JP2008089817A - フォトマスク及びそれを用いた半導体素子の配線パターン形成方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】高精度、高分解能及び低コストのフォトマスクを作製し、それを実用的なデュアルダマシン構造の形成に適用する。
【解決手段】高分解能グレーマスクを実現し、高精度、高分解能及び低コストのフォトマスクを作製し、それを実用的なデュアルダマシン構造の形成に適用する。具体的には、高分解能グレーマスクを用いて、1回の露光、現像及びエッチング工程により、設計パターン形状に対応したデュアルダマシン構造を形成可能とし、デュアルダマシン構造の作製工程の短縮化及びパターン精度を向上させる。
【選択図】図6
【解決手段】高分解能グレーマスクを実現し、高精度、高分解能及び低コストのフォトマスクを作製し、それを実用的なデュアルダマシン構造の形成に適用する。具体的には、高分解能グレーマスクを用いて、1回の露光、現像及びエッチング工程により、設計パターン形状に対応したデュアルダマシン構造を形成可能とし、デュアルダマシン構造の作製工程の短縮化及びパターン精度を向上させる。
【選択図】図6
Description
この発明は、デュアルダマシン構造の半導体素子の配線パターン形成方法に関するものである。
近年、半導体集積回路の高集積化に伴い、多層構造を有する半導体装置の製造技術が急速に発展している。この多層構造を有する半導体装置の場合には、水平方向に展開する各素子を接続するトレンチ配線と、垂直方向に展開する各素子を接続するビアホール配線を形成する必要がある。さらに、最近では、水平方向に展開する各素子を接続するトレンチ配線と垂直方向に展開する各素子を接続するビアホール(単に、ビアとも言う)配線とを同時に作りこむ、いわゆるデュアルダマシン構造の半導体素子が普及してきている。このデュアルダマシン構造を作り込む際には、SiO2層などのハードマスクをパターン形成し、このハードマスクを用いてLow−k層などの低誘電率の絶縁膜をエッチングしてトレンチやビアを形成した後、蒸気圧が高く化合物を形成しにくい銅などの材料を用いて、配線形成を行う。
この様な従来技術においては、ハードマスクが露出する工程においては、ハードマスクの肩の部分が削れて斜めになる、いわゆる肩落ち現象が生じやすかった。又、このハードマスクの肩落ち現象を抑制することが可能な製造方法として、トレンチ用レジストを塗布し、フォトリソグラフィによりパターニングして、エッチングを行い、次に、ビア用レジストを塗布し、フォトリソグラフィによりパターニングして、エッチングを行う方法がある(例えば、特許文献1参照)。 一方、この様なデュアルダマシン構造を作製するにあたり、グレー諧調を有するフォトマスク(グレーマスクと称する)を用いて作製する方法が考えられる(例えば、特許文献2参照)。
特開2002-124568号公報
特許第3117886号公報
しかしながら、特許文献1に開示の方法によれば、2回のフォトリソグラフィとエッチング工程が必須工程となり、工程の複雑化及びパターン精度の低下などを伴っていた。
又、特許文献2に開示の方法によれば、マスクパターンの最小ピッチ、最小寸法及び最小寸法刻み幅は、フォトマスク製造プロセスの解像性及び寸法制御性によって制約を受け、適用可能な下限値が存在する。又、より精度の高いフォトマスク製造プロセスを用いるほどフォトマスクの製造コストが大幅に上昇するという問題点があり、実用的なデュアルダマシン構造を得ることができなかった。
そこで、この出願に係る発明者は、鋭意研究を行ったところ、実用的なデュアルダマシン構造を得ることを目的として、共通の一枚の基板に深さの異なる溝や斜面形状を形成するため、これらの溝を形成するために厚みの異なるレジストパターン、従って、レジスト層に深さの異なる溝や、深さが変化する斜面状の溝の潜像を投写できるフォトマスクを用いれば、従来の問題点を解決できることを見出した。
この発明は、上述した従来の問題点に鑑みなされたものである。
従って、この発明の目的は、高分解能グレーマスクを実現し、高精度、高分解能及び低コストのフォトマスクを作製し、それを実用的なデュアルダマシン構造の形成に適用することにある。具体的には、高分解能グレーマスクを用いて、1回の露光、現像及びエッチング工程により、設計パターン形状に対応したデュアルダマシン構造を形成可能とするものであり、デュアルダマシン構造の作製工程の短縮化及びパターン精度を向上させることにある。
第1の発明の第1のフォトマスクは、下記の特徴を有している。
第1のフォトマスクは、膜厚が非一様なレジストパターンを形成するための露光用のフォトマスクであり、この第1のフォトマスクの構成は、透明なマスク基板と、このマスク基板に密接して配列された複数の正方形のマスクセルとを有している。そして、このマスクセルの一辺の長さは、この第1のフォトマスクが用いられる露光装置の光学系の解像限界となる長さよりも短く設定されている。
又、このマスクセルは、光透過領域と、マスク基板に設けられている遮光膜で形成されている遮光領域とのいずれか一方又は双方を有しており、マスクセルの透過光の光強度は、規格化光強度である。そして、マスクセルに対する光透過領域の面積比によって、透過光の光強度を決定している。
