JP2008109123A - 半導体装置の作製方法 - Google Patents
半導体装置の作製方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008109123A JP2008109123A JP2007253116A JP2007253116A JP2008109123A JP 2008109123 A JP2008109123 A JP 2008109123A JP 2007253116 A JP2007253116 A JP 2007253116A JP 2007253116 A JP2007253116 A JP 2007253116A JP 2008109123 A JP2008109123 A JP 2008109123A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- liquid
- peeling
- element formation
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 138
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 67
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 179
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims abstract description 178
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 175
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 60
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 139
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims description 25
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 20
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims description 6
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N hydrogen chloride Substances Cl.Cl IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910000041 hydrogen chloride Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 claims description 4
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 claims description 3
- 239000012266 salt solution Substances 0.000 claims 1
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 32
- 230000005611 electricity Effects 0.000 abstract description 16
- 230000003068 static effect Effects 0.000 abstract description 16
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 363
- 239000010408 film Substances 0.000 description 180
- 206010040844 Skin exfoliation Diseases 0.000 description 160
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 40
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 40
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 38
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 36
- 239000002585 base Substances 0.000 description 32
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 24
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 23
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 23
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 23
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 23
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 19
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 17
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 16
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 16
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 15
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 13
- 230000008569 process Effects 0.000 description 13
- 239000000047 product Substances 0.000 description 13
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 13
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 13
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 12
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 12
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 10
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 10
- 230000006870 function Effects 0.000 description 10
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 10
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 9
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 8
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 8
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 8
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 8
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 7
- 239000005001 laminate film Substances 0.000 description 7
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 7
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 7
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 7
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 7
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 6
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 6
- -1 wetting) Substances 0.000 description 6
- 230000009471 action Effects 0.000 description 5
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 5
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 5
- DKAGJZJALZXOOV-UHFFFAOYSA-N hydrate;hydrochloride Chemical compound O.Cl DKAGJZJALZXOOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 5
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 5
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 5
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 4
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 4
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 4
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 4
- 239000003595 mist Substances 0.000 description 4
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 4
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 4
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 4
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 4
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 4
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 4
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 4
