JP2008103739A

JP2008103739A - Wiring substrate, connection substrate, semiconductor device and their production method, circuit substrate, and electronic apparatus

Info

Publication number: JP2008103739A
Application number: JP2007286491A
Authority: JP
Inventors: Nobuaki Hashimoto; 伸晃橋元
Original assignee: Seiko Epson Corp
Current assignee: Seiko Epson Corp
Priority date: 1999-03-25
Filing date: 2007-11-02
Publication date: 2008-05-01
Anticipated expiration: 2020-03-23
Also published as: JP4822019B2

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a wiring substrate, a connection substrate, a semiconductor device and their production method in which production process can be carried out without requiring an expensive facility while eliminating damage on the package, and to provide a circuit substrate and an electronic apparatus. <P>SOLUTION: The wiring substrate includes a substrate 10 in which an opening 14 is formed, a wiring pattern 20 formed on one side of the substrate 10 and having a bend 22 which enters the opening 14 and projects from the other side of the substrate 10, and a resin 26 filling the bend 22 to prevent its big deformation but to permit some deformation wherein the bend 22 becomes the outer terminal of a semiconductor device. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明は、配線基板、接続基板、半導体装置及びこれらの製造方法、回路基板並びに電子機器に関する。 The present invention relates to a wiring board, a connection board, a semiconductor device, a manufacturing method thereof, a circuit board, and an electronic apparatus.

小型の半導体装置のうち、ＣＳＰ（Chip Size／Scale Package）やＢＧＡ（Ball Grid Array）型パッケージのように、ハンダボールが外部端子として使用されるものがある。 Some small semiconductor devices use solder balls as external terminals, such as CSP (Chip Size / Scale Package) and BGA (Ball Grid Array) type packages.

ハンダボールは、配線基板基板に位置合わせして搭載され、リフロー工程で溶融されて配線パターンに接合され、その後洗浄されていた。そのため、高額なボールマウンタ設備、リフロー設備及び洗浄設備が必要であった。しかも、リフロー工程で熱ストレスが加わり、洗浄工程で溶剤のストレスが加わるので、パッケージへのダメージがあった。
特開平１０−１２５７０５号公報特開平１０−３１３０７２号公報 The solder balls were mounted in alignment with the wiring board substrate, melted in the reflow process, joined to the wiring pattern, and then washed. Therefore, expensive ball mounter equipment, reflow equipment and cleaning equipment are required. In addition, heat stress is applied in the reflow process, and solvent stress is applied in the cleaning process, resulting in damage to the package.
JP-A-10-125705 Japanese Patent Laid-Open No. 10-313072

本発明は、この問題点を解決するものであり、その目的は、高額な設備なしで工程を行うことができ、パッケージへのダメージをなくす配線基板、接続基板、半導体装置及びこれらの製造方法、回路基板並びに電子機器を提供することにある。 The present invention solves this problem, the purpose of which can be performed without expensive equipment, wiring board, connection substrate, semiconductor device and manufacturing methods thereof that can eliminate damage to the package, To provide a circuit board and an electronic device.

（１）本発明に係る配線基板は、開口部が形成された基板と、
屈曲部を有する配線パターンと、
を有し、
前記開口部と前記屈曲部とが平面的に重なるように、前記基板の一方の面に前記配線パターンが形成されてなり、
前記屈曲部の内部には応力吸収材料が充填されてなる。 (1) A wiring board according to the present invention includes a board in which an opening is formed;
A wiring pattern having a bent portion;
Have
The wiring pattern is formed on one surface of the substrate so that the opening and the bent portion overlap in a plane.
The inside of the bent portion is filled with a stress absorbing material.

本発明によれば、配線パターンの一部が開口部に入り込む。この屈曲部は、半導体装置などの外部端子として使用することができる。したがって、高額な設備なしで工程を行うことができ、パッケージへのダメージをなくすことができる。また、本発明では、応力吸収材料によって、屈曲部に加えられた応力が吸収される。 According to the present invention, a part of the wiring pattern enters the opening. This bent portion can be used as an external terminal of a semiconductor device or the like. Therefore, the process can be performed without expensive equipment, and damage to the package can be eliminated. In the present invention, the stress applied to the bent portion is absorbed by the stress absorbing material.

（２）この配線基板において、
前記屈曲部は、前記基板の前記他方の面から突出しない高さで形成されていてもよい。 (2) In this wiring board,
The bent portion may be formed at a height that does not protrude from the other surface of the substrate.

（３）この配線基板において、
前記屈曲部は、前記基板の前記他方の面から突出して突起部を構成してもよい。 (3) In this wiring board,
The bent portion may protrude from the other surface of the substrate to form a protrusion.

本発明によれば、配線パターンの一部が開口部に入り込んで、屈曲部が、基板の反対側の面から突出する。この屈曲部は、半導体装置などの外部端子として使用することができるので、ハンダボールをなくすことができる。したがって、高額な設備なしで工程を行うことができ、パッケージへのダメージをなくすことができる。 According to the present invention, a part of the wiring pattern enters the opening, and the bent portion protrudes from the opposite surface of the substrate. Since the bent portion can be used as an external terminal of a semiconductor device or the like, solder balls can be eliminated. Therefore, the process can be performed without expensive equipment, and damage to the package can be eliminated.

（４）この配線基板において、
前記基板の前記他方の面に、前記突起部の突出高さよりも厚い保護部材が設けられていてもよい。 (4) In this wiring board,
A protective member thicker than the protruding height of the protrusion may be provided on the other surface of the substrate.

これによれば、保護部材によって屈曲部が保護されて変形が防止される。この配線基板を使用した半導体装置などは、保護部材を剥離してから、回路基板に実装することができる。 According to this, the bent portion is protected by the protective member, and deformation is prevented. A semiconductor device or the like using this wiring board can be mounted on a circuit board after the protective member is peeled off.

（５）この配線基板において、
前記基板と前記配線パターンとの間に接着剤が介在してもよい。 (5) In this wiring board,
An adhesive may be interposed between the substrate and the wiring pattern.

これによれば、屈曲部に加えられた応力を、接着剤によって吸収することができる。 According to this, the stress applied to the bent portion can be absorbed by the adhesive.

（６）この配線基板において、
前記配線パターンの前記屈曲部は、前記開口部の直径よりも幅が小さくて屈曲した配線からなるものであってもよい。 (6) In this wiring board,
The bent portion of the wiring pattern may be formed of a bent wire having a width smaller than the diameter of the opening.

（７）この配線基板において、
前記配線パターンの前記屈曲部は、前記開口部よりも大きいランド部の一部が屈曲してなるものであってもよい。 (7) In this wiring board,
The bent portion of the wiring pattern may be formed by bending a part of a land portion larger than the opening.

（８）この配線基板において、
前記配線パターンの前記屈曲部の先端部は、破断されて形成されていてもよい。 (8) In this wiring board,
The tip of the bent portion of the wiring pattern may be formed by being broken.

このように、屈曲部は、先端部が破断されていても、配線パターンと電気的に接続されているので、外部端子として使用することができる。 Thus, the bent portion can be used as an external terminal because it is electrically connected to the wiring pattern even when the tip portion is broken.

（９）この配線基板において、
前記配線パターンの前記屈曲部の先端部は、前記基板の表面を避けて終端してもよい。 (9) In this wiring board,
The tip of the bent portion of the wiring pattern may be terminated avoiding the surface of the substrate.

このように、屈曲部の先端部は、基板に支持されていなくても、配線パターンと電気的に接続されているので、外部端子として使用することができる。 Thus, even if the tip of the bent portion is not supported by the substrate, it can be used as an external terminal because it is electrically connected to the wiring pattern.

（１０）この配線基板において、
前記開口部はスリットであり、それぞれの前記開口部内に複数の前記屈曲部が形成されていてもよい。 (10) In this wiring board,
The opening may be a slit, and a plurality of the bent portions may be formed in each of the openings.

（１１）本発明に係る配線基板は、開口部が形成された基板と、
前記基板の一方の面に形成され、前記一方の面から前記開口部の上方に突出して曲がっている屈曲部を有する配線パターンと、
を含む。 (11) A wiring board according to the present invention includes a substrate in which an opening is formed;
A wiring pattern having a bent portion formed on one surface of the substrate and protruding from the one surface to the upper side of the opening;
including.

本発明によれば、配線パターンの一部が突出してなる屈曲部は、半導体装置などの外部端子として使用することができる。したがって、高額な設備なしで工程を行うことができ、パッケージへのダメージをなくすことができる。 According to the present invention, the bent portion from which a part of the wiring pattern protrudes can be used as an external terminal of a semiconductor device or the like. Therefore, the process can be performed without expensive equipment, and damage to the package can be eliminated.

（１２）この配線基板において、
前記基板と前記配線パターンとの間に接着剤が介在してもよい。 (12) In this wiring board,
An adhesive may be interposed between the substrate and the wiring pattern.

（１３）この配線基板において、
前記配線パターンの前記屈曲部の凹面にて形成される凹部に樹脂が充填されてもよい。 (13) In this wiring board,
A resin may be filled in the concave portion formed by the concave surface of the bent portion of the wiring pattern.

これによれば、凹部に充填される樹脂によって屈曲部の形状が維持されるとともに、屈曲部に加えられる応力を樹脂によって吸収することができる。 According to this, the shape of the bent portion is maintained by the resin filled in the concave portion, and the stress applied to the bent portion can be absorbed by the resin.

（１４）この配線基板において、
前記配線パターンの前記屈曲部は、前記開口部の直径よりも幅が小さくて屈曲した配線からなるものであってもよい。 (14) In this wiring board,
The bent portion of the wiring pattern may be formed of a bent wire having a width smaller than the diameter of the opening.

（１５）この配線基板において、
前記配線パターンの前記屈曲部は、前記開口部よりも大きいランド部の一部が屈曲してなるものであってもよい。 (15) In this wiring board,
The bent portion of the wiring pattern may be formed by bending a part of a land portion larger than the opening.

（１６）この配線基板において、
前記配線パターンの前記屈曲部の先端部は、破断されて形成されてもよい。 (16) In this wiring board,
The tip of the bent portion of the wiring pattern may be formed by being broken.

（１７）この配線基板において、
前記配線パターンの前記屈曲部の先端部は、前記基板の表面を避けて終端してもよい。 (17) In this wiring board,
The tip of the bent portion of the wiring pattern may be terminated avoiding the surface of the substrate.

（１８）この配線基板において、
前記開口部はスリットであり、それぞれの前記開口部内に複数の前記屈曲部が形成されてもよい。 (18) In this wiring board,
The opening may be a slit, and a plurality of the bent portions may be formed in each of the openings.

（１９）本発明に係る配線基板は、開口部が形成された基板と、
屈曲部を有する配線パターンと、
を有し、
前記開口部と前記屈曲部とが平面的に重なるように、前記基板の一方の面に前記配線パターンが形成されてなり、
前記屈曲部の凹部側に、前記開口部を封止する封止材が設けられてなる。 (19) A wiring board according to the present invention includes a board in which an opening is formed,
A wiring pattern having a bent portion;
Have
The wiring pattern is formed on one surface of the substrate so that the opening and the bent portion overlap in a plane.
A sealing material for sealing the opening is provided on the concave side of the bent portion.

本発明によれば、屈曲部の凹部側も、封止材を介して電気的な接続領域として使用することができる。 According to the present invention, the concave side of the bent portion can also be used as an electrical connection region via the sealing material.

（２０）この配線基板において、
前記封止材は、導電性物質からなり、前記屈曲部の内部に充填されていてもよい。 (20) In this wiring board,
The sealing material may be made of a conductive material and filled in the bent portion.

これによれば、屈曲部の内面に対して、導電性物質を介して電気的な接続を図ることができる。 According to this, it is possible to achieve electrical connection to the inner surface of the bent portion via the conductive substance.

（２１）この配線基板において、
前記屈曲部の内部に絶縁性樹脂が充填され、
前記封止材は、導電性物質からなり、前記絶縁性樹脂上に設けられていてもよい。 (21) In this wiring board,
The inside of the bent portion is filled with an insulating resin,
The sealing material may be made of a conductive material and provided on the insulating resin.

これによれば、絶縁性樹脂上において、導電性物質を介して配線パターンとの電気的な接続を図ることができる。 According to this, on the insulating resin, electrical connection with the wiring pattern can be achieved via the conductive substance.

（２２）この配線基板において、
前記封止材は、前記屈曲部の内部を中空にして、前記凹部上から前記配線パターンに至るように設けられていてもよい。 (22) In this wiring board,
The sealing material may be provided so that the inside of the bent portion is hollow and reaches the wiring pattern from the concave portion.

これによれば、屈曲部が変形しやすいので、屈曲部による応力の吸収が可能である。 According to this, since the bent portion is easily deformed, the stress can be absorbed by the bent portion.

（２３）本発明に係る配線基板は、開口部が形成された基板と、
前記基板の一方の面に形成され、前記一方の面から前記開口部の上方に突出して曲がっている屈曲部を有する配線パターンと、
を有し、
前記基板の前記開口部及び前記屈曲部の内部に、前記開口部を封止する封止材が充填されてなる。 (23) A wiring board according to the present invention includes a board in which an opening is formed,
A wiring pattern having a bent portion formed on one surface of the substrate and protruding from the one surface to the upper side of the opening;
Have
A sealing material for sealing the opening is filled in the opening and the bent portion of the substrate.

（２４）本発明に係る接続基板は、基板に配線パターンが形成されてなる複数の配線基板を含み、
前記複数の配線基板のうち少なくとも１つの配線基板の前記配線パターンには屈曲部が形成されてなり、
前記屈曲部が形成された配線基板とは異なる配線基板の前記配線パターンと前記屈曲部とが接続されてなる。 (24) The connection board according to the present invention includes a plurality of wiring boards in which a wiring pattern is formed on the board,
A bent portion is formed in the wiring pattern of at least one of the plurality of wiring boards,
The wiring pattern of the wiring board different from the wiring board on which the bent portion is formed is connected to the bent portion.

本発明によれば、複数の配線基板の配線パターンを、屈曲部の高さを利用して、ショートが生じることなく接続できる。 According to the present invention, the wiring patterns of a plurality of wiring boards can be connected without causing a short circuit using the height of the bent portion.

（２５）この接続基板において、
前記屈曲部が形成された前記配線基板の前記基板は、開口部が形成されてなり、
前記屈曲部は、前記開口部と平面的に重なる位置に形成されてもよい。 (25) In this connection board,
The substrate of the wiring board in which the bent portion is formed is formed with an opening,
The bent portion may be formed at a position overlapping the opening in a plan view.

（２６）この接続基板において、
前記屈曲部が形成された前記配線パターンは、前記基板の一方の面に形成され、
前記屈曲部は、前記一方の面から前記開口部の上方に突出して形成されてもよい。 (26) In this connection board,
The wiring pattern in which the bent portion is formed is formed on one surface of the substrate,
The bent portion may be formed so as to protrude above the opening from the one surface.

（２７）この接続基板において、
前記屈曲部が形成された前記配線パターンは、前記基板の一方の面に形成され、
前記屈曲部は、前記基板の他方の面に向けて前記開口部内に形成されてもよい。 (27) In this connection board,
The wiring pattern in which the bent portion is formed is formed on one surface of the substrate,
The bent portion may be formed in the opening toward the other surface of the substrate.

（２８）この接続基板において、
前記配線パターンと前記屈曲部とは、それぞれの材料の拡散によって接続されてもよい。 (28) In this connection board,
The wiring pattern and the bent portion may be connected by diffusion of each material.

（２９）この接続基板において、
前記配線パターンと前記屈曲部とは、導電性部材によって接続されてもよい。 (29) In this connection board,
The wiring pattern and the bent portion may be connected by a conductive member.

（３０）本発明に係る接続基板は、基板に配線パターンが形成されてなる複数の配線基板を含み、
前記複数の配線基板のうち少なくとも１つの配線基板において、前記基板には開口部が形成され、前記配線パターンには屈曲部が形成され、前記開口部と前記屈曲部とが平面的に重なるように、前記基板の一方の面に前記配線パターンが形成され、前記屈曲部の凹部側に導電性物質が設けられてなり、
前記屈曲部が形成された配線基板とは異なる配線基板の前記配線パターンと前記屈曲部とが接続されてなる。 (30) The connection board according to the present invention includes a plurality of wiring boards in which a wiring pattern is formed on the board,
In at least one of the plurality of wiring substrates, an opening is formed in the substrate, a bent portion is formed in the wiring pattern, and the opening and the bent portion overlap in a plane. The wiring pattern is formed on one surface of the substrate, and a conductive material is provided on the concave side of the bent portion,
The wiring pattern of the wiring board different from the wiring board on which the bent portion is formed is connected to the bent portion.

本発明によれば、複数の配線基板の配線パターンを、屈曲部の高さを利用して、ショートが生じることなく接続できる。また、本発明によれば、屈曲部の凹部側も、導電性物質を介して電気的な接続領域として使用することができる。 According to the present invention, the wiring patterns of a plurality of wiring boards can be connected without causing a short circuit using the height of the bent portion. In addition, according to the present invention, the concave side of the bent portion can also be used as an electrical connection region through the conductive material.

（３１）この接続基板において、
前記導電性物質は、前記屈曲部の内部に充填されていてもよい。 (31) In this connection board,
The conductive substance may be filled in the bent portion.

（３２）この接続基板において、
前記屈曲部の内部に絶縁性樹脂が充填され、
前記導電性物質は、前記絶縁性樹脂上から前記配線パターンに至るように設けられていてもよい。 (32) In this connection board,
The inside of the bent portion is filled with an insulating resin,
The conductive material may be provided so as to reach the wiring pattern from the insulating resin.

（３３）この接続基板において、
前記導電性物質は、前記屈曲部の内部を中空にして、前記凹部上から前記配線パターンに至るように設けられていてもよい。 (33) In this connection board,
The conductive substance may be provided so that the inside of the bent portion is hollow and reaches the wiring pattern from above the concave portion.

（３４）本発明に係る接続基板は、基板に配線パターンが形成されてなる複数の配線基板を含み、
前記複数の配線基板のうち少なくとも１つの配線基板において、前記基板には開口部が形成され、前記配線パターンは前記基板の一方の面に形成されているとともに、前記一方の面から前記開口部の上方に突出して曲がっている屈曲部を有し、前記基板の前記開口部及び前記屈曲部の内部に、導電性物質が充填されてなり、
前記屈曲部が形成された配線基板とは異なる配線基板の前記配線パターンと前記屈曲部とが接続されてなる。 (34) The connection board according to the present invention includes a plurality of wiring boards in which a wiring pattern is formed on the board,
In at least one of the plurality of wiring boards, an opening is formed in the board, and the wiring pattern is formed on one surface of the substrate, and the opening is formed from the one surface. It has a bent portion protruding upward and bent, and the inside of the opening and the bent portion of the substrate is filled with a conductive substance,
The wiring pattern of the wiring board different from the wiring board on which the bent portion is formed is connected to the bent portion.

（３５）本発明に係る半導体装置は、上記配線基板と、
前記配線基板の前記基板に搭載された少なくとも一つの半導体チップと、
を含む。 (35) A semiconductor device according to the present invention comprises the above wiring board;
At least one semiconductor chip mounted on the substrate of the wiring board;
including.

本発明によれば、配線パターンの一部が開口部に入り込む。この屈曲部は、半導体装置の外部端子として使用することができる。したがって、高額な設備なしで工程を行うことができ、パッケージへのダメージをなくすことができる。 According to the present invention, a part of the wiring pattern enters the opening. This bent portion can be used as an external terminal of the semiconductor device. Therefore, the process can be performed without expensive equipment, and damage to the package can be eliminated.

（３６）この半導体装置において、
前記半導体チップは、接着剤に導電粒子が分散されてなる異方性導電材料を介して前記基板にボンディングされてもよい。 (36) In this semiconductor device,
The semiconductor chip may be bonded to the substrate via an anisotropic conductive material in which conductive particles are dispersed in an adhesive.

（３７）この半導体装置において、
前記異方性導電材料の一部が、請求項１記載の前記屈曲部に充填された前記応力吸収材料であってもよい。 (37) In this semiconductor device,
The stress absorbing material filled in the bent portion according to claim 1 may be a part of the anisotropic conductive material.

