JP2008083194A - Photomask blank, method for manufacturing photomask blank, photomask, method for manufacturing photomask, photomask intermediate, and method for transferring pattern - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a photomask blank in which peeling in a rim portion of a light-shielding film is prevented and generation of particles caused by peeling of a light-shielding film can be suppressed during handled for conveyance or installation in an aligner. <P>SOLUTION: The photomask is manufactured through: a film forming step of forming a light-shielding film 2 on a principal surface of a light transmitting substrate 1 while rendering the circumference portion along the rim of the principal surface into a non-forming region; an applying step of applying a resist film 3 on a region including the region where the light-shielding film 2 is formed so as to cover the rim of the light-shielding film 2 with the resist film 3; and a resist rim removing step of removing a rim portion of the applied resist film 3 so as to expose a rim portion of the light shielding film 2. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明は、リソグラフィー技術においてパターンの転写に用いられるフォトマスク及びその素材原版であるフォトマスクブランク、これらの製造方法、並びに、フォトマスク中間体及びパターンの転写方法に関する。   The present invention relates to a photomask used for pattern transfer in a lithography technique, a photomask blank which is a material original plate thereof, a manufacturing method thereof, a photomask intermediate, and a pattern transfer method.

従来、リソグラフィー技術においては、フォトマスクを用いて、パターンの転写が行われている。フォトマスクは、フォトマスクブランクを素材原版として、製造されている。   Conventionally, in lithography technology, a pattern is transferred using a photomask. The photomask is manufactured using a photomask blank as a material original plate.

フォトマスクブランクは、石英ガラス等からなる透光性基板の主表面上に、例えば、クロムを主成分とする遮光膜が形成されて構成されている。このようなフォトマスクブランクの製造においては、まず、石英ガラス等を精密研磨して、透光性基板を得る（研磨工程）。次に、得られた透光性基板の主表面に、スパッタリング等により、例えば、クロムを主成分とする遮光膜を形成する（成膜工程）。   The photomask blank is configured by forming, for example, a light-shielding film containing chromium as a main component on the main surface of a translucent substrate made of quartz glass or the like. In manufacturing such a photomask blank, first, quartz glass or the like is precisely polished to obtain a light-transmitting substrate (polishing step). Next, for example, a light-shielding film containing chromium as a main component is formed on the main surface of the obtained light-transmitting substrate by sputtering or the like (film-forming step).

そして、フォトマスクは、フォトマスクブランクの遮光膜上にレジスト膜を塗布し（塗布工程）、このレジスト膜を選択的に露光し（露光工程）、露光したレジスト膜を現像し、エッチング処理を行って、遮光膜をパターニングすること（エッチング処理工程）により製造される。   The photomask is coated with a resist film on the light-shielding film of the photomask blank (application process), this resist film is selectively exposed (exposure process), the exposed resist film is developed, and an etching process is performed. Thus, the light shielding film is manufactured by patterning (etching process).

ところで、フォトマスク及びフォトマスクブランクのいずれにおいても、これを各工程間で搬送するとき等は、透光性基板の外周部や側面部が把持される。このとき、把持しろとなる透光性基板の外周部や側面部に形成された遮光膜は、把持によって剥がれる虞れがある。遮光膜が剥がれると、剥離物がパーティクルとして遮光膜パターンに付着し、遮光膜残り等の欠陥が生じる原因となる。そして、このような剥離物を除去するためには、フォトマスクブランク、または、フォトマスクの洗浄回数を増加せざるを得ない。   By the way, in any of the photomask and the photomask blank, the outer peripheral portion and the side surface portion of the translucent substrate are gripped when the photomask and the photomask blank are transported between processes. At this time, the light shielding film formed on the outer peripheral portion or the side surface portion of the translucent substrate to be gripped may be peeled off by gripping. When the light shielding film is peeled off, the peeled material adheres to the light shielding film pattern as particles, which causes a defect such as a remaining light shielding film. In order to remove such a peeled material, the number of cleanings of the photomask blank or the photomask must be increased.

そこで、フォトマスクブランクの外周部分に遮光膜を形成しないようにして、フォトマスクブランクを把持するときの遮光膜の剥離物（パーティクル）の発生を低減することが提案されている。すなわち、特許文献１には、透光性基板の周縁部分を除いた部分のみに遮光膜を形成し、透光性基板の周縁部分を遮光膜の未成膜領域としたレーザ描画用のフォトマスクブランクが記載されている。このフォトマスクブランクにおいて、透光性基板のサイズは、一辺が３００ｍｍ以上であり、遮光膜の未成膜領域の幅が３ｍｍ以上となっている。このフォトマスクブランクにおいては、取扱う際において、特に、外周部分や側面部分を把持するにあたって、透光性基板の側面からのパーティクルの発生が防止されるとしている。   Therefore, it has been proposed to reduce the generation of the light-shielding film peelings (particles) when the photomask blank is gripped by preventing the light-shielding film from being formed on the outer periphery of the photomask blank. That is, Patent Document 1 discloses a photomask blank for laser drawing in which a light-shielding film is formed only on a portion excluding a peripheral portion of a translucent substrate, and the peripheral portion of the translucent substrate is used as a non-film-forming region of the light-shielding film. Is described. In this photomask blank, the size of the translucent substrate is 300 mm or more on one side, and the width of the non-film formation region of the light shielding film is 3 mm or more. In this photomask blank, generation of particles from the side surface of the translucent substrate is prevented particularly when handling the outer peripheral portion and the side surface portion.

国際公開２００４／０５１３６９号パンフレットInternational Publication No. 2004/051369 Pamphlet

上述の特許文献１に記載されたフォトマスクブランクにおいては、透光性基板の外周部分や側面部分からの遮光膜の剥離が防止され、パーティクルの発生防止に一定の効果があるようにみえる。   In the photomask blank described in Patent Document 1 described above, the light-shielding film is prevented from being peeled off from the outer peripheral part and the side part of the translucent substrate, and it appears that there is a certain effect in preventing the generation of particles.

しかしながら、このフォトマスクブランクの遮光膜の成膜工程において、例えば、スパッタ法によって成膜する場合には、未成膜領域を形成するために、スパッタリングマスクを用いてマスキングを行う。このとき、成膜領域と未成膜領域との境界付近では、スパッタリングマスクの隙間から回り込んだスパッタ素材が透光性基板に付着し、遮光膜の設定膜厚よりも小さな膜厚で、かつ、膜厚の不均一な膜が形成されてしまう。このような膜は、多くの場合、透光性基板の周縁側に向けて徐々に膜厚が減少している状態に形成される。   However, in the step of forming the light shielding film of the photomask blank, for example, when the film is formed by sputtering, masking is performed using a sputtering mask in order to form an undeposited region. At this time, in the vicinity of the boundary between the film-forming region and the non-film-forming region, the sputter material that wraps around the gap of the sputtering mask adheres to the translucent substrate, has a film thickness smaller than the set film thickness of the light shielding film, and A film having a non-uniform film thickness is formed. In many cases, such a film is formed in a state where the film thickness gradually decreases toward the peripheral edge of the translucent substrate.

このような膜は、膜厚の不均一さゆえに剥離し易く、フォトマスクブランクの搬送やアライナ（露光機）へ取付け、その他の多くの場面において剥離し、パーティクルとしてフォトマスクに付着することが避けられない。   Such a film is easy to peel off due to non-uniform film thickness, and it can be peeled off in many cases, such as transporting a photomask blank, attaching to an aligner (exposure machine), and avoiding sticking to the photomask as particles. I can't.

そのため、このフォトマスクブランクにおいては、遮光膜残り等、露光時の支障が生ずることが避けられず、また、このようなパーティクルを除去するために、例えば、ペリクル形成前における洗浄回数を増加せざるを得ない。   For this reason, in this photomask blank, it is unavoidable that troubles during exposure such as the remaining light shielding film occur, and in order to remove such particles, for example, the number of cleanings before the formation of the pellicle must be increased. I do not get.

そこで、本発明は、上述の実情に鑑みて提案されるものであって、搬送やアライナへの設置等の取扱いにおいて、遮光膜周縁部分の剥離が防止され、遮光膜の剥離に起因するパーティクルの発生を抑止することができるフォトマスクブランク及びこのようなフォトマスクブランクの製造方法を提供することを目的とする。   Therefore, the present invention is proposed in view of the above-described circumstances, and in handling such as transportation and installation on an aligner, peeling of the peripheral portion of the light shielding film is prevented, and particles caused by peeling of the light shielding film are prevented. It is an object of the present invention to provide a photomask blank that can be prevented from occurring and a method for manufacturing such a photomask blank.

また、本発明は、このようなフォトマスクブランクを用いることによって、フォトマスクブランクの搬送やアライナへの設置等の取扱いにおいて、遮光膜周縁部分の剥離が防止され、遮光膜の剥離に起因するパーティクルの発生が抑止され、生産性の向上されたフォトマスク中間体及びフォトマスク、並びに、このようなフォトマスクの製造方法を提供することを目的とする。   Further, according to the present invention, by using such a photomask blank, peeling of the peripheral portion of the light shielding film is prevented during handling of the photomask blank, installation on an aligner, etc., and particles resulting from peeling of the light shielding film. It is an object of the present invention to provide a photomask intermediate and a photomask with improved productivity, and a method for manufacturing such a photomask.

すなわち、本発明は、フォトマスクの製造において、露光工程の歩留を格段に向上させ、フォトマスク製造工程中の洗浄（ペリクル形成前の洗浄）回数を減少させることを可能として、生産性を向上させることを目的とする。   That is, the present invention significantly improves the yield of the exposure process in photomask manufacturing, and can reduce the number of cleanings (cleaning before pellicle formation) during the photomask manufacturing process, thereby improving productivity. The purpose is to let you.

さらに、本発明は、このようなフォトマスクを用いたパターンの転写方法を提供することを目的とする。   Furthermore, an object of the present invention is to provide a pattern transfer method using such a photomask.

前述の課題を解決し、前記目的を達成するため、本発明に係るフォトマスクブランクは、以下の構成のいずれか一を有するものである。   In order to solve the above-described problems and achieve the above object, a photomask blank according to the present invention has any one of the following configurations.

〔構成１〕
透光性基板の主表面上に遮光膜が形成されこの遮光膜上にレジスト膜が形成されたフォトマスクブランクにおいて、レジスト膜の形成された領域より遮光膜の形成された領域が大きく、遮光膜の周縁部分がレジスト膜の周縁より外側に露出していることを特徴とするものである。 [Configuration 1]
In a photomask blank in which a light-shielding film is formed on the main surface of a light-transmitting substrate and a resist film is formed on the light-shielding film, the region where the light-shielding film is formed is larger than the region where the resist film is formed. The peripheral edge portion of the resist film is exposed outside the peripheral edge of the resist film.

なお、本発明において、「透光性基板の主表面上に遮光膜が形成」及び「遮光膜上にレジスト膜が形成」等の表現において、「上に」は、直接であってもよいし、他の膜を介した間接的なものであってもよい。以下の各構成においても同様である。   In the present invention, in the expressions “a light shielding film is formed on the main surface of the light-transmitting substrate” and “a resist film is formed on the light shielding film”, “on” may be directly. It may be indirect through another film. The same applies to each of the following configurations.

〔構成２〕
透光性基板の主表面上に遮光膜が形成されこの遮光膜上にこの遮光膜を覆ってレジスト膜が形成されたフォトマスクブランクにおいて、レジスト膜は、遮光膜の周縁部分を覆う領域が露光されていることを特徴とするものである。 [Configuration 2]
In a photomask blank in which a light-shielding film is formed on the main surface of a light-transmitting substrate and a resist film is formed on the light-shielding film so as to cover the light-shielding film, the resist film is exposed in a region covering the peripheral portion of the light-shielding film. It is characterized by being.