さらに、この第1のフォトマスクを上方から見た平面領域中に、第1領域、第1領域を囲む第2領域、及び、第2領域より外側の第3領域を区画してあって、第1領域内の第1マスクセル群は、第1光強度(但し、0<第1光強度≦1 である。)を有し、第2領域内の第2マスクセル群は、第2光強度(但し、0<第2光強度<第1光強度 である。)を有し、及び、第3領域内の第3マスクセル群は、第3光強度(但し、0≦第3光強度<第2光強度 である。)を有している。
又、第2の発明の第2のフォトマスクは、下記の特徴を有している。この第2のフォトマスクは、膜厚が非一様なレジストパターンを形成するための露光用のフォトマスクであり、この第2のフォトマスクの構成は、透明なマスク基板と、このマスク基板に密接して配列された複数の正方形のマスクセルとを有している。そして、このマスクセルの一辺の長さは、この第2のフォトマスクが用いられる露光装置の光学系の解像限界となる長さよりも短く設定されている。
又、このマスクセルは、光透過領域と、マスク基板に設けられている遮光膜で形成されている遮光領域とのいずれか一方又は双方を有しており、マスクセルの透過光の光強度は、規格化光強度である。そして、マスクセルに対する光透過領域の面積比によって、透過光の光強度を決定している。
さらに、この第2のフォトマスクを上方から見た平面領域中に、第1領域、第1領域を囲む第2領域、第2領域を囲む第3領域、及び、第3領域より外側の第4領域を区画してあって、第1領域内の第1マスクセル群は、第1光強度(但し、0<第1光強度≦1 である。)を有し、第2領域内の第2マスクセル群は、第1領域との境界では、第1光強度を有し、第3領域との境界では、第2光強度(但し、0<第2光強度<第1光強度 である。)を有し、第1領域との境界から第3領域との境界との間では、第1光強度から第2光強度へと直線的に変化する光強度を有し、及び、第3領域内の第3マスクセル群は、第3光強度(但し、0<第3光強度<第2光強度 である。)を有し、及び、第4領域内の第4マスクセル群は、第4光強度(但し、0≦第4光強度<第3光強度 である。)を有している。
そして、第3の発明は、第1の発明のフォトマスクを用いた半導体素子の配線パターン形成方法であって、半導体基板上に厚みの異なった多段の溝のレジストパターンを形成した後、エッチング加工を行い、前記半導体基板上に前記レジストパターンと同様の形状を有する形状を一括で加工する点に特徴を有している。
さらに、第4の発明は、第2の発明のフォトマスクを用いた半導体素子の配線パターン形成方法であって、半導体基板上に厚みの異なった垂直部と斜面部とを備えたレジストパターンを形成した後、エッチング加工を行い、前記半導体基板上に前記レジストパターンと同様の形状を有する形状に一括で加工する点に特徴を有している。
第1の発明によれば、膜厚が非一様なレジストパターンを形成するための露光用の第1のフォトマスクは、この第1のフォトマスクを上方から見た平面領域中に、第1領域、第1領域を囲む第2領域、及び、第2領域より外側の第3領域を区画してあり、第1領域内の第1マスクセル群は、第1光強度(但し、0<第1光強度≦1 である。)を有し、第2領域内の第2マスクセル群は、第2光強度(但し、0<第2光強度<第1光強度 である。)を有し、及び、第3領域内の第3マスクセル群は、第3光強度(但し、0≦第3光強度<第2光強度 である。)を有している。従って、区画された任意の領域内に、厚みの異なった多段の溝形状のレジストパターンを形成するための第1のフォトマスクが得られるという効果を奏する。
又、第2の発明よれば、膜厚が非一様なレジストパターンを形成するための露光用の第2のフォトマスクは、この第2のフォトマスクを上方から見た平面領域中に、第1領域、第1領域を囲む第2領域、第2領域を囲む第3領域、及び、第3領域より外側の第4領域を区画してあり、第1領域内の第1マスクセル群は、第1光強度(但し、0<第1光強度≦1 である。)を有している。第2領域内の第2マスクセル群は、第1領域との境界では、第1光強度を有し、第3領域との境界では、第2光強度(但し、0<第2光強度<第1光強度 である。)を有し、第1領域との境界から第3領域との境界との間では、第1光強度から第2光強度へと直線的に変化する光強度を有している。及び、第3領域内の第3マスクセル群は、第3光強度(但し、0<第3光強度<第2光強度 である。)を有し、及び、第4領域内の第4マスクセル群は、第4光強度(但し、0≦第4光強度<第3光強度 である。)を有している。従って、この第2の発明によれば、区画された任意の領域内に、厚みの異なった垂直部と斜面部とを備えたレジストパターンを形成するための第2のフォトマスクが得られるという効果を奏する。
第3の発明によれば、第1の発明のレジストパターン形成用のフォトマスクを使用することで、1回のフォトリソグラフィーとエッチング工程のみを行うことにより、厚みの異なった多段の溝形状を実現し、実用的なデュアルダマシン構造の形成に適用することができるという効果を奏する。