これによれば、異方性導電材料によって屈曲部の変形を許容するので、屈曲部に加えられた応力が吸収される。 According to this, since the deformation of the bent portion is allowed by the anisotropic conductive material, the stress applied to the bent portion is absorbed.

（３８）この半導体装置において、
前記開口部は、前記基板における前記半導体チップの搭載領域内及び搭載領域外の少なくともいずれか一方に形成されてもよい。 (38) In this semiconductor device,
The opening may be formed in at least one of the semiconductor chip mounting region and the mounting region outside the substrate.

この半導体装置は、基板における半導体チップの搭載領域内に外部端子としての屈曲部が形成されるときには、Fan-In型の半導体装置となり、基板における半導体チップの搭載領域内及び搭載領域外に外部端子としての屈曲部が形成されるときには、Fan-In/Out型の半導体装置となり、基板における半導体チップの搭載領域外に外部端子としての屈曲部が形成されるときには、Fan-Out型の半導体装置となる。 This semiconductor device becomes a Fan-In type semiconductor device when a bent portion as an external terminal is formed in the mounting region of the semiconductor chip on the substrate, and the external terminal is inside and outside the mounting region of the semiconductor chip on the substrate. When a bent portion is formed as a fan-in / out type semiconductor device, and when a bent portion as an external terminal is formed outside the semiconductor chip mounting region on the substrate, Become.

（３９）この半導体装置において、
複数の前記半導体チップを有し、
前記基板は、一部が曲げられて、前記複数の半導体チップが積み重ねられてもよい。 (39) In this semiconductor device,
A plurality of the semiconductor chips;
The substrate may be partially bent and the plurality of semiconductor chips may be stacked.

これは、マルチチップパッケージの半導体装置である。 This is a multi-chip package semiconductor device.

（４０）この半導体装置において、
前記開口部は、前記基板における前記半導体チップの搭載領域外に形成され、
前記基板は一部が曲げられ、前記基板における前記半導体チップの搭載領域を除く部分と前記半導体チップとが接着されてもよい。 (40) In this semiconductor device,
The opening is formed outside the semiconductor chip mounting region on the substrate,
The substrate may be partially bent, and a portion of the substrate excluding the mounting region of the semiconductor chip may be bonded to the semiconductor chip.

本発明によれば、配線パターンの一部が突出してなる屈曲部は、半導体装置の外部端子として使用することができる。したがって、高額な設備なしで工程を行うことができ、パッケージへのダメージをなくすことができる。 According to the present invention, the bent portion from which a part of the wiring pattern protrudes can be used as an external terminal of the semiconductor device. Therefore, the process can be performed without expensive equipment, and damage to the package can be eliminated.

これによれば、外部端子となる屈曲部が、半導体チップの搭載領域外に形成されるので、半導体チップと基板との熱膨張係数の差によって生じる応力の影響を、屈曲部が受けないようになっている。また、基板が曲げられるので半導体装置が小型化される。 According to this, since the bent portion serving as the external terminal is formed outside the mounting region of the semiconductor chip, the bent portion is not affected by the stress caused by the difference in thermal expansion coefficient between the semiconductor chip and the substrate. It has become. Further, since the substrate is bent, the semiconductor device is miniaturized.

（４１）本発明に係る半導体装置は、上記配線基板と、
前記配線基板に搭載された少なくとも一つの半導体チップと、
を含む。 (41) A semiconductor device according to the present invention comprises the above wiring board;
At least one semiconductor chip mounted on the wiring board;
including.

本発明によれば、上述した配線基板の効果を達成する。 According to the present invention, the above-described effect of the wiring board is achieved.

（４２）この半導体装置において、
前記半導体チップは、接着剤に導電粒子が分散されてなる異方性導電材料を介して前記基板にボンディングされてもよい。 (42) In this semiconductor device,
The semiconductor chip may be bonded to the substrate via an anisotropic conductive material in which conductive particles are dispersed in an adhesive.

（４３）この半導体装置において、
前記異方性導電材料の一部が、前記屈曲部に充填されてもよい。 (43) In this semiconductor device,
A part of the anisotropic conductive material may be filled in the bent portion.

（４４）この半導体装置において、
前記開口部は、前記基板における前記半導体チップの搭載領域内及び搭載領域外の少なくともいずれか一方に形成されてもよい。 (44) In this semiconductor device,
The opening may be formed in at least one of the semiconductor chip mounting region and the mounting region outside the substrate.

（４５）この半導体装置において、
複数の前記半導体チップを有し、
前記基板は、一部が曲げられて、前記複数の半導体チップが積み重ねられてもよい。 (45) In this semiconductor device,
A plurality of the semiconductor chips;
The substrate may be partially bent and the plurality of semiconductor chips may be stacked.

（４６）この半導体装置において、
前記開口部は、前記基板における前記半導体チップの搭載領域外に形成され、
前記基板は一部が曲げられ、前記基板における前記半導体チップの搭載領域を除く部分と前記半導体チップとが接着されてもよい。 (46) In this semiconductor device,
The opening is formed outside the semiconductor chip mounting region on the substrate,
The substrate may be partially bent, and a portion of the substrate excluding the mounting region of the semiconductor chip may be bonded to the semiconductor chip.

（４７）本発明に係る半導体装置は、上記配線基板と、
前記配線基板の前記基板に搭載された少なくとも一つの半導体チップと、
を含む。 (47) A semiconductor device according to the present invention comprises the above wiring board;
At least one semiconductor chip mounted on the substrate of the wiring board;
including.

本発明によれば、屈曲部は、半導体装置の外部端子として使用することができる。したがって、高額な設備なしで工程を行うことができ、パッケージへのダメージをなくすことができる。また、本発明によれば、配線基板の屈曲部の凹部側も、導電性物質を介して電気的な接続領域として使用することができる。 According to the present invention, the bent portion can be used as an external terminal of the semiconductor device. Therefore, the process can be performed without expensive equipment, and damage to the package can be eliminated. Further, according to the present invention, the concave side of the bent portion of the wiring board can also be used as an electrical connection region via the conductive substance.

（４８）本発明に係る半導体装置は、上記配線基板と、
前記配線基板の前記基板に搭載された少なくとも一つの半導体チップと、
を含む半導体装置。 (48) A semiconductor device according to the present invention comprises the above wiring board;
At least one semiconductor chip mounted on the substrate of the wiring board;
A semiconductor device including:

（４９）本発明に係る回路基板には、上記半導体装置が搭載されている。 (49) The semiconductor device is mounted on a circuit board according to the present invention.

（５０）本発明に係る回路基板には、上記半導体装置が搭載されている。 (50) The semiconductor device is mounted on a circuit board according to the present invention.

（５１）本発明に係る回路基板には、上記半導体装置が搭載されている。 (51) The semiconductor device is mounted on a circuit board according to the present invention.

（５２）本発明に係る回路基板には、上記半導体装置が搭載されている。 (52) The semiconductor device is mounted on a circuit board according to the present invention.

（５３）本発明に係る電子機器は、上記半導体装置を備える。 (53) An electronic device according to the present invention includes the semiconductor device.

（５４）本発明に係る電子機器は、上記半導体装置を備える。 (54) An electronic apparatus according to the present invention includes the semiconductor device.

（５５）本発明に係る電子機器は、上記半導体装置を備える。 (55) An electronic apparatus according to the present invention includes the semiconductor device.

（５６）本発明に係る電子機器は、上記半導体装置を備える。 (56) Electronic equipment according to the present invention comprises the semiconductor device.

（５７）本発明に係る配線基板の製造方法は、基板の開口部上を通って一方の面に形成された導電箔の一部を、他方の面の方向に向けて前記開口部内に曲げて屈曲部を形成する工程と、
前記屈曲部内に、応力吸収材料を充填する工程と、
を含む。 (57) In the method for manufacturing a wiring board according to the present invention, a portion of the conductive foil formed on one surface passing over the opening of the substrate is bent into the opening toward the other surface. Forming a bent portion;
Filling the bending portion with a stress absorbing material;
including.

本発明によれば、導電箔の一部が開口部に入り込む。屈曲部は、半導体装置などの外部端子として使用することができる。したがって、高額な設備なしで工程を行うことができ、パッケージへのダメージをなくすことができる。また、本発明では、応力吸収材料によって、屈曲部に加えられた応力が吸収される。 According to the present invention, a part of the conductive foil enters the opening. The bent portion can be used as an external terminal of a semiconductor device or the like. Therefore, the process can be performed without expensive equipment, and damage to the package can be eliminated. In the present invention, the stress applied to the bent portion is absorbed by the stress absorbing material.

（５８）この配線基板の製造方法において、
前記屈曲部を、前記基板の前記他方の面から突出させない高さで形成してもよい。 (58) In this method of manufacturing a wiring board,
The bent portion may be formed at a height that does not protrude from the other surface of the substrate.

（５９）この配線基板の製造方法において、
前記屈曲部を、前記基板の前記他方の面から突出させて、突起部を形成してもよい。 (59) In this method of manufacturing a wiring board,
The bent portion may protrude from the other surface of the substrate to form a protrusion.

本発明によれば、導電箔の一部が開口部に入り込み、屈曲部が、基板の反対側の面から突出する。屈曲部は、半導体装置などの外部端子として使用することができるので、ハンダボールをなくすことができる。したがって、高額な設備なしで工程を行うことができ、パッケージへのダメージをなくすことができる。 According to the present invention, a part of the conductive foil enters the opening, and the bent portion protrudes from the opposite surface of the substrate. Since the bent portion can be used as an external terminal of a semiconductor device or the like, solder balls can be eliminated. Therefore, the process can be performed without expensive equipment, and damage to the package can be eliminated.

（６０）この配線基板の製造方法において、
前記屈曲部を形成する工程で、前記屈曲部に対応する凹型上に、前記開口部を位置合わせして前記基板の前記他方の面を載せて、前記基板の前記一方の面から、前記屈曲部に対応する凸型を前記導電箔に対してプレスしてもよい。 (60) In this method of manufacturing a wiring board,
In the step of forming the bent portion, on the concave mold corresponding to the bent portion, the opening is aligned and the other surface of the substrate is placed, and the bent portion is formed from the one surface of the substrate. A convex mold corresponding to the above may be pressed against the conductive foil.

（６１）この配線基板の製造方法において、
前記基板の前記他方の面に、前記突起部の突出高さよりも厚い保護部材を設ける工程を含んでもよい。 (61) In this method of manufacturing a wiring board,
You may include the process of providing the protective member thicker than the protrusion height of the said projection part in the said other surface of the said board | substrate.

（６２）この配線基板の製造方法において、
前記基板と前記導電箔との間に接着剤が介在し、
前記屈曲部を形成する工程を、前記接着剤を前記開口部に引き込みながら行ってもよい。 (62) In this method of manufacturing a wiring board,
An adhesive is interposed between the substrate and the conductive foil,
The step of forming the bent portion may be performed while drawing the adhesive into the opening.

これによれば、基板と導電箔との間に接着剤が介在しているので、導電箔が移動できるようになっており、導電箔の一部を開口部に引き込む工程を行いやすい。 According to this, since the adhesive is interposed between the substrate and the conductive foil, the conductive foil can be moved, and it is easy to perform a process of drawing a part of the conductive foil into the opening.

（６３）この配線基板の製造方法において、
前記屈曲部を形成する工程で、前記屈曲部を、先端部において破断しながら形成してもよい。 (63) In this method of manufacturing a wiring board,
In the step of forming the bent portion, the bent portion may be formed while being broken at the tip portion.

このように、導電箔との電気的な導通が確保されていれば、屈曲部の一部が破断されていてもよい。 Thus, as long as electrical conduction with the conductive foil is ensured, a part of the bent portion may be broken.

（６４）この配線基板の製造方法において、
前記屈曲部を形成する工程で、前記屈曲部の先端部を、前記基板の表面を避けて終端させてもよい。 (64) In this method of manufacturing a wiring board,
In the step of forming the bent portion, the tip of the bent portion may be terminated avoiding the surface of the substrate.

このように、導電箔との電気的な導通が確保されていれば、屈曲部の先端部が基板に支持されていなくてもよい。 Thus, as long as electrical conduction with the conductive foil is ensured, the tip of the bent portion may not be supported by the substrate.

（６５）この配線基板の製造方法において、
前記屈曲部を形成する工程の後に、前記導電箔をパターニングして配線パターンを形成する工程を含んでもよい。 (65) In this method of manufacturing a wiring board,
After the step of forming the bent portion, a step of patterning the conductive foil to form a wiring pattern may be included.

これは、屈曲部を形成してから配線パターンを形成する方法である。 This is a method of forming a wiring pattern after forming a bent portion.

（６６）この配線基板の製造方法において、
前記基板に導電箔を貼り付ける工程と、前記導電箔をパターニングして配線パターンを形成する工程と、を含み、
前記屈曲部を形成する工程を、前記配線パターンとしての前記導電箔に対して行ってもよい。 (66) In this method of manufacturing a wiring board,
A step of attaching a conductive foil to the substrate, and a step of patterning the conductive foil to form a wiring pattern,
The step of forming the bent portion may be performed on the conductive foil as the wiring pattern.

これは、配線パターンを形成してから屈曲部を形成する方法である。 This is a method of forming a bent portion after forming a wiring pattern.

（６７）この配線基板の製造方法において、
前記配線パターンの形成後に、前記屈曲部の凸面にメッキを施す工程をさらに含んでもよい。 (67) In this method of manufacturing a wiring board,
The method may further include a step of plating the convex surface of the bent portion after forming the wiring pattern.

（６８）本発明に係る配線基板の製造方法は、基板の開口部上を通って一方の面に形成された導電箔の一部を、前記一方の面から前記開口部の上方に突出させて曲げて屈曲部を形成する工程を含む。 (68) In the method for manufacturing a wiring board according to the present invention, a part of the conductive foil formed on one surface passing over the opening of the substrate is protruded from the one surface above the opening. A step of forming a bent portion by bending.

本発明によれば、導電箔の一部が突出してなる屈曲部は、半導体装置などの外部端子として使用することができる。したがって、高額な設備なしで工程を行うことができ、パッケージへのダメージをなくすことができる。 According to the present invention, the bent portion formed by protruding a part of the conductive foil can be used as an external terminal of a semiconductor device or the like. Therefore, the process can be performed without expensive equipment, and damage to the package can be eliminated.

（６９）この配線基板の製造方法において、
前記基板と前記導電箔との間に接着剤が介在し、
前記屈曲部を形成する工程を、前記接着剤を前記開口部に引き込みながら行ってもよい。 (69) In this method of manufacturing a wiring board,
An adhesive is interposed between the substrate and the conductive foil,
The step of forming the bent portion may be performed while drawing the adhesive into the opening.

（７０）この配線基板の製造方法において、
前記屈曲部を形成する工程で、前記屈曲部を、先端部において破断しながら形成してもよい。 (70) In this method of manufacturing a wiring board,
In the step of forming the bent portion, the bent portion may be formed while being broken at the tip portion.

（７１）この配線基板の製造方法において、
前記屈曲部を形成する工程で、前記屈曲部の先端部を、前記基板の表面を避けて終端させてもよい。 (71) In this method of manufacturing a wiring board,
In the step of forming the bent portion, the tip of the bent portion may be terminated avoiding the surface of the substrate.

（７２）この配線基板の製造方法において、
前記屈曲部を形成する工程後に、前記導電箔の前記屈曲部の凹面にて形成される凹部に樹脂を充填する工程を含んでもよい。 (72) In this method of manufacturing a wiring board,
After the step of forming the bent portion, a step of filling a resin into a concave portion formed on the concave surface of the bent portion of the conductive foil may be included.

（７３）この配線基板の製造方法において、
前記屈曲部を形成する工程の後に、前記導電箔をパターニングして配線パターンを形成する工程を含んでもよい。 (73) In this method of manufacturing a wiring board,
After the step of forming the bent portion, a step of patterning the conductive foil to form a wiring pattern may be included.

（７４）この配線基板の製造方法において、
前記基板に導電箔を貼り付ける工程と、前記導電箔をパターニングして配線パターンを形成する工程と、を含み、
前記屈曲部を形成する工程を、前記配線パターンとしての前記導電箔に対して行ってもよい。 (74) In this method of manufacturing a wiring board,
A step of attaching a conductive foil to the substrate, and a step of patterning the conductive foil to form a wiring pattern,
The step of forming the bent portion may be performed on the conductive foil as the wiring pattern.

（７５）この配線基板の製造方法において、
前記配線パターンの形成後に、前記屈曲部の凸面にメッキを施す工程をさらに含んでもよい。 (75) In this method of manufacturing a wiring board,
The method may further include a step of plating the convex surface of the bent portion after forming the wiring pattern.

（７６）本発明に係る配線基板の製造方法は、基板の開口部上を通って一方の面に形成された導電箔の一部を、他方の面の方向に向けて前記開口部内に曲げて屈曲部を形成する工程と、
前記屈曲部の凹部側に、導電性物質を設ける工程と、
を含む。 (76) In the method for manufacturing a wiring board according to the present invention, a part of the conductive foil formed on one surface passing over the opening of the substrate is bent into the opening toward the other surface. Forming a bent portion;
Providing a conductive substance on the concave side of the bent portion;
including.

本発明によれば、導電箔の一部から形成される屈曲部は、半導体装置などの外部端子として使用することができる。したがって、高額な設備なしで工程を行うことができ、パッケージへのダメージをなくすことができる。また、本発明では、屈曲部の凹部側も、導電性物質を介して電気的な接続領域として使用することができる。 According to the present invention, the bent portion formed from a part of the conductive foil can be used as an external terminal of a semiconductor device or the like. Therefore, the process can be performed without expensive equipment, and damage to the package can be eliminated. In the present invention, the concave side of the bent portion can also be used as an electrical connection region via a conductive substance.

（７７）この配線基板の製造方法において、
前記導電性物質を、前記屈曲部の内部に充填してもよい。 (77) In this method of manufacturing a wiring board,
The conductive substance may be filled in the bent portion.

（７８）この配線基板の製造方法において、
前記屈曲部の内部に絶縁性樹脂を充填し、
前記導電性物質を、前記絶縁性樹脂上から前記配線パターンに至るように設けてもよい。 (78) In this method of manufacturing a wiring board,
Filling the inside of the bent portion with an insulating resin,
The conductive material may be provided so as to reach the wiring pattern from above the insulating resin.

（７９）この配線基板の製造方法において、
前記導電性物質を、前記屈曲部の内部を中空にして、前記凹部上から前記配線パターンに至るように設けてもよい。 (79) In this method of manufacturing a wiring board,
The conductive material may be provided so that the inside of the bent portion is hollow and reaches the wiring pattern from above the concave portion.

（８０）本発明に係る配線基板の製造方法は、基板の開口部上を通って一方の面に形成された導電箔の一部を、前記一方の面から前記開口部の上方に突出させて曲げて屈曲部を形成する工程と、
前記基板の前記開口部及び前記屈曲部の内部に、導電性物質を充填する工程と、
を含む。 (80) In the method for manufacturing a wiring board according to the present invention, a part of the conductive foil formed on one surface passing over the opening of the substrate is protruded from the one surface above the opening. Bending to form a bent portion;
Filling the opening and the bent portion of the substrate with a conductive substance;
including.

（８１）本発明に係る接続基板の製造方法は、基板に配線パターンが形成されてなる複数の配線基板が接続されてなる接続基板の製造方法であって、
前記複数の配線基板のうち少なくとも１つの配線基板の前記配線パターンに屈曲部を形成する工程と、
前記屈曲部が形成された配線基板とは異なる配線基板の前記配線パターンと前記屈曲部とを接続する工程と、
を少なくとも有する。 (81) A method for manufacturing a connection board according to the present invention is a method for manufacturing a connection board in which a plurality of wiring boards each having a wiring pattern formed on the board are connected,
Forming a bent portion in the wiring pattern of at least one wiring board among the plurality of wiring boards;
Connecting the wiring pattern of the wiring board different from the wiring board on which the bent portion is formed and the bent portion;
At least.

本発明によれば、屈曲部は、複数の配線基板の配線パターン同士を接続する。したがって、高額な設備なしで工程を行うことができ、パッケージへのダメージをなくすことができる。 According to the present invention, the bent portion connects the wiring patterns of the plurality of wiring boards. Therefore, the process can be performed without expensive equipment, and damage to the package can be eliminated.