本発明に係るフォトマスクブランクの製造方法は、以下の構成のいずれか一を有するものである。   The method for manufacturing a photomask blank according to the present invention has any one of the following configurations.

〔構成３〕
透光性基板の主表面上に遮光膜を形成する成膜工程と遮光膜上にレジスト膜を塗布する塗布工程とを有するフォトマスクブランクの製造方法において、成膜工程においては、透光性基板の主表面の周縁に沿った外周部分を遮光膜の非形成領域とし、塗布工程においては、遮光膜が形成された領域を含む領域にレジスト膜を塗布することによって遮光膜の周縁をレジスト膜によって覆い、塗布工程の後に、塗布されたレジスト膜の周縁部分を除去することによって、遮光膜の周縁部分を露出させるレジスト周縁除去工程を有することを特徴とするものである。 [Configuration 3]
In a manufacturing method of a photomask blank having a film forming process for forming a light shielding film on a main surface of a light transmitting substrate and a coating process for applying a resist film on the light shielding film, the light transmitting substrate in the film forming process The outer peripheral portion along the periphery of the main surface of the substrate is defined as a non-light-shielding film forming region, and in the coating process, the resist film is applied to a region including the region where the light-shielding film is formed, so that the periphery of the light-shielding film is covered with the resist film. After the covering and applying step, the resist peripheral removing step of exposing the peripheral portion of the light shielding film by removing the peripheral portion of the applied resist film is provided.

〔構成４〕
構成３を有するフォトマスクブランクの製造方法において、レジスト周縁除去工程は、透光性基板の裏面側から露光することによって遮光膜をフォトマスクとしてレジスト膜の周縁部分を感光させ後工程における現像による除去を可能とする工程と、レジスト膜の周縁部分を現像によって除去する後工程とからなることを特徴とするものである。 [Configuration 4]
In the method of manufacturing a photomask blank having Configuration 3, the resist peripheral edge removing step exposes the peripheral portion of the resist film using the light-shielding film as a photomask by exposure from the back side of the light-transmitting substrate, and is removed by development in a subsequent step. And a post-process for removing the peripheral portion of the resist film by development.

〔構成５〕
透光性基板の主表面上に遮光膜を形成する成膜工程と遮光膜上にレジスト膜を塗布する塗布工程とを有するフォトマスクブランクの製造方法において、塗布工程においては、遮光膜が形成された領域を含む領域にレジスト膜を塗布することによって遮光膜の周縁をレジスト膜によって覆い、塗布工程の後に、塗布されたレジスト膜の周縁部分を除去することによって、遮光膜の周縁部分を露出させるレジスト周縁除去工程を有することを特徴とするものである。 [Configuration 5]
In a manufacturing method of a photomask blank having a film forming process for forming a light shielding film on a main surface of a translucent substrate and a coating process for applying a resist film on the light shielding film, the light shielding film is formed in the coating process. The periphery of the light shielding film is covered with a resist film by applying a resist film to a region including the exposed region, and the peripheral portion of the light shielding film is exposed by removing the peripheral portion of the applied resist film after the coating process. It has a resist peripheral removal step.

〔構成６〕
構成３、または、構成５を有するフォトマスクブランクの製造方法において、レジスト周縁除去工程は、レジスト膜を除去する領域に選択的に露光してレジスト膜を感光させ後工程における現像による除去を可能とする工程と、レジスト膜の周縁部分を現像によって除去する後工程とからなることを特徴とするものである。 [Configuration 6]
In the manufacturing method of the photomask blank having the configuration 3 or the configuration 5, the resist peripheral edge removing step can selectively remove the resist film by exposing the resist film to a region where the resist film is removed, and can be removed by development in a later step. And a post-process for removing the peripheral portion of the resist film by development.

〔構成７〕
構成３、または、構成５を有するフォトマスクブランクの製造方法において、レジスト周縁除去工程は、レジスト膜の周縁部分に溶剤を接触させることによって該レジスト膜の周縁部分を除去することを特徴とするものである。 [Configuration 7]
In the method of manufacturing a photomask blank having Configuration 3 or Configuration 5, the resist peripheral edge removing step removes the peripheral portion of the resist film by bringing a solvent into contact with the peripheral portion of the resist film. It is.

〔構成８〕
透光性基板の主表面上に遮光膜を形成する成膜工程と遮光膜上にレジスト膜を塗布する塗布工程とを有するフォトマスクブランクの製造方法において、塗布工程においては、レジストの塗布領域を遮光膜の形成領域よりも小さくし、遮光膜の周縁部分を露出した状態とすることを特徴とするものである。 [Configuration 8]
In a manufacturing method of a photomask blank having a film forming process for forming a light shielding film on a main surface of a translucent substrate and a coating process for applying a resist film on the light shielding film, in the coating process, a resist coating region is formed. It is smaller than the formation region of the light shielding film, and the peripheral portion of the light shielding film is exposed.

本発明に係るフォトマスク中間体は、以下の構成を有するものである。   The photomask intermediate according to the present invention has the following configuration.

〔構成９〕
透光性基板の主表面上に遮光膜が形成されこの遮光膜上にレジスト膜が形成されたフォトマスク中間体において、透光性基板の主表面の周縁に沿った外周部分に遮光膜及びレジスト膜の非形成領域を有し、遮光膜及びレジスト膜の周縁の位置は、透光性基板の主表面に対する垂直方向に一致していることを特徴とするものである。 [Configuration 9]
In a photomask intermediate in which a light-shielding film is formed on a main surface of a light-transmitting substrate and a resist film is formed on the light-shielding film, the light-shielding film and the resist are formed on an outer peripheral portion along the periphery of the main surface of the light-transmitting substrate. It has a film non-formation region, and the positions of the periphery of the light shielding film and the resist film coincide with the direction perpendicular to the main surface of the translucent substrate.

本発明に係るフォトマスクは、以下の構成のいずれか一を有するものである。   The photomask according to the present invention has any one of the following configurations.

〔構成１０〕
透光性基板の主表面上に所定のパターンが形成された遮光膜を備えるフォトマスクにおいて、透光性基板の主表面の周縁に沿った外周部分に遮光膜が形成されない非形成領域を有し、非形成領域に臨む遮光膜の周縁の端面近傍において、該遮光膜の膜厚がこの遮光膜の設定膜厚未満となっている領域が、該遮光膜と非形成領域との境界からの距離が５００μｍ未満の領域となっていることを特徴とするものである。 [Configuration 10]
A photomask including a light shielding film having a predetermined pattern formed on a main surface of a light-transmitting substrate, and having a non-forming region where a light-shielding film is not formed on an outer peripheral portion along the periphery of the main surface of the light-transmitting substrate. In the vicinity of the peripheral edge of the light shielding film facing the non-forming region, the region where the thickness of the light shielding film is less than the set thickness of the light shielding film is a distance from the boundary between the light shielding film and the non-forming region. Is a region of less than 500 μm.

〔構成１１〕
構成１０を有するフォトマスクにおいて、遮光膜の膜厚がこの遮光膜の設定膜厚未満となっている領域は、膜厚が設定膜厚の９８％未満となっている領域であることを特徴とするものである。 [Configuration 11]
In the photomask having structure 10, the region where the thickness of the light shielding film is less than the set thickness of the light shielding film is a region where the thickness is less than 98% of the set thickness. To do.

〔構成１２〕
透光性基板の主表面上に所定のパターンが形成された遮光膜を備えるフォトマスクにおいて、透光性基板の主表面の周縁に沿った外周部分に遮光膜が形成されない非形成領域を有し、非形成領域に臨む遮光膜の周縁の端面は、この遮光膜に対するエッチング処理がなされた被エッチング領域との界面となっていることを特徴とするものである。 [Configuration 12]
A photomask including a light shielding film having a predetermined pattern formed on a main surface of a light-transmitting substrate, and having a non-forming region where a light-shielding film is not formed on an outer peripheral portion along the periphery of the main surface of the light-transmitting substrate. The edge surface of the periphery of the light shielding film facing the non-formation region is characterized by being an interface with the etched region where the light shielding film has been etched.

本発明に係るフォトマスクの製造方法は、以下の構成のいずれか一を有するものである。   The photomask manufacturing method according to the present invention has any one of the following configurations.

〔構成１３〕
透光性基板の主表面上に遮光膜が形成され遮光膜上にレジスト膜が形成されたフォトマスクブランクを用いて遮光膜に所定のパターンを形成するフォトマスクの製造方法において、遮光膜の周縁部分の所定の幅の領域を除去する工程を有することを特徴とするものである。 [Configuration 13]
In a photomask manufacturing method, wherein a predetermined pattern is formed on a light-shielding film using a photomask blank in which a light-shielding film is formed on a main surface of a light-transmitting substrate and a resist film is formed on the light-shielding film. It has the process of removing the area | region of the predetermined width of a part, It is characterized by the above-mentioned.

〔構成１４〕
透光性基板の主表面上に遮光膜が形成され遮光膜上にレジスト膜が形成されこのレジスト膜が形成された領域よりも遮光膜が形成された領域が大きく遮光膜の周縁部分がレジスト膜の周縁より外側に露出しているフォトマスクブランクを用いて遮光膜に所定のパターンを形成するフォトマスクの製造方法であって、レジスト膜に対して所定のパターンを露光し現像してレジストパターンを形成する工程と、レジストパターンをマスクとして遮光膜を選択的に除去することによって、この遮光膜に所定のパターンを形成するとともにレジスト膜の周縁より外側に露出した遮光膜の周縁部分を除去する工程とを有することを特徴とするものである。 [Configuration 14]
A light shielding film is formed on the main surface of the translucent substrate, a resist film is formed on the light shielding film, and the region where the light shielding film is formed is larger than the region where the resist film is formed. A photomask manufacturing method for forming a predetermined pattern on a light-shielding film using a photomask blank exposed outside the peripheral edge of the resist film, wherein the resist pattern is exposed and developed to form a resist pattern And a step of selectively removing the light shielding film using the resist pattern as a mask, thereby forming a predetermined pattern on the light shielding film and removing a peripheral portion of the light shielding film exposed outside the peripheral edge of the resist film. It is characterized by having.

〔構成１５〕
透光性基板の主表面上に遮光膜が形成され遮光膜上にレジスト膜が形成されこのレジスト膜の遮光膜の周縁部分を覆う領域が露光されているフォトマスクブランクを用いて遮光膜に所定のパターンを形成するフォトマスクの製造方法であって、レジスト膜に対して所定のパターンを露光し現像してレジストパターンを形成する工程と、レジストパターンをマスクとして遮光膜を選択的に除去することによって、この遮光膜に所定のパターンを形成するとともにレジスト膜の周縁より外側に露出した遮光膜の周縁部分を除去する工程とを有することを特徴とするものである。フォトマスクの製造方法において、
〔構成１６〕
透光性基板の主表面上に遮光膜が形成され遮光膜上にレジスト膜が形成されたフォトマスクブランクを用いて遮光膜に所定のパターンを形成するフォトマスクの製造方法において、レジスト膜に対して所定のパターンを露光する工程及びレジスト膜の遮光膜の周縁部分に相当する領域に対して露光する工程と、レジスト膜を現像してレジストパターンを形成する工程と、レジストパターンをマスクとして遮光膜を選択的に除去することによって、この遮光膜に所定のパターンを形成するとともにレジスト膜の周縁より外側に露出した遮光膜の周縁部分を除去する工程とを有することを特徴とするものである。 [Configuration 15]
A light-shielding film is formed on the main surface of the light-transmitting substrate, a resist film is formed on the light-shielding film, and a region covering the peripheral portion of the light-shielding film of the resist film is exposed to the light-shielding film using a photomask blank. A method of manufacturing a photomask for forming a pattern of the resist, wherein a resist pattern is exposed to light and developed to form a resist pattern, and the light shielding film is selectively removed using the resist pattern as a mask And a step of forming a predetermined pattern on the light shielding film and removing a peripheral portion of the light shielding film exposed outside the peripheral edge of the resist film. In the photomask manufacturing method,
[Configuration 16]
In a photomask manufacturing method in which a predetermined pattern is formed on a light-shielding film using a photomask blank in which a light-shielding film is formed on a main surface of a light-transmitting substrate and a resist film is formed on the light-shielding film. A step of exposing a predetermined pattern, a step of exposing a region corresponding to a peripheral portion of the light shielding film of the resist film, a step of developing the resist film to form a resist pattern, and a light shielding film using the resist pattern as a mask A step of forming a predetermined pattern on the light-shielding film and removing a peripheral portion of the light-shielding film exposed outside the peripheral edge of the resist film.

