JP2008065249A - 電気光学装置用基板の製造方法 - Google Patents
電気光学装置用基板の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008065249A JP2008065249A JP2006245757A JP2006245757A JP2008065249A JP 2008065249 A JP2008065249 A JP 2008065249A JP 2006245757 A JP2006245757 A JP 2006245757A JP 2006245757 A JP2006245757 A JP 2006245757A JP 2008065249 A JP2008065249 A JP 2008065249A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- electro
- optical device
- liquid crystal
- light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Images
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
【課題】電気光学装置用基板の生産工程における工数を削減し、生産効率を向上させることができ、電気光学装置を薄型化し、かつ画素領域を透過した光の視野角を広くすることができる電気光学装置用基板の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】第1基板3aの表面に複数の微小凹部を機械的手段によって形成する工程と、前記第1基板3aの表面をエッチングして、前記第1基板3aを薄肉化するとともに、前記微小凹部を等方的に侵食してマイクロレンズLを形成する工程と、を有することを特徴とする。
【選択図】図5
【解決手段】第1基板3aの表面に複数の微小凹部を機械的手段によって形成する工程と、前記第1基板3aの表面をエッチングして、前記第1基板3aを薄肉化するとともに、前記微小凹部を等方的に侵食してマイクロレンズLを形成する工程と、を有することを特徴とする。
【選択図】図5
Description
本発明は、電気光学装置用基板の製造方法に関するものである。
従来から、基板の表面上に略半球状の曲面を多数形成する電気光学装置用基板の製造方法が知られている。また、これらの基板表面上の曲面をマイクロレンズとして機能させ、例えば、LCD(Liquid Crystal Display:液晶表示装置)のバックライトを集光し、画素領域を透過する光量を増加させる電気光学装置用基板の製造方法が知られている。
例えば、基板の表面上に形成したマスク層に複数のピンホールを形成し、その状態で上記の基板表面に湿式エッチングを施すことによって略半球状の凹曲面を多数形成する電気光学装置用基板の製造方法が開示されている(例えば、特許文献1参照)。
また、例えば、まず基板上にレンズの母材となるレジストを均一に塗布してパターン露光を行い、基板をディップ現像し、洗浄する。さらに、ブリーチング処理を施してから基板を加熱することで略半球状の凸曲面を多数形成する電気光学装置用基板の製造方法が開示されている(例えば、特許文献2参照)。
特開2001−247339号公報
特開2000−199803号公報
しかしながら、上記従来の電気光学装置用基板の製造方法では、工程が複雑で工数が多いことが生産性向上の阻害要因となっていた。
特許文献1に記載された技術の場合、基板上にマスク層をパターニングする工程およびマスクパターンの除去工程が必要となることが工程削減の妨げとなっている。特許文献2に記載された技術の場合、基板上にレジストを塗布する工程、レジストにパターン露光を行う工程、レジストを除去する工程、基板を加熱する工程が必要となることが、工程削減の妨げとなっている。
特許文献1に記載された技術の場合、基板上にマスク層をパターニングする工程およびマスクパターンの除去工程が必要となることが工程削減の妨げとなっている。特許文献2に記載された技術の場合、基板上にレジストを塗布する工程、レジストにパターン露光を行う工程、レジストを除去する工程、基板を加熱する工程が必要となることが、工程削減の妨げとなっている。
また、例えばLCDなどの電気光学装置においては、装置の薄型化が望まれている。しかし、特許文献2に記載された技術の場合、基板上に樹脂等によって別途マイクロレンズを形成し、LCD等の電気光学装置と組み合わせて使用している。したがって、別途部材費がかかるだけでなく、電気光学装置としての薄型化にも限界があった。
また、例えば、上記従来のLCDにおいては、画素領域を透過した光の視野角が狭いことが課題となっている。このため、基板上に、例えば散乱板等の光学フィルムを形成して視野角を調整することが行われ、基板製造時の工数を増加させていた。
本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、電気光学装置用基板の生産工程における工数を削減し、生産効率を向上させることができる製造方法を提供することを目的とする。また、同時に、電気光学装置を薄型化し、かつ画素領域を透過した光の視野角を広くすることができる電気光学装置用基板の製造方法を提供することを目的とする。
本発明は、第1基板の表面に複数の微小凹部を機械的手段によって形成する工程と、前記第1基板の表面をエッチングして、前記第1基板を薄肉化するとともに、前記微小凹部を等方的に侵食してマイクロレンズを形成する工程と、を有することを特徴とする電気光学装置用基板の製造方法である。
このように微小凹部が形成された第1基板の表面にエッチング処理を施すことによって、第1基板表面にマスク層や樹脂層を形成することなく、マイクロレンズを形成することができる。加えて、マイクロレンズの形成と同時に基板の薄肉化を図ることができるので、従来の複雑かつ工数の多い工程を、単純で工数の少ない工程に置き換えることができる。
よって、本発明の製造方法によれば、電気光学装置用基板の生産工程における工数を削減し、生産効率を向上させることができる。また、第1基板の薄肉化を図ることで電気光学装置の薄型化を実現することができる。
よって、本発明の製造方法によれば、電気光学装置用基板の生産工程における工数を削減し、生産効率を向上させることができる。また、第1基板の薄肉化を図ることで電気光学装置の薄型化を実現することができる。
また、本発明は、前記エッチング工程の前に、前記第1基板における前記微小凹部の形成面の反対側面に第2基板を貼り合わせる工程を有し、前記エッチング工程では、前記第1基板とともに前記第2基板の表面をエッチングして、前記第1基板とともに前記第2基板を薄肉化することを特徴とする上記の電気光学装置用基板の製造方法である。