（８２）この接続基板の製造方法において、
前記屈曲部が形成された前記配線基板の前記基板は、開口部が形成されてなり、
前記屈曲部を、前記開口部と平面的に重なる位置に形成してもよい。 (82) In this method of manufacturing a connection board,
The substrate of the wiring board in which the bent portion is formed is formed with an opening,
You may form the said bending part in the position which overlaps with the said opening part planarly.

（８３）この接続基板の製造方法において、
前記屈曲部が形成された前記配線パターンを前記基板の一方の面に形成し、
前記屈曲部を、前記一方の面から前記開口部の上方に突出させて形成してもよい。 (83) In this method of manufacturing a connection board,
Forming the wiring pattern in which the bent portion is formed on one surface of the substrate;
The bent portion may be formed to protrude from the one surface above the opening.

（８４）この接続基板の製造方法において、
前記屈曲部が形成された前記配線パターンを前記基板の一方の面に形成し、
前記屈曲部を、前記基板の他方の面に向けて前記開口部内に形成してもよい。 (84) In this method of manufacturing a connection board,
Forming the wiring pattern in which the bent portion is formed on one surface of the substrate;
You may form the said bending part in the said opening part toward the other surface of the said board | substrate.

（８５）この接続基板の製造方法において、
前記屈曲部が形成された前記配線基板とは異なる配線基板の前記配線パターンと前記屈曲部とを、それぞれの材料を拡散させて接続してもよい。 (85) In this method of manufacturing a connection board,
You may connect the said wiring pattern and the said bending part of a wiring board different from the said wiring board in which the said bending part was formed, diffusing each material.

（８６）この接続基板の製造方法において、
前記屈曲部が形成された前記基板とは異なる配線基板の前記配線パターンと前記屈曲部とを、導電性部材によって接続してもよい。 (86) In this method of manufacturing a connection board,
The wiring pattern of the wiring board different from the substrate on which the bent portion is formed and the bent portion may be connected by a conductive member.

（８７）本発明に係る接続基板の製造方法は、基板に配線パターンが形成されてなる複数の配線基板が接続されてなる接続基板の製造方法であって、
前記複数の配線基板のうち少なくとも１つの配線基板において、前記基板には開口部が形成され、
前記開口部が形成された前記基板の前記配線パターンに、前記開口部と平面的に重なるように屈曲部を形成する工程と、
前記屈曲部の凹部側に導電性物質を設ける工程と、
前記屈曲部が形成された配線基板とは異なる配線基板の前記配線パターンと前記屈曲部とを接続する工程と、
を含む。 (87) A method for manufacturing a connection substrate according to the present invention is a method for manufacturing a connection substrate in which a plurality of wiring substrates each having a wiring pattern formed on a substrate are connected,
In at least one wiring board among the plurality of wiring boards, an opening is formed in the board,
Forming a bent portion on the wiring pattern of the substrate on which the opening is formed so as to overlap the opening in a plane;
Providing a conductive material on the concave side of the bent portion;
Connecting the wiring pattern of the wiring board different from the wiring board on which the bent portion is formed and the bent portion;
including.

本発明によれば、屈曲部は、複数の配線基板の配線パターン同士を接続する。したがって、高額な設備なしで工程を行うことができ、パッケージへのダメージをなくすことができる。また、本発明では、屈曲部の凹部側も、導電性物質を介して電気的な接続領域として使用することができる。 According to the present invention, the bent portion connects the wiring patterns of the plurality of wiring boards. Therefore, the process can be performed without expensive equipment, and damage to the package can be eliminated. In the present invention, the concave side of the bent portion can also be used as an electrical connection region via a conductive substance.

（８８）この接続基板の製造方法において、
前記導電性物質を、前記屈曲部の内部に充填してもよい。 (88) In this method of manufacturing a connection board,
The conductive substance may be filled in the bent portion.

（８９）この接続基板の製造方法において、
前記屈曲部の内部に絶縁性樹脂を充填し、
前記導電性物質を、前記絶縁性樹脂上から前記配線パターンに至るように設けてもよい。 (89) In this method of manufacturing a connection board,
Filling the inside of the bent portion with an insulating resin,
The conductive material may be provided so as to reach the wiring pattern from above the insulating resin.

（９０）この接続基板の製造方法において、
前記導電性物質を、前記屈曲部の内部を中空にして、前記凹部上から前記配線パターンに至るように設けてもよい。 (90) In this method of manufacturing a connection board,
The conductive material may be provided so that the inside of the bent portion is hollow and reaches the wiring pattern from above the concave portion.

（９１）本発明に係る接続基板の製造方法は、基板に配線パターンが形成されてなる複数の配線基板が接続されてなる接続基板の製造方法であって、
前記複数の配線基板のうち少なくとも１つの配線基板において、前記基板には開口部が形成され、前記配線パターンは前記基板の一方の面に形成され、
前記開口部が形成された前記基板の前記配線パターンに、前記一方の面から前記開口部の上方に突出して曲げて、屈曲部を形成する工程と、
前記基板の前記開口部及び前記屈曲部の内部に、導電性物質を充填する工程と、
前記屈曲部が形成された配線基板とは異なる配線基板の前記配線パターンと前記屈曲部とを接続する工程と、
を含む。 (91) A method for manufacturing a connection substrate according to the present invention is a method for manufacturing a connection substrate in which a plurality of wiring substrates each having a wiring pattern formed on a substrate are connected,
In at least one of the plurality of wiring boards, an opening is formed in the board, and the wiring pattern is formed on one surface of the board,
A step of forming a bent portion on the wiring pattern of the substrate in which the opening is formed by projecting from the one surface above the opening and bending it; and
Filling the opening and the bent portion of the substrate with a conductive substance;
Connecting the wiring pattern of the wiring board different from the wiring board on which the bent portion is formed and the bent portion;
including.

（９２）本発明に係る半導体装置の製造方法は、上記方法により製造された配線基板の前記基板に少なくとも一つの半導体チップを搭載する工程を含む。 (92) A method of manufacturing a semiconductor device according to the present invention includes a step of mounting at least one semiconductor chip on the substrate of a wiring substrate manufactured by the above method.

本発明によれば、配線パターンの一部が開口部に入り込む。屈曲部は、半導体装置の外部端子として使用することができる。したがって、高額な設備なしで半導体装置の製造工程を行うことができ、パッケージへのダメージをなくすことができる。 According to the present invention, a part of the wiring pattern enters the opening. The bent portion can be used as an external terminal of the semiconductor device. Therefore, the manufacturing process of the semiconductor device can be performed without expensive equipment, and damage to the package can be eliminated.

（９３）この半導体装置の製造方法において、
前記半導体チップを搭載する工程で、前記半導体チップを、接着剤に導電粒子が分散されてなる異方性導電材料を介して前記基板にボンディングしてもよい。 (93) In this method of manufacturing a semiconductor device,
In the step of mounting the semiconductor chip, the semiconductor chip may be bonded to the substrate via an anisotropic conductive material in which conductive particles are dispersed in an adhesive.

（９４）この半導体装置の製造方法において、
複数の前記半導体チップが前記基板に搭載され、
前記基板は、フレキシブル基板であり、
前記基板の一部を曲げて前記複数の半導体チップを積み重ねてもよい。 (94) In this method of manufacturing a semiconductor device,
A plurality of the semiconductor chips are mounted on the substrate;
The substrate is a flexible substrate,
The plurality of semiconductor chips may be stacked by bending a part of the substrate.

これによって、マルチチップパッケージの半導体装置を得ることができる。 Thereby, a semiconductor device of a multichip package can be obtained.

（９５）この半導体装置の製造方法において、
前記基板は、フレキシブル基板であり、
前記基板の一部を曲げて前記半導体チップの上面を前記基板に貼り付けてもよい。 (95) In this method of manufacturing a semiconductor device,
The substrate is a flexible substrate,
A part of the substrate may be bent and the upper surface of the semiconductor chip may be attached to the substrate.

これによれば、外部端子となる屈曲部が、半導体チップの搭載領域外に形成される。したがって、半導体チップと基板との熱膨張係数の差によって生じる応力の影響を屈曲部が受けない半導体装置を得ることができる。また、基板が曲げられるので小型化された半導体装置が得られる。 According to this, the bent portion serving as the external terminal is formed outside the semiconductor chip mounting region. Therefore, it is possible to obtain a semiconductor device in which the bent portion is not affected by the stress caused by the difference in thermal expansion coefficient between the semiconductor chip and the substrate. Further, since the substrate is bent, a miniaturized semiconductor device can be obtained.

（９６）本発明に係る半導体装置の製造方法は、上記方法により製造された配線基板の前記基板に少なくとも一つの半導体チップを搭載する工程を含む。 (96) A manufacturing method of a semiconductor device according to the present invention includes a step of mounting at least one semiconductor chip on the substrate of a wiring substrate manufactured by the above method.

（９７）この半導体装置の製造方法において、
前記半導体チップを搭載する工程で、前記半導体チップを、接着剤に導電粒子が分散されてなる異方性導電材料を介して前記基板にボンディングしてもよい。 (97) In this method of manufacturing a semiconductor device,
In the step of mounting the semiconductor chip, the semiconductor chip may be bonded to the substrate via an anisotropic conductive material in which conductive particles are dispersed in an adhesive.

（９８）この半導体装置の製造方法において、
複数の前記半導体チップが前記基板に搭載され、
前記基板は、フレキシブル基板であり、
前記基板の一部を曲げて前記複数の半導体チップを積み重ねてもよい。 (98) In this method of manufacturing a semiconductor device,
A plurality of the semiconductor chips are mounted on the substrate;
The substrate is a flexible substrate,
The plurality of semiconductor chips may be stacked by bending a part of the substrate.

（９９）この半導体装置の製造方法において、
前記基板は、フレキシブル基板であり、
前記基板の一部を曲げて前記半導体チップの上面を前記基板に貼り付けてもよい。 (99) In this method of manufacturing a semiconductor device,
The substrate is a flexible substrate,
A part of the substrate may be bent and the upper surface of the semiconductor chip may be attached to the substrate.

（１００）本発明に係る半導体装置の製造方法は、上記方法により製造された配線基板の前記基板に少なくとも一つの半導体チップを搭載する工程を含む。 (100) A method of manufacturing a semiconductor device according to the present invention includes a step of mounting at least one semiconductor chip on the substrate of a wiring substrate manufactured by the above method.

本発明によれば、屈曲部は、半導体装置の外部端子として使用することができる。したがって、高額な設備なしで半導体装置の製造工程を行うことができ、パッケージへのダメージをなくすことができる。 According to the present invention, the bent portion can be used as an external terminal of the semiconductor device. Therefore, the manufacturing process of the semiconductor device can be performed without expensive equipment, and damage to the package can be eliminated.

（１０１）本発明に係る半導体装置の製造方法は、上記方法により製造された配線基板の前記基板に少なくとも一つの半導体チップを搭載する工程を含む。 (101) A manufacturing method of a semiconductor device according to the present invention includes a step of mounting at least one semiconductor chip on the substrate of a wiring substrate manufactured by the above method.

以下、本発明の実施の形態を、図面を参照して説明する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

（第１の実施の形態）
図１は、本発明を適用した第１の実施の形態に係る配線基板を示す図である。図１に示す配線基板は、基板１０と、配線パターン２０と、を含むもので、例えば半導体装置のインターポーザとして使用することができる。 (First embodiment)
FIG. 1 is a diagram showing a wiring board according to a first embodiment to which the present invention is applied. The wiring board shown in FIG. 1 includes a board 10 and a wiring pattern 20, and can be used as, for example, an interposer of a semiconductor device.

基板１０は、有機系又は無機系のいずれの材料から形成されたものであってもよく、これらの複合構造からなるものであってもよい。有機系の材料から形成された基板１０として、例えばポリイミド樹脂からなるフレキシブル基板が挙げられる。フレキシブル基板として、ＴＡＢ技術で使用されるテープを使用してもよい。また、無機系の材料から形成された基板１０として、例えばセラミック基板やガラス基板が挙げられる。有機系及び無機系の材料の複合構造として、例えばガラスエポキシ基板が挙げられる。 The substrate 10 may be formed of any organic or inorganic material, or may be a composite structure of these. Examples of the substrate 10 formed of an organic material include a flexible substrate made of a polyimide resin. A tape used in the TAB technology may be used as the flexible substrate. Examples of the substrate 10 made of an inorganic material include a ceramic substrate and a glass substrate. An example of a composite structure of organic and inorganic materials is a glass epoxy substrate.

基板１０には、配線パターン２０が形成されている。配線パターン２０は、銅などで形成することができる。配線パターン２０は、搭載される半導体チップなどの電子素子の電極に対応したパターンを有し、電極との接続のためにランド部が形成されてもよい。配線パターン２０が接着剤１２を介して基板１０に貼り付けられて、３層基板を構成してもよい。あるいは、配線パターン２０を、接着剤なしで基板１０に形成して２層基板を構成してもよい。２層基板では、スパッタリングなどで薄い膜を形成し、メッキを施して、配線パターン２０を形成する。したがって、２層基板であっても、配線パターン２０は、塑性加工が可能な程度の厚みを有する。あるいは、基板に絶縁樹脂と配線パターンを積層して構成されるビルドアップ型の基板や、複数の基板が積層された多層基板を使用や、両面基板などを、基板１０として用いることができる。 A wiring pattern 20 is formed on the substrate 10. The wiring pattern 20 can be formed of copper or the like. The wiring pattern 20 may have a pattern corresponding to an electrode of an electronic element such as a semiconductor chip to be mounted, and a land portion may be formed for connection with the electrode. The wiring pattern 20 may be attached to the substrate 10 via the adhesive 12 to constitute a three-layer substrate. Alternatively, the two-layer substrate may be configured by forming the wiring pattern 20 on the substrate 10 without an adhesive. In the two-layer substrate, a thin film is formed by sputtering or the like, and plated to form the wiring pattern 20. Therefore, even if it is a two-layer substrate, the wiring pattern 20 has a thickness that allows plastic working. Alternatively, a build-up type substrate configured by stacking an insulating resin and a wiring pattern on a substrate, a multilayer substrate in which a plurality of substrates are stacked, a double-sided substrate, or the like can be used as the substrate 10.

基板１０には、複数の開口部１４が形成されている。各開口部１４の形状は円形であって、一般的な外部端子の直径にほぼ等しくてもよい。あるいは、各開口部１４を矩形に形成してもよい。 A plurality of openings 14 are formed in the substrate 10. The shape of each opening 14 is circular and may be approximately equal to the diameter of a general external terminal. Or you may form each opening part 14 in a rectangle.

配線パターン２０の一部は、開口部１４に入り込んでいる。詳しくは、配線パターン２０は、基板１０の一方の面に形成されており、その一部が開口部１４に入り込んで屈曲部２２を形成している。配線パターン２０の一部は、図示するように、基板１０の他方の面から突出する屈曲部２２を有してもよい。あるいは、基板１０及び基板２８を一枚の基板として捉えた場合のように、基板１０の他方の面のつら位置を超えない位置まで入り込んで屈曲部２２を形成してもよい。屈曲部２２は、半導体装置などの電子部品の外部端子となるもので、外部端子としての高さ及び直径を有することが好ましい。屈曲部２２は、ドーム状の先端部と、筒状の側部と、で構成される形状であってもよい。例えば、開口部１４よりも大きいランド部を屈曲させて屈曲部２２（ディンプル）を形成してもよい。屈曲部２２は、変形しやすくて、応力を吸収できることが好ましい。配線パターン２０を引き延ばして屈曲部２２を形成すれば、薄くて変形しやすい導電箔で屈曲部２２を形成することができる。 A part of the wiring pattern 20 enters the opening 14. Specifically, the wiring pattern 20 is formed on one surface of the substrate 10, and a part of the wiring pattern 20 enters the opening 14 to form a bent portion 22. A part of the wiring pattern 20 may have a bent portion 22 protruding from the other surface of the substrate 10 as illustrated. Alternatively, as in the case where the substrate 10 and the substrate 28 are regarded as a single substrate, the bent portion 22 may be formed by entering a position not exceeding the position of the other surface of the substrate 10. The bent portion 22 serves as an external terminal of an electronic component such as a semiconductor device, and preferably has a height and a diameter as the external terminal. The bent portion 22 may have a shape constituted by a dome-shaped tip portion and a cylindrical side portion. For example, a bent portion 22 (dimple) may be formed by bending a land portion larger than the opening portion 14. It is preferable that the bending part 22 is easy to deform | transform and can absorb stress. If the bent portion 22 is formed by extending the wiring pattern 20, the bent portion 22 can be formed with a thin and easily deformable conductive foil.

屈曲部２２と、開口部１４の壁面との間には、接着剤１２が介在していても、介在していなくてもよい。 The adhesive 12 may or may not be interposed between the bent portion 22 and the wall surface of the opening 14.

変形例として、図２に示すように、屈曲部２２の先端部には、破断２４が形成されていてもよい。ただし、配線パターン２０における基板１０上の部分と屈曲部２２との電気的な導通が確保されるように、破断２４が形成されていることが要求される。この電気的な導通が確保されていれば、破断２４が屈曲部２２の先端部のみならず、側部に至るまで形成されていてもよい。あるいは、図３に示すように、屈曲部２２は、開口部１４の直径よりも幅の狭い配線が屈曲されて形成されてもよい。詳しくは、１つの開口部１４に１つの屈曲部２２が形成されている。これによれば、隣同士の屈曲部２２の接触、特に屈曲部２２の成形時の接触を防止することができる。 As a modification, as shown in FIG. 2, a fracture 24 may be formed at the tip of the bent portion 22. However, the breakage 24 is required to be formed so as to ensure electrical continuity between the portion of the wiring pattern 20 on the substrate 10 and the bent portion 22. If this electrical continuity is ensured, the fracture 24 may be formed not only at the tip of the bent portion 22 but also at the side. Alternatively, as shown in FIG. 3, the bent portion 22 may be formed by bending a wiring having a width smaller than the diameter of the opening 14. Specifically, one bent portion 22 is formed in one opening 14. According to this, the contact of the adjacent bending part 22, especially the contact at the time of shaping | molding of the bending part 22 can be prevented.

または、図４に示すように、開口部５１４がスリット（長穴）であり、１つの開口部５１４に複数の屈曲部５２２が形成されていてもよい。 Alternatively, as illustrated in FIG. 4, the opening 514 may be a slit (a long hole), and a plurality of bent portions 522 may be formed in one opening 514.

屈曲部２２の凸面の裏面にて形成される凹部には、樹脂２６を充填することが好ましい。樹脂２６として、例えばポリイミド樹脂を使用することができる。樹脂２６は、応力を吸収する程度に変形するが、一定の形状を維持できる性質であることが好ましい。例えば、ポリイミド樹脂等を使用してもよく、中でもヤング率が低いもの（例えばオレフィン系のポリイミド樹脂や、ポリイミド樹脂以外としてはダウケミカル社製のＢＣＢ等）を用いることが好ましい。特にヤング率が３００ｋｇ／ｍｍ^２以下程度であることが好ましい。あるいは、樹脂２６として、例えばシリコーン変性ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂やシリコーン変性エポキシ樹脂等を用いてもよい。樹脂２６が充填されることで、屈曲部２２の大きな変形を防止することができるとともに、屈曲部２２に加えられた応力を吸収することができる。屈曲部２２が、半導体装置の外部端子となったときには、屈曲部２２に加えられた熱ストレスを、樹脂２６が吸収することができる。この効果は、接着剤１２が、屈曲部２２と開口部１４の壁面との間に介在するときに一層高められる。 It is preferable to fill the resin formed in the concave portion formed on the rear surface of the convex surface of the bent portion 22. For example, a polyimide resin can be used as the resin 26. The resin 26 is deformed to absorb stress, but preferably has a property capable of maintaining a certain shape. For example, a polyimide resin or the like may be used, and among them, a material having a low Young's modulus (for example, an olefin-based polyimide resin or BCB manufactured by Dow Chemical Co., Ltd. other than polyimide resin) is preferably used. In particular, the Young's modulus is preferably about 300 kg / mm ² or less. Alternatively, as the resin 26, for example, a silicone-modified polyimide resin, an epoxy resin, a silicone-modified epoxy resin, or the like may be used. Filling the resin 26 can prevent large deformation of the bent portion 22 and can absorb stress applied to the bent portion 22. When the bent portion 22 becomes an external terminal of the semiconductor device, the resin 26 can absorb the thermal stress applied to the bent portion 22. This effect is further enhanced when the adhesive 12 is interposed between the bent portion 22 and the wall surface of the opening 14.

