JP2008098419A - Sealing film and semiconductor device using the same - Google Patents
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- 238000007789 sealing Methods 0.000 title claims abstract description 86
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 25
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 46
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 claims description 83
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims description 36
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims description 36
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 claims description 32
- 239000011256 inorganic filler Substances 0.000 claims description 30
- 229910003475 inorganic filler Inorganic materials 0.000 claims description 30
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 13
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 13
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 13
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 138
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 22
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 22
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 21
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 20
- 239000000463 material Substances 0.000 description 19
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 16
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 16
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 15
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 description 12
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- -1 and among them Substances 0.000 description 10
- PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N bisphenol F Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1CC1=CC=C(O)C=C1 PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 10
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 8
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 8
- 229920000800 acrylic rubber Polymers 0.000 description 7
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 7
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 7
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 7
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 7
- QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 2-methylphenol;3-methylphenol;4-methylphenol Chemical compound CC1=CC=C(O)C=C1.CC1=CC=CC(O)=C1.CC1=CC=CC=C1O QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229930003836 cresol Natural products 0.000 description 6
- 229910002026 crystalline silica Inorganic materials 0.000 description 6
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 6
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 6
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 6
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 6
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 5
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 5
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 5
- 239000002966 varnish Substances 0.000 description 5
- VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L Calcium carbonate Chemical compound [Ca+2].[O-]C([O-])=O VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 4
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 4
- 229920000459 Nitrile rubber Polymers 0.000 description 4
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 4
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 4
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 4
- 238000010330 laser marking Methods 0.000 description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- VPWNQTHUCYMVMZ-UHFFFAOYSA-N 4,4'-sulfonyldiphenol Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1S(=O)(=O)C1=CC=C(O)C=C1 VPWNQTHUCYMVMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 3
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 3
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 3
- 229920001955 polyphenylene ether Polymers 0.000 description 3
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 3
- BVYPJEBKDLFIDL-UHFFFAOYSA-N 3-(2-phenylimidazol-1-yl)propanenitrile Chemical compound N#CCCN1C=CN=C1C1=CC=CC=C1 BVYPJEBKDLFIDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 2
- 229930185605 Bisphenol Natural products 0.000 description 2
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 2
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 2
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 2
- WNROFYMDJYEPJX-UHFFFAOYSA-K aluminium hydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[OH-].[Al+3] WNROFYMDJYEPJX-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 2
- 230000001588 bifunctional effect Effects 0.000 description 2
- WTEOIRVLGSZEPR-UHFFFAOYSA-N boron trifluoride Chemical compound FB(F)F WTEOIRVLGSZEPR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000019 calcium carbonate Inorganic materials 0.000 description 2
- BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Chemical compound [O-2].[Ca+2] BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000292 calcium oxide Substances 0.000 description 2
- ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Inorganic materials [Ca]=O ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000378 calcium silicate Substances 0.000 description 2
- 229910052918 calcium silicate Inorganic materials 0.000 description 2
- OYACROKNLOSFPA-UHFFFAOYSA-N calcium;dioxido(oxo)silane Chemical compound [Ca+2].[O-][Si]([O-])=O OYACROKNLOSFPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 238000003851 corona treatment Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000000806 elastomer Substances 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000013007 heat curing Methods 0.000 description 2
- 125000000623 heterocyclic group Chemical group 0.000 description 2
- ZLNQQNXFFQJAID-UHFFFAOYSA-L magnesium carbonate Chemical compound [Mg+2].[O-]C([O-])=O ZLNQQNXFFQJAID-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 239000001095 magnesium carbonate Substances 0.000 description 2
- 229910000021 magnesium carbonate Inorganic materials 0.000 description 2
- VTHJTEIRLNZDEV-UHFFFAOYSA-L magnesium dihydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[Mg+2] VTHJTEIRLNZDEV-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 239000000347 magnesium hydroxide Substances 0.000 description 2
- 229910001862 magnesium hydroxide Inorganic materials 0.000 description 2
- HCWCAKKEBCNQJP-UHFFFAOYSA-N magnesium orthosilicate Chemical compound [Mg+2].[Mg+2].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] HCWCAKKEBCNQJP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 2
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000391 magnesium silicate Substances 0.000 description 2
- 229910052919 magnesium silicate Inorganic materials 0.000 description 2
- 235000019792 magnesium silicate Nutrition 0.000 description 2
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N manganese dioxide Chemical compound O=[Mn]=O NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- QWVGKYWNOKOFNN-UHFFFAOYSA-N o-cresol Chemical compound CC1=CC=CC=C1O QWVGKYWNOKOFNN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 2
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 2
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 2
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 229920000306 polymethylpentene Polymers 0.000 description 2
- 239000011116 polymethylpentene Substances 0.000 description 2
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 2
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 2
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 2
- 239000002987 primer (paints) Substances 0.000 description 2
- 239000005060 rubber Substances 0.000 description 2
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 2
- 230000000930 thermomechanical effect Effects 0.000 description 2
- OUPZKGBUJRBPGC-UHFFFAOYSA-N 1,3,5-tris(oxiran-2-ylmethyl)-1,3,5-triazinane-2,4,6-trione Chemical compound O=C1N(CC2OC2)C(=O)N(CC2OC2)C(=O)N1CC1CO1 OUPZKGBUJRBPGC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KUBDPQJOLOUJRM-UHFFFAOYSA-N 2-(chloromethyl)oxirane;4-[2-(4-hydroxyphenyl)propan-2-yl]phenol Chemical compound ClCC1CO1.C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 KUBDPQJOLOUJRM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-6-methylphenol Chemical compound [CH]OC1=CC=CC([CH])=C1O KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 229910002012 Aerosil® Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920003319 Araldite® Polymers 0.000 description 1
- 229910015900 BF3 Inorganic materials 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000005062 Polybutadiene Substances 0.000 description 1
- 239000004697 Polyetherimide Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- 239000004820 Pressure-sensitive adhesive Substances 0.000 description 1
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical compound [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- CYKMNKXPYXUVPR-UHFFFAOYSA-N [C].[Ti] Chemical compound [C].[Ti] CYKMNKXPYXUVPR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 150000008065 acid anhydrides Chemical class 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 125000002723 alicyclic group Chemical group 0.000 description 1
- OJMOMXZKOWKUTA-UHFFFAOYSA-N aluminum;borate Chemical compound [Al+3].[O-]B([O-])[O-] OJMOMXZKOWKUTA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000410 antimony oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000033228 biological regulation Effects 0.000 description 1
- 238000011088 calibration curve Methods 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 239000007822 coupling agent Substances 0.000 description 1
- 230000001186 cumulative effect Effects 0.000 description 1
- XLJMAIOERFSOGZ-UHFFFAOYSA-M cyanate Chemical compound [O-]C#N XLJMAIOERFSOGZ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 1
- 238000010528 free radical solution polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005227 gel permeation chromatography Methods 0.000 description 1
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 230000000116 mitigating effect Effects 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 238000010295 mobile communication Methods 0.000 description 1
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 1
- AFEQENGXSMURHA-UHFFFAOYSA-N oxiran-2-ylmethanamine Chemical compound NCC1CO1 AFEQENGXSMURHA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VTRUBDSFZJNXHI-UHFFFAOYSA-N oxoantimony Chemical compound [Sb]=O VTRUBDSFZJNXHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 239000013034 phenoxy resin Substances 0.000 description 1
- 229920006287 phenoxy resin Polymers 0.000 description 1
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical compound N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 description 1
- 229920002857 polybutadiene Polymers 0.000 description 1
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 1
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 1
- 229920001601 polyetherimide Polymers 0.000 description 1
- 229920013716 polyethylene resin Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 229920005990 polystyrene resin Polymers 0.000 description 1
- 239000005077 polysulfide Substances 0.000 description 1
- 229920001021 polysulfide Polymers 0.000 description 1
- 150000008117 polysulfides Polymers 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 238000000518 rheometry Methods 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000002791 soaking Methods 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 238000010557 suspension polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 238000009864 tensile test Methods 0.000 description 1
- 235000007586 terpenes Nutrition 0.000 description 1
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 1
- 229920002803 thermoplastic polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 230000009974 thixotropic effect Effects 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
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- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
Description
本発明は、封止フィルム、及びこれを用いた半導体装置に関する。 The present invention relates to a sealing film and a semiconductor device using the same.
携帯電話に代表される移動体通信機器の高周波化・軽薄短小化(テレビ機能搭載携帯電話の普及)が進んでいる。これに伴い、電波のノイズを除去するための弾性表面波(SAW:Surface Acoustic Wave、以下SAWともいう。)フィルターの需要が増大し、SAWフィルターにも小型・軽量化が求められている。 Higher frequency, lighter, thinner and smaller mobile communication devices represented by mobile phones (spreading of mobile phones equipped with TV functions) are advancing. Along with this, the demand for surface acoustic wave (SAW) filters for removing radio wave noise has increased, and SAW filters are also required to be smaller and lighter.
小型・軽量化のために、CSP(チップサイズパッケージ)型のSAWフィルターが提案されている。CSP型のSAWフィルターは、基板上に小型化した多数のSAWフィルター用チップ(以下、SAWチップともいう。)を搭載しチップを封止した後に、ダイシングにより基板を個片化して作製することができる。 In order to reduce the size and weight, a CSP (chip size package) type SAW filter has been proposed. A CSP-type SAW filter can be manufactured by mounting a large number of miniaturized SAW filter chips (hereinafter also referred to as SAW chips) on a substrate, sealing the chip, and then dicing the substrate into individual pieces. it can.
SAWチップを基板に実装する際には、SAWチップが、SAWチップのSAW電極が形成された面(以下、SAW電極面ともいう。)が基板のSAWチップ接続用配線パターンが形成された面(以下、基板表面ともいう。)に対面するように、基板上に配置され、SAW電極が基板の配線パターンとバンプにより接続される。SAWチップは、弾性表面波を発生するためのSAW電極面が他の部材に接触すると、弾性表面波の発生阻害が生じることがある。また、弾性表面波を伝播する基板、例えば水晶に他の部材が接触すると、弾性表面波の伝播阻害が生じることがある。したがって、SAWチップを樹脂などの材料(封止材)で封止する際には、SAW電極面と基板表面とが封止材で汚染されることがないようにしなければならない。すなわち、SAWチップと基板表面とのあいだに設けられたバンプの高さに相当する高さの空間が、SAWフィルター内に中空の状態で維持されなければならない。 When the SAW chip is mounted on the substrate, the surface of the SAW chip on which the SAW electrode of the SAW chip is formed (hereinafter also referred to as the SAW electrode surface) is the surface of the substrate on which the SAW chip connection wiring pattern is formed ( Hereinafter, it is also arranged on the substrate so as to face the substrate surface), and the SAW electrodes are connected to the wiring pattern of the substrate by bumps. In the SAW chip, when the SAW electrode surface for generating the surface acoustic wave comes into contact with another member, the generation of the surface acoustic wave may be inhibited. Further, when other members come into contact with a substrate that propagates a surface acoustic wave, for example, quartz, the surface acoustic wave propagation may be inhibited. Therefore, when the SAW chip is sealed with a material (sealing material) such as resin, it is necessary to prevent the SAW electrode surface and the substrate surface from being contaminated by the sealing material. That is, a space corresponding to the height of the bump provided between the SAW chip and the substrate surface must be maintained in a hollow state in the SAW filter.