このように製造することで、貼り合わせ前の各基板の厚さを、微小凹部の形成工程および第1、第2基板の貼り合わせ工程において各基板に働く機械的な応力に十分耐えうる厚さに設定することができる。同時に、貼り合わせ後の両基板の表面をエッチングすることで、第2基板の薄肉化を第1基板の薄肉化およびマイクロレンズの形成と並行して進行させることができる。また、両基板の接合後に、液晶装置に要求される機械的強度を維持することができる必要最小限の厚さまで、両基板を薄肉化することができる。すなわち、後工程で要求される各基板の機械的強度を別々に考慮する必要がない。
したがって、本発明の製造方法によれば、上述の効果に加え、貼り合わせ前の各基板に必要な厚さを確保して第1、第2基板の損傷を防止することができる。よって、製品の歩留りを向上させ、生産効率を向上させることができる。また、第2基板の薄肉化を第1基板の薄肉化およびマイクロレンズの形成と並行して進行させることができるので、生産工程における工数をより削減させ、より生産効率を向上させることができる。さらに、必要最小限の厚さまで両基板を薄肉化することができるので、電気光学装置を薄型化することが可能となる。
また、本発明は、前記第1基板は、電気光学装置における光出射側の基板であることを特徴とする上記の電気光学装置用基板の製造方法である。
このように製造することで、第1基板に形成されたマイクロレンズを、凹レンズとして機能させることができる。
このように製造することで、第1基板に形成されたマイクロレンズを、凹レンズとして機能させることができる。
したがって、本発明の製造方法によれば上述の効果に加え、第2基板側からマイクロレンズに入射した光を第1基板のマイクロレンズによって拡散し、第1基板外部に射出することができるので、第1基板から出射する光の視野角を広くすることができる。
また、本発明は、前記第1基板は、光透過型の電気光学装置における光入射側の基板であり、前記微小凹部の形成工程では、前記電気光学装置における複数の画素領域に対応して微小凹部を形成し、前記エッチング工程の後に、前記第1基板より屈折率の大きい材料を前記マイクロレンズに充填する工程を有することを特徴とする請求項1または2に記載の電気光学装置用基板の製造方法である。
このように製造することで、各画素領域に対応したマイクロレンズを形成することができる。また、第1基板より屈折率の大きい材料を該マイクロレンズに充填することで、各画素領域に対応させた凸レンズを形成することができる。そして、第1基板に入射した光を、該凸レンズによって集光し、各画素領域を透過させることができる。
したがって、本発明の製造方法によれば上述の効果に加え、第1基板に入射した光を集光し、各画素領域を透過させることができるので、電気光学装置外部に射出される光量を増加させることができる。
したがって、本発明の製造方法によれば上述の効果に加え、第1基板に入射した光を集光し、各画素領域を透過させることができるので、電気光学装置外部に射出される光量を増加させることができる。
(第1の実施の形態)
以下、本発明の第1の実施の形態について図面を参照しながら詳細に説明する。本実施の形態では電気光学装置として、光透過型(非発光型)の液晶装置を例に挙げて説明する。特に、薄膜トランジスタ(Thin Film Transistor:TFT)を画素スイッチング素子として用いたTFTアクティブマトリクス方式の液晶装置を例に挙げて説明する。以下の図では、各部材を認識可能な大きさとするため、縮尺を適宜変更している。
以下、本発明の第1の実施の形態について図面を参照しながら詳細に説明する。本実施の形態では電気光学装置として、光透過型(非発光型)の液晶装置を例に挙げて説明する。特に、薄膜トランジスタ(Thin Film Transistor:TFT)を画素スイッチング素子として用いたTFTアクティブマトリクス方式の液晶装置を例に挙げて説明する。以下の図では、各部材を認識可能な大きさとするため、縮尺を適宜変更している。
(液晶装置)
図1は、液晶装置1の全体構成を示す図である。図1に示すように、液晶装置1は、対向して配置されたTFTアレイ基板(第2基板)2と対向基板(第1基板)3とがシール材4によって貼り合わされている。また、これらTFTアレイ基板2、対向基板3及びシール材4によって区画された領域内には液晶層5が形成されている。
図1は、液晶装置1の全体構成を示す図である。図1に示すように、液晶装置1は、対向して配置されたTFTアレイ基板(第2基板)2と対向基板(第1基板)3とがシール材4によって貼り合わされている。また、これらTFTアレイ基板2、対向基板3及びシール材4によって区画された領域内には液晶層5が形成されている。
シール材4の一部には液晶を注入する注入口4aが設けられており、当該注入口4aは封止材4bにより封止されている。シール材4の内側の領域には、遮光性材料からなる遮光膜(周辺見切り)6が形成されている。周辺見切り6の内側の領域は、光を変調する光変調領域7になっている。光変調領域7には、複数の画素領域8がマトリクス状に設けられている。各画素領域8の周囲には、遮光部材であるブラックマトリクス9が格子状に設けられている
TFTアレイ基板2の周縁部は、対向基板3から張り出した張出領域になっている。この張出領域のうち図中左辺側及び右辺側には、走査信号を生成する走査線駆動回路11が形成されている。図中上辺側には、左右の走査線駆動回路11の間を接続する配線13が引き回されている。図中下辺側には、データ信号を生成するデータ線駆動回路12と、外部の回路等に接続するための接続端子14とが形成されている。走査線駆動回路11と接続端子14との間の領域には、両者を接続する配線15が形成されている。対向基板3の各角部には、TFTアレイ基板2と対向基板3との間で電気的に接続するための基板間導通材17が設けられている。
図2は図1のA−A線に沿う断面構成図である。図2に示すように、TFTアレイ基板2は、例えばガラスや石英等の透光性の高い材料から形成された基材2aを備えている。この基材2aの液晶側には画素電極21と、当該画素電極21に電気信号を供給するTFT(図示せず)が設けられている。基材2aと画素電極21の間には、平面視格子状に配置され、画素電極21以外の部分の光を遮るための膜であるブラックマトリクス9と、ブラックマトリクス9を覆う透明樹脂層20が形成されている。また、画素電極21及びTFTを覆うように配向膜23が形成されている。
画素電極21は、例えばITO(Indium Tin Oxide)等の透明な導電材料によって形成されている。TFTは、画素電極21に電気的に接続されており、図示しない走査線及びデータ線が接続されている。TFTアレイ基板2の外側(液晶層5とは反対側)の面には、偏光板24が貼付されている。