屈曲部２２の凸面には、メッキが施されていることが好ましい。また、屈曲部２２の裏面にもメッキが施されていてもよく、配線パターン２０における基板１０とは反対側を向く面の少なくとも一部又は全部にメッキが施されていてもよい。メッキとして、スズやハンダ等を適用してもよいが、酸化しにくい金を適用することが好ましい。金をメッキすることで鉛の使用をなくすこともできる。 The convex surface of the bent portion 22 is preferably plated. Also, the back surface of the bent portion 22 may be plated, and at least a part or all of the surface of the wiring pattern 20 facing the side opposite to the substrate 10 may be plated. Tin, solder, or the like may be applied as the plating, but it is preferable to apply gold that is difficult to oxidize. The use of lead can be eliminated by plating gold.

基板１０には、保護部材２８が貼り付けられていてもよい。保護部材２８は、屈曲部２２を保護するものであり、屈曲部２２における基板１０からの突出高さよりも厚いことが好ましい。保護部材２８は、屈曲部２２を避けて、剥離できる状態で基板１０に貼り付けられる。例えば、粘着剤を介して保護部材２８を基板１０に貼り付けることができる。保護部材２８における屈曲部２２に対応する領域に穴を形成して、屈曲部２２を避けることができる。保護部材２８は、ＰＥＴ樹脂やポリイミド樹脂などの樹脂で形成してもよいし、金属やセラミックなどで形成してもよい。こうすることで、屈曲部２２の形成後の工程中も、屈曲部２２の大きな変形を防止することができ、さらに、基板１０の平坦性も保たれることから、その後の半導体チップ実装時にも基板１０が平行、平坦なので特殊な治具加工もいらず実装しやすい。 A protective member 28 may be attached to the substrate 10. The protection member 28 protects the bent portion 22 and is preferably thicker than the protruding height of the bent portion 22 from the substrate 10. The protective member 28 is affixed to the substrate 10 in a state where it can be peeled away from the bent portion 22. For example, the protective member 28 can be attached to the substrate 10 via an adhesive. It is possible to avoid the bent portion 22 by forming a hole in a region corresponding to the bent portion 22 in the protection member 28. The protective member 28 may be formed of a resin such as PET resin or polyimide resin, or may be formed of metal or ceramic. In this way, even during the process after the formation of the bent portion 22, it is possible to prevent the bent portion 22 from being greatly deformed, and further, the flatness of the substrate 10 is maintained. Since the substrate 10 is parallel and flat, it is easy to mount without special jig processing.

本実施の形態に係る配線基板は、上記のように構成されており、以下その製造方法を説明する。図５及び図６は、本発明を適用した配線基板を製造する方法を示す図である。 The wiring board according to the present embodiment is configured as described above, and the manufacturing method thereof will be described below. 5 and 6 are diagrams showing a method of manufacturing a wiring board to which the present invention is applied.

図５に示すように、導電箔３０が設けられた基板１０を用意する。基板１０には、複数の開口部１４が形成されている。導電箔３０は、エッチングなどによって、配線パターン２０（図１参照）の形状にパターニングされていてもよいが、パターニングされる前の状態であってもよい。パターニングされる前の導電箔３０が使用される場合は、全ての開口部１４の上方を覆って導電箔３０が貼り付けられる。パターニング後の導電箔３０が使用される場合は、導電箔３０の一部をなす配線が開口部１４の上方を通るか、あるいは、導電箔３０の一部をなすランド部が開口部１４の上方を覆う。導電箔３０は、接着剤１２を介して基板１０に貼り付けられてもよいが、基板１０に直接的に配線パターンの形状で導電箔３０を形成してから、開口部１４を形成してもよい。 As shown in FIG. 5, a substrate 10 provided with a conductive foil 30 is prepared. A plurality of openings 14 are formed in the substrate 10. The conductive foil 30 may be patterned into the shape of the wiring pattern 20 (see FIG. 1) by etching or the like, but may be in a state before being patterned. When the conductive foil 30 before patterning is used, the conductive foil 30 is pasted so as to cover all the openings 14. When the patterned conductive foil 30 is used, the wiring that forms part of the conductive foil 30 passes above the opening 14, or the land that forms part of the conductive foil 30 is above the opening 14. Cover. The conductive foil 30 may be attached to the substrate 10 via the adhesive 12, but the conductive foil 30 may be directly formed on the substrate 10 in the shape of the wiring pattern and then the opening 14 may be formed. Good.

上記基板１０を、図５に示すように、凹型３２上に載せる。凹型３２には、上述した屈曲部２２の形状に対応した複数の凹部３４が形成されており、各凹部３４を屈曲部２２の形成領域に位置合わせする。すなわち、凹部３４上に開口部１４が位置する。なお、基板１０における導電箔３０が形成された面とは反対側の面が凹型３２上に載せられる。 The substrate 10 is placed on the concave mold 32 as shown in FIG. A plurality of concave portions 34 corresponding to the shape of the bent portion 22 described above is formed in the concave mold 32, and each concave portion 34 is aligned with the formation region of the bent portion 22. That is, the opening 14 is positioned on the recess 34. The surface of the substrate 10 opposite to the surface on which the conductive foil 30 is formed is placed on the concave mold 32.

また、基板１０における導電箔３０が形成された面に向けて、凸型３６を配置する。凸型３６は、屈曲部２２又は凹部３４に対応する複数の凸部３８が形成されている。凸型３６は、導電箔３０における各開口部１４の上方に位置する部分に、各凸部３８を向けて配置される。また、基板１０の、開口部１４の周辺部を、保持具３７で押さえる。 Further, the convex mold 36 is arranged toward the surface of the substrate 10 on which the conductive foil 30 is formed. The convex mold 36 has a plurality of convex portions 38 corresponding to the bent portion 22 or the concave portion 34. The convex mold 36 is arranged with the respective convex portions 38 facing the portions of the conductive foil 30 located above the respective opening portions 14. Further, the peripheral portion of the opening portion 14 of the substrate 10 is pressed by the holder 37.

そして、図６に示すように、凹型３２と凸型３６との間で、導電箔３０をプレス加工して屈曲部２２を形成する。詳しくは、凸型３６の凸部３８が、導電箔３０における各開口部１４の上方に位置する部分を、プレスして凹型３２の凹部３４内に屈曲させる。基本的には銅箔の張り出し加工となるが、ここで、さらに３層基板が使用されている場合は、接着剤１２を介して基板１０上で導電箔３０が移動できるので、導電箔３０を屈曲させやすい。また、開口部１４内に接着剤１２の一部を引き込みながら、導電箔３０を屈曲させてもよい。こうして、導電箔３０の一部は、基板１０の開口部１４に引き込まれて屈曲部２２となる。 Then, as shown in FIG. 6, the bent portion 22 is formed by pressing the conductive foil 30 between the concave mold 32 and the convex mold 36. Specifically, the convex portion 38 of the convex mold 36 presses a portion of the conductive foil 30 positioned above each opening 14 to be bent into the concave portion 34 of the concave mold 32. Basically, it is a copper foil overhanging process. Here, when a three-layer substrate is used, the conductive foil 30 can be moved on the substrate 10 via the adhesive 12. Easy to bend. Further, the conductive foil 30 may be bent while a part of the adhesive 12 is drawn into the opening 14. Thus, a part of the conductive foil 30 is drawn into the opening 14 of the substrate 10 to become the bent portion 22.

なお、導電箔３０の一部を開口部１４内に引き込むときに、導電箔３０の一部に破断２４（図２参照）が生じてもよい。ただし、破断２４が生じても、導電箔３０の電気的な導通が確保されていることが必要である。例えば、導電箔３０における屈曲部２２の先端部となる部分に破断２４が生じてもよい。 Note that when a part of the conductive foil 30 is drawn into the opening 14, a break 24 (see FIG. 2) may occur in a part of the conductive foil 30. However, even when the fracture 24 occurs, it is necessary that the electrical conduction of the conductive foil 30 is ensured. For example, the break 24 may occur in the portion of the conductive foil 30 that becomes the tip of the bent portion 22.

導電箔３０が既に配線パターンの形状にパターニングされている場合には、上記工程で、配線基板を得ることができる。また、導電箔３０が配線パターンの形状にパターニングされていない場合には、上記工程の後に、導電箔３０を配線パターンの形状にパターニングして配線基板を得ることができる。パターニングの方法として、エッチングを適用することができ、リソグラフィを適用することが好ましい。 When the conductive foil 30 has already been patterned into the shape of the wiring pattern, the wiring substrate can be obtained by the above process. Further, when the conductive foil 30 is not patterned into the shape of the wiring pattern, the conductive foil 30 can be patterned into the shape of the wiring pattern after the above process to obtain a wiring board. As a patterning method, etching can be applied, and lithography is preferably applied.

屈曲部２２が形成された後には、必要があれば、屈曲部２２の裏面の凹部に樹脂２６（図１参照）を充填してもよい。例えば、印刷にてポリイミドやエポキシ等のソルダーレジストなどの樹脂２６を凹部に充填してもよい。充填後、樹脂硬化させれば、その後の工程では、たとえ保護部材を付けなくても屈曲部２２の大きな変形を防止することができる。さらにポリイミドなどの軟らかい樹脂を用いれば、半導体チップとマザーボードとの熱応力を充分に吸収できる。屈曲部２２の形成の前後を問わず、基板１０における導電箔３０が形成された面とは反対側の面に、図１に示す保護部材２８を、剥離できる状態で貼り付けてもよい。屈曲部２２の形成後に、屈曲部２２の凸面にメッキを施してもよい。メッキを施す工程は、屈曲部２２が形成され、かつ、導電箔３０が配線パターンの形状にパターニングされた後に行えばよい。これにより、屈曲部２２のみならず、配線パターン全体に対してメッキを施すことができる。メッキとして金メッキを適用することが好ましい。 After the bent portion 22 is formed, a resin 26 (see FIG. 1) may be filled in the concave portion on the back surface of the bent portion 22 if necessary. For example, the recesses may be filled with a resin 26 such as a solder resist such as polyimide or epoxy by printing. If the resin is cured after filling, in the subsequent steps, it is possible to prevent a large deformation of the bent portion 22 even without attaching a protective member. Furthermore, if a soft resin such as polyimide is used, the thermal stress between the semiconductor chip and the mother board can be sufficiently absorbed. The protective member 28 shown in FIG. 1 may be attached in a peelable state to the surface of the substrate 10 opposite to the surface on which the conductive foil 30 is formed regardless of whether the bent portion 22 is formed. After the bent portion 22 is formed, the convex surface of the bent portion 22 may be plated. The plating process may be performed after the bent portion 22 is formed and the conductive foil 30 is patterned into a wiring pattern. Thereby, not only the bending part 22, but the whole wiring pattern can be plated. It is preferable to apply gold plating as the plating.

本実施の形態によれば、導電箔３０の一部をなす屈曲部２２が、半導体装置などの外部端子として使用することができるので、ハンダボールをなくすことができる。したがって、高額な設備なしで工程を行うことができ、パッケージへのダメージをなくすことができる。 According to the present embodiment, since the bent portion 22 that forms a part of the conductive foil 30 can be used as an external terminal of a semiconductor device or the like, solder balls can be eliminated. Therefore, the process can be performed without expensive equipment, and damage to the package can be eliminated.

（第２の実施の形態）
図７は、本発明を適用した第２の実施の形態に係る半導体装置を示す図である。本実施の形態では、図１に示す配線基板が使用されている。なお、図７では、基板１０と配線パターン２０との間の接着剤１２（図１参照）が省略されている。また、図１に示す保護部材２８は、図７では剥離された状態となっているが、接着されたままの状態であってもよい。本実施の形態では、第１の実施の形態で説明した構成を適用することができ、基板１０から突出する屈曲部２２が半導体装置の外部端子となる。 (Second Embodiment)
FIG. 7 is a diagram showing a semiconductor device according to the second embodiment to which the present invention is applied. In the present embodiment, the wiring board shown in FIG. 1 is used. In FIG. 7, the adhesive 12 (see FIG. 1) between the substrate 10 and the wiring pattern 20 is omitted. Moreover, although the protection member 28 shown in FIG. 1 is in a peeled state in FIG. 7, it may be in a state of being adhered. In the present embodiment, the configuration described in the first embodiment can be applied, and the bent portion 22 protruding from the substrate 10 serves as an external terminal of the semiconductor device.

図７に示す半導体装置は、配線パターン２０が形成された基板１０に、半導体チップ４０が搭載されている。基板１０における半導体チップ４０の搭載領域内に、外部端子としての屈曲部２２が位置している。すなわち、この半導体装置は、Fan-In型の半導体装置である。このため、基板１０における半導体チップ４０の搭載領域内に開口部１４が形成されている。 In the semiconductor device shown in FIG. 7, a semiconductor chip 40 is mounted on a substrate 10 on which a wiring pattern 20 is formed. A bent portion 22 as an external terminal is located in the mounting region of the semiconductor chip 40 on the substrate 10. That is, this semiconductor device is a Fan-In type semiconductor device. For this reason, the opening 14 is formed in the mounting region of the semiconductor chip 40 on the substrate 10.

半導体チップ４０の一つの面には、アルミニウムなどで形成された複数の電極４２が形成されている。電極４２は、半導体チップ４０が矩形をなす場合には、平行な２辺に沿って配列されてもよいし、４辺に沿って配列されてもよいし、半導体チップ４０の中央部又はその付近に配列されてもよい。電極４２を避けて、能動面には、パッシベーション膜を形成してもよい。電極４２には、バンプ４４を設けることが好ましい。バンプ４４は、Ａｕ、Ｎｉ−Ａｕ、Ｉｎ、Ａｕ−Ｓｎなどが多く用いられるが、ハンダボールでもよく、導電樹脂を用いた突起でもよい。あるいは、電極４２を凸状にすることでバンプを設けてもよい。バンプ１４の代わりに、あるいはバンプ１４とともに配線パターン２０にもバンプを形成してもよい。 A plurality of electrodes 42 made of aluminum or the like are formed on one surface of the semiconductor chip 40. When the semiconductor chip 40 is rectangular, the electrodes 42 may be arranged along two parallel sides, may be arranged along four sides, or the central portion of the semiconductor chip 40 or the vicinity thereof. May be arranged. A passivation film may be formed on the active surface while avoiding the electrode 42. The electrode 42 is preferably provided with a bump 44. The bump 44 is often made of Au, Ni—Au, In, Au—Sn, etc., but may be a solder ball or a protrusion using a conductive resin. Alternatively, bumps may be provided by making the electrode 42 convex. A bump may be formed on the wiring pattern 20 in place of the bump 14 or together with the bump 14.

半導体チップ４０は、基板１０における配線パターン２０が形成された面に搭載され、例えば、フェースアップ実装やフェースダウン実装を適用することができる。フェースダウン実装が適用される場合には、異方性導電材料４６を使用することができる。異方性導電材料４６は、接着剤に導電粒子が分散されてなるもので、異方性導電膜であってもよい。半導体チップ４０における電極１２が形成された面と、基板１０における配線パターン２０が形成された面と、の間に異方性導電材料４６が介在する。半導体チップ４０のバンプ１４と配線パターン２０との間が、異方性導電材料４６の導電粒子によって電気的に導通する。 The semiconductor chip 40 is mounted on the surface of the substrate 10 on which the wiring pattern 20 is formed. For example, face-up mounting or face-down mounting can be applied. An anisotropic conductive material 46 can be used when face-down mounting is applied. The anisotropic conductive material 46 is formed by dispersing conductive particles in an adhesive, and may be an anisotropic conductive film. An anisotropic conductive material 46 is interposed between the surface of the semiconductor chip 40 on which the electrode 12 is formed and the surface of the substrate 10 on which the wiring pattern 20 is formed. The bumps 14 of the semiconductor chip 40 and the wiring pattern 20 are electrically connected by the conductive particles of the anisotropic conductive material 46.

異方性導電材料４６の代わりに、光や熱などで硬化収縮性を有する絶縁樹脂を使用して、機械的にバンプ１４を配線パターン２０に圧接させてもよい。 Instead of the anisotropic conductive material 46, the bump 14 may be mechanically brought into pressure contact with the wiring pattern 20 by using an insulating resin having curing shrinkage by light or heat.

異方性導電材料４６を、配線パターン２０の全てを覆うように設ければ、異方性導電材料４６は配線パターン２０の保護膜となる。あるいは、異方性導電材料４６を、半導体チップ４０の搭載領域のみに設けてもよい。この場合には、フォトレジストやソルダレジストなどのレジストを、基板１０における配線パターン２０が形成された面であって、半導体チップ４０の搭載領域外に形成してもよい。すなわち、配線パターン２０における半導体チップ４０に覆われずに露出した部分をレジストで覆ってもよい。 If the anisotropic conductive material 46 is provided so as to cover the entire wiring pattern 20, the anisotropic conductive material 46 becomes a protective film for the wiring pattern 20. Alternatively, the anisotropic conductive material 46 may be provided only in the mounting region of the semiconductor chip 40. In this case, a resist such as a photoresist or a solder resist may be formed on the surface of the substrate 10 where the wiring pattern 20 is formed and outside the mounting region of the semiconductor chip 40. That is, the exposed portion of the wiring pattern 20 that is not covered by the semiconductor chip 40 may be covered with a resist.

本実施の形態では、屈曲部２２の突出面の裏面には樹脂２６が充填されており、屈曲部２２の大きな変形が防止される。異方性導電材料４６が応力吸収材料であれば、樹脂２６は、半導体チップ実装時に屈曲部２２に充填される異方性導電材料４６であってもよい。この場合には、前述したように基板１０への半導体チップ４０のボンディングを行うときの屈曲部２２の大きな変形を防止し、特殊な治具を用いずに、配線基板の平坦性を確保しやすくするために、ボンディング工程前に基板１０に保護部材２８を貼り付けておくことが好ましい。 In the present embodiment, the back surface of the projecting surface of the bent portion 22 is filled with the resin 26, so that large deformation of the bent portion 22 is prevented. If the anisotropic conductive material 46 is a stress absorbing material, the resin 26 may be an anisotropic conductive material 46 that fills the bent portion 22 when the semiconductor chip is mounted. In this case, as described above, it is possible to prevent a large deformation of the bent portion 22 when bonding the semiconductor chip 40 to the substrate 10 and to ensure the flatness of the wiring substrate without using a special jig. Therefore, it is preferable to attach the protective member 28 to the substrate 10 before the bonding step.

本実施の形態は、上記のように構成されており、以下その製造方法を説明する。まず、第１の実施の形態で説明した配線基板を用意し、その後、基板１０に半導体チップ４０を搭載する。なお、基板１０に半導体チップ４０を搭載する直前に、上述した突起２２を形成して配線基板を完成してもよい。 The present embodiment is configured as described above, and the manufacturing method thereof will be described below. First, the wiring substrate described in the first embodiment is prepared, and then the semiconductor chip 40 is mounted on the substrate 10. Note that the wiring substrate may be completed by forming the above-described protrusions 22 immediately before mounting the semiconductor chip 40 on the substrate 10.

半導体チップ４０の搭載には異方性導電材料４６を使用することができる。例えば、基板１０における配線パターン２０が形成された面と、半導体チップ４０における電極１２又はバンプ１４が形成された面と、の少なくとも一方に異方性導電材料４６を設ける。異方性導電材料４６が異方性導電膜である場合には、これを貼り付ける。続いて、半導体チップ４０及び基板１０の少なくとも一方を押圧して、両者を接着するとともに、配線パターン２０と電極１２とを電気的に導通させる。 An anisotropic conductive material 46 can be used for mounting the semiconductor chip 40. For example, the anisotropic conductive material 46 is provided on at least one of the surface of the substrate 10 on which the wiring pattern 20 is formed and the surface of the semiconductor chip 40 on which the electrodes 12 or the bumps 14 are formed. When the anisotropic conductive material 46 is an anisotropic conductive film, it is affixed. Subsequently, at least one of the semiconductor chip 40 and the substrate 10 is pressed to bond both, and the wiring pattern 20 and the electrode 12 are electrically connected.

