JP2008085593A - 光半導体リレー - Google Patents
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Abstract
【課題】
1チップ内に構成されている素子を変更することなく、多品種に適用可能な光半導体リレーを提供することを目的とする。
【解決手段】
電気信号を光信号に変換する発光ダイオード15と、発光ダイオード15の光信号を受光して電気信号に変換する複数のフォトダイオードを直列に接続して形成された第1のフォトダイオードアレイ18a並びに第1のフォトダイオードアレイ18aに隣接した位置に形成された第2のフォトダイオードアレイ18bと、前記第1及び第2のフォトダイオードアレイに接続された制御回路と、前記第1のフォトダイオードアレイと前記第2のフォトダイオードアレイの接続を切り替え可能に行う切り替え配線19、20とから構成される光半導体リレー。
【選択図】図1
1チップ内に構成されている素子を変更することなく、多品種に適用可能な光半導体リレーを提供することを目的とする。
【解決手段】
電気信号を光信号に変換する発光ダイオード15と、発光ダイオード15の光信号を受光して電気信号に変換する複数のフォトダイオードを直列に接続して形成された第1のフォトダイオードアレイ18a並びに第1のフォトダイオードアレイ18aに隣接した位置に形成された第2のフォトダイオードアレイ18bと、前記第1及び第2のフォトダイオードアレイに接続された制御回路と、前記第1のフォトダイオードアレイと前記第2のフォトダイオードアレイの接続を切り替え可能に行う切り替え配線19、20とから構成される光半導体リレー。
【選択図】図1
Description
本発明は、光半導体リレーに係わり、特に素子を変更することなく多品種に対応可能な光半導体リレーに関する。
一般に、光半導体リレーは、入力側発光ダイオード、出力側フォトダイオードアレイと制御回路であるスイッチング用MOSFET素子などから構成されており、入力側発光ダイオードの光信号を受光側フォトダイオードアレイが受光して電気信号に変換し、この電気信号がゲート電圧となってMOSFETを駆動することによりスイッチングを行うものである。電気信号を光信号に変換して信号伝送するため、入・出力間を電気的に絶縁することができるとともに、メカニカルリレーとは異なり接点磨耗もなく高速、小型で低消費電力での駆動が可能である。
図3に従来の光半導体リレーの回路構成を示す。図3を参照して回路構成並びに動作を説明すると、オン状態への移行は、入力側の発光ダイオード11のアノード端子11a、カソード端子11b間に電流を流すことにより、発光ダイオード11から光が出力される。出力された光が複数のフォトダイオードが直列接続されたフォトダイオードアレイ12に照射されると光起電流13が生ずる。この光起電流13は、MOSFET14のソース端子14a→ダイオード15→フォトダイオードアレイ12のカソード端子12a→フォトダイオードアレイ12→フォトダイオードアレイ12のアノード端子12b→MOSFET14のゲート端子14bの経路で流れる。この結果、MOSFET14のゲート端子14bに電荷が充電され、MOSFET14はオン状態となる。
次に、オフ状態への移行は発光ダイオード11の入力電流を遮断することにより、MOSFET14のゲート端子14bに蓄積された電荷は放電用抵抗16からトランジスタ17のベース17aに流れ込み、トランジスタ17の電流増幅率Hfe倍で増幅されたコレクタ電流17bが流れることにより速やかに放電され、MOSFET14はオフ状態となる。
然るに、近年、上述した光半導体リレーは多様化された用途に応じた要求が高まっており多品種化が進んでいる。用途範囲としては、家電機器、通信機器、計測機器、セキュリティ機器など、多方面に幅広く利用されている。また、光半導体リレーを構成しているフォトダイオードアレイの光起電力は、直列接続されたフォトダイオードの数量および各フォトダイオードの面積に比例する。この結果、従来の設計では必要とされる光起電力に合わせてフォトダイオードの面積とフォトダイオードの直列接続数によって開発されていた。
本発明は、1チップ内に構成されている素子を変更することなく、多品種に適用可能な光半導体リレーを提供することを目的とする。
本発明の一態様によれば、電気信号を光信号に変換する発光ダイオードと、前記発光ダイオードの光信号を受光して電気信号に変換する複数のフォトダイオードを直列に接続して形成された第1のフォトダイオードアレイと、前記発光ダイオードの光信号を電気信号に変換する複数のフォトダイオードを直列に接続し前記第1のフォトダイオードアレイに隣接した位置に形成された第2のフォトダイオードアレイと、前記第1及び第2のフォトダイオードアレイに接続された制御回路と、前記第1のフォトダイオードアレイと前記第2のフォトダイオードアレイの接続を切り替え可能に行う切り替え配線とを具備することを特徴とする光半導体リレーを提供する。
1チップ内に構成している素子を変更することなく、アルミニュウム配線マスクを変更することで、切り替え配線にて直列あるいは並列接続を簡単に形成することが可能となった。この結果、多品種化した光半導体リレーに必要な光起電力を提供することができるようになった。