上記を達成するために、SAWチップを保護する保護層を形成する方法が提案されている(例えば、特許文献1参照)。この方法においては、まず、SAWチップを基板上にバンプの高さに相当する高さ離して配置し、次いで、エポキシ樹脂フィルムなどのフィルムを用いて、フィルムの端部が基板表面(SAWチップと接続される配線パターンが設けられている面)に達するようにSAWチップを覆い、さらに、該フィルム表面(SAWチップと接する面の反対面)に液状の紫外線硬化型樹脂などの樹脂を塗布し、硬化させる。 In order to achieve the above, a method of forming a protective layer for protecting the SAW chip has been proposed (see, for example, Patent Document 1). In this method, first, SAW chips are arranged on the substrate at a height corresponding to the height of the bumps, and then, using a film such as an epoxy resin film, the end of the film is placed on the substrate surface (SAW chip and The SAW chip is covered so as to reach the surface of the wiring pattern to be connected), and further, a resin such as a liquid UV-curable resin is applied to the film surface (the surface opposite to the surface in contact with the SAW chip), Harden.
しかしながら、上記の方法は、煩雑で長い工程が必要である。したがって、本発明は、SAW電極面と基板表面とが封止材で汚染されることがなく、信頼性に優れたSAWデバイスを簡便に得ることを可能とする封止フィルムを提供することを目的とする。また、本発明は、前記封止フィルムを用いた半導体装置を提供することを目的とする。 However, the above method requires a complicated and long process. Therefore, an object of the present invention is to provide a sealing film that can easily obtain a SAW device having excellent reliability without causing the SAW electrode surface and the substrate surface to be contaminated by the sealing material. And Another object of the present invention is to provide a semiconductor device using the sealing film.
本発明の発明者らによる鋭意検討の結果、特定の粘度を有するA層及びB層を含む封止フィルムにより上記課題が解決されることを見出した。 As a result of intensive studies by the inventors of the present invention, it has been found that the above-mentioned problems can be solved by a sealing film including a layer A and a layer B having a specific viscosity.
本発明は、A層及びB層を備え、A層の80℃以上150℃以下の温度範囲における最低ずり粘度が1,000Pa・s以上50,000Pa・s未満であり、B層の80℃以上150℃以下の温度範囲における最低ずり粘度が50,000Pa・s以上であることを特徴とする封止フィルムに関する。
前記封止フィルムは、好ましくは、弾性表面波デバイスに用いられる封止フィルムであって、弾性表面波デバイスが弾性表面波チップ、基板及び封止フィルムを有し、弾性表面波チップが、弾性表面波チップの電極面が基板と対向するように基板上に配置され、弾性表面波チップの電極がバンプを介して基板に接続され、弾性表面波チップと基板との間に空間があり、弾性表面波チップが封止フィルムにより封止されており、封止フィルムのB層が、弾性表面波チップの電極面とは反対の面、弾性表面波チップの側面、及び基板に接するように用いられる。
また、前記封止フィルムは、A層の厚みが(a+b)μm以上((a+b)×2)μm以下であり、B層の厚みが(b×1/10)μm以上bμm以下であることが好ましい。ここで、aは弾性表面波チップの厚み、bはバンプの高さである。
さらに、前記封止フィルムは、A層及びB層が熱硬化性成分を含有し、熱硬化性成分がエポキシ樹脂及び硬化剤を含むことが好ましい。
また、前記封止フィルムに含まれるA層は、好ましくは、(1)軟化点又は融点が−40〜50℃である熱硬化性成分、(2)重量平均分子量10万以上の高分子量成分、及び(3)無機フィラーを含有し、高分子量成分の含有量が熱硬化性成分100重量部に対し5〜100重量部であり、無機フィラーの含有量がA層全体の体積に対して40〜80体積%である。
さらに、前記A層を硬化して得られる硬化物の200℃における弾性率が100MPa以上であり、25〜150℃の温度範囲における平均線膨張係数が40ppm以下であることが好ましい。
また、前記封止フィルムに含まれるB層の25℃における破断伸びが50%以上500%以下であることが好ましい。
他の本発明は、半導体チップを前記封止フィルムを用いて封止した半導体装置に関する。半導体チップは、弾性表面波チップであることが好ましい。
The present invention comprises an A layer and a B layer, the lowest shear viscosity in the temperature range of 80 ° C. or more and 150 ° C. or less of the A layer is 1,000 Pa · s or more and less than 50,000 Pa · s, and the B layer is 80 ° C. or more. The present invention relates to a sealing film having a minimum shear viscosity of 50,000 Pa · s or more in a temperature range of 150 ° C. or lower.
The sealing film is preferably a sealing film used for a surface acoustic wave device, the surface acoustic wave device has a surface acoustic wave chip, a substrate and a sealing film, and the surface acoustic wave chip is a surface acoustic wave. The electrode surface of the wave chip is arranged on the substrate so as to face the substrate, the electrode of the surface acoustic wave chip is connected to the substrate through the bump, and there is a space between the surface acoustic wave chip and the substrate, and the elastic surface The wave chip is sealed with a sealing film, and the B layer of the sealing film is used so as to contact the surface opposite to the electrode surface of the surface acoustic wave chip, the side surface of the surface acoustic wave chip, and the substrate.
In the sealing film, the A layer has a thickness of (a + b) μm or more and ((a + b) × 2) μm or less, and the B layer has a thickness of (b × 1/10) μm or more and b μm or less. preferable. Here, a is the thickness of the surface acoustic wave chip, and b is the height of the bump.
Furthermore, as for the said sealing film, it is preferable that A layer and B layer contain a thermosetting component, and a thermosetting component contains an epoxy resin and a hardening | curing agent.
Moreover, the A layer contained in the sealing film is preferably (1) a thermosetting component having a softening point or a melting point of −40 to 50 ° C., (2) a high molecular weight component having a weight average molecular weight of 100,000 or more, And (3) containing an inorganic filler, the content of the high molecular weight component is 5 to 100 parts by weight based on 100 parts by weight of the thermosetting component, and the content of the inorganic filler is 40 to the volume of the entire A layer. 80% by volume.
Furthermore, the elastic modulus at 200 ° C. of the cured product obtained by curing the A layer is preferably 100 MPa or more, and the average linear expansion coefficient in the temperature range of 25 to 150 ° C. is preferably 40 ppm or less.
Moreover, it is preferable that the breaking elongation in 25 degreeC of B layer contained in the said sealing film is 50% or more and 500% or less.
Another aspect of the present invention relates to a semiconductor device in which a semiconductor chip is sealed using the sealing film. The semiconductor chip is preferably a surface acoustic wave chip.
本発明の封止フィルムにより、半導体チップを良好に封止フィルム内に埋め込み、封止することができ、信頼性に優れた半導体装置を容易に得ることができる。特に、半導体チップ電極面と基板表面の間への樹脂の流れ込みによる汚染がなく、信頼性に優れたSAWデバイスを容易に得ることができる。本発明の封止フィルムによれば、半導体チップを一度のヒートプレスにより簡便に封止することが可能である。 With the sealing film of the present invention, the semiconductor chip can be satisfactorily embedded and sealed in the sealing film, and a highly reliable semiconductor device can be easily obtained. In particular, there is no contamination due to the flow of resin between the semiconductor chip electrode surface and the substrate surface, and a SAW device having excellent reliability can be easily obtained. According to the sealing film of the present invention, the semiconductor chip can be easily sealed by a single heat press.
本発明の封止フィルムはA層及びB層の2層を含む構造からなる。封止フィルムはA層及びB層の2層のみからなってもよいが、さらに任意の層を有していても良い。任意の層を有する封止フィルムとしては、例えば、基材層上にA層及びB層が積層された封止フィルム、基材層上にA層及びB層が積層され、さらにその上に保護フィルムが積層された封止フィルム、A層とB層の間に中間層を有する封止フィルムがある。チップを封止する際には、基材層や保護フィルムは除去される。 The sealing film of this invention consists of a structure containing 2 layers of A layer and B layer. The sealing film may be composed of only two layers of the A layer and the B layer, but may further have an arbitrary layer. As a sealing film having an arbitrary layer, for example, a sealing film in which an A layer and a B layer are laminated on a base material layer, an A layer and a B layer are laminated on a base material layer, and further a protection is provided thereon. There is a sealing film in which films are laminated, and a sealing film having an intermediate layer between an A layer and a B layer. When sealing the chip, the base material layer and the protective film are removed.
本発明の封止フィルムは、好ましくは、SAWデバイス用の封止材として使用される。封止フィルムの用途はこれに限定されず、例えば、CSPパッケージ等のチップ搭載デバイスや、IT機器に用いられる抵抗や電気フィルター等の小型デバイス用の封止材として用いることができる。SAWチップを封止する際には、好ましくは、B層が内側の層、すなわち、SAWチップに接する層となる。この場合、A層は外側の層、すなわち、SAWデバイスの表面となる層である。以下、本発明の封止フィルムについて、SAWデバイスに用いる場合を例に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。 The sealing film of the present invention is preferably used as a sealing material for SAW devices. The use of the sealing film is not limited to this, and for example, it can be used as a sealing material for chip mounted devices such as CSP packages, and small devices such as resistors and electric filters used in IT equipment. When sealing the SAW chip, the B layer is preferably an inner layer, that is, a layer in contact with the SAW chip. In this case, the A layer is an outer layer, that is, a layer that becomes the surface of the SAW device. Hereinafter, although the case where it uses for a SAW device is demonstrated to an example about the sealing film of this invention, this invention is not limited to this.