配線基板に既に屈曲部２２が外部端子として設けられているので、上記工程で、図７に示す半導体装置を得ることができる。 Since the bent portion 22 is already provided as an external terminal on the wiring board, the semiconductor device shown in FIG. 7 can be obtained by the above process.

フェースアップで半導体チップが実装される場合は、半導体チップの電極と配線パターンは、ワイヤーボンディングで接続され、その後半導体チップの実装部は樹脂で覆われることが多い。フェースダウンで実装される場合は、前述してきた異方性導電膜による接合の他に、導電樹脂ペーストによるもの、Ａｕ−Ａｕ、Ａｕ−Ｓｎ、ハンダなどによる金属接合によるもの、絶縁樹脂の収縮力によるものなどの方法があり、そのいずれの方法を用いても良い。これは以下の実施の形態でも同様である。 When a semiconductor chip is mounted face up, the semiconductor chip electrodes and the wiring pattern are often connected by wire bonding, and then the semiconductor chip mounting portion is often covered with resin. In the case of mounting face down, in addition to the above-mentioned bonding with the anisotropic conductive film, the conductive resin paste, the metal bonding with Au-Au, Au-Sn, solder, etc., the shrinkage force of the insulating resin There are methods such as those described above, and any of these methods may be used. The same applies to the following embodiments.

（第３の実施の形態）
図８は、本発明を適用した第３の実施の形態に係る半導体装置を示す図である。本実施の形態では、第２の実施の形態で説明した半導体チップ４０が使用され、屈曲部５４が半導体チップ４０の搭載領域外に形成されている。すなわち、本実施の形態に係る半導体装置は、Fan-Out型の半導体装置である。そのため、基板５０における半導体チップ４０の搭載領域外に開口部５６が形成されている。これ以外の構成及び製造方法は、第２の実施の形態で説明した内容を適用することができる。 (Third embodiment)
FIG. 8 is a diagram showing a semiconductor device according to a third embodiment to which the present invention is applied. In the present embodiment, the semiconductor chip 40 described in the second embodiment is used, and the bent portion 54 is formed outside the mounting region of the semiconductor chip 40. That is, the semiconductor device according to the present embodiment is a Fan-Out type semiconductor device. Therefore, an opening 56 is formed outside the mounting area of the semiconductor chip 40 on the substrate 50. The contents described in the second embodiment can be applied to other configurations and manufacturing methods.

（第４の実施の形態）
図９は、本発明を適用した第４の実施の形態に係る半導体装置を示す図である。本実施の形態では、第２の実施の形態で説明した半導体チップ４０が使用され、屈曲部６４が半導体チップ４０の搭載領域内及び搭載領域外に形成されている。すなわち、本実施の形態に係る半導体装置は、Fan-In/Out型の半導体装置である。そのため、基板６０における半導体チップ４０の搭載領域内及び搭載領域外に開口部６６が形成されている。半導体チップ４０の搭載領域外の平坦性を確保し、マザーボードへの二次実装性を向上させるために、その領域に、平坦化部材（スティフナープレート）を貼り付けた構造にしてもよい（図示せず）。これ以外の構成及び製造方法は、第２の実施の形態で説明した内容を適用することができる。 (Fourth embodiment)
FIG. 9 is a diagram showing a semiconductor device according to the fourth embodiment to which the present invention is applied. In the present embodiment, the semiconductor chip 40 described in the second embodiment is used, and the bent portion 64 is formed inside and outside the mounting area of the semiconductor chip 40. That is, the semiconductor device according to the present embodiment is a Fan-In / Out type semiconductor device. Therefore, openings 66 are formed in the mounting region of the semiconductor chip 40 on the substrate 60 and outside the mounting region. In order to ensure the flatness outside the mounting area of the semiconductor chip 40 and improve the secondary mounting property to the mother board, a structure in which a flattening member (stiffener plate) is attached to the area may be used (not shown). ) The contents described in the second embodiment can be applied to other configurations and manufacturing methods.

（第５の実施の形態）
図１０は、本発明を適用した第５の実施の形態に係る半導体装置を示す図である。本実施の形態では、複数の半導体チップ４０が使用されており、それぞれの半導体チップ４０として第２の実施の形態で説明したものを使用することができ、同一の大きさの半導体チップ４０を使用しても、異なる大きさの複数の半導体チップ４０を使用してもよい。この半導体装置には、マルチチップパッケージが適用されている。本実施の形態では、屈曲部７４は、それぞれの半導体チップ４０の搭載領域内に設けられても、搭載領域外に設けられても、両方に設けられてもよい。すなわち、基板７０における半導体チップ４０の搭載領域内及び搭載領域外の少なくとも一方に開口部７６が形成されている。また、屈曲部７４は、複数の半導体チップ４０間の領域に設けられていてもよいが、この領域を避けて設けられてもよい。すなわち、基板７０における複数の半導体チップ４０間の領域に開口部７６が形成されていても、この領域を避けて開口部７６が形成されていてもよい。これ以外の構成及び製造方法は、第２の実施の形態で説明した内容を適用することができる。 (Fifth embodiment)
FIG. 10 is a diagram showing a semiconductor device according to a fifth embodiment to which the present invention is applied. In the present embodiment, a plurality of semiconductor chips 40 are used, and the semiconductor chips 40 described in the second embodiment can be used as the respective semiconductor chips 40, and the semiconductor chips 40 having the same size are used. Alternatively, a plurality of semiconductor chips 40 having different sizes may be used. A multichip package is applied to this semiconductor device. In the present embodiment, the bent portion 74 may be provided in the mounting area of each semiconductor chip 40, provided outside the mounting area, or provided in both. That is, the opening 76 is formed in at least one of the substrate 70 in the mounting region of the semiconductor chip 40 and the outside of the mounting region. Moreover, although the bending part 74 may be provided in the area | region between the some semiconductor chips 40, it may be provided avoiding this area | region. That is, even if the opening 76 is formed in a region between the plurality of semiconductor chips 40 in the substrate 70, the opening 76 may be formed avoiding this region. The contents described in the second embodiment can be applied to other configurations and manufacturing methods.

（第６の実施の形態）
図１１は、本発明を適用した第６の実施の形態に係る半導体装置を示す図である。本実施の形態では、複数の半導体チップ４０が使用されており、それぞれの半導体チップ４０として第２の実施の形態で説明したものを使用することができ、同一の大きさの半導体チップ４０を使用しても、異なる大きさの複数の半導体チップ４０を使用してもよい。この半導体装置には、マルチチップパッケージが適用されている。本実施の形態では、基板８０の一部が曲げられて、複数の半導体チップ４０が積み重ねられている。図１１では、２チップの例が記載されているが、さらに同様に基板を折り曲げて多数の半導体チップを積層してもよい。 (Sixth embodiment)
FIG. 11 is a diagram showing a semiconductor device according to a sixth embodiment to which the present invention is applied. In the present embodiment, a plurality of semiconductor chips 40 are used, and the semiconductor chips 40 described in the second embodiment can be used as the respective semiconductor chips 40, and the semiconductor chips 40 having the same size are used. Alternatively, a plurality of semiconductor chips 40 having different sizes may be used. A multichip package is applied to this semiconductor device. In the present embodiment, a part of the substrate 80 is bent and a plurality of semiconductor chips 40 are stacked. In FIG. 11, an example of two chips is described, but a plurality of semiconductor chips may be stacked by bending the substrate in the same manner.

基板８０は、曲げることができる材質から形成されており、特にフレキシブル基板、あるいは配線密度を一層高めることが必要な場合にはビルドアップ形のフレキシブル基板が好ましい。また、基板８０は、一方向に長い長方形をなしている。この基板８０の長手方向の両端部に、複数の半導体チップ４０が搭載されている。 The substrate 80 is formed of a material that can be bent. In particular, a flexible substrate or a build-up type flexible substrate is preferable when it is necessary to further increase the wiring density. The substrate 80 has a rectangular shape that is long in one direction. A plurality of semiconductor chips 40 are mounted on both ends of the substrate 80 in the longitudinal direction.

本実施の形態では、基板８０における半導体チップが搭載された面を谷として、この基板８０における複数の半導体チップ４０の間の領域が曲げられている。なお、図には、折り目を付けずに基板８０が屈曲した状態が示されているが、基板８０は折り曲げてもよい。基板８０には、屈曲する領域に、少なくとも一つ又は複数の穴が形成されてもよい。これによって、基板８０の弾力が小さくなって曲げやすくなるとともに、屈曲した状態を維持しやすくなる。なお、穴を避けて、配線パターン８２を形成することが好ましいが、穴上に配線パターン８２を形成してもよい。 In the present embodiment, the region between the plurality of semiconductor chips 40 on the substrate 80 is bent with the surface of the substrate 80 on which the semiconductor chip is mounted as a valley. Although the figure shows a state where the substrate 80 is bent without a crease, the substrate 80 may be bent. The substrate 80 may be formed with at least one or a plurality of holes in the bent region. As a result, the elasticity of the substrate 80 becomes small and becomes easy to bend, and it is easy to maintain the bent state. It is preferable to form the wiring pattern 82 while avoiding the hole, but the wiring pattern 82 may be formed on the hole.

基板８０が曲げられて、複数の半導体チップ４０における電極４２とは反対側の面同士が、接着剤８８を介して接着されている。接着剤８８の接着力によって、基板８０の曲げられた状態が維持されている。また、複数の半導体チップ４０のそれぞれの面は平坦になっているので接着がしやすい。接着剤８８が導電性の接着剤であれば、接着される複数の半導体チップ４０の接着面の電位を同じにすることができる。接着剤８８が、熱伝導性の接着剤であれば、複数の半導体チップ４０間で熱の伝達が可能になる。例えば、複数の半導体チップ４０のうち一方の発熱量が大きく他方の発熱量が小さい場合には、一方から他方へと熱を伝えることで冷却が可能になる。接着剤８８は、粘着剤でもよい。シート状もしくは液状の接着剤８８を、基板８０が未だ平坦な状態のときに、複数の半導体チップ４０のそれぞれの裏面に貼り付け、その後両方の半導体チップ４０の裏面同士を貼り付けてもよい。もしくは、半導体チップ４０の裏面同士を位置合わせした状態で液状の接着剤８８を充填してもよい。 The substrate 80 is bent and the surfaces of the plurality of semiconductor chips 40 opposite to the electrodes 42 are bonded to each other via an adhesive 88. The bent state of the substrate 80 is maintained by the adhesive force of the adhesive 88. Moreover, since each surface of the plurality of semiconductor chips 40 is flat, it is easy to bond them. If the adhesive 88 is a conductive adhesive, the potentials of the bonding surfaces of the plurality of semiconductor chips 40 to be bonded can be made the same. If the adhesive 88 is a heat conductive adhesive, heat can be transferred between the plurality of semiconductor chips 40. For example, when one of the plurality of semiconductor chips 40 has a large calorific value and the other has a small calorific value, cooling can be achieved by transferring heat from one to the other. The adhesive 88 may be an adhesive. The sheet-like or liquid adhesive 88 may be attached to the back surfaces of the plurality of semiconductor chips 40 when the substrate 80 is still flat, and then the back surfaces of both semiconductor chips 40 may be attached. Alternatively, the liquid adhesive 88 may be filled in a state where the back surfaces of the semiconductor chips 40 are aligned with each other.

本実施の形態では、２つの半導体チップ４０が使用されているが、２つを超える複数の半導体チップ４０を使用してもよい。その場合、１つの半導体チップ４０における電極４２が形成された面とは反対側の面に、残りの複数の半導体チップ４０のうちの少なくとも一つの半導体チップ４０における電極４２が形成された面とは反対側の面を貼り付けてもよい。このように形成することで、複数特に多数の半導体チップ４０を狭い面積上に積層することができる。 In the present embodiment, two semiconductor chips 40 are used. However, more than two semiconductor chips 40 may be used. In that case, on the surface opposite to the surface on which the electrode 42 is formed in one semiconductor chip 40, the surface on which the electrode 42 in at least one semiconductor chip 40 among the remaining plurality of semiconductor chips 40 is formed. The opposite surface may be attached. By forming in this way, a plurality of semiconductor chips 40 can be stacked on a small area.

本実施の形態では、一部において屈曲した基板８０における平坦な部分に屈曲部８４が設けられている。すなわち、基板８０の屈曲部分を避けた部分に、開口部８６が形成されている。屈曲部８４は、半導体チップ４０の搭載領域内に設けられても、搭載領域外に設けられても、両方に設けられてもよい。すなわち、基板８０における半導体チップ４０の搭載領域内及び搭載領域外の少なくとも一方に開口部８６が形成されている。また、屈曲部８４は、複数の半導体チップ４０間の領域に設けられていてもよいが、この領域を避けて設けられてもよい。すなわち、基板８０における複数の半導体チップ４０間の領域に開口部８６が形成されていても、この領域を避けて開口部８６が形成されていてもよい。 In the present embodiment, a bent portion 84 is provided in a flat portion of the substrate 80 bent in part. That is, the opening 86 is formed in a portion of the substrate 80 that avoids the bent portion. The bent portion 84 may be provided in the mounting area of the semiconductor chip 40, provided outside the mounting area, or may be provided in both. That is, the opening 86 is formed in at least one of the substrate 80 in the mounting area of the semiconductor chip 40 and outside the mounting area. Moreover, although the bending part 84 may be provided in the area | region between the some semiconductor chips 40, it may be provided avoiding this area | region. That is, even if the opening 86 is formed in a region between the plurality of semiconductor chips 40 in the substrate 80, the opening 86 may be formed avoiding this region.

違う大きさの複数の半導体チップ４０が用いられた場合は、大きい方の半導体チップ４０が、基板８０における外部端子（屈曲部８４）の形成側に配置された方が、幾何学的に安定する。 When a plurality of semiconductor chips 40 having different sizes are used, it is geometrically more stable that the larger semiconductor chip 40 is arranged on the side of the substrate 80 where the external terminal (bent portion 84) is formed. .

以上の構成以外の構成及び製造方法は、第２の実施の形態で説明した内容を適用することができる。本実施の形態に係る半導体装置は、複数の半導体チップ４０が積層されているので、上述した第５の実施の形態よりも一層小型化されている。 The contents described in the second embodiment can be applied to structures and manufacturing methods other than those described above. The semiconductor device according to the present embodiment is further downsized than the fifth embodiment described above because the plurality of semiconductor chips 40 are stacked.

なお、複数の半導体チップを基板に搭載することは、他の実施の形態でも適用することができる。 Note that mounting a plurality of semiconductor chips on a substrate can also be applied to other embodiments.

（第７の実施の形態）
図１２は、本発明を適用した第７の実施の形態に係る配線基板を示す図である。本実施の形態に係る配線基板は、基板１００及び配線パターン１０２を含む。基板１００には複数の開口部１０４が形成されている。配線パターン１０２は、基板１００の一方の面に形成され、その一部が開口部１０４内に入り込んでいる。配線パターン１０２の一部は、開口部１０４の内側で曲がって屈曲部１０６となっている。屈曲部１０６の先端部１０８は、基板１００の表面を避けて終端している。例えば、屈曲部１０６は、開口部１０４から突出して突起部を構成していてもよいし、あるいは、基板１００の他方の面から突出しなくてもよい。また、屈曲部１０６の先端部１０８は、開口部１０４の内壁に接触して支持されていてもよい。 (Seventh embodiment)
FIG. 12 is a diagram showing a wiring board according to a seventh embodiment to which the present invention is applied. The wiring substrate according to the present embodiment includes a substrate 100 and a wiring pattern 102. A plurality of openings 104 are formed in the substrate 100. The wiring pattern 102 is formed on one surface of the substrate 100, and a part of the wiring pattern 102 enters the opening 104. A part of the wiring pattern 102 is bent inside the opening 104 to form a bent portion 106. The distal end portion 108 of the bent portion 106 terminates avoiding the surface of the substrate 100. For example, the bent portion 106 may protrude from the opening 104 to form a protrusion, or may not protrude from the other surface of the substrate 100. Further, the distal end portion 108 of the bent portion 106 may be supported in contact with the inner wall of the opening portion 104.

本実施の形態に係る配線基板には、特別な事情がない限り、上述した実施の形態で説明した内容を適用することができる。 The contents described in the above-described embodiment can be applied to the wiring board according to the present embodiment unless there are special circumstances.

また、本実施の形態に係る配線基板に少なくとも１つの半導体チップを搭載して半導体装置を製造することができる。本実施の形態に係る配線基板を使用した半導体装置は、基板１００における半導体チップの搭載領域内に外部端子となる屈曲部１０６が形成されたFan-In型であってもよいし、半導体チップの搭載領域外に外部端子となる屈曲部１０６が形成されたFan-Out型であってもよいし、半導体チップの搭載領域内及び搭載領域外に外部端子となる屈曲部１０６が形成されたFan-In/Out型であってもよい。また、本実施の形態に係る配線基板には、複数の半導体チップが搭載されてもよい。 In addition, a semiconductor device can be manufactured by mounting at least one semiconductor chip on the wiring board according to the present embodiment. The semiconductor device using the wiring board according to the present embodiment may be a Fan-In type in which a bent portion 106 serving as an external terminal is formed in the mounting region of the semiconductor chip on the substrate 100. A Fan-Out type in which a bent portion 106 serving as an external terminal is formed outside the mounting region may be used, or a Fan-Out type in which a bent portion 106 serving as an external terminal is formed inside and outside the mounting region of the semiconductor chip. In / Out type may be used. A plurality of semiconductor chips may be mounted on the wiring board according to the present embodiment.

（第８の実施の形態）
図１３は、本発明を適用した第８の実施の形態に係る半導体装置を示す図である。本実施の形態に係る半導体装置は、複数の半導体チップ４０が積み重ねられていない点で、図１１に示す半導体装置（第６の実施の形態）と異なる。それ以外の点に関して第６の実施の形態で説明した内容は、特別な事情がない限り、本実施の形態に適用することができる。 (Eighth embodiment)
FIG. 13 is a diagram showing a semiconductor device according to an eighth embodiment to which the present invention is applied. The semiconductor device according to the present embodiment is different from the semiconductor device shown in FIG. 11 (sixth embodiment) in that a plurality of semiconductor chips 40 are not stacked. The contents described in the sixth embodiment regarding other points can be applied to the present embodiment unless there are special circumstances.

すなわち、図１３において、基板８０には、屈曲部８４が形成された領域を除いた領域に、半導体チップ４０が搭載されている。したがって、半導体チップ４０と基板８０との熱膨張係数差によって生じる応力の影響を、屈曲部８４が受けない。また、基板８０が曲げられて、半導体チップ４０における基板８０への搭載面とは反対側の面（上面）が、基板８０に接着剤１１０を介して接着されている。例えば、半導体チップ４０の上面は、基板８０における屈曲部８４が形成された領域に接着されている。こうすることで、小型化された半導体装置を得ることができる。 That is, in FIG. 13, the semiconductor chip 40 is mounted on the substrate 80 in a region excluding the region where the bent portion 84 is formed. Therefore, the bent portion 84 is not affected by the stress caused by the difference in thermal expansion coefficient between the semiconductor chip 40 and the substrate 80. Further, the substrate 80 is bent, and the surface (upper surface) opposite to the mounting surface of the semiconductor chip 40 on the substrate 80 is bonded to the substrate 80 via the adhesive 110. For example, the upper surface of the semiconductor chip 40 is bonded to a region of the substrate 80 where the bent portion 84 is formed. Thus, a miniaturized semiconductor device can be obtained.

なお、本実施の形態のように基板の一部を曲げることは、他の実施の形態でも適用することができる。 Note that bending a part of the substrate as in this embodiment can also be applied to other embodiments.

（第９の実施の形態）
図１４は、本発明を適用した第９の実施の形態に係る半導体装置を示す図である。本実施の形態で使用される配線基板は、基板１２０と、基板１２０の一方の面に形成された（第１の）配線パターン１２２と、を含む。基板１２０には複数の開口部１２４が形成されている。配線パターン１２２の一部は、開口部１２４上で、基板１２０から離れる方向に突出する屈曲部１２６となっている。 (Ninth embodiment)
FIG. 14 is a diagram showing a semiconductor device according to a ninth embodiment to which the present invention is applied. The wiring board used in the present embodiment includes a board 120 and a (first) wiring pattern 122 formed on one surface of the board 120. A plurality of openings 124 are formed in the substrate 120. A part of the wiring pattern 122 is a bent portion 126 that protrudes in a direction away from the substrate 120 on the opening 124.

