JP2008092183A - マイクロホン装置、および音響装置 - Google Patents

マイクロホン装置、および音響装置 Download PDF

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  • Details Of Audible-Bandwidth Transducers (AREA)
  • Electrostatic, Electromagnetic, Magneto- Strictive, And Variable-Resistance Transducers (AREA)
  • Circuit For Audible Band Transducer (AREA)

Abstract

【課題】 製作工程が簡便で、且つ薄いマイクロホン装置、および音響装置を提供する。
【解決手段】 実装基板2の一面2aにベアチップBC2とICKa2とを実装し、実装基板2の他面2bにベアチップBC1とICKa1とを実装して、ベアチップBC1とICKa1の対を覆うようにシールドケースSC1をモジュール基板2の他面2bに接着封止し、ベアチップBC2とICKa2の対を覆うようにシールドケースSC2をモジュール基板2の一面2aに接着封止して、音孔F1は、キャビティCa1をモジュール基板2の一面2a側の空間に連通させ、音孔F2は、キャビティCA2をモジュール基板2の他面2b側の空間に連通させる。
【選択図】図1

Description

本発明は、マイクロホン装置、および音響装置に関するものである。
従来、マイクロホン装置を収納した様々な音響装置(例えば、インターホン装置、携帯電話等)があり、これらの音響装置に収納されるマイクロホン装置には複数のマイクロホンをモジュール基板に実装したものがある。
モジュール基板に実装されるマイクロホンは、図21に示すように、MEMS(Micro Electro MechanicalSystems)技術を用いて形成されたマイクロホンのベアチップBCとICKpとを基板100上の一面にダイボンディングし、次に、ベアチップBC、ICKp、基板100上の配線パターン(図示無し)の各間をワイヤWで接続し(ワイヤボンティング)、次に、底面に音孔F100を設けたシールドケースSCを、導電性接着剤をリフローすることによる接着、または半田をリフローすることによる接着によってベアチップBCとICKpの対を覆うように基板100上に接着封止することで製作されるマイクロホンパッケージMP100が用いられていた。(例えば、非特許文献1参照)。
三宅常之、「Cover Story MEMS大量生産時代に」、日経マイクロデバイス、日経BP社、2006年8月1日、8月号、p.49〜52
しかしながら、上記従来のマイクロホン装置は、マイクロホンパッケージMP100をモジュール基板に実装するために半田のリフロー工程が必要であった。
また、2方向に指向性を有するマイクロホン装置を実現するために、上記マイクロホンパッケージMP100をモジュール基板の両面に実装した場合、マイクロホン装置の厚さt100は、マイクロホンパッケージMP100の厚さt101、モジュール基板の厚さt102、マイクロホンパッケージMP100をモジュール基板に接着するための半田の厚さt103とすると、[t100=t101×2+t102+t103×2]となり、マイクロホンパッケージMP100の厚さt101、および半田の厚さt102によって厚いものになると考えられる。具体的には、マイクロホンパッケージMP100の厚さt101が1.0〜1.5mm、モジュール基板の厚さt102が0.5mm、半田の厚さt103が0.2mmとすると、このようなマイクロホン装置の厚さt100は2.9〜3.9mmになると推測される。
本発明は、上記事由に鑑みてなされたものであり、その目的は、製作工程が簡便で、且つ薄いマイクロホン装置、および音響装置を提供することにある。
請求項1の発明は、1つの実装基板と、実装基板に実装されて音響信号を電気信号に変換する1乃至複数の第1のベアチップと、実装基板に取り付けられて、実装基板とともに第1のベアチップを内包する第1のキャビティを形成する第1のキャップ体と、第1のキャビティを形成する実装基板または第1のキャップ体に穿設されて、第1のキャビティを外部に連通させる第1の音孔と、実装基板に実装されて音響信号を電気信号に変換する1乃至複数の第2のベアチップと、実装基板に取り付けられて、実装基板とともに第2のベアチップを内包する第2のキャビティを形成する第2のキャップ体と、第2のキャビティを形成する実装基板または第2のキャップ体に穿設されて、第2のキャビティを外部に連通させる第2の音孔とを備えることを特徴とする。
この発明によれば、マイクロホン装置において、従来のようにマイクロホンパッケージをモジュール基板に実装するためのリフロー工程は必要なく、製作工程が簡便となり、さらには薄型化を実現することができる。
請求項2の発明は、請求項1において、前記第1,第2のベアチップは前記実装基板の一面に実装され、前記第1の音孔は前記第1のキャップに穿設され、前記第2の音孔は実装基板に穿設されて、第1のベアチップは実装基板の一面側から入力される音声を集音し、第2のベアチップは実装基板の他面側から入力される音声を集音することを特徴とする。
この発明によれば、互いに逆方向となる実装基板の両面方向に指向性を有するので、実装基板の両面から入射する音声を個別に集音でき、さらには実装基板の同一面に第1,第2のベアチップを実装するので、薄型化の効果が高くなる。