さらに、第4の発明よれば、第2の発明のレジストパターン形成用のフォトマスクを使用することで、1回のフォトリソグラフィーとエッチング工程のみを行うことにより、厚みの異なった垂直部と斜面部とを備えた形状を実現し、実用的なデュアルダマシン構造の形成に適用することができるという効果を奏する。
以下、図を参照して、この発明の実施形態につき説明する。なお、図は、この発明が理解できる程度に構成要素の形状、大きさ及び配置関係を概略的に示してあるにすぎず、又、以下に説明する数値的及びその他の条件は単なる好適例であり、この発明はこの発明の実施形態にのみ何等限定されるものではない。なお、図において、図の複雑化を防ぐために、断面を表すハッチング等を一部省略して示してある。
(第1の実施形態:フォトマスク)
図1(A)、図1(B)及び図1(C)を参照して、この発明のレジストパターン形成用のフォトマスクについて説明する。図1(A)、図1(B)及び図1(C)は、フォトマスクを説明するための模式図である。図1(A)は、フォトマスクの一部分を上方から見た模式的な平面図である。図1(B)は、図1(A)のA−A線に沿った面で切った断面を示す図である。図1(C)は、図1(A)のA−A線に沿った方向(X方向)の位置と、透過光の光強度の関係を説明するための図である。図1(C)は、横軸にX方向の位置を取って示し、縦軸に透過光の光強度を取って示してある。
図1(A)、図1(B)及び図1(C)を参照して、この発明のレジストパターン形成用のフォトマスクについて説明する。図1(A)、図1(B)及び図1(C)は、フォトマスクを説明するための模式図である。図1(A)は、フォトマスクの一部分を上方から見た模式的な平面図である。図1(B)は、図1(A)のA−A線に沿った面で切った断面を示す図である。図1(C)は、図1(A)のA−A線に沿った方向(X方向)の位置と、透過光の光強度の関係を説明するための図である。図1(C)は、横軸にX方向の位置を取って示し、縦軸に透過光の光強度を取って示してある。
フォトマスク10は、石英ガラス等の透明なマスク基板20上に、複数の、同一の大きさの正方形状のマスクセル40を備えている。このマスクセル40は、マスク基板20の一方の主表面に画成された複数の単位マスクセル領域に設定されている。これら単位マスクセル領域は、互いに直交するX方向(又は行方向)及びY方向(又は列方向)に引かれた直線である、複数の仮想格子状線46で、マスク基板20の一方の主表面に等間隔に仕切られて設定された領域である。従って、これら単位マスクセル領域は、直交マトリクス(行列)配列として、配列されている。
マスクセル40には、光透過領域44と遮光領域42のいずれか一方又は双方が設定されている。マスク基板20上の遮光領域42には、例えば、クロムを蒸着するなどして遮光膜30が形成されている。マスクセル40が、フォトマスク10を透過する光強度を制御する基本単位である。同じ面積のマスクセル40の場合、マスクセル40に対する光透過領域44の面積比により、マスクセル40を透過する光強度が与えられる。すなわち、マスクセル40中の、光透過領域44の面積が大きいほど、当該マスクセル40を透過する光強度が大きくなる(図1(C))。
このマスクセル40の透過光の光強度は、規格化光強度とすることができる。すなわち、規格化光強度とは、多数のマスクセルのうち、いずれかのマスクセルを透過した光の強度が最大であるとき、この最大光強度を1として決まる他のマスクセルを透過する光の強度の値である。従って、規格化光強度は、1と0とをそれぞれ含むその間のいずれかの値を取る。各マスクセルには、それぞれ設計上決められる規格化光強度が割り当てられることになる。
尚、図1(A)は、光透過領域44と遮光領域42の双方が設定されているマスクセル40が、Y方向の仮想二分線48で二分され、仮想二分線48の一方の側(図中、仮想二分線の右側)に光透過領域44が設定され、他方の側(図中、仮想二分線の左側)に遮光領域42が設定されている例を示している。各マスクセルについて、光透過領域44が仮想二分線48に対して同じ側に設定されているのが良い。これは、以下の理由による。
目標とされるレジストパターンの形状が、連続的に膜厚が変化する曲面状の場合、レジスト層の膜厚の変化が緩やかな領域では、同一の光強度のマスクセル40が連続して設定されることがある。各マスクセル40について、仮想二分線48に対して、同じ側に光透過領域44が設定される構成にすると、Y方向に連続して設けられる同一の光強度のマスクセル40については、遮光領域は、一つの矩形として構成される。マスクパターンを構成する矩形の数の増減に応じて、マスクパターンの生成に必要なデータも量も増減する。従って、各マスクセル40の遮光膜30を、一括して一つの矩形として形成すると、マスクパターンの生成に必要なデータ量を削減することができる。この結果、フォトマスクの製造にかかる時間を短縮するとともに、コストを削減することができる。
図1(A)及び図1(B)では、全てのマスクセル40について光透過領域44と遮光領域42が設定されている例を示しているが、この例に限定されない。すなわち、フォトマスクは、光透過領域44だけが設定された、すなわち遮光領域42が無いマスクセル、あるいは、マスクセル40に遮光領域42だけが設定された、すなわち光透過領域44が無いマスクセルを備える構成でも良い。ここで、光透過領域(スペース)44の幅をD、及び、遮光領域(ライン)42の幅をWとする。
