JP2008055723A - 追記型光記録媒体 - Google Patents

Abstract

【課題】青色レーザ波長領域で高密度記録が可能で保存安定性にも優れた追記型光記録媒体の提供。
【解決手段】（１）基板上に少なくとも記録層を有し、該記録層がＢｉ、Ｏ、及び原子半径がＦｅと０．２Å以上異なる元素Ｍを含有し、記録層の未記録部と記録マーク部が共にアモルファスである追記型光記録媒体。
（２）記録層が、ＢｉＯｘ（１≦ｘ≦１．５）で表される複数のＢｉ酸化物を含有する（１）記載の追記型光記録媒体。
（３）基板上に少なくとも記録層とこれに隣接する保護層を有し、該保護層が、元素Ｑ（ＱはＴｉ、Ｚｎ、Ｍｏ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｃｄ、Ｌａ、Ｗのうち少なくとも一つの元素）を含み、記録時に保護層の元素Ｑが記録マーク部に混入する（１）又は（２）の何れかに記載の追記型光記録媒体。
【選択図】図１

Description

本発明は、追記型（ＷＯＲＭ：Ｗｒｉｔｅ Ｏｎｃｅ Ｒｅａｄ Ｍａｎｙ）光記録媒体に係り、特に青色レーザ波長領域で高密度記録が可能で保存安定性にも優れた追記型光記録媒体に関する。

青色レーザ波長以下の短波長で記録再生が可能な追記型光記録媒体に関して、超高密度の記録が可能となる青色レーザの開発は急速に進んでおり、それに対応した追記型光記録媒体の開発が行われている。
従来の追記型光記録媒体では、有機材料からなる記録層にレーザ光を照射し、主に有機材料の分解・変質による屈折率変化を生じさせることで記録ピットを形成させており、記録層に用いられる有機材料の光学定数や分解挙動が、良好な記録ピットを形成させるための重要な要素となっている。
従って、青色レーザ対応の追記型光記録媒体の記録層に用いる有機材料としては、青色レーザ波長に対する光学的性質や分解挙動の適切な材料を選択する必要がある。即ち、未記録時の反射率を高め、またレーザの照射によって有機材料が分解し大きな屈折率変化が生じるようにするため（これによって大きな変調度が得られる）、記録再生波長は大きな吸収帯の長波長側の裾に位置するように選択される。何故ならば、有機材料の大きな吸収帯の長波長側の裾は、適度な吸収係数を有し且つ大きな屈折率が得られる波長領域となるためである。

しかしながら、青色レーザ波長に対する光学的性質が従来並みの値を有する材料は見出されていない。何故ならば、有機材料の吸収帯を青色レーザ波長近傍に持たせるには、分子骨格を小さくするか或いは共役系を短くする必要があるが、そうすると吸収係数の低下、即ち屈折率の低下を招くためである。つまり、青色レーザ波長近傍に吸収帯を持つ有機材料は多数存在し、吸収係数を制御することは可能であるが、大きな屈折率を持たないため、大きな変調度を得ることができないためである。
そこで、無機材料と有機材料を用いたものや無機材料のみを用いたものが検討されている。例えば特許文献１には、酸化物を用いたものとして、Ｂｉ、希土類、Ｇａ、Ｆｅ、Ｏを含む記録層が開示されており、ガーネットを形成できる組成について述べられている。また、特許文献２には、無機の酸化物を用いた光記録媒体について開示されている。
しかし、これらの従来技術では、記録マークを良好に形成し、良好な特性を得るのに、記録マークをどのような形態にすると効果があるかについては検討されておらず、青色波長の光を用いた場合に大きな変調度を得るための記録マークの形態についても全く検討されていない。

また、相変化記録材料としてＢｉ、Ｆｅ、Ｏからなる材料が知られているが、このような材料を記録層に用いた光記録媒体では、酸化による記録特性の劣化が指摘されている。これは、記録層が酸化することにより、結晶層とアモルファス層との間で屈折率などの特性に有意差が無くなるためである。
そこで本発明者等は、先願（特許文献３参照）において、情報が記録された記録マーク部が結晶を含んでいることを特徴とする追記型光記録媒体を提案した。この先願発明により、安定性の良い記録マークを形成できるようになったが、その後の検討で、Ｂｉ、Ｆｅ、Ｏからなる先願発明の記録層では、更なる保存安定性を有することが望ましいことが分かった。