請求項3の発明は、請求項1において、前記第2のベアチップは前記実装基板の一面に実装され、前記第1のベアチップは前記実装基板の他面に実装され、前記第1,第2の音孔は実装基板に穿設されて、第1のベアチップは実装基板の一面側から入力される音声を集音し、第2のベアチップは実装基板の他面側から入力される音声を集音することを特徴とする。
この発明によれば、互いに逆方向となる実装基板の両面方向に指向性を有するので、実装基板の両面から入射する音声を個別に集音でき、また、実装基板の異なる面に第1,第2のベアチップを各々実装するので、マイクロホン装置をハウジングに組み込む際に設計許容度が高くなる。
請求項4の発明は、請求項1乃至3いずれかにおいて、第1のベアチップが出力する電気信号を入力とする第1のインピーダンス変換回路を、前記第1のキャビティ内で実装基板に実装し、第2のベアチップが出力する電気信号を入力とする第2のインピーダンス変換回路を、前記第2のキャビティ内で実装基板に実装することを特徴とする。
この発明によれば、キャビティ内にインピーダンス変換回路を配置することで、外来ノイズの影響を低減して、感度を向上させることができる。
請求項5の発明は、請求項1乃至4いずれか記載のマイクロホン装置と、当該マイクロホン装置に設けた第1,第2のベアチップで集音した各音声信号に演算処理を施して外部へ伝達する音声処理手段とを備えることを特徴とする。
この発明によれば、音響装置において、従来のようにマイクロホンパッケージをモジュール基板に実装するためのリフロー工程は必要なく、マイクロホン装置の製作工程が簡便となり、さらには音響装置自体の薄型化を実現することができる。また、音声処理手段によって、特定方向からの音のみを強調したり、あるいは特定方向からの音に対して感度を低くすることができる。
請求項6の発明は、外部から伝達された音声情報を出力するスピーカを収納したハウジングを備えて、第1の音孔をスピーカの振動板に対向して配置し、第2の音孔をスピーカの出力方向に向かって配置した請求項2または3記載のマイクロホン装置と、第2のベアチップで集音した音声信号から第1のベアチップで集音した音声信号を除去して外部へ伝達する音声処理手段とをハウジング内に配置したことを特徴とする。
この発明によれば、音響装置において、従来のようにマイクロホンパッケージをモジュール基板に実装するためのリフロー工程は必要なく、マイクロホン装置の製作工程が簡便となり、さらには音響装置自体の薄型化を実現することができる。また、音声処理手段によって、スピーカが発する音をマイクロホン装置が拾うことで発生するハウリングを防止することができる。
以上説明したように、本発明では、マイクロホン装置および音響装置において、製作工程が簡便となり、さらには薄型化を実現することができるという効果がある。
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。
(実施形態1)
図1は、本実施形態のマイクロホン装置MM1の構成を示し、図2(a)〜(e)にその製作工程を示す。
まず、マイクロホン装置MM1に用いられるマイクロホンのベアチップBCは、MEMS(Micro Electro MechanicalSystems)技術を用いてシリコンウェハー上に複数形成されたベアチップBCを個片に分離することで形成される(図2(a))。このベアチップBCは、図4に示すように、シリコン基板1bに穿設した孔1cを塞ぐようにシリコン基板1bの一面側にSi薄膜1dが形成され、このSi薄膜1dとの間にエアーギャップ1eを介して電極1fが形成され、さらに音声信号を出力するパッド1gが設けられており、シリコン基板1bの他面側(図4中の下側)を集音面とするコンデンサ型のシリコンマイクロホンを構成している。そして、外部からの音響信号がSi薄膜1dを振動させることで、Si薄膜1dと電極1fとの間の静電容量が変化して電荷量が変化し、この電荷量の変化に伴ってパッド1g,1gから音響信号に応じた電流が流れる。
そして、このベアチップBCをICKaと対にして、FR−4で形成されたモジュール基板2(図2(b))に実装していくのであるが、以下、この製作工程について説明する。まず、モジュール基板2はその一面2aおよび他面2bを実装面とし、ベアチップBC1(第1のベアチップ)とICKa1とを一対にしてモジュール基板2の他面2bにダイボンディングし、ベアチップBC2(第2のベアチップ)とICKa2とを一対にしてモジュール基板2の一面2aにダイボンディングし、ベアチップBC1,BC2の各Si薄膜1dが、モジュール基板2に穿設した音孔F1(第1の音孔),F2(第2の音孔)に各々対向するように、ベアチップBC1,BC2の各シリコン基板1bがモジュール基板2上に固定される(図2(c))。このダイボンディング工程では、モジュール基板2上のベアチップBCの外周部分、およびICKaの実装箇所にダイボンディング材を塗布した後、ダイボンディング材上にベアチップBC、ICKaが実装される。
次に、モジュール基板2の両面2a,2bにおいて、ベアチップBC1、ICKa1、モジュール基板2上の配線パターン(図示無し)の各間、およびベアチップBC2、ICKa2、モジュール基板2上の配線パターン(図示無し)の各間をワイヤWで各々接続(ワイヤボンティング)する(図2(d))。
