JP2008066753A - ボール配列板、ボール配列装置、及びボール配列方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 バンプ形成工程における歩留を向上させ、導電性ボールを確実に吸着配列して所定の位置に転写し、高い生産性でバンプを形成することができるようにする。
【解決手段】 ボール収容容器14内の導電性ボール7を吸引して配列した後、その導電性ボール7を搭載すべき搭載対象物の電極に対して一括で搭載することに用いるボール配列板の、前記導電性ボール7を吸着する側の裏面に凹部9と凸部8を設ける。
【選択図】 図1
【解決手段】 ボール収容容器14内の導電性ボール7を吸引して配列した後、その導電性ボール7を搭載すべき搭載対象物の電極に対して一括で搭載することに用いるボール配列板の、前記導電性ボール7を吸着する側の裏面に凹部9と凸部8を設ける。
【選択図】 図1
Description
本発明は、ボール配列板、ボール配列装置、及びボール配列方法に関し、特に、複数の導電性ボールを一括保持して、ウエハや電子部品の電極上に一括搭載させるために用いて好適なものである。
半導体装置の製造工程において、半導体素子の電極部(電極パッド)と、プリント配線板等の電極部或いはTABテープのインナーリード等とを接続するための方法として、微小導電性ボールで形成されたバンプを介して両者を接合する方法が知られている(所謂ボールバンプ法)。
このバンプを形成する際には、例えば半導体素子の電極部(電極パッド)に対応する多数の吸引孔を有し、各吸引孔に微細導電性ボールを吸引するようにしたボール配列板が使用される。
このバンプを形成する際には、例えば半導体素子の電極部(電極パッド)に対応する多数の吸引孔を有し、各吸引孔に微細導電性ボールを吸引するようにしたボール配列板が使用される。
このバンプを形成する工程において、例えば半導体素子の電極部(電極パッド)にバンプを形成する場合、真空吸引等の方法によりボール配列板の下側に形成されている吸引孔に微細導電性ボールを吸引させて保持し、その状態でバンプ接合用ステージまで搬送する。
その後、バンプ接合用ステージにて電極パッドに微細導電性ボールを熱圧着させることによってバンプを形成する。
その後、バンプ接合用ステージにて電極パッドに微細導電性ボールを熱圧着させることによってバンプを形成する。
また、プリント配線板等の電極部や半導体素子の電極部などに低融点金属から成るバンプを形成する場合には、前記電極部に予めフラックスを供給しておき、微細導電性ボールを電極部に配列した後リフローする方法が一般的である。
従来のボール配列板では、例えば、特開平9−270429号公報に記載されているように、ガラスを基材としたものやステンレス等の金属を用いて、ボール配列板を固定する治具のボール配列板と接する面にボール吸引用の減圧空間と配列板を支えるための空間とを設け、吸引ガス流の通り道を確保していた。また、ボール配列板と配列板固定治具との間に多孔質体を挿入してボール吸引のためのガス流路を得ていた。
しかしながら、近年の半導体チップの小型化に伴い、バンプを形成すべき半導体チップの電極間が250μm以下、さらには200μm未満と狭くなっている。また、使用するボールサイズの直径が200μm以下、特に近年では100μm以下と小さくなっている。
このため、ボール配列板を配列板固定治具に固定する際の位置あわせが難しく、配列板固定治具のボール配列板と接触する部分がボール吸引孔をふさいでしまい、導電性ボールをボール配列板に吸引して配列しようとしても導電性ボールを保持し得るだけの吸引ガス流を得ることができないという問題点があった。
このため、ボール配列板を配列板固定治具に固定する際の位置あわせが難しく、配列板固定治具のボール配列板と接触する部分がボール吸引孔をふさいでしまい、導電性ボールをボール配列板に吸引して配列しようとしても導電性ボールを保持し得るだけの吸引ガス流を得ることができないという問題点があった。
ここで、従来の微細導電性ボールの配列板の一例を図6に示す。
ボール配列板5は、導電性ボール7を搭載する電極の位置と対応した位置に吸引孔6を有しており、配列板支持部4に固定される。そして、配列ヘッド1の減圧空間2からの吸引により、ボール収容容器14に収容されている微細導電性ボール7を吸引孔6に配列する。なお、配列ヘッド1は図示しない減圧発生源と繋がっている。