マスクセル40の一辺の長さ(以下、マスクピッチと称することもある。)Pは、このフォトマスク10が用いられる露光装置の光学系の解像限界となる長さより短く設定されている。このため、このフォトマスク10を用いてレジストを露光した場合、フォトマスクのマスクパターンを解像できるだけのコントラストが得られない。このフォトマスク10を用いてレジストを露光した後、現像すると、レジストは分離することなく、連続して膜厚が変化する。
従って、以上説明したように、上記のレジストパターン形成用のフォトマスクによれば、マスクセル毎に透過する光強度を設定することができる。
次に、この発明の第1の発明による第1のフォトマスクについて、図2(A)、図2(B)及び図2(C)を参照して説明する。図2(A)、図2(B)及び図2(C)は、この第1のフォトマスクを説明するための模式図である。図2(A)は、この第1のフォトマスク100の上方から見た模式的な平面図である。図2(B)は、図2(A)のB−B線に沿った面で切った断面図を示す図である。図2(C)は、B−B線に沿った方向(X方向)の位置と、透過光の光強度の関係を説明するための図である。図2(C)は、横軸にX方向の位置を取って示し、縦軸に透過光の光強度を取って示してある。
第1のフォトマスク100は、石英ガラス等の透明なマスク基板102上に区画された、第1領域110、第1領域110を囲む第2領域120、及び第2領域110より外側の第3領域130を有している。この実施形態では、一例として、第1領域110に、4行及び6列の行列配列でマスクセルを設定してあり、一方、第2領域120に、10行及び10列の行列配列でマスクセルを設定してあるが、何らこれらの配列に限定されるものではない。
この第1領域110に含まれている複数のマスクセルからなる第1マスクセル群112は、同一の光強度、すなわち第1光強度を有する光を透過する光透過領域を持つマスクセルの集合体から成り立っている。そして、この第1光強度の規格化光強度は、0<第1光強度≦1の光強度を有している。
又、第1領域を囲む第2領域120に含まれている複数のマスクセルからなる第2マスクセル群122は、第1光強度とは異なる光強度、すなわち第2光強度を有する光を透過する光透過領域を持つ同一のマスクセルの集合体から成り立っている。そして、この第2光強度の規格化光強度は、0<第2光強度<第1光強度≦1の光強度を有している。
さらに、第2領域より外側の第3領域130に含まれる第3マスクセル群132は、第1及び第2光強度とは異なる第3光強度を有する光を透過する光透過領域を持つ同一のマスクセルの集合体から成り立っている。この第3光強度の規格化光強度は、0≦第3光強度<第2光強度の光強度を有している。この実施形態の場合、第3光強度=0としており、この第3領域130は遮光領域となっている。
図2(C)は、このフォトマスクの第1領域110、第2領域120及び第3領域130の透過光の光強度分布を示す図である。第1領域110内の透過光の光強度は、一定であって、第1光強度である。又、第2領域120内の透過光の光強度は、第2光強度(第1光強度よりも小さい)であって、一定である。これら第1及び第2領域外の第3領域130の透過光の光強度は、第3光強度であって、一定であり、かつ光強度はゼロである。
従って、この第1のフォトマスク100を用いてレジスト層にフォトマスクパターンを投写して感光させ、然る後、レジスト層を現像すると、区画された第1領域110及び第2領域120が形成され、第1領域110の方が第2領域120よりも深い、光強度に応じた厚みの異なる多段(この実施形態では2段)の溝形状パターンを有するレジストパターンを得ることができる。
次に、この発明の第2の発明による第2のフォトマスクについて、図3(A)、図3(B)及び図3(C)を参照して説明する。図3(A)、図3(B)及び図3(C)は、第2のフォトマスクを説明するための模式図である。図3(A)は、この第2のフォトマスク200の上方から見た模式的な平面図である。図3(B)は、図3(A)のC−C線に沿った面で切った断面図を示す図である。図3(C)は、C−C線に沿った方向(X方向)の位置と、透過光の光強度の関係を説明するための図である。図3(C)は、横軸にX方向の位置を取って示し、縦軸に透過光の光強度を取って示してある。
第2のフォトマスク200は、石英ガラス等の透明なマスク基板202上に区画された、第1領域210、第1領域210を囲む第2領域220、第2領域220を囲む第3領域230、及び、第3領域230より外側の第4領域240を有している。この実施形態では、一例として、第1領域210に、2行及び4列の行列配列でマスクセルを設定してあり、一方、第2領域220に、6行及び8列の行列配列でマスクセルを設定してあり、さらに、第3領域230に、10行及び12列の行列配列でマスクセルを設定しているが、何らこれらの配列に限定されるものではない。