対向基板3は、TFTアレイ基板2と同様に、例えばガラスや石英等の透光性の高い材料から形成された基材3aを主体として構成されている。基材3aの内側(液晶層5側)表面にはブラックマトリクス19および透明樹脂層30が形成されている。透明樹脂層30の内側表面には共通電極31が形成されており、共通電極31上には配向膜33が形成されている。共通電極31は、画素電極21と同様、例えばITO等の透明な導電材料によって形成されている。また、基材3aの外側には、偏光板34が貼り付けられている。
液晶層5は、例えばフッ素系液晶化合物や非フッ素系液晶化合物等の液晶分子によって構成されており、TFTアレイ基板2側の配向膜23と対向基板3側の配向膜33との双方に接するように両基板に挟持されている。液晶分子の配向は、非選択電圧を印加したときに所定の方向に向くように、配向膜23及び配向膜33によって規制されている。
TFTアレイ基板2の図示下部に設けられたバックライト40は、図示しない電力供給回路に接続された、例えばLEDなどの光源41を備えている。また、光源41の光をTFTアレイ基板2の下部に導入する、例えばアクリルなどの透明な導光板42を備えている。導光板42の下部には導光板42に導入された光を、導光板42のTFTアレイ基板2側表面に向けて反射する反射膜43が設けられている。
したがって、光源41より発せられ、反射膜43で反射された光はTFTアレイ基板2側から入射し、液晶層5及び画素電極21を透過して対向基板3側から出射される。
したがって、光源41より発せられ、反射膜43で反射された光はTFTアレイ基板2側から入射し、液晶層5及び画素電極21を透過して対向基板3側から出射される。
(液晶装置用基板の製造方法)
次に、本実施の形態における液晶装置1に用いられる基板の製造方法について説明する。
(微小凹部形成工程)
まず、基材2aの表面に微小凹部を形成する。微小凹部の形成は、押圧装置を用いて行う。
図3は押圧装置50の概略斜視図である。図3に示すように、押圧装置50には光出射側の対向基板3を構成する基材3aを載置するための載置台51が備えられている。載置台51の図示上側に押圧装置本体52が配置されている。載置台51には基材3aを載置台51上に係止するための基板係止手段(図示せず)が設けられている。押圧装置本体52には駆動装置(図示せず)に基端側が連結された棒状のシャフト53が備えられている。シャフト53の先端側にはシャフト53に略垂直な矩形の押圧板54が設けられている。押圧板54の図示下面側には、微小な針55がシャフト53の軸方向と平行に多数配設されている。なお複数の針55は、互いに均等な距離を開けて整列配置されていてもよく、ランダムに配置されていてもよい。
次に、本実施の形態における液晶装置1に用いられる基板の製造方法について説明する。
(微小凹部形成工程)
まず、基材2aの表面に微小凹部を形成する。微小凹部の形成は、押圧装置を用いて行う。
図3は押圧装置50の概略斜視図である。図3に示すように、押圧装置50には光出射側の対向基板3を構成する基材3aを載置するための載置台51が備えられている。載置台51の図示上側に押圧装置本体52が配置されている。載置台51には基材3aを載置台51上に係止するための基板係止手段(図示せず)が設けられている。押圧装置本体52には駆動装置(図示せず)に基端側が連結された棒状のシャフト53が備えられている。シャフト53の先端側にはシャフト53に略垂直な矩形の押圧板54が設けられている。押圧板54の図示下面側には、微小な針55がシャフト53の軸方向と平行に多数配設されている。なお複数の針55は、互いに均等な距離を開けて整列配置されていてもよく、ランダムに配置されていてもよい。
図3に示すように、上述の押圧装置50によって、基材3aの表面に複数の微小凹部Dを形成する。まず、載置台51上に基板3aを載置し、基板係止手段によって基材3aを載置台51上に固定する。次に、押圧板54を基材3aの上部に位置決めする。次いで、押圧装置50の駆動装置を起動してシャフト53を軸方向図示下向きに延出させ、押圧板54の下面に配設された微小な針55の先端を基材3aの表面に接触させる。
そのまま、予め定められた押圧力によって針55の先端を基材3aに圧入する。これにより、光出射側の対向基板3を構成する基材3aの表面に例えば等間隔の微小凹部Dが複数形成される。このとき、押圧力、針55の形状等を適宜調整することで、微小凹部Dの形状を調整することができる。
また、微小凹部Dの間隔が極めて小さいために押圧板54の下面に所望の間隔で針55を配設することが困難な場合がある。このような場合は、適当な間隔で針55が配設された押圧板54を用い、押圧装置50の駆動装置によって押圧板54を基材3aと平行方向に微小送りさせ、押圧するという工程を繰り返すことにより、所望の間隔の微小凹部Dを得ることができる。
また、微小凹部Dの間隔が極めて小さいために押圧板54の下面に所望の間隔で針55を配設することが困難な場合がある。このような場合は、適当な間隔で針55が配設された押圧板54を用い、押圧装置50の駆動装置によって押圧板54を基材3aと平行方向に微小送りさせ、押圧するという工程を繰り返すことにより、所望の間隔の微小凹部Dを得ることができる。
(基板貼り合わせ工程)
次に、基材3aの微小凹部D形成面の反対側の面に、例えば、成膜工程、リソグラフィ工程等によって、図2に示すブラックマトリクス19、透明樹脂層30、共通電極31、配向膜33等を形成する。基材2aの内側面にも、ブラックマトリクス9、透明樹脂層20、画素電極21、配向膜23等を形成する。その後、各基材2a,3aに形成された配向膜23,33を対向配置させ、シール材4および図示しないスペーサーを介して両基材2a,3aを接合する。さらに、シール材4の注入口4aから液晶を注入し、その注入口4aを封止材4bにより封止する。
(エッチング工程)
次に、TFTアレイ基板2と対向基板3のエッチング処理を行う。
基板貼り合わせ工程において接合した各基材2a,3aに、例えば弗化水素酸を含む水溶液をエッチング液として用いる湿式エッチングを施す。
図4はエッチング処理における基材3aおよび微小凹部Dの侵食過程を示す概略拡大断面図である。図中、二点鎖線は時間の経過とともにエッチング液によって侵食される基材3aの一定時間経過毎の表面を示している。
次に、基材3aの微小凹部D形成面の反対側の面に、例えば、成膜工程、リソグラフィ工程等によって、図2に示すブラックマトリクス19、透明樹脂層30、共通電極31、配向膜33等を形成する。基材2aの内側面にも、ブラックマトリクス9、透明樹脂層20、画素電極21、配向膜23等を形成する。その後、各基材2a,3aに形成された配向膜23,33を対向配置させ、シール材4および図示しないスペーサーを介して両基材2a,3aを接合する。さらに、シール材4の注入口4aから液晶を注入し、その注入口4aを封止材4bにより封止する。
(エッチング工程)
次に、TFTアレイ基板2と対向基板3のエッチング処理を行う。
基板貼り合わせ工程において接合した各基材2a,3aに、例えば弗化水素酸を含む水溶液をエッチング液として用いる湿式エッチングを施す。