基板１２０の他方の面には、別の（第２の）配線パターン１２８が形成されていてもよい。第１の配線パターン１２２と、第２の配線パターン１２８とは、基板１２０に形成されたスルーホール１３０等によって電気的に接続されている。 Another (second) wiring pattern 128 may be formed on the other surface of the substrate 120. The first wiring pattern 122 and the second wiring pattern 128 are electrically connected by a through hole 130 formed in the substrate 120.

基板１２０の他方の面に半導体チップ４０が搭載される。例えば、フェースダウンボンディングによって、半導体チップ４０と第２の配線パターン１２８とが電気的に接続される。また、基板１２０の一方の面に形成された配線パターン１２２には、屈曲部１２６を避けて、ソルダレジストなどの保護膜１３２が設けられることが好ましい。 The semiconductor chip 40 is mounted on the other surface of the substrate 120. For example, the semiconductor chip 40 and the second wiring pattern 128 are electrically connected by face-down bonding. The wiring pattern 122 formed on one surface of the substrate 120 is preferably provided with a protective film 132 such as a solder resist avoiding the bent portion 126.

本実施の形態によれば、基板１２０の一方の面に形成された配線パターン１２２の一部で構成される屈曲部１２６は外部端子となる。屈曲部１２６は、第１の配線パターン１２２、スルーホール１３０及び第２の配線パターン１２８を介して、半導体チップ４０と電気的に接続される。 According to the present embodiment, the bent portion 126 constituted by a part of the wiring pattern 122 formed on one surface of the substrate 120 serves as an external terminal. The bent portion 126 is electrically connected to the semiconductor chip 40 through the first wiring pattern 122, the through hole 130, and the second wiring pattern 128.

本実施の形態で使用される配線基板の製造方法は、基板１２０の開口部１２４に凸型を挿入して、配線パターン１２２を形成するための金属箔の一部を曲げて屈曲部１２６を形成する工程を含む。詳しくは、導電箔（配線パターン１２２）が形成された面とは反対側の面から、開口部１２４内に凸型を挿入して、導電箔（配線パターン１２２）の一部を基板１２０から離れる方向に突出させて屈曲部１２６を形成する。 In the manufacturing method of the wiring board used in this embodiment, a convex shape is inserted into the opening 124 of the substrate 120, and a bent portion 126 is formed by bending a part of the metal foil for forming the wiring pattern 122. The process of carrying out is included. Specifically, a convex shape is inserted into the opening 124 from the surface opposite to the surface on which the conductive foil (wiring pattern 122) is formed, and a part of the conductive foil (wiring pattern 122) is separated from the substrate 120. A bent portion 126 is formed by projecting in the direction.

そして、本実施の形態に係る半導体装置の製造方法は、上述した配線基板に半導体チップ４０を搭載する工程を含む。 And the manufacturing method of the semiconductor device which concerns on this Embodiment includes the process of mounting the semiconductor chip 40 on the wiring board mentioned above.

上記以外の点に関して、特別な事情がない限り、本実施の形態に、他の実施の形態で説明した内容を適用することができる。 Regarding the points other than the above, the contents described in the other embodiments can be applied to this embodiment unless there are special circumstances.

（第１０の実施の形態）
図１５は、本発明を適用した第１０の実施の形態に係る半導体装置を示す図である。本実施の形態に係る半導体装置は、基板１２０における屈曲部１２６が形成された面に半導体チップ１３４が搭載されている。詳しくは、基板１２０の一方の面に配線パターン１２２が形成されており、配線パターン１２２が形成された面に半導体チップ１３４が搭載され、半導体チップ１３４と配線パターン１２２とが電気的に接続されている。したがって、基板１２０において、半導体チップ１３４の搭載面と、外部端子となる屈曲部１２６が突出する面が同じである。この場合、外部端子としての機能を確保するには、屈曲部１２６の突出高さが、半導体チップ１３４を超えていることが好ましい。そのためには、屈曲部１２６を高く形成するか、薄型の半導体チップ１３４を使用する。 (Tenth embodiment)
FIG. 15 is a diagram showing a semiconductor device according to a tenth embodiment to which the present invention is applied. In the semiconductor device according to the present embodiment, a semiconductor chip 134 is mounted on the surface of the substrate 120 where the bent portion 126 is formed. Specifically, the wiring pattern 122 is formed on one surface of the substrate 120, the semiconductor chip 134 is mounted on the surface on which the wiring pattern 122 is formed, and the semiconductor chip 134 and the wiring pattern 122 are electrically connected. Yes. Therefore, in the substrate 120, the mounting surface of the semiconductor chip 134 is the same as the surface from which the bent portion 126 serving as the external terminal protrudes. In this case, in order to ensure the function as the external terminal, it is preferable that the protruding height of the bent portion 126 exceeds the semiconductor chip 134. For this purpose, the bent portion 126 is formed high or a thin semiconductor chip 134 is used.

上記以外の点に関して第９の実施の形態で説明した内容は、特別な事情がない限り、本実施の形態に適用することができる。 The contents described in the ninth embodiment regarding points other than the above can be applied to the present embodiment unless there are special circumstances.

（第１１の実施の形態）
図１６は、本発明を適用した第１１の実施の形態に係る半導体装置を示す図である。本実施の形態に係る半導体装置は、屈曲部１４６において、第１０の実施の形態と異なり、これ以外の点に関して第１０の実施の形態で説明した内容は、特別な事情がない限り、本実施の形態に適用することができる。 (Eleventh embodiment)
FIG. 16 is a diagram showing a semiconductor device according to an eleventh embodiment to which the present invention is applied. The semiconductor device according to the present embodiment is different from the tenth embodiment in the bent portion 146, and the contents described in the tenth embodiment regarding the other points are the same as those in the present embodiment unless there are special circumstances. It can be applied to the form.

図１６において、基板１２０の一方の面に配線パターン１４２が形成されており、開口部１２４上で、その一部が曲がって屈曲部１４６となっている。屈曲部１４６の先端部１４８は、基板１２０の表面を避けて終端している。例えば、屈曲部１４６の先端部１４８は、開口部１２４の上方で終端していてもよいし、あるいは、開口部１２４の内壁に接触して支持されていてもよい。 In FIG. 16, the wiring pattern 142 is formed on one surface of the substrate 120, and a part of the wiring pattern 142 is bent to form a bent portion 146 on the opening 124. The leading end 148 of the bent portion 146 terminates away from the surface of the substrate 120. For example, the distal end portion 148 of the bent portion 146 may terminate above the opening portion 124 or may be supported in contact with the inner wall of the opening portion 124.

（第１２の実施の形態）
図１７は、本発明を適用した第１２の実施の形態に係る接続基板を示す図である。図１７に示すように、本実施の形態に係る接続基板２００は、配線パターン２１２が基板２１０に形成されてなる一般的な配線基板に電気的に接続されてもよい。なお、配線基板２１０は、半導体装置の構成要素として半導体チップを搭載するインターポーザであってもよい。 (Twelfth embodiment)
FIG. 17 is a view showing a connection board according to a twelfth embodiment to which the present invention is applied. As shown in FIG. 17, connection substrate 200 according to the present embodiment may be electrically connected to a general wiring substrate in which wiring pattern 212 is formed on substrate 210. Note that the wiring board 210 may be an interposer on which a semiconductor chip is mounted as a component of the semiconductor device.

接続基板２００は、基板２０２と、基板２０２の一方の面に形成された配線パターン２０４とを有する。基板２０２には、開口部２０６が形成されており、基板２０２における配線パターン２０４が形成された面から開口部２０６の上方に、配線パターン２０４の一部が突出して曲がって、屈曲部２０８が形成されている。 The connection substrate 200 includes a substrate 202 and a wiring pattern 204 formed on one surface of the substrate 202. An opening 206 is formed in the substrate 202, and a part of the wiring pattern 204 protrudes and bends above the opening 206 from the surface of the substrate 202 where the wiring pattern 204 is formed, thereby forming a bent portion 208. Has been.

接続基板２００は、屈曲部２０８を介して、基板２００の配線パターン２１２に電気的に接続されている。両者の電気的な接続には、導電性部材を使用したり、超音波や熱などによって材料を拡散させる方法を適用することができる。導電性部材として、ハンダ、異方性導電膜、異方性導電接着剤、導電ペースト又は導電性接着剤等を使用することができる。導電性部材を使用した電気的な接続の態様として、ハンダ付け等のロウ付けを例に挙げることができる。 The connection substrate 200 is electrically connected to the wiring pattern 212 of the substrate 200 via the bent portion 208. For the electrical connection between them, a conductive member can be used, or a method of diffusing the material by ultrasonic waves or heat can be applied. As the conductive member, solder, anisotropic conductive film, anisotropic conductive adhesive, conductive paste, conductive adhesive, or the like can be used. As an aspect of electrical connection using a conductive member, brazing such as soldering can be given as an example.

本実施の形態によれば、屈曲部２０８の高さを利用して、接続基板２００の配線パターン２０４と、基板２１０の配線パターン２１２とのショートの発生を防止することができる。 According to the present embodiment, it is possible to prevent occurrence of a short circuit between the wiring pattern 204 of the connection substrate 200 and the wiring pattern 212 of the substrate 210 by using the height of the bent portion 208.

なお、上述した実施の形態で説明したいずれの配線基板も、本実施の形態のように他の配線基板に接続することができる。 Note that any of the wiring boards described in the above embodiment can be connected to another wiring board as in this embodiment.

（第１３の実施の形態）
図１８は、本発明を適用した第１３の実施の形態に係る配線基板を示す図である。図１８に示すように、本実施の形態に係る接続基板３００は、配線パターン２１２が基板２１０に形成されてなる一般的な配線基板に電気的に接続されてもよい。なお、基板２１０は、半導体装置の構成要素として半導体チップを搭載するインターポーザであってもよい。 (Thirteenth embodiment)
FIG. 18 is a diagram showing a wiring board according to a thirteenth embodiment to which the present invention is applied. As shown in FIG. 18, connection board 300 according to the present embodiment may be electrically connected to a general wiring board in which wiring pattern 212 is formed on board 210. The substrate 210 may be an interposer on which a semiconductor chip is mounted as a component of the semiconductor device.

接続基板３００は、基板３０２と、基板３０２の一方の面に形成された配線パターン３０４とを有する。基板３０２には、開口部３０６が形成されており、開口部３０６内に配線パターン３０４の一部が曲がって入り込んでいる。そして、基板３０２における配線パターン３０４が形成された面とは反対側の方向に向けて突出する屈曲部３０８が形成されている。 The connection substrate 300 includes a substrate 302 and a wiring pattern 304 formed on one surface of the substrate 302. An opening 306 is formed in the substrate 302, and a part of the wiring pattern 304 is bent into the opening 306. A bent portion 308 is formed that protrudes in a direction opposite to the surface of the substrate 302 on which the wiring pattern 304 is formed.

本実施の形態では、開口部３０６の内壁面と屈曲部３０８との間に隙間が形成されて、両者が少なくとも部分的に接触しないようになっている。この構成によれば、開口部３０６内で屈曲部３０８が動くことができる。したがって、屈曲部３０８に加えられた応力を効果的に吸収することができる。このことは、他の実施の形態でも同様に適用することができる。 In the present embodiment, a gap is formed between the inner wall surface of the opening 306 and the bent portion 308 so that they do not contact at least partially. According to this configuration, the bent portion 308 can move within the opening 306. Therefore, the stress applied to the bent portion 308 can be effectively absorbed. This can be similarly applied to other embodiments.

または、図１９に示すように、開口部３１６は、基板３１２の厚みの中心の径が大きく、開口端部の径がそれよりも小さい形状であってもよい。これによれば、基板３１２の厚みの中心において、屈曲部３１８が変形して応力を吸収することができる。このことも、他の実施の形態に適用することができる。 Alternatively, as illustrated in FIG. 19, the opening 316 may have a shape in which the diameter of the center of the substrate 312 is large and the diameter of the opening end is smaller than that. According to this, at the center of the thickness of the substrate 312, the bent portion 318 can be deformed to absorb the stress. This can also be applied to other embodiments.

接続基板３００は、屈曲部３０８を介して、基板２００の配線パターン２１２に電気的に接続されている。両者の電気的な接続には、ハンダ、異方性導電膜、異方性導電接着剤又は導電ペーストなどを使用したり、超音波や熱などによる金属接合を適用してもよい。 The connection substrate 300 is electrically connected to the wiring pattern 212 of the substrate 200 via the bent portion 308. For electrical connection between them, solder, anisotropic conductive film, anisotropic conductive adhesive, conductive paste or the like may be used, or metal bonding by ultrasonic waves or heat may be applied.

本実施の形態によれば、屈曲部３０８の高さを利用して、接続基板３００の配線パターン３０４と、基板２１０の配線パターン２１２とのショートの発生を防止することができる。 According to the present embodiment, it is possible to prevent occurrence of a short circuit between the wiring pattern 304 of the connection substrate 300 and the wiring pattern 212 of the substrate 210 by using the height of the bent portion 308.

なお、上述した実施の形態で説明したいずれの配線基板も、本実施の形態のように基板に接続することができる。 Note that any of the wiring boards described in the above-described embodiments can be connected to the board as in this embodiment.

（第１４の実施の形態）
図２０は、本発明を適用した第１４の実施の形態に係る配線基板を示す図である。図２０に示すように、本発明に係る配線基板４００では、屈曲部４０２を千鳥状に配置してもよい。こうすることで、屈曲部４０２のピッチを大きくすることができ、屈曲部４０２間に複数（多数）の配線パターンを形成することができる。 (Fourteenth embodiment)
FIG. 20 is a diagram showing a wiring board according to a fourteenth embodiment to which the present invention is applied. As shown in FIG. 20, in the wiring board 400 according to the present invention, the bent portions 402 may be arranged in a staggered manner. By doing so, the pitch of the bent portions 402 can be increased, and a plurality (large number) of wiring patterns can be formed between the bent portions 402.

なお、上述した実施の形態で説明したいずれの配線基板でも、本実施の形態のように千鳥状に屈曲部を配置してもよい。 Note that in any of the wiring boards described in the above-described embodiments, the bent portions may be arranged in a staggered manner as in the present embodiment.

（第１５の実施の形態）
図２１は、本発明を適用した第１５の実施の形態に係る配線基板を示す図である。本実施の形態に係る配線基板は、図１を参照して説明した配線基板が使用される。そして、屈曲部２２の凹部側に、導電性物質６００が設けられている。 (Fifteenth embodiment)
FIG. 21 is a diagram showing a wiring board according to a fifteenth embodiment to which the present invention is applied. As the wiring board according to the present embodiment, the wiring board described with reference to FIG. 1 is used. A conductive material 600 is provided on the concave side of the bent portion 22.

詳しくは、導電性物質６００は、屈曲部２２の内部に充填されている。導電性物質６００は、例えば、導電ペースト、ハンダ等のろう材、あるいはメッキによって形成された金属等である。なお、導電性物質６００が応力吸収性を有していれば、より好ましい。応力吸収性については、第１の実施の形態で樹脂２６に関連して説明した内容が当てはまる。 Specifically, the conductive material 600 is filled in the bent portion 22. The conductive material 600 is, for example, a conductive paste, a brazing material such as solder, or a metal formed by plating. Note that it is more preferable that the conductive material 600 has stress absorbability. Regarding the stress absorbability, the contents described in relation to the resin 26 in the first embodiment are applicable.

これによれば、屈曲部２２の凹部側も、導電性物質６００を介して電気的な接続領域として使用することができる。また、屈曲部２２の内面に対して、導電性物質６００を介して電気的な接続を図ることができる。 According to this, the concave side of the bent portion 22 can also be used as an electrical connection region via the conductive material 600. In addition, an electrical connection can be achieved to the inner surface of the bent portion 22 via the conductive material 600.

本実施の形態には、上述した実施の形態で説明した内容を適用することができる。また、本実施の形態で説明した内容は、以下の実施の形態に適用することができる。 The contents described in the above embodiment can be applied to this embodiment. The contents described in this embodiment can be applied to the following embodiments.

（第１６の実施の形態）
図２２は、本発明を適用した第１６の実施の形態に係る配線基板を示す図である。本実施の形態に係る配線基板は、図１を参照して説明した配線基板が使用される。
そして、屈曲部２２の凹部側に、導電性物質６０４が設けられている。詳しくは、屈曲部２２の内部に絶縁性樹脂６０２が充填され、導電性物質６０４が、絶縁性樹脂６０４上から配線パターン２０に至るように設けられている。 (Sixteenth embodiment)
FIG. 22 is a diagram showing a wiring board according to a sixteenth embodiment to which the present invention is applied. As the wiring board according to the present embodiment, the wiring board described with reference to FIG. 1 is used.
A conductive substance 604 is provided on the concave side of the bent portion 22. Specifically, the inside of the bent portion 22 is filled with an insulating resin 602, and a conductive material 604 is provided so as to reach the wiring pattern 20 from the insulating resin 604.

これによれば、屈曲部２２の凹部側も、絶縁性樹脂６０２上において、導電性物質６０４を介して配線パターン２０との電気的な接続を図ることができる。 According to this, the concave side of the bent portion 22 can also be electrically connected to the wiring pattern 20 via the conductive material 604 on the insulating resin 602.

（第１７の実施の形態）
図２３は、本発明を適用した第１７の実施の形態に係る配線基板を示す図である。本実施の形態に係る配線基板は、図１を参照して説明した配線基板が使用される。
そして、屈曲部２２の凹部側に、導電性物質６０６が設けられている。詳しくは、導電性物質６０６は、屈曲部２２の内部を中空にして、凹部上から配線パターン２０に至るように設けられている。 (Seventeenth embodiment)
FIG. 23 is a diagram showing a wiring board according to a seventeenth embodiment to which the present invention is applied. As the wiring board according to the present embodiment, the wiring board described with reference to FIG. 1 is used.
A conductive material 606 is provided on the concave side of the bent portion 22. Specifically, the conductive substance 606 is provided so that the inside of the bent portion 22 is hollow and reaches the wiring pattern 20 from the concave portion.

これによれば、屈曲部２２の凹部側も、導電性物質６０６を介して配線パターン２０との電気的な接続を図ることができる。また、屈曲部２２の凹部側が中空になっているので、屈曲部２２が変形しやすく、応力の吸収が可能である。 According to this, the concave side of the bent portion 22 can also be electrically connected to the wiring pattern 20 via the conductive material 606. Moreover, since the recessed part side of the bending part 22 is hollow, the bending part 22 is easy to deform | transform and stress absorption is possible.

（第１８の実施の形態）
図２４は、本発明を適用した第１８の実施の形態に係る半導体装置を示す図である。この半導体装置は、図２１に示す配線基板と、その配線基板に搭載された半導体チップ４０と、を含む。半導体チップ４０は、図７を参照して説明したものである。半導体チップ４０の電極４２（バンプ４４）は、配線基板の屈曲部２２の凹部側に設けられた導電性物質６００上に接合されている。 (Eighteenth embodiment)
FIG. 24 is a diagram showing a semiconductor device according to an eighteenth embodiment to which the present invention is applied. This semiconductor device includes a wiring board shown in FIG. 21 and a semiconductor chip 40 mounted on the wiring board. The semiconductor chip 40 has been described with reference to FIG. The electrodes 42 (bumps 44) of the semiconductor chip 40 are bonded onto the conductive material 600 provided on the concave side of the bent portion 22 of the wiring board.

なお、本実施の形態の変形例として、図２２又は図２３に示す配線基板を使用して、導電性物質６０４、６０６上に、電極４２（バンプ４４）を接合してもよい。その他の構成については、図７を参照して説明した内容が当てはまる。 As a modification of the present embodiment, the electrode 42 (bump 44) may be bonded onto the conductive materials 604 and 606 using the wiring substrate shown in FIG. 22 or FIG. About the other structure, the content demonstrated with reference to FIG. 7 is applicable.

（第１９の実施の形態）
図２５は、本発明を適用した第１９の実施の形態に係る配線基板及び半導体装置を示す図である。 (Nineteenth embodiment)
FIG. 25 is a diagram showing a wiring board and a semiconductor device according to a nineteenth embodiment to which the present invention is applied.

本実施の形態に係る配線基板は、図１５に示す配線基板を含む。すなわち、この配線基板は、開口部１２４が形成された基板１２０と、基板１２０の一方の面に形成された配線パターン１２２と、を有する。配線パターン１２２は、基板１２０の一方の面から開口部１２４の上方に突出して曲がっている屈曲部１２６を有する。そして、開口部１２４及び屈曲部１２６の内部に、導電性物質６０８が充填されている。これによれば、屈曲部１２６の凹部側も、導電性物質６０８を介して電気的な接続領域として使用することができる。 The wiring board according to the present embodiment includes the wiring board shown in FIG. That is, this wiring board has a substrate 120 in which an opening 124 is formed, and a wiring pattern 122 formed on one surface of the substrate 120. The wiring pattern 122 has a bent portion 126 that is bent from one surface of the substrate 120 so as to protrude above the opening portion 124. The inside of the opening 124 and the bent portion 126 is filled with a conductive substance 608. According to this, the concave side of the bent portion 126 can also be used as an electrical connection region through the conductive material 608.

本実施の形態に係る半導体装置は、上述した配線基板と、基板１２０に搭載された半導体チップ１３４と、を有する。詳しくは、図１５を参照して説明した内容が該当する。あるいは、導電性物質６０８を介して、屈曲部１２６の凹部側に、半導体チップ１３４の電極（バンプ）を接合してもよい。 The semiconductor device according to the present embodiment includes the wiring board described above and the semiconductor chip 134 mounted on the board 120. Specifically, the contents described with reference to FIG. Alternatively, the electrode (bump) of the semiconductor chip 134 may be bonded to the concave portion side of the bent portion 126 via the conductive material 608.

（第２０の実施の形態）
図２６は、本発明を適用した第２０の実施の形態に係る接続基板を示す図である。 (20th embodiment)
FIG. 26 is a diagram showing a connection board according to a twentieth embodiment to which the present invention is applied.

本実施の形態に係る接続基板は、図１７に示す接続基板を含む。すなわち、この接続基板は、基板２０２、２１０に配線パターン２０４、２１２が形成されてなる複数の配線基板を含む。一方の配線基板において、基板２０２には開口部２０６が形成され、配線パターン２０４には屈曲部２０８が形成されている。屈曲部２０８は、開口部２０６の上方に突出して形成されている。開口部２０６と屈曲部２０８とが平面的に重なるようになっている。そして、屈曲部２０６の凹部側に導電性物質６１０が設けられている。詳しくは、屈曲部２０６の内部に導電性物質６１０が充填されている。 The connection board according to the present embodiment includes the connection board shown in FIG. That is, this connection board includes a plurality of wiring boards in which the wiring patterns 204 and 212 are formed on the boards 202 and 210. In one wiring substrate, an opening 206 is formed in the substrate 202, and a bent portion 208 is formed in the wiring pattern 204. The bent portion 208 is formed so as to protrude above the opening 206. The opening 206 and the bent portion 208 overlap in a planar manner. A conductive substance 610 is provided on the concave side of the bent portion 206. Specifically, the inside of the bent portion 206 is filled with a conductive substance 610.

その他の構成は、図１７に示す接続基板と同じであるため、説明を省略する。本実施の形態によれば、図１７を参照して説明した内容に加えて、屈曲部２０８の凹部側も、導電性物質６１０を介して電気的な接続領域として使用することができる。詳しくは、屈曲部２０６の内面に対して、導電性物質６１０を介して電気的な接続を図ることができる。 Other configurations are the same as those of the connection substrate shown in FIG. According to the present embodiment, in addition to the content described with reference to FIG. 17, the concave portion side of the bent portion 208 can also be used as an electrical connection region through the conductive material 610. Specifically, the inner surface of the bent portion 206 can be electrically connected through the conductive substance 610.

（第２１の実施の形態）
図２７は、本発明を適用した第２１の実施の形態に係る接続基板を示す図である。 (Twenty-first embodiment)
FIG. 27 is a diagram showing a connection board according to a twenty-first embodiment to which the present invention is applied.

本実施の形態に係る接続基板は、図１８に示す接続基板を含む。すなわち、この接続基板は、基板３０２、２１０に配線パターン３０４、２１２が形成されてなる複数の配線基板を含む。一方の配線基板において、基板３０２には開口部３０６が形成され、配線パターン３０４には屈曲部３０８が形成されている。また、開口部３０６と屈曲部３０８とが平面的に重なるようになって、基板３０２の一方の面に配線パターン３０４が形成されている。そして、屈曲部３０８の凹部側に導電性物質６１２が設けられている。詳しくは、屈曲部３０８の内部に導電性物質６１２が充填されている。 The connection board according to the present embodiment includes the connection board shown in FIG. That is, this connection board includes a plurality of wiring boards in which wiring patterns 304 and 212 are formed on the boards 302 and 210. In one wiring substrate, an opening 306 is formed in the substrate 302, and a bent portion 308 is formed in the wiring pattern 304. Further, the opening 306 and the bent portion 308 are overlapped in a plane, and the wiring pattern 304 is formed on one surface of the substrate 302. A conductive substance 612 is provided on the concave side of the bent portion 308. Specifically, the inside of the bent portion 308 is filled with a conductive substance 612.

その他の構成は、図１８に示す接続基板と同じであるため、説明を省略する。本実施の形態によれば、図１８を参照して説明した内容に加えて、屈曲部３０８の凹部側も、導電性物質６１２を介して電気的な接続領域として使用することができる。詳しくは、屈曲部３０８の内面に対して、導電性物質６１２を介して電気的な接続を図ることができる。 Other configurations are the same as those of the connection substrate shown in FIG. According to the present embodiment, in addition to the content described with reference to FIG. 18, the concave portion side of the bent portion 308 can also be used as an electrical connection region via the conductive material 612. Specifically, the inner surface of the bent portion 308 can be electrically connected through the conductive substance 612.

（第２２の実施の形態）
図２８は、本発明を適用した第２２の実施の形態に係る接続基板を示す図である。 (Twenty-second embodiment)
FIG. 28 is a diagram showing a connection board according to a twenty-second embodiment to which the present invention is applied.

本実施の形態に係る接続基板は、図１８に示す接続基板を含む。そして、屈曲部３０８の凹部側に導電性物質６１４が設けられている。詳しくは、屈曲部３０８の内部に絶縁性樹脂６１６が充填され、導電性物質６１４は、絶縁性樹脂６１６上から配線パターン３０４に至るように設けられている。 The connection board according to the present embodiment includes the connection board shown in FIG. A conductive substance 614 is provided on the concave side of the bent portion 308. Specifically, the inside of the bent portion 308 is filled with an insulating resin 616, and the conductive material 614 is provided from the insulating resin 616 to the wiring pattern 304.

その他の構成は、図１８に示す接続基板と同じであるため、説明を省略する。本実施の形態によれば、図１８を参照して説明した内容に加えて、屈曲部３０８の凹部側も、導電性物質６１４を介して電気的な接続領域として使用することができる。詳しくは、絶縁性樹脂６１６上において、導電性物質６１４を介して配線パターン３０４との電気的な接続を図ることができる。 Other configurations are the same as those of the connection substrate shown in FIG. According to the present embodiment, in addition to the content described with reference to FIG. 18, the concave side of the bent portion 308 can also be used as an electrical connection region via the conductive material 614. Specifically, on the insulating resin 616, electrical connection with the wiring pattern 304 can be achieved through the conductive material 614.

（第２３の実施の形態）
図２９は、本発明を適用した第２３の実施の形態に係る接続基板を示す図である。 (Twenty-third embodiment)
FIG. 29 is a diagram showing a connection board according to a twenty-third embodiment to which the present invention is applied.

本実施の形態に係る接続基板は、図１８に示す接続基板を含む。本実施の形態では、第２２の実施の形態の絶縁性樹脂６１６を設けずに、屈曲部３０８の内部が中空になっている。そして、屈曲部３０８の凹部上から配線パターン３０４に至るように、導電性物質６１８が設けられている。 The connection board according to the present embodiment includes the connection board shown in FIG. In the present embodiment, the inside of the bent portion 308 is hollow without providing the insulating resin 616 of the twenty-second embodiment. A conductive substance 618 is provided so as to reach the wiring pattern 304 from the concave portion of the bent portion 308.

その他の構成は、図１８に示す接続基板と同じであるため、説明を省略する。本実施の形態によれば、第２２の実施の形態で説明した内容に加えて、屈曲部３０８が変形しやすいので、屈曲部３０８による応力の吸収が可能である。 Other configurations are the same as those of the connection substrate shown in FIG. According to the present embodiment, in addition to the contents described in the twenty-second embodiment, the bent portion 308 is easily deformed, so that the stress can be absorbed by the bent portion 308.

（その他の変形例）
次に、本発明に係る半導体装置の形態の変形例を説明する。 (Other variations)
Next, a modification of the semiconductor device according to the present invention will be described.

（１）本発明に係る半導体装置の他の形態は、
少なくとも一つの半導体チップと、
前記半導体チップが搭載され、開口部が形成された基板と、
前記基板の一方の面に形成され、他方の面の方向に向けて前記開口部内に曲がっている屈曲部を有する配線パターンと、を含み、
前記半導体チップ（の電極）と前記配線パターンとがワイヤで接続されている。 (1) Another mode of the semiconductor device according to the present invention is as follows:
At least one semiconductor chip;
A substrate on which the semiconductor chip is mounted and an opening is formed;
A wiring pattern formed on one surface of the substrate and having a bent portion bent in the opening toward the other surface;
The semiconductor chip (the electrode thereof) and the wiring pattern are connected by a wire.

これは、ワイヤボンディング型の半導体装置であって、例えばＣＳＰの一形態である場合もある。 This is a wire bonding type semiconductor device, and may be a form of CSP, for example.

その製造方法は、
上記方法により製造された配線基板を用意し、前記基板に少なくとも一つの半導体チップを搭載する工程と、
前記半導体チップ（の電極）と前記配線パターンとをワイヤで接続する工程と、
を含む。 The manufacturing method is
Preparing a wiring board manufactured by the above method, and mounting at least one semiconductor chip on the substrate;
Connecting the semiconductor chip (the electrode thereof) and the wiring pattern with a wire;
including.

（２）本発明に係る半導体装置の他の形態は、
少なくとも一つの半導体チップと、
前記半導体チップが搭載され、開口部が形成された基板と、
前記基板の一方の面に形成され、他方の面の方向に向けて前記開口部内に曲がっている屈曲部を有する配線パターンと、を含み、
前記配線パターンは、前記基板から突出（オーバーハング）するリードをさらに含み、前記半導体チップ（の電極）と前記リードとが接続されている。 (2) Another mode of the semiconductor device according to the present invention is as follows:
At least one semiconductor chip;
A substrate on which the semiconductor chip is mounted and an opening is formed;
A wiring pattern formed on one surface of the substrate and having a bent portion bent in the opening toward the other surface;
The wiring pattern further includes a lead that protrudes (overhangs) from the substrate, and the semiconductor chip (the electrode thereof) and the lead are connected.

この半導体装置もＣＳＰの一形態である場合もある。なお、前記基板と前記半導体チップとの間には、隙間をあけて、樹脂を充填してもよい。 This semiconductor device may also be a form of CSP. Note that a resin may be filled with a gap between the substrate and the semiconductor chip.

その製造方法は、
上記方法により製造された配線基板を用意し、前記基板に少なくとも一つの半導体チップを搭載する工程と、
前記半導体チップ（の電極）と前記リードと接続する工程と、を含む。 The manufacturing method is
Preparing a wiring board manufactured by the above method, and mounting at least one semiconductor chip on the substrate;
Connecting the semiconductor chip (the electrode thereof) and the lead.

なお、リードの接続は、シングルポイントボンディングを適用してもよい。 Note that single point bonding may be applied to lead connection.

（３）本発明に係る半導体装置の他の形態は、
少なくとも一つの半導体チップと、
前記半導体チップが搭載され、開口部が形成された基板と、
前記基板の一方の面に形成され、他方の面の方向に向けて前記開口部内に曲がっている屈曲部を有する配線パターンと、を含み、
前記基板にはデバイスホールが形成され、
前記配線パターンは、前記基板から前記デバイスホール内に突出（オーバーハング）するインナーリードをさらに含み、前記半導体チップ（の電極）と前記インナーリードとが接続されている。 (3) Another mode of the semiconductor device according to the present invention is as follows:
At least one semiconductor chip;
A substrate on which the semiconductor chip is mounted and an opening is formed;
A wiring pattern formed on one surface of the substrate and having a bent portion bent in the opening toward the other surface;
Device holes are formed in the substrate,
The wiring pattern further includes an inner lead that protrudes (overhangs) from the substrate into the device hole, and the semiconductor chip (electrode) and the inner lead are connected.

この半導体装置は、Ｔ−ＢＧＡ（Tape−Ball Grid Array）の一形態である場合もある。 This semiconductor device may be a form of T-BGA (Tape-Ball Grid Array).

その製造方法は、
上記方法により製造された配線基板を用意し、前記基板に少なくとも一つの半導体チップを搭載する工程と、
前記半導体チップ（の電極）と前記インナーリードと接続する工程と、を含む。 The manufacturing method is
Preparing a wiring board manufactured by the above method, and mounting at least one semiconductor chip on the substrate;
Connecting the semiconductor chip (electrodes thereof) and the inner leads.

この製造方法には、ＴＡＢ技術を適用することができる。 A TAB technique can be applied to this manufacturing method.

図３０には、図７に示す半導体装置を実装した回路基板１０００が示されている。回路基板１０００には例えばガラスエポキシ基板等の有機系基板を用いることが一般的である。回路基板１０００には例えば銅からなる配線パターン１１００が所望の回路となるように形成されていて、それらの配線パターン１１００と半導体装置の外部端子（屈曲部２２）とを機械的に接続することでそれらの電気的導通を図る。屈曲部２２と配線パターン１１００とは、ハンダを使用して接続してもよいが、鉛を含有しない材料で接続してもよい。 FIG. 30 shows a circuit board 1000 on which the semiconductor device shown in FIG. 7 is mounted. As the circuit board 1000, an organic substrate such as a glass epoxy substrate is generally used. A wiring pattern 1100 made of, for example, copper is formed on the circuit board 1000 so as to form a desired circuit, and the wiring pattern 1100 and an external terminal (bent portion 22) of the semiconductor device are mechanically connected. Their electrical continuity is intended. The bent portion 22 and the wiring pattern 1100 may be connected using solder, but may be connected using a material that does not contain lead.

そして、本発明を適用した半導体装置を有する電子機器２０００として、図３１には、ノート型パーソナルコンピュータが示されている。 A notebook personal computer is shown in FIG. 31 as an electronic device 2000 having a semiconductor device to which the present invention is applied.

なお、上記本発明の構成要件「半導体チップ」を「電子素子」に置き換えて、半導体チップと同様に電子素子（能動素子か受動素子かを問わない）を、基板に実装して電子部品を製造することもできる。このような電子素子を使用して製造される電子部品として、例えば、光素子、抵抗器、コンデンサ、コイル、発振器、フィルタ、温度センサ、サーミスタ、バリスタ、ボリューム又はヒューズなどがある。 In addition, the electronic component (whether an active element or a passive element) is mounted on a substrate in the same manner as the semiconductor chip, and the electronic component is manufactured by replacing the “semiconductor chip” as a constituent element of the present invention with an “electronic element”. You can also Examples of electronic components manufactured using such electronic elements include optical elements, resistors, capacitors, coils, oscillators, filters, temperature sensors, thermistors, varistors, volumes or fuses.

図１は、本発明を適用した第１の実施の形態に係る配線基板を示す図である。FIG. 1 is a diagram showing a wiring board according to a first embodiment to which the present invention is applied. 図２は、本発明を適用した第１の実施の形態に係る配線基板の変形例を示す図である。FIG. 2 is a diagram showing a modification of the wiring board according to the first embodiment to which the present invention is applied. 図３は、本発明を適用した第１の実施の形態に係る配線基板の変形例を示す図である。FIG. 3 is a diagram showing a modification of the wiring board according to the first embodiment to which the present invention is applied. 図４は、本発明を適用した実施の形態の変形例を示す図である。FIG. 4 is a diagram showing a modification of the embodiment to which the present invention is applied. 図５は、本発明を適用した配線基板を製造する方法を示す図である。FIG. 5 is a diagram showing a method of manufacturing a wiring board to which the present invention is applied. 図６は、本発明を適用した配線基板を製造する方法を示す図である。FIG. 6 is a diagram showing a method of manufacturing a wiring board to which the present invention is applied. 図７は、本発明を適用した第２の実施の形態に係る半導体装置を示す図である。FIG. 7 is a diagram showing a semiconductor device according to the second embodiment to which the present invention is applied. 図８は、本発明を適用した第３の実施の形態に係る半導体装置を示す図である。FIG. 8 is a diagram showing a semiconductor device according to a third embodiment to which the present invention is applied. 図９は、本発明を適用した第４の実施の形態に係る半導体装置を示す図である。FIG. 9 is a diagram showing a semiconductor device according to the fourth embodiment to which the present invention is applied. 図１０は、本発明を適用した第５の実施の形態に係る半導体装置を示す図である。FIG. 10 is a diagram showing a semiconductor device according to a fifth embodiment to which the present invention is applied. 図１１は、本発明を適用した第６の実施の形態に係る半導体装置を示す図である。FIG. 11 is a diagram showing a semiconductor device according to a sixth embodiment to which the present invention is applied. 図１２は、本発明を適用した第７の実施の形態に係る配線基板を示す図である。FIG. 12 is a diagram showing a wiring board according to a seventh embodiment to which the present invention is applied. 図１３は、本発明を適用した第８の実施の形態に係る半導体装置を示す図である。FIG. 13 is a diagram showing a semiconductor device according to an eighth embodiment to which the present invention is applied. 図１４は、本発明を適用した第９の実施の形態に係る半導体装置を示す図である。FIG. 14 is a diagram showing a semiconductor device according to a ninth embodiment to which the present invention is applied. 図１５は、本発明を適用した第１０の実施の形態に係る半導体装置を示す図である。FIG. 15 is a diagram showing a semiconductor device according to a tenth embodiment to which the present invention is applied. 図１６は、本発明を適用した第１１の実施の形態に係る半導体装置を示す図である。FIG. 16 is a diagram showing a semiconductor device according to an eleventh embodiment to which the present invention is applied. 図１７は、本発明を適用した第１２の実施の形態に係る接続基板を示す図である。FIG. 17 is a view showing a connection board according to a twelfth embodiment to which the present invention is applied. 図１８は、本発明を適用した第１３の実施の形態に係る接続基板を示す図である。FIG. 18 is a view showing a connection board according to a thirteenth embodiment to which the present invention is applied. 図１９は、本発明を適用した実施の形態の変形例を示す図である。FIG. 19 is a diagram showing a modification of the embodiment to which the present invention is applied. 図２０は、本発明を適用した第１４の実施の形態に係る配線基板を示す図である。FIG. 20 is a diagram showing a wiring board according to a fourteenth embodiment to which the present invention is applied. 図２１は、本発明を適用した第１５の実施の形態に係る配線基板を示す図である。FIG. 21 is a diagram showing a wiring board according to a fifteenth embodiment to which the present invention is applied. 図２２は、本発明を適用した第１６の実施の形態に係る配線基板を示す図である。FIG. 22 is a diagram showing a wiring board according to a sixteenth embodiment to which the present invention is applied. 図２３は、本発明を適用した第１７の実施の形態に係る配線基板を示す図である。FIG. 23 is a diagram showing a wiring board according to a seventeenth embodiment to which the present invention is applied. 図２４は、本発明を適用した第１８の実施の形態に係る半導体装置を示す図である。FIG. 24 is a diagram showing a semiconductor device according to an eighteenth embodiment to which the present invention is applied. 図２５は、本発明を適用した第１９の実施の形態に係る半導体装置を示す図である。FIG. 25 is a diagram showing a semiconductor device according to a nineteenth embodiment to which the present invention is applied. 図２６は、本発明を適用した第２０の実施の形態に係る接続基板を示す図である。FIG. 26 is a diagram showing a connection board according to a twentieth embodiment to which the present invention is applied. 図２７は、本発明を適用した第２１の実施の形態に係る接続基板を示す図である。FIG. 27 is a diagram showing a connection board according to a twenty-first embodiment to which the present invention is applied. 図２８は、本発明を適用した第２２の実施の形態に係る接続基板を示す図である。FIG. 28 is a diagram showing a connection board according to a twenty-second embodiment to which the present invention is applied. 図２９は、本発明を適用した第２３の実施の形態に係る接続基板を示す図である。FIG. 29 is a diagram showing a connection board according to a twenty-third embodiment to which the present invention is applied. 図３０は、本実施の形態に係る回路基板を示す図である。FIG. 30 is a diagram showing a circuit board according to the present embodiment. 図３１は、本発明に係る方法を適用して製造された半導体装置を備える電子機器を示す図である。FIG. 31 is a diagram illustrating an electronic apparatus including a semiconductor device manufactured by applying the method according to the present invention.

