JP2008053459A - ビームプロファイル計測方法、ビームプロファイル計測装置、レーザ加工方法、及び、レーザ加工装置 - Google Patents

ビームプロファイル計測方法、ビームプロファイル計測装置、レーザ加工方法、及び、レーザ加工装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2008053459A
JP2008053459A JP2006228169A JP2006228169A JP2008053459A JP 2008053459 A JP2008053459 A JP 2008053459A JP 2006228169 A JP2006228169 A JP 2006228169A JP 2006228169 A JP2006228169 A JP 2006228169A JP 2008053459 A JP2008053459 A JP 2008053459A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
laser
optical system
cross
laser beam
measurement
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP2006228169A
Other languages
English (en)
Inventor
Yuji Okamoto
裕司 岡本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumitomo Heavy Industries Ltd
Original Assignee
Sumitomo Heavy Industries Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sumitomo Heavy Industries Ltd filed Critical Sumitomo Heavy Industries Ltd
Priority to JP2006228169A priority Critical patent/JP2008053459A/ja
Publication of JP2008053459A publication Critical patent/JP2008053459A/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Laser Beam Processing (AREA)
  • Recrystallisation Techniques (AREA)
  • Lasers (AREA)

Abstract

【課題】 高精度の計測を行うことのできるビームプロファイル計測方法を提供する。
【解決手段】 (a)原ビームを、分岐後のビームの断面内の強度分布が原ビームの断面内の強度分布を反映した形状になるように、複数のビームに分岐する。(b)工程(a)で分岐された複数のビームのそれぞれの光路上の、原ビーム上のある点からの光路長が相互に等しくなる位置において、工程(a)で分岐された各々のビームの断面内の一部である計測対象範囲の強度分布を計測する。(c)工程(b)で計測された分岐後のビームの強度分布を合成して、原ビームのビームプロファイルを取得する。
【選択図】 図1

Description

本発明は、ビーム断面内のプロファイルを計測する方法、装置、及び、加工対象物にレーザビームを照射して加工を行うレーザ加工方法、装置に関する。
表面に非晶質シリコン膜が形成された基板に、例えば、エキシマレーザのパルスの照射を繰り返すことにより、非晶質シリコン膜を多結晶化するレーザアニールが行われている。
このようなレーザアニールを行うに当たっては、ホモジナイザを用いて、レーザビームの断面を細長い形状に整形する(ラインビームとする)とともに、整形されたビーム断面内の長尺方向の光強度分布を均一化する。
基板表面に照射されるレーザビーム断面内の光強度分布が適切でないと、形成される多結晶シリコン膜の品質を高めることができない。そこで、ホモジナイザから出射したレーザビーム断面内の光強度分布を監視する種々の技術が考えられている。
図4(A)〜(C)を参照して、ビームプロファイルの計測技術の従来例について説明する。
図4(A)を参照する。レンズを用いてラインビームを圧縮する方法が知られている。
アスペクト比の高いラインビーム10が、ラインビーム10の光路上に配置されたレンズ11に入射する。ラインビーム10は、レンズ11によって圧縮され、計測器13の計測素子12、たとえばCCDカメラに入射する。レンズ11は、ラインビーム10の全体が計測素子12に入射するように、ラインビーム10を圧縮する。計測素子12により、ラインビーム10のビームプロファイルが計測される。
この方法によると、ラインビーム10全体のビームプロファイルを同時計測することができる。しかしながらラインビーム10のアスペクト比が大きくなると、長軸方向のプロファイルが詳細に計測可能であっても、短軸方向プロファイルの詳細計測が困難な場合が生じる。
図4(B)を参照する。本図を参照して、複数の計測器13を用いて行うビームプロファイル計測方法について説明する。
複数の計測器13がラインビーム10の光路上に、ラインビーム10の長軸方向に沿って並ぶように配置されている。ラインビーム10の全体が、並列配置された複数の計測器13に入射し、ビームプロファイルの計測が行われる。
この方法によれば、レンズによる圧縮の不利益を避けながら、長軸方向プロファイル、及び、短軸方向プロファイルを同時計測することができる。しかし、たとえばラインビーム10のうち、隣り合う計測素子12間領域dに入射した部分のビームプロファイルを計測することができず、長軸方向に未計測部分を生じる。
図4(C)を参照する。
たとえばレール14上に移動可能に設置された計測器13を、ラインビーム10の長軸方向(図の矢印方向)に走査して、ビームプロファイルを計測する技術が開示されている(たとえば、特許文献1参照)。
計測器13は、ラインビーム10の光路上を、ラインビーム10の長軸方向に沿って移動する。ラインビーム10のうち、計測素子12に入射した部分のビームプロファイルが計測される。