図4はエッチング処理における基材3aおよび微小凹部Dの侵食過程を示す概略拡大断面図である。図中、二点鎖線は時間の経過とともにエッチング液によって侵食される基材3aの一定時間経過毎の表面を示している。
図4に示すように、エッチング開始当初、基材3a表面に微小凹部Dが上述の機械的手段によって形成されている。ここで、エッチング前の基材3aの厚さToは、例えば約0.5mmである。この状態で基材3aをエッチング液に浸漬して表面を侵食させていく。
一定時間経過後、基材3aの表面は均一に侵食され、厚さToが減少するとともに、微小凹部Dも等方的に侵食され略半球状の凹曲面であるマイクロレンズL1を形成する。このとき、基材3aに約100μm以上のエッチングを施すことによって、微小凹部Dは略半球状の凹曲面となる。さらに一定時間経過後、基材3aの表面はさらに侵食され、さらに厚さToが減少するとともに、マイクロレンズL1の略半球状の凹曲面もさらに侵食され、曲率半径R1が徐々に拡大していく。
このように、微小凹部Dを時間の経過とともに等方的に侵食させて、微小凹部Dと略同一の中心線Cを有する略半球状の凹曲面からなるマイクロレンズLを形成することができる。このとき、微小凹部Dの形状、例えば深さ、面積等を予め調整しておくことによって、一定時間後に形成されるマイクロレンズLの形状、寸法を調整することができる。
一定時間経過後、基材3aの表面は均一に侵食され、厚さToが減少するとともに、微小凹部Dも等方的に侵食され略半球状の凹曲面であるマイクロレンズL1を形成する。このとき、基材3aに約100μm以上のエッチングを施すことによって、微小凹部Dは略半球状の凹曲面となる。さらに一定時間経過後、基材3aの表面はさらに侵食され、さらに厚さToが減少するとともに、マイクロレンズL1の略半球状の凹曲面もさらに侵食され、曲率半径R1が徐々に拡大していく。
このように、微小凹部Dを時間の経過とともに等方的に侵食させて、微小凹部Dと略同一の中心線Cを有する略半球状の凹曲面からなるマイクロレンズLを形成することができる。このとき、微小凹部Dの形状、例えば深さ、面積等を予め調整しておくことによって、一定時間後に形成されるマイクロレンズLの形状、寸法を調整することができる。
図5は接合後に上述のエッチング処理を施した基材2a,3aの断面図である。図中、エッチング前の各基材2a,3aの表面を二点鎖線で示す。
図5に示すように、対向基板3の基材3aのエッチング処理と同時に、TFTアレイ基板2の基材2aの表面もエッチング液に浸漬し、時間の経過とともに侵食させて薄肉化を進行させる。
これにより、接合当初、例えば約0.5mmであった基材2aおよび3aの厚さToを、上述のエッチング処理によって、約0.2mm程度の厚さTまで薄肉化させることができる。また、このとき、図4に示すように、微小凹部Dは曲率半径Rが5〜10μm程度の略半球状の凹曲面からなるマイクロレンズLとなる。なおマイクロレンズL内の空気の屈折率は、基材3aを構成するガラス材料等の屈折率より小さい。したがってこのマイクロレンズLは、TFTアレイ基板2側から入射し画素電極21を透過した光Bに対して、凹レンズとして機能させることができる。
図5に示すように、対向基板3の基材3aのエッチング処理と同時に、TFTアレイ基板2の基材2aの表面もエッチング液に浸漬し、時間の経過とともに侵食させて薄肉化を進行させる。
これにより、接合当初、例えば約0.5mmであった基材2aおよび3aの厚さToを、上述のエッチング処理によって、約0.2mm程度の厚さTまで薄肉化させることができる。また、このとき、図4に示すように、微小凹部Dは曲率半径Rが5〜10μm程度の略半球状の凹曲面からなるマイクロレンズLとなる。なおマイクロレンズL内の空気の屈折率は、基材3aを構成するガラス材料等の屈折率より小さい。したがってこのマイクロレンズLは、TFTアレイ基板2側から入射し画素電極21を透過した光Bに対して、凹レンズとして機能させることができる。
したがって、本実施の形態によれば、図5に示すように、TFTアレイ基板2から入射し、画素電極21を透過した光Bを、対向基板3側の外表面に形成されたマイクロレンズLによって散乱して出射することができる。よって、散乱板等の光学的フィルムを形成することなく、視野角の広い光Bを出射することができるので、光学的フィルムを形成する工程を省略することができる。
このとき、大きさの異なるマイクロレンズを複数形成することで、光路・視野角等の制御が可能となる。これにより、例えば、大きさの異なる複数のマイクロレンズによって光の散乱が不規則になるため、マイクロレンズによって散乱された出射光同士の干渉を防ぐことができる。これにより、干渉縞の発生を防止することができる。
このとき、大きさの異なるマイクロレンズを複数形成することで、光路・視野角等の制御が可能となる。これにより、例えば、大きさの異なる複数のマイクロレンズによって光の散乱が不規則になるため、マイクロレンズによって散乱された出射光同士の干渉を防ぐことができる。これにより、干渉縞の発生を防止することができる。
また、対向基板3側の表面に、マスク層や樹脂層を形成することなく、マイクロレンズLを形成することができる。加えて、マイクロレンズLの形成と同時にTFTアレイ基板2および対向基板3の薄肉化を図ることができる。
したがって、従来のマスク層の形成、パターニング露光、エッチング、マスク層の除去といった工程を別々に複数回繰り返すような従来の製造方法と比較して、液晶装置1の製造工程における工数を削減することができる。よって、液晶装置1の生産効率を向上させることができる。
したがって、従来のマスク層の形成、パターニング露光、エッチング、マスク層の除去といった工程を別々に複数回繰り返すような従来の製造方法と比較して、液晶装置1の製造工程における工数を削減することができる。よって、液晶装置1の生産効率を向上させることができる。
尚、本実施形態では、液晶装置からの出射光を散乱させるためマイクロレンズを利用する。そのため、複数のマイクロレンズが整列配置されている必要はなく、ランダムに配置されていてもよい。また、複数のマイクロレンズが同形状である必要はなく、厳密に半球状に形成されていなくてもよい。
また、液晶装置1に求められる仕様にかかわらず、接合前の各基材2a,3aの厚さを、各基材2a,3aの接合時や微小凹部D形成時に各基材2a,3aに作用する機械的な応力に十分耐えうる厚さToに設定することができる。したがって、接合時や微小凹部D形成時の各基材2a,3aの損傷を防止することができる。よって、液晶装置1の歩留まりを向上させ、生産効率を向上させることができる。
加えて、各基材2a,3aの接合後に液晶装置1に要求される機械的強度を維持することができる必要最小限の厚さTまで、各基材2a,3aを薄肉化することができる。したがって、TFTアレイ基板2および対向基板3の体積および厚さを低減させ、液晶装置1を薄型化することができる。