次に、ベアチップBC1とICKa1の対を覆うように、1つの面を開口したシールドケースSC1(第1のキャップ体)の開口周縁の鍔部SCaをモジュール基板2の他面2bに接着封止し、さらにベアチップBC2とICKa2の対を覆うように、1つの面を開口したシールドケースSC2(第2のキャップ体)の開口周縁の鍔部SCaをモジュール基板2の一面2aに接着封止する(図2(e))。このシールドケースSC(シールドケースSC1またはSC2)の接着封止工程は、モジュール基板2上のシールドケースSCの実装箇所に導電性接着剤を塗布した後、シールドケースSCの鍔部SCaを実装してリフローすることでなされる。そして、シールドケースSCは、導電性接着剤を介してモジュール基板2上のグランド電位に接続されているので、シールド効果が向上し、キャビティCa内に配置したベアチップBC、ICKaに対する外来ノイズの影響を低減して、感度を向上させることができる。
上記のように構成されたマイクロホン装置MM1において、シールドケースSC1は、その内面とモジュール基板2の他面2bとで、ベアチップBC1、ICKa1を内包する空間であるキャビティCa1(第1のキャビティ)を形成し、シールドケースSC2は、その内面とモジュール基板2の一面2aとで、ベアチップBC2、ICKa2を内包する空間であるキャビティCa2(第2のキャビティ)を形成している。そして、音孔F1は、キャビティCa1をモジュール基板2の一面2a側の空間に連通させ、音孔F2は、キャビティCA2をモジュール基板2の他面2b側の空間に連通させている。
このように、マイクロホン装置MM1は、ベアチップBC1、ICKa1、シールドケースSC1、音孔F1で構成されるマイクロホン部M1と、ベアチップBC2、ICKa2、シールドケースSC2、音孔F2で構成されるマイクロホン部M2との2つのマイクロホン部を備えたものとなる。そして、マイクロホン部M1は、モジュール基板2の一面2a側から音孔F1を介して伝達される音響信号に対して高い指向性を有し、マイクロホン部M2は、モジュール基板2の他面2b側から音孔F2を介して伝達される音響信号に対して高い指向性を有しており、互いに逆方向となるモジュール基板2の両面方向に指向性を有するものになる。
図3(a)は、マイクロホン装置MM1を、モジュール基板2の一面2a側から見た平面図であり、モジュール基板2は、マイクロホン部M1を配置する矩形部2fと、マイクロホン部M2を配置する矩形部2gと、矩形部2f,2g間を連結する連結部2hとで構成され、矩形部2gは矩形部2fより大きく形成される。そして、矩形部2gの縁部に沿って、負電源パッドP1,正電源パッドP2,出力1パッドP3,出力2パッドP4が設けられている。
そして、図3(b)に示すように、負電源パッドP1には外部から供給される電源電圧の負側、正電源パッドP2には電源電圧の正側が接続されて、モジュール基板2上の配線パターンを介してマイクロホン部M1,M2に電源を供給している。また、出力1パッドP3からは、マイクロホン部M1が集音した音声信号がモジュール基板2上の配線パターンを介して出力され、出力2パッドP4からは、マイクロホン部M2が集音した音声信号がモジュール基板2上の配線パターンを介して出力される。なお、出力パッドP3,P4から出力される音声信号のグランドは、負電源パッドP1で兼用される。
このように、マイクロホン部M1,M2の電源を共通の負電源パッドP1、正電源パッドP2から供給し、さらにマイクロホン部M1,M2の各出力のグランドを負電源パッドP1で兼用することで、パッドの数を減らすことができ、構成が簡単になる。
次に、マイククロホンモジュールMM1の動作について説明する。
まず、集音した音響信号に応じてベアチップBC1,BC2から流れる各電流は、ICKa1,Ka2によってインピーダンス変換されるとともに電圧信号に変換され、音声信号として出力1パッドP3、出力2パッドP4から各々出力される。
ICKa(ICKa1またはKa2)は、図5の回路構成を備えており、電源パッドP1,P2から供給される電源電圧+V(例えば5V)を定電圧Vr(例えば12V)に変換するチップICからなる定電圧回路Kbを備えており、抵抗R11とベアチップBC(ベアチップBC1またはBC2)との直列回路に定電圧Vrが印加され、抵抗R11とベアチップBCとの接続中点はコンデンサC11を介してジャンクション型のJ−FET素子S11のゲート端子に接続される。J−FET素子S11のドレイン端子は動作電源+Vに接続され、ソース端子は抵抗R12を介して電源電圧の負側に接続される。ここで、J−FET素子S11は電気インピーダンスの変換用であり、このJ−FET素子S11のソース端子の電圧が音声信号として出力される。なお、ICKaのインピーダンスの変換回路は、上記構成に限定されるものではなく、例えばオペアンプによるソースフォロワ回路の機能を有する回路であってもよく、または必要に応じてICKa内に音声信号の増幅回路を設けてもよい。
上記のように構成されたマイクロホン装置MM1は、従来のマイクロホンパッケージMP100をモジュール基板に実装するための半田や、マイクロホンパッケージMP100の基板100等が必要なく(図21参照)、マイクロホン装置MM1の厚さt1は、シールドケースSCの厚さt2、モジュール基板2の厚さt3とすると、[t1=t2×2+t3]となる。具体的には、シールドケースSCの厚さt2が0.75mm、モジュール基板2の厚さt3が0.5mmであり、マイクロホン装置MM1の厚さt1は2.0mmとなり、従来のマイクロホン装置の厚さt100=2.9〜3.9mmに比べて薄型化を実現している。
