素子/光機能素子と熱膨張係数が著しく異なる材料のケース(パッケージ)に発光素子/光機能素子搭載すると、素子の信頼性および特性劣化を招く要因となる。
本発明の目的は、熱膨張係数の異なる発光素子と光機能素子とを同一ケースに搭載するのに生じる従来の諸問題を解決し、高信頼性の光モジュールを提供することにある。
発光素子と光機能素子とを同一ケースに搭載するために、本発明の光モジュールでは、熱膨張係数が発光素子のそれとほぼ同等のケースを利用する。このため、発光素子搭載では、従来の搭載方法を踏襲することができる。一方、光機能素子とケースとの熱膨張係数は、著しく異なるため、光機能素子をケースに搭載するのに光機能素子の一部で固定し、ケース温度変化によって生じる光機能素子への熱応力を緩和する。光機能素子の熱膨張係数とケースの熱膨張係数との差が5×10−6[1/K]以上である光モジュールにおいて、光機能素子とケースとを固定する部分の光軸方向の幅を10mm以内とする。
本発明によれば、熱膨張係数の異なる発光素子と光機能素子とを同一ケースに搭載した高信頼性の光モジュールを提供できる。
本発明の実施の形態を説明する実施例を、以下図面を用いて説明する。なお、光機能素子とは、電気、光、応力等の外部制御信号に基づいて、光学的性質を変える素子である。以下の実施例では、光機能素子の一例として光変調器素子(強度変調素子)で、説明を進める。しかし、光機能素子の機能はこれにとどまらず、電気光学効果を用いたスイッチ、偏向器、非線形光学効果を用いた波長変換素子を含む。また、光変調器素子は、強度変調だけでなく、位相変調、偏向変調を含んだ光変調器素子である。
本発明の実施例1を、図1を用いて説明する。ここで、図1は光モジュールの要部断面図である。図1に示す光モジュール100は、半導体レーザの発光素子11とニオブ酸リチウムを用いた光変調器素子2を同一ケース30内に搭載し、気密封止している。発光素子11が搭載される発光素子ユニット10は、発光素子11の材質がGaAs系であり、熱膨張係数が4〜6×10−6[1/K]であることから、ほぼ同じ熱膨張係数である窒化アルミを材質としたサブマウント12を含む。また、サブマウント12は、発光素子11の放熱のためペルチエ効果を有する熱電素子13に搭載されている。
ケース30の材料は、サブマウント12と熱膨張係数がほぼ同じであるFeNiCo合金(熱膨張係数4.4×10−6[1/K])である。ただし、放熱のため発光素子ユニット10の搭載される一部分30aの材質は、熱膨張係数がほぼ等しく、熱抵抗の低いCuW合金(熱膨張係数6×10−6[1/K])を選んでいる。発光素子ユニット10上には、発光素子11からの光をコリメートするコリメート用レンズ4が搭載されている。コリメートされた光は、ケース30に搭載された集光用レンズ5で集光され光機能素子2に入射する。光変調器素子2は、電気光学効果のあるニオブ酸リチウム単結晶基板である。コリメート用レンズ4と集光用レンズ5との間には、戻り光を遮断するアイソレータ6と、発光素子11と光変調器素子2の伝搬モードをあわせる図示しない波長板とを搭載している。
ここで、光モジュール100の出射方向をZ軸、紙面に垂直手前方向をY軸、紙面内上方向をX軸とする。光変調器素子2のX方向の位置決めは、ケース30の一部であるケース30bに光変調素子2を平行に突き当てて行う。Z方向、Y方向の位置決めは、光変調器素子2の端部を集光用レンズ5の焦点に合わせる。位置決めしたまま事前に塗布しておいた接着剤8を固化し、光変調器素子2をケース30に固定する。このとき、ケース30bの出力側のケース30と光変調器素子2との間隙には、軟質樹脂9で充填しておく。ここで、接着剤塗布部のZ方向幅は、3mmとした。
光変調器素子2の出射側は、シングルモード光ファイバ7を光学接着剤で接着し、光ファイバとケース30とは、はんだによって封止固定する。このとき光ファイバの断線を防止するため、光変調器素子2出射端とケース30の間の光ファイバには光変調器素子2とケース30との熱膨張係数差で生じる伸縮変動分の余長を設ける。