この方法は、ラインビーム10の一部を長軸方向に沿って切り取って計測を行うため、ラインビーム10の短軸方向のプロファイルを十分な分解能で計測することができる。しかし、ラインビーム10全体のビームプロファイルを計測するためには、計測器13を走査することを要する。また、ラインビーム10について、長軸方向のビーム形状や、短軸プロファイルの長軸方向の分布を測定する際に、時間的に同時計測ができないという不利益がある。
特開2006−049606号公報
本発明の目的は、高精度の計測を行うことのできるビームプロファイル計測方法を提供することである。
また、高精度の計測を行うことのできるビームプロファイル計測装置を提供することである。
更に、高品質の加工を行うことのできるレーザ加工方法を提供することである。
また、高品質の加工を行うことのできるレーザ加工装置を提供することである。
本発明の一観点によれば、(a)原ビームを、分岐後のビームの断面内の強度分布が原ビームの断面内の強度分布を反映した形状になるように、複数のビームに分岐する工程と、(b)前記工程(a)で分岐された複数のビームのそれぞれの光路上の、前記原ビーム上のある点からの光路長が相互に等しくなる位置において、前記工程(a)で分岐された各々のビームの断面内の一部である計測対象範囲の強度分布を計測する工程と、(c)前記工程(b)で計測された分岐後のビームの強度分布を合成して、前記原ビームのビームプロファイルを取得する工程とを有するビームプロファイル計測方法が提供される。
また、本発明の他の観点によれば、原ビームを、分岐後のビームの断面内の強度分布が原ビームの断面内の強度分布を反映した形状になるように、複数のビームに分岐して出射するビーム分岐器と、前記ビーム分岐器から出射された複数のビームのそれぞれの光路上の、前記原ビーム上のある点からの光路長が相互に等しくなる位置に1つずつ配置され、各自が自己に入射するビームの断面内の一部である計測対象範囲の強度分布を計測する複数の計測素子とを有するビームプロファイル計測装置が提供される。
更に、本発明の他の観点によれば、(a)レーザビームを出射位置から出射する工程と、(b)出射されたレーザビームを加工対象物に照射し、照射位置において加工を行い、加工を行う期間内に、前記加工対象物に照射されるレーザビーム断面内の、計測位置におけるビームプロファイルを計測する工程とを有し、前記工程(b)におけるビームプロファイルの計測は、(b1)出射された後のレーザビームを、分岐後のビームの断面内の強度分布が、出射された後のレーザビームの断面内の強度分布を反映した形状になるように、複数のビームに分岐する工程と、(b2)前記工程(b1)で分岐された複数のビームのそれぞれの光路上の、前記出射された後のレーザビーム上のある点からの光路長が相互に等しくなる位置において、前記工程(b1)で分岐された各々のビームの断面内の一部である計測対象範囲の強度分布を計測する工程と、(b3)前記工程(b2)で計測された分岐後のビームの強度分布を合成して、前記出射された後のレーザビームのビームプロファイルを取得する工程とを含んで行われるレーザ加工方法が提供される。
また、本発明の他の観点によれば、レーザビームを出射するレーザ光源と、前記レーザ光源から出射したレーザビームの光路上に配置され、前記レーザ光源から出射したレーザビームの断面形状を整形する第1の光学系と、前記第1の光学系で整形されたレーザビームを照射する加工対象物を保持する保持台と、(i)前記第1の光学系で整形されたレーザビームを、分岐後のビームの断面内の強度分布が、前記第1の光学系で整形されたレーザビームの断面内の強度分布を反映した形状になるように、複数のビームに分岐して出射する第1のビーム分岐器と、(ii)前記第1のビーム分岐器から出射された複数のビームのそれぞれの光路上の、前記前記第1の光学系で整形されたレーザビーム上のある点からの光路長が相互に等しくなる位置に1つずつ配置され、各自が自己に入射するビームの断面内の一部である計測対象範囲の強度分布を計測する複数の計測素子とを備えるビームプロファイル計測装置とを有し、前記ビームプロファイル計測装置は、前記保持台に保持された加工対象物に照射されたレーザビームの断面内のビームプロファイルを取得することのできる位置に設置されているレーザ加工装置が提供される。
更に、本発明の他の観点によれば、レーザビームを出射するレーザ光源と、前記レーザ光源から出射したレーザビームの光路上に配置され、前記レーザ光源から出射したレーザビームの断面形状を整形する第1の光学系と、前記第1の光学系で整形されたレーザビームが照射される加工対象物を保持する保持台と、前記第1の光学系で整形されたレーザビームが、前記保持台に保持された加工対象物に照射されたときに散乱する散乱光が入射する位置に設けられ、該加工対象物の表面を結像する第2の光学系と、前記第2の光学系が該加工対象物の表面を結像する位置に計測位置が配置され、(i)該加工対象物表面で散乱された散乱光を、分岐後の散乱光の断面内の強度分布が、該加工対象物表面で散乱された散乱光の断面内の強度分布を反映した形状になるように、複数の散乱光に分岐して出射する光分岐器と、(ii)前記光分岐器から出射された複数の散乱光のそれぞれの光路上の、前記第1の光学系で整形されたレーザビーム上のある点からの光路長が相互に等しくなる位置に1つずつ配置され、各自が自己に入射する散乱光の断面内の一部である計測対象範囲の強度分布を計測する複数の計測素子とを備えるプロファイル計測装置とを有するレーザ加工装置が提供される。
本発明によれば、高精度の計測を行うことのできるビームプロファイル計測方法を提供することができる。
また、高精度の計測を行うことのできるビームプロファイル計測装置を提供することができる。
更に、高品質の加工を行うことのできるレーザ加工方法を提供することができる。
また、高品質の加工を行うことのできるレーザ加工装置を提供することができる。
図1(A)は、実施例によるビームプロファイル計測装置15を示す概略図である。実施例によるビームプロファイル計測装置15は、入射したビームを分岐するビーム分岐手段(ハーフミラー16a〜16c)、及び、ビームのプロファイルを計測することのできる、複数の計測素子(計測器13a〜13dにそれぞれ含まれる計測素子12a〜12d)を含んで構成される。
計測素子には、CCDカメラ、CMOSカメラ、ラインセンサ、フォトダイオードアレイ等、光強度を計測することのできる素子が用いられる。
たとえばレーザ発振器から出射され、ホモジナイザを経て、一方向に長い形状に整形されたラインビーム10が、ハーフミラー16aに入射し、ラインビーム10a及び10bに分岐する。