特開平１０−９２０２７号公報 特開２００３−４８３７５号公報 特開２００６−１１６９４８号公報

本発明は、青色レーザ波長領域で高密度記録が可能で保存安定性にも優れた追記型光記録媒体の提供を目的とする。

上記課題は次の１）〜７）の発明（以下、本発明１〜７という）によって解決される。
１） 基板上に少なくとも記録層を有し、該記録層がＢｉ、Ｏ、及び原子半径がＦｅと０．２Å以上異なる元素Ｍを含有し、記録層の未記録部と記録マーク部が共にアモルファスであることを特徴とする追記型光記録媒体。
２） 記録層が、ＢｉＯｘ（１≦ｘ≦１．５）で表される複数のＢｉ酸化物を含有することを特徴とする１）記載の追記型光記録媒体。
３） 記録層の記録マーク部が２価及び３価のＢｉを含むことを特徴とする１）又は２）記載の追記型光記録媒体。
４） 基板上に少なくとも記録層とこれに隣接する保護層を有し、該保護層が、元素Ｑ（ＱはＴｉ、Ｚｎ、Ｍｏ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｃｄ、Ｌａ、Ｗのうち少なくとも一つの元素）を含み、記録時に保護層中の元素Ｑが記録マーク部に混入することを特徴とする１）〜３）の何れかに記載の追記型光記録媒体。
５） 記録時に、記録マーク部の記録層の体積が変化し膜厚が薄くなることを特徴とする１）〜４）の何れかに記載の追記型光記録媒体。
６） 記録時に、記録マーク部の記録層又は記録層と保護層の重元素と軽元素が相分離されることを特徴とする１）〜４）の何れかに記載の追記型光記録媒体。
７） 記録時に、記録マーク部の記録層と隣接層との界面が変形することを特徴とする１）〜４）の何れかに記載の追記型光記録媒体。

以下、上記本発明について詳しく説明する。
本発明は、記録層の未記録部と情報が記録された記録マーク部が共にアモルファスである点に特徴を有する。なお、本発明におけるアモルファスとは、Ｘ線又は電子線を用いた回折測定において、回折角度（２θ）におけるピークの半値幅（ＦＷＨＭ）を求め、面間隔で換算したとき、半値幅が０．５Å以下の回折ピークが現れない状態、或いは、ＣｕのＫα線での回折測定において、回折角度（２θ）におけるピークの半値幅（ＦＷＨＭ）が２°以上の状態を指すものとする。
前述したように、先願（特許文献３）のＢｉ、Ｆｅ、Ｏからなる記録層を持つ追記型光記録媒体は、記録マーク部がＢｉの微結晶及び／又はＢｉの酸化物の微結晶を含有しているため、保存安定性が不十分な場合があった。その詳細な原因は不明であるが、記録層の内外からの酸素の移動により結晶構造が経時変化し易いためではないかと考えられる。

そこで、記録時に結晶を作らせない手段について検討した結果、原子半径がＦｅと０．２Å以上異なる元素ＭをＦｅの代りに用いて記録層を形成すれば、記録時の結晶化を防止できることが分かった。元素Ｍとしては、酸化物が結晶化しにくいか、又は酸化物がアモルファスで存在でき且つガラス骨格を形成する材料が好ましい。具体例としては、原子半径０．８１ÅのＢ（酸化物はＢ_２Ｏ_３）が挙げられるが、原子半径１．５２ÅのＬｉ（酸化物はＬｉ_２Ｏ）や原子半径１．１０ÅのＰ（酸化物はＰ_２Ｏ_５）などでもよい。
上記のようなＢｉ、Ｏ、原子半径がＦｅと０．２Å以上異なる元素Ｍを含有する記録層は、未記録部と記録マーク部を共にアモルファスとすることができるため熱的に安定であり、記録マーク部がアモルファスであるため高い保存安定性を実現できる。
なお、記録層は、物性向上のために添加される微量元素や不純物を除き、Ｂｉ、Ｏ、Ｍのみで構成される。