〔構成１７〕
構成１３乃至構成１６のいずれか一を有するフォトマスクの製造方法において、除去される遮光膜の周縁部分は、膜厚が遮光膜の設定膜厚未満となっている領域の少なくとも一部を含むことを特徴とするものである。 [Configuration 17]
In the method for manufacturing a photomask having any one of Structures 13 to 16, the peripheral portion of the light shielding film to be removed includes at least a part of a region where the film thickness is less than the set film thickness of the light shielding film. It is characterized by.

本発明に係るパターンの転写方法は、以下の構成を有するものである。   The pattern transfer method according to the present invention has the following configuration.

〔構成１８〕
構成１０乃至構成１１のいずれか一を有するフォトマスク、もしくは、構成１３乃至構成１７のいずれか一を有するフォトマスクの製造方法により製造されたフォトマスクを用いて、このフォトマスクの遮光膜に形成されたパターンを、レーザ光源を有する描画機により、被転写体に転写することを特徴とするものである。 [Configuration 18]
Using a photomask having any one of Configurations 10 to 11 or a photomask manufactured by the method for manufacturing a photomask having any one of Configurations 13 to 17, a light-shielding film of the photomask is formed. The pattern thus formed is transferred onto a transfer medium by a drawing machine having a laser light source.

構成１を有する本発明に係るフォトマスクブランクにおいては、レジスト膜の形成された領域より遮光膜の形成された領域が大きく、遮光膜の周縁部分がレジスト膜の周縁より外側に露出しているので、後工程において、遮光膜の周縁部分が除去される。遮光膜の周縁部分が除去されることにより、遮光膜周縁部分の剥離が防止され、遮光膜の剥離に起因するパーティクルの発生が抑止される。   In the photomask blank according to the present invention having the structure 1, the region where the light shielding film is formed is larger than the region where the resist film is formed, and the peripheral portion of the light shielding film is exposed outside the periphery of the resist film. In the subsequent process, the peripheral portion of the light shielding film is removed. By removing the peripheral portion of the light shielding film, peeling of the peripheral portion of the light shielding film is prevented, and generation of particles due to peeling of the light shielding film is suppressed.

構成２を有する本発明に係るフォトマスクブランクにおいては、レジスト膜は、遮光膜の周縁部分を覆う領域が露光されているので、後工程において、レジスト膜の遮光膜の周縁部分を覆う領域が現像されて除去され、さらに後工程において、遮光膜の周縁部分が除去される。遮光膜の周縁部分が除去されることにより、遮光膜周縁部分の剥離が防止され、遮光膜の剥離に起因するパーティクルの発生が抑止される。   In the photomask blank according to the present invention having Configuration 2, since the resist film is exposed in the region covering the peripheral portion of the light shielding film, the region covering the peripheral portion of the light shielding film in the resist film is developed in a later step. In the subsequent process, the peripheral portion of the light shielding film is removed. By removing the peripheral portion of the light shielding film, peeling of the peripheral portion of the light shielding film is prevented, and generation of particles due to peeling of the light shielding film is suppressed.

構成３を有する本発明に係るフォトマスクブランクの製造方法においては、レジスト膜を塗布する塗布工程の後に、塗布されたレジスト膜の周縁部分を除去することによって、遮光膜の周縁部分を露出させるので、後工程において、遮光膜の周縁部分が除去される。遮光膜の周縁部分が除去されることにより、遮光膜周縁部分の剥離が防止され、遮光膜の剥離に起因するパーティクルの発生が抑止される。   In the manufacturing method of the photomask blank according to the present invention having the configuration 3, the peripheral portion of the light shielding film is exposed by removing the peripheral portion of the applied resist film after the coating step of applying the resist film. In the subsequent process, the peripheral portion of the light shielding film is removed. By removing the peripheral portion of the light shielding film, peeling of the peripheral portion of the light shielding film is prevented, and generation of particles due to peeling of the light shielding film is suppressed.

構成４を有する本発明に係るフォトマスクブランクの製造方法においては、透光性基板の裏面側から露光することによって遮光膜をフォトマスクとしてレジスト膜の周縁部分を感光させ後工程における現像による除去を可能とし、レジスト膜の周縁部分を現像によって除去するので、さらに後工程において、遮光膜の周縁部分が除去される。遮光膜の周縁部分が除去されることにより、遮光膜周縁部分の剥離が防止され、遮光膜の剥離に起因するパーティクルの発生が抑止される。   In the manufacturing method of the photomask blank according to the present invention having the configuration 4, the peripheral portion of the resist film is exposed using the light-shielding film as a photomask by exposure from the back side of the translucent substrate, and is removed by development in a subsequent process. Since the peripheral portion of the resist film is removed by development, the peripheral portion of the light shielding film is further removed in a subsequent process. By removing the peripheral portion of the light shielding film, peeling of the peripheral portion of the light shielding film is prevented, and generation of particles due to peeling of the light shielding film is suppressed.

構成５を有する本発明に係るフォトマスクブランクの製造方法においては、レジスト膜を塗布する塗布工程の後に、塗布されたレジスト膜の周縁部分を除去することによって、遮光膜の周縁部分を露出させるので、後工程において、遮光膜の周縁部分が除去される。遮光膜の周縁部分が除去されることにより、遮光膜周縁部分の剥離が防止され、遮光膜の剥離に起因するパーティクルの発生が抑止される。   In the manufacturing method of the photomask blank according to the present invention having the configuration 5, the peripheral portion of the light shielding film is exposed by removing the peripheral portion of the applied resist film after the coating step of applying the resist film. In the subsequent process, the peripheral portion of the light shielding film is removed. By removing the peripheral portion of the light shielding film, peeling of the peripheral portion of the light shielding film is prevented, and generation of particles due to peeling of the light shielding film is suppressed.

構成６を有する本発明に係るフォトマスクブランクの製造方法においては、レジスト膜を除去する領域に選択的に露光してレジスト膜を感光させ後工程における現像による除去を可能とし、レジスト膜の周縁部分を現像によって除去するので、さらに後工程において、遮光膜の周縁部分が除去される。遮光膜の周縁部分が除去されることにより、遮光膜周縁部分の剥離が防止され、遮光膜の剥離に起因するパーティクルの発生が抑止される。   In the method of manufacturing a photomask blank according to the present invention having the structure 6, the resist film is selectively exposed to the region where the resist film is removed, and the resist film is exposed to be removed by development in a later process. Is removed by development, the peripheral portion of the light shielding film is further removed in a subsequent step. By removing the peripheral portion of the light shielding film, peeling of the peripheral portion of the light shielding film is prevented, and generation of particles due to peeling of the light shielding film is suppressed.

構成７を有する本発明に係るフォトマスクブランクの製造方法においては、レジスト膜の周縁部分に溶剤を接触させることによって該レジスト膜の周縁部分を除去するので、後工程において、遮光膜の周縁部分が除去される。遮光膜の周縁部分が除去されることにより、遮光膜周縁部分の剥離が防止され、遮光膜の剥離に起因するパーティクルの発生が抑止される。   In the method of manufacturing a photomask blank according to the present invention having the structure 7, the peripheral portion of the resist film is removed by bringing the solvent into contact with the peripheral portion of the resist film. Removed. By removing the peripheral portion of the light shielding film, peeling of the peripheral portion of the light shielding film is prevented, and generation of particles due to peeling of the light shielding film is suppressed.

構成８を有する本発明に係るフォトマスクブランクの製造方法においては、レジスト膜を塗布する塗布工程において、レジストの塗布領域を遮光膜の形成領域よりも小さくし、遮光膜の周縁部分を露出した状態とするので、後工程において、遮光膜の周縁部分が除去される。遮光膜の周縁部分が除去されることにより、遮光膜周縁部分の剥離が防止され、遮光膜の剥離に起因するパーティクルの発生が抑止される。   In the manufacturing method of the photomask blank according to the present invention having configuration 8, in the coating step of coating the resist film, the resist coating area is made smaller than the light shielding film forming area, and the peripheral portion of the light shielding film is exposed. Therefore, the peripheral portion of the light shielding film is removed in a later step. By removing the peripheral portion of the light shielding film, peeling of the peripheral portion of the light shielding film is prevented, and generation of particles due to peeling of the light shielding film is suppressed.

このように、本発明においては、フォトマスクの使用に際しての搬送、アライナへの設置等のハンドリングにおいて、遮光膜周縁部分の剥離が生じないため、剥離遮光膜に起因するパーティクルの発生が抑止される。   As described above, in the present invention, since the peripheral portion of the light shielding film does not peel off during handling such as transport when using a photomask, installation on an aligner, etc., generation of particles due to the peeled light shielding film is suppressed. .

すなわち、本発明は、搬送やアライナへの設置等の取扱いにおいて、遮光膜周縁部分の剥離が防止され、遮光膜の剥離に起因するパーティクルの発生を抑止することができるフォトマスクブランク及びこのようなフォトマスクブランクの製造方法を提供することができるものである。   That is, the present invention provides a photomask blank capable of preventing the peripheral portion of the light shielding film from being peeled and preventing the generation of particles due to the peeling of the light shielding film during handling such as transportation and installation on an aligner, and such A method for manufacturing a photomask blank can be provided.

そして、構成９を有する本発明に係るフォトマスク中間体においては、透光性基板の主表面の周縁に沿った外周部分に遮光膜及びレジスト膜の非形成領域を有し、遮光膜及びレジスト膜の周縁の位置は、透光性基板の主表面に対する垂直方向に一致しているので、遮光膜周縁部分の剥離が防止され、遮光膜の剥離に起因するパーティクルの発生が抑止されている。   In the photomask intermediate according to the present invention having the structure 9, the light-shielding film and the resist film have a light-shielding film and a resist film non-formation region on the outer peripheral portion along the periphery of the main surface of the translucent substrate. Since the position of the peripheral edge coincides with the direction perpendicular to the main surface of the translucent substrate, peeling of the peripheral part of the light shielding film is prevented, and generation of particles due to peeling of the light shielding film is suppressed.