この第1領域210に含まれている複数のマスクセルからなる第1マスクセル群212は、同一の光強度、すなわち第1光強度を有する光を透過する光透過領域を持つマスクセルの集合体から成り立っている。そして、この第1光強度の規格化光強度は、0<第1光強度≦1の光強度を有している。
又、第1領域210を囲む第2領域220内の第2マスクセル群222は、第1領域210との境界では、第1光強度を有し、第3領域との境界では、第2光強度(但し0<第2光強度<第1光強度)を有し、第1領域210との境界から第3領域230との境界との間では、第1光強度から第2光強度へと直線的に変化する光強度を有している。
そして、第2領域220を囲む第3領域230に含まれている複数のマスクセルからなる第3マスクセル群232は、第2光強度とは異なる光強度、すなわち第3光強度を有する光を透過する光透過領域を持つ同一のマスクセルの集合体から成り立っている。そして、この第3光強度の規格化光強度は、0<第3光強度<第2光強度の光強度を有している。
さらに、第3領域230より外側の第4領域240に含まれる第4マスクセル群242は、第1、第2及び第3光強度とは異なる第4光強度を有する光を透過する光透過領域を持つ同一のマスクセルの集合体から成り立っている。この第4光強度の規格化光強度は、0≦第4光強度<第3光強度の光強度を有している。この実施形態の場合、第4光強度=0としており、この第4領域240は遮光領域となっている。
図3(C)は、このフォトマスクの第1領域210、第2領域220、第3領域230及び第4領域240の透過光の光強度分布を示す図である。第1領域210内の透過光の光強度は、一定であって、第1光強度である。第2領域220内の透過光の光強度は、第1領域210との境界では、第1光強度を有し、第3領域230との境界では、第2光強度を有し、第1領域210との境界から第3領域230との境界との間では、第1光強度から第2光強度へと直線的に変化する光強度を有している。又、第3領域230内の透過光の光強度は、第3光強度であって、一定である。さらに、第4領域240の透過光の光強度は、第4光強度であって、一定であり、かつ光強度はゼロである。
従って、この第2のフォトマスク200を用いてレジスト層にフォトマスクパターンを投写して感光させ、然る後、レジスト層を現像すると、区画された第1領域210、第2領域220及び第3領域230が形成され、区画された領域内に、厚みの異なった垂直部と斜面部とを備えたレジストパターンを得ることができる。
(第2の実施形態:第1のフォトマスクを用いたデュアルダマシン構造の形成方法)
この発明の第3の発明として、第1のフォトマスクを用いたデュアルダマシン構造の形成方法について説明する。
この発明の第3の発明として、第1のフォトマスクを用いたデュアルダマシン構造の形成方法について説明する。
先ず、上述の第1の発明による第1のフォトマスクを用いたレジストパターン形成方法について、シリコン基板を使用して説明する。
使用したシリコン基板は、6インチ径である。塗布したレジスト厚みは3.5μmで、レジストは、ポジ型レジスト(例えば、JSR社製、商品名IX410)をスピンコータで塗布したものである。露光装置は、i線(波長λ=365nm)ステッパ(例えば、Nikon社製、商品名NSR−2205i11D)を用い、露光条件を投影レンズの開口数NA=0.5、コヒーレンスファクタσ=0.5、縮小投影倍率を5倍とした。又、図1(B)におけるマスクセル40の一辺の長さ、すなわち、マスクピッチPを400nmとする。
図4を参照して、フォトマスクのマスクパターン配置手順について説明する。マスクパターンの配置を決めるためには、マスクセルのスペース幅と残存するレジスト層の膜厚(以下、単にレジスト膜厚と称する)との関係が必要となる。図4は、スペース幅(図1(B)参照。)に対する露光及び現像後の残存するレジスト膜厚を示す図であり、280ミリ秒の露光時間でのレジスト膜厚を示している。図4において、横軸にマスクセルのスペース幅(単位:nm)を取って示し、縦軸に露光及び現像後の残存するレジスト膜厚(単位:μm)を取って示してある。
図4に示す特性曲線によれば、280ミリ秒の露光時間で120nmのスペース幅、すなわち最小のスペース幅のときに、3.5μmのレジスト膜厚を得、一方、同じ露光条件で、280nmのスペース幅、すなわち最大のスペース幅のときに0μmのレジスト膜厚を得ることができる。従って、例えば、スペース幅を5nm刻みで制御することにより、32段階の階調数で、目標とされる0〜3.5μmのレジスト膜厚の設定が可能である。
この場合のフォトマスクは、第1の実施形態で説明した第1の発明の第1のフォトマスクの場合と同じであり、さらにこの場合は、規格化光強度として、0=第3光強度<第2光強度<第1光強度=1の条件が付加される場合となる。
図5は、各レジストパターンの形状に対するマスクセルの配置、露光及び現像後のレジストパターンの形状を示したものである。図5(A)は、各レジストパターンの形状に対するマスクセルの配置を説明するための図である。図5(B)は、各マスクセル群によって露光及び現像した後のレジストパターンの形状を示す図である。