上述した構成によって、光送信素子11と光変調器素子2を同一のケースに搭載した光モジュール100が完成した。電気信号配線については、図示を省略したが、光送信素子11は連続発光し、光変調器素子2に導かれた光は、強度変調され、信号光となってシングルモードファイバ7より、出力される。
本実施例の光モジュールでは、光送信素子11と光変調素子2との熱膨張係数が、大幅に異なる。ここで、ケース30の材料の熱膨張係数は、光送信素子11の熱膨張係数とほぼ同じとなるよう、ケース30の材料を選択した。これは、発光素子の集光光学系は、レンズ系を使用しているため、発光素子と熱膨張係数が著しく異なるケースに搭載した場合、環境温度によって集光光学系に位置ずれが生じ、光機能素子に集光される光の結合効率が変動する要因となるためである。なお、発明者の経験則によれば、素子とその素子を搭載する搭載部との熱膨張係数の差は、5×10−6[1/K]未満とする必要がある。
上記の理由から、本実施例の光モジュールは、光変調器素子2とケース30との熱膨張係数が大幅に異なる。光変調器素子2の材料であるニオブ酸リチウムは、そのZ軸方向の熱膨張係数が16×10−6[1/K]であり、熱膨張係数が4.4×10−6[1/K]のFeNiCo合金のケース30に搭載する場合、その熱膨張係数差は11.6×10−6[1/K]である。光モジュールの保存温度範囲は、−40℃から85℃(レンジで125℃)である。また、光変調素子2のZ軸方向の長さは、最大100mmなので、それらの積で求められる変位差は、最大145μm(マイクロメータ)となる。したがって、光変調素子2とケース30とを光変調素子2の長手方向全長を接着した場合、きわめて大きい歪を生じる。
これに対して、実施例1では、光変調器2の光の入射端3mmでのみケース30と接着されているので、集光用レンズ5の焦点位置に当たる入射端は移動せず、しかも接着部(固定位置)以外はZ軸方向に相対移動可能なので、光変調器2への結合効率を維持したままで、光変調器2に加わる熱応力を最小にすることができる。
また、実施例1は、光変調器素子2の片持ち接続構造であるため、光モジュールへの衝撃、振動等機械的外圧に弱い虞がある。そこで、光変調器素子2の固定された部分を除いた隙間の少なくとも一部に軟らかい樹脂9を充填し、Z軸方向の伸縮変動に対して応力が加わりにくい構造となっている。
なお、実施例1ではZ軸方向の光変調器2とケース30との接着幅を3mmとしたが、実験的に10mmまで特性不良を発生しないことを確認済みである。
本実施例に拠れば、熱膨張係数の異なる発光素子と光機能素子とを同一ケースに搭載した、小型で高信頼性の光モジュールを提供できる。
なお、光機能素子の材料として、ニオブ酸リチウムを用いたが、タンタル酸リチウムであってもよい。発光素子11は、GaAs系を用いたが、InP系であっても、他の化合物半導体であってもよい。サブマウントは、窒化アルミを用いたが、アルミナ、CuW合金、FeNiCo合金等熱膨張係数が、発光素子の熱膨張係数との差が5×10−6[1/K]未満の材質であればよい。アイソレータと波長板とは、発光素子ユニット10に搭載されているが、集光用レンズ5を搭載したケース30に搭載してもよい。波長板は、光機能素子2のカット方向によっては不要である。光機能素子2とケース30との接続は、接着剤8に限られず、はんだ接続であってもよい。これらの変形例は、本明細書の他の実施例においても共通である。
本発明の実施例2を、図2ないし図4を用いて説明する。ここで、図2は光モジュールの構造を説明する図であって、図2(a)は、その要部断面図で、図2(b)は、その要部平面図である。図3は光変調器への入射部を説明する斜視図である。図4は光変調器からの出射部を説明する斜視図である。