ラインビーム10aは、ハーフミラー16bに入射し、ラインビーム10c及び10dに分岐する。ラインビーム10c、10dの一部は、それぞれ計測器13a、13bの、計測素子12a、12bに入射する。
一方、ラインビーム10bは、ハーフミラー16cに入射し、ラインビーム10e及び10fに分岐する。ラインビーム10e、10fの一部は、それぞれ計測器13c、13dの、計測素子12c、12dに入射する。
ハーフミラー16a〜16c、及び、計測器13a〜13dは、ラインビーム10が、ハーフミラー16aで分岐した後、更に分岐して、計測素子12a〜12dの計測面に入射するまでの光路長が、すべて等しくなるように配置される。
(i)計測素子12a〜12dには、たとえばラインビーム10を長軸方向に沿って4分割した、各々の分割部分が入射する。または、(ii)隣り合う分割部分が、オーバーラップする領域を有するようにラインビーム10を長軸方向に沿って4分割した、各々の分割部分が入射する。
図1(B)は、上記(i)に記したラインビーム10の入射態様を示す概略図である。
測定範囲R1〜R4は、それぞれ計測器13a〜13dの計測素子12a〜12dが、ラインビーム10のビームプロファイルを計測する範囲である。
ラインビーム10の断面内のどの位置のビーム強度も、計測素子12a〜12dのいずれか1つによって計測される。このため、長軸方向に沿っても短軸方向に沿っても、ラインビーム10のビームプロファイルを余すところなく計測することができる。
また、ハーフミラー16aから計測素子12a〜12dまでの光路長はすべて等しいため、ラインビーム10の断面内のビームプロファイルは、計測素子12a〜12dによって、同時刻において計測されることになる。更に、ラインビーム10をレンズで圧縮することなく計測するため、十分な分解能で、両軸方向のビームプロファイルを同時に計測することができる。
図1(C)は、上記(ii)に記したラインビーム10の入射態様を示す概略図である。本図においては、計測素子12a〜12dの測定範囲R1〜R4を、それぞれ実線、破線、一点鎖線、二点鎖線で表した。
ラインビーム10の断面内の領域のうち、斜線を付した領域(オーバーラップする領域)のビーム強度は、2つの計測素子により計測される。なお、たとえばラインビーム10の長さの10%ほどの長さについて、長軸方向にオーバーラップさせる。
図1(C)に示すように、オーバーラップする領域を設けて、ラインビーム10を分割し、計測素子12a〜12dに入射させた場合、次図を参照して詳細に説明するように、計測素子12a〜12d相互の相対的なキャリブレーションが可能であり、計測素子12a〜12d相互の感度のばらつきを補正することができる。
実施例によるビームプロファイル計測装置15においては、ビーム分岐手段としてハーフミラーを用いたが、たとえばビームスプリッタを用いてもよい。分岐後のビーム断面内の強度分布が、分岐前のビーム断面内の強度分布を反映した形状、たとえば強度がビーム断面内の位置によらず、一定の割合で減少されるようにビームを分岐させる。
なお、ハーフミラーやビームスプリッタを用いて、ビーム強度を小さくすることができるため、後述するように、本実施例によるビームプロファイル計測装置を、たとえばレーザ加工装置に利用した場合、レーザ加工装置に用いられるアッテネータの減衰率を低くしたり、場合によっては、アッテネータをレーザ加工装置に含ませないことも可能である。
また、実施例においては、ラインビーム10を4分割し、4つの計測素子を用いてビームプロファイルを計測した。ラインビームは、ラインビームの長さや、計測素子の大きさ、分解能に応じて、計測に必要な数に分割することができる。8分割や16分割はもとより、ビーム分割手段の透過率や反射率を適切に設定することで、3分割や10分割等することも可能である。
ビームプロファイルを計測するラインビームは、高アスペクト比、たとえばアスペクト比が1:10000程度のものであってもよい。更に、ビームプロファイルを計測する対象は、ラインビームに限定されない。三角形、正方形等の多角形状、円形状、楕円形状等の様々な断面形状のビームであってもよい。
図2(A)〜(C)を参照して、ラインビームをオーバーラップ領域を設けて分割し、ビームプロファイルを計測する方法について説明する。
図2(A)を参照する。
ラインビーム10がハーフミラー16dに入射し、反射ラインビームと透過ラインビームとに分岐する。反射ラインビームの一部(本図においては、計測素子入射領域22として示した。)は、計測素子12eに入射して、ビームプロファイルの計測が行われる。一方、透過ラインビームの一部(本図においては、計測素子入射領域23として示した。)は、計測素子12fに入射して、ビームプロファイルの計測が行われる。
ラインビーム10の長軸方向の中央に中央線Cを画定するとき、中央線Cで長軸方向に2等分されたラインビーム10の分割領域の一方の最終的なビームプロファイルは、計測素子12eの計測値に基づいて定められる。本図においては、当該領域を実質計測領域20として示した。実質計測領域20は、計測素子入射領域22の一部である。
また、ラインビーム10の2等分割領域の他方の最終的なビームプロファイルは、計測素子12fの計測値に基づいて定められる。本図においては、当該領域を実質計測領域21として示した。実質計測領域21は、計測素子入射領域23の一部である。
ラインビーム10の断面において、計測素子入射領域22及び23の重なり合う領域が、オーバーラップ領域24である。
図2(B)及び(C)は、ともに、計測素子12e及び12fで計測したラインビーム10のビームプロファイルの計測値の一例を示す概略的なグラフである。グラフの横軸は、ラインビーム10の断面内における位置を、長軸方向に沿って基準位置からの距離xで示す。また、グラフの縦軸はビーム強度を示す。
図2(B)を参照する。
符号22を付した部分は、計測素子12eによって計測された計測素子入射領域22のビームプロファイルである。また、符号23を付した部分は、計測素子12fによって計測された計測素子入射領域23のビームプロファイルである。なお、本図には、中央線Cの位置を書き入れてある。
ビーム断面内のビーム強度が、計測素子の個体差に由来して、異なる値に測定される場合がある。本図においては、オーバーラップ領域24のビーム強度が、計測素子12eと計測素子12fとで、異なった値に計測されている。しかし、本来これらの計測値は一致すべきものである。したがってオーバーラップ領域24における、両計測素子12e、12fの計測値を一致させる補正を行い、計測素子相互間の感度のばらつきを調整する。