本発明２では、記録層が、ＢｉＯｘ（１≦ｘ≦１．５）で表される複数のＢｉ酸化物、即ち、ｘが異なる複数のＢｉ酸化物を含有する。通常の場合、完全なＢｉ酸化物であるＢｉ_２Ｏ_３と酸素欠損のあるＢｉ酸化物が混在する。このような準安定な状態は、スパッタリングで製膜することによって作成できる。この記録層では、Ｂｉが既に完全に酸化された状態を含むため、酸化に対して安定である。
本発明３では、記録マーク部が酸素欠損状態の２価のＢｉ（ＢｉＯ）を含み、かつ酸化数が最も安定な３価のＢｉ（Ｂｉ_２Ｏ_３）を含むので、記録マーク部が酸化に対して安定となり、経時変化を受けにくくなる。

本発明４では、記録層に隣接する保護層が、元素Ｑ（ＱはＴｉ、Ｚｎ、Ｍｏ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｃｄ、Ｌａ、Ｗのうち少なくとも一つの元素）を含み、記録時（記録マーク書き込み時）に保護層中の元素Ｑが記録層に拡散して記録マーク部に混入することを特徴とする。これにより、未記録部と記録マーク部で構成元素が異なることになり、記録マーク部が可逆的でなくなるため、同一構成元素で相変化記録した場合よりも記録特性の安定性を一層高めることができる。
保護層の材料としては、種々の無機材料を用いることができるが、Ｚｎを含有するＺｎＳ−ＳｉＯ_２が最も好ましく、特にＺｎＳを７５〜８５モル％程度含有するものが望ましい。

また、本発明１〜２の追記型光記録媒体に対し記録を行なうと、次の（１）〜（３）のような変化が起こる。
（１）記録マーク部の記録層の体積が変化し膜厚が薄くなる。
（２）記録マーク部の記録層又は記録層と保護層の重元素と軽元素が相分離される。
（３）記録マーク部の記録層と隣接層との界面が変形する。
その結果、記録部と未記録部の光学特性の差が大きくなるので、良好に信号を読み出すことができる。また、（２）（３）では、不可逆的な記録となるので、保存安定性に優れた記録マークを形成できる。

本発明の追記型光記録媒体の好ましい層構成は、通常の場合、基板／反射層／下部保護層／記録層／上部保護層／光透過層である。また、基板／上部保護層／記録層／下部保護層／反射層／カバー層というＨＤ ＤＶＤ−Ｒ規格に準拠した層構成としてもよい。
また、必要に応じて、界面層、硫化防止層、有機保護層（環境保護層）、アンダーコート層、オーバーコート層、バックコート層などを設けてもよい。
下部保護層及び上部保護層には、ＺｎＳ−ＳｉＯ_２が最も好ましいが、ＺｒＯ_２、ＺｒＯ_２−ＳｉＯ_２、Ａｌ_２ＴｉＯ_５、ＢａＴｉＯ_３、ＬｉＮｂＯ_３、ＰＺＴ〔Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ_３〕、ＰＬＺＴ〔（Ｐｂ，Ｌａ）（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ_３〕などの酸化物；ＴｉＮなどの窒化物系の非酸化物；ＴｉＣ、ＷＣなどの炭化物系の非酸化物；ＬａＢ_６、ＴｉＢ_２、ＺｒＢ_２などのホウ化物系の非酸化物；ＺｎＳ，ＣｄＳ、ＭｏＳ_２などの硫化物系の非酸化物；ＭｏＳｉ_２などのケイ化物系の非酸化物等を用いることが可能である。

反射層には、レーザ光に対する反射率が高い光反射性物質が使用される。このような光反射性物質としては、例えばＡｌ、Ａｌ−Ｔｉ、Ａｌ−Ｉｎ、Ａｌ−Ｎｂ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ等の金属、半金属及びそれらの合金を挙げることができる。これらの物質は単独で用いても二種以上を組合せて用いてもよい。
合金により反射層を形成する場合は、合金をターゲット材料としたスパッタ法で作製することができが、これ以外に、チップオンターゲット方式（例えば、Ａｇターゲット上にＣｕチップをのせて成膜）、共スパッタ法（例えば、ＡｇターゲットとＣｕターゲットを使用）でも作製することができる。
金属以外の材料で低屈折率層と高屈折率層を交互に積み重ねて多層膜を形成し、反射層として用いることも可能である。
反射層を形成する方法としては、例えば、スパッタ法、イオンプレーティング法、化学蒸着法、真空蒸着法等が挙げられる。
反射層の好ましい膜厚は、５〜３００ｎｍである。