構成１０を有する本発明に係るフォトマスクにおいては、透光性基板の主表面の周縁に沿った外周部分に遮光膜が形成されない非形成領域を有し、非形成領域に臨む遮光膜の周縁の端面近傍において、該遮光膜の膜厚がこの遮光膜の設定膜厚未満となっている領域が、該遮光膜と非形成領域との境界からの距離が５００μｍ未満の領域となっているので、遮光膜周縁部分の剥離が防止され、遮光膜の剥離に起因するパーティクルの発生が抑止されている。   In the photomask according to the present invention having the structure 10, the light-shielding film is not formed on the outer peripheral portion along the periphery of the main surface of the light-transmitting substrate, and the periphery of the light-shielding film facing the non-formed region is formed. In the vicinity of the end face, the region where the thickness of the light shielding film is less than the set thickness of the light shielding film is a region where the distance from the boundary between the light shielding film and the non-forming region is less than 500 μm. Peeling of the peripheral portion of the light shielding film is prevented, and generation of particles due to peeling of the light shielding film is suppressed.

構成１１を有する本発明に係るフォトマスクにおいては、遮光膜の膜厚がこの遮光膜の設定膜厚未満となっている領域は、膜厚が設定膜厚の９８％未満となっている領域であるので、遮光膜周縁部分の剥離が防止され、遮光膜の剥離に起因するパーティクルの発生が抑止されている。   In the photomask according to the present invention having the structure 11, the region where the thickness of the light shielding film is less than the set thickness of the light shielding film is a region where the thickness is less than 98% of the set thickness. Therefore, peeling of the peripheral portion of the light shielding film is prevented, and generation of particles due to peeling of the light shielding film is suppressed.

構成１２を有する本発明に係るフォトマスクにおいては、透光性基板の主表面の周縁に沿った外周部分に遮光膜が形成されない非形成領域を有し、非形成領域に臨む遮光膜の周縁の端面は、この遮光膜に対するエッチング処理がなされた被エッチング領域との界面となっているので、遮光膜周縁部分の剥離が防止され、遮光膜の剥離に起因するパーティクルの発生が抑止されている。   In the photomask according to the present invention having the structure 12, the outer peripheral portion along the periphery of the main surface of the translucent substrate has a non-formation region where the light-shielding film is not formed, and the periphery of the light-shielding film facing the non-formation region. Since the end face is an interface with the etched region where the light shielding film has been etched, peeling of the peripheral portion of the light shielding film is prevented, and generation of particles due to peeling of the light shielding film is suppressed.

構成１３を有する本発明に係るフォトマスクの製造方法においては、遮光膜の周縁部分の所定の幅の領域を除去するので、遮光膜周縁部分の剥離が防止され、遮光膜の剥離に起因するパーティクルの発生が抑止される。   In the photomask manufacturing method according to the present invention having the structure 13, since the region having a predetermined width at the peripheral portion of the light shielding film is removed, the separation of the peripheral portion of the light shielding film is prevented, and the particles caused by the separation of the light shielding film are prevented. Is suppressed.

構成１４を有する本発明に係るフォトマスクの製造方法においては、レジスト膜の周縁より外側に露出した遮光膜の周縁部分を除去するので、遮光膜周縁部分の剥離が防止され、遮光膜の剥離に起因するパーティクルの発生が抑止される。   In the photomask manufacturing method according to the present invention having the structure 14, since the peripheral portion of the light shielding film exposed outside the peripheral edge of the resist film is removed, the peripheral portion of the light shielding film is prevented from being peeled off. Generation of the resulting particles is suppressed.

構成１５を有する本発明に係るフォトマスクの製造方法においては、レジスト膜の周縁より外側に露出した遮光膜の周縁部分を除去するので、遮光膜周縁部分の剥離が防止され、遮光膜の剥離に起因するパーティクルの発生が抑止される。   In the photomask manufacturing method according to the present invention having the structure 15, since the peripheral portion of the light shielding film exposed outside the peripheral edge of the resist film is removed, the peripheral portion of the light shielding film is prevented from being peeled off. Generation of the resulting particles is suppressed.

構成１６を有する本発明に係るフォトマスクの製造方法においては、レジスト膜の周縁より外側に露出した遮光膜の周縁部分を除去するので、遮光膜周縁部分の剥離が防止され、遮光膜の剥離に起因するパーティクルの発生が抑止される。   In the photomask manufacturing method according to the present invention having the structure 16, since the peripheral portion of the light shielding film exposed outside the peripheral edge of the resist film is removed, the peripheral portion of the light shielding film is prevented from being peeled off. Generation of the resulting particles is suppressed.

構成１７を有する本発明に係るフォトマスクの製造方法においては、除去される遮光膜の周縁部分は、膜厚が遮光膜の設定膜厚未満となっている領域の少なくとも一部を含むので、遮光膜周縁部分の剥離が防止され、遮光膜の剥離に起因するパーティクルの発生が抑止される。   In the photomask manufacturing method according to the present invention having the structure 17, the peripheral portion of the light shielding film to be removed includes at least a part of the region where the film thickness is less than the set film thickness of the light shielding film. Peeling of the film peripheral portion is prevented, and generation of particles due to peeling of the light shielding film is suppressed.

すなわち、本発明は、前述のようなフォトマスクブランクを用いることによって、フォトマスクブランクの搬送やアライナへの設置等の取扱いにおいて、遮光膜周縁部分の剥離が防止され、遮光膜の剥離に起因するパーティクルの発生が抑止され、生産性の向上されたフォトマスク中間体及びフォトマスク、並びに、このようなフォトマスクの製造方法を提供することができるものである。   That is, according to the present invention, by using the photomask blank as described above, peeling of the peripheral portion of the light shielding film is prevented in handling the photomask blank, installation on the aligner, and the like, resulting from peeling of the light shielding film. It is possible to provide a photomask intermediate and a photomask that are improved in productivity by suppressing generation of particles, and a method for manufacturing such a photomask.

すなわち、本発明は、フォトマスクの製造において、露光工程の歩留を格段に向上させ、フォトマスク製造工程中の洗浄（ペリクル形成前の洗浄）回数を減少させることを可能として、生産性を向上させることができる。   That is, the present invention significantly improves the yield of the exposure process in photomask manufacturing, and can reduce the number of cleanings (cleaning before pellicle formation) during the photomask manufacturing process, thereby improving productivity. Can be made.

そして、構成１８を有する本発明に係るパターンの転写方法においては、本発明に係るフォトマスク、もしくは、本発明に係るフォトマスクの製造方法により製造されたフォトマスクを用いて、このフォトマスクの遮光膜に形成されたパターンを、描画機により被転写体に転写するので、フォトマスクの遮光膜周縁部分の剥離が防止されており、遮光膜の剥離に起因するパーティクルの発生が抑止されるので、良好にパターンの転写を行うことができる。   In the pattern transfer method according to the present invention having the structure 18, the photomask according to the present invention or the photomask manufactured by the photomask manufacturing method according to the present invention is used to shield the photomask. Since the pattern formed on the film is transferred to the transfer object by a drawing machine, the peeling of the peripheral portion of the light shielding film of the photomask is prevented, and the generation of particles due to the peeling of the light shielding film is suppressed. The pattern can be transferred satisfactorily.

以下、本発明を実施するための最良の実施の形態について説明する。   The best mode for carrying out the present invention will be described below.

〔フォトマスクブランクの製造方法の実施の形態〕
以下、本発明に係るフォトマスクブランクの製造方法について、各工程順に説明する。なお、本発明に係るフォトマスクブランクの製造方法を実施することによって、本発明に係るフォトマスクブランクが製造される。 [Embodiment of Photomask Blank Manufacturing Method]
Hereinafter, the manufacturing method of the photomask blank according to the present invention will be described in the order of each process. In addition, the photomask blank which concerns on this invention is manufactured by implementing the manufacturing method of the photomask blank which concerns on this invention.

〔１〕成膜工程
図１は、本発明に係るフォトマスクブランクの製造方法を各工程を示す断面図である。 [1] Film Forming Process FIG. 1 is a cross-sectional view showing each process of the photomask blank manufacturing method according to the present invention.

まず、図１中の（ａ）に示すように、石英ガラス等からなる透光性基板１の主表面を精密研磨し、この透光性基板１の主表面上に、スパッタリング等の手段により、遮光膜２を形成する。   First, as shown in FIG. 1 (a), the main surface of the translucent substrate 1 made of quartz glass or the like is precisely polished, and on the main surface of the translucent substrate 1 by means such as sputtering, A light shielding film 2 is formed.

透光性基板１としては、例えば、５ｍｍ乃至１５ｍｍ程度の厚みのものを用いることができる。遮光膜２としては、クロムを主成分とするものが好適であるが、これに限定されるものではない。また、遮光膜２は、露光光の一部を透過する半透光性の膜であってもよく、さらに、複数の膜（例えば、複数の遮光膜、または、遮光膜及び半透過膜）を積層した膜であってもよい。   As the translucent substrate 1, for example, a substrate having a thickness of about 5 mm to 15 mm can be used. The light shielding film 2 is preferably composed mainly of chromium, but is not limited to this. Further, the light shielding film 2 may be a semi-transparent film that transmits part of the exposure light, and further includes a plurality of films (for example, a plurality of light shielding films, or a light shielding film and a semi-transmissive film). A laminated film may be used.

図２は、透光性基板の主表面全体に遮光膜を形成したフォトマスクブランクの構成を示す断面図である。   FIG. 2 is a cross-sectional view showing a configuration of a photomask blank in which a light-shielding film is formed on the entire main surface of the translucent substrate.

遮光膜２の形成においては、図２に示すように、透光性基板１の主表面全体にスパッタリング等により遮光膜２を成膜してもよい。しかし、透光性基板１の主表面全体に遮光膜２を成膜すると、透光性基板１の端面（側面）に遮光膜２の材料が回り込んで成膜され、この端面部分の膜が、後工程、例えば、透光性基板１にレジストを塗布する工程の前後における搬送時などに透光性基板１を担持したときに、剥離してパーティクルとなり、悪影響を与える。したがって、遮光膜２の形成においては、主表面の周縁に沿った部分を遮光膜２の非形成領域として残すことが好ましい。透光性基板１の主表面の周縁部分を膜非形成領域とすると、前述のようなパーティクル発生の懸念が解消される。なお、遮光膜２の非形成領域は、透光性基板１の主表面の周縁から、１ｍｍ乃至１０ｍｍ程度の幅の範囲とすることが好ましい。   In forming the light shielding film 2, as shown in FIG. 2, the light shielding film 2 may be formed on the entire main surface of the translucent substrate 1 by sputtering or the like. However, when the light shielding film 2 is formed on the entire main surface of the translucent substrate 1, the material of the light shielding film 2 wraps around the end surface (side surface) of the translucent substrate 1, and the film of this end surface portion is formed. When the translucent substrate 1 is carried during subsequent steps, for example, before and after the step of applying a resist to the translucent substrate 1, the particles are peeled and become particles, which has an adverse effect. Therefore, in forming the light shielding film 2, it is preferable to leave a portion along the periphery of the main surface as a non-formation region of the light shielding film 2. If the peripheral portion of the main surface of the translucent substrate 1 is a non-film-forming region, the above-described concern about the generation of particles is solved. In addition, it is preferable that the non-formation area | region of the light shielding film 2 is made into the range of the width of about 1 mm thru | or 10 mm from the periphery of the main surface of the translucent board | substrate 1.

