JP2008047892A - 沸騰及び凝縮による熱伝達を利用した電子部品及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】沸騰及び凝縮による熱伝達を利用した電子部品が、複数の熱交換面を備えており、前記複数の熱交換面が、熱伝導流体に浸漬され、熱電変換器(2)の複数のナノワイヤ(13)の複数の自由端により構成されている。熱伝導性の低い電気絶縁被覆材料(22)が、前記熱伝導流体上で前記複数のナノワイヤを部分的に覆っている。各ナノワイヤが、2つの同軸の枝路により構成される熱電対を形成しており、前記2つの同軸の枝路が、異なる種類の材料から形成され、電気絶縁材料の層により分離され、前記ナノワイヤの自由端に個別的に電気接続されている。
【選択図】図5
Description
2 熱源
3 フィン冷却アセンブリ
4 ファン
5 高温源
6 低温源
7 枝路
8 枝路
9 ヒートパイプ
10 フィン
11 熱伝導流体
12 変換器
13 ナノワイヤ
14 ベース基板
15 コア
16 電気絶縁材料の層
17 外被
18 小滴
19 ベース
20 電気接続端子
21 電気接続端子
22 電気絶縁被覆材料
23 核生成サイト
24 パケット
25 ギャップ
26 個別電気接合部
27 共通電気接合部
B1 バブル
B2 バブル
B3 バブル
Claims (16)
- 熱伝導流体(11)に浸漬された複数の熱交換面を備え、沸騰及び凝縮による熱伝達を利用した電子部品であって、
前記複数の熱交換面が、熱電変換器の複数のナノワイヤ(13)の複数の自由端により形成されており、前記熱電変換器は、ベース基板(14)上に形成された複数のナノワイヤ(13)を備えており、
前記複数のナノワイヤ(13)を部分的に覆う、熱伝導性の低い電気絶縁被覆材料(22)が、前記ベース基板(14)と前記熱伝導流体(11)との間に配置されており、
各ナノワイヤ(13)が、2つの同軸の枝路により形成された熱電対を形成しており、前記2つの同軸の枝路は、異なる種類の材料から形成され、電気絶縁材料の層(16)により分離され、前記ナノワイヤの自由端に個別的に電気接続されている(18、26)、
ことを特徴とする電子部品。 - 前記被覆材料(22)が、ポリマーであることを特徴とする請求項1に記載の部品。
- 前記被覆材料(22)が、パリレンであることを特徴とする請求項2に記載の部品。
- 前記複数のナノワイヤ(13)が、凹型キャビティを構成するギャップ(25)により隔てられた複数の隣接パケット(24)にグループ化されており、
1つのパケットの前記複数のナノワイヤの前記複数の自由端が、互いに電気接続されている(27)、
ことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の部品。 - 各ナノワイヤの前記2つの枝路の内の、1つがコア(15)により形成され、1つが外被(17)により形成されており、前記コア(15)が、金属材料又は半導体材料で形成され、前記絶縁材料の層(16)によりその周囲が覆われており、前記外被(17)が、異なる金属材料又は異なるタイプの半導体材料で