ボール配列板5は、導電性ボール7を搭載する電極の位置と対応した位置に吸引孔6を有しており、配列板支持部4に固定される。そして、配列ヘッド1の減圧空間2からの吸引により、ボール収容容器14に収容されている微細導電性ボール7を吸引孔6に配列する。なお、配列ヘッド1は図示しない減圧発生源と繋がっている。
図6の例では、各吸引孔6間の間隔(ピッチ)が比較的広い場合を示しており、導通穴3と吸引孔6の位置が合っている。ところが、近年では、例えば、この間隔が狭い場合や、8inchウエハなどの大面積のウエハに微細導電性ボール7を搭載する場合がある。このような場合には、導通穴3と吸引孔6とがずれて固定されてしまうことがある。
導通穴3と吸引孔6の位置がずれると、吸引孔6の穴が塞がれてしまうので、微細導電性ボール7を吸引孔6に吸引することができないという不具合が発生する虞があるという問題点があった。
また、従来の方法では、配列板支持部4と配列板5との間に多孔質体などを挿入して微細導電性ボール7を吸引するためのガス流を確保する方法もある。しかしながら、いずれの場合でも位置合せによって吸引孔3を塞いでしまうという問題点があった。この他、大面積に数万個の微細導電性ボール7を吸着する場合には、圧損が大きくなるために、微細導電性ボール7を吸着することができない部分が生じてしまうなどといった問題点もあった。
また、従来の方法では、配列板支持部4と配列板5との間に多孔質体などを挿入して微細導電性ボール7を吸引するためのガス流を確保する方法もある。しかしながら、いずれの場合でも位置合せによって吸引孔3を塞いでしまうという問題点があった。この他、大面積に数万個の微細導電性ボール7を吸着する場合には、圧損が大きくなるために、微細導電性ボール7を吸着することができない部分が生じてしまうなどといった問題点もあった。
さらに、ウエハなどを対象にした大面積のボール吸着配列においては、配列板固定治具側で大面積に亘る微細加工が必要となり、作製コストが高くなり、治具作製時間も長くなるといった問題点もあった。
本発明は、前述の問題点に鑑みてなされたものであり、バンプ形成工程における歩留を向上させ、導電性ボールを確実に吸着配列して所定の位置に転写し、高い生産性でバンプを形成することができるようにすることを目的とする。
本発明のボール配列板は、容器内の導電性ボールを吸引して配列した後、その導電性ボールを搭載すべき搭載対象物の電極に対して一括で搭載することに用いるボール配列板であって、前記導電性ボールを吸着する側の裏面に凹凸があり、少なくとも吸引孔間の前記凸の部分の面方向のサイズが、前記吸引孔の口径以上、前記吸引孔のピッチ未満の部分を有することを特徴とする。
また、本発明の他の特徴とするところは、前記導電性ボールを吸着する側の裏面にある凹部と、前記導電性ボールを吸着するための貫通孔の少なくとも一部とが繋がっていることである。
また、本発明のその他の特徴とするところは、前記導電性ボールを吸着する側の裏面にある凹凸が、化学エッチングによって形成されていることである。
また、本発明のその他の特徴とするところは、前記ボール配列板の材質が、Ni、Co、またはSiのいずれかを含むことである。
また、本発明のその他の特徴とするところは、前記導電性ボールを吸着する側の裏面にある凸部の材質が、Ni、Co、またはSiのいずれかを含むことである。
本発明のボール配列装置は、前記いずれかに記載されているボール配列板をもちいたことを特徴とする。
本発明のボール配列方法は、前記いずれかに記載されているボール配列板をもちいたことを特徴とする。
また、本発明の他の特徴とするところは、前記導電性ボールを吸着する側の裏面にある凹部と、前記導電性ボールを吸着するための貫通孔の少なくとも一部とが繋がっていることである。
また、本発明のその他の特徴とするところは、前記導電性ボールを吸着する側の裏面にある凹凸が、化学エッチングによって形成されていることである。
また、本発明のその他の特徴とするところは、前記ボール配列板の材質が、Ni、Co、またはSiのいずれかを含むことである。
また、本発明のその他の特徴とするところは、前記導電性ボールを吸着する側の裏面にある凸部の材質が、Ni、Co、またはSiのいずれかを含むことである。
本発明のボール配列装置は、前記いずれかに記載されているボール配列板をもちいたことを特徴とする。
本発明のボール配列方法は、前記いずれかに記載されているボール配列板をもちいたことを特徴とする。