遮光膜２をスパッタリングによって形成する場合において、非形成領域を設けるには、透光性基板１の主表面の周縁に沿った部分をマスキングしてスパッタリングを行うことができる。ただし、この場合には、透光性基板１とスパッタリングマスクとの隙間から回り込んだスパッタ素材が透光性基板１に付着し、遮光膜２の周縁に沿って、この遮光膜２の設定膜厚に達しない膜厚であって膜厚の不均一な膜が形成される。例えば、遮光膜２の設定膜厚が８０ｎｍ（８００Å）乃至１５０ｎｍ（１５００Å）の間の所定値であるとき、この遮光膜２の周縁側には、この設定膜厚から漸次減少してゼロ（非形成）に至る不均一な膜厚の領域が形成される。多くの場合、設定膜厚に達しない部分が遮光膜の周縁に１ｍｍ以上（例えば、１ｍｍ乃至１．５ｍｍ）の幅で形成されていた。ここで、設定膜厚とは、遮光膜として設定された膜厚のことであり、上記周縁部以外の部分の膜厚であるが、便宜的に、膜中央近傍の膜厚とすることができる。なお、設定膜厚部分は、触針法による測定によると、膜厚ばらつきが３０ｎｍ（３００Å）以下となる。これに対し、上記周縁部には、膜厚ばらつきが５０ｎｍ（５００Å）以上となる部分が存在する。   In the case where the light shielding film 2 is formed by sputtering, in order to provide a non-formation region, a portion along the periphery of the main surface of the translucent substrate 1 can be masked to perform sputtering. However, in this case, the sputtered material that has entered from the gap between the translucent substrate 1 and the sputtering mask adheres to the translucent substrate 1, and the setting film of the light shielding film 2 extends along the periphery of the light shielding film 2. A film that does not reach the thickness and has a non-uniform film thickness is formed. For example, when the set film thickness of the light shielding film 2 is a predetermined value between 80 nm (800 mm) and 150 nm (1500 mm), the edge of the light shielding film 2 gradually decreases from the set film thickness to zero (non- A region having a non-uniform film thickness leading to (formation) is formed. In many cases, a portion that does not reach the set film thickness is formed with a width of 1 mm or more (for example, 1 mm to 1.5 mm) on the periphery of the light shielding film. Here, the set film thickness is a film thickness set as a light-shielding film, and is a film thickness in a portion other than the peripheral portion, but can be set to a film thickness near the center of the film for convenience. . The set film thickness portion has a film thickness variation of 30 nm (300 mm) or less according to measurement by the stylus method. On the other hand, in the peripheral portion, there is a portion where the film thickness variation is 50 nm (500 mm) or more.

このような、遮光膜２の周縁側の膜厚の不均一な領域は、剥離してパーティクルの発生源となる虞れがある。本発明において、このような膜厚の不均一な領域は、後述する後の工程において、エッチング処理等によって除去することとなる。すなわち、本発明では、上記のような膜厚ばらつき５０ｎｍ（５００Å）以上の部分を無くすることが可能である。   Such a region having a non-uniform film thickness on the peripheral side of the light shielding film 2 may be peeled off and become a generation source of particles. In the present invention, such a region having a non-uniform film thickness is removed by an etching process or the like in a later process described later. That is, in the present invention, it is possible to eliminate a portion having a film thickness variation of 50 nm (500 mm) or more as described above.

〔２〕レジスト塗布工程
次に、図１中の（ｂ）に示すように、透光性基板１上に成膜された遮光膜２上に、レジスト材料を塗布し、レジスト膜３を形成する。このレジスト膜３の形成領域（レジスト材料の塗布領域）は、遮光膜２の形成領域の全体を含むものとするのが好ましい。すなわち、レジスト膜３は、遮光膜２の全体をカバーして形成され、さらに、遮光膜２の非形成領域上にも形成される。 [2] Resist Application Step Next, as shown in FIG. 1B, a resist material is applied on the light shielding film 2 formed on the translucent substrate 1 to form a resist film 3. . The region where the resist film 3 is formed (the region where the resist material is applied) preferably includes the entire region where the light shielding film 2 is formed. That is, the resist film 3 is formed so as to cover the entire light shielding film 2, and is also formed on a region where the light shielding film 2 is not formed.

レジスト材料の塗布方法としては、スピンコータ等、公知の装置を使用した方法を用いることができる。また、開口端を上方に向けたノズル中に毛細管現象によってレジスト材料を上昇させ、このノズルの開口端に達したレジスト材料を下方に向けた透光性基板１の被塗布面に接液させた後、これらノズルと透光性基板１とを相対移動させることにより、透光性基板１の被塗布面にレジスト膜３を形成する方式（いわゆるキャップコータ（Cap Coater）を用いた方式）によってもよい。   As a method for applying the resist material, a method using a known apparatus such as a spin coater can be used. Further, the resist material was raised by capillary action into the nozzle with the open end facing upward, and the resist material that reached the open end of the nozzle was in contact with the coated surface of the translucent substrate 1 facing downward. Thereafter, the nozzle and the translucent substrate 1 are moved relative to each other to form a resist film 3 on the coated surface of the translucent substrate 1 (a method using a so-called cap coater). Good.

なお、この工程において、レジスト膜３の形成領域を、遮光膜２の形成領域より小さくしておくことが可能である。透光性基板１の主表面の周縁部分に遮光膜２の非形成領域を形成した場合であっても、また、図２に示すように、遮光膜２を透光性基板１の主表面全体に成膜した場合であっても、レジスト膜３の形成領域を、遮光膜２の形成領域より小さくすることが可能である。この場合には、後述する〔３〕レジストの一部除去工程を省略することが可能となる。   In this step, it is possible to make the formation region of the resist film 3 smaller than the formation region of the light shielding film 2. Even in the case where the non-formation region of the light shielding film 2 is formed in the peripheral portion of the main surface of the translucent substrate 1, the light shielding film 2 is disposed over the entire main surface of the translucent substrate 1 as shown in FIG. Even when the film is formed, the formation region of the resist film 3 can be made smaller than the formation region of the light shielding film 2. In this case, it is possible to omit [3] a partial removal process of the resist described later.

ただし、レジスト膜３の膜質の安定性や、レジスト材料の塗布装置の簡便性などの観点から、レジスト膜３の形成領域は、遮光膜２の形成領域を含むようにし、レジスト膜３が遮光膜２を覆うようにすることが好ましい。   However, from the viewpoint of the stability of the film quality of the resist film 3 and the simplicity of the resist material coating apparatus, the formation region of the resist film 3 includes the formation region of the light shielding film 2, and the resist film 3 is the light shielding film. 2 is preferably covered.

〔３〕レジストの一部除去工程
前述の工程において、レジスト膜３を遮光膜２を覆うように形成した場合には、この工程において、図１中の（ｃ）に示すように、このレジスト膜３の周縁部分を除去する。すなわち、レジスト膜３の周縁部分を除去することによって、このレジスト膜３の下層に形成されている遮光膜２の周縁部分を外方側に露出させる。 [3] Partial resist removal process In the above process, when the resist film 3 is formed so as to cover the light shielding film 2, in this process, as shown in FIG. 3 peripheral edge part is removed. That is, by removing the peripheral portion of the resist film 3, the peripheral portion of the light shielding film 2 formed in the lower layer of the resist film 3 is exposed outward.

レジスト膜３が除去された領域は、後述する後の工程において、エッチング処理等によって遮光膜２が除去される領域となる。したがって、遮光膜２の除去が必要な領域に応じて、レジスト膜３を除去する領域を決定することとなる。   The region from which the resist film 3 is removed becomes a region from which the light shielding film 2 is removed by an etching process or the like in a later process described later. Therefore, the region where the resist film 3 is to be removed is determined according to the region where the light shielding film 2 needs to be removed.

レジスト膜３の所定領域を除去する方法としては、レジスト膜３の所定領域にレジスト材料の溶剤を接触させた後、この溶剤を所定領域のレジスト膜３とともに除去する方法を用いることができる。例えば、レジスト膜３を除去する領域以外のレジスト膜３の主表面をカバー部材で覆っておき、このカバー部材の上からレジスト材料の溶剤を供給し、カバー部材に設けられた供給孔を通じてレジスト膜３の除去部分を溶解させ、除去する方法が考えられる。また、レジスト膜３の除去部分に向けて、ノズルによって溶剤を供給し、この除去部分のみに溶剤が到達するように制御することもできる。あるいは、レジスト材料の溶剤を含ませた布によって、レジスト膜３の除去部分を拭き取るようにしてもよい。   As a method for removing a predetermined region of the resist film 3, a method in which a solvent of a resist material is brought into contact with a predetermined region of the resist film 3 and then the solvent is removed together with the resist film 3 in the predetermined region can be used. For example, the main surface of the resist film 3 other than the region where the resist film 3 is to be removed is covered with a cover member, a solvent for the resist material is supplied from above the cover member, and the resist film is supplied through a supply hole provided in the cover member. A method of dissolving and removing the removed portion of 3 is conceivable. It is also possible to control the solvent so that the solvent reaches only the removed portion by supplying the solvent to the removed portion of the resist film 3 with a nozzle. Alternatively, the removed portion of the resist film 3 may be wiped with a cloth containing a resist material solvent.

図３は、レジスト膜の周縁部分に対する露光を行っている状態を示す断面図である。   FIG. 3 is a cross-sectional view showing a state in which the peripheral portion of the resist film is exposed.

また、この工程においては、レジスト膜３の所定領域を除去することまでは行わずに、図３に示すように、遮光マスク４及び光源５を用いて、当該領域に対する選択的な露光のみを行っておいてもよい。すなわち、光源５からの光束は、レジスト膜３の中央部分には、遮光マスク４によって遮られることによって到達せず、レジスト膜３の外周部分には、遮光マスク４の外周側を通過して到達し、この部分のレジスト膜３を感光させる。この場合には、後述する後の工程において、あるいは、後述するフォトマスクの製造工程において、レジスト膜３の露光された領域が現像され、除去されることとなる。   Further, in this step, only the selective exposure to the region is performed by using the light shielding mask 4 and the light source 5 as shown in FIG. 3 without removing the predetermined region of the resist film 3. You may keep it. That is, the light beam from the light source 5 does not reach the central portion of the resist film 3 by being blocked by the light shielding mask 4, and reaches the outer peripheral portion of the resist film 3 through the outer peripheral side of the light shielding mask 4. Then, the resist film 3 in this portion is exposed. In this case, the exposed region of the resist film 3 is developed and removed in a later process described later or in a photomask manufacturing process described later.

さらに、図４に示すように、遮光マスク４を用いることなく、光源５からの光束を透光性基板１の裏面側から入射させることにより、遮光膜２を遮光マスクとして用いて、レジスト膜３の周縁部分のみを選択的に露光することができる。すなわち、光源５からの光束は、レジスト膜３の中央部分には、遮光膜２によって遮られることによって到達せず、レジスト膜３の外周部分には、遮光膜２の外周側を通過して到達し、この部分のレジスト膜３を感光させる。この場合にも、後述する後の工程において、あるいは、後述するフォトマスクの製造工程において、レジスト膜３の露光された領域が現像され、除去されることとなる。   Furthermore, as shown in FIG. 4, by using the light shielding film 2 as a light shielding mask by causing the light beam from the light source 5 to enter from the back side of the translucent substrate 1 without using the light shielding mask 4, the resist film 3. It is possible to selectively expose only the peripheral portion. That is, the light beam from the light source 5 does not reach the central portion of the resist film 3 by being blocked by the light shielding film 2, and reaches the outer peripheral portion of the resist film 3 through the outer peripheral side of the light shielding film 2. Then, the resist film 3 in this portion is exposed. Also in this case, the exposed region of the resist film 3 is developed and removed in a later process described later or in a photomask manufacturing process described later.