補正は、たとえば以下のように行う。
図2(B)に示すように、中央線C上におけるビーム強度が、計測素子12eで計測したときαであり、計測素子12fで計測したときβであり、更に、ラインビーム10の長さ方向の一端部の計測素子12eによる計測値、及び、ラインビーム10の長さ方向の他端部の計測素子12fによる計測値が、ともに0である場合を考える。
計測素子12fで計測されたビームプロファイル曲線を示す関数をI(x)とするとき、補正後のビームプロファイル曲線を示す関数I01(x)は、たとえば、
01(x)=I(x)*α/β ・・・(1)
と表すことができる。
このように計測素子12fで計測されたビームプロファイルが、オーバーラップ領域24において、計測素子12eで計測されたビームプロファイルと一致するように補正を行った後、補正後の値を用いて、ラインビーム10の最終的なビームプロファイルを作成する。
最終的なビームプロファイルは、計測素子12eによる実質計測領域20の計測値と、上記式(1)を用いて補正された実質計測領域21の計測値とを連続させて作成する。
各計測素子にオーバーラップ領域を設けてビームを入射させ、計測値に補正を加えることによって、計測素子相互間の感度のばらつきの影響を減少させることができる。
なお、式(1)を用いた補正は、計測素子12fによる計測値を、計測素子12eによる計測値に合わせる補正であるが、計測素子12eによる計測値を、計測素子12fによる計測値に合わせてもよいし、補正後のビームプロファイルが両者の平均となるように、計測素子12e、12f双方の計測値を補正することもできる。
図2(C)を参照して、補正の他の例を説明する。
図2(C)に示す例においては、中央線C上におけるビーム強度が、計測素子12eで計測したときαであり、計測素子12fで計測したときβである。また、ラインビーム10の長さ方向の一端部の計測素子12eによる計測値は0であり、ラインビーム10の長さ方向の他端部の計測素子12fによる計測値はγである。
計測素子12fで計測されたビームプロファイル曲線を示す関数をI(x)とするとき、補正後のビームプロファイル曲線を示す関数I02(x)は、たとえば、
02(x)=(I(x)−γ)*α/(β −γ) ・・・(2)
と表すことができる。
以上説明したように、計測素子の計測域をオーバーラップさせることで、ビームプロファイルの相対較正をビームプロファイル計測装置自身で行うことができる。
なお、計測域をオーバーラップさせず、ビーム断面のすべての位置のビーム強度を、いずれか1つの計測素子で計測した場合、計測器の台数を少なくすることができる。この場合は、たとえば別途に計測素子相互間の較正を行う。
更に、計測素子相互間の相対較正を行う際にのみ、計測域をオーバーラップさせることもできる。
図3(A)〜(F)は、それぞれ第1〜第6の実施例によるレーザ加工装置の概略図である。
図3(A)を参照する。
第1の実施例によるレーザ加工装置は、たとえばエキシマレーザ発振器を含むレーザ光源30、アッテネータ、ズームレンズ、ホモジナイザを含む光学系31、ビームスプリッタ32、XYステージ33、図1(A)に示したビームプロファイル計測装置15、及び、制御装置37を含んで構成される。
光学系31に含まれるアッテネータは、レーザ光源30を出射したレーザビームの強度を減衰させることができる。ズームレンズは、アッテネータを経て入射したレーザビームの断面を拡大し、断面を拡大したレーザビームを、ほぼ平行光として出射する。出射したレーザビームは、ホモジナイザに入射する。ホモジナイザは、たとえばアレイレンズとフォーカスレンズとを含んで構成され、ビーム断面の整形(たとえばラインビームへの整形)と、ビーム断面内の光強度分布の均一化とを行う。
XYステージ33は、加工対象物34を保持する保持面を備え、加工対象物34を保持面の面内方向に移動させることができる。
レーザ光源30からレーザビームが出射する。出射したレーザビームは、光学系31に入射し、ビーム強度を調整されたうえで、ビーム断面内の光強度分布が均一化されたラインビーム10に整形され、光学系31を出射する。
光学系31を出射したラインビーム10は、ビームスプリッタ32により、反射光と透過光に分岐する。反射光と透過光との割合は、たとえば99:1である。反射光は、XYステージ33に保持された加工対象物34に入射し、たとえばレーザアニール等のレーザ加工が行われる。なお、図3(A)〜(F)においては、加工対象物にラインビームが照射され、レーザ加工が行われる面を、加工面(照射面)35として、一点鎖線で示してある。
ビームスプリッタ32を透過したラインビームは、ビームプロファイル計測装置15に入射し、ビームプロファイルの計測が行われる。
ここで、加工対象物34とビームプロファイル計測装置15とは、ラインビーム10のビームスプリッタ32での分岐後、反射したラインビームが加工面(照射面)35に到達するまでの距離(光路長)と、透過したラインビームがビームプロファイル計測装置15に含まれる計測素子の計測面に入射するまでの距離(光路長)とが等しくなるように、配置される。加工対象物34とビームプロファイル計測装置15とをこのように配置することで、加工面(照射面)35におけるビームプロファイルを、ビームプロファイル計測装置15を用いて計測することができる。
制御装置37は、計測されたビームプロファイルが加工に適切なものであるか否かを判別する。計測されたビームプロファイルが加工に適切なものであった場合、加工はそのまま続けられる。不適切なものであった場合、制御装置37により、たとえば光学系31のアッテネータに制御信号が伝えられ、ビーム強度の減衰率が適正な値に補正される。
第1の実施例によるレーザ加工装置を用いると、レーザアニールなどのレーザ加工を行いながら、現実に加工対象物に照射されているレーザビームのプロファイルをリアルタイムで計測することができる。
図3(B)を参照して、第2の実施例によるレーザ加工装置について説明する。
第2の実施例によるレーザ加工装置は、ビームスプリッタ32でラインビーム10を分岐後、透過したラインビームの光路上に拡大/縮小結像光学系36を配置している点において、第1の実施例と異なる。