本発明によれば、導電性ボールを搭載すべき搭載対象物の電極に対して一括で搭載することに用いるボール配列板の、前記導電性ボールを吸着する側の裏面に凹凸を設けるようにしたので、ボール配列板とそれを備えた配列ヘッドにより、ボール吸引ガス流路を確保することができる。これにより、吸引孔が狭ピッチである場合や、大面積の搭載エリアであっても確実に導電性ボールを吸引して配列することができる。したがって、導電性ボールを搭載する際の歩留を向上し、バンプ形成対象の電極上に高精度で微小導電性バンプを形成することができるようになるとともに、高い生産性で微小導電性バンプを形成することができるようになる。
以下、図面に基づき、本発明のボール配列板、ボール配列装置、及びボール配列方法の好適な実施の形態を説明する。
本実施の形態におけるボール配列板は、半導体素子や基板の電極部に対応するように形成された複数の配列孔(吸引孔)を有し、半導体素子等の電極部に形成されるべき微細導電性ボールを、配列孔(吸引孔)に吸引等により保持し得るようになっている。
本実施の形態におけるボール配列板は、半導体素子や基板の電極部に対応するように形成された複数の配列孔(吸引孔)を有し、半導体素子等の電極部に形成されるべき微細導電性ボールを、配列孔(吸引孔)に吸引等により保持し得るようになっている。
図1〜図3に、本実施の形態におけるボール配列板の構成を示す。なお、図1〜図3において、図6に示したものと同一部分については、図6と同一の符号を付して詳細な説明を省略する。また、図1〜図3において、図(a)は、側断面図である。また、図(b)は、微細導電性ボール7 が吸引される面の裏面の側から見た平面図である。
本実施の形態では、図1〜図3に示すように、ボール配列板21、31、41の微細導電性ボール7と接触する面の裏側に、ボール吸引用のガス流を通気するための空間が確保されるように凸部8と、凹部9とを設けるようにしている。このようなボール配列板21、31、41を用いることによって、吸引孔6が塞がれてしまうという問題点を解消することができる。そして、微細導電性ボール7を保持するためのガス流通路を確実に維持することができる。
図1〜図3に示す一例のように、凸部8と、凹部9の形状は、凸部8の高さが揃っていれば、球状、ドーム状、立方体、円柱状、円錐状、台形状など、どのようなものでもよいが、凸部8と、凹部9によって、配列板支持部4との間に形成される空間に流れるガス流によって、微細導電性ボール9が吸引孔6に吸引され、保持されなければならない。
ボール配列板21、31、41の厚さは、材質と孔径に依存するが、20μm〜1mmのものを用いるようにする。例えば、ニッケル(Ni)を主材としたものであれば、20μm〜200μmの厚さにするのが好ましい。また、ガラスを主材としたものであれば、200μm〜1mmの厚さにするのが好ましい。
なお、これらの他に、例えばコバルト(Co)やシリコン(Si)を主材としてもよい。
なお、これらの他に、例えばコバルト(Co)やシリコン(Si)を主材としてもよい。
凸部8と凹部9の深さもまた孔径に依存するが、深さが深いほど大きなガス流を確保することができる。凸部8と凹部9の深さは、少なくともボール配列板21、31、41の板厚の1/3以上にするのが好ましい。
例えば、ボール配列板21、31、41の凹部9の厚さが100μmの場合、凸部8と凹部9の深さを50μm〜200μmにするのが好ましい。
なお、凸部8と凹部9とを溝状に配置し、配列される微細導電性ボール7の順序を制御することも可能である。
凸部8と凹部9の加工には、フォトリソグラフィー技術によるマスク処理や化学エッチング処理を用いるようにするのが精度の面で最も好ましいが、サンドブラストなどの処理による物理的エッチングなどを用いるようにしても構わないし、凸部8の高さがほぼ一定になる方法であれば、その他の加工法でも構わない。
凸部8と凹部9の加工には、フォトリソグラフィー技術によるマスク処理や化学エッチング処理を用いるようにするのが精度の面で最も好ましいが、サンドブラストなどの処理による物理的エッチングなどを用いるようにしても構わないし、凸部8の高さがほぼ一定になる方法であれば、その他の加工法でも構わない。
また、図中では、ボール配列板21、31、41の吸引孔6が存在しない外周部の板厚が、配列板21、31、41の裏面に形成されている凸部8の厚みに等しく描かれているが、凹部9の厚みに等しくても良い。