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 4
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000005236 sound signal Effects 0.000 description 4
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 4
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 101100078424 Caenorhabditis elegans mtrr-1 gene Proteins 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 3
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 3
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 3
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 3
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 3
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 3
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 3
- 238000010998 test method Methods 0.000 description 3
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 3
- NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N Ammonia chloride Chemical compound [NH4+].[Cl-] NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N Vinyl chloride Chemical compound ClC=C BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 2
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 2
- 159000000011 group IA salts Chemical class 0.000 description 2
- JEGUKCSWCFPDGT-UHFFFAOYSA-N h2o hydrate Chemical compound O.O JEGUKCSWCFPDGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 2
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920001230 polyarylate Polymers 0.000 description 2
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 2
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 2
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 2
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 2
- 229920002620 polyvinyl fluoride Polymers 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 150000003376 silicon Chemical class 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 2
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 2
- 229910001182 Mo alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001080 W alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- XODPZXALWLGDCE-UHFFFAOYSA-N acetic acid;acetylene;ethene Chemical compound C=C.C#C.CC(O)=O XODPZXALWLGDCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000008043 acidic salts Chemical class 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000019270 ammonium chloride Nutrition 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000013405 beer Nutrition 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000002457 bidirectional effect Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- XEKAUTDWPYQNFU-UHFFFAOYSA-N chlorane Chemical compound Cl.Cl.Cl XEKAUTDWPYQNFU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 229940075894 denatured ethanol Drugs 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 239000013067 intermediate product Substances 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 238000000608 laser ablation Methods 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052762 osmium Inorganic materials 0.000 description 1
- SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N osmium atom Chemical compound [Os] SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 1
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 1
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 1
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 1
- VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N selanylidenegallium;selenium Chemical compound [Se].[Se]=[Ga].[Se]=[Ga] VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013585 weight reducing agent Substances 0.000 description 1
Images
Abstract
【解決手段】基板10上に剥離層12、素子形成層11を形成する。素子形成層11の上面には、後で剥離可能な支持基材13が固定される。支持基材13を介して、素子形成層11を変形させ、素子形成層11と剥離層12の界面で剥離を生じさせる。剥離によって逐次現れる素子形成層11および剥離層12が純水などの液体15で濡れるように、液体15を供給しながら剥離を行う。液体15により素子形成層11および剥離層12の表面に発生した電荷が拡散され、剥離帯電による放電をなくすことができる。
【選択図】図3
Description
11 素子形成層
12 剥離層
13 支持基材
14 支持基材
15 液体
17 剥離の先端部分
18 第1の可撓性基板
19 第2の可撓性基板
21 液体保持手段
22 ローラ
100 基板
101 剥離層
101a 酸化窒化シリコン層
101b タングステン層
102 素子形成層
103 絶縁膜
103a 酸化窒化シリコン層
103b 酸化窒化シリコン層
104 nチャネル型TFT
105 pチャネル型TFT
106 アンテナ
107 絶縁膜
108 樹脂層
110 溝
111 加熱剥離フィルム
112 セパレートフィルム
113 加熱剥離フィルム
114 ローラ
115 隙間
116 液体
117 スポイト
118 ローラ
119 部分
121 ラミネートフィルム
122 ラミネートフィルム
123 フィルム
130 噴霧手段
140 容器
160 ラベル台紙
161 IDラベル
162 インレット
163 ボックス
165 IDタグ
166 IDカード
167 無記名債券
190 素子形成層
200 第1の可撓性基板
201 信号線駆動回路
202 画素部
203 走査線駆動回路
204 第2の可撓性基板
205 シール材
208 フレキシブルプリントサーキット
209 下地膜
210 配線
211 nチャネル型薄膜トランジスタ
212 pチャネル型薄膜トランジスタ
213 スイッチング用薄膜トランジスタ
214 容量素子
221 層間絶縁膜
222 画素電極
223 保護膜
224 配向膜
230 第2の可撓性基板
231 カラーフィルタ
232 ブラックマトリクス(BM)
233 対向電極
234 配向膜
240 液晶
300 素子形成層
301 第1の可撓性基板
302 画素部
303 信号線駆動回路
304 走査線駆動回路
305 シール材
306 第2の可撓性基板
307 充填材
308 薄膜トランジスタ
310 薄膜トランジスタ
311 発光素子
314 引き回し配線
315a 引き回し配線
315b 引き回し配線
316 接続端子
318 フレキシブルプリントサーキット(FPC)
319 異方性導電膜
401 筐体
402 液晶モジュール
403 主画面
404 モデム
405 受信機
406 リモコン操作機
407 表示部
408 サブ画面
409 スピーカー部
410 筐体
411 表示部
412 キーボード部
413 スピーカー部
421 本体
422 表示部
424 記憶媒体
425 操作スイッチ
426 アンテナ
500 ガラス基板
501 酸化窒化シリコン膜
502 タングステン膜
503 酸化窒化シリコン膜
504 酸化窒化シリコン膜
505 酸化窒化シリコン膜
506 非晶質シリコン膜
507 酸化窒化シリコン膜
508 酸化窒化シリコン膜
510 溝
Claims (13)
