JP2008060123A - ホールセンサ搭載基板 - Google Patents

ホールセンサ搭載基板 Download PDF

Info

Publication number
JP2008060123A
JP2008060123A JP2006231932A JP2006231932A JP2008060123A JP 2008060123 A JP2008060123 A JP 2008060123A JP 2006231932 A JP2006231932 A JP 2006231932A JP 2006231932 A JP2006231932 A JP 2006231932A JP 2008060123 A JP2008060123 A JP 2008060123A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
bare chip
sensor mounting
hall sensor
hall element
hall
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2006231932A
Other languages
English (en)
Inventor
Eiichi Kunitake
栄一 国武
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Cable Ltd
Original Assignee
Hitachi Cable Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Cable Ltd filed Critical Hitachi Cable Ltd
Priority to JP2006231932A priority Critical patent/JP2008060123A/ja
Publication of JP2008060123A publication Critical patent/JP2008060123A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013—Alloys
    • H01L2924/0132—Binary Alloys
    • H01L2924/01322—Eutectic Alloys, i.e. obtained by a liquid transforming into two solid phases

Landscapes

  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

【課題】半田を使用しない小型のアイリス用のホールセンサ搭載基板を提供する。
【解決手段】ＧａＡｓからなるホール素子ベアチップ３を直接フレキシブル基板１に搭載して、そのホール素子ベアチップ３をシリコーンゴム６などで樹脂封止したものである。
【選択図】図１

Description

本発明は、ビデオカメラの自動絞り（アイリス）に使用されるホールセンサ搭載基板に関する。
ビデオカメラの自動絞り（アイリス）には、ホールセンサが用いられる。
アイリスは、レンズを通して受光素子に到達する外光の量を調節する絞り羽根と、絞り羽根を駆動するモータと、そのモータを構成する磁石の回転角度を測定するホールセンサとからなり、ホールセンサで磁石の回転角度を検出して受光素子の受光量が適正となるように絞り羽根を調整するようになっている（特許文献１参照）。
従来、図３のようにビデオカメラの自動絞りに使用されるホールセンサ３２は、ホール素子ベアチップ（図示せず）を樹脂パッケージ３６にモールドし、モールドから突出するように設けたリード３５を、フレキシブル基板３１に半田３３により固定して形成される。この標準的に使用されているホールセンサ３２の大きさは１．５ｍｍ×２．５ｍｍ×０．６ｍｍ（縦×横×高さ）である。
そして、その上に回転する半分がＮ極、半分がＳ極になっている磁石３４を取り付け、ホールセンサ３２の出力を検知することによって、磁石の回転角度を測定して絞りを制御していた。
特開平１１−２４９１９４号公報 特開平７−２６３５９２号公報 特開２００５−１０８９４５号公報 特開平１０−７０１５４号公報
しかし、ビデオカメラの小型化によりアイリスの小型化が要求されてきたが、ホールセンサ３２の大きさ、特に高さＢが制限となり、アイリスの小型化が進まないという問題があった。また、パッケージングされたホールセンサ３２の小型化も限界に近く、なかなか小型化が進まないという問題があった。
さらに、半田付けで使用する共晶半田に含まれている鉛が環境に悪影響を与えるということで鉛の使用を規制する動きがあり、半田付けを必要とするものは使用をできるだけ避けるという流れがあった（特許文献２〜４参照）。
そこで、本発明の目的は、上記課題を解決し、半田を使用しない小型のアイリス用ホールセンサ搭載基板を提供することにある。
上記目的を達成するために、請求項１の発明は、ＧａＡｓからなるホール素子ベアチップを直接フレキシブル基板に搭載して、そのホール素子ベアチップを樹脂封止したことを特徴とするホールセンサ搭載基板である。
請求項２の発明は、前記樹脂封止は、樹脂をポッティングすることにより行った請求項１に記載のホールセンサ搭載基板である。
請求項３の発明は、前記樹脂は、液状シリコーンゴムである請求項１又は２に記載のホールセンサ搭載基板である。
請求項４の発明は、フレキシブル基板には配線が形成されると共に銀ペーストが塗られ、その銀ペースト上にホール素子ベアチップが搭載され、ホール素子ベアチップと配線がワイヤボンディングで接続される請求項１〜３のいずれかに記載のホールセンサ搭載基板である。
請求項５の発明は、フレキシブル基板には、ホール素子ベアチップ搭載用のリード電極が形成されると共に、ホール素子ベアチップには、チップ側電極が形成され、上記リード電極の表面に銀ペーストよりなるバンプが形成され、そのバンプにチップ側電極を位置合わせしながらホール素子ベアチップが搭載される請求項１〜３のいずれかに記載のホールセンサ搭載基板である。
本発明によれば、従来より大幅に小型化したアイリス用ホールセンサ搭載基板を提供することができる。
以下、本発明の好適な一実施の形態を添付図面に基づいて詳述する。
図１は第１の実施の形態におけるホールセンサ搭載基板を示す断面図である。
図１に示すように、フレキシブル基板（ＦＰＣ基板）１には、チップ搭載部１１に接着剤となる銀ペースト２が塗られ、その銀ペースト２上にＧａＡｓからなるホール素子ベアチップ３が直接搭載される。
この銀ペースト２の周りのフレキシブル基板１には、ホール素子ベアチップ３用の配線４が予め形成される。ホール素子ベアチップは３００μｍ×３００μｍ×１６０μｍ（縦×横×高さ）と非常に小さい。
フレキシブル基板１上に形成した配線４とホール素子ベアチップ３は金ワイヤ５でワイヤボンディングされ、接続される。
このホール素子ベアチップ３の上に、ホール素子ベアチップ３と金ワイヤ５が
完全に覆われるように樹脂として液状シリコーンゴム６をポッティングし、ホール素子ベアチップ３の許容温度内の温度で熱硬化して樹脂封止する。ただし、金ワイヤ５が封止後の樹脂（シリコーンゴム６）から出ない範囲で、その樹脂（シリコーンゴム６）の高さＡができるだけ低くなるようにポッティング条件を調整する。
樹脂封止のための材料としてはエポキシ樹脂があるが、アイリス用の基板はフレキシブル基板１となっており、曲げることが多く、エポキシ樹脂のような硬い材料の場合、曲げた際に封止材にクラックが発生し、断線等の不具合が発生する場合がある。一方、シリコーンゴム６は柔らかく、基板を曲げてもクラックは発生しないため、望ましい。
樹脂封止の方法としてはポッティング以外にも金型を用いたモールド方式があるが、バリが発生しやすいこと、装置が大がかりになることなどの問題があるので、ポッティングを用いることが望ましい。
ポッティング後、ホール素子ベアチップ３の入出力抵抗、ホール電圧、不平衡電圧を測定し、ホールセンサ搭載基板１０が完成する。
以上説明したように、ホールセンサ搭載基板１０においては、図３のパッケージングされたホールセンサ３２とは異なり、ホール素子ベアチップ３を直接フレキシブル基板１に搭載するので、従来より大幅に小型化したアイリス用ホールセンサ搭載基板を提供することができる。
また、ホールセンサ搭載基板１０においては半田付けを必要としないため、鉛を不使用とすることができ、かつ組立てのコストを低減することができる。
次に、第２の実施の形態について述べる。
図２は第２の実施の形態におけるホールセンサ搭載基板を示す断面図である。
第１の実施の形態においては、ホール素子ベアチップ３と配線４の接続に金ワイヤ５を用いたが、フリップチップ構造にしてワイヤレスにしても構わない。
すなわち、図２に示すように、フレキシブル基板１には、その片面に配線（図示せず）とつながるホール素子ベアチップ３搭載用のリード電極８が形成されると共に、ホール素子ベアチップ３にはチップ側電極９が形成される。リード電極８の表面に銀ペーストよりなるバンプ７が形成され、そのバンプ７にチップ側電極９を位置合わせしながらホール素子ベアチップ３が搭載される。
さらに樹脂として液状シリコーンゴム６をポッティングし、ホール素子ベアチップ３の許容温度内の温度で熱硬化して樹脂封止する。
本実施の形態においても、第１の実施の形態と同様に、ホール素子ベアチップ３が封止後の樹脂（シリコーンゴム６）から出ない範囲で、その樹脂（シリコーンゴム６）の高さＣができるだけ低くなるようにポッティング条件を調整する。
ポッティング後、第１の実施の形態と同様にホール素子ベアチップ３の入出力抵抗、ホール電圧、不平衡電圧を測定し、ホールセンサ搭載基板２０が完成する。
ホールセンサ搭載基板２０によっても、図１のホールセンサ搭載基板１０と同様の作用、効果が得られる。
本発明の第１の実施の形態を示すアイリス用ホールセンサ搭載基板の断面図である。 本発明の第２の実施の形態を示すアイリス用ホールセンサ搭載基板の断面図である。 従来の小型化されたホールセンサ搭載基板の側断面図である。
符号の説明
１ フレキシブル基板
２ 銀ペースト
３ ホール素子ベアチップ
４ 配線
５ 金ワイヤ
６ 液状シリコーンゴム
１０ ホールセンサ搭載基板
１１ チップ搭載部