また、凹部9と凸部8を作製するプロセス上の理由により、凸部8の面方向のサイズが小さすぎると高さを確保することが困難となり、所望のガス流を確保できないことがある。このため、凸部8の面方向のサイズは、少なくとも吸引孔6の径以上のサイズを持つことが望ましい。
また、凹部9と凸部8を作製するプロセス上の理由により、凸部8の面方向のサイズが小さすぎると高さを確保することが困難となり、所望のガス流を確保できないことがある。このため、凸部8の面方向のサイズは、少なくとも吸引孔6の径以上のサイズを持つことが望ましい。
図4は、本実施の形態におけるボール配列装置の概略構成の一例を示している。なお、図4では、ボール配列板21、31、41のうち、ボール配列板21を取り付けた場合を一例として示しているが、ボール配列板31、41を取り付けた場合でも同様に動作する。
図4において、半導体基板もしくはウエハWは、紙面と垂直方向(Y方向)のウエハ搬送路に沿って固定された状態で移動し、ウエハステージ(ボール搭載ステージ)10上の所定の位置で待機する。
ここで、本実施の形態では、例えば4インチ(100mm)以上のサイズを有する大面積のウエハWを対象としている。このウエハWによれば、図5に示されるように、形成すべき複数の半導体チップC(個々の正方形部分)を得ることができる。そして、各半導体チップCの電極部には、後述するように、本実施の形態のボール配列板21、31、41を用いて複数の微細導電性ボール7が搭載される。図5においては、微細導電性ボール7を簡略化して示しているが、これら複数の半導体チップCに使用する微細導電性ボール7は、数十万個になる。すなわち、本実施の形態は、主として、極めて大量の微細導電性ボール7を一括してウエハWに搭載する工程で用いるボール配列板に関するものである。
ここで、本実施の形態では、例えば4インチ(100mm)以上のサイズを有する大面積のウエハWを対象としている。このウエハWによれば、図5に示されるように、形成すべき複数の半導体チップC(個々の正方形部分)を得ることができる。そして、各半導体チップCの電極部には、後述するように、本実施の形態のボール配列板21、31、41を用いて複数の微細導電性ボール7が搭載される。図5においては、微細導電性ボール7を簡略化して示しているが、これら複数の半導体チップCに使用する微細導電性ボール7は、数十万個になる。すなわち、本実施の形態は、主として、極めて大量の微細導電性ボール7を一括してウエハWに搭載する工程で用いるボール配列板に関するものである。
また、図4に示されるように、ウエハ搬送路と直交する方向(X方向)に沿ってガイドもしくはガイドレール11が設置され、このガイドレール11にはX−Z方向に移動可能なボール配列ヘッド1が支持される。ボール配列ヘッド1は、後述するように、減圧空間2と、減圧空間2とボール配列板21、31、41の吸引孔6とを結ぶ導通穴3を備えている。そして、導通穴3の設置されている面にボール配列板21、31、41を固定し、微細導電性ボール7をボール配列板21、31、41に吸引して配列する。
ボール配列板21、31、41の固定方法は特に図示しないが、吸引孔6が存在するボール配列板21、31、41の微細導電性ボール7を吸着するエリア以外の部分を、微細導電性ボール7を吸着する真空系とは独立した真空吸着によって吸着して固定しても良い。
また、ボール配列板21、31、41をボール配列ヘッド1に押し付けるようにした固定枠によって固定しても良い。そして、ウエハW上に形成された各半導体チップCの電極部に対して、その導電性ボール7を一括で搭載する。
また、ボール配列板21、31、41をボール配列ヘッド1に押し付けるようにした固定枠によって固定しても良い。そして、ウエハW上に形成された各半導体チップCの電極部に対して、その導電性ボール7を一括で搭載する。
ガイドレール11の一端側にてボール配列ヘッド1の下方に位置するようにボール供給装置13が配置される。ボール供給装置13は、相当量の微細導電性ボール7を収容するボール収容容器(ボールトレー)14と、ボール収容容器14を加振してボール収容容器14内で導電性ボール7を跳躍させる加振機15とを含んでいる。微細導電性ボール7をボール配列板21、31、41に供給させるために、前記のように、微細導電性ボール7を跳躍させてもよいし、ガス流によって微細導電性ボール7を吹き上げたり、吹き付けたりする等してもよい。