- 半導体素子を含む基板上に形成された素子形成層を、前記基板から分離することを有する半導体装置の作製方法であり、
前記素子形成層を分離することによって現れる面を液体で濡らしながら、前記素子形成層を分離することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 基板上に剥離層を形成し、
前記剥離層上に半導体素子を含む素子形成層を形成し、
力を加えることにより、前記剥離層と前記素子形成層の界面で剥離を生じさせ、
前記剥離によって現れる面を液体で濡らしながら、前記素子形成層を前記基板から分離することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 基板上に剥離層を形成し、
前記剥離層上に半導体素子を含む素子形成層を形成し、
力を加えることにより前記剥離層と前記基板の界面で剥離を生じさせ、
前記剥離によって現れる面を液体で濡らしながら、前記素子形成層を前記基板から分離することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 基板上に剥離層を形成し、
前記剥離層上に半導体素子を含む素子形成層を形成し、
力を加えることにより前記剥離層の内部で剥離を生じさせ、
前記剥離によって現れる面を液体で濡らしながら、前記素子形成層を前記基板から分離することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項1乃至4のいずれか1項において、
前記液体は、純水であることを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項1乃至4のいずれか1項において、
前記液体は、酸性またはアルカリ性の水溶液であることを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項1乃至4のいずれか1項において、
前記液体は、塩の水溶液であることを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項1乃至4のいずれか1項において、
前記液体は、気体となる分子が溶けている水溶液であることを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項1乃至4のいずれか1項において、
前記液体は、二酸化炭素の水溶液であることを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項1乃至4のいずれか1項において、
前記液体は、塩化水素の水溶液であることを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項1乃至4のいずれか1項において、
前記液体は、水と揮発性の液体を含むことを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項1乃至4のいずれか1項において、
前記液体は、有機溶剤であることを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項1乃至4のいずれか1項において、
前記液体は、水とエタノールを含む液体、または水とアセトンを含む液体であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007253116A JP4402144B2 (ja) | 2006-09-29 | 2007-09-28 | 半導体装置の作製方法 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006266543 | 2006-09-29 | ||
JP2007253116A JP4402144B2 (ja) | 2006-09-29 | 2007-09-28 | 半導体装置の作製方法 |
Related Child Applications (4)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008238910A Division JP5070166B2 (ja) | 2006-09-29 | 2008-09-18 | 半導体装置の作製方法 |
JP2009105256A Division JP5297871B2 (ja) | 2006-09-29 | 2009-04-23 | 装置の作製方法及びelモジュールの作製方法 |
JP2009105259A Division JP5355202B2 (ja) | 2006-09-29 | 2009-04-23 | 装置の作製方法及びelモジュールの作製方法 |
JP2009181726A Division JP5378097B2 (ja) | 2006-09-29 | 2009-08-04 | 半導体装置の作製方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008109123A true JP2008109123A (ja) | 2008-05-08 |
JP2008109123A5 JP2008109123A5 (ja) | 2009-08-20 |
JP4402144B2 JP4402144B2 (ja) | 2010-01-20 |
Family
ID=39442177
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007253116A Active JP4402144B2 (ja) | 2006-09-29 | 2007-09-28 | 半導体装置の作製方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4402144B2 (ja) |
Cited By (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010153804A (ja) * | 2008-11-20 | 2010-07-08 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | フレキシブル半導体装置の作製方法 |
JP2012028755A (ja) * | 2010-06-25 | 2012-02-09 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 分離装置、分離方法、及び半導体素子の作製方法 |
JP2013504178A (ja) * | 2009-09-01 | 2013-02-04 | エーファウ・グループ・ゲーエムベーハー | 製品基板をキャリア基板から剥離するための装置及び方法 |
JP2013524545A (ja) * | 2010-04-23 | 2013-06-17 | エーファウ・グループ・ゲーエムベーハー | キャリア基板から製品基板を分離する装置および方法 |
JP2014187356A (ja) * | 2013-02-20 | 2014-10-02 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 剥離方法、及び半導体装置 |
JP2014194541A (ja) * | 2013-02-26 | 2014-10-09 | Nippon Electric Glass Co Ltd | 電子デバイスの製造方法 |
JP2014239045A (ja) * | 2009-07-02 | 2014-12-18 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置の作製方法 |
WO2015019971A1 (en) * | 2013-08-06 | 2015-02-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Peeling method |
KR20150064671A (ko) * | 2013-12-03 | 2015-06-11 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 박리 장치, 및 적층체의 제작 장치 |
JP2015133481A (ja) * | 2013-12-12 | 2015-07-23 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 剥離方法及び剥離装置 |
WO2015159887A1 (ja) * | 2014-04-15 | 2015-10-22 | コニカミノルタ株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 |
JP2015230898A (ja) * | 2014-06-03 | 2015-12-21 | 旭硝子株式会社 | 積層体の剥離装置及び剥離方法並びに電子デバイスの製造方法 |
JPWO2013161893A1 (ja) * | 2012-04-24 | 2015-12-24 | コニカミノルタ株式会社 | 積層ガスバリア性樹脂基材の製造方法 |
JP2016534394A (ja) * | 2013-08-13 | 2016-11-04 | 京東方科技集團股▲ふん▼有限公司Boe Technology Group Co.,Ltd. | フレキシブル基板をガラス基板から分離する装置及び生産設備 |
US9905589B2 (en) | 2013-12-03 | 2018-02-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
US10259207B2 (en) | 2016-01-26 | 2019-04-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for forming separation starting point and separation method |
JP2020106847A (ja) * | 2013-12-02 | 2020-07-09 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置の作製方法 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1970951A3 (en) * | 2007-03-13 | 2009-05-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
-
2007
- 2007-09-28 JP JP2007253116A patent/JP4402144B2/ja active Active
Cited By (35)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010153804A (ja) * | 2008-11-20 | 2010-07-08 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | フレキシブル半導体装置の作製方法 |
US10418586B2 (en) | 2009-07-02 | 2019-09-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device, lighting device, and electronic device |
US9768410B2 (en) | 2009-07-02 | 2017-09-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device, lighting device, and electronic device |