また、TFTアレイ基板2と対向基板3を貼り合わせた後に、微小凹部Dを形成し、その後エッチング処理を行う順序でも良い。
加えて、各基材2a,3aの接合後に液晶装置1に要求される機械的強度を維持することができる必要最小限の厚さTまで、各基材2a,3aを薄肉化することができる。したがって、TFTアレイ基板2および対向基板3の体積および厚さを低減させ、液晶装置1を薄型化することができる。
また、TFTアレイ基板2と対向基板3を貼り合わせた後に、微小凹部Dを形成し、その後エッチング処理を行う順序でも良い。
(第2の実施の形態)
次に、この発明の第2の実施の形態について、図1〜4を援用し、図6を用いて説明する。
図6は、第1の実施の形態における図5に相当する断面図である。図5に示す第1実施形態では、液晶装置1における光出射側の基板3にマイクロレンズLを形成したが、図6に示す第2実施形態では、液晶装置1における光入射側の基板2にマイクロレンズL2を形成する点で相違している。その他の構成は第1の実施の形態と同様であるので、同一の部分には同一の符号を付して説明は省略する。
次に、この発明の第2の実施の形態について、図1〜4を援用し、図6を用いて説明する。
図6は、第1の実施の形態における図5に相当する断面図である。図5に示す第1実施形態では、液晶装置1における光出射側の基板3にマイクロレンズLを形成したが、図6に示す第2実施形態では、液晶装置1における光入射側の基板2にマイクロレンズL2を形成する点で相違している。その他の構成は第1の実施の形態と同様であるので、同一の部分には同一の符号を付して説明は省略する。
(微小凹部形成工程)
図3に示した微小凹部D形成工程において、光出射側の対向基板(第2基板)3の基材3aの表面ではなく、光入射側のTFTアレイ基板(第1基板)2の基材2aの表面に微小凹部Dを形成する。このとき、押圧装置50の押圧板54の針55の配置、送りを調整し、微小凹部Dを画素電極21および画素領域8に対応した位置に形成する。また、押圧板54の基材2aに対する押圧力を、形成するマイクロレンズL2が画素電極21および画素領域8に対応するように調整する。その他の工程は第1の実施の形態と同様である。
図3に示した微小凹部D形成工程において、光出射側の対向基板(第2基板)3の基材3aの表面ではなく、光入射側のTFTアレイ基板(第1基板)2の基材2aの表面に微小凹部Dを形成する。このとき、押圧装置50の押圧板54の針55の配置、送りを調整し、微小凹部Dを画素電極21および画素領域8に対応した位置に形成する。また、押圧板54の基材2aに対する押圧力を、形成するマイクロレンズL2が画素電極21および画素領域8に対応するように調整する。その他の工程は第1の実施の形態と同様である。
(基板貼り合わせ工程)
次に、基材2aの微小凹部D形成面の反対側の面に、例えば、成膜工程、リソグラフィ工程等によって、ブラックマトリクス9、透明樹脂層20、基板電極21、配向膜23等を形成する。基材3aの内側面にもブラックマトリクス19、透明樹脂層30、共通電極31、配向膜33等を形成する。その後、各基材2a,3aに形成された配向膜23,33を対向配置させ、シール材4および図示しないスペーサーを介して両基材2a,3aを接合する。さらに、シール材4の注入口4aから液晶を注入し、その注入口4aを封止材4bにより封止する。
次に、基材2aの微小凹部D形成面の反対側の面に、例えば、成膜工程、リソグラフィ工程等によって、ブラックマトリクス9、透明樹脂層20、基板電極21、配向膜23等を形成する。基材3aの内側面にもブラックマトリクス19、透明樹脂層30、共通電極31、配向膜33等を形成する。その後、各基材2a,3aに形成された配向膜23,33を対向配置させ、シール材4および図示しないスペーサーを介して両基材2a,3aを接合する。さらに、シール材4の注入口4aから液晶を注入し、その注入口4aを封止材4bにより封止する。
(エッチング工程)
図4に示したエッチング処理により、図6に示す基材2a表面に画素電極21及び画素領域8に対応したマイクロレンズL2を形成することができる。また、微小凹部D形成時に、例えば押圧力を大きく設定することで、図6に示すように、形成されるマイクロレンズL2の曲率半径R2を大きくすることができる。その他の工程は第1の実施の形態と同様である。
図4に示したエッチング処理により、図6に示す基材2a表面に画素電極21及び画素領域8に対応したマイクロレンズL2を形成することができる。また、微小凹部D形成時に、例えば押圧力を大きく設定することで、図6に示すように、形成されるマイクロレンズL2の曲率半径R2を大きくすることができる。その他の工程は第1の実施の形態と同様である。
このとき、図6に示すように、第1の実施の形態と同様に、TFTアレイ基板2の基材2aのエッチング処理と同時に、対向基板3の基材3aの表面もエッチング液に浸漬し、時間の経過とともに侵食させて薄肉化を進行させる。
これにより、第1の実施の形態と同様に接合当初、例えば約0.5mmであった基材2aおよび3aの厚さToを、上述のエッチング処理によって、約0.2mm程度の厚さTまで薄肉化させることができる。また、このとき、図6に示すように、微小凹部Dは各画素電極21に対応したマイクロレンズL2となる。
また、TFTアレイ基板2と対向基板3を貼り合わせた後に、微小凹部Dを形成し、その後エッチング処理を行う順序でも良い。
これにより、第1の実施の形態と同様に接合当初、例えば約0.5mmであった基材2aおよび3aの厚さToを、上述のエッチング処理によって、約0.2mm程度の厚さTまで薄肉化させることができる。また、このとき、図6に示すように、微小凹部Dは各画素電極21に対応したマイクロレンズL2となる。
また、TFTアレイ基板2と対向基板3を貼り合わせた後に、微小凹部Dを形成し、その後エッチング処理を行う順序でも良い。
(透明材料充填工程)
次に、エッチング工程によって形成されたマイクロレンズL2に、基材2aの構成材料よりも屈折率の高い透明材料、例えばポリエステル等の透明な樹脂25を充填する。
これにより、図6に示すように、マイクロレンズL2をTFTアレイ基板2の外側から入射する光Bに対して凸レンズとして機能させることができる。したがって、図5においてブラックマトリクス9によって遮光されて対向基板3の外部に出射されることのなかった光Bを、マイクロレンズL2によって集光させてブラックマトリクス9,19の間を透過させ、対向基板3の外部に出射させることができる。
次に、エッチング工程によって形成されたマイクロレンズL2に、基材2aの構成材料よりも屈折率の高い透明材料、例えばポリエステル等の透明な樹脂25を充填する。
これにより、図6に示すように、マイクロレンズL2をTFTアレイ基板2の外側から入射する光Bに対して凸レンズとして機能させることができる。したがって、図5においてブラックマトリクス9によって遮光されて対向基板3の外部に出射されることのなかった光Bを、マイクロレンズL2によって集光させてブラックマトリクス9,19の間を透過させ、対向基板3の外部に出射させることができる。