また、従来のようにマイクロホンパッケージMP100をモジュール基板に実装するためのリフロー工程は必要なく、製作工程が簡便となる。
なお、マイクロホン部M1に設けられるベアチップBC1の数、およびマイクロホン部M2に各々設けられるベアチップBC2の数は各々1つに限定されるものではなく、マイクロホン部M1,M2に各々複数のベアチップBC1,BC2を設けて、上記同様の処理を行ってもよい。
(実施形態2)
図6は本実施形態のマイクロホン装置MM2の構成を示し、実施形態1と同様の構成には同一の符号を付して説明は省略する。
まず、モジュール基板2の一面2aには、ベアチップBC1(第1のベアチップ)とICKa1、およびベアチップBC2(第2のベアチップ)とICKa2とがダイボンディングされている。そして、モジュール基板2の一面2aにおいて、ベアチップBC1、ICKa1、モジュール基板2上の配線パターン(図示無し)の各間、およびベアチップBC2、ICKa2、モジュール基板2上の配線パターン(図示無し)の各間をワイヤWで各々接続している(ワイヤボンティング)。
そして、ベアチップBC1とICKa1の対を覆うように、1つの面を開口したシールドケースSC1(第1のキャップ体)の開口周縁の鍔部SCaをモジュール基板2の一面2aに接着封止し、さらにベアチップBC2とICKa2の対を覆うように、1つの面を開口したシールドケースSC2(第2のキャップ体)の開口周縁の鍔部SCaをモジュール基板2の一面2aに接着封止する。
上記のように構成されたマイクロホン装置MM2において、シールドケースSC1は、その内面とモジュール基板2の一面2aとで、ベアチップBC1、ICKa1を内包する空間であるキャビティCa1(第1のキャビティ)を形成し、シールドケースSC2は、その内面とモジュール基板2の一面2aとで、ベアチップBC2、ICKa2を内包する空間であるキャビティCa2(第2のキャビティ)を形成している。
そして本実施形態では、シールドケースSC1の底面に穿設した音孔F3(第1の音孔)が、キャビティCa1をモジュール基板2の一面2a側の空間に連通させ、モジュール基板2に穿設した音孔F2(第2の音孔)は、キャビティCa2をモジュール基板2の他面2b側の空間に連通させている。
このように、マイクロホン装置MM2は、ベアチップBC1、ICKa1、シールドケースSC1、音孔F3で構成されるマイクロホン部M1と、ベアチップBC2、ICKa2、シールドケースSC2、音孔F2で構成されるマイクロホン部M2との2つのマイクロホン部を備えたものとなる。そして、マイクロホン部M1は、モジュール基板2の一面2a側から音孔F3を介して伝達される音響信号に対して高い指向性を有し、マイクロホン部M2は、モジュール基板2の他面2b側から音孔F2を介して伝達される音響信号に対して高い指向性を有しており、互いに逆方向となるモジュール基板2の両面方向に指向性を有するものになる。
上記のように構成されたマイクロホン装置MM2は、モジュール基板2の一面2aにマイクロホン部M1,M2の両方を実装しているので、マイクロホン装置MM2の厚さt10は、シールドケースSCの厚さt2、モジュール基板2の厚さt3とすると、[t10=t2+t3]となり、実施形態1のマイクロホン装置MM1の厚さ[t1=t2×2+t3]よりもさらに薄くできる。具体的には、シールドケースSCの厚さt2が0.75mm、モジュール基板2の厚さt3が0.5mmであり、マイクロホン装置MM2の厚さt10は1.25mmとなる。
(実施形態3)
実施形態1,2において、1つのマイクロホン装置MM(マイクロホン装置MM1またはMM2)は、1つのマイクロホン部MM1と1つのマイクロホン部M2とを備えているが、1つのマイクロホン装置MMが、複数のマイクロホン部MM1,複数のマイクロホン部MM2を備えてもよい。
例えば、図7に示すように、モジュール基板2上に複数のマイクロホン部M(マイクロホン部M1またはM2)を実装し、各マイクロホン部Mが出力する音声信号は、遅延回路Kcおよび加算回路Kdを備える音声処理部Keに入力される。
そして、各遅延回路Kcでの遅延時間τを設定することで、特定の方向から入力される音声のみを強調することができ、その遅延時間τは、
[τ=d・cosθ/Vs]
となる。ここで、音源に最も近いマイクロホン部Mは遅延回路を省略でき、dは遅延回路を省略したマイクロホン部Mからの距離(図7中のd1,d2)、θは音声を強調したい方向と実装面との角度、Vsは音速を表す。
すなわち、各マイクロホン部Mで集音した音声信号の位相を遅延回路Kcによって互いに同位相に合わせ、同位相の各音声信号を加算回路Kdで加算することで、θ方向から入力された音声のみが強調されるのである。また、マイクロホン部Mの数が多いほど、またマイクロホン部M同士の間隔が広いほど、指向性、S/N比が良好になる。なお、信号処理によって、特定の方向から入力される音声のみを弱めることも可能である。
また、図8(a)(b)に示すように、モジュール基板2上に複数のマイクロホン部Mを縦・横に整列して実装すれば、各マイクロホン部Mが出力する音声信号に対して上記遅延処理、加算処理を行うことで、任意の方向から入力された音声のみを強調したり、弱めることが可能となる。
なお、図7、図8中のFは、モジュール基板2に穿設された音孔F1またはF2を示す。