明細書中で、同じ部位については同じ符号を付しており、図2の光モジュール100の実施例2でも、発光素子ユニット10から集光用レンズ5にいたる構造は、実施例1と同様である。従って、説明を省略し、光変調器素子2の実装構造のみを説明する。
実施例2で、光変調器素子2は、光変調器素子2とほぼ同一熱膨張係数の材質の台座20に搭載される。本実施例の、光変調器素子2は、ニオブ酸リチウムであり、そのZ軸方向の熱膨張係数が16×10−6[1/K]程度である。台座20は、熱膨張係数が14〜17×10−6[1/K]のステンレス鋼を使用する。両者の熱膨張係数差は、2×10−6[1/K]以下であるので、固定方法に注意を払う必要はない。本実施例では、台座20と光変調器素子2とは接着剤で固定した。なお、台座20には、台座20をケース30に固定したとき、光変調器素子の入射部のX軸位置が、ケース30の溶接固定面と同じ高さとなる深さの溝が施されている。この理由は、後述する。
熱膨張係数が4.4×10−6[1/K]のFeNiCo合金のケース30に台座20を搭載する場合、その熱膨張係数差が5×10−6[1/K]以上である。実施例2では、図3で表されているように、ケース30には、台座20を収容する深さの溝が設けられ、台座20とケース30とは、台座20の耳部20aでYAGレーザによるスポット溶接を施している。このとき、溶接はスポット径0.4mmで片側2箇所(ピッチ2mm、但し図示は1箇所)行った。
このとき、Z軸方向のレーザ溶接箇所(固定位置)は、光変調器2の入射端直近である。ケース30には、台座20の耳部20aを除いた台座部分を収容可能な溝があり、台座20には、台座20をケース30に固定したとき、光変調器素子2の光軸のX軸位置が、ケース30の溶接固定面と同じ高さとなる深さの溝が施されている。これを、もう少し詳しく説明すれば、前記光機能素子の光入射高さと、前記ケースの前記台座との固定位置高さとは、概ね一致するようにしておけば、熱膨張係数の大きい台座の熱膨張ではなく、熱膨張係数の小さく搭載位置による高さの差も小さいケース30の伸縮にのみ依存して、X方向の光軸ずれが生じるからである。従って、熱膨張係数の大きい光変調器2のZ軸方向への位置ずれを抑えるだけでなく、X軸方向への位置ずれを抑えるので、集光光学系の位置ずれを極力抑え、光変調器素子2への結合効率変動を小さくしている。
実施例2では、図4で説明されているように、光変調器素子2からの出射側は、シングルモード光ファイバ7を光学接着剤で接着し、光ファイバとケース30とは、はんだによって封止固定する。このとき光ファイバの断線を防止するため、光変調器素子2出射端とケース30の間の光ファイバには光変調器素子2とケース30との熱膨張係数差で生じる伸縮変動分の余長を設ける。また、光変調器2を載せた台座20の後端は、ケース3にYAG溶接22で固定された板ばね21で、Z軸方向に伸縮自在に固定されている。これは、実施例2では台座20がケース30に対して片持ち接続構造であるため、光モジュールへの衝撃、振動等機械的外圧に対する補強のためである。なお、実施例1と同様に、台座20とケース30との隙間部分には、Z軸方向の伸縮変動に対して応力が加わりにくい軟らかい樹脂9で充填してもよい。また、板ばねで、Z軸方向ではなく、X軸方向の光変調器素子の変位を押さえてもよい。また、YAG溶接は、他の固定方法(例えばねじ止め)であってもよい。
上述した構成によって、光送信素子11と光変調器素子2を同一のケースに搭載した光モジュール100が完成した。電気信号配線については、図示を省略したが、光送信素子11は連続発光し、光変調器素子2に導かれた光は、強度変調され、信号光となってシングルモードファイバ7より、出力される。
本実施例に拠れば、熱膨張係数の異なる発光素子と光機能素子とを同一ケースに搭載した、小型で高信頼性の光モジュールを提供できる。
本実施例では、X方向のずれをも配慮しているので、光結合効率がさらに高い、光モジュールを提供できる。