ボール配列ヘッド1は、例えば超音波振動子のような図示しない振動発生器を備えている。そして、この振動発生器を用いて、微細導電性ボール7の吸着中や、吸着終了時に振動を加えることによって、吸引孔6の周辺や吸引孔6以外の部分に付着する余剰ボールの発生を抑制することができる。この場合、振動周波数は数Hz〜1GHz程度が好ましい。また、振動印加時間、振幅、周波数、印加タイミングは任意に設定できることが望ましい。
ボール供給装置13とウエハステージ(ボール搭載ステージ)10との間には、配列不良ボール除去機構16と配列検査用カメラ17とが配置される。ボール除去機構16は、ボール配列ヘッド1における配列不良ボールを、吸引またはガス吹付けによって除去する。配列不良ボールを除去する際にボール配列ヘッド1 に振動を加えると、より効果的に除去することができる。配列ヘッド1には図示しない圧電素子が設置されており、任意のタイミングでボール配列ヘッド1に振動を加えることができる。この場合、振動周波数は数Hz〜1GHz程度が好ましい。また、配列検査カメラ17は、ボール配列ヘッド1におけるボール配列不良を検査する。
ボール配列ヘッド1は、ボール供給装置13とボール搭載ステージ10との間を往復運動する。このように往復運動するボール配列ヘッド1内の減圧空間2は、負圧源もしくは真空源に接続された図示しない吸引機構に繋がれている。これにより、ボール配列板21、31、41にて多数の微細導電性ボール7を吸引して配列することができるようになっている。
また、この減圧空間2と前記吸引機構との間にバルブを設け、ボール搭載過程で前記バルブを切り替えて前記吸引機構から加圧ポンプに繋ぎかえることにより、減圧空間を陽圧にすることもできる。
ボール配列板21、31、41は、ウエハWにおける複数の半導体チップCの電極部に対応する吸引孔6を有する。そして、前記吸引機構によって、ボール収容容器14内で跳躍する微細導電性ボール7を各吸引孔6に1つずつ吸着させることができるようにしている。
上記構成において、ボール配列ヘッド1が微細導電性ボール7を吸引し始め、搭載対象物に微細導電性ボール7を搭載するまでの配列動作について説明する。ボール供給装置13において、ボール収容容器14内の微細導電性ボール7は、加振機13によって跳躍している。図4の破線に示しているように、ボール配列ヘッド1をボール収容容器14上の所定の高さまで降下させ、その跳躍する微細導電性ボール7を吸着する。
このようにして微細導電性ボール7を吸着した後、ボール配列ヘッド1は上昇し、ガイドレール11に沿ってウエハステージ(ボール搭載ステージ)10まで移動する。この移動途中に、配列不良ボールの除去を行う。この後、配列検査用カメラ17がY方向に移動して、ボール配列板21、31、41の配列面全域のボール吸着状態を検査する。検査結果が良好である場合には、ウエハステージ(ボール搭載ステージ)10まで移動する。また、この検査時に配列不良が発見された場合には、ボール除去機構16の位置に戻って配列不良の微細導電性ボール7の除去を行うことも可能である。
つぎに、ボール配列ヘッド1と、ウエハステージ(ボール搭載ステージ)10で待機しているウエハWとの位置合せが行われる。そして、ボール配列ヘッド1を降下させることにより、ボール配列板21、31、41に吸着されている微細導電性ボール7が、フラックスが塗布されていたウエハWの電極部に搭載される。
なお、ボール配列ヘッド1はウエハWに接触する際の搭載荷重が微細導電性ボール7の種類等に応じて制御可能に構成されている。これにより微細導電性ボール7をウエハWに対して最適荷重で接触させ、微細導電性ボール7をつねに適性かつ円滑にウエハWの電極部に搭載することができる。
また、前述したようにボール配列ヘッド1は、例えば超音波振動子のような図示しない振動発生器を備えている。そして、この振動発生器を用いてボール搭載過程で振動を加えることによって、吸引孔6に吸引した微細導電性ボール7を吸引孔6から容易に開放することができる。この場合、振動周波数は数Hz〜1GHz程度が好ましい。また、振動印加時間、振幅、周波数、印加タイミングは任意に設定できることが望ましい。
さらに、ウエハW上に微細導電性ボールを搭載した後、ボール配列板21、31、41上に残存する微細導電性ボール7があることを考慮して、ボール除去機構16によって、ボール配列板21、31、41上に残存する微細導電性ボール7を吸引して除去する動作をすることもできる。
以下に、実施例を示す。実施条件は、以下のとおりである。
使用ボールサイズ:100μmφ
ボール材質:Sn63Pb共晶