(実施形態4)
本実施形態の音響装置たる通話装置Aは図9〜図11に示され、ハウジングA1内に、スピーカSP、実施形態1のマイクロホン装置MM1、通話スイッチSW1、音声処理部10を備える。
音声処理部10は、図11に示すように、通信部10a、エコーキャンセル部10b,10c、増幅部10d、信号処理部10eを備えたICで構成され、ハウジングA1内に配置される。他の部屋等に設置されている通話装置Aから情報線L2を介して送信された音声信号は、通信部10aで受信され、エコーキャンセル部10bを介して増幅部10dで増幅された後、スピーカSPから出力される。また、通話スイッチSW1を操作することで通話可能状態となり、マイクロホン装置MM1から入力された各音声信号は信号処理部10eで後述する信号処理を施された後、エコーキャンセル部10cを通過し、通信部10aから情報線L2を介して他の部屋等に設置されている通話装置Aへ送信される。すなわち、部屋間で双方向の通話が可能なインターホンとして機能するものである。なお、通話装置Aの電源は、設置場所の近傍に設けたコンセントから供給されるか、あるいは情報線L2を介して供給されてもよい。
スピーカSPは、図10に示すように、冷間圧延鋼板(SPCC,SPCEN)、電磁軟鉄(SUY)等の厚み0.8mm程度の鉄系材料で形成されて一端を開口した円筒状のヨーク20を具備し、ヨーク20の開口端から外側に向かって円形の支持体21が延設されている。
ヨーク20の筒内にはネオジウムで形成された円柱型永久磁石22(例えば、残留磁束密度1.39T〜1.43T)を配置し、ドーム型の振動板23の外周側の縁部が支持体21の縁端面に固定されている。
振動板23は、PET(PolyEthyleneTerephthalate)またはPEI(Polyetherimide)等の熱可塑性プラスチック(例えば、厚み12μm〜35μm)で形成される。振動板23の背面には筒状のボビン24が固定されており、このボビン24の後端にはクラフト紙の紙管にポリウレタン銅線(例えば、φ0.05mm)を巻回することによって形成されたボイスコイル25が設けられている。ボビン24およびボイスコイル25は、ボイスコイル25がヨーク20の開口端に位置するように設けられており、ヨーク20の開口端近傍を前後方向に自在に移動する。
ボイスコイル25のポリウレタン銅線に音声信号を入力すると、この音声信号の電流と永久磁石22の磁界とにより、ボイスコイル25に電磁力が発生するため、ボビン24が振動板23を伴なって前後方向に振動させられる。このとき、振動板23から音声信号に応じた音が発せられる。すなわち、動電型のスピーカSPが構成される。
そして、スピーカSPの振動板23が対向するハウジングA1の前面内側には、リブ11が形成されており、スピーカSPの円形の支持体21の外周端部から前面側に突出した凸部21aの端面がリブ11に当接し、振動板23がハウジングA1の前面に内側から対向する状態でスピーカSPが固定される。
次に、マイクロホン装置MM1の配置について説明する。図10に示すように、マイクロホン装置MM1は、モジュール基板2の他面2bをハウジングA1の前面内側に沿って配置される。そして、モジュール基板2に穿設したマイクロホン部M1の音孔F1はスピーカSPの振動板23に対向している。またスピーカSP、ハウジングA1の前面には複数の音孔14が穿設されており、モジュール基板2に穿設したマイクロホン部M2の音孔F2はスピーカSPの出力方向に向かって形成され、音孔14を介して通話装置Aの前方に面している。すなわち、マイクロホン部M1は、音孔F1を介して伝達されるスピーカSPからの音声に対して高い指向性を有し、マイクロホン部M2は、音孔F2を介して伝達される、通話装置Aの前方に位置する話者からの音声に対して高い指向性を有するのである。さらに、スピーカSPの中心から各マイクロホン部M1,M2の中心までの距離をそれぞれX1,X2とすると、X1<X2となる。
このように構成された通話装置Aは、マイクロホン装置MM1の厚さt1が薄いことで、ハウジングA1も薄くでき、通話装置A自体の薄型化を図ることができる。また、マイクロホン装置MM1は、モジュール基板2の両面2a,2bにマイクロホン部M1,M2を各々実装しているので、モジュール基板2の一方の面にマイクロホン部M1,M2の両方を実装する場合に比べて、マイクロホン装置MM1をハウジングA1に組み込む際の設計許容度が高くなる。
そして、本実施形態では、スピーカSPの音声出力をマイクロホン部M1,M2が拾うことで発生するハウリングを防止するために、以下の構成を備えている。
まず、音声処理部10に収納されている信号処理部10eは、図12に示すように、マイクロホン部M1のアナログ出力をデジタル信号に変換するA/D変換部30と、A/D変換部30の出力から音声帯域(300〜4000Hz)以外の周波数のノイズを除去するバンドパスフィルター31と、バンドパスフィルター31の出力を減衰させる減衰部32と、減衰部32の出力を遅延させる遅延回路33と、マイクロホン部M2のアナログ出力をデジタル信号に変換するA/D変換部34と、A/D変換部34の出力から音声帯域以外の周波数のノイズを除去するバンドパスフィルター35と、バンドパスフィルター35の出力を反転させて遅延回路33の出力に加算する加算回路36と、加算回路36の出力をデジタル信号からアナログ信号に変換するD/A変換回路37とを備える。