Claims (5)

  1. ＧａＡｓからなるホール素子ベアチップを直接フレキシブル基板に搭載して、そのホール素子ベアチップを樹脂封止したことを特徴とするホールセンサ搭載基板。
  2. 前記樹脂封止は、樹脂をポッティングすることにより行った請求項１に記載のホールセンサ搭載基板。
  3. 前記樹脂は、液状シリコーンゴムである請求項１又は２に記載のホールセンサ搭載基板。
  4. フレキシブル基板には配線が形成されると共に銀ペーストが塗られ、その銀ペースト上にホール素子ベアチップが搭載され、ホール素子ベアチップと配線がワイヤボンディングで接続される請求項１〜３のいずれかに記載のホールセンサ搭載基板。
  5. フレキシブル基板には、ホール素子ベアチップ搭載用のリード電極が形成されると共に、ホール素子ベアチップには、チップ側電極が形成され、上記リード電極の表面に銀ペーストよりなるバンプが形成され、そのバンプにチップ側電極を位置合わせしながらホール素子ベアチップが搭載される請求項１〜３のいずれかに記載のホールセンサ搭載基板。
JP2006231932A 2006-08-29 2006-08-29 ホールセンサ搭載基板 Pending JP2008060123A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006231932A JP2008060123A (ja) 2006-08-29 2006-08-29 ホールセンサ搭載基板

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006231932A JP2008060123A (ja) 2006-08-29 2006-08-29 ホールセンサ搭載基板

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2008060123A true JP2008060123A (ja) 2008-03-13

Family

ID=39242558

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2006231932A Pending JP2008060123A (ja) 2006-08-29 2006-08-29 ホールセンサ搭載基板

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2008060123A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113557410A (zh) * 2019-03-20 2021-10-26 纬湃技术有限公司 角度检测装置

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113557410A (zh) * 2019-03-20 2021-10-26 纬湃技术有限公司 角度检测装置
CN113597542A (zh) * 2019-03-20 2021-11-02 纬湃技术有限公司 角度检测装置
US20220163368A1 (en) * 2019-03-20 2022-05-26 Vitesco Technologies GmbH Angle Detection Device

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10720534B2 (en) Pressure sensor and pressure sensor module
JP2009088510A (ja) ガラスキャップモールディングパッケージ及びその製造方法、並びにカメラモジュール
JP2013004534A (ja) 半導体パッケージ
JP2006332680A (ja) イメージセンサをパッケージングするための方法及びパッケージングされたイメージセンサ
JP2007288755A (ja) カメラモジュール
JP2004327916A (ja) 固体撮像装置およびその製造方法
JP4466552B2 (ja) 固体撮像装置の製造方法
JP2010016096A (ja) 電子部品
JP2009021307A (ja) 半導体装置、撮像装置、およびそれらの製造方法
JP2011159900A (ja) 固体撮像装置
JP2010028025A (ja) 電子装置
JP2008300574A (ja) 固体撮像装置
JP2008060123A (ja) ホールセンサ搭載基板
JP4513758B2 (ja) モールドパッケージおよびその製造方法
JP4730135B2 (ja) 画像センサパッケージ
JP2007019117A (ja) 光学デバイスおよびその製造方法
JPH09199701A (ja) 固体撮像装置
JP2009164362A (ja) 固体撮像装置及びその製造方法
JP2005101306A (ja) 個体撮像素子パッケージ
KR100917026B1 (ko) 글라스 캡 몰딩 패키지 및 그 제조방법, 그리고 카메라모듈
JP2008251954A (ja) 光半導体装置用パッケージ
JP2004063764A (ja) 光結合半導体装置、およびその製造方法
JP2003209332A (ja) プリント配線基板、プリント配線基板の製造方法、及び実装基板
JP2005303213A (ja) 固体撮像装置
JP2007019116A (ja) 固体撮像装置とその製造方法