図5(A)及び図5(B)において、最小スペース幅Dminが120nmのマスクセルからなるマスクセル群の領域304は、露光及び現像後のレジスト残存率は100%、すなわち、レジスト層が現像されずに完全にシリコン基板300上に残るレジスト層302となる。従って、この領域は第1のフォトマスクにおける第3領域、すなわち遮光領域となる。
又、最大スペース幅Dmaxが280nmのマスクセルからなるマスクセル群の領域308は、露光及び現像後のレジスト残存率は0%、すなわちレジスト層が局部的に現像工程によって除去されてレジスト層に開口が形成される領域であり、シリコン基板300の表面までレジストが開口されている領域となる。
そして、最大スペース幅Dmaxと最小スペース幅Dminとの中間のスペース幅D1のマスクセルからなるマスクセル群306の領域のレジスト残存率は、最大スペース幅Dmaxが280nmのマスクセルからなるマスクセル群の領域308と最小スペース幅Dminが120nmのマスクセルからなるマスクセル群の領域304との中間の値を取ることになり残存したレジスト層310となる。
以上のような特性を持つ第1のフォトマスクを用いた、第3の発明のデュアルダマシン構造の形成方法について説明する。
図6は、第1のフォトマスクにより形成したレジストパターンを用いてデュアルダマシン構造のトレンチ部分及びビアホール部分を形成するまでの工程を示す図である。多層の絶縁膜から構成される被エッチング基体410の構成は、最下層のSiN絶縁膜400、中間層であるLow−k層であるSiOC層402、及び最上層のSiO2絶縁膜404から構成される。この被エッチング基体410の最上層上に第1のフォトマスクによりパターニングされたレジストパターン406を形成する(図6(A))。
次に、このレジストパターン406をマスクにSiO2絶縁膜404をエッチングする。この時、レジストパターン406も全体にエッチングされる(図6(B))。
さらに、レジストパターン406をマスクに中間層であるLow−k層であるSiOC層402をエッチングする(図6(C))。
続いて、最上層のSiO2絶縁膜404と最下層のSiN絶縁膜400とを同時にエッチングする(図6(D))。
最後に、レジスト除去を行う(図6(E))。
以上の工程により、デュアルダマシン構造のビアホール部分及びトレンチ部分の作製が完了し、次に銅などの導電金属を充填することにより、配線パターンの作製が完了する。
レジスト塗布工程からエッチングまでの処理工程は以下の通りである。レジスト塗布後、雰囲気温度90℃で60秒間のプリべーク処理を行った後、i線ステッパを用いて280ミリ秒間の露光を行い、その後、雰囲気温度110℃で100秒間の露光後ベーク処理を行う。次に、アルカリ現像液(例えば、東京応化社製、商品名NMD−3)を用いて90秒間の現像処理を行った後、雰囲気温度120℃で100秒間の現像後べーク処理を行うことにより、レジストパターンが得られる。エッチングは、マイクロマシンの作製で一般に使用されている誘導結合型反応性イオンエッチング(Inductively Coupled Plasma-Reactive Ion Etching:ICP−RIE)装置を用いた。
(第3の実施形態:第2のフォトマスクを用いたデュアルダマシン構造の形成方法)
この発明の第4の発明として、第2のフォトマスクを用いたデュアルダマシン構造の形成方法について説明する。
この発明の第4の発明として、第2のフォトマスクを用いたデュアルダマシン構造の形成方法について説明する。
先ず、上述の第2の発明による第2のフォトマスクを用いたレジストパターン形成方法について、シリコン基板を使用して説明する。
使用したシリコン基板は、6インチ径である。塗布したレジスト厚みは3.5μmで、レジストは、ポジ型レジスト(例えば、JSR社製、商品名IX410)をスピンコータで塗布したものである。露光装置は、i線(波長λ=365nm)ステッパ(例えば、Nikon社製、商品名NSR−2205i11D)を用い、露光条件を投影レンズの開口数NA=0.5、コヒーレンスファクタσ=0.5、縮小投影倍率を5倍とした。又、図1(B)におけるマスクセル40の一辺の長さ、すなわち、マスクピッチPを400nmとする。
図4を参照して、フォトマスクのマスクパターン配置手順について説明する。マスクパターンの配置を決めるためには、マスクセルのスペース幅と残存するレジスト層の膜厚(以下、単にレジスト膜厚と称する)との関係が必要となる。図4は、スペース幅(図1(B)参照。)に対する露光及び現像後の残存するレジスト膜厚を示す図であり、280ミリ秒の露光時間でのレジスト膜厚を示している。図4において、横軸にマスクセルのスペース幅(単位:nm)を取って示し、縦軸に露光及び現像後の残存するレジスト膜厚(単位:μm)を取って示してある。
図4に示す特性曲線によれば、280ミリ秒の露光時間で120nmのスペース幅、すなわち最小のスペース幅のときに、3.5μmのレジスト膜厚を得、一方、同じ露光条件で、280nmのスペース幅、すなわち最大のスペース幅のときに0μmのレジスト膜厚を得ることができる。従って、例えば、スペース幅を5nm刻みで制御することにより、32段階の階調数で、目標とされる0〜3.5μmのレジスト膜厚の設定が可能である。