本実施例では、X方向のずれをも配慮しているので、光結合効率がさらに高い、光モジュールを提供できる。
本発明の実施例3を、図5および図6を用いて説明する。ここで、図5は光モジュールの構造を説明する要部断面図である。また、図6は光変調器への入射部を説明する斜視図である。
実施例3の光モジュールは、実施例2の光モジュールにおいて、台座20に搭載される部品に、発光素子11からの光を光変調器素子2へ入射する集光用レンズ5を加えた構成である。図6に詳細に表されているように、台座20とケース30とは、台座の耳部20aでYAGレーザによるスポット溶接を施している。このとき、溶接はスポット径0.4mmで片側2箇所(Y方向でピッチ2mm)行った。
このとき、Z軸方向のレーザ溶接箇所は、集光用レンズ5の搭載位置とした。ケース30には、台座20の耳部20aを除いた台座部分を収容可能な溝があり、台座20には、台座20をケース30に固定したとき、光変調器素子2の光軸のX軸位置が、ケース30の溶接固定面と同じ高さとなる深さの溝が施されている。また、集光用レンズ5の搭載位置にも、集光用レンズ5の光軸のX軸位置が、ケース30の溶接固定面と同じ高さとなる深さの溝が施されている。従って、熱膨張係数の大きい光変調器2のZ軸方向への位置ずれを抑えるだけでなく、X軸方向への位置ずれを抑えるので、集光光学系の位置ずれを極力抑え、光変調器素子2への結合効率変動を小さくしている。
なお、YAG溶接の箇所は、集光用レンズ5の搭載位置に限られず、光変調器素子2の入射端面部であっても、集光用レンズ5の搭載位置から光変調器素子2の入射端面部までの間であってもよい。さらに、Z軸で10mm以内ならば、集光用レンズ5の搭載位置側と光変調器素子2の入射端面部側との両方の位置であってもよい。
上述した構成によって、光送信素子11と光変調器素子2を同一のケースに搭載した光モジュール100が完成した。電気信号配線については、図示を省略したが、光送信素子11は連続発光し、光変調器素子2に導かれた光は、強度変調され、信号光となってシングルモードファイバ7より、出力される。
本実施例に拠れば、熱膨張係数の異なる発光素子と光機能素子とを同一ケースに搭載した、小型で高信頼性の光モジュールを提供できる。
本実施例では、X方向のずれをも配慮しているので、光結合効率がさらに高い、光モジュールを提供できる。
本実施例では、X方向のずれをも配慮しているので、光結合効率がさらに高い、光モジュールを提供できる。
本発明の実施例4を、図7を用いて説明する。ここで、図7光モジュールの構造を説明する要部断面図である。
実施例4の光モジュールは、実施例1の光モジュールにおいて、光変調器素子2とケース30とを固定する部分の中心のZ座標が、前記光変調器素子2のZ軸方向の中心とほぼ同一である。固定部分は、接着であり、Z軸方向の幅は3mmとした。発光素子11から集光用レンズ5に至る構成は、実施例1と同様であるが、集光用レンズ5の後ろに偏波保持ファイバ23を固定するフォルダ24を設けている。集光用レンズ5によって、偏波保持ファイバ13に集光された光は、偏波保持ファイバ23に導かれる。偏波維持ファイバ23と光変調器素子2の入射側とは、光学接着剤により接続されている。偏波保持ファイバ13は、光変調器素子2の出射側に接続されたシングルモード光ファイバ7と同様に断線を防止するため光変調器素子2とケース30の熱膨張係数差で生じる伸縮変動分の余長を設けている。光変調器素子2の入出射端はファイバによる接続であり、光変調器素子2とケース30を固定する部分の中心のZ座標が、前記光変調器素子2のZ軸方向の中心とほぼ同一であることにより、光ファイバの断線を防止する。光モジュールへの衝撃、振動等機械的外圧に対する補強のため光変調器素子2の固定された部分を除いた隙間の少なくとも一部をZ軸方向の伸縮変動に対して応力が加わりにくい軟らかい樹脂9で充填している。