したがって、この実施の形態によれば、TFTアレイ基板2に入射した光Bを、各画素電極21および各画素領域8に対応する凸レンズであるマイクロレンズL2によって集光し、画素領域8を透過する光を増加させることができるので、液晶装置1の外部に出射される光量を増加させることができる。その際、液晶装置1から広角度に光が出射されるので、液晶装置の視野角を拡大することができる。また、TFTアレイ基板2の表面に、マスク層や樹脂層を形成することなく、マイクロレンズL2を形成することができる。加えて、マイクロレンズの形成と同時にTFTアレイ基板2および対向基板3の薄肉化を図ることができる。
したがって、第1の実施の形態と同様に、従来の製造方法と比較して、液晶装置1の製造工程における工数を削減することができる。よって、液晶装置1の生産効率を向上させることができる。
また、第1の実施の形態と同様に、各基材2a,3aの接合後に薄肉化するので、接合時や微小凹部D形成時の各基材2a,3aの損傷を防止することができる。よって、液晶装置1の歩留まりを向上させ、生産効率を向上させることができる。加えて、TFTアレイ基板2および対向基板3の体積および厚さを低減させ、液晶装置1を薄型化することができる。
なお、上述した第2の実施の形態は、透過型の液晶装置を例にして説明したが、半透過反射型の液晶装置であってもよい。
したがって、第1の実施の形態と同様に、従来の製造方法と比較して、液晶装置1の製造工程における工数を削減することができる。よって、液晶装置1の生産効率を向上させることができる。
また、第1の実施の形態と同様に、各基材2a,3aの接合後に薄肉化するので、接合時や微小凹部D形成時の各基材2a,3aの損傷を防止することができる。よって、液晶装置1の歩留まりを向上させ、生産効率を向上させることができる。加えて、TFTアレイ基板2および対向基板3の体積および厚さを低減させ、液晶装置1を薄型化することができる。
なお、上述した第2の実施の形態は、透過型の液晶装置を例にして説明したが、半透過反射型の液晶装置であってもよい。
図7は、第2の実施の形態に係る液晶装置の変形例1の断面図である。図7に示す第2の実施の形態の変形例1のように、光入射側のTFTアレイ基板2だけでなく光出射側の対向基板3側の外側に出射光を散乱するために第1実施形態と同様のマイクロレンズLを形成しても良い。
このように製造することで、第1の実施形態と第2の実施形態を併せた効果が得られる上に、両基板2,3のマイクロレンズL,L2を同時に形成させることで工数を必要以上に増加させることがない。
このように製造することで、第1の実施形態と第2の実施形態を併せた効果が得られる上に、両基板2,3のマイクロレンズL,L2を同時に形成させることで工数を必要以上に増加させることがない。
図8は、第2の実施の形態に係る液晶装置の変形例2の断面図である。図8に示す第2の実施形態の変形例2のように、基板貼り合わせ工程の前に、TFTアレイ基板2側に微小凹部D形成工程、エッチング工程、透明材料25充填工程を経てマイクロレンズL2を形成することもできる。この場合、透明材料25上に、ブラックマトリクス9、透明樹脂層20、画素電極21、配向膜23等を形成する。また、別途、対向基板3側にもマイクロレンズLを形成し、ブラックマトリクス19、透明樹脂層30、画素電極21、配向膜23等を形成しておいてもよい。次いで両基材2a,3aを貼り合わせれば、変形例2の液晶装置1が完成する。
このように製造することで、貼り合わせ工程において、各々異なるマイクロレンズL,L2が形成された対向基板3とTFTアレイ基板2の組み合わせを自由に変更することができるので、例えば、各マイクロレンズL,L2の寸法を適宜変更して、最適なマイクロレンズL,L2の組み合わせを検討する上で都合が良い。
このように製造することで、貼り合わせ工程において、各々異なるマイクロレンズL,L2が形成された対向基板3とTFTアレイ基板2の組み合わせを自由に変更することができるので、例えば、各マイクロレンズL,L2の寸法を適宜変更して、最適なマイクロレンズL,L2の組み合わせを検討する上で都合が良い。
尚、上述の実施の形態では電気光学装置として液晶装置を例に挙げて説明したが、本発明において、「電気光学装置」とは、電界により物質の屈折率が変化して光の透過率を変化させる電気光学効果を有するものの他、電気エネルギーを光学エネルギーに変換するもの等も含んで総称している。
すなわち、本方法発明は電気光学物質として液晶を用いる液晶表示装置等の光透過型(非発光型)の電気光学装置のほか、有機EL(Electro−Luminescence)を用いる有機EL装置、無機ELを用いる無機EL装置、電気光学物質としてプラズマ用ガスを用いるプラズマディスプレイ装置等の発光型の電気光学装置に適用することが可能である。さらには、電気泳動ディスプレイ装置(Electrophoretic Display:EPD)、フィールドエミッションディスプレイ装置(電界放出表示装置:Field Emission Display:FED)等に用いてもよい。
すなわち、本方法発明は電気光学物質として液晶を用いる液晶表示装置等の光透過型(非発光型)の電気光学装置のほか、有機EL(Electro−Luminescence)を用いる有機EL装置、無機ELを用いる無機EL装置、電気光学物質としてプラズマ用ガスを用いるプラズマディスプレイ装置等の発光型の電気光学装置に適用することが可能である。さらには、電気泳動ディスプレイ装置(Electrophoretic Display:EPD)、フィールドエミッションディスプレイ装置(電界放出表示装置:Field Emission Display:FED)等に用いてもよい。
また上述の実施の形態では、TFT素子を備えたアクティブマトリクス方式の液晶装置を例にして説明したが、パッシブマトリクス方式の液晶装置に本発明を適用することも可能である。また本発明は、TN(Twisted Nematic)モードやVAN(Vertically−Aligned Nematic)モード等、あらゆる駆動モードの液晶装置に対して適用することが可能である。また上述の実施の形態では、光入射側にTFTアレイ基板2を配置し光出射側に対向基板3を配置したが、これとは逆に、光入射側に対向基板3を配置し光出射側にTFTアレイ基板2を配置してもよい。
また、微小凹部を形成する機械的手段として押圧装置を例に挙げて説明したが、例えばローラ表面に均等に針を配設し、基板上を回転させることによって微小凹部を形成するなど、適宜他の機械的手段を用いて微小凹部を形成してもよい。
また、微小凹部を形成する工程と、TFTアレイ基板2および対向基板3を接合する工程はどちらを先に行っても構わない。