この場合のフォトマスクは、第1の実施形態で説明した第2の発明の第2のフォトマスクの場合と同じであり、さらにこの場合は、規格化光強度として、0=第4光強度<第3光強度<第2光強度<第1光強度=1の条件が付加される場合となる。
図7は、各レジストパターンの形状に対するマスクセルの配置、露光及び現像後のレジストパターンの形状を示したものである。図7(A)は、各レジストパターンの形状に対するマスクセルの配置を説明するための図である。図7(B)は、各マスクセル群によって露光及び現像した後のレジストパターンの形状を示す図である。
図7(A)及び図7(B)において、最小スペース幅Dminが120nmのマスクセルからなるマスクセル群の領域502は、露光及び現像後のレジスト残存率は100%、すなわち、レジスト層が現像されずに完全にシリコン基板500上に残るレジスト層510となる。従って、この領域は第2のフォトマスクにおける第4領域、すなわち遮光領域となる。
又、最大スペース幅Dmaxが280nmのマスクセルからなるマスクセル群の領域508は、露光及び現像後のレジスト残存率は0%、すなわちレジスト層が局部的に現像工程によって除去されてレジスト層に開口が形成される領域であり、シリコン基板500の表面までレジストが開口されている領域となる。
そして、最大スペース幅Dmaxと最小スペース幅Dminとの中間のスペース幅D1及びD2からなるマスクセル群506及びマスクセル群504の領域のレジスト残存率は、最大スペース幅Dmaxが280nmのマスクセルからなるマスクセル群の領域508と最小スペース幅Dminが120nmのマスクセルからなるマスクセル群の領域502との中間の値を取ることになり残存したレジスト層514及びレジスト層512となる。
以上のような特性を持つ第2のフォトマスクを用いた、第4の発明のデュアルダマシン構造の形成方法について説明する。
図8は、第2のフォトマスクにより形成したレジストパターンを用いてデュアルダマシン構造のトレンチ部分及びビアホール部分を形成するまでの工程を示す図である。多層の絶縁膜から構成される被エッチング基体610の構成は、最下層のSiN絶縁膜600、中間層であるLow−k層であるSiOC層602、及び最上層のSiO2絶縁膜604から構成される。この被エッチング基体610の最上層上に第3のフォトマスクによりパターニングされたレジストパターン606を形成する(図8(A))。
次に、このレジストパターン606をマスクにSiO2絶縁膜604及び中間層であるLow−k層であるSiOC層602をエッチングする。この時、レジストパターン606も全体にエッチングされる(図8(B))。
さらに、レジストパターン606をマスクにSiO2絶縁膜604及び中間層であるLow−k層であるSiOC層602をさらにエッチングする(図8(C))。
続いて、最上層のSiO2絶縁膜604と最下層のSiN絶縁膜600とを同時にエッチングする(図8(D))。
最後に、レジスト除去を行う(図8(E))。
以上の工程により、デュアルダマシン構造のビアホール部分及びトレンチ部分の作製が完了し、次に銅などの導電金属を充填することにより、配線パターンの作製が完了する。
レジスト塗布工程からエッチングまでの処理工程は以下の通りである。レジスト塗布後、雰囲気温度90℃で60秒間のプリべーク処理を行った後、i線ステッパを用いて280ミリ秒間の露光を行い、その後、雰囲気温度110℃で100秒間の露光後ベーク処理を行う。次に、アルカリ現像液(例えば、東京応化社製、商品名NMD−3)を用いて90秒間の現像処理を行った後、雰囲気温度120℃で100秒間の現像後べーク処理を行うことにより、レジストパターンが得られる。エッチングは、マイクロマシンの作製で一般に使用されている誘導結合型反応性イオンエッチング(Inductively Coupled Plasma-Reactive Ion Etching:ICP−RIE)装置を用いた。
尚、上述した各実施形態においては、好適な形態を例示したものであり、その内容に限定されるものではない。ここでは、露光装置にi線ステッパを用いたが、g線(波長436nm)ステッパ、KrF(波長248nm)ステッパ、及び、ArF(波長193nm)ステッパなどを用いても良い。
又、レジストとしてポジ型のレジストを用いた形態について説明したが、ネガ型のレジストを用いて、照射される光強度が強くなるほどレジスト残膜厚を増加させる構成としても良い。
10、100、200:フォトマスク
20、102、202:マスク基板
30:遮光膜
40:マスクセル
42:遮光領域
44:光透過領域
46:仮想格子状線
48:仮想二等分線
110、210:第1領域
112、212:第1マスクセル群
120、220:第2領域
122、222:第2マスクセル群
130、230:第3領域
132、232:第3マスクセル群
240:第4領域
241:第4マスクセル群
300、500:シリコン基板
302、310、510、512、514:レジスト層
304、502:Dminが120nmのマスクセルからなるマスクセル群の領域