この場合において、透光性基板１上に形成された遮光膜２の周縁部分においては、設計膜厚に足りない膜厚の部分は、遮光が不十分であるため、光源からの光束の一部が透過し、レジスト膜３を感光させる。したがって、光源５の発光光量は、遮光膜２の周縁部分のレジスト膜３が十分に感光される程度の強度とするべきである。遮光膜２が十分な膜厚を有する領域においては、光源５からの光束が透過しないため、レジスト膜３が感光されることはない。   In this case, in the peripheral portion of the light-shielding film 2 formed on the light-transmitting substrate 1, a portion with a film thickness that is insufficient for the design film thickness is insufficient in light shielding, and therefore a part of the light flux from the light source. Penetrates and sensitizes the resist film 3. Therefore, the amount of light emitted from the light source 5 should be set to such an intensity that the resist film 3 in the peripheral portion of the light shielding film 2 is sufficiently exposed. In a region where the light shielding film 2 has a sufficient film thickness, the light flux from the light source 5 does not pass through, so the resist film 3 is not exposed.

この工程において、レジスト膜３の周縁部分が露光されたフォトマスクブランクにおいては、このレジスト膜３の周縁部分は、現像され、その後、除去される。また、このフォトマスクブランクにおけるレジスト膜３は、後述のように、フォトマスクの製造工程におけるパターンの現像工程において、周縁部分を同時に現像されて、除去されるようにしてもよい。   In this step, in the photomask blank in which the peripheral portion of the resist film 3 is exposed, the peripheral portion of the resist film 3 is developed and then removed. Further, as described later, the resist film 3 in the photomask blank may be removed by developing the peripheral portion at the same time in the pattern development process in the photomask manufacturing process.

なお、レジスト膜３の周縁側の除去部分に対する選択的な露光は、フォトマスクブランクの製造工程において行わずに、後述するフォトマスクの製造工程において、レジスト膜３に対するパターン描画と同時に、または、パターン描画の前に、あるいは、パターン描画の後に行ってもよい。ただし、レジスト膜３に対する選択的な露光は、上述したように、この工程で行っておくことが好ましい。   Note that the selective exposure of the removed portion on the peripheral side of the resist film 3 is not performed in the photomask blank manufacturing process, but in the photomask manufacturing process described later, simultaneously with the pattern drawing on the resist film 3 or the pattern. It may be performed before drawing or after pattern drawing. However, the selective exposure of the resist film 3 is preferably performed in this step as described above.

上述の各工程を経て、本発明に係るフォトマスクブランクが製造される。   The photomask blank according to the present invention is manufactured through the above steps.

〔フォトマスクの製造方法の実施の形態〕
以下、本発明に係るフォトマスクの製造方法について、各工程順に説明する。なお、本発明に係るフォトマスク製造方法を実施することによって、本発明に係るフォトマスクが製造される。 [Embodiment of Photomask Manufacturing Method]
Hereinafter, the photomask manufacturing method according to the present invention will be described in the order of each process. The photomask according to the present invention is manufactured by carrying out the photomask manufacturing method according to the present invention.

このフォトマスクの製造方法は、前述した本発明に係るフォトマスクブランクを用いて行うものである。ただし、レジスト膜３の周縁側の除去部分に対する選択的な露光を、このフォトマスクの製造工程において行う場合には、従来のフォトマスクブランク（透明基板１上に成形された遮光膜２上に、この遮光膜２を覆ってレジスト膜３が形成され、このレジスト膜３に何らの露光が行われていないもの）を用いて行うこととなる。   This photomask manufacturing method is performed using the above-described photomask blank according to the present invention. However, when selective exposure of the removed portion on the peripheral side of the resist film 3 is performed in this photomask manufacturing process, a conventional photomask blank (on the light shielding film 2 formed on the transparent substrate 1, A resist film 3 is formed so as to cover the light-shielding film 2 and the resist film 3 is not exposed at all).

〔１〕パターン描画工程
前述したフォトマスクブランクを用いて、必要に応じて、レジスト膜３をベークし、その後、所望のパターンに基づき、レジスト膜３上にパターン描画（選択的な露光）を行う。このパターン描画は、例えば、レーザ描画機を用いて行うことができる。 [1] Pattern Drawing Process Using the photomask blank described above, the resist film 3 is baked as necessary, and then pattern drawing (selective exposure) is performed on the resist film 3 based on a desired pattern. . This pattern drawing can be performed using, for example, a laser drawing machine.

なお、電子線を用いる描画機を用いる場合には、透光性基板１のチャージアップ防止のため、透光性基板１の周縁部分が導電性であることが好ましい。一方、レーザ描画機を用いる場合には、透光性基板１の周縁部分が導電性である必要はない。したがって、本発明において、透光性基板１の周縁部分に遮光膜２の非形成領域を設ける場合には、レーザ描画機を用いることが好都合である。   When a drawing machine using an electron beam is used, it is preferable that the peripheral portion of the translucent substrate 1 is conductive in order to prevent the translucent substrate 1 from being charged up. On the other hand, when using a laser drawing machine, the peripheral part of the translucent board | substrate 1 does not need to be electroconductive. Therefore, in the present invention, it is advantageous to use a laser drawing machine when providing the non-formation region of the light shielding film 2 at the peripheral portion of the translucent substrate 1.

なお、前述したフォトマスクブランクの製造工程において、レジスト膜３の周縁側の除去部分に対する選択的な露光が行われていない場合には、この工程において、レジスト膜３に対するパターン描画と同時に、または、パターン描画の前に、あるいは、パターン描画の後にレジスト膜３の周縁側に対する選択的な露光を行う。ここで行うレジスト膜３の周縁側に対する選択的な露光は、フォトマスクブランクの製造工程において説明したものと同様である。   In addition, in the manufacturing process of the photomask blank described above, when selective exposure is not performed on the removed portion on the peripheral side of the resist film 3, in this process, simultaneously with pattern drawing on the resist film 3, or Selective exposure is performed on the peripheral side of the resist film 3 before or after pattern drawing. The selective exposure to the peripheral side of the resist film 3 performed here is the same as that described in the photomask blank manufacturing process.

〔２〕現像及びエッチング処理工程
パターン描画を完了したレジスト膜３を現像し、レジストパターンを形成する。また、前述したフォトマスクブランクの製造工程において、レジスト膜３の周縁部分について露光のみが行われており、除去が行われていない場合には、この現像工程において、露光部分が除去される。 [2] Development and Etching Process Step The resist film 3 on which pattern drawing has been completed is developed to form a resist pattern. Further, in the above-described photomask blank manufacturing process, only the peripheral portion of the resist film 3 is exposed, and when the removal is not performed, the exposed portion is removed in this developing step.

このように形成されたレジストパターンをマスクとして、遮光膜２をエッチング処理することにより、遮光膜パターンを形成する。エッチング処理の方式には特に制限はないが、例えば、公知のウエットエッチング処理を用いることができる。このとき、遮光膜２の周縁部分は、レジスト膜３によってカバーされていないため、この周縁部分も、エッチング処理によって除去される。このとき、遮光膜２の非形成領域は、例えば、透光性基板１の周縁からの幅が、１ｍｍ乃至２０ｍｍとなる。   Using the resist pattern thus formed as a mask, the light shielding film 2 is etched to form a light shielding film pattern. Although there is no restriction | limiting in particular in the system of an etching process, For example, a well-known wet etching process can be used. At this time, since the peripheral portion of the light shielding film 2 is not covered with the resist film 3, this peripheral portion is also removed by the etching process. At this time, the non-formation region of the light shielding film 2 has a width from 1 mm to 20 mm from the periphery of the translucent substrate 1, for example.

この工程により、遮光膜２の周縁側に形成された膜厚が不均一で遮光膜２の設定膜厚に足りない膜が除去される。このような、膜厚が不均一で遮光膜２の設定膜厚に足りない膜は、前述したように、遮光膜２のスパッタ成膜時に形成されたものである。この工程において除去される遮光膜２の周縁部分は、例えば、遮光膜２の設定膜厚の９８％未満の部分である。遮光膜２の設定膜厚は、前述したように、例えば、８０ｎｍ（８００Å）乃至１５０ｎｍ（１５００Å）の範囲内の所定の膜厚である。   By this step, a film having a nonuniform film thickness formed on the peripheral side of the light shielding film 2 and insufficient for the set film thickness of the light shielding film 2 is removed. Such a film having a non-uniform film thickness and insufficient for the set film thickness of the light shielding film 2 is formed when the light shielding film 2 is formed by sputtering as described above. The peripheral portion of the light shielding film 2 removed in this step is, for example, a portion that is less than 98% of the set film thickness of the light shielding film 2. As described above, the set film thickness of the light shielding film 2 is, for example, a predetermined film thickness within a range of 80 nm (800 mm) to 150 nm (1500 mm).

図５は、本発明に係るフォトマスク中間体の構成を示す断面図である。   FIG. 5 is a sectional view showing the structure of the photomask intermediate according to the present invention.

このようにして、遮光膜２の周縁部分が除去されることによって、図５に示すように、透光性基板１の主表面の周縁に沿った外周部分に遮光膜２及びレジスト膜３の非形成領域を有するいわばフォトマスク中間体が構成される。このフォトマスク中間体においては、遮光膜２及びレジスト膜３の周縁の位置は、透光性基板１の主表面に対する垂直方向に一致している。   In this way, by removing the peripheral portion of the light shielding film 2, the non-shielding film 2 and the resist film 3 are not formed on the outer peripheral portion along the peripheral edge of the main surface of the translucent substrate 1, as shown in FIG. A so-called photomask intermediate having a formation region is formed. In this photomask intermediate, the positions of the peripheral edges of the light shielding film 2 and the resist film 3 coincide with the direction perpendicular to the main surface of the translucent substrate 1.

〔３〕レジスト除去工程
次に、不要となったレジスト膜３を、公知の方法により除去する。これによって、透光性基板１上に、パターニングされた遮光膜２が精緻に形成されたフォトマスクが完成する。このフォトマスクは、透光性基板１の主表面の周縁に沿った部分に、遮光膜２の非形成領域を有している。また、この遮光膜２の周縁、すなわち、非形成領域に臨む遮光膜２の周縁の端面は、この遮光膜２の周縁部分に対するエッチング処理がなされた被エッチング領域との界面となっており、透光性基板１の主表面から、この主表面に垂直な方向に、ほぼ垂直に立ち上がった形状となっている。 [3] Resist Removal Step Next, the resist film 3 that has become unnecessary is removed by a known method. Thereby, a photomask in which the patterned light-shielding film 2 is precisely formed on the translucent substrate 1 is completed. This photomask has a region where the light shielding film 2 is not formed in a portion along the periphery of the main surface of the translucent substrate 1. Further, the peripheral edge of the light shielding film 2, that is, the end surface of the peripheral edge of the light shielding film 2 facing the non-formation region is an interface with the etched region in which the peripheral portion of the light shielding film 2 is etched. From the main surface of the optical substrate 1, it has a shape that rises substantially vertically in a direction perpendicular to the main surface.

図６は、本発明に係るフォトマスクの要部の構成を示す断面図である。   FIG. 6 is a cross-sectional view showing the structure of the main part of the photomask according to the present invention.

すなわち、このフォトマスクにおいて、遮光膜２は、図６に示すように、非形成領域に臨む周縁の端面近傍において、膜厚がこの遮光膜２の設定膜厚の９８％未満となっている領域が、この遮光膜２と非形成領域との境界からの距離（幅）が５００μｍ未満の領域となっている。さらに、膜厚が遮光膜２の設定膜厚の９８％未満である領域は、幅１００μｍ以下の領域あることが好ましく、幅５０μｍ以下の領域であれば、より好ましい。   That is, in this photomask, as shown in FIG. 6, the light-shielding film 2 is a region where the film thickness is less than 98% of the set film thickness of the light-shielding film 2 in the vicinity of the peripheral surface facing the non-formation region. However, the distance (width) from the boundary between the light shielding film 2 and the non-forming region is a region of less than 500 μm. Furthermore, the region where the film thickness is less than 98% of the set film thickness of the light-shielding film 2 is preferably a region having a width of 100 μm or less, and more preferably a region having a width of 50 μm or less.

