JP2008101982A - 水質評価方法及び装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】水質評価装置10の基板保持容器11に、該容器11内に収容された基板Wに向けて光を照射する光照射装置30と、該基板Wからの反射光を吸収する反射光トラップ40と、該基板Wからの散乱光を受光する散乱光受光装置50とが設けられている。散乱光受光装置50は、散乱光の強度を経時的に記録する散乱光強度記録演算器52を備えている。容器11内に検水を通水した状態で、光照射装置30から該容器11内の基板Wに向けて光を照射すると共に、散乱光受光装置50により該基板Wからの散乱光の強度を検出し、この検出値を散乱光強度記録演算器52により経時的に記録する。
【選択図】図1
Description
この場合でも、照射する光は電子デバイス基板に直接、正確に照射できるように光の照射端は、収容室内に露呈していることが望ましい。
本発明の水質評価方法で用いられる電子デバイス基板(以下、単に基板と称することがある。)Wとしては、シリコンウエハや、シリコンウエハの表面にシリコン酸化膜、アルミニウム薄膜又は銅薄膜が形成された基板、ガラス基板、GaAsウエハ、又はサファイアウエハなどが挙げられる。ただし、これらは一例であり、本発明では、これ以外の電子デバイス基板を用いることもできる。
この実施の形態における水質評価装置10は、基板Wの収容室12aを有した底盤12と、この収容室12aを閉鎖する上蓋13とからなる基板保持容器11を備えている。該収容室12aは、底盤12の上面から凹陥した円形の窪みよりなる。
基板保持容器11内に基板Wとしてシリコンウエハを収容し、検水として、抵抗率18.2MΩ・cm、TOC濃度1ppbの超純水を該容器11内に通水した。この状態で、光照射装置30から収容室12a内のシリコンウエハに向けてレーザー光を照射すると共に、散乱光受光装置50により該シリコンウエハからの散乱光の強度を検出し、この検出値を散乱光強度記録演算器52により経時的に記録した。
実施例1で用いた超純水に抵抗率17.0MΩ・cm、TOC濃度8ppbの一次純水を混合し、シリコンウエハを収容した基板保持容器11内に通水した。この混合した水の水質は、抵抗率18.0MΩ・cm、TOC濃度2ppbを示した。この状態で、光照射装置30から収容室12a内のシリコンウエハに向けてレーザー光を照射すると共に、散乱光受光装置50により該シリコンウエハからの散乱光の強度を検出し、この検出値を散乱光強度記録演算器52により経時的に記録した。
4 チューブ継手
10 水質評価装置
11 基板保持容器
12 底盤
12a 収容室
13 上蓋
14 給水口
15 排水口
16 給水管
17 排水管
18 導入管
19 導出管
20〜22 開閉バルブ
30 光照射装置
40 反射光トラップ
50 散乱光受光装置
52 散乱光強度記録演算器
W 基板
Claims (8)
- 電子デバイス基板を収容する収容室を有すると共に、該収容室に検水を流通させるための流入口及び流出口を有する容器と、
該収容室内に収容された電子デバイス基板に向けて光を照射する光照射手段と、
該電子デバイス基板からの反射光又は散乱光を受光してその強度を検出する受光手段と
を備えてなる水質評価装置。 - 請求項1において、前記光照射手段の光の照射端及び受光手段の光の受光端は、それぞれ前記収容室内に露呈していることを特徴とする水質評価装置。
- 請求項1において、前記容器の少なくとも一部が透光性を有しており、
前記受光手段は、前記容器外に配置され、且つ該透光性の部分に臨んで配置されていることを特徴とする水質評価装置。 - 請求項1ないし3のいずれか1項において、前記受光手段の受光信号強度又はその変化を経時的に記録する記録手段を備えたことを特徴とする水質評価装置。
- 請求項1ないし4のいずれか1項において、前記受光手段の受光信号強度又はその変化が所定値に達したときに警報信号を発生する警報手段を備えたことを特徴とする水質評価装置。
- 請求項1ないし5のいずれか1項において、前記光照射手段は特定波長の光を照射するものであり、前記受光手段はこの特定波長の光の強度を検知するものであることを特徴とする水質評価装置。
- 超純水の水質を評価する水質評価方法において、
請求項1ないし6のいずれか1項に記載の水質評価装置の収容室内に電子デバイス基板を収容し、該収容室内に超純水よりなる検水を連続的に流通させると共に、
電子デバイス基板に前記光照射手段で光を照射し、反射光又は散乱光の強度を前記受光手段で検知して水質評価を行うことを特徴とする水質評価方法。 - 請求項7において、電子デバイス基板として、シリコンウエハ、シリコンウエハの表面にシリコン酸化膜、アルミニウム薄膜又は銅薄膜が形成された基板、ガラス基板、GaAsウエハ、又はサファイアウエハを用いることを特徴とする水質評価方法。
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