また、微小凹部を形成する工程と、TFTアレイ基板2および対向基板3を接合する工程はどちらを先に行っても構わない。
(電子機器)
次に、本発明の電気光学装置用基板の製造方法を用いた電子機器について、携帯電話を例に挙げて説明する。
図9は、携帯電話100の全体構成を示す斜視図である。
携帯電話100は、筺体101、複数の操作ボタンが設けられた操作部102、画像や動画、文字等を表示する表示部103を有する。表示部103には、本発明に係る電気工学装置用基板を備えた液晶装置1が搭載される。
このように、生産工程における工数を削減し、生産効率を向上することができる液晶装置1を備えているので、電子機器(携帯電話)100の生産性を向上することができる。
また、薄型で、かつ画素領域を透過した光の視野角を広くすることができる液晶装置1を備えているので、薄型で視認性の高い表示部103を備えた電子機器(携帯電話)100を得ることができる。
次に、本発明の電気光学装置用基板の製造方法を用いた電子機器について、携帯電話を例に挙げて説明する。
図9は、携帯電話100の全体構成を示す斜視図である。
携帯電話100は、筺体101、複数の操作ボタンが設けられた操作部102、画像や動画、文字等を表示する表示部103を有する。表示部103には、本発明に係る電気工学装置用基板を備えた液晶装置1が搭載される。
このように、生産工程における工数を削減し、生産効率を向上することができる液晶装置1を備えているので、電子機器(携帯電話)100の生産性を向上することができる。
また、薄型で、かつ画素領域を透過した光の視野角を広くすることができる液晶装置1を備えているので、薄型で視認性の高い表示部103を備えた電子機器(携帯電話)100を得ることができる。
上述した電気光学装置は、上記携帯電話に限らず、電子ブック、パーソナルコンピュータ、ディジタルスチルカメラ、液晶テレビ、ビューファインダ型あるいはモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、POS端末、タッチパネルを備えた機器等々の画像表示手段として好適に用いることができ、いずれの場合にも電気的接続の信頼性に優れた電子機器を提供することができる。
なお、本発明の技術範囲は、上述した各実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において、上述した実施形態に種々の変更を加えたものを含む。すなわち、各実施形態で挙げた具体的な材料や構成などはほんの一例に過ぎず、適宜変更が可能である。
2 TFTアレイ基板(光入射側の基板)、2a 基材(基板)、3 対向基板(光出射側の基板)、3a 基材(基板)、8 画素領域、25 透明な樹脂(第1基板よりも屈折率の大きい材料)、50 押圧装置(機械的手段)、D 微小凹部、L マイクロレンズ、L1 マイクロレンズ、L2 マイクロレンズ
Claims (4)
- 第1基板の表面に複数の微小凹部を機械的手段によって形成する工程と、
前記第1基板の表面をエッチングして、前記第1基板を薄肉化するとともに、前記微小凹部を等方的に侵食してマイクロレンズを形成する工程と、
を有することを特徴とする電気光学装置用基板の製造方法。 - 前記エッチング工程の前に、前記第1基板における前記微小凹部の形成面の反対側面に第2基板を貼り合わせる工程を有し、
前記エッチング工程では、前記第1基板とともに前記第2基板の表面をエッチングして、前記第1基板とともに前記第2基板を薄肉化することを特徴とする請求項1に記載の電気光学装置用基板の製造方法。 - 前記第1基板は、電気光学装置における光出射側の基板であることを特徴とする請求項1または2に記載の電気光学装置用基板の製造方法。
- 前記第1基板は、光透過型の電気光学装置における光入射側の基板であり、
前記微小凹部の形成工程では、前記電気光学装置における複数の画素領域に対応して微小凹部を形成し、
前記エッチング工程の後に、前記第1基板より屈折率の大きい材料を前記マイクロレンズに充填する工程を有することを特徴とする請求項1または2に記載の電気光学装置用基板の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006245757A JP2008065249A (ja) | 2006-09-11 | 2006-09-11 | 電気光学装置用基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006245757A JP2008065249A (ja) | 2006-09-11 | 2006-09-11 | 電気光学装置用基板の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008065249A true JP2008065249A (ja) | 2008-03-21 |
Family
ID=39287991
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006245757A Withdrawn JP2008065249A (ja) | 2006-09-11 | 2006-09-11 | 電気光学装置用基板の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2008065249A (ja) |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102034851A (zh) * | 2009-10-02 | 2011-04-27 | 佳能株式会社 | 显示装置 |
JP2011158556A (ja) * | 2010-01-29 | 2011-08-18 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置及び電子機器 |
JP2014146042A (ja) * | 2014-03-13 | 2014-08-14 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置及び電子機器 |
CN105068342A (zh) * | 2015-08-26 | 2015-11-18 | 昆山龙腾光电有限公司 | 阵列基板和阵列基板制作方法以及显示面板 |
JP2015228040A (ja) * | 2015-08-31 | 2015-12-17 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置及び電子機器 |
KR20170133547A (ko) * | 2016-05-25 | 2017-12-06 | 삼성디스플레이 주식회사 | 액정 표시 장치 |
US10935832B2 (en) | 2018-01-08 | 2021-03-02 | Au Optronics Corporation | Optical film and display device having the same |