〔パターンの転写方法の実施の形態〕
このパターンの転写方法においては、前述のようにして製造されたフォトマスクを用いて、被転写体に対してパターンを露光する。被転写体は、例えば、液晶ディスプレイ用、または、プラズマディスプレイパネル用のガラス基板や、カラーフィルタなどであり、その用途に制約はない。 [Embodiment of Pattern Transfer Method]
In this pattern transfer method, the pattern is exposed to the transfer object using the photomask manufactured as described above. The transfer object is, for example, a glass substrate for a liquid crystal display or a plasma display panel, a color filter, and the like, and there are no restrictions on its use.

また、本発明に係るフォトマスクには、サイズの制限はない。ただし、例えば、一辺が３００ｍｍ以上のサイズである場合、特に、一辺が５００ｍｍ以上である場合のように、大型化したフォトマスクにおいて、発明の効果が特に顕著となる。   Further, the photomask according to the present invention is not limited in size. However, for example, when the size of one side is 300 mm or more, the effect of the invention is particularly remarkable in a large-sized photomask as in the case where one side is 500 mm or more.

すなわち、液晶ディスプレイやプラズマディスプレイパネル等の表示装置の製造に用いられるフォトマスクは、表示画面の大面積化に伴って大型化する傾向にある。そして、フォトマスクが大型化するほど、厚く重くなるため、遮光膜２の剥離に起因するパーティクル発生のリスクが高まる。フォトマスクは、これを取り扱う際に、その外周部を挟み込む冶具を用いてしっかりと保持される必要があるが、フォトマスクが重いほど、冶具との接触部、すなわち、外周部分にかかる荷重も大きくなり、この部分の遮光膜２が剥がれ易くなるからである。したがって、本発明は、大型化したフォトマスクにおいて、特に顕著な効果を発揮することとなる。   That is, a photomask used for manufacturing a display device such as a liquid crystal display or a plasma display panel tends to increase in size as the display screen increases in area. The larger the photomask, the thicker and heavier, the higher the risk of particle generation due to the peeling of the light shielding film 2. When handling a photomask, it is necessary to hold it firmly using a jig that sandwiches the outer periphery of the photomask. However, the heavier the photomask, the greater the load applied to the contact with the jig, that is, the outer periphery. This is because the light shielding film 2 in this portion is easily peeled off. Therefore, the present invention exhibits a particularly remarkable effect in a photomask having a large size.

以下、本発明の実施例について説明する。   Examples of the present invention will be described below.

主表面を研磨した石英ガラスからなる透光性基板１の主表面上に、スパッタ法を用いて、クロムを主成分とする膜厚１００ｎｍ（１０００Å）の遮光膜２を成膜した。このとき、透光性基板１の主平面の周縁から３ｍｍ幅の部分は、スパッタ成膜時にマスキング治具を配置することによって、クロムを遮蔽し、非形成領域とした。   On the main surface of the light-transmitting substrate 1 made of quartz glass whose main surface was polished, a light-shielding film 2 having a film thickness of 100 nm (1000 mm) containing chromium as a main component was formed by sputtering. At this time, a portion having a width of 3 mm from the periphery of the main plane of the translucent substrate 1 was shielded from chromium by disposing a masking jig at the time of sputtering film formation, thereby forming a non-formed region.

次に、キャップコータを用いて、透光性基板１の主表面の全面に、膜厚１．０μｍのレジスト膜３を塗布し、乾燥後ベークした。そして、レジスト膜３の周縁部分を、透光性基板１の周縁から６ｍｍの幅で除去した。除去方法としては、透光性基板１の裏面側より露光し、現像によってレジスト膜３を除去する方法を採用した。   Next, a resist film 3 having a film thickness of 1.0 μm was applied to the entire main surface of the light-transmitting substrate 1 using a cap coater, dried and baked. Then, the peripheral portion of the resist film 3 was removed from the peripheral edge of the translucent substrate 1 with a width of 6 mm. As a removal method, a method of exposing from the back surface side of the translucent substrate 1 and removing the resist film 3 by development was adopted.

このようにして、フォトマスクブランクを製造した。   In this way, a photomask blank was manufactured.

次に、このフォトマスクブランクに対して、描画機を用いて、液晶表示パネルのデバイス基板製造用のパターンを描画した。描画の後、公知の工程により、現像及びエッチング処理を行って、遮光膜２にパターンを形成した。そして、不要となったレジスト膜３を除去した。   Next, a pattern for manufacturing a device substrate of a liquid crystal display panel was drawn on the photomask blank using a drawing machine. After drawing, a pattern was formed on the light-shielding film 2 by performing development and etching processes by known processes. Then, the resist film 3 that became unnecessary was removed.

このようにして、フォトマスクを製造した。   In this way, a photomask was manufactured.

得られたフォトマスクを目視により検査したところ、遮光膜２の周縁、すなわち、遮光膜２と非形成領域との境界は、明確な境界線となっていた。また、遮光膜２の周縁の形状を顕微鏡及び接触式膜厚測定機で測定したところ、遮光膜２の周縁近傍において、膜厚が設定膜厚である１００ｎｍ（１０００Å）の９８％未満の部分の幅は、５０μｍ以下であった。すなわち、遮光膜２の周縁の端面は、透光性基板１の主表面から、ほぼ垂直に立ち上がった形状となっていた。   When the obtained photomask was visually inspected, the periphery of the light shielding film 2, that is, the boundary between the light shielding film 2 and the non-formed region was a clear boundary line. Further, when the shape of the periphery of the light shielding film 2 was measured with a microscope and a contact-type film thickness measuring device, the film thickness was less than 98% of the set film thickness of 100 nm (1000 mm) in the vicinity of the periphery of the light shielding film 2. The width was 50 μm or less. That is, the peripheral edge surface of the light shielding film 2 has a shape that rises substantially perpendicularly from the main surface of the translucent substrate 1.

そして、洗浄を行った。洗浄工程においては、洗浄後の検査で３μｍ以上の異物の数が０（ゼロ）となったときに、洗浄を完了するとの基準を用いて行ったが、１回の洗浄によってこの基準をクリアした。その後、ペリクルを形成した。   Then, washing was performed. The cleaning process was performed using the criterion that the cleaning is completed when the number of foreign matters of 3 μm or more is 0 (zero) in the inspection after the cleaning, but this criterion was cleared by one cleaning. . Thereafter, a pellicle was formed.

一方、比較例として、遮光膜２の周縁部分をスパッタ成膜がなされた後の状態のままとして、フォトマスクを作製した。このフォトマスクは、遮光膜の周縁に１ｍｍ程度の膜厚不足の部分が目視で観察された。このフォトマスクを用いて、ペリクルを形成した。ペリクル形成前の異物確認においては、遮光膜２の周縁近傍の影響によるものが確認され、ペリクル形成工程を完了するには、８回の洗浄が必要であった。   On the other hand, as a comparative example, a photomask was manufactured with the peripheral portion of the light shielding film 2 left in the state after the sputter film formation. In this photomask, a portion having an insufficient film thickness of about 1 mm was visually observed at the periphery of the light shielding film. A pellicle was formed using this photomask. In the confirmation of the foreign matter before the formation of the pellicle, the effect due to the influence of the vicinity of the periphery of the light shielding film 2 was confirmed, and eight cleanings were necessary to complete the pellicle formation process.

本発明に係るフォトマスクブランクの製造方法を各工程を示す断面図である。It is sectional drawing which shows each process in the manufacturing method of the photomask blank which concerns on this invention. 透光性基板の主表面全体に遮光膜を形成したフォトマスクブランクの構成を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the structure of the photomask blank which formed the light shielding film in the whole main surface of a translucent board | substrate. レジスト膜の周縁部分に対する露光を行っている状態を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the state which has performed the exposure with respect to the peripheral part of a resist film. 遮光膜を用いてレジスト膜の周縁部分に対する露光を行っている状態を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the state which is performing the exposure with respect to the peripheral part of a resist film using a light shielding film. 本発明に係るフォトマスク中間体の構成を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the structure of the photomask intermediate body which concerns on this invention. 本発明に係るフォトマスクの要部の構成を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the structure of the principal part of the photomask which concerns on this invention.

符号の説明Explanation of symbols

１ 透光性基板
２ 遮光膜
３ レジスト膜
４ 遮光マスク
５ 光源 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Translucent substrate 2 Light shielding film 3 Resist film 4 Light shielding mask 5 Light source

Claims (18)