図13〜図17は、音声処理部10の各部の音声信号波形を示す。なお、A/D変換部30,34、バンドパスフィルター31,35、減衰部32、遅延回路33、加算回路36の各出力はデジタル信号であるが、説明のため各波形はアナログ波形で示している。
まず、マイクロホン部M1は、スピーカSPが発する音声に対して高い指向性を有するとともに、マイクロホン部M2よりもスピーカSPに近い位置に配置されており、スピーカSPが発する音声に対するマイクロホン部M1の出力Y11の振幅は、スピーカSPが発する音声に対するマイクロホン部M2の出力Y21の振幅より大きくなる。
さらに、スピーカSPの中心から各マイクロホン部M1,M2の中心までの距離X1,X2はX1<X2であるので、スピーカSPからの音声に対しては、両マイクロホン部M1,M2とスピーカSPとの距離の差(X2−X1)に相当する音波の遅延時間[Td=(X2−X1)/Vs](Vsは音速)だけ、マイクロホン部M1の出力Y11に比べてマイクロホン部M2の出力Y21の位相が遅れている(図13(a)(b)参照)。
一方、両マイクロホン部M1,M2と話者Hとの各距離は等しいとみなせるので、話者Hが発する音声に対しては、両マイクロホン部M1,M2の各出力Y11,Y21は、略同一位相となる。
上記のように両マイクロホン部M1,M2で集音された音声信号は、A/D変換部30,34でデジタル変換された後、バンドパスフィルター31,35でノイズを除去した出力Y12,Y22に生成される(図14(a)(b)参照)。
次に、前述のようにスピーカSPが発する音声に対するマイクロホン部M1の出力Y11の振幅は、スピーカSPが発する音声に対するマイクロホン部M2の出力Y21の振幅より大きいので、減衰部32は出力Y12を減衰させてレベル調整を行ない、スピーカSPからの音声に対する両マイクロホン部M1,M2の出力レベルを一致させる(図15(a)(b)参照)。
次に、遅延回路33は、時間遅延素子またはCR位相遅延回路で構成されており、上記遅延時間Tdだけ減衰部32の出力Y13を遅延させることで、スピーカSPからの音声に対する両マイクロホン部M1,M2の位相を一致させる(図16(a)(b)参照)。
次に、加算回路36は、バンドパスフィルター35の出力Y22を反転させた信号Y23を、遅延回路33の出力Y14に加算することで(図17(a)参照)、出力Y14と出力Y23との差を出力する差動手段を構成しており、スピーカSPからの音声成分が打ち消された出力Yaが生成される(図17(b)参照)。そして、D/A変換回路357からは、出力Yaをアナログ変換した音声信号が出力される。
したがって、出力Y14に含まれるスピーカSPからの音声成分と、出力Y22に含まれるスピーカSPからの音声成分とは、上記減衰処理,遅延処理によって同一振幅、同一位相となって、上記加算処理によって互いに打ち消される。すなわち、出力Yaでは、スピーカSPからの音声成分が低減しているのである。
一方、マイクロホン部M1,M2前方の話者Hが発する音声に対しては、話者Hが発する音声に対して高い指向性を有するマイクロホン部M2の出力Y21の振幅が、マイクロホン部M1の出力Y11の振幅よりも大きくなる。さらに、マイクロホン部M1からの信号は減衰回路32で減衰するので、出力Y22に含まれる話者Hからの音声成分は、出力Y13に含まれる話者Hからの音声成分よりさらに大きくなる。すなわち、出力Y13に含まれる話者Hからの音声成分と、出力Y22に含まれる話者Hからの音声成分との振幅差は大きくなり、加算回路36で上記加算処理を施しても、出力Yaには、話者Hが発する音声に応じた信号が十分な振幅を維持した状態で残る。
なお、マイクロホン部M1からの信号は遅延回路33による遅延処理が施されるので、話者Hが発する音声は、マイクロホン部M1の信号とマイクロホン部M2の信号とで遅延時間Tdだけずれるが、遅延時間Tdはμsec単位であり、通話先の人の耳では、このμsec単位のずれを識別することはできない。すなわち、人の耳に伝達される音声信号としては問題ない。
以上のようにして加算回路36の出力YaではスピーカSPからの音声成分が低減されて、通話装置A前方の話者Hからマイクロホン装置MM1に向って発した音声成分は残っており、出力Yaでは、残したい話者Hからの音声成分と、低減したいスピーカSPからの音声成分との相対的な差が大きくなる。すなわち、話者Hからの音声とスピーカSPからの音声とが同時に発生している場合でも、話者Hからの音声成分は十分な振幅を維持しながらスピーカSPからの音声成分のみが低減されるので、スピーカSPの音声出力をマイクロホン部M1,M2が拾うことで発生するハウリングを防止することができるのである。
次に、D/A変換回路37が出力する音声信号はエコーキャンセル部10cに出力され、エコーキャンセル部10b,10c(図11参照)では、以下の処理を行うことでさらなるハウリング防止を図っている。
まず、エコーキャンセル部10cは、エコーキャンセル部10bの出力を参照信号として取り込み、信号処理部10eの出力に対して演算を施すことにより、スピーカSPからマイクロホン部M1,M2に回り込んだ音声信号をさらにキャンセリングする。一方、エコーキャンセル部10bも、エコーキャンセル部10cの出力を参照信号として取り込み、通信部10aの出力に対して演算を施すことにより、通話先の相手側でのスピーカからマイクロホンへの音声信号の回り込みをキャンセリングする。