図1は、本発明の封止フィルム2によりSAWチップ3が封止されてなるSAWデバイス1の一例を示す断面模式図である。SAWデバイス1は、少なくともSAWチップ3、基板6、及び封止フィルム2を有する。SAWチップ3は、その電極面7が基板6と対向するように配置されている。基板6のSAWチップ3と対向する面には、SAWチップ接続用の配線パターン11が形成されている。SAWチップ3の電極4はバンプ5を介して基板6の配線パターンに接続(接着)され、SAWチップ3の電極面7と基板6との間には、ほぼバンプ5の高さに対応する高さの空間8がある。SAWチップ3は封止フィルム2により封止されている。封止フィルム2のB層10がSAWチップ3の電極面7とは反対の面、及びSAWチップ3の側面に接し、封止フィルム2の外周部2aのB層が基板表面に接している。図1中、9はA層、11は基板に設けられたSAWチップ接続用配線パターンを示す。
FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing an example of a
封止フィルムを用いてSAWチップを封止する際には、封止フィルムにSAWチップを埋め込む。封止フィルムは、80℃以上150℃以下の温度条件でチップを埋め込む際に、チップが破損することがないよう適度な流動性を有することが望ましい。したがって、チップの埋め込み性の観点から、A層の80℃以上150℃以下の温度範囲での最低ずり粘度は、1,000Pa・s以上50,000Pa・s未満である。さらに、5,000Pa・s以上20,000Pa・s未満であることが好ましい。最低ずり粘度が1,000未満であるとフィルムの流動性が大きく、封止フィルムの厚みにバラツキが発生し、SAWデバイスの表面をフラットに保てなくなる。一方、50,000Pa・s以上であると流動性が悪くなり、チップが破損しない圧力でチップを封止フィルムに埋め込むことができない。 When sealing a SAW chip using a sealing film, the SAW chip is embedded in the sealing film. The sealing film desirably has appropriate fluidity so that the chip is not damaged when the chip is embedded at a temperature of 80 ° C. or higher and 150 ° C. or lower. Therefore, from the viewpoint of chip embeddability, the lowest shear viscosity of the A layer in the temperature range of 80 ° C. or more and 150 ° C. or less is 1,000 Pa · s or more and less than 50,000 Pa · s. Furthermore, it is preferably 5,000 Pa · s or more and less than 20,000 Pa · s. If the minimum shear viscosity is less than 1,000, the fluidity of the film is large, the thickness of the sealing film varies, and the surface of the SAW device cannot be kept flat. On the other hand, when it is 50,000 Pa · s or more, the fluidity is deteriorated, and the chip cannot be embedded in the sealing film with a pressure that does not damage the chip.
B層は、チップと基板の間への樹脂の流れ込みを防止し、かつ、チップと基板の間に十分な空隙を保つために、流動性が小さいことが望ましい。B層の80℃以上150℃以下の温度範囲での最低ずり粘度は、50,000Pa・s以上である。B層の最低ずり粘度が50,000Pa・s未満であると樹脂の流れ性が大きく、チップと基板との間へ樹脂が流れ込み、十分な空隙を保つことができない。B層の最低ずり粘度は、好ましくは50,000Pa・s以上300,000Pa・s以下であり、より好ましくは80,000Pa・s以上200,000Pa・s以下である。 The B layer desirably has low fluidity in order to prevent the resin from flowing between the chip and the substrate and to maintain a sufficient gap between the chip and the substrate. The lowest shear viscosity of the B layer in the temperature range of 80 ° C. or higher and 150 ° C. or lower is 50,000 Pa · s or higher. If the minimum shear viscosity of the B layer is less than 50,000 Pa · s, the flowability of the resin is large, the resin flows between the chip and the substrate, and a sufficient gap cannot be maintained. The lowest shear viscosity of the B layer is preferably 50,000 Pa · s or more and 300,000 Pa · s or less, and more preferably 80,000 Pa · s or more and 200,000 Pa · s or less.
本発明において最低ずり粘度は、回転型レオメーターを用い、平行円板(直径8mm)にA層又はB層をそれぞれの層厚より2〜5μm小さなギャップ幅で挟み、周波数1Hz、歪み1%、昇温速度5℃/分の条件で測定した際の複素粘度の値として求めることができる。測定は、Bステージ状態の層について行う。
In the present invention, the lowest shear viscosity is obtained by using a rotary rheometer and sandwiching the A layer or the B layer in a parallel disk (
A層はチップを良好に埋め込むために適した粘度を有し、B層はチップと基板との間に空間を保つために適した粘度を有する。SAWチップは、封止フィルムのA層がSAWデバイスの表層となり、B層がチップおよび基板と接触する状態で封止される。 The A layer has a viscosity suitable for satisfactorily embedding the chip, and the B layer has a viscosity suitable for maintaining a space between the chip and the substrate. In the SAW chip, the A layer of the sealing film becomes the surface layer of the SAW device, and the B layer is sealed in a state where the B layer is in contact with the chip and the substrate.
チップを埋め込むために、A層の厚みは(a+b)μm以上((a+b)×2)μm以下であることが好ましい。ここで、aは弾性表面波チップの厚み、bはバンプの高さである。(a+b)μm未満では厚みが不足し、チップを十分に埋め込むことができない場合がある。また、フィルターの小型化の観点から((a+b)×2)μmを超えないことが好ましい。 In order to embed the chip, the thickness of the A layer is preferably (a + b) μm or more ((a + b) × 2) μm or less. Here, a is the thickness of the surface acoustic wave chip, and b is the height of the bump. If the thickness is less than (a + b) μm, the thickness may be insufficient and the chip may not be sufficiently embedded. Moreover, it is preferable not to exceed ((a + b) × 2) μm from the viewpoint of downsizing the filter.
一方、チップと基板との間に空隙を保つ必要があることから、B層の厚みは(b×1/10)μm以上bμm以下であることが好ましい。B層の厚みが(b×1/10)未満であると、B層が封止時に破断し、A層がチップと基板との間に流れ込む場合がある。一方、bμmを超えると、封止フィルム全体の埋め込み性が低下してチップの埋め込みが困難になる場合がある。 On the other hand, since it is necessary to maintain a gap between the chip and the substrate, the thickness of the B layer is preferably (b × 1/10) μm or more and b μm or less. If the thickness of the B layer is less than (b × 1/10), the B layer may break during sealing, and the A layer may flow between the chip and the substrate. On the other hand, if it exceeds b μm, the embedding property of the entire sealing film may be lowered, and chip embedding may be difficult.
チップの厚さaμmについて特に限定はないが、通常50〜300μm、好ましくは100〜200μmである。バンプの高さbμmについても特に限定はないが、通常25〜100μm、好ましくは50〜80μmである。 Although there is no limitation in particular about the chip thickness amicrometer, it is 50-300 micrometers normally, Preferably it is 100-200 micrometers. The height b of the bump is not particularly limited, but is usually 25 to 100 μm, preferably 50 to 80 μm.
本発明におけるA層及びB層としては、上記粘度を有する層であればその成分に特に制限はない。 The A layer and the B layer in the present invention are not particularly limited as long as the components have the above viscosity.
A層は熱硬化性成分を含むことが好ましい。さらに、A層が上記粘度を有するためには、(1)軟化点又は融点が−40℃〜50℃である熱硬化性成分、(2)重量平均分子量10万以上の高分子量成分、及び(3)無機フィラーを含むことが好ましく、高分子量成分の含有量が熱硬化性成分100重量部に対し5〜100重量部であり、無機フィラーの含有量がA層全体の体積に対して40〜80体積%であることが特に好ましい。 The A layer preferably contains a thermosetting component. Furthermore, in order for the A layer to have the above viscosity, (1) a thermosetting component having a softening point or melting point of −40 ° C. to 50 ° C., (2) a high molecular weight component having a weight average molecular weight of 100,000 or more, and ( 3) It is preferable to contain an inorganic filler, the content of the high molecular weight component is 5 to 100 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the thermosetting component, and the content of the inorganic filler is 40 to 40% with respect to the volume of the entire A layer. 80% by volume is particularly preferred.
A層に用いられる熱硬化性成分としては特に制限はない。使用できる熱硬化性成分としては、エポキシ樹脂、シアネート樹脂、フェノール樹脂及び必要に応じその硬化剤等が挙げられるが、耐熱性が高い点で、エポキシ樹脂が好ましい。エポキシ樹脂としては、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールAD型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ビスフェノールS型エポキシ樹脂などの二官能エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂などのノボラック型エポキシ樹脂などを使用することができる。また、多官能エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、複素環含有エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂など、一般に知られているものを適用することができる。エポキシ樹脂は、単独または2種類以上を組み合わせて、使用することができる。 There is no restriction | limiting in particular as a thermosetting component used for A layer. Examples of the thermosetting component that can be used include an epoxy resin, a cyanate resin, a phenol resin, and, if necessary, a curing agent thereof. An epoxy resin is preferable because of its high heat resistance. Epoxy resins include bifunctional epoxy resins such as bisphenol A type epoxy resin, bisphenol AD type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, bisphenol S type epoxy resin, novolak type such as phenol novolac type epoxy resin and cresol novolak type epoxy resin. An epoxy resin or the like can be used. Moreover, what is generally known, such as a polyfunctional epoxy resin, a glycidyl amine type epoxy resin, a heterocyclic ring-containing epoxy resin, an alicyclic epoxy resin, can be applied. An epoxy resin can be used individually or in combination of 2 or more types.
二官能エポキシ樹脂としては、油化シェルエポキシ株式会社製、商品名:エピコート807,815,825,827,828,834,1001,1004,1007,1009、ダウケミカル社製、商品名:DER−330,301,361、東都化成株式会社製、商品名:YD-8125,YDF-8170,YDF-8170Cなどが挙げられる。 As bifunctional epoxy resin, Yuka Shell Epoxy Co., Ltd., trade name: Epicoat 807, 815, 825, 827, 828, 834, 1001, 1004, 1007, 1009, Dow Chemical Co., trade name: DER-330 301, 361, manufactured by Tohto Kasei Co., Ltd., trade names: YD-8125, YDF-8170, YDF-8170C, and the like.
フェノールノボラック型エポキシ樹脂としては、油化シェルエポキシ株式会社製、商品名:エピコート152,154、日本化薬株式会社製、商品名:EPPN−201、ダウケミカル社製、商品名:DEN−438などが、また、o−クレゾールノボラック型エポキシ樹脂としては、日本化薬株式会社製、商品名:EOCN−102S,103S,104S,1012,1025,1027、東都化成株式会社製、商品名:YDCN701,702,703,704などが挙げられる。 As the phenol novolac type epoxy resin, Yuka Shell Epoxy Co., Ltd., trade name: Epicoat 152,154, Nippon Kayaku Co., Ltd., trade name: EPPN-201, Dow Chemical Company, trade name: DEN-438, etc. However, as an o-cresol novolak type epoxy resin, Nippon Kayaku Co., Ltd., trade name: EOCN-102S, 103S, 104S, 1012, 1025, 1027, Toto Kasei Co., Ltd., trade name: YDCN701,702 , 703, 704 and the like.