透光性基板の主表面上に遮光膜が形成され、この遮光膜上にレジスト膜が形成されたフォトマスクブランクにおいて、
上記レジスト膜の形成された領域より上記遮光膜の形成された領域が大きく、上記遮光膜の周縁部分が上記レジスト膜の周縁より外側に露出している
ことを特徴とするフォトマスクブランク。 In the photomask blank in which the light shielding film is formed on the main surface of the light transmissive substrate and the resist film is formed on the light shielding film,
A photomask blank, wherein a region where the light shielding film is formed is larger than a region where the resist film is formed, and a peripheral portion of the light shielding film is exposed outside a peripheral edge of the resist film. 透光性基板の主表面上に遮光膜が形成され、この遮光膜上にこの遮光膜を覆ってレジスト膜が形成されたフォトマスクブランクにおいて、
上記レジスト膜は、上記遮光膜の周縁部分を覆う領域が露光されている
ことを特徴とするフォトマスクブランク。 In a photomask blank in which a light-shielding film is formed on the main surface of the light-transmitting substrate and a resist film is formed on the light-shielding film so as to cover the light-shielding film,
The photomask blank, wherein the resist film is exposed in a region covering a peripheral portion of the light shielding film. 透光性基板の主表面上に遮光膜を形成する成膜工程と、前記遮光膜上にレジスト膜を塗布する塗布工程とを有するフォトマスクブランクの製造方法において、
上記成膜工程においては、上記透光性基板の主表面の周縁に沿った外周部分を上記遮光膜の非形成領域とし、
上記塗布工程においては、上記遮光膜が形成された領域を含む領域にレジスト膜を塗布することによって、上記遮光膜の周縁をレジスト膜によって覆い、
上記塗布工程の後に、塗布されたレジスト膜の周縁部分を除去することによって、上記遮光膜の周縁部分を露出させるレジスト周縁除去工程を有する
ことを特徴とするフォトマスクブランクの製造方法。 In a manufacturing method of a photomask blank having a film forming step of forming a light shielding film on a main surface of a light transmissive substrate and a coating step of applying a resist film on the light shielding film,
In the film forming step, the outer peripheral portion along the periphery of the main surface of the translucent substrate is set as a non-forming region of the light shielding film,
In the coating step, the periphery of the light shielding film is covered with a resist film by applying a resist film to a region including the region where the light shielding film is formed,
A method for producing a photomask blank, comprising a step of removing a peripheral edge of the light shielding film by removing a peripheral portion of the applied resist film after the applying step. 上記レジスト周縁除去工程は、上記透光性基板の裏面側から露光することによって上記遮光膜をフォトマスクとして上記レジスト膜の周縁部分を感光させ、後工程における現像による除去を可能とする工程と、
レジスト膜の周縁部分を現像によって除去する後工程とからなる
ことを特徴とする請求項３記載のフォトマスクブランクの製造方法。 The resist peripheral removal step is a step of exposing the peripheral portion of the resist film using the light-shielding film as a photomask by exposing from the back side of the translucent substrate, and enabling removal by development in a subsequent step;
The method for producing a photomask blank according to claim 3, comprising a post-process for removing the peripheral portion of the resist film by development. 透光性基板の主表面上に遮光膜を形成する成膜工程と、前記遮光膜上にレジスト膜を塗布する塗布工程とを有するフォトマスクブランクの製造方法において、
上記塗布工程においては、上記遮光膜が形成された領域を含む領域にレジスト膜を塗布することによって、上記遮光膜の周縁をレジスト膜によって覆い、
上記塗布工程の後に、塗布されたレジスト膜の周縁部分を除去することによって、上記遮光膜の周縁部分を露出させるレジスト周縁除去工程を有する
ことを特徴とするフォトマスクブランクの製造方法。 In a manufacturing method of a photomask blank having a film forming step of forming a light shielding film on a main surface of a light transmissive substrate and a coating step of applying a resist film on the light shielding film,
In the coating step, the periphery of the light shielding film is covered with a resist film by applying a resist film to a region including the region where the light shielding film is formed,
A method for producing a photomask blank, comprising a step of removing a peripheral edge of the light shielding film by removing a peripheral portion of the applied resist film after the applying step. 上記レジスト周縁除去工程は、レジスト膜を除去する領域に選択的に露光してレジスト膜を感光させ、後工程における現像による除去を可能とする工程と、
レジスト膜の周縁部分を現像によって除去する後工程とからなる
ことを特徴とする請求項３、または、請求項５記載のフォトマスクブランクの製造方法。 The resist peripheral removal step is a step of selectively exposing the resist film to be removed to expose the resist film, and allowing removal by development in a later step;
6. The method for producing a photomask blank according to claim 3, further comprising a post-process for removing the peripheral portion of the resist film by development. 上記レジスト周縁除去工程は、上記レジスト膜の周縁部分に溶剤を接触させることによって該レジスト膜の周縁部分を除去する
ことを特徴とする請求項３、または、請求項５記載のフォトマスクブランクの製造方法。 6. The photomask blank manufacturing method according to claim 3, wherein the resist peripheral edge removing step removes the peripheral edge portion of the resist film by bringing a solvent into contact with the peripheral edge portion of the resist film. Method. 透光性基板の主表面上に遮光膜を形成する成膜工程と、前記遮光膜上にレジスト膜を塗布する塗布工程とを有するフォトマスクブランクの製造方法において、
上記塗布工程においては、上記レジストの塗布領域を上記遮光膜の形成領域よりも小さくし、上記遮光膜の周縁部分を露出した状態とする
ことを特徴とするフォトマスクブランクの製造方法。 In a manufacturing method of a photomask blank having a film forming step of forming a light shielding film on a main surface of a light transmissive substrate and a coating step of applying a resist film on the light shielding film,
In the coating step, the resist coating region is made smaller than the light-shielding film forming region, and the peripheral portion of the light-shielding film is exposed. 透光性基板の主表面上に遮光膜が形成され、この遮光膜上にレジスト膜が形成されたフォトマスク中間体において、
上記透光性基板の主表面の周縁に沿った外周部分に上記遮光膜及び上記レジスト膜の非形成領域を有し、
上記遮光膜及び上記レジスト膜の周縁の位置は、上記透光性基板の主表面に対する垂直方向に一致している
ことを特徴とするフォトマスク中間体。 In the photomask intermediate in which a light shielding film is formed on the main surface of the light transmissive substrate and a resist film is formed on the light shielding film,
The light-shielding film and the resist film are not formed on the outer peripheral portion along the periphery of the main surface of the light-transmitting substrate,
The position of the periphery of the said light shielding film and the said resist film corresponds with the orthogonal | vertical direction with respect to the main surface of the said translucent board | substrate. The photomask intermediate body characterized by the above-mentioned. 透光性基板の主表面上に所定のパターンが形成された遮光膜を備えるフォトマスクにおいて、
上記透光性基板の主表面の周縁に沿った外周部分に、上記遮光膜が形成されない非形成領域を有し、
上記非形成領域に臨む上記遮光膜の周縁の端面近傍において、該遮光膜の膜厚がこの遮光膜の設定膜厚未満となっている領域が、該遮光膜と上記非形成領域との境界からの距離が５００μｍ未満の領域となっている
ことを特徴とするフォトマスク。 In a photomask including a light-shielding film in which a predetermined pattern is formed on the main surface of a translucent substrate,
In the outer peripheral portion along the peripheral edge of the main surface of the translucent substrate has a non-formation region where the light shielding film is not formed,
A region where the thickness of the light shielding film is less than the set thickness of the light shielding film in the vicinity of the peripheral surface of the light shielding film facing the non-formed region is from the boundary between the light shielding film and the non-formed region. This is a photomask characterized in that the distance is less than 500 μm. 上記遮光膜の膜厚がこの遮光膜の設定膜厚未満となっている領域は、膜厚が設定膜厚の９８％未満となっている領域である
ことを特徴とする請求項１０記載のフォトマスク。 The region where the thickness of the light shielding film is less than the set thickness of the light shielding film is a region where the thickness is less than 98% of the set thickness. mask. 透光性基板の主表面上に所定のパターンが形成された遮光膜を備えるフォトマスクにおいて、
上記透光性基板の主表面の周縁に沿った外周部分に、上記遮光膜が形成されない非形成領域を有し、
上記非形成領域に臨む上記遮光膜の周縁の端面は、この遮光膜に対するエッチング処理がなされた被エッチング領域との界面となっている
ことを特徴とするフォトマスク。 In a photomask including a light-shielding film in which a predetermined pattern is formed on the main surface of a translucent substrate,
In the outer peripheral portion along the peripheral edge of the main surface of the translucent substrate has a non-formation region where the light shielding film is not formed,
The photomask according to claim 1, wherein an end face of the periphery of the light shielding film facing the non-formation region is an interface with an etching target region where the light shielding film is etched. 透光性基板の主表面上に遮光膜が形成され遮光膜上にレジスト膜が形成されたフォトマスクブランクを用いて、前記遮光膜に所定のパターンを形成するフォトマスクの製造方法において、
上記遮光膜の周縁部分の所定の幅の領域を除去する工程を有する
ことを特徴とするフォトマスクの製造方法。 In a photomask manufacturing method of forming a predetermined pattern on the light-shielding film using a photomask blank in which a light-shielding film is formed on the main surface of the light-transmitting substrate and a resist film is formed on the light-shielding film,
A method for producing a photomask, comprising: removing a region having a predetermined width at a peripheral portion of the light shielding film. 透光性基板の主表面上に遮光膜が形成され遮光膜上にレジスト膜が形成され、このレジスト膜が形成された領域よりも前記遮光膜が形成された領域が大きく前記遮光膜の周縁部分が前記レジスト膜の周縁より外側に露出しているフォトマスクブランクを用いて、前記遮光膜に所定のパターンを形成するフォトマスクの製造方法であって、
上記レジスト膜に対して上記所定のパターンを露光し、現像してレジストパターンを形成する工程と、
上記レジストパターンをマスクとして、上記遮光膜を選択的に除去することによって、この遮光膜に上記所定のパターンを形成するとともに、上記レジスト膜の周縁より外側に露出した上記遮光膜の周縁部分を除去する工程と
を有することを特徴とするフォトマスクの製造方法。 A light-shielding film is formed on the main surface of the light-transmitting substrate, a resist film is formed on the light-shielding film, and a region where the light-shielding film is formed is larger than a region where the resist film is formed. Is a photomask manufacturing method for forming a predetermined pattern on the light-shielding film using a photomask blank exposed outside the periphery of the resist film,
Exposing the predetermined pattern to the resist film and developing to form a resist pattern;
By selectively removing the light shielding film using the resist pattern as a mask, the predetermined pattern is formed on the light shielding film and the peripheral portion of the light shielding film exposed outside the peripheral edge of the resist film is removed. And a photomask manufacturing method comprising the steps of: 透光性基板の主表面上に遮光膜が形成され遮光膜上にレジスト膜が形成され、このレジスト膜の前記遮光膜の周縁部分を覆う領域が露光されているフォトマスクブランクを用いて、前記遮光膜に所定のパターンを形成するフォトマスクの製造方法であって、
上記レジスト膜に対して上記所定のパターンを露光し、現像してレジストパターンを形成する工程と、
上記レジストパターンをマスクとして、上記遮光膜を選択的に除去することによって、この遮光膜に上記所定のパターンを形成するとともに、上記レジスト膜の周縁より外側に露出した上記遮光膜の周縁部分を除去する工程と
を有することを特徴とするフォトマスクの製造方法。 Using a photomask blank in which a light-shielding film is formed on the main surface of the light-transmitting substrate, a resist film is formed on the light-shielding film, and an area covering the peripheral portion of the light-shielding film of the resist film is exposed, A method of manufacturing a photomask for forming a predetermined pattern on a light shielding film,
Exposing the predetermined pattern to the resist film and developing to form a resist pattern;
By selectively removing the light shielding film using the resist pattern as a mask, the predetermined pattern is formed on the light shielding film and the peripheral portion of the light shielding film exposed outside the peripheral edge of the resist film is removed. And a photomask manufacturing method comprising the steps of: 透光性基板の主表面上に遮光膜が形成され遮光膜上にレジスト膜が形成されたフォトマスクブランクを用いて、前記遮光膜に所定のパターンを形成するフォトマスクの製造方法において、
上記レジスト膜に対して上記所定のパターンを露光する工程、及び、上記レジスト膜の前記遮光膜の周縁部分に相当する領域に対して露光する工程と、
上記レジスト膜を現像してレジストパターンを形成する工程と、
上記レジストパターンをマスクとして、上記遮光膜を選択的に除去することによって、この遮光膜に上記所定のパターンを形成するとともに、上記レジスト膜の周縁より外側に露出した上記遮光膜の周縁部分を除去する工程と
を有することを特徴とするフォトマスクの製造方法。 In a photomask manufacturing method of forming a predetermined pattern on the light-shielding film using a photomask blank in which a light-shielding film is formed on the main surface of the light-transmitting substrate and a resist film is formed on the light-shielding film,
Exposing the predetermined pattern to the resist film, and exposing a region corresponding to a peripheral portion of the light shielding film of the resist film;
Developing the resist film to form a resist pattern;
By selectively removing the light shielding film using the resist pattern as a mask, the predetermined pattern is formed on the light shielding film and the peripheral portion of the light shielding film exposed outside the peripheral edge of the resist film is removed. And a photomask manufacturing method comprising the steps of: 除去される上記遮光膜の周縁部分は、膜厚が前記遮光膜の設定膜厚未満となっている領域の少なくとも一部を含む
ことを特徴とする請求項１３乃至請求項１６のいずれか一に記載のフォトマスクの製造方法。 The peripheral portion of the light shielding film to be removed includes at least a part of a region where the film thickness is less than a set film thickness of the light shielding film. The manufacturing method of the photomask as described. 請求項１０乃至請求項１１のいずれか一に記載のフォトマスク、もしくは、請求項１３乃至請求項１７のいずれか一に記載のフォトマスクの製造方法により製造されたフォトマスクを用いて、このフォトマスクの遮光膜に形成されたパターンを、レーザ光源を有する描画機により、被転写体に転写する
ことを特徴とするパターンの転写方法。 A photomask produced by using the photomask according to any one of claims 10 to 11 or the photomask produced by the method for producing a photomask according to any one of claims 13 to 17. A pattern transfer method, wherein a pattern formed on a light shielding film of a mask is transferred to a transfer target by a drawing machine having a laser light source.
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