JP2008110436A - ナノピンセットおよびその製造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 5
- 239000005871 repellent Substances 0.000 claims abstract description 44
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 32
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 24
- 230000002940 repellent Effects 0.000 claims abstract description 19
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 26
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 claims description 16
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 11
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 11
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 4
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 3
- 238000005459 micromachining Methods 0.000 claims description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 abstract description 5
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 abstract 1
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 32
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 17
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 15
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 13
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 6
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 5
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 5
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical group [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 4
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011737 fluorine Chemical group 0.000 description 4
- 230000005499 meniscus Effects 0.000 description 4
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000005370 alkoxysilyl group Chemical group 0.000 description 3
- 239000012472 biological sample Substances 0.000 description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 3
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 3
- -1 fluorocarbon compound Chemical class 0.000 description 3
- NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N fluoromethane Chemical group FC NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000001183 hydrocarbyl group Chemical group 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 3
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 239000005046 Chlorosilane Substances 0.000 description 1
- 238000005411 Van der Waals force Methods 0.000 description 1
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- KOPOQZFJUQMUML-UHFFFAOYSA-N chlorosilane Chemical compound Cl[SiH3] KOPOQZFJUQMUML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000002534 ethynyl group Chemical group [H]C#C* 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 1
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 1
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 1
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- Manipulator (AREA)
- Micromachines (AREA)
Abstract
【解決手段】ナノピンセット1は、開閉自在な一対のアーム3と、アーム3の各々に形成された試料把持部3aと、各アーム3の少なくとも試料把持部3aを含む領域に形成された撥水性膜とを備えることを特徴とする。撥水性膜には、例えば、導電性を有する撥水性膜や化学吸着単分子膜が用いられる。
【選択図】図2
Description
請求項2の発明は、請求項1に記載のナノピンセットにおいて、撥水性膜が導電性を有するようにしたものである。
請求項3の発明は、請求項1に記載のナノピンセットにおいて、撥水性膜を化学吸着単分子膜としたものである。
請求項4の発明は、請求項1〜3のいずれか一項に記載のナノピンセットにおいて、試料把持部の一部に非撥水性領域を形成したものである。
請求項5の発明によるナノピンセットは、開閉自在な少なくとも一対のアームと、アームの少なくとも一方を駆動してアーム開閉動作を行わせる駆動部と、アームの各々に形成された試料把持部と、各アームの少なくとも試料把持部を含む領域に形成された撥水性膜とを備えることを特徴とする。
請求項6の発明は、請求項1〜5のいずれか一項に記載のナノピンセットにおいて、アームをシリコン(Si)により形成し、撥水性膜を化学吸着単分子膜としたものである。
請求項7の発明は、請求項6に記載のナノピンセットにおいて、アームの表面に酸化物から成る被膜を形成し、その被膜表面に化学吸着単分子膜からなる撥水性膜を形成したものである。
請求項8の発明は、請求項6または7に記載のナノピンセットの製造方法であって、化学吸着単分子膜が未形成のナノピンセットを、半導体微細加工技術により基板上に複数形成する加工工程と、加工工程が行われた後の基板を、化学吸着単分子膜を形成するための原料蒸気に曝す暴露工程と、暴露工程後に、基板に形成された複数のナノピンセットを分離する分離工程とを有することを特徴とする。
ついては周知であるので(例えば、上述した特許文献1参照)、ここでは説明を省略する
。ナノピンセット1の形成に用いる基板としては、SOI基板の他に、ガラス基板上に単
結晶シリコン層を有する基板や、アモルファスシリコン基板やポリシリコン基板上にSOI層を有する基板なども用いることができる。いずれの場合も、シリコン層にアーム3等が形成される。
次に、ナノピンセット1に撥水性の膜を形成する方法について説明する。上述したように、ナノピンセット1のアーム3や駆動部6もシリコンによって形成されている。そのため、化学吸着単分子膜(撥水性膜)を形成するために、シリコン表面に熱酸化によりSiO2層を形成する。その後、フッ化炭素基と炭化水素基とアルコキシシリル基とを主成分とする物質を用いて、SiO2層上に化学吸着単分子膜を形成する。
上述したように、本実施の形態のナノピンセット1では、ピンセット表面に化学吸着単分子膜207が形成されているので撥水性に優れている。そのため、水分を帯びた微粒子がナノピンセット1の表面に付着し難い。物体表面に付着している微粒子の付着力はメニスカス力,静電気力,ファンデルワールス力などに起因しているが、微粒子やナノピンセット1が電荷を帯びていない場合には、大気中の水分が凝縮して形成されたメニスカス力が大きな影響を与える。
F=4πRγ(cosθ1+cosθ2) …(1)
上述した実施の形態では、ナノピンセット表面に化学吸着単分子膜207を形成することで、汚れが付き難いナノピンセットが得られるようにした。そのため、図8(a)に示すように液膜80に覆われた試料81を把持するときに、表面が撥水性であるため試料81の位置が移動しやすく把持し難い場合が生じる。そこで、変形例1のナノピンセット1では、試料を把持するグリップ部3aに化学吸着単分子膜207が形成されない非撥水領域301を設けた。
ナノピンセット1の場合、試料が非常に微小であるため、その質量に起因する重力よりも電荷に起因する静電力の方が支配的になる。そのため、ナノピンセット1が静電気を帯びているような場合、試料を把持しようとナノピンセット1を近づけたときに静電反発力によって試料が弾かれたように動いてしまって把持できない場合が生じる。そこで、変形例2では、絶縁性の化学吸着単分子膜207に代えて導電性の撥水性膜をアーム3に形成し、その導電性撥水性膜をアースすることでアーム3が帯電するのを防止するようにした。
Claims (8)
- 開閉自在な一対のアームと、
前記アームの各々に形成された試料把持部と、
前記各アームの少なくとも前記試料把持部を含む領域に形成された撥水性膜とを備えることを特徴とするナノピンセット。 - 請求項1に記載のナノピンセットにおいて、
前記撥水性膜が、導電性を有する撥水性膜であることを特徴とするナノピンセット。 - 請求項1に記載のナノピンセットにおいて、
前記撥水性膜が、化学吸着単分子膜であることを特徴とするナノピンセット。 - 請求項1〜3のいずれか一項に記載のナノピンセットにおいて、
前記試料把持部の一部に非撥水性領域を形成したことを特徴とするナノピンセット。 - 開閉自在な少なくとも一対のアームと、
前記アームの少なくとも一方を駆動してアーム開閉動作を行わせる駆動部と、
前記アームの各々に形成された試料把持部と、
前記各アームの少なくとも前記試料把持部を含む領域に形成された撥水性膜とを備えることを特徴とするナノピンセット。 - 請求項1〜5のいずれか一項に記載のナノピンセットにおいて、
前記アームをシリコン(Si)により形成し、前記撥水性膜を化学吸着単分子膜としたことを特徴とするナノピンセット。 - 請求項6に記載のナノピンセットにおいて、
前記アームの表面に酸化物から成る被膜を形成し、その被膜表面に前記化学吸着単分子膜からなる前記撥水性膜を形成したことを特徴とするナノピンセット。 - 請求項6または7に記載のナノピンセットの製造方法であって、
前記化学吸着単分子膜が未形成のナノピンセットを、半導体微細加工技術により基板上に複数形成する加工工程と、
前記加工工程が行われた後の基板を、前記化学吸着単分子膜を形成するための原料蒸気に曝す暴露工程と、
前記暴露工程後に、前記基板に形成された複数のナノピンセットを分離する分離工程とを有することを特徴とするナノピンセットの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006295243A JP4712671B2 (ja) | 2006-10-31 | 2006-10-31 | ナノピンセットおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006295243A JP4712671B2 (ja) | 2006-10-31 | 2006-10-31 | ナノピンセットおよびその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008110436A true JP2008110436A (ja) | 2008-05-15 |
JP4712671B2 JP4712671B2 (ja) | 2011-06-29 |
Family
ID=39443249
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006295243A Active JP4712671B2 (ja) | 2006-10-31 | 2006-10-31 | ナノピンセットおよびその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP4712671B2 (ja) |
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---|---|
JP4712671B2 (ja) | 2011-06-29 |
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