以下に本発明に係わる実施形態を図を参照して説明する。本発明は、SOIウェハを分離して作製されたフォトダイオードアレイをアルミニュウム配線にてフォトダイオードを並列または直列接続につなぎ替えることにより、起電力と起電流特性を制御することを可能とした構成を提供する。なお、以下の説明では図3と同一箇所は同一符号を付して詳細な説明は省略する。
さて、図1に示すようにダイオード15、放電用抵抗16並びにトランジスタ17からなる制御回路に隣接してフォトダイオードアレイ18が形成されている。このフォトダイオードアレイ18は各々6個のフォトダイオードが直列に接続されている第1フォトダイオードアレイ18aと、この第1のフォトダイオードアレイに隣接する位置に形成された、同じく6個のフォトダイオードが直列に接続されている第2フォトダイオードアレイ18bから構成されている。
第1フォトダイオードアレイ18aと第2フォトダイオードアレイ18bは、平行に隣接して配置されているが、各アレイの極性は反対に配置されている。すなわち、第1フォトダイオードアレイ18aの右端がアノード極であるのに対して、第2フォトダイオードアレイ18bの右端はカソード極である。
さて、図1に点線で示した結線以外の構成素子は共通回路としてあらかじめ作製されている。図1の例では、第1フォトダイオードアレイ18aと第2フォトダイオードアレイ18bを直列に接続すべく、点線で示した箇所をアルミニュウム配線で結線し、切り替え配線19を形成するようにした。
図2では、図の点線で示すようにアルミニュウム配線で切替え配線20を形成して第1フォトダイオードアレイ18aと第2フォトダイオードアレイ18bを並列に接続させた例である。この並列接続は、図1に示した直列接続の出力特性と比較すると、起電圧は1/2で起電流は2倍の出力特性を得ることができる。
このように、半導体チップ内に構成されている素子を変更することなく、アルミニウム配線マスクを変更することによって多品種化した半導体リレーに必要な光起電力を提供することができるようになった。
15…ダイオード、16…放電用抵抗、17…トランジスタ、18…フォトダイオードアレイ、18a…第1フォトダイオードアレイ、18b…第2フォトダイオードアレイ、19、20…切り替え配線。
Claims (4)
- 電気信号を光信号に変換する発光ダイオードと、前記発光ダイオードの光信号を受光して電気信号に変換する複数のフォトダイオードを直列に接続して形成された第1のフォトダイオードアレイと、前記発光ダイオードの光信号を電気信号に変換する複数のフォトダイオードを直列に接続し前記第1のフォトダイオードアレイに隣接した位置に形成された第2のフォトダイオードアレイと、前記第1及び第2のフォトダイオードアレイに接続された制御回路と、前記第1のフォトダイオードアレイと前記第2のフォトダイオードアレイの接続を切り替え可能に行う切り替え配線とを具備することを特徴とする光半導体リレー。
- 前記切り替え配線は、前記第1のフォトダイオードアレイと前記第2のフォトダイオードアレイを直列に接続する配線であることを特徴とする請求項1記載の光半導体リレー。
- 前記切り替え配線は、前記第1のフォトダイオードアレイと前記第2のフォトダイオードアレイを並列に接続する配線であることを特徴とする請求項1記載の光半導体リレー。
- 前記切り替え配線はアルミニウム配線であることを特徴とする請求項1乃至3記載の光半導体リレー。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006262704A JP2008085593A (ja) | 2006-09-27 | 2006-09-27 | 光半導体リレー |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006262704A JP2008085593A (ja) | 2006-09-27 | 2006-09-27 | 光半導体リレー |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008085593A true JP2008085593A (ja) | 2008-04-10 |
Family
ID=39356000
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006262704A Pending JP2008085593A (ja) | 2006-09-27 | 2006-09-27 | 光半導体リレー |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2008085593A (ja) |
-
2006
- 2006-09-27 JP JP2006262704A patent/JP2008085593A/ja active Pending
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