多官能エポキシ樹脂としては、油化シェルエポキシ株式会社製、商品名:Epon 1031S、チバスペシャリティーケミカルズ社製、商品名:アラルダイト0163、ナガセ化成株式会社製、商品名:デナコールEX−611,614,614B,622,512,521,421,411,321などが挙げられる。アミン型エポキシ樹脂としては、油化シェルエポキシ株式会社製、商品名:エピコート604、東都化成株式会社製、商品名:YH−434、三菱ガス化学株式会社製、商品名:TETRAD−X,TETRAD−C、住友化学工業株式会社製、商品名:ELM−120などが挙げられる。 As the polyfunctional epoxy resin, Yuka Shell Epoxy Co., Ltd., trade name: Epon 1031S, Ciba Specialty Chemicals, trade name: Araldite 0163, Nagase Kasei Co., Ltd., trade name: Denacol EX-611, 614 614B, 622, 512, 521, 421, 411, 321 and the like. As amine type epoxy resin, Yuka Shell Epoxy Co., Ltd., trade name: Epicoat 604, Toto Kasei Co., Ltd., trade name: YH-434, Mitsubishi Gas Chemical Co., Ltd., trade names: TETRAD-X, TETRAD- C, manufactured by Sumitomo Chemical Co., Ltd., trade name: ELM-120 and the like.
複素環含有エポキシ樹脂としては、チバスペシャリティーケミカルズ社製、商品名:アラルダイトPT810、UCC社製、商品名:ERL4234,4299,4221,4206などが挙げられる。 Examples of the heterocyclic ring-containing epoxy resin include Ciba Specialty Chemicals, trade name: Araldite PT810, UCC, trade names: ERL4234, 4299, 4221, 4206, and the like.
また、エポキシ樹脂の硬化剤としては、通常用いられている公知の硬化剤を使用することができる。たとえば、アミン類、ポリアミド、酸無水物、ポリスルフィド、三フッ化ホウ素、ビスフェノールA、ビスフェノールF、ビスフェノールSのようなフェノール性水酸基を1分子中に2個以上有するビスフェノール類、フェノールノボラック樹脂、ビスフェノールAノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂などのフェノール樹脂などが挙げられる。 Moreover, the well-known hardening | curing agent used normally can be used as a hardening | curing agent of an epoxy resin. For example, bisphenols having two or more phenolic hydroxyl groups in one molecule such as amines, polyamides, acid anhydrides, polysulfides, boron trifluoride, bisphenol A, bisphenol F, bisphenol S, phenol novolac resins, bisphenol A Examples thereof include phenolic resins such as novolac resin and cresol novolac resin.
特に吸湿時の耐電食性に優れる点で、フェノールノボラック樹脂、ビスフェノールAノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂などのフェノール樹脂が好ましい。好ましいフェノール樹脂系硬化剤としては、例えば、大日本インキ化学工業株式会社製、商品名:フェノライトLF2882、フェノライトLF2822、フェノライトTD−2090、フェノライトTD−2149、フェノライトVH−4150、フェノライトVH4170などが挙げられる。 Phenol resins such as phenol novolac resin, bisphenol A novolac resin, and cresol novolac resin are particularly preferable in terms of excellent electric corrosion resistance at the time of moisture absorption. Preferable phenol resin curing agents include, for example, Dainippon Ink and Chemicals, Inc., trade names: Phenolite LF2882, Phenolite LF2822, Phenolite TD-2090, Phenolite TD-2149, Phenolite VH-4150, Phenolite Light VH4170 etc. are mentioned.
A層に関しては、硬化剤を除く熱硬化性成分の軟化点又は融点は−40℃〜50℃であることが好ましい。熱硬化性成分は、単独または2種類以上を組み合わせて用いることができる。2種類以上を組み合わせる場合、組み合わせた混合物である熱硬化性成分の軟化点又は融点が−40℃〜50℃であることが好ましい。軟化点又は融点が−40℃未満であるとフィルム成膜性に劣る場合があり、軟化点又は融点が50℃を超えると粘度が高くなり流れ性が低下する場合がある。軟化点は、環球法により測定することが可能である。 Regarding the A layer, the softening point or melting point of the thermosetting component excluding the curing agent is preferably −40 ° C. to 50 ° C. A thermosetting component can be used individually or in combination of 2 or more types. When combining 2 or more types, it is preferable that the softening point or melting | fusing point of the thermosetting component which is a combined mixture is -40 degreeC-50 degreeC. When the softening point or melting point is less than −40 ° C., the film-forming property may be inferior, and when the softening point or melting point exceeds 50 ° C., the viscosity increases and the flowability may decrease. The softening point can be measured by the ring and ball method.
また、硬化剤の軟化点又は融点は、60℃以上150℃以下が好ましい。軟化点又は融点が60℃未満であると、硬化物の耐熱性が十分に得られない場合がある。また、硬化剤の軟化点又は融点が150℃を超えると、フィルムの流動性が低下する場合がある。 The softening point or melting point of the curing agent is preferably 60 ° C. or higher and 150 ° C. or lower. When the softening point or melting point is less than 60 ° C., the heat resistance of the cured product may not be sufficiently obtained. Moreover, when the softening point or melting | fusing point of a hardening | curing agent exceeds 150 degreeC, the fluidity | liquidity of a film may fall.
A層に使用される高分子量成分は、フィルムの取り扱い性、フィルム強度、可とう性、およびタック性の観点から重量平均分子量は、10万以上であり、特に20万〜300万であることが好ましく、30万〜100万であることがより好ましい。重量平均分子量が10万未満あるとフィルム性が低下することがある。なお、本発明において、重量平均分子量とは、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーで測定し、標準ポリスチレン検量線を用いて換算した値を示す。 The high molecular weight component used in the A layer has a weight average molecular weight of 100,000 or more, particularly 200,000 to 3,000,000 from the viewpoints of film handling, film strength, flexibility, and tackiness. Preferably, it is 300,000 to 1,000,000. If the weight average molecular weight is less than 100,000, film properties may be deteriorated. In the present invention, the weight average molecular weight is a value measured by gel permeation chromatography and converted using a standard polystyrene calibration curve.
このような高分子量成分としては、ポリイミド樹脂、(メタ)アクリル樹脂、ウレタン樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、フェノキシ樹脂、変性ポリフェニレンエーテル樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアミド樹脂、ブタジエンゴム、アクリルゴム、アクリロニトリルブタジエンゴム、ポリカーボネート樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂等、及びそれらの混合物が挙げられるが、これらに限定されるものではない。 Such high molecular weight components include polyimide resin, (meth) acrylic resin, urethane resin, polyphenylene ether resin, polyetherimide resin, phenoxy resin, modified polyphenylene ether resin, polystyrene resin, polyethylene resin, polyester resin, polyamide resin, Examples thereof include, but are not limited to, butadiene rubber, acrylic rubber, acrylonitrile butadiene rubber, polycarbonate resin, polyphenylene ether resin, and mixtures thereof.
その中でも、高分子量成分のガラス転移温度(以下「Tg」という)は、−50℃以上20℃以下であるものが好ましい。Tgが−50℃以上であると、Bステージ状態での粘接着剤層のタック性が適当であり、取り扱い性に問題を生じないからである。またモノマーを用い、アクリルゴム(ポリマー)などの高分子量成分を製造する場合、その重合方法としては特に制限はなく、たとえば、パール重合、溶液重合などの方法を使用することができる。 Among them, the glass transition temperature (hereinafter referred to as “Tg”) of the high molecular weight component is preferably from −50 ° C. to 20 ° C. This is because when the Tg is −50 ° C. or higher, the tackiness of the adhesive layer in the B-stage state is appropriate, and there is no problem in handling properties. Moreover, when manufacturing high molecular weight components, such as an acrylic rubber (polymer), using a monomer, there is no restriction | limiting in particular as the polymerization method, For example, methods, such as pearl polymerization and solution polymerization, can be used.
高分子量成分の量は、熱硬化性成分100重量部に対して、5〜100重量部であることが好ましい。5重量部未満であると、硬化前のフィルムの強度が低く、またフィルムの伸びが小さくなり、取り扱い性が低下する場合がある。100重量部を超えると流れ性が低下する場合がある。より好ましくは5〜80重量部、さらに好ましくは5〜50重量部である。 The amount of the high molecular weight component is preferably 5 to 100 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the thermosetting component. If it is less than 5 parts by weight, the strength of the film before curing is low, the elongation of the film becomes small, and the handleability may be lowered. If it exceeds 100 parts by weight, the flowability may decrease. More preferably, it is 5-80 weight part, More preferably, it is 5-50 weight part.
A層の線膨張係数低減と機械的強度の向上、レーザーマーキング性の向上を目的に、A層は、無機フィラーを含有していることが好ましい。無機フィラーの含有量は、好ましくはA層の全体積に対し40〜80体積%である。50〜80体積%であることがより好ましく、65〜75体積%であることがさらに好ましい。 For the purpose of reducing the linear expansion coefficient of the A layer, improving the mechanical strength, and improving the laser marking properties, the A layer preferably contains an inorganic filler. The content of the inorganic filler is preferably 40 to 80% by volume with respect to the total volume of the A layer. More preferably, it is 50-80 volume%, and it is further more preferable that it is 65-75 volume%.
無機フィラーとしては、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、アルミナ、窒化アルミニウム、ほう酸アルミウイスカ、窒化ホウ素、結晶性シリカ、非晶性シリカ、アンチモン酸化物などを使用することができ、これらの2種以上を併用することもできる。熱伝導性向上のためには、アルミナ、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、結晶性シリカ、非晶性シリカ等が好ましい。溶融粘度の調整やチクソトロピック性の付与の目的には、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、アルミナ、結晶性シリカ、非晶性シリカ等が好ましい。さらに、フィルム切削時に切削ブレードに樹脂が残ることがなく、短時間でフィルムを良好に切削、個片化できる点でアルミナ、シリカが好ましい。 Inorganic fillers include aluminum hydroxide, magnesium hydroxide, calcium carbonate, magnesium carbonate, calcium silicate, magnesium silicate, calcium oxide, magnesium oxide, alumina, aluminum nitride, aluminum borate whisker, boron nitride, crystalline silica, non Crystalline silica, antimony oxide, and the like can be used, and two or more of these can be used in combination. In order to improve thermal conductivity, alumina, aluminum nitride, boron nitride, crystalline silica, amorphous silica and the like are preferable. For the purpose of adjusting melt viscosity and imparting thixotropic properties, aluminum hydroxide, magnesium hydroxide, calcium carbonate, magnesium carbonate, calcium silicate, magnesium silicate, calcium oxide, magnesium oxide, alumina, crystalline silica, non-crystalline silica Crystalline silica and the like are preferred. Furthermore, alumina and silica are preferable because the resin does not remain on the cutting blade during film cutting, and the film can be cut and separated into pieces in a short time.