Explanation of symbols

１０基板、２０配線パターン、２２屈曲部、２４破断、２６樹脂、２８保護部材、３０導電箔、３２凹型、３６凸型、４０半導体チップ、４２電極、４６異方性導電材料 10 substrate, 20 wiring pattern, 22 bent part, 24 break, 26 resin, 28 protective member, 30 conductive foil, 32 concave type, 36 convex type, 40 semiconductor chip, 42 electrode, 46 anisotropic conductive material

Claims

A substrate having an opening formed thereon;
A wiring pattern having a bent portion;
Have
The wiring pattern is formed on one surface of the substrate so that the opening and the bent portion overlap in a plane.
A wiring board in which the bending portion is filled with a stress absorbing material.

The wiring board according to claim 1,
The bent portion is a wiring board formed so as not to protrude from the other surface of the substrate.

The wiring board according to claim 1,
The bent portion is a wiring board that protrudes from the other surface of the substrate to form a protrusion.

The wiring board according to claim 3,
A wiring board in which a protective member thicker than the protruding height of the protrusion is provided on the other surface of the board.

The wiring board according to claim 1,
A wiring board in which an adhesive is interposed between the board and the wiring pattern.

The wiring board according to claim 1,
The wiring board is formed of a bent wiring having a width smaller than the diameter of the opening.

The wiring board according to claim 1,
The wiring board in which the bent portion of the wiring pattern is formed by bending a part of a land portion larger than the opening.

The wiring board according to claim 1,
A wiring board in which a tip portion of the bent portion of the wiring pattern is formed by being broken.

The wiring board according to claim 1,
A wiring board in which a front end portion of the bent portion of the wiring pattern is terminated to avoid the surface of the board.

The wiring board according to claim 1,
The wiring board in which the opening is a slit and a plurality of the bent portions are formed in each opening.

A substrate having an opening formed thereon;
A wiring pattern having a bent portion formed on one surface of the substrate and protruding from the one surface to the upper side of the opening;
Including wiring board.

The wiring board according to claim 11,
A wiring board in which an adhesive is interposed between the board and the wiring pattern.

The wiring board according to claim 11,
A wiring board in which resin is filled in a concave portion formed by a concave surface of the bent portion of the wiring pattern.

The wiring board according to claim 11,
The wiring board is formed of a bent wiring having a width smaller than the diameter of the opening.

The wiring board according to claim 11,
The wiring board in which the bent portion of the wiring pattern is formed by bending a part of a land portion larger than the opening.

The wiring board according to claim 11,
A wiring board in which a tip portion of the bent portion of the wiring pattern is formed by being broken.

The wiring board according to claim 11,
A wiring board in which a front end portion of the bent portion of the wiring pattern is terminated to avoid the surface of the board.

The wiring board according to claim 11,
The wiring board in which the opening is a slit and a plurality of the bent portions are formed in each opening.

A substrate having an opening formed thereon;
A wiring pattern having a bent portion;
Have
The wiring pattern is formed on one surface of the substrate so that the opening and the bent portion overlap in a plane.
A wiring board in which a sealing material for sealing the opening is provided on the concave side of the bent portion.

The wiring board according to claim 19, wherein
The sealing material is a wiring board made of a conductive material and filled in the bent portion.

The wiring board according to claim 19, wherein
The inside of the bent portion is filled with an insulating resin,
The said sealing material consists of an electroconductive substance, The wiring board provided on the said insulating resin.

The wiring board according to claim 19, wherein
The sealing material is a wiring board which is provided so that the inside of the bent portion is hollow and reaches the wiring pattern from the concave portion.

A substrate having an opening formed thereon;
A wiring pattern having a bent portion formed on one surface of the substrate and protruding from the one surface to the upper side of the opening;
Have
A wiring substrate in which the opening and the bent portion of the substrate are filled with a sealing material for sealing the opening.

Including a plurality of wiring boards in which a wiring pattern is formed on the board;
A bent portion is formed in the wiring pattern of at least one of the plurality of wiring boards,
A connection substrate in which the wiring pattern of the wiring substrate different from the wiring substrate on which the bent portion is formed and the bent portion are connected.

The connection board according to claim 24,
The substrate of the wiring board in which the bent portion is formed is formed with an opening,
The bent portion is a connection board formed at a position overlapping the opening in a plan view.

The connection board according to claim 25, wherein
The wiring pattern in which the bent portion is formed is formed on one surface of the substrate,
The bent portion is a connection substrate formed so as to protrude above the opening from the one surface.

The connection board according to claim 25, wherein
The wiring pattern in which the bent portion is formed is formed on one surface of the substrate,
The bent portion is a connection substrate formed in the opening toward the other surface of the substrate.

The connection board according to claim 24,
The wiring board and the bent portion are connected boards connected by diffusion of respective materials.

The connection board according to claim 24,
The wiring board and the bent portion are connection boards formed by being connected by a conductive member.

Including a plurality of wiring boards in which a wiring pattern is formed on the board;
In at least one of the plurality of wiring substrates, an opening is formed in the substrate, a bent portion is formed in the wiring pattern, and the opening and the bent portion overlap in a plane. The wiring pattern is formed on one surface of the substrate, and a conductive material is provided on the concave side of the bent portion,
A connection substrate in which the wiring pattern of the wiring substrate different from the wiring substrate on which the bent portion is formed and the bent portion are connected.

The connection board according to claim 30, wherein
A connection substrate in which the conductive substance is filled in the bent portion.

The connection board according to claim 30, wherein
The inside of the bent portion is filled with an insulating resin,
The connection substrate, wherein the conductive substance is provided so as to reach the wiring pattern from the insulating resin.

The connection board according to claim 30, wherein
The conductive substrate is a connection board that is provided so that the inside of the bent portion is hollow and reaches the wiring pattern from the concave portion.

Including a plurality of wiring boards in which a wiring pattern is formed on the board;
In at least one of the plurality of wiring boards, an opening is formed in the board, and the wiring pattern is formed on one surface of the substrate, and the opening is formed from the one surface. It has a bent portion protruding upward and bent, and the inside of the opening and the bent portion of the substrate is filled with a conductive substance,
A connection substrate in which the wiring pattern of the wiring substrate different from the wiring substrate on which the bent portion is formed and the bent portion are connected.

A wiring board according to any one of claims 1 to 10,
At least one semiconductor chip mounted on the substrate of the wiring board;
A semiconductor device including:

36. The semiconductor device according to claim 35.
The semiconductor device, wherein the semiconductor chip is bonded to the substrate via an anisotropic conductive material in which conductive particles are dispersed in an adhesive.

The semiconductor device according to claim 36, wherein
The semiconductor device in which a part of the anisotropic conductive material is the stress absorbing material filled in the bent portion according to claim 1.

36. The semiconductor device according to claim 35.
2. The semiconductor device according to claim 1, wherein the opening is formed in at least one of a mounting area and an outside of the mounting area of the semiconductor chip in the substrate.

36. The semiconductor device according to claim 35.
A plurality of the semiconductor chips;
A semiconductor device in which a part of the substrate is bent and the plurality of semiconductor chips are stacked.

36. The semiconductor device according to claim 35.
The opening according to claim 1 is formed outside a mounting region of the semiconductor chip on the substrate,
A semiconductor device in which a part of the substrate is bent and a portion of the substrate excluding the mounting region of the semiconductor chip is bonded to the semiconductor chip.

A wiring board according to any one of claims 11 to 18,
At least one semiconductor chip mounted on the wiring board;
A semiconductor device including:

42. The semiconductor device according to claim 41, wherein
The semiconductor device, wherein the semiconductor chip is bonded to the substrate via an anisotropic conductive material in which conductive particles are dispersed in an adhesive.

The semiconductor device according to claim 42, wherein
The semiconductor device according to claim 1, wherein a part of the anisotropic conductive material is filled in the bent portion.

42. The semiconductor device according to claim 41, wherein
12. The semiconductor device according to claim 11, wherein the opening is formed in at least one of the semiconductor chip mounting area and the outside of the mounting area on the substrate.

42. The semiconductor device according to claim 41, wherein
A plurality of the semiconductor chips;
A semiconductor device in which a part of the substrate is bent and the plurality of semiconductor chips are stacked.

42. The semiconductor device according to claim 41, wherein
The opening according to claim 11 is formed outside the mounting region of the semiconductor chip on the substrate,
A semiconductor device in which a part of the substrate is bent and a portion of the substrate excluding the mounting region of the semiconductor chip is bonded to the semiconductor chip.

A wiring board according to any one of claims 19 to 22,
At least one semiconductor chip mounted on the substrate of the wiring board;
A semiconductor device including:

A wiring board according to claim 23,
At least one semiconductor chip mounted on the substrate of the wiring board;
A semiconductor device including:

A circuit board on which the semiconductor device according to claim 35 is mounted.

42. A circuit board on which the semiconductor device according to claim 41 is mounted.

48. A circuit board on which the semiconductor device according to claim 47 is mounted.

49. A circuit board on which the semiconductor device according to claim 48 is mounted.

An electronic device comprising the semiconductor device according to claim 35.

An electronic apparatus comprising the semiconductor device according to claim 41.

An electronic apparatus comprising the semiconductor device according to claim 47.

49. An electronic device comprising the semiconductor device according to claim 48.

Bending a portion of the conductive foil formed on one surface through the opening of the substrate in the opening toward the other surface to form a bent portion;
Filling the bending portion with a stress absorbing material;
A method of manufacturing a wiring board including:

In the manufacturing method of the wiring board according to claim 57,
A method of manufacturing a wiring substrate, wherein the bent portion is formed at a height that does not protrude from the other surface of the substrate.

In the manufacturing method of the wiring board according to claim 57,
A method of manufacturing a wiring board, wherein the bent portion is protruded from the other surface of the substrate to form a protruding portion.

The method of manufacturing a wiring board according to claim 59,
In the step of forming the bent portion, on the concave mold corresponding to the bent portion, the opening is aligned and the other surface of the substrate is placed, and the bent portion is formed from the one surface of the substrate. A method of manufacturing a wiring board, in which a convex mold corresponding to the above is pressed against the conductive foil.

The method of manufacturing a wiring board according to claim 59,
A method of manufacturing a wiring board, comprising a step of providing a protective member thicker than a protruding height of the protrusion on the other surface of the board.

In the manufacturing method of the wiring board according to claim 57,
An adhesive is interposed between the substrate and the conductive foil,
A method of manufacturing a wiring board, wherein the step of forming the bent portion is performed while drawing the adhesive into the opening.

In the manufacturing method of the wiring board of Claim 57,
A method of manufacturing a wiring board, wherein in the step of forming the bent portion, the bent portion is formed while being broken at a tip portion.

In the manufacturing method of the wiring board of Claim 57,
A method of manufacturing a wiring board, wherein in the step of forming the bent portion, a tip portion of the bent portion is terminated avoiding the surface of the substrate.

In the manufacturing method of the wiring board of Claim 57,
A method for manufacturing a wiring board, comprising a step of patterning the conductive foil to form a wiring pattern after the step of forming the bent portion.

In the manufacturing method of the wiring board of Claim 57,
A step of attaching a conductive foil to the substrate, and a step of patterning the conductive foil to form a wiring pattern,
A method of manufacturing a wiring board, wherein the step of forming the bent portion is performed on the conductive foil as the wiring pattern.

In the manufacturing method of the wiring board according to claim 65,
A method of manufacturing a wiring board, further comprising a step of plating the convex surface of the bent portion after forming the wiring pattern.

Manufacturing a wiring board including a step of bending a part of a conductive foil formed on one surface through an opening of a substrate to protrude from the one surface above the opening to form a bent portion Method.

The method of manufacturing a wiring board according to claim 68,
An adhesive is interposed between the substrate and the conductive foil,
A method of manufacturing a wiring board, wherein the step of forming the bent portion is performed while drawing the adhesive into the opening.

The method of manufacturing a wiring board according to claim 68,
A method of manufacturing a wiring board, wherein in the step of forming the bent portion, the bent portion is formed while being broken at a tip portion.

The method of manufacturing a wiring board according to claim 68,
A method of manufacturing a wiring board, wherein in the step of forming the bent portion, a tip portion of the bent portion is terminated avoiding the surface of the substrate.

The method of manufacturing a wiring board according to claim 68,
A method for manufacturing a wiring board, comprising: a step of filling a concave portion formed by a concave surface of the bent portion of the conductive foil with a resin after the step of forming the bent portion.

The method of manufacturing a wiring board according to claim 68,
A method for manufacturing a wiring board, comprising a step of patterning the conductive foil to form a wiring pattern after the step of forming the bent portion.

The method of manufacturing a wiring board according to claim 68,
A step of attaching a conductive foil to the substrate, and a step of patterning the conductive foil to form a wiring pattern,
A method of manufacturing a wiring board, wherein the step of forming the bent portion is performed on the conductive foil as the wiring pattern.

In the manufacturing method of the wiring board of Claim 73,
A method of manufacturing a wiring board, further comprising a step of plating the convex surface of the bent portion after forming the wiring pattern.

Bending a portion of the conductive foil formed on one surface through the opening of the substrate in the opening toward the other surface to form a bent portion;
Providing a conductive substance on the concave side of the bent portion;
A method of manufacturing a wiring board including:

In the manufacturing method of the wiring board according to claim 76,
A method for manufacturing a wiring board, wherein the conductive material is filled in the bent portion.

In the manufacturing method of the wiring board according to claim 76,
Filling the inside of the bent portion with an insulating resin,
A method of manufacturing a wiring board, wherein the conductive material is provided so as to reach the wiring pattern from the insulating resin.

In the manufacturing method of the wiring board according to claim 76,
A method of manufacturing a wiring board, wherein the conductive material is provided so as to reach the wiring pattern from above the recess, with the inside of the bent portion being hollow.

A portion of the conductive foil formed on one surface passing over the opening of the substrate is projected from the one surface above the opening to bend and form a bent portion;
Filling the opening and the bent portion of the substrate with a conductive substance;
A method of manufacturing a wiring board including:

A method for manufacturing a connection board in which a plurality of wiring boards each having a wiring pattern formed on a board are connected,
Forming a bent portion in the wiring pattern of at least one wiring board among the plurality of wiring boards;
Connecting the wiring pattern of the wiring board different from the wiring board on which the bent portion is formed and the bent portion;
The manufacturing method of the connection board which has at least.

In the manufacturing method of the connection board according to claim 81,
The substrate of the wiring board in which the bent portion is formed is formed with an opening,
A method for manufacturing a connection substrate, wherein the bent portion is formed at a position overlapping the opening in a planar manner.

The method for manufacturing a connection substrate according to claim 82,
Forming the wiring pattern in which the bent portion is formed on one surface of the substrate;
A method for manufacturing a connection substrate, wherein the bent portion is formed to protrude above the opening from the one surface.

The method for manufacturing a connection substrate according to claim 82,
Forming the wiring pattern in which the bent portion is formed on one surface of the substrate;
A method for manufacturing a connection substrate, wherein the bent portion is formed in the opening toward the other surface of the substrate.

In the manufacturing method of the connection board according to claim 81,
A method of manufacturing a connection substrate, wherein the wiring pattern and the bent portion of a wiring board different from the wiring substrate on which the bent portion is formed are connected by diffusing respective materials.

In the manufacturing method of the connection board according to claim 81,
A method for manufacturing a connection substrate, wherein the wiring pattern and the bent portion of a wiring board different from the substrate on which the bent portion is formed are connected by a conductive member.

A method for manufacturing a connection board in which a plurality of wiring boards each having a wiring pattern formed on a board are connected,
In at least one wiring board among the plurality of wiring boards, an opening is formed in the board,
Forming a bent portion on the wiring pattern of the substrate on which the opening is formed so as to overlap the opening in a plane;
Providing a conductive material on the concave side of the bent portion;
Connecting the wiring pattern of the wiring board different from the wiring board on which the bent portion is formed and the bent portion;
The manufacturing method of the connection board containing this.

In the manufacturing method of the connection board according to claim 87,
A method for manufacturing a connection substrate, wherein the conductive material is filled into the bent portion.

In the manufacturing method of the connection board according to claim 87,
Filling the inside of the bent portion with an insulating resin,
A method for manufacturing a connection substrate, wherein the conductive substance is provided so as to reach the wiring pattern from the insulating resin.

In the manufacturing method of the connection board according to claim 87,
A method for manufacturing a connection substrate, wherein the conductive material is provided so as to reach the wiring pattern from above the recess, with the inside of the bent portion being hollow.

A method for manufacturing a connection board in which a plurality of wiring boards each having a wiring pattern formed on a board are connected,
In at least one of the plurality of wiring boards, an opening is formed in the board, and the wiring pattern is formed on one surface of the board,
A step of forming a bent portion on the wiring pattern of the substrate in which the opening is formed by projecting from the one surface above the opening and bending it; and
Filling the opening and the bent portion of the substrate with a conductive substance;
Connecting the wiring pattern of the wiring board different from the wiring board on which the bent portion is formed and the bent portion;
The manufacturing method of the connection board containing this.

68. A method of manufacturing a semiconductor device, comprising a step of mounting at least one semiconductor chip on the substrate of the wiring substrate manufactured by the method according to claim 57.

93. A method of manufacturing a semiconductor device according to claim 92,
A method of manufacturing a semiconductor device, wherein in the step of mounting the semiconductor chip, the semiconductor chip is bonded to the substrate via an anisotropic conductive material in which conductive particles are dispersed in an adhesive.

93. A method of manufacturing a semiconductor device according to claim 92,
A plurality of the semiconductor chips are mounted on the substrate;
The substrate is a flexible substrate,
A method of manufacturing a semiconductor device, wherein a part of the substrate is bent and the plurality of semiconductor chips are stacked.

93. A method of manufacturing a semiconductor device according to claim 92,
The substrate is a flexible substrate,
A method for manufacturing a semiconductor device, wherein a part of the substrate is bent and the upper surface of the semiconductor chip is attached to the substrate.

76. A method of manufacturing a semiconductor device, comprising a step of mounting at least one semiconductor chip on the substrate of the wiring substrate manufactured by the method according to claim 68.

99. A method of manufacturing a semiconductor device according to claim 96,
A method of manufacturing a semiconductor device, wherein in the step of mounting the semiconductor chip, the semiconductor chip is bonded to the substrate via an anisotropic conductive material in which conductive particles are dispersed in an adhesive.

99. A method of manufacturing a semiconductor device according to claim 96,
A plurality of the semiconductor chips are mounted on the substrate;
The substrate is a flexible substrate,
A method of manufacturing a semiconductor device, wherein a part of the substrate is bent and the plurality of semiconductor chips are stacked.

99. A method of manufacturing a semiconductor device according to claim 96,
The substrate is a flexible substrate,
A method for manufacturing a semiconductor device, wherein a part of the substrate is bent and the upper surface of the semiconductor chip is attached to the substrate.

80. A method for manufacturing a semiconductor device, comprising a step of mounting at least one semiconductor chip on the substrate of the wiring substrate manufactured by the method according to any one of claims 76 to 79.

81. A method of manufacturing a semiconductor device, comprising a step of mounting at least one semiconductor chip on the substrate of a wiring substrate manufactured by the method of claim 80.