配列板:8インチ(200mm)ウエハ対応
吸引孔数:385000個/ウエハ(625個/チップ)
チップ数:616個/ウエハ
配列板凹部の板厚:70μm
凹凸深さ:70μm(トータル厚み:170μm)
吸引孔径:70μmφ
吸引孔ピッチ:200μm
吸引時間:90秒
以下の表1に、一回の吸着動作で発生した微細導電性ボール7が未吸着の吸引孔数を示す。
使用ボールサイズ:100μmφ
ボール材質:Sn63Pb共晶
配列板:8インチ(200mm)ウエハ対応
吸引孔数:385000個/ウエハ(625個/チップ)
チップ数:616個/ウエハ
配列板凹部の板厚:70μm
凹凸深さ:70μm(トータル厚み:170μm)
吸引孔径:70μmφ
吸引孔ピッチ:200μm
吸引時間:90秒
以下の表1に、一回の吸着動作で発生した微細導電性ボール7が未吸着の吸引孔数を示す。
本実施例では、1例のみについて示しただが、他に60μmφ、80μmφ、150μmφのボールサイズや、Pbフリー材(Sn−Ag−Cu系、Sn−Ag系)のボールにおいても同様の試験を実施している。その結果、本実施の形態のボール配列板21、31、41を用いると、従来のボール配列板5では達し得ない、上記表1と同等の良好な結果が得られた。但し、ボールサイズが60μmφの場合は、ボール配列板21、31、41の板厚が凹部9で50μm、凹部9と凸部8の深さが30μm、吸引孔径が40μmφ、吸引孔ピッチが100μmの条件で実施した。
1 配列ヘッド
2 減圧空間
3 配列ヘッドの貫通穴
4 配列板支持部
6 吸引孔
7 微細導電性ボール
8 配列板裏の凸部
9 配列板裏の凹部(ガス流通路)
14 ボール収容容器
21、22、23 ボール配列板
2 減圧空間
3 配列ヘッドの貫通穴
4 配列板支持部
6 吸引孔
7 微細導電性ボール
8 配列板裏の凸部
9 配列板裏の凹部(ガス流通路)
14 ボール収容容器
21、22、23 ボール配列板
Claims (7)
- 容器内の導電性ボールを吸引して配列した後、その導電性ボールを搭載すべき搭載対象物の電極に対して一括で搭載することに用いるボール配列板であって、
前記導電性ボールを吸着する側の裏面に凹凸があり、少なくとも吸引孔間の前記凸の部分の面方向のサイズが、前記吸引孔の口径以上、前記吸引孔のピッチ未満の部分を有することを特徴とするボール配列板。 - 前記導電性ボールを吸着する側の裏面にある凹部と、前記導電性ボールを吸着するための貫通孔の少なくとも一部とが繋がっていることを特徴とする請求項1に記載のボール配列板。
- 前記導電性ボールを吸着する側の裏面にある凹凸が、化学エッチングによって形成されていることを特徴とする請求項1または2に記載のボール配列板。
- 前記ボール配列板の材質が、Ni、Co、またはSiのいずれかを含むことを特徴とする請求項1または2に記載のボール配列板。
- 前記導電性ボールを吸着する側の裏面にある凸部の材質が、Ni、Co、またはSiのいずれかを含むことを特徴とする請求項1または2に記載のボール配列板。
- 前記請求項1〜5のいずれか1項に記載されているボール配列板をもちいたことを特徴とするボール配列装置。
- 前記請求項1〜5のいずれか1項に記載されているボール配列板をもちいたことを特徴とするボール配列方法。
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JPH09148724A (ja) * | 1995-11-21 | 1997-06-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 吸着ヘッド |
JPH11274228A (ja) * | 1998-03-23 | 1999-10-08 | Nec Corp | ボール吸着治具 |
-
2007
- 2007-11-22 JP JP2007303014A patent/JP2008066753A/ja active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPH09148724A (ja) * | 1995-11-21 | 1997-06-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 吸着ヘッド |
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