JP2008098648A - プラズマ処理装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】pMOS11のソース領域15およびドレイン電極16を構成する不純物拡散層を50nm程度の極浅に形成する。極浅の不純物拡散層は、低エネルギーでのイオン打ち込み工程の後、RLSAプラズマを用いたアニール工程を行うことにより形成される。アニール工程では、RLSAプラズマにより、シリコン基板12表面近傍のシリコン原子のみが選択的に励起され、深さ方向への不純物拡散は抑制される。
【選択図】図1
Description
また、本発明は、極浅の拡散層を信頼性高く形成することが可能な半導体装置の製造装置に関する。
さらに、本発明は、基板表面のシリコン結晶を選択的に励起することが可能な半導体装置の製造装置に関する。
チャンバと、
前記チャンバに所定のガスを供給するガス供給部と、
前記チャンバ内にマイクロ波を導入するための複数のスリットを有する平面アンテナと、
前記平面アンテナに対向して配置され、予め不純物がドーピングされた被処理基板を加熱する基板保持部と、
前記チャンバ内の圧力を40Pa〜0.13kPaの範囲に保持する減圧排気部と、
前記ガス供給部により前記チャンバ内に供給させた前記ガスを前記平面アンテナ部からのマイクロ波により0.7eV〜2eVの電子温度を有するプラズマを生成するプラズマ生成部と、
前記プラズマ生成部で生成されたプラズマを前記被処理基板に照射して、該プラズマ中の活性種により前記被処理基板の表面を励起し、前記被処理基板にドーピングされている前記不純物を活性化して、不純物拡散層を形成させるように制御する制御部と、
を備える、ことを特徴とする。
図2に示すように、製造装置100は、カセットステーション101と、処理ステーション102と、から構成される。
また、N2の代わりにO2を用いてもよい。また、H2、O2等を添加してもよい。特に、H2を添加した場合、H2から発生するHラジカルは、Siのダングリングボンドと結合し、形成されるシリコン酸化膜を安定化させ、膜質を向上させることができる。
12 シリコン基板
13 ゲート絶縁膜
14 ゲート電極
15 ソース領域
16 ドレイン領域
100 製造装置
101 カセットステーション
102 処理ステーション
111、111 ドーピングユニット
112、113 アニールユニット
212 RLSA
Claims (1)
- チャンバと、
前記チャンバに所定のガスを供給するガス供給部と、
前記チャンバ内にマイクロ波を導入するための複数のスリットを有する平面アンテナと、
前記平面アンテナに対向して配置され、予め不純物がドーピングされた被処理基板を加熱する基板保持部と、
前記チャンバ内の圧力を40Pa〜0.13kPaの範囲に保持する減圧排気部と、
前記ガス供給部により前記チャンバ内に供給させた前記ガスを前記平面アンテナ部からのマイクロ波により0.7eV〜2eVの電子温度を有するプラズマを生成するプラズマ生成部と、
前記プラズマ生成部で生成されたプラズマを前記被処理基板に照射して、該プラズマ中の活性種により前記被処理基板の表面を励起し、前記被処理基板にドーピングされている前記不純物を活性化して、不純物拡散層を形成させるように制御する制御部と、
を備える、ことを特徴とするプラズマ処理装置。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP2107798A1 (en) | 2008-04-04 | 2009-10-07 | Sony Corporation | Imaging apparatus, image processing apparatus, and exposure control method |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60138973A (ja) * | 1983-12-27 | 1985-07-23 | Fuji Electric Corp Res & Dev Ltd | 絶縁ゲ−ト型電界効果トランジスタの製造方法 |
JPH01111320A (ja) * | 1987-10-26 | 1989-04-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 不純物の拡散方法 |
JPH08111297A (ja) * | 1994-08-16 | 1996-04-30 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
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2007
- 2007-10-25 JP JP2007277547A patent/JP4964736B2/ja not_active Expired - Fee Related
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