基板の素材としては、熱的、機械的に優れた特性を有し、基板側から（基板を通して）記録再生が行われる場合には光透過特性にも優れたものであれば、特別な制限はない。
具体例としては、ポリカーボネート、ポリメタクリル酸メチル、非晶質ポリオレフィン、セルロースアセテート、ポリエチレンテレフタレートなどが挙げられるが、ポリカーボネートや非晶質ポリオレフィンが好ましい。
基板の厚さは用途により異なり、特に制限はない。

本発明によれば、青色レーザ波長領域で高密度記録が可能で保存安定性にも優れた追記型光記録媒体を提供できる。

以下、本発明を実施例により更に具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例により限定されるものではない。

実施例１
案内溝（溝深さ２１ｎｍ、トラックピッチ０．３２μｍ）を有する厚さ１．１ｍｍ、直径１２０ｍｍのポリカーボネート基板（製品名：ＳＴ３０００、帝人バイエルポリテック社製）上に、スパッタ法で、ＡｌＴｉ合金（Ｔｉ：１．０重量％）からなる膜厚３５ｎｍの反射層、ＺｎＳ−ＳｉＯ_２（８０：２０モル％）からなる膜厚１０ｎｍの下部保護層、ＢｉとＢとＯからなる膜厚１６ｎｍの記録層を順に設け、その上に、紫外線硬化樹脂（日本化薬ＤＶＤ００３）を用いて、厚さ７５μｍのポリカーボネートシート（帝人化成ピュアエース）からなるカバー層を貼り合わせて、厚さ約１．２ｍｍの本発明の追記型光記録媒体〔いわゆるＢｌｕｅ−ｒａｙ（ブルーレイ）ディスク規格対応の追記型光記録媒体〕を作成した。本実施例では、記録層の表面分析を行うために上部保護層を設けていないが、記録特性に大きな違いは無い。記録層の成膜には、Ｂｉ_２Ｏ_３：Ｂ_２Ｏ_３＝１：１（重量比）のターゲットを用いた。Ｂの原子半径は０．８１Åである。また、Ｂの酸化物は、ガラス材料としても注目されており、結晶化しにくいものである。
この追記型光記録媒体に対し、パルステック工業（株）製の光ディスク評価装置ＯＤＵ−１０００（波長：４０５ｎｍ、ＮＡ：０．８５）を用いて、追記型Ｂｌｕｅ−ｒａｙディスクの規格（ＢＤ−Ｒ Ｖｅｒｓｉｏｎ１．１）に合わせた条件で記録を行い、記録特性を評価したところ、良好な記録再生特性を有することが確認できた。

次に記録マークのある領域のカバー層を剥がし、以下の条件でＸ線回折測定を行った。
＜Ｘ線回折測定条件＞
・測定装置 ：Ｘ′ｐｅｒｔ ＭＲＤ（ｐｈｉｌｉｐｓ製）
・Ｘ線光源 ：Ｃｕ−Ｋα線（波長λ＝１．５４Å）
・光学系 ：入射側、Ｘ線ミラー、受光側、０．２７°コリメータ
・入射角 ：０．３°
・２θ走査角度：２０〜６０°
結果を図１に示すが、反射層のＡｌ合金による回折ピーク（２θ＝３８．５°，４５°）以外はピークは認められなかった。更に半値幅０．５Å以下の回折ピークは認められず、この記録層はアモルファスであることが確認できた。
また、この追記型記録媒体を、８０℃８５％ＲＨの条件下で１００時間放置した後も、再生信号に劣化は無かった。
本試料はカバー層を剥がして記録層側からＸ線を入射するため、Ｘ線回折測定により記録層がアモルファスであることの確認が可能であるが、記録層を最表面にしてＸ線を入射できない場合の評価法として、全ての層を粉末にし、粉末のＸ線回折を測定して評価することも可能である。また、光源はＸ線の代りに電子線でもよく、試料を透過型電子顕微鏡で観察し、記録層を含む領域の制限視野電子線回折を測定し評価することもできる。