無機フィラーの形状は、針状、鱗片状、板状、球状など特に制限はされることはないが、フィラーを高い割合で含有させても比較的高い流動性を得ることができる球状フィラーが好ましい。 The shape of the inorganic filler is not particularly limited, such as needle shape, scale shape, plate shape, and spherical shape, but a spherical filler that can obtain a relatively high fluidity even when the filler is contained in a high ratio is preferable. .
無機フィラーの平均粒径は、フィルムの流動性と表面平滑性の点から0.1μm以上20μm以下が好ましい。さらに好ましくは0.3μm以上10μm以下である。平均粒径の下限が、0.1μm未満であるとフィラーの比表面積が大きくなり、その表面効果により流動性が低下する場合がある。一方、平均粒径が20μmを超えるとフィルムの平滑性が低下する場合がある。本発明においては、フィラーの粒度分布を測定し、その粒度分布において累積重量が50%となる粒子径を平均粒径とする。フィラーの粒度分布は、例えば、レーザー回折式粒度分布測定装置(日機装製マイクロトラック)を用いて測定することができる。 The average particle size of the inorganic filler is preferably 0.1 μm or more and 20 μm or less from the viewpoint of film fluidity and surface smoothness. More preferably, it is 0.3 μm or more and 10 μm or less. When the lower limit of the average particle diameter is less than 0.1 μm, the specific surface area of the filler increases, and the fluidity may decrease due to the surface effect. On the other hand, if the average particle size exceeds 20 μm, the smoothness of the film may be lowered. In the present invention, the particle size distribution of the filler is measured, and the particle size at which the cumulative weight is 50% in the particle size distribution is defined as the average particle size. The particle size distribution of the filler can be measured using, for example, a laser diffraction type particle size distribution measuring device (Nikkiso Microtrack).
A層を硬化して得られる硬化物の25〜150℃の温度範囲における平均線膨張係数が40ppm以下であることが、パッケージに使用した場合に封止フィルムのそりが小さくなる点で好ましい。好ましくは3ppm以上40ppm以下、より好ましくは3ppm以上30ppm以下、さらに好ましくは5ppm以上20ppm以下である。平均線膨張係数が3ppm未満であるか、又は、40ppmを超えると基板と封止フィルムの平均線膨張係数の差が大きくなり、温度変化により応力が発生して、基板との界面の剥離や封止フィルム内にクラックが発生する場合がある。A層の平均線膨張係数を上記範囲にするためには、有機物(熱硬化性成分及び高分子量成分)に比べて、熱膨張係数の低い無機フィラーをA層の全体積に対して40〜80体積%含有させることが好ましい。 It is preferable that the cured product obtained by curing the A layer has an average coefficient of linear expansion of 40 ppm or less in a temperature range of 25 to 150 ° C. from the viewpoint of reducing warpage of the sealing film when used in a package. Preferably they are 3 ppm or more and 40 ppm or less, More preferably, they are 3 ppm or more and 30 ppm or less, More preferably, they are 5 ppm or more and 20 ppm or less. If the average linear expansion coefficient is less than 3 ppm or exceeds 40 ppm, the difference between the average linear expansion coefficients of the substrate and the sealing film increases, and stress is generated due to temperature change, and peeling or sealing of the interface with the substrate. Cracks may occur in the stop film. In order to make the average linear expansion coefficient of A layer into the said range, compared with organic substance (thermosetting component and high molecular weight component), an inorganic filler with a low thermal expansion coefficient is 40-80 with respect to the whole volume of A layer. It is preferable to contain by volume%.
本発明において、平均線膨張係数は、加熱硬化した層について、熱機械分析装置を用いて、毎分5℃の昇温速度で試料の伸びを測定し、25℃から150℃の温度範囲における伸びの平均値として求めることができる。 In the present invention, the average linear expansion coefficient is determined by measuring the elongation of a sample at a heating rate of 5 ° C. per minute for a heat-cured layer using a thermomechanical analyzer, and extending in a temperature range of 25 ° C. to 150 ° C. It can be calculated as an average value.
また、高温での信頼性を保つために、A層を硬化して得られる硬化物の弾性率が200℃で100MPa以上であることが好ましい。より好ましくは100MPa以上5,000MPa以下であり、さらに好ましくは300MPa以上1,000MPa以下である。弾性率が100MPa未満であると強度不足によるリフロークラックが発生する場合があり、弾性率が5,000MPaを超えると熱応力の緩和効果が小さく、剥離やクラックが発生する場合がある。 Moreover, in order to maintain the reliability at high temperature, it is preferable that the elastic modulus of the hardened | cured material obtained by hardening | curing A layer is 100 Mpa or more at 200 degreeC. More preferably, it is 100 MPa or more and 5,000 MPa or less, More preferably, it is 300 MPa or more and 1,000 MPa or less. When the elastic modulus is less than 100 MPa, reflow cracks due to insufficient strength may occur, and when the elastic modulus exceeds 5,000 MPa, the effect of mitigating thermal stress is small, and peeling or cracks may occur.
本発明において、硬化物の弾性率は、加熱硬化した層について、動的粘弾性測定装置(引張りモード)を用いて、200℃における貯蔵弾性率として求めることができる。 In this invention, the elasticity modulus of hardened | cured material can be calculated | required as a storage elastic modulus in 200 degreeC using a dynamic viscoelasticity measuring apparatus (tensile mode) about the heat-hardened layer.
次に、B層は熱硬化性成分を含むことが好ましい。B層に用いられる熱硬化性成分としては、上述のA層と同じ熱硬化性成分が挙げられる。B層は、上述の粘度の観点から、また、破断伸びの観点から、熱硬化性成分の他に、高分子量成分を含むことが好ましく、さらに、高分子量成分の含有量が熱硬化性成分の含有量よりも多いことが好ましい。 Next, the B layer preferably contains a thermosetting component. As a thermosetting component used for B layer, the same thermosetting component as the above-mentioned A layer is mentioned. The layer B preferably contains a high molecular weight component in addition to the thermosetting component from the viewpoint of the above-mentioned viscosity and from the viewpoint of elongation at break, and the content of the high molecular weight component is preferably a thermosetting component. It is preferable that the content is larger than the content.
B層に用いられる高分子量成分としては、上述のA層と同じ高分子量成分が挙げられ、中でもポリイミド樹脂、アクリルゴム、アクリロニトリルブタジエンゴム(NBR)などが好ましい。破断伸びの観点からは、ゴムやエラストマー等の高分子量成分を含むことが好ましい。 Examples of the high molecular weight component used in the B layer include the same high molecular weight components as those in the above-described A layer, and among them, polyimide resin, acrylic rubber, acrylonitrile butadiene rubber (NBR), and the like are preferable. From the viewpoint of elongation at break, it preferably contains a high molecular weight component such as rubber or elastomer.
B層とA層をラミネートにより貼り合せた場合に、その界面で剥離が発生し難いことから、B層に用いられる高分子量成分は、A層に用いられる高分子量成分と同種類(ポリイミド樹脂、アクリルゴム、NBR等)であることが好ましく、A層に用いられる高分子量成分と同一であることがより好ましい。 When the B layer and the A layer are laminated together, the high molecular weight component used for the B layer is the same as the high molecular weight component used for the A layer (polyimide resin, Acrylic rubber, NBR, etc.), and more preferably the same as the high molecular weight component used in the A layer.
高分子量成分の量は、熱硬化性成分100重量部に対して、50〜500重量部であることが好ましい。50重量部未満であると、破断伸びが低下する場合がある。500重量部を超えると流れ性が低下する場合がある。より好ましくは、100〜400重量部、さらに好ましくは、150〜300重量部である。 The amount of the high molecular weight component is preferably 50 to 500 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the thermosetting component. If it is less than 50 parts by weight, the elongation at break may decrease. If it exceeds 500 parts by weight, the flowability may decrease. More preferably, it is 100-400 weight part, More preferably, it is 150-300 weight part.
さらに、B層は、高温での弾性率の増大による耐熱性の向上、また、粘度の調整を目的に、無機フィラーを含有してもよい。無機フィラーとしては、上述のA層と同じ無機フィラーが挙げられる。無機フィラーの含有量は、B層の全体積に対し好ましくは50体積%未満であり、より好ましくは10体積%未満である。無機フィラーの含有量が50体積%以上であると、破断伸びが不足する場合がある。無機フィラーの平均粒径は、フィルムの表面平滑性及び耐熱性の向上の観点から、0.1μm以下であることが好ましい。また、平均粒径が10nm未満であると、フィラーの比表面積が大きくなり、フィルム内にフィラーを分散することが困難になり、フィルムの流動性が極端に低下する場合があるため、10nm以上であることが好ましい。 Furthermore, the B layer may contain an inorganic filler for the purpose of improving heat resistance by increasing the elastic modulus at high temperature and adjusting the viscosity. As an inorganic filler, the same inorganic filler as the above-mentioned A layer is mentioned. The content of the inorganic filler is preferably less than 50% by volume and more preferably less than 10% by volume with respect to the total volume of the B layer. If the content of the inorganic filler is 50% by volume or more, the elongation at break may be insufficient. The average particle diameter of the inorganic filler is preferably 0.1 μm or less from the viewpoint of improving the surface smoothness and heat resistance of the film. In addition, when the average particle size is less than 10 nm, the specific surface area of the filler is increased, it becomes difficult to disperse the filler in the film, and the fluidity of the film may be extremely reduced. Preferably there is.
B層は、破断伸びが50%以上500%以下であることが好ましい。破断伸びが50%未満である場合はB層の伸びが不足し、封止フィルムがチップ及び基板の凹凸に対応することができず、チップを良好に埋め込むことができない場合がある。また、500%を超えると樹脂がチップ下へ流れ込む場合がある。B層の破断伸びを上記範囲にするためには、ゴムやエラストマー等の高分子量成分を含むことが好ましい。 The layer B preferably has an elongation at break of 50% or more and 500% or less. When the elongation at break is less than 50%, the elongation of the B layer is insufficient, the sealing film cannot cope with the unevenness of the chip and the substrate, and the chip may not be embedded well. If it exceeds 500%, the resin may flow under the chip. In order to make the breaking elongation of the B layer within the above range, it is preferable to include a high molecular weight component such as rubber or elastomer.
本発明において、破断伸びは、Bステージ状態の層について引張り試験を行い、((L−L0)/L0)×100(L0:試験前の標点間距離、L:破断時の標点間距離(mm))の式により求めることができる。 In the present invention, the elongation at break is determined by conducting a tensile test on the layer in the B-stage state, and ((L−L0) / L0) × 100 (L0: distance between gauge points before the test, L: distance between gauge points at the time of break. (Mm)).
A層及び/又はB層は、上記の熱硬化性成分、高分子量成分、及び無機フィラーの他に、着色剤、硬化促進剤、触媒、添加剤、カップリング剤等を含有していてもよい。また、A層及び/又はB層は、波長300〜1100nmの領域の透過率がそれぞれ10%以下であることが好ましい。A層及び/又はB層は着色剤を含むことが好ましい。着色剤としては、例えば、カーボンブラック、黒鉛、チタンカーボン、二酸化マンガン、フタロシアニン系等の顔料及び染料を用いることができる。また、上記無機フィラーを着色剤として作用させることも可能である。 The A layer and / or the B layer may contain a colorant, a curing accelerator, a catalyst, an additive, a coupling agent, and the like in addition to the thermosetting component, the high molecular weight component, and the inorganic filler. . Moreover, it is preferable that the transmittance | permeability of the area | region with a wavelength of 300-1100 nm is 10% or less, respectively for A layer and / or B layer. It is preferable that A layer and / or B layer contain a coloring agent. Examples of the colorant that can be used include pigments and dyes such as carbon black, graphite, titanium carbon, manganese dioxide, and phthalocyanine. It is also possible to cause the inorganic filler to act as a colorant.
着色剤の含有量は、それぞれA層全体の重量又はB層全体の重量に対し0.1〜10重量%が好ましく、より好ましくは0.5〜2.0重量%である。着色剤の含有量が0.1重量%未満になると、フィルムに色が付かずレーザーマーキングを行った際にレーザーマーキング部の視認性が悪くなる場合がある。逆に、着色剤の含有量が10重量%を超すと、イオン性不純物の増加、フィルム延性の低下または半導体チップとの接着強度の低下等の問題が発生してしまう場合がある。 The content of the colorant is preferably 0.1 to 10% by weight, more preferably 0.5 to 2.0% by weight, based on the weight of the whole A layer or the whole B layer. If the content of the colorant is less than 0.1% by weight, the film may not be colored and the laser marking may be poorly visible when laser marking is performed. On the other hand, when the content of the colorant exceeds 10% by weight, problems such as an increase in ionic impurities, a decrease in film ductility, or a decrease in adhesive strength with a semiconductor chip may occur.
また、レーザーマーキングに使用されるレーザーは、YAGレーザーであることが多いため、着色剤としてはYAGレーザーにより揮発し易いカーボンブラックを使用することが好ましい。 Further, since the laser used for laser marking is often a YAG laser, it is preferable to use carbon black which is easily volatilized by the YAG laser as the colorant.
なお、本発明の封止フィルムは、A層とB層の2層を含む構造からなればよく、2層を含むフィルムの製造方法に関しては特に規定はない。例えば、A層からなるフィルムA、及びB層からなるフィルムBを作製し、フィルムA又はフィルムBの軟化温度(好ましくは、80〜120℃)で、両者を熱圧着する又はラミネータなどを使用して貼り合わせることによって製造できる。 In addition, the sealing film of this invention should just consist of a structure containing 2 layers of A layer and B layer, and there is no prescription | regulation in particular regarding the manufacturing method of the film containing 2 layers. For example, a film A composed of an A layer and a film B composed of a B layer are produced, and the film A or the film B is softened at a softening temperature (preferably 80 to 120 ° C.), or both are thermocompressed or a laminator is used. Can be manufactured.
A層及びB層は、それぞれ基材層に、例えば、前記熱硬化性成分、前記高分子量成分、前記無機フィラー、及び前記着色剤を含む樹脂ワニスを塗工乾燥して作成することができる。これらに用いられる基材層としては、特に制限されることなく従来公知のものを使用することができる。なお、樹脂ワニスは、前記成分にシクロヘキサノンなどの溶剤を加えて撹拌混合して得ることができる。 The A layer and the B layer can be prepared by coating and drying a resin varnish containing, for example, the thermosetting component, the high molecular weight component, the inorganic filler, and the colorant on the base material layer. As a base material layer used for these, a conventionally well-known thing can be used without being restrict | limited in particular. The resin varnish can be obtained by adding a solvent such as cyclohexanone to the above components and stirring and mixing them.
A層の乾燥後の厚さは、50〜200μmであることが好ましく、50〜150μmであることがより好ましい。また、B層の乾燥後の厚さは、7〜75μmであることが好ましく、10〜50μmであることがより好ましい。 The thickness of the A layer after drying is preferably 50 to 200 μm, and more preferably 50 to 150 μm. Moreover, it is preferable that the thickness after drying of B layer is 7-75 micrometers, and it is more preferable that it is 10-50 micrometers.
なお、A層及びB層は、それぞれ複数層を積層して膜厚を調整した後に使用しても良い。積層にはラミネータなどを用いることができる。 In addition, you may use A layer and B layer, after laminating | stacking multiple layers and adjusting a film thickness, respectively. A laminator or the like can be used for the lamination.
用いられる基材層としては、例えば、ポリテトラフルオロエチレンフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリイミドフィルムなどのプラスチックフィルム等が挙げられる。また、必要に応じて基材層の表面に、プライマー塗布、UV処理、コロナ放電処理、研磨処理、エッチング処理、離型処理等の表面処理を行っても良い。基材の厚さは特に限定されず、38〜100μmであることが好ましい。 As a base material layer used, plastic films, such as a polytetrafluoroethylene film, a polyethylene terephthalate film, a polyethylene film, a polypropylene film, a polymethylpentene film, a polyimide film, etc. are mentioned, for example. Further, surface treatment such as primer coating, UV treatment, corona discharge treatment, polishing treatment, etching treatment, mold release treatment and the like may be performed on the surface of the base material layer as necessary. The thickness of a base material is not specifically limited, It is preferable that it is 38-100 micrometers.
基材層が粘着性を有していてもよく、また、基材層の片面に粘着剤層を設けても良い。また粘着剤層は、低分子量成分(テルペン化合物等の粘着付与剤)とTgを調整した高分子量成分を含む適度なタック強度を有する樹脂ワニスを塗布乾燥することで形成可能である。 The base material layer may have adhesiveness, and an adhesive layer may be provided on one side of the base material layer. The pressure-sensitive adhesive layer can be formed by applying and drying a resin varnish having an appropriate tack strength including a low molecular weight component (tackifier such as a terpene compound) and a high molecular weight component adjusted for Tg.
また、A層又はB層を、保護フィルムで保護することが好ましい。保護フィルムとしては、例えば、ポリテトラフルオロエチレンフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリイミドフィルムなどのプラスチックフィルム等が挙げられる。また、必要に応じてプライマー塗布、UV処理、コロナ放電処理、研磨処理、エッチング処理、離型処理等の表面処理を行っても良い。なお前記基材層を保護フィルムとして使用してもかまわない。基材層上に設けたA層及びB層上に保護フィルムを設置してもかまわない。保護フィルムの厚さは特に限定されず、10〜100μmであることが好ましい。 Moreover, it is preferable to protect the A layer or the B layer with a protective film. Examples of the protective film include plastic films such as a polytetrafluoroethylene film, a polyethylene terephthalate film, a polyethylene film, a polypropylene film, a polymethylpentene film, and a polyimide film. Further, surface treatment such as primer coating, UV treatment, corona discharge treatment, polishing treatment, etching treatment, mold release treatment and the like may be performed as necessary. The base material layer may be used as a protective film. You may install a protective film on A layer and B layer which were provided on the base material layer. The thickness of a protective film is not specifically limited, It is preferable that it is 10-100 micrometers.
封止フィルムの用途としては、従来の固形状または液状封止材と同様の用途が考えられる。使用方法としては、例えば、半導体チップや部品を実装した基板上に基材層(基材フィルム)つきの封止フィルムを熱板プレスやラミネータなどを使用して積層し、加熱硬化した後、基材層をはく離する方法がある。また、基材層をはく離した後、加熱硬化することもできる。 As the usage of the sealing film, the same usage as a conventional solid or liquid sealing material can be considered. As a usage method, for example, a sealing film with a base material layer (base material film) is laminated on a substrate on which a semiconductor chip or a component is mounted using a hot plate press, a laminator, and the like. There is a way to peel off the layers. Moreover, after peeling off a base material layer, it can also heat-harden.
より具体的には、基板上にバンプにより接着された半導体チップに、基材層つきの封止フィルムを熱板プレスを使用して積層した後、基材層をはく離し、温度140〜170℃で、1〜5時間加熱硬化するなどの方法がある。さらに、必要に応じて表面研磨などの工程をとることができる。封止フィルムを積層する際には、半導体チップを充填するために温度、圧力、時間を適切に設定する。例えば、100μmの半導体チップを130μmの本発明の封止フィルムで充填するためには、温度100〜150℃、圧力0.4〜1MPa、1〜1000sが好ましく、4〜10sがより好ましい。 More specifically, after laminating a sealing film with a base layer on a semiconductor chip bonded by bumps on a substrate using a hot plate press, the base layer is peeled off at a temperature of 140 to 170 ° C. There are methods such as heat curing for 1 to 5 hours. Furthermore, steps such as surface polishing can be taken as necessary. When laminating the sealing film, the temperature, pressure, and time are appropriately set in order to fill the semiconductor chip. For example, in order to fill a 100 μm semiconductor chip with a 130 μm sealing film of the present invention, a temperature of 100 to 150 ° C., a pressure of 0.4 to 1 MPa, and 1 to 1000 s are preferable, and 4 to 10 s are more preferable.
また、例えば、半導体チップや部品を実装した基板2枚を、実装した面が向かい合うように封止フィルムを挟んで熱板プレスやラミネータなどを使用して積層し、加熱硬化する方法がある。 Further, for example, there is a method in which two substrates on which semiconductor chips and components are mounted are laminated using a hot plate press, a laminator, etc. with a sealing film sandwiched so that the mounted surfaces face each other, and then heat-cured.
以下、本発明の封止フィルムについて、実施例により具体的に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。 Hereinafter, although the Example demonstrates the sealing film of this invention concretely, this invention is not limited to this.
(フィルムA1)
熱硬化性成分(エポキシ樹脂)としてビスフェノールF型エポキシ樹脂(エポキシ当量175、融点−15℃、東都化成株式会社製のYDF−8170Cを使用)50重量部、熱硬化性成分(硬化剤)として低吸水性フェノール樹脂(軟化点76.5℃、三井化学株式会社製のXLC−LLを使用)50重量部、無機フィラーとしてシリカフィラー(平均粒径8.0μm、株式会社龍森製のTFC−24を使用)530重量部、着色剤としてカーボンブラック1.5重量部、高分子量成分としてエポキシ基含有アクリルゴム(重量平均分子量85万、ナガセケムテックス株式会社製のHTR−860P−3を使用)18重量部、硬化促進剤として1−シアノエチル−2−フェニルイミダゾール(四国化成工業株式会社製のキュアゾール2PZ−CNを使用)0.5重量部、及び、溶剤としてシクロヘキサノン500重量部を撹拌混合し、樹脂ワニスを得た。
(Film A1)
Bisphenol F type epoxy resin (epoxy equivalent 175, melting point −15 ° C., using YDF-8170C manufactured by Tohto Kasei Co., Ltd.) 50 parts by weight as thermosetting component (epoxy resin), low as thermosetting component (curing agent) Water-absorbing phenol resin (softening point: 76.5 ° C., using XLC-LL manufactured by Mitsui Chemicals), silica filler (average particle size: 8.0 μm, TFC-24 manufactured by Tatsumori Co., Ltd.) as an inorganic filler 530 parts by weight, carbon black as a colorant, 1.5 parts by weight, epoxy group-containing acrylic rubber as a high molecular weight component (weight average molecular weight 850,000, using HTR-860P-3 manufactured by Nagase ChemteX Corporation) 18 Parts by weight, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazole (Curesol 2PZ manufactured by Shikoku Kasei Kogyo Co., Ltd.) as a curing accelerator Using CN) 0.5 parts by weight, and, cyclohexanone 500 parts by weight were mixed and stirred as a solvent, to obtain a resin varnish.
得られた樹脂ワニスを基材層である離型剤付きのベースフィルム(帝人株式会社製のピューレックスA31)上に塗工し、90℃10分、120℃20分乾燥して、厚み100μmのフィルムA1を得た。この場合の無機フィラーの体積分率は69%であった。さらに、厚み100μmのフィルムA1 2枚を、ラミネータを使用して80℃で貼り合わせ、厚み200μmのフィルムA1を得た。 The obtained resin varnish was coated on a base film with a release agent as a base material layer (Purex A31 manufactured by Teijin Limited), dried at 90 ° C. for 10 minutes and 120 ° C. for 20 minutes, and had a thickness of 100 μm. Film A1 was obtained. In this case, the volume fraction of the inorganic filler was 69%. Further, two films A1 having a thickness of 100 μm were bonded at 80 ° C. using a laminator to obtain a film A1 having a thickness of 200 μm.
(フィルムA2)
熱硬化性成分(エポキシ樹脂)としてビスフェノールF型エポキシ樹脂(エポキシ当量175、融点−15℃、東都化成株式会社製のYDF−8170Cを使用)44重量部とクレゾールノボラック型エポキシ樹脂(エポキシ当量220、軟化点80℃、東都化成株式会社製のYDCN−703を使用)15重量部、熱硬化性成分(硬化剤)としてビスフェノールA型ノボラック樹脂(軟化点130℃、大日本インキ化学工業株式会社製のLF−2882を使用)41重量部、無機フィラーとしてシリカフィラー(平均粒径0.5μm、アドマテック株式会社製のアドマファインSO-C2を使用)143重量部、高分子量成分としてエポキシ基含有アクリルゴム(重量平均分子量85万、ナガセケムテックス株式会社製のHTR−860P−3を使用)42重量部、硬化促進剤として1−シアノエチル−2−フェニルイミダゾ−ル(四国化成株式会社製のキュアゾール2PZ-CNを使用)0.5重量部、及び、溶剤としてシクロヘキサノン1000重量部を用いた他はフィルムA1と同様にして、厚さ25μmと100μmのフィルムA2を得た。ビスフェノールF型エポキシ樹脂及びクレゾールノボラック型エポキシ樹脂の混合物は、室温(25℃)において粘調性の液体であった(混合物の軟化点又は融点は室温以下であった。)。この場合の無機フィラーの体積分率は34%であった。さらに、厚み100μmのフィルムA2 2枚を、ラミネータを使用して80℃で貼り合わせ、厚み200μmのフィルムA2を得た。
(Film A2)
As thermosetting component (epoxy resin), bisphenol F type epoxy resin (epoxy equivalent 175, melting point -15 ° C., using YDF-8170C manufactured by Tohto Kasei Co., Ltd.) 44 parts by weight and cresol novolac type epoxy resin (epoxy equivalent 220, Softening point 80 ° C, YDCN-703 manufactured by Toto Kasei Co., Ltd.) 15 parts by weight, bisphenol A type novolak resin (softening point 130 ° C, manufactured by Dainippon Ink & Chemicals, Inc.) as a thermosetting component (curing agent) LF-2882 used) 41 parts by weight, silica filler as an inorganic filler (average particle size 0.5 μm, Admafine SO-C2 manufactured by Admatech Co., Ltd.) 143 parts by weight, epoxy group-containing acrylic rubber (high molecular weight component) Weight average molecular weight 850,000, HTR-860P made by Nagase ChemteX Corporation 42 parts by weight, 0.5 part by weight of 1-cyanoethyl-2-phenylimidazole (used as a cure sol 2PZ-CN manufactured by Shikoku Kasei Co., Ltd.) as a curing accelerator, and 1000 parts by weight of cyclohexanone as a solvent. A film A2 having a thickness of 25 μm and 100 μm was obtained in the same manner as the film A1 except that it was used. The mixture of the bisphenol F type epoxy resin and the cresol novolac type epoxy resin was a viscous liquid at room temperature (25 ° C.) (the softening point or melting point of the mixture was not more than room temperature). In this case, the volume fraction of the inorganic filler was 34%. Further, two films A2 having a thickness of 100 μm were bonded at 80 ° C. using a laminator to obtain a film A2 having a thickness of 200 μm.
(フィルムA3)
無機フィラーとしてシリカフィラー(平均粒径8.7μm、電気化学工業製のFB−35を使用)を245重量部使用した他は、フィルムA1と同様にして、厚み115μmのフィルムA3を得た。この場合の無機フィラーの体積分率は50%であった。さらに、厚み115μmのフィルムA3 2枚を、ラミネータを使用して80℃で貼り合わせ、厚み230μmのフィルムA3を得た。
(Film A3)
A film A3 having a thickness of 115 μm was obtained in the same manner as the film A1, except that 245 parts by weight of silica filler (average particle size: 8.7 μm, FB-35 manufactured by Denki Kagaku Kogyo Co., Ltd.) was used as the inorganic filler. In this case, the volume fraction of the inorganic filler was 50%. Further, two films A3 having a thickness of 115 μm were bonded at 80 ° C. using a laminator to obtain a film A3 having a thickness of 230 μm.
(フィルムA4)
無機フィラーとしてシリカフィラー(平均粒径3.9μm、株式会社龍森製のTFC−12を使用)を使用した他は、フィルムA1と同様にして、厚み100μmのフィルムA4を得た。この場合の無機フィラーの体積分率は69%であった。さらに、厚み100μmのフィルムA4 2枚を、ラミネータを使用して80℃で貼り合わせ、厚み200μmのフィルムA4を得た。
(Film A4)
A film A4 having a thickness of 100 μm was obtained in the same manner as the film A1, except that a silica filler (average particle size of 3.9 μm, TFC-12 manufactured by Tatsumori Co., Ltd. was used) was used as the inorganic filler. In this case, the volume fraction of the inorganic filler was 69%. Further, two films A4 having a thickness of 100 μm were bonded at 80 ° C. using a laminator to obtain a film A4 having a thickness of 200 μm.
(フィルムB1)
熱硬化性成分(エポキシ樹脂)としてクレゾールノボラック型エポキシ樹脂(エポキシ当量220、軟化点80℃、東都化成株式会社製のYDCN−703を使用)60重量部、熱硬化性成分(硬化剤)として低吸水性フェノール樹脂(軟化点76.5℃、三井化学株式会社製のXLC−LL使用)40重量部、無機フィラーとしてシリカフィラー(平均粒径16nm、日本アエロジル株式会社製のR972Vを使用)32重量部、高分子量成分としてエポキシ基含有アクリルゴム(重量平均分子量85万、ナガセケムテックス株式会社製のHTR−860P−3を使用)200重量部、硬化促進剤として1−シアノエチル−2−フェニルイミダゾ−ル(四国化成株式会社製のキュアゾール2PZ-CNを使用)0.5重量部、溶剤としてシクロヘキサノン1500重量部を用いた他はフィルムA1と同様にして、厚み10μmと50μmのフィルムB1を得た。この場合の無機フィラーの体積分率は4.5%であった。さらに、厚み50μmのフィルムB1 2枚又は4枚を、ラミネータを使用して80℃で貼り合わせ、厚み100μm及び200μmのフィルムB1を得た。
(Film B1)
Cresol novolac type epoxy resin (epoxy equivalent 220, softening point 80 ° C., using YDCN-703 manufactured by Tohto Kasei Co., Ltd.) 60 parts by weight as thermosetting component (epoxy resin), low as thermosetting component (curing agent) Water-absorbing phenolic resin (softening point 76.5 ° C., using XLC-LL manufactured by Mitsui Chemicals) 40 parts by weight, silica filler (average particle size 16 nm, using R972V manufactured by Nippon Aerosil Co., Ltd.) 32 weights Parts, epoxy group-containing acrylic rubber (weight average molecular weight 850,000, using HTR-860P-3 manufactured by Nagase ChemteX Corporation) as a high molecular weight component, 200 parts by weight, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazo- as a curing accelerator Le (uses Shikoku Kasei Co., Ltd. Curesol 2PZ-CN) 0.5 parts by weight, Shiku as the solvent A film B1 having a thickness of 10 μm and 50 μm was obtained in the same manner as the film A1 except that 1500 parts by weight of rohexanone was used. In this case, the volume fraction of the inorganic filler was 4.5%. Further, two or four films B1 having a thickness of 50 μm were bonded at 80 ° C. using a laminator to obtain films B1 having a thickness of 100 μm and 200 μm.
得られたフィルムのBステージ状態(溶剤乾燥後)、Cステージ状態(加熱硬化後)での各種特性を評価した。評価にあたっては、下記の方法を用いた。評価結果を表1に示す。 Various characteristics of the obtained film in a B stage state (after solvent drying) and a C stage state (after heat curing) were evaluated. For the evaluation, the following method was used. The evaluation results are shown in Table 1.