具体的には、エコーキャンセル部10b,10cは、スピーカSP−マイクロホン部M1,M2−信号処理部10e−エコーキャンセル部10c−通信部10a−エコーキャンセル部10b−増幅部10d−スピーカSPで構成されるループ回路内に設けた可変損失手段(図示無し)での損失量を調節することにより、ループゲインが1以下となるようにしてハウリングを防止するのである。ここで、送話信号と受話信号とのうち信号レベルが小さいほうは重要ではないとみなし、信号レベルが小さいほうの伝送路に挿入された可変損失回路の伝送損失を大きくするようにしている。
(実施形態5)
モジュール基板2の一面2aにマイクロホン部M1,M2の両方を実装した実施形態2のマイクロホン装置MM2を用いた通話装置Aを図18、図19に示す。
本実施形態では、ハウジングA1の前面内側は、図19に示すように、内壁部12と外壁部13とを有する二重構造となっており、マイクロホン装置MM2は、ハウジングA1前面の内壁部12と外壁部13との間で、モジュール基板2の一面2aを内壁部13の前面に沿って配置される。また、ハウジングA1の前面(内壁部12,外壁部13)には複数の音孔14が穿設されている。
そして、マイクロホン部M1は内壁部12の開口を挿通してスピーカSPに面しており、シールドケースSC1の底面に穿設したマイクロホン部M1の音孔F3はスピーカSPの振動板23に対向し、モジュール基板2に穿設したマイクロホン部M2の音孔F2はスピーカSPの出力方向に向かって形成されて、外壁部13の音孔14を介して通話装置Aの前方に面している。すなわち、マイクロホン部M1は、音孔F3を介して伝達されるスピーカSPからの音声に対して高い指向性を有し、マイクロホン部M2は、音孔F2を介して伝達される、通話装置Aの前方に位置する話者からの音声に対して高い指向性を有するのである。さらに、スピーカSPの中心から各マイクロホン部M1,M2の中心までの距離をそれぞれX1,X2とすると、X1<X2となる。
本実施形態においても、音声処理部10が実施形態4と同様の処理を行うことで、スピーカSPの音声出力をマイクロホン部M1,M2が拾うことで発生するハウリングを防止することができる。
また、マイクロホン装置MM2はマイクロホン装置MM1よりも薄く形成されるので、ハウジングA1もさらに薄くでき、通話装置A自体のさらなる薄型化が可能となる。
(実施形態6)
本発明の通話装置を用いた配線システム例について以下説明する。
まず、図20に示すように建物内の適所において埋め込み配設している1乃至複数のスイッチボックス82を設け、各スイッチボックス82間に壁面内に先行配線した電力線L1と、情報線L2とを送り配線するとともに、始端のスイッチボックス82に対しては、配線盤81内の主幹ブレーカMBと分岐ブレーカBBとを介して屋内に引き込まれた電力線L1を導入し、また外部のインターネット網NTにゲートウェイGW(ルータ、ハブ内蔵)を介して接続されている情報線L2を導入してある。ここでスイッチボックス82には室内の天井面のようなハイポジションHPに設けられるものと、壁スイッチ等で推奨される高さ位置のミドルポジションMPに設けられるものと、足元付近のローポジションLPに設けられるものとに区分される。
これらのスイッチボックス82内には、基本機能モジュール90を接続するゲート装置83が取り付けられており、ゲート装置83は電力線L1、情報線L2を接続する接続端子部及び送り配線用の接続端子部を設けており、前面部には、送られてきた電力線L1と電気的に接続されている接触部を備えた電力路接続口83aと、送られてきた情報線L2と電気的に接続されている情報路接続口83bとを備えている。この接続口83a,83bは両者間の間隔及び内部の接触部の配列、開口部の形状等がシステムとして規格化されており、このゲート装置83の前面部を覆うように基本機能モジュール90の背面部に設けたコネクタが各接続口83a,83bに着脱自在に結合されるようになっている。
基本機能モジュール90は、後述する拡張機能モジュール91とで機能装置を構成するもので、基本機能モジュール90、拡張機能モジュール91の各両側面には、内部の接触部の配列、開口部の形状等がシステムとして規格化された電力路コネクタ、情報路コネクタを設けており、基本機能モジュール90と拡張機能モジュール91、または拡張機能モジュール91同士は上記電力路コネクタ、情報路コネクタを介して着脱自在に結合されるようになっている。したがって、基本機能モジュール90や拡張機能モジュール91の追加や削除に特別な施工が不要となり、そのため一般ユーザーの好みに合わせて拡張機能モジュール91を基本機能モジュール90に連結するだけで、拡張性が確保される。
上記基本機能モジュール90、拡張機能モジュール91は、機能によって複数の種類が準備されており、例えば図20に示すように建物内の適所において埋め込み配設している1乃至複数のスイッチボックス82の内、ハイポジションHPに設けられたスイッチボックス82のゲート装置83には、引掛栓刃接続部N1を備えた基本機能モジュール90や、スピーカN3のみを備えてBGM用の機能等を有する基本機能モジュール90が接続され、さらに基本機能モジュール90には人感センサN2等が設けられた拡張機能モジュール91等が連結される。