拡大/縮小結像光学系36は、加工面(照射面)35に相当する位置(ビームスプリッタ32での反射後、反射光が加工面(照射面)35に到達するまでの光路長と等しい光路長だけ、ビームスプリッタ32から透過光の光路上に離れた位置)におけるビーム断面を、ビームプロファイル計測装置15に含まれる計測素子の計測面上に結像させる。
第2の実施例によるレーザ加工装置も、レーザ加工を行いながら、加工対象物に照射されているレーザビームのプロファイルをリアルタイムで計測することができる。
図3(C)を参照して、第3の実施例によるレーザ加工装置について説明する。
第3の実施例によるレーザ加工装置は、ビームスプリッタ32を備えず、ラインビーム10を、加工用ビームと計測用ビームとに分岐させない点において、第1の実施例によるレーザ加工装置と異なる。また、加工対象物34を保持するXYステージ33には、ビームプロファイル計測装置15が、保持面の面内方向に移動可能に設置されている。
第3の実施例においては、たとえばラインビーム10は、一定方向に向かって光学系31から出射する。レーザ加工を行う場合には、ラインビーム10を、加工対象物34に入射させる。ビームプロファイルの計測を行う場合には、XYステージ33により、ビームプロファイル計測装置15をラインビーム10の光路上まで移動させる。
加工時における光学系31から加工面/照射面35までの光路長と、計測時における光学系31からビームプロファイル計測装置15に含まれる計測素子の計測面までの光路長が等しくなるように、加工対象物34とビームプロファイル計測装置15とは配置される。このため加工対象物34に照射されるラインビーム10のビームプロファイルを、ビームプロファイル計測装置15を用いて計測することができる。
なお、必要があれば、ビームプロファイル計測時においては、光学系31に含まれるアッテネータの減衰率を増加させ、レーザ光源30を出射したレーザビーム強度を小さくする。
図3(D)を参照して、第4の実施例によるレーザ加工装置について説明する。
第4の実施例によるレーザ加工装置は、ビームスプリッタ32を備えず、ラインビーム10を、加工用ビームと計測用ビームとに分岐させない点において、第2の実施例によるレーザ加工装置と異なる。
第4の実施例においては、たとえばラインビーム10は、一定方向に向かって光学系31から出射する。レーザ加工を行う場合には、ラインビーム10を、加工対象物34に入射させる。ビームプロファイルの計測を行う場合には、XYステージ33で、加工対象物34をラインビーム10の光路上から移動させ、ラインビーム10を、拡大/縮小結像光学系36に入射させる。拡大/縮小結像光学系36は、ラインビーム10が、XYステージ33及び加工対象物34で遮られない場合のラインビーム10の光路上に配置されている。
拡大/縮小結像光学系36は、加工面(照射面)35の位置におけるビーム断面を、ビームプロファイル計測装置15に含まれる計測素子の計測面上に結像させるため、加工対象物34に照射されるラインビーム10のビームプロファイルを、ビームプロファイル計測装置15を用いて計測することができる。
なお、必要があれば、ビームプロファイル計測時においては、光学系31に含まれるアッテネータの減衰率を増加させ、レーザ光源30を出射したレーザビーム強度を小さくする。
図3(E)を参照して、第5の実施例によるレーザ加工装置について説明する。
第5の実施例によるレーザ加工装置は、レーザ光源30、光学系31、XYステージ33、拡大/縮小結像光学系36、ビームプロファイル計測装置15、及び、制御装置37を含んで構成される。
レーザ光源30を出射したレーザビームが、光学系31を経、たとえばラインビーム10に整形されて、XYステージ33上に保持された加工対象物34に照射され、レーザ加工が行われる。ラインビーム10の加工対象物34への入射は、垂直入射であっても、斜め入射であってもよい。
加工時に加工対象物34の加工面(照射面)35で散乱された散乱光が、拡大/縮小結像光学系36に入射する。拡大/縮小結像光学系36は、加工対象物34の加工面(照射面)35を、ビームプロファイル計測装置15に含まれる計測素子の計測面上に結像させる。このため、加工対象物34に照射されるラインビーム10のビームプロファイルを、ビームプロファイル計測装置15を用いて、リアルタイムに計測することができる。
図3(F)を参照して、第6の実施例によるレーザ加工装置について説明する。
第6の実施例によるレーザ加工装置は、第5の実施例と同様に、レーザ光源30、光学系31、XYステージ33、拡大/縮小結像光学系36、ビームプロファイル計測装置15、及び、制御装置37を含んで構成される。
レーザ光源30を出射したレーザビームが、光学系31を経、たとえばラインビーム10に整形されて、XYステージ33上に保持された加工対象物34に斜め方向から入射し、レーザ加工が行われる。
加工対象物34の加工面(照射面)35に照射されたラインビーム10の正反射光が、拡大/縮小結像光学系36に入射する。拡大/縮小結像光学系36は、加工対象物34の加工面(照射面)35におけるビーム断面を、ビームプロファイル計測装置15に含まれる計測素子の計測面上に結像させる。このため、加工対象物34に照射されるラインビーム10のビームプロファイルを、ビームプロファイル計測装置15を用いて、リアルタイムに計測することができる。
第1〜第6の実施例によるレーザ加工装置を用いると、加工面におけるビームプロファイルを監視し、計測値にもとづいて、フィードバックをかけながらレーザ加工を行うことができる。このため高品質のレーザ加工が可能となる。
以上、実施例に沿って本発明を説明したが、本発明はこれらに限定されるものではない。種々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者には自明であろう。
ビームプロファイル計測方法、及び、ビームプロファイル計測装置は、ビームプロファイルの計測それ自体の他、たとえば様々なレーザ加工に伴って行われるビームプロファイルの計測に用いることができる。
また、レーザ加工方法、及び、レーザ加工装置は、レーザアニール等レーザ加工一般に利用することができる。
(A)は、実施例によるビームプロファイル計測装置15を示す概略図であり、(B)及び(C)は、ラインビーム10の入射態様を示す概略図である。 (A)〜(C)は、ラインビームをオーバーラップ領域を設けて分割し、ビームプロファイルを計測する方法について説明するための図である。 (A)〜(F)は、それぞれ第1〜第6の実施例によるレーザ加工装置の概略図である。 (A)〜(C)は、ビームプロファイルの計測技術の従来例について説明するための図である。