(評価方法)
(1)最低ずり粘度
サンプルは、厚みを130μm以上260μm未満に調整したフィルムを10mm×10mmに切断したものを用いた。フィルム単体の厚みが130μm未満である場合は、複数枚数貼り合わせて130μm以上となるようにした。具体的には、フィルムを硬化が進まない温度(80℃)で貼り合わせて、ずり粘度測定中に貼り合わせ面において剥離が生じないようにした。ずり粘度は、回転型レオメーター(レオメトリック サイエンティフィック製、ARES)を用い、平行円板(直径8mm)にフィルムをフィルム厚より2〜5μm小さなギャップ幅で挟み、周波数1Hz、歪み1%で30℃から300℃まで(昇温速度5℃/分)測定した際の複素粘度の値である。80℃から150℃の温度範囲における複素粘度の最低値を最低ずり粘度とした。
(Evaluation methods)
(1) Minimum shear viscosity A sample obtained by cutting a film whose thickness was adjusted to 130 μm or more and less than 260 μm into 10 mm × 10 mm was used. When the thickness of the single film was less than 130 μm, a plurality of sheets were laminated so as to be 130 μm or more. Specifically, the films were laminated at a temperature at which curing did not proceed (80 ° C.) so that peeling did not occur on the bonded surface during the shear viscosity measurement. Shear viscosity was measured by using a rotational rheometer (RES, manufactured by Rheometric Scientific, ARES), sandwiching the film on a parallel disk (
(2)弾性率(貯蔵弾性率)
170℃、1時間加熱硬化したフィルムの200℃における貯蔵弾性率を動的粘弾性測定装置(レオロジ社製、DVE−V4)を用いて測定した(サンプルサイズ:長さ20mm、幅4mm、膜厚100μm又は115μm、昇温速度5℃/min、引張りモード、10Hz、自動静荷重、温度範囲−50〜300℃)。
(2) Elastic modulus (storage elastic modulus)
The storage elastic modulus at 200 ° C. of the film heat-cured at 170 ° C. for 1 hour was measured using a dynamic viscoelasticity measuring device (DVE-V4, manufactured by Rheology) (sample size: length 20 mm, width 4 mm, film thickness). 100 μm or 115 μm, heating rate 5 ° C./min,
(3)平均線膨張係数
170℃、1時間加熱硬化したフィルム(厚さ100μm又は115μm)について、熱機械分析装置(セイコーインスツルメンツ製、SS6100)を用いて、毎分5℃の昇温速度で試料の伸びを測定し、25℃から150℃の伸びから、平均線膨張係数を求めた。
(3) Average linear expansion coefficient For a film (thickness: 100 μm or 115 μm) heat-cured at 170 ° C. for 1 hour, a sample was heated at a rate of 5 ° C. per minute using a thermomechanical analyzer (Seiko Instruments, SS6100). The average linear expansion coefficient was determined from the elongation from 25 ° C to 150 ° C.
(4)破断伸び
厚さ100μm又は115μmのフィルムを10mm×100mmに切断して、50mmの間隔をもつ標線を付けた。フィルムを室温(23℃±2℃)で引張速度を50mm/分として破断伸びを測定した。なお、破断伸び(%)=((L−L0)/L0)×100(L0:試験前の標点間距離(50mm)、L:破断時の標点間距離(mm))とした。
(4) Elongation at break A film having a thickness of 100 μm or 115 μm was cut into 10 mm × 100 mm, and marked lines having an interval of 50 mm were attached. The elongation at break of the film was measured at room temperature (23 ° C. ± 2 ° C.) with a tensile speed of 50 mm / min. Elongation at break (%) = ((L−L0) / L0) × 100 (L0: distance between gauge points before test (50 mm), L: distance between gauge points at break (mm)).
実施例および比較例に用いたフィルム及びその厚みは表2に示した。実施例1〜6および比較例1〜3に関しては、表1のフィルムから2つを選択し、2枚のフィルムをラミネータを使用して80℃で貼り合わせることにより封止フィルムを作製した。比較例4および5に関しては表1のフィルムから1つを選択し、単層のフィルムを封止フィルムとした。 The films used in Examples and Comparative Examples and their thicknesses are shown in Table 2. For Examples 1 to 6 and Comparative Examples 1 to 3, two were selected from the films in Table 1, and two films were bonded together at 80 ° C. using a laminator to produce a sealing film. For Comparative Examples 4 and 5, one was selected from the films in Table 1, and a single-layer film was used as the sealing film.
得られた封止フィルムの充填性、流れ込み性、はんだ耐熱性を評価した。評価にあたっては、下記の方法を用いた。評価結果を表2に示した。 The sealing film obtained was evaluated for fillability, flowability, and solder heat resistance. For the evaluation, the following method was used. The evaluation results are shown in Table 2.
(充填(埋め込み)性)
スライドガラス上に、バンプの代わりとしてダイボンドフィルム(日立化成工業(株)製、型番:ダイボンディングフィルムHS−230、25μm厚、5mm×5mm)を載せた。さらに、ダイボンドフィルムがガラスチップの中央に位置するように、ダイボンドフィルムの上にガラスチップ(150μm厚、10mm×10mm)を載せて150℃、0.1MPa、3秒で熱圧着させ、試験用素子を作製した(図2)。ガラスチップに表2におけるB層が接するように、ガラスチップに封止フィルム(25mm×25mm)を載せて、120℃、0.7MPaで5秒の条件で熱板を用いてプレスした。そのガラスチップを光学顕微鏡で観察し、封止フィルムがガラスチップ側面に接している割合(ガラスチップ側面(チップ外周)の長さに対する、封止フィルムがガラスチップ側面に接している長さの割合)を算出した。その割合が95%以上を○、85%以上95%未満を△、85%未満を×とした。
(Filling (embedding) property)
A die bond film (manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd., model number: die bonding film HS-230, 25 μm thickness, 5 mm × 5 mm) was placed on the slide glass as a substitute for the bumps. Furthermore, a glass chip (150 μm thickness, 10 mm × 10 mm) is placed on the die bond film so that the die bond film is positioned at the center of the glass chip, and is subjected to thermocompression bonding at 150 ° C., 0.1 MPa for 3 seconds, and a test element (Fig. 2). A sealing film (25 mm × 25 mm) was placed on the glass chip so that the B layer in Table 2 was in contact with the glass chip, and pressed using a hot plate at 120 ° C. and 0.7 MPa for 5 seconds. The glass chip is observed with an optical microscope, and the ratio of the sealing film in contact with the glass chip side surface (the ratio of the length of the sealing film in contact with the glass chip side surface to the length of the glass chip side surface (chip outer periphery) ) Was calculated. When the ratio was 95% or more, it was evaluated as “◯”, 85% or more and less than 95% as Δ, and less than 85% as ×.
(流れ込み(浸み込み)性)
充填性の評価方法と同様に試験用サンプルを作製し、ガラスチップに封止フィルムを載せてプレスした。そのガラスチップを光学顕微鏡で観察し、ガラスチップの端部から内部に向かい封止フィルムが流れ込んだ距離の最大値を測定した。流れ込んだ距離が50μm未満を○、50μm以上100μm未満を△、100μm以上を×とした。
(Flow (penetration) property)
A test sample was prepared in the same manner as the evaluation method for filling property, and a sealing film was placed on a glass chip and pressed. The glass chip was observed with an optical microscope, and the maximum value of the distance at which the sealing film flowed from the end of the glass chip toward the inside was measured. The distance of flow was less than 50 μm, ◯, 50 μm or more and less than 100 μm, Δ, and 100 μm or more as x.
(はんだ耐熱性)
充填性の評価方法と同様に試験用素子を作製し、ガラスチップに封止フィルムを載せてプレスし、封止フィルムによりガラスチップが封止されたサンプルを3個得た。これらの素子を、170℃、1時間硬化させた後、240℃のはんだ漕に1分間フロートし(浮かせ)、ふくれ、剥離の有無を目視および光学顕微鏡で観察した。ふくれ又は剥離が1個も観察されなかった場合を○、ふくれ又は剥離が1個以上観察された場合を△、ふくれ又は剥離がすべてに観察された場合を×とした。
(Solder heat resistance)
A test element was prepared in the same manner as the evaluation method of filling property, and a sealing film was placed on a glass chip and pressed to obtain three samples in which the glass chip was sealed with the sealing film. These elements were cured at 170 ° C. for 1 hour, and then floated (floated) for 1 minute on a 240 ° C. soldering iron, and the presence or absence of blistering and peeling was observed visually and with an optical microscope. The case where no blistering or peeling was observed was marked with ○, the case where one or more blistering or peeling was observed was marked with Δ, and the case where blistering or peeling was observed on all was marked with ×.
実施例1〜6の封止フィルムは、いずれも充填性、流れ込み(浸み込み)性、及びはんだ耐熱性に優れていた。
また、従来の方法、すなわち、半導体チップをエポキシ樹脂フィルムなどのフィルムで覆い、さらに、該フィルム表面に液状の紫外線硬化型樹脂などの樹脂を塗布し、硬化させる方法によって半導体チップを封止した場合には、得られる半導体装置の表面がフラットとはいえなかった。これに対し、本発明の封止フィルムを用いて半導体チップを封止した場合には、表面がフラットな半導体装置が得られた。
The sealing films of Examples 1 to 6 were all excellent in filling property, flow-in (soaking) property, and solder heat resistance.
In addition, when a semiconductor chip is sealed by a conventional method, that is, a semiconductor chip is covered with a film such as an epoxy resin film, and further a resin such as a liquid ultraviolet curable resin is applied to the film surface and cured. However, the surface of the obtained semiconductor device was not flat. On the other hand, when the semiconductor chip was sealed using the sealing film of the present invention, a semiconductor device having a flat surface was obtained.
1 SAWデバイス
2 封止フィルム
2a 封止フィルムの外周部
3 SAWチップ
4 電極
5 バンプ
6 基板
7 電極面
8 空間
9 A層
10 B層
11 配線
21 ガラスチップ
22 ダイボンドフィルム
23 スライドガラス
24 試験用素子
DESCRIPTION OF
Claims (9)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006278690A JP4872587B2 (en) | 2006-10-12 | 2006-10-12 | Sealing film and semiconductor device using the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006278690A JP4872587B2 (en) | 2006-10-12 | 2006-10-12 | Sealing film and semiconductor device using the same |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008098419A true JP2008098419A (en) | 2008-04-24 |
JP4872587B2 JP4872587B2 (en) | 2012-02-08 |
Family
ID=39380947
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
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Country Status (1)
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JP (1) | JP4872587B2 (en) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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S531 | Written request for registration of change of domicile |
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