ミドルポジションMPに設けられたスイッチボックス82のゲート装置83には照明器具をオン/オフする壁スイッチN4を構成する基本機能モジュール90や、モニタ装置N5を備えた基本機能モジュール90が接続され、さらに基本機能モジュール90には時計N6を有する拡張機能モジュール91や、インターホン機能を有する拡張機能モジュール91a(以降、通話モジュール91aと称す)が連結される。
さらにローポジションLPに設けられたスイッチボックス82のゲート装置83には電源コンセント部N7を備えた基本機能モジュール90や、スピーカN3を備えた基本機能モジュール90が接続され、さらに基本機能モジュール90には足元灯N8を構成する拡張機能モジュール01が連結される。
以上のようにして配設施工が終了し、システムが完成した後は、対応する基本機能モジュール90、拡張機能モジュール91間で情報信号の授受を行い、通話モジュール91aであれば他の部屋の通話モジュールとの間でインターホンシステムを構成し、両者間での通話を可能とするとともに、警報報知等を行う。
ここで、通話モジュール91aに、マイクロホン装置MM1またはマイクロホン装置MM2を上記実施形態4,5の通話装置Aと同様に設けることで、通話モジュール91aの薄型化を実現できる。
実施形態1のマイクロホン装置の側面断面図である。 (a)〜(e)同上の製作工程を示す側面断面図である。 同上のパッドの構成を示す(a)簡略化した平面図、(b)簡略化した回路図である。 同上のベアチップの側面断面図である。 同上のインピーダンス変換回路の回路図である。 実施形態2のマイクロホン装置の側面断面図である。 実施形態3のマイクロホン装置の一部構成図である。 (a)(b)同上の構成の一例を示す図である。 実施形態4の通話装置の斜視図である。 同上の通話装置の一部側面断面図である。 同上の通話装置の回路構成図である。 同上の信号処理部の回路構成図である。 (a)(b)同上の信号処理部の信号波形図である。 (a)(b)同上の信号処理部の信号波形図である。 (a)(b)同上の信号処理部の信号波形図である。 (a)(b)同上の信号処理部の信号波形図である。 (a)(b)同上の信号処理部の信号波形図である。 実施形態5の通話装置の斜視図である。 同上の通話装置の一部側面断面図である。 実施形態6の配線システムの構成図である。 従来のマイクロホンパッケージを示す側面断面図である。
符号の説明
MM1 マイクロホン装置
M1,M2 マイクロホン部
BC1,BC2 ベアチップ
F1,F2 音孔
Ka1,Ka2 IC
SC1,SC2 シールドケース
CA1,CA2 キャビティ
2 モジュール基板
2a 一面
2b 他面

Claims (6)

  1. 1つの実装基板と、
    実装基板に実装されて音響信号を電気信号に変換する1乃至複数の第1のベアチップと、
    実装基板に取り付けられて、実装基板とともに第1のベアチップを内包する第1のキャビティを形成する第1のキャップ体と、
    第1のキャビティを形成する実装基板または第1のキャップ体に穿設されて、第1のキャビティを外部に連通させる第1の音孔と、
    実装基板に実装されて音響信号を電気信号に変換する1乃至複数の第2のベアチップと、
    実装基板に取り付けられて、実装基板とともに第2のベアチップを内包する第2のキャビティを形成する第2のキャップ体と、
    第2のキャビティを形成する実装基板または第2のキャップ体に穿設されて、第2のキャビティを外部に連通させる第2の音孔と、
    を備えることを特徴とするマイクロホン装置。
  2. 前記第1,第2のベアチップは前記実装基板の一面に実装され、
    前記第1の音孔は前記第1のキャップに穿設され、前記第2の音孔は実装基板に穿設されて、
    第1のベアチップは実装基板の一面側から入力される音声を集音し、第2のベアチップは実装基板の他面側から入力される音声を集音する
    ことを特徴とする請求項1記載のマイクロホン装置。
  3. 前記第2のベアチップは前記実装基板の一面に実装され、前記第1のベアチップは前記実装基板の他面に実装され、
    前記第1,第2の音孔は実装基板に穿設されて、
    第1のベアチップは実装基板の一面側から入力される音声を集音し、第2のベアチップは実装基板の他面側から入力される音声を集音する
    ことを特徴とする請求項1記載のマイクロホン装置。
  4. 第1のベアチップが出力する電気信号を入力とする第1のインピーダンス変換回路を、前記第1のキャビティ内で実装基板に実装し、
    第2のベアチップが出力する電気信号を入力とする第2のインピーダンス変換回路を、前記第2のキャビティ内で実装基板に実装する
    ことを特徴とする請求項1乃至3いずれか記載のマイクロホン装置。
  5. 請求項1乃至4いずれか記載のマイクロホン装置と、当該マイクロホン装置に設けた第1,第2のベアチップで集音した各音声信号に演算処理を施して外部へ伝達する音声処理手段とを備えることを特徴とする音響装置。
  6. 外部から伝達された音声情報を出力するスピーカを収納したハウジングを備えて、
    第1の音孔をスピーカの振動板に対向して配置し、第2の音孔をスピーカの出力方向に向かって配置した請求項2または3記載のマイクロホン装置と、第2のベアチップで集音した音声信号から第1のベアチップで集音した音声信号を除去して外部へ伝達する音声処理手段とをハウジング内に配置した
    ことを特徴とする音響装置。
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