符号の説明
10、10a〜10f ラインビーム
11 レンズ
12、12a〜12f 計測素子
13、13a〜13d 計測器
14 レール
15 ビームプロファイル計測装置
16a〜16d ハーフミラー
20、21 実質計測領域
22、23 計測素子入射領域
24 オーバーラップ領域
30 レーザ光源
31 光学系
32 ビームスプリッタ
33 XYステージ
34 加工対象物
35 加工面(照射面)
36 拡大/縮小結像光学系
37 制御装置
C 中央線
R1〜R4 測定範囲

Claims (17)

  1. (a)原ビームを、分岐後のビームの断面内の強度分布が原ビームの断面内の強度分布を反映した形状になるように、複数のビームに分岐する工程と、
    (b)前記工程(a)で分岐された複数のビームのそれぞれの光路上の、前記原ビーム上のある点からの光路長が相互に等しくなる位置において、前記工程(a)で分岐された各々のビームの断面内の一部である計測対象範囲の強度分布を計測する工程と、
    (c)前記工程(b)で計測された分岐後のビームの強度分布を合成して、前記原ビームのビームプロファイルを取得する工程と
    を有するビームプロファイル計測方法。
  2. 原ビームを、分岐後のビームの断面内の強度分布が原ビームの断面内の強度分布を反映した形状になるように、複数のビームに分岐して出射するビーム分岐器と、
    前記ビーム分岐器から出射された複数のビームのそれぞれの光路上の、前記原ビーム上のある点からの光路長が相互に等しくなる位置に1つずつ配置され、各自が自己に入射するビームの断面内の一部である計測対象範囲の強度分布を計測する複数の計測素子と
    を有するビームプロファイル計測装置。
  3. 前記計測素子の計測対象範囲は、前記原ビームの全域のビームプロファイルが取得されるように選択される請求項2に記載のビームプロファイル計測装置。
  4. 前記原ビームのビーム断面が一方向に長い形状を有し、前記計測素子の計測対象範囲は、前記原ビームのビーム断面の長さ方向に関して一部を占める請求項2または3に記載のビームプロファイル計測装置。
  5. 前記ビーム分岐器による分岐後の第1のビームの計測対象範囲と、第2のビームの計測対象範囲とが部分的に重なり、部分的に重なった範囲の前記第1のビームの強度分布と前記第2のビームの強度分布とに基づいて、前記計測素子が、前記第1のビームの計測対象範囲内の強度分布、または、前記第2のビームの計測対象範囲内の強度分布の強度を補正する請求項2〜4のいずれか1項に記載のビームプロファイル計測装置。
  6. (a)レーザビームを出射位置から出射する工程と、
    (b)出射されたレーザビームを加工対象物に照射し、照射位置において加工を行い、加工を行う期間内に、前記加工対象物に照射されるレーザビーム断面内の、計測位置におけるビームプロファイルを計測する工程と
    を有し、
    前記工程(b)におけるビームプロファイルの計測は、
    (b1)出射された後のレーザビームを、分岐後のビームの断面内の強度分布が、出射された後のレーザビームの断面内の強度分布を反映した形状になるように、複数のビームに分岐する工程と、
    (b2)前記工程(b1)で分岐された複数のビームのそれぞれの光路上の、前記出射された後のレーザビーム上のある点からの光路長が相互に等しくなる位置において、前記工程(b1)で分岐された各々のビームの断面内の一部である計測対象範囲の強度分布を計測する工程と、
    (b3)前記工程(b2)で計測された分岐後のビームの強度分布を合成して、前記出射された後のレーザビームのビームプロファイルを取得する工程と
    を含んで行われるレーザ加工方法。
  7. レーザビームを出射するレーザ光源と、
    前記レーザ光源から出射したレーザビームの光路上に配置され、前記レーザ光源から出射したレーザビームの断面形状を整形する第1の光学系と、
    前記第1の光学系で整形されたレーザビームを照射する加工対象物を保持する保持台と、
    (i)前記第1の光学系で整形されたレーザビームを、分岐後のビームの断面内の強度分布が、前記第1の光学系で整形されたレーザビームの断面内の強度分布を反映した形状になるように、複数のビームに分岐して出射する第1のビーム分岐器と、(ii)前記第1のビーム分岐器から出射された複数のビームのそれぞれの光路上の、前記前記第1の光学系で整形されたレーザビーム上のある点からの光路長が相互に等しくなる位置に1つずつ配置され、各自が自己に入射するビームの断面内の一部である計測対象範囲の強度分布を計測する複数の計測素子とを備えるビームプロファイル計測装置と
    を有し、
    前記ビームプロファイル計測装置は、前記保持台に保持された加工対象物に照射されたレーザビームの断面内のビームプロファイルを取得することのできる位置に設置されているレーザ加工装置。
  8. 前記計測素子の計測対象範囲は、前記第1の光学系で整形されたレーザビームの全域のビームプロファイルが取得されるように選択される請求項7に記載のレーザ加工装置。
  9. 前記第1の光学系で整形されたレーザビームのビーム断面が一方向に長い形状を有し、前記計測素子の計測対象範囲は、前記第1の光学系で整形されたレーザビームのビーム断面の長さ方向に関して一部を占める請求項7または8に記載のレーザ加工装置。
  10. 前記第1のビーム分岐器による分岐後の第1のビームの計測対象範囲と、第2のビームの計測対象範囲とが部分的に重なり、部分的に重なった範囲の前記第1のビームの強度分布と前記第2のビームの強度分布とに基づいて、前記計測素子が、前記第1のビームの計測対象範囲内の強度分布、または、前記第2のビームの計測対象範囲内の強度分布の強度を補正する請求項7〜9のいずれか1項に記載のレーザ加工装置。
  11. 更に、前記第1の光学系を出射したレーザビームの光路上に配置され、分岐位置で該レーザビームを分岐する第2のビーム分岐器を含み、
    前記第2のビーム分岐器で分岐されたレーザビームの1つが、前記保持台に保持された加工対象物の照射位置に照射され、他の1つが前記ビームプロファイル計測装置に入射して、計測位置におけるビームプロファイルが計測され、