308、508:Dmaxが280nmのマスクセルからなるマスクセル群の領域
306:D1(DmaxとDminとの中間)のマスクセルからなるマスクセル群
504、506:D1及びD2(DmaxとDminとの中間)のマスクセルからなるマスクセル群
400、600:SiN絶縁膜
402、602:SiOC層
404、604:SiO2絶縁膜
406、606:レジストパターン
410、610:被エッチング基体
20、102、202:マスク基板
30:遮光膜
40:マスクセル
42:遮光領域
44:光透過領域
46:仮想格子状線
48:仮想二等分線
110、210:第1領域
112、212:第1マスクセル群
120、220:第2領域
122、222:第2マスクセル群
130、230:第3領域
132、232:第3マスクセル群
240:第4領域
241:第4マスクセル群
300、500:シリコン基板
302、310、510、512、514:レジスト層
304、502:Dminが120nmのマスクセルからなるマスクセル群の領域
308、508:Dmaxが280nmのマスクセルからなるマスクセル群の領域
306:D1(DmaxとDminとの中間)のマスクセルからなるマスクセル群
504、506:D1及びD2(DmaxとDminとの中間)のマスクセルからなるマスクセル群
400、600:SiN絶縁膜
402、602:SiOC層
404、604:SiO2絶縁膜
406、606:レジストパターン
410、610:被エッチング基体
Claims (4)
- 膜厚が非一様なレジストパターンを形成するための露光用のフォトマスクであって、
透明なマスク基板と、該マスク基板に密接して配列された複数の正方形のマスクセルとを有しており、
前記マスクセルの一辺の長さは、前記フォトマスクが用いられる露光装置の光学系の解像限界となる長さよりも短く設定されており、
前記マスクセルは、光透過領域と、前記マスク基板に設けられている遮光膜で形成されている遮光領域とのいずれか一方又は双方を有しており、
前記マスクセルの透過光の光強度が規格化光強度であり、
前記マスクセルに対する前記光透過領域の面積比によって、前記透過光の光強度を決定しており、
前記フォトマスクを上方から見た平面領域中に、第1領域、該第1領域を囲む第2領域、及び、該第2領域より外側の第3領域を区画してあり、
前記第1領域内の第1マスクセル群は、第1光強度(但し、0<第1光強度≦1 である。)を有し、
前記第2領域内の第2マスクセル群は、第2光強度(但し、0<第2光強度<第1光強度 である。)を有し、及び、
前記第3領域内の第3マスクセル群は、第3光強度(但し、0≦第3光強度<第2光強度 である。)を有する
ことを特徴とするフォトマスク。 - 膜厚が非一様なレジストパターンを形成するための露光用のフォトマスクであって、
透明なマスク基板と、該マスク基板に密接して配列された複数の正方形のマスクセルとを有しており、
前記マスクセルの一辺の長さは、前記フォトマスクが用いられる露光装置の光学系の解像限界となる長さよりも短く設定されており、
前記マスクセルは、光透過領域と、前記マスク基板に設けられている遮光膜で形成されている遮光領域とのいずれか一方又は双方を有しており、
前記マスクセルの透過光の光強度が規格化光強度であり、
前記マスクセルに対する前記光透過領域の面積比によって、前記透過光の光強度を決定しており、
前記フォトマスクを上方から見た平面領域中に、第1領域、該第1領域を囲む第2領域、該第2領域を囲む第3領域、及び、該第3領域より外側の第4領域を区画してあり、
前記第1領域内の第1マスクセル群は、第1光強度(但し、0<第1光強度≦1 である。)を有し、
前記第2領域内の第2マスクセル群は、前記第1領域との境界では、第1光強度を有し、前記第3領域との境界では、第2光強度(但し、0<第2光強度<第1光強度 である。)を有し、前記第1領域との境界から前記第3領域との境界との間では、前記第1光強度から前記第2光強度へと直線的に変化する光強度を有し、及び、
前記第3領域内の第3マスクセル群は、第3光強度(但し、0<第3光強度<第2光強度 である。)を有し、及び、
前記第4領域内の第4マスクセル群は、第4光強度(但し、0≦第4光強度<第3光強度 である。)を有している
ことを特徴とするフォトマスク。 - 請求項1に記載のフォトマスクを用いた半導体素子の配線パターン形成方法であって、
半導体基板上に厚みの異なった多段の溝のレジストパターンを形成した後、
エッチング加工を行い、前記半導体基板上に前記レジストパターンと同様の形状を有する形状を一括で加工する
ことを特徴とする半導体素子の配線パターン形成方法。 - 請求項2に記載のフォトマスクを用いた半導体素子の配線パターン形成方法であって、
半導体基板上に厚みの異なった垂直部と斜面部とを備えたレジストパターンを形成した後、
エッチング加工を行い、前記半導体基板上に前記レジストパターンと同様の形状を有する形状に一括で加工する
ことを特徴とする半導体素子の配線パターン形成方法。
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