なお、実施例2の図4で説明した板ばねを入射側に設けてもよい。また、板ばねで、Z軸方向から抑えるだけでなく、X軸方向の光変調器素子の変位を押さえてもよい。これは、実施例5でも共通である。
上述した構成によって、光送信素子11と光変調器素子2を同一のケースに搭載した光モジュール100が完成した。電気信号配線については、図示を省略したが、光送信素子11は連続発光し、光変調器素子2に導かれた光は、強度変調され、信号光となってシングルモードファイバ7より、出力される。
本実施例に拠れば、熱膨張係数の異なる発光素子と光機能素子とを同一ケースに搭載した高信頼性の光モジュールを提供できる。
本発明の実施例5を、図8を用いて説明する。ここで、図8は光モジュールの構造を説明する図であって、図8(a)はその要部断面図で、図8(b)はその要部平面図である。
実施例5の光モジュールは、実施例4の光モジュールにおいて、実施例2で説明した台座20を適用し、台座20とケース30とをYAG溶接したものである。従ってその構成、動作は前述の実施例から容易に理解できるので、ここでは省略する。
なお、本実施例でも台座20には、光変調器素子2用の溝が形成されているが、変調器素子2の入出射は、光ファイバ23、7を用いているので、単に機械的保護に過ぎない。
上述した構成によって、光送信素子11と光変調器素子2を同一のケースに搭載した光モジュール100が完成した。電気信号配線については、図示を省略したが、光送信素子11は連続発光し、光変調器素子2に導かれた光は、強度変調され、信号光となってシングルモードファイバ7より、出力される。
本実施例に拠れば、熱膨張係数の異なる発光素子と光機能素子とを同一ケースに搭載した高信頼性の光モジュールを提供できる。
本実施例に拠れば、熱膨張係数の異なる発光素子と光機能素子とを同一ケースに搭載した高信頼性の光モジュールを提供できる。
2…光変調素子、4…コリメート用レンズ、5…集光用レンズ、6…アイソレータ、7…シングルモード光ファイバ、8…固定部、9…樹脂、10…発光素子ユニット、11…発光素子、12…サブマウント、13…熱電素子、20…台座、21…板ばね、22…YAGレーザ溶接部、23…偏波保持ファイバ、24…フォルダ、30…ケース、100…光モジュール。
Claims (3)
- 発光素子と、前記発光素子からの第1の光を入力すると前記第1の光の性質を変えた第2の光を出力する光機能素子と、前記光機能素子を搭載する台座と、前記発光素子と前記台座を搭載するケースと、からなる光モジュールであって、
前記台座は前記発光素子側の一端部において前記ケースと固定され、かつ、前記台座の前記発光素子とは反対側の端部はケースに固定された板ばねによって固定され、
前記台座の第1の熱膨張係数と前記ケースの第2の熱膨張係数との差は5×10−6[1/K]以上で、かつ前記台座と前記ケースとの光軸方向の固定幅は10mm以内である光モジュール。 - 請求項1に記載の光モジュールであって、
前記固定幅は3mm以内である光モジュール。 - 請求項1または請求項2に記載した光モジュールであって、
前記光機能素子の光入射高さと、前記ケースの前記台座との固定位置高さとは、概ね一致するように製造されてなる光モジュール。
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Legal Events
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A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100803 |
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A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20110111 |