    前記分岐位置から前記照射位置までの光路長と、前記分岐位置から前記計測位置までの光路長とが等しくなるように、前記照射位置と前記計測位置とが配置される請求項7〜10のいずれか1項に記載のレーザ加工装置。
  12. 更に、前記第1の光学系を出射したレーザビームの光路上に配置され、分岐位置で該レーザビームを分岐する第2のビーム分岐器と、
    前記第2のビーム分岐器で分岐されたレーザビームの1つの光路上に配置された第2の光学系と
    を含み、
    前記第2の光学系を出射したレーザビームが、前記ビームプロファイル計測装置に入射して、計測位置におけるビームプロファイルが計測され、
    前記第2のビーム分岐器で分岐されたレーザビームの他の1つが、前記保持台に保持された加工対象物の照射位置に照射され、
    前記第2の光学系は、前記分岐位置から前記照射位置までの光路長と等しい光路長だけ、前記分岐位置から前記計測位置側に離れた位置におけるレーザビームの断面を結像し、
    前記計測位置は、前記第2の光学系による結像位置に配置される請求項7〜10のいずれか1項に記載のレーザ加工装置。
  13. 前記ビームプロファイル計測装置は、前記保持台に固定され、
    前記保持台は、保持した加工対象物、及び、固定された前記ビームプロファイル計測装置を、選択的に、前記第1の光学系で整形されたレーザビームの光路上に、前記第1の光学系から、前記保持台に保持された加工対象物にレーザビームが照射される位置までの光路長と、前記第1の光学系から、前記計測素子までの光路長とが等しくなるように移動させることができる請求項7〜10のいずれか1項に記載のレーザ加工装置。
  14. 更に、前記保持台に保持された加工対象物にレーザビームが照射される位置におけるレーザビームの断面を結像する第2の光学系を含み、
    前記第1の光学系で整形されたレーザビームは、選択的に、前記保持台に保持された加工対象物、または、前記第2の光学系に入射し、
    前記ビームプロファイル計測装置は、前記第2の光学系がレーザビームの断面を結像する位置に前記計測素子が配置されるように設置されている請求項7〜10のいずれか1項に記載のレーザ加工装置。
  15. 更に、前記保持台に保持された加工対象物にレーザビームが照射される位置におけるレーザビームの断面を結像する第2の光学系を含み、
    前記第1の光学系で整形されたレーザビームは、まず前記保持台に保持された加工対象物に照射され、
    前記第2の光学系は、前記第1の光学系で整形されたレーザビームが、前記保持台に保持された加工対象物に照射され、正反射して入射する位置に設けられ、
    前記ビームプロファイル計測装置は、前記第2の光学系がレーザビームの断面を結像する位置に前記計測素子が配置されるように設置されている請求項7〜10のいずれか1項に記載のレーザ加工装置。
  16. 前記第1の光学系が、前記レーザ光源から出射したレーザビームの強度を増減させるビーム強度変化装置を含み、
    更に、前記ビームプロファイル計測装置で計測されたビームプロファイルに基づいて、前記ビーム強度変化装置によるレーザビームの強度の増減を制御する制御装置を含む請求項7〜15のいずれか1項に記載のレーザ加工装置。
  17. レーザビームを出射するレーザ光源と、
    前記レーザ光源から出射したレーザビームの光路上に配置され、前記レーザ光源から出射したレーザビームの断面形状を整形する第1の光学系と、
    前記第1の光学系で整形されたレーザビームが照射される加工対象物を保持する保持台と、
    前記第1の光学系で整形されたレーザビームが、前記保持台に保持された加工対象物に照射されたときに散乱する散乱光が入射する位置に設けられ、該加工対象物の表面を結像する第2の光学系と、
    前記第2の光学系が該加工対象物の表面を結像する位置に計測位置が配置され、(i)該加工対象物表面で散乱された散乱光を、分岐後の散乱光の断面内の強度分布が、該加工対象物表面で散乱された散乱光の断面内の強度分布を反映した形状になるように、複数の散乱光に分岐して出射する光分岐器と、(ii)前記光分岐器から出射された複数の散乱光のそれぞれの光路上の、前記第1の光学系で整形されたレーザビーム上のある点からの光路長が相互に等しくなる位置に1つずつ配置され、各自が自己に入射する散乱光の断面内の一部である計測対象範囲の強度分布を計測する複数の計測素子とを備えるプロファイル計測装置と
    を有するレーザ加工装置。
JP2006228169A 2006-08-24 2006-08-24 ビームプロファイル計測方法、ビームプロファイル計測装置、レーザ加工方法、及び、レーザ加工装置 Withdrawn JP2008053459A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006228169A JP2008053459A (ja) 2006-08-24 2006-08-24 ビームプロファイル計測方法、ビームプロファイル計測装置、レーザ加工方法、及び、レーザ加工装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006228169A JP2008053459A (ja) 2006-08-24 2006-08-24 ビームプロファイル計測方法、ビームプロファイル計測装置、レーザ加工方法、及び、レーザ加工装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2008053459A true JP2008053459A (ja) 2008-03-06

Family

ID=39237222

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2006228169A Withdrawn JP2008053459A (ja) 2006-08-24 2006-08-24 ビームプロファイル計測方法、ビームプロファイル計測装置、レーザ加工方法、及び、レーザ加工装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2008053459A (ja)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012129500A (ja) * 2010-10-22 2012-07-05 Ultratech Inc 時間平均化ライン像を形成するシステム及び方法