比較例１
記録層をＢｉとＦｅとＯからなる層に代え、そのターゲットをＢｉ_２Ｏ_３：Ｆｅ_２Ｏ_３＝２：１（重量比）のものにした点以外は、実施例１と同様にして比較例１の追記型光記録媒体を作成した。Ｆｅの原子半径は１．２４Åである。
この追記型光記録媒体について、実施例１と同様にして記録特性を評価したところ良好な記録再生特性を有することが確認できた。
次に、記録マークのある領域のカバー層を剥がし、実施例１と同様にしてＸ線回折測定を行ったところ、図１に示すように、記録層からのＢｉ結晶の回折プルファイル（２θ＝２７．３°、３８．２°、３９．９°など）が得られた。
２θ＝２７．３°の回折ピークの半値幅（ＦＷＨＭ）は２θで０．９°であり、これを２ｄｓｉｎθ＝λ（ｄ：面間隔、λ：光源の波長）の式を用いて面間隔に換算した幅で現すと、０．１１Åになる。また、２θ＝３８．２°、３９．９°の回折ピークの半値幅（ＦＷＨＭ）は、それぞれ２θで０．８２°、０．７７°であり、この幅を面間隔に換算した幅で現すと、０．０４９Å、０．０４２Åになる。従って何れも本発明におけるアモルファスには該当しない。
更に、実施例１と同様にして保存試験を行ない、ディスクのジッタ変化を観測した結果を図２に示し、反射率変化を観測した結果を図３に示すが、ＢｉとＢとＯからなる記録膜に対して、ディスクのジッタ変化及び反射率変化が大きく、再生信号に劣化が見られた。

実施例２
記録層のターゲットをＢｉ_２Ｏ_３：Ｂ_２Ｏ_３＝３：２（重量比）のものに代えた点以外は、実施例１と同様にして本発明の追記型光記録媒体を作成し、実施例１と同様にして記録特性を評価したところ、記録層からの回折ピークは確認できなかった。
また、良好な記録再生特性を有することが確認できた。
次に、記録マーク部の状態を確認するため記録マークのある領域のカバー層を剥がし、以下の条件でＸＰＳ、ＳＥＭ、ＴＥＭによる分析を行った。
まず、記録マーク部の化学状態を確認するためＸ線光電子分光法（ＸＰＳ）による分析を行った。ＸＰＳによる測定条件は、下記のとおりである。
＜ＸＰＳ測定条件＞
・測定装置 ：ＡＸＩＳ−ＵＬＴＲＡ（Ｋｒａｔｏｓ社製）
・Ｘ線源 ：Ａｌモノクロメータ使用
・Ｘ線パワー ：１５０Ｗ
・測定領域 ：９００μｍ×６００μｍ
・パスエネルギー：ｗｉｄｅ ｓｃａｎ（ワイドスキャン）＝８０ｅＶ
ｎａｒｒｏｗ ｓｃａｎ（ナロースキャン）＝２０ｅＶ
・入射角 ：４５°
・取り出し角 ：９０°（試料表面に対して鉛直方向）
Ｂｉに対するナロースキャンの測定結果を図４に示すが、ＢｉＯの大きなピーク、Ｂｉ_２Ｏ_３のやや大きなピーク、Ｂｉ金属の小さなピークが検出されることが分かる。この測定結果から、Ｂｉは主に２価と３価の酸化物として存在していることが確認できる。
また、図５にワイドスキャンの測定結果を示す。図中の（ａ）は未記録部の測定結果、（ｂ）は記録マーク部の測定結果である。（ａ）（ｂ）から、未記録部では記録層の成分であるＢｉ、Ｂ、Ｏのみが検出されるのに対し、記録マーク部ではＢｉ、Ｂ、Ｏの他に、未記録部では観測されない保護層構成元素であるＺｎが検出されることが分かる。なお、未記録部と記録マーク部で観測されるＣはカバー層を剥がしたときに付着した炭化水素を検出したもので、記録状態には無関係である。この測定結果から、記録層が保護層のＺｎと反応して記録マークを形成することが確認できる。

次に、マーク部の表面形状を確認するためＳＥＭによる分析を行った。分析条件は下記のとおりである。
＜ＳＥＭ測定条件＞
・測定装置 ：ＵＬＴＲＡ ５５（Ｃａｒｌ Ｚｅｉｓｓ社製）
・加速電圧 ：１．８ｋＶ
・Ｇｒｉｄ電圧：１５００Ｖ（１．８ｋＶ）
・ＷＤ ：５ｍｍ
・絞り径 ：３０μｍ
・観察モード ：ＳＥ２（Ｅ−Ｔ ｄｅｔｅｃｔｏｒ）ｉｍａｇｅ，
ＥｓＢ ｉｍａｇｅ（Ｉｎ Ｌｅｎｓ ＢＥＩ）
記録層表面をＳＥＭで観察した結果を図６に示す。この凹凸を強調したＳＥＭ像（ＳＥ２像）から、記録マーク部の中央はへこみ、その縁が土手のように盛り上がっていることが分かる。この測定結果から記録マーク部は体積が変化して膜厚が薄くなっていることが確認できる。更に、組成コントラストを与えるＳＥＭ像（ＥｓＢ像）を図７に示すが、この像から、記録マーク部の中央が黒く観察され、周りよりも軽い元素で構成されていることが分かった。