TWI728252B (zh) * | 2018-01-08 | 2021-05-21 | 友達光電股份有限公司 | 光學膜及具有光學膜的顯示裝置 |
WO2021179373A1 (zh) * | 2020-03-12 | 2021-09-16 | Tcl华星光电技术有限公司 | 阵列基板及其制备方法、液晶显示面板 |
-
2006
- 2006-09-11 JP JP2006245757A patent/JP2008065249A/ja not_active Withdrawn
Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102034851A (zh) * | 2009-10-02 | 2011-04-27 | 佳能株式会社 | 显示装置 |
JP2011158556A (ja) * | 2010-01-29 | 2011-08-18 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置及び電子機器 |
JP2014146042A (ja) * | 2014-03-13 | 2014-08-14 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置及び電子機器 |
CN105068342A (zh) * | 2015-08-26 | 2015-11-18 | 昆山龙腾光电有限公司 | 阵列基板和阵列基板制作方法以及显示面板 |
CN105068342B (zh) * | 2015-08-26 | 2018-02-06 | 昆山龙腾光电有限公司 | 阵列基板和阵列基板制作方法以及显示面板 |
JP2015228040A (ja) * | 2015-08-31 | 2015-12-17 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置及び電子機器 |
KR20170133547A (ko) * | 2016-05-25 | 2017-12-06 | 삼성디스플레이 주식회사 | 액정 표시 장치 |
KR102607394B1 (ko) * | 2016-05-25 | 2023-11-28 | 삼성디스플레이 주식회사 | 액정 표시 장치 |
US10935832B2 (en) | 2018-01-08 | 2021-03-02 | Au Optronics Corporation | Optical film and display device having the same |
TWI728252B (zh) * | 2018-01-08 | 2021-05-21 | 友達光電股份有限公司 | 光學膜及具有光學膜的顯示裝置 |
WO2021179373A1 (zh) * | 2020-03-12 | 2021-09-16 | Tcl华星光电技术有限公司 | 阵列基板及其制备方法、液晶显示面板 |
US11852926B2 (en) | 2020-03-12 | 2023-12-26 | Tcl China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. | Array substrate, manufacturing method thereof, and LCD panel |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2008065249A (ja) | 電気光学装置用基板の製造方法 | |
JP4490948B2 (ja) | 液晶表示素子及びカラーフィルタ基板並びにその製造方法 | |
WO2015011901A1 (ja) | カラーフィルター基板、電気光学装置および投射型表示装置 | |
JPWO2008038487A1 (ja) | マイクロレンズアレイ付き液晶表示パネル、その製造方法、および液晶表示装置 | |
JP2009237410A (ja) | 液晶パネル、液晶表示装置及びその製造方法 | |
JP2006201216A (ja) | 電気光学装置、電気光学装置の製造方法、電子機器 | |
JP2003255855A (ja) | 表示装置とその製造方法 | |
JP4410776B2 (ja) | 液晶表示装置の製造方法 | |
KR20050001942A (ko) | 액정 표시 장치용 모기판 및 이의 제조 방법 | |
JP2000267077A (ja) | 液晶表示装置および電子機器 | |
JP2004227941A (ja) | バックライトユニット、電気光学装置、電子機器、バックライトユニットの製造方法、および電気光学装置の製造方法 | |
JP2005084228A (ja) | 液晶表示装置 | |
JP2007256586A (ja) | 表示装置及び電子機器 | |
KR100285652B1 (ko) | 광시야각을 갖는 액정표시장치 및 그 제조방법 | |
JP2007121994A (ja) | 電気光学装置、及び、電子機器 | |
JP2006201215A (ja) | 電気光学装置、電気光学装置の製造方法、電子機器 | |
JP2007219300A (ja) | 表示装置 | |
JP2006349789A (ja) | 電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び電子機器 | |
US11181786B2 (en) | Electro-optical device and electronic apparatus | |
KR100841629B1 (ko) | 횡전계모드 액정표시소자 | |
JP2006227142A (ja) | 電気光学装置及びその製造方法、並びに電子機器 | |
JP2008185801A (ja) | 電気光学装置の製造方法及び電気光学装置並びに電子機器 | |
JP3909556B2 (ja) | 電気光学装置及びその製造方法並びに電子機器 | |
JP2004151548A (ja) | 電気光学装置及び電子機器 | |
JP2005241880A (ja) | 電気光学装置および電子機器 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20090611 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20090612 |
|
A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20110314 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20110315 |