KR101523672B1 (ko) * 2013-12-24 2015-05-28 에이피시스템 주식회사 레이저 빔 보정 장치 및 이를 이용한 레이저 빔 보정 방법
US9411163B2 (en) 2014-07-29 2016-08-09 Ultratech, Inc. High-efficiency line-forming optical systems and methods
US10083843B2 (en) 2014-12-17 2018-09-25 Ultratech, Inc. Laser annealing systems and methods with ultra-short dwell times
WO2023217554A1 (de) * 2022-05-10 2023-11-16 Trumpf Laser- Und Systemtechnik Gmbh Messvorrichtung zum vermessen eines laserlinienstrahls
CN117538026A (zh) * 2023-11-24 2024-02-09 星慧照明工程集团有限公司 一种照明灯具光束轮廓测量装置及测量方法

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012129500A (ja) * 2010-10-22 2012-07-05 Ultratech Inc 時間平均化ライン像を形成するシステム及び方法
US8822353B2 (en) 2010-10-22 2014-09-02 Ultratech, Inc. Systems and methods for forming a time-averaged line image
KR101523672B1 (ko) * 2013-12-24 2015-05-28 에이피시스템 주식회사 레이저 빔 보정 장치 및 이를 이용한 레이저 빔 보정 방법
CN104722917A (zh) * 2013-12-24 2015-06-24 Ap系统股份有限公司 用于校正激光束的设备以及校正激光束的方法
US9411163B2 (en) 2014-07-29 2016-08-09 Ultratech, Inc. High-efficiency line-forming optical systems and methods
US9638922B2 (en) 2014-07-29 2017-05-02 Ultratech, Inc. High-efficiency line-forming optical systems and methods
US10083843B2 (en) 2014-12-17 2018-09-25 Ultratech, Inc. Laser annealing systems and methods with ultra-short dwell times
WO2023217554A1 (de) * 2022-05-10 2023-11-16 Trumpf Laser- Und Systemtechnik Gmbh Messvorrichtung zum vermessen eines laserlinienstrahls
CN117538026A (zh) * 2023-11-24 2024-02-09 星慧照明工程集团有限公司 一种照明灯具光束轮廓测量装置及测量方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3729154B2 (ja) パターン欠陥検査方法及びその装置
US7436590B2 (en) Scanning laser microscope apparatus and light-amount detection unit
JP4485904B2 (ja) 検査装置及び検査方法
JP5156413B2 (ja) 欠陥検査方法及び欠陥検査装置
JP3729156B2 (ja) パターン欠陥検出方法およびその装置
JP5145673B2 (ja) レーザ加工方法およびレーザ加工装置
JP2011501872A (ja) 線状のビーム断面を有するレーザビームを生成するための方法及び構成
JP2008053459A (ja) ビームプロファイル計測方法、ビームプロファイル計測装置、レーザ加工方法、及び、レーザ加工装置
JP2009150725A (ja) 欠陥検査装置
US20150369750A1 (en) Confocal Line Inspection Optical System
TW573236B (en) Laser drawing apparatus and laser drawing method
JP2006049606A (ja) レーザ加工装置
KR20160127461A (ko) 레이저 가공 장치 및 그 가공방법
KR20130077415A (ko) 레이저 어닐링 장치 및 레이저 어닐링 방법
JP4197340B2 (ja) 三次元形状測定装置
JP2008292404A (ja) レーザビーム特性測定装置
JP5358898B2 (ja) 光学面の形状測定方法および装置および記録媒体
JP2007240254A (ja) レーザ装置、レーザ照射装置の強度プロファイル計測方法、レーザ照射装置
JP6584053B2 (ja) レーザ加工装置及びレーザ加工方法
JP2004101438A (ja) レーザ発生装置、画像読取装置及び画像検査装置
JP2008096153A (ja) ビームプロファイル計測装置及びレーザ加工装置
JP4665241B2 (ja) ビーム整形光学装置
TWI671796B (zh) 曝光裝置
JP6389759B2 (ja) 非接触エッジ形状測定方法及びその装置
JP4155109B2 (ja) レーザプロセス装置におけるレーザビーム評価方法及びレーザプロセス装置におけるレーザビーム調整方法

Legal Events

Date Code Title Description
A300 Withdrawal of application because of no request for examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300

Effective date: 20091110