次に、より微細な表面及び断面の状態を確認するためＴＥＭによる分析を行った。分析条件は下記のとおりである。
〈ＴＥＭ測定条件〉
・測定装置 ：ＪＥＦ−２１００Ｆ（ＪＥＯＬ社製）
・加速電圧 ：２００ｋＶ
・絞り径 ：１（ＣＬ）、２（ＯＬ）
・スポット径 ：１
記録層表面をＴＥＭで観測した結果を図８に示す。記録マーク部は、マークの外周に沿って黒く縁取られており、その中で黒い粒子と明るい領域が観察される。未記録部では、５ｎｍ以下の小さな粒状がほぼ均一に分布していることが分かる。これに対して、記録マーク部では、およそ２０ｎｍ程度の大きい粒状が形成されることが分かる。この粒状は重元素Ｂｉを含む化合物が相分離したものであり、特に黒い部分は重元素Ｂｉが凝集していることが分かる。この図８と図７の測定結果から、記録マーク部では、記録層成分の重元素Ｂｉと軽元素が相分離していることが確認できる。

次に、記録マークの断面をＴＥＭで観察した結果を図９に示す。記録マークの断面はミクロトーム装置（Ｒｅｉｃｈｅｒｔ−Ｊｕｎｇ社製 ＵＬＴＲＡＣＵＴ−Ｊ）によって作製したが、ＦＩＢ装置を用いても作製することができる。
図９から、記録マーク部において、記録層と隣接するカバー層及び保護層の界面が変形していることが分かる。このように記録層の形状が大きく変化することで、記録部と未記録部の光学特性が大きく変わる。

実施例１、比較例１の媒体のＸ線回折測定結果を示す図。 実施例１、比較例１の媒体の保存試験によるジッタ変化を示す図。 実施例１、比較例１の媒体の保存試験による反射率変化を示す図。 実施例２の媒体のＸＰＳによるナロースキャン測定結果を示す図。 実施例２の媒体のＸＰＳによるワイドスキャン測定結果を示す図。 実施例２の媒体の記録層表面をＳＥＭで観察した結果を示す図。 実施例２の媒体の記録層表面のＳＥＭ像（ＥｓＢ像）を示す図。 実施例２の媒体の記録層表面をＴＥＭで観察した結果を示す図。 実施例２の媒体の記録マークの断面をＴＥＭで観察した結果を示す図。

Claims (7)

1. 基板上に少なくとも記録層を有し、該記録層がＢｉ、Ｏ、及び原子半径がＦｅと０．２Å以上異なる元素Ｍを含有し、記録層の未記録部と記録マーク部が共にアモルファスであることを特徴とする追記型光記録媒体。
2. 記録層が、ＢｉＯｘ（１≦ｘ≦１．５）で表される複数のＢｉ酸化物を含有することを特徴とする請求項１記載の追記型光記録媒体。
3. 記録層の記録マーク部が２価及び３価のＢｉを含むことを特徴とする請求項１又は２記載の追記型光記録媒体。
4. 基板上に少なくとも記録層とこれに隣接する保護層を有し、該保護層が、元素Ｑ（ＱはＴｉ、Ｚｎ、Ｍｏ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｃｄ、Ｌａ、Ｗのうち少なくとも一つの元素）を含み、記録時に保護層中の元素Ｑが記録マーク部に混入することを特徴とする請求項１〜３の何れかに記載の追記型光記録媒体。
5. 記録時に、記録マーク部の記録層の体積が変化し膜厚が薄くなることを特徴とする請求項１〜４の何れかに記載の追記型光記録媒体。
6. 記録時に、記録マーク部の記録層又は記録層と保護層の重元素と軽元素が相分離されることを特徴とする請求項１〜４の何れかに記載の追記型光記録媒体。
7. 記録時に、記録マーク部の記録層と隣接層との界面が変形することを特徴とする請求項１〜４の何れかに記載の追記型光記録媒体。