JP2014239045A (ja) * | 2009-07-02 | 2014-12-18 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置の作製方法 |
US9240525B2 (en) | 2009-07-02 | 2016-01-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device, lighting device, and electronic device |
JP2013504178A (ja) * | 2009-09-01 | 2013-02-04 | エーファウ・グループ・ゲーエムベーハー | 製品基板をキャリア基板から剥離するための装置及び方法 |
JP2013524545A (ja) * | 2010-04-23 | 2013-06-17 | エーファウ・グループ・ゲーエムベーハー | キャリア基板から製品基板を分離する装置および方法 |
US9457552B2 (en) | 2010-04-23 | 2016-10-04 | Ev Group Gmbh | Method for detaching a product substrate off a carrier substrate |
US9272501B2 (en) | 2010-04-23 | 2016-03-01 | Ev Group Gmbh | Device for detaching a product substrate off a carrier substrate |
JP2012028755A (ja) * | 2010-06-25 | 2012-02-09 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 分離装置、分離方法、及び半導体素子の作製方法 |
JPWO2013161893A1 (ja) * | 2012-04-24 | 2015-12-24 | コニカミノルタ株式会社 | 積層ガスバリア性樹脂基材の製造方法 |
US9947568B2 (en) | 2013-02-20 | 2018-04-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Peeling method, semiconductor device, and peeling apparatus |
US11355382B2 (en) | 2013-02-20 | 2022-06-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Peeling method, semiconductor device, and peeling apparatus |
JP2019176175A (ja) * | 2013-02-20 | 2019-10-10 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 剥離方法 |
JP2020191456A (ja) * | 2013-02-20 | 2020-11-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US10636692B2 (en) | 2013-02-20 | 2020-04-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Peeling method, semiconductor device, and peeling apparatus |
JP2014187356A (ja) * | 2013-02-20 | 2014-10-02 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 剥離方法、及び半導体装置 |
JP2014194541A (ja) * | 2013-02-26 | 2014-10-09 | Nippon Electric Glass Co Ltd | 電子デバイスの製造方法 |
WO2015019971A1 (en) * | 2013-08-06 | 2015-02-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Peeling method |
US9735398B2 (en) | 2013-08-06 | 2017-08-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Peeling method |
US10164219B2 (en) | 2013-08-06 | 2018-12-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Peeling method |
JP2016534394A (ja) * | 2013-08-13 | 2016-11-04 | 京東方科技集團股▲ふん▼有限公司Boe Technology Group Co.,Ltd. | フレキシブル基板をガラス基板から分離する装置及び生産設備 |
JP2020106847A (ja) * | 2013-12-02 | 2020-07-09 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置の作製方法 |
US11004925B2 (en) | 2013-12-02 | 2021-05-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and method for manufacturing the same |
US11672148B2 (en) | 2013-12-02 | 2023-06-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and method for manufacturing the same |
KR20150064671A (ko) * | 2013-12-03 | 2015-06-11 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 박리 장치, 및 적층체의 제작 장치 |
US9905589B2 (en) | 2013-12-03 | 2018-02-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
KR102179335B1 (ko) | 2013-12-03 | 2020-11-16 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 박리 장치, 및 적층체의 제작 장치 |
JP2016036005A (ja) * | 2013-12-03 | 2016-03-17 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 剥離装置、及び積層体の作製装置 |
JP2019176171A (ja) * | 2013-12-12 | 2019-10-10 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 剥離装置 |
US10189048B2 (en) | 2013-12-12 | 2019-01-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Peeling method and peeling apparatus |
JP2015133481A (ja) * | 2013-12-12 | 2015-07-23 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 剥離方法及び剥離装置 |
WO2015159887A1 (ja) * | 2014-04-15 | 2015-10-22 | コニカミノルタ株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 |
JP2015230898A (ja) * | 2014-06-03 | 2015-12-21 | 旭硝子株式会社 | 積層体の剥離装置及び剥離方法並びに電子デバイスの製造方法 |
US10259207B2 (en) | 2016-01-26 | 2019-04-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for forming separation starting point and separation method |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4402144B2 (ja) | 2010-01-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6255074B2 (ja) | 装置の作製方法及びelモジュールの作製方法 | |
JP6559820B2 (ja) | 装置 | |
JP4402144B2 (ja) | 半導体装置の作製方法 | |
JP4459992B2 (ja) | 剥離装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090702 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20090702 |
|
A871 | Explanation of circumstances concerning accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871 Effective date: 20090702 |
|
A975 | Report on accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005 Effective date: 20090723 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090728 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090804 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20091027 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20091028 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4402144 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121106 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121106 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121106 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131106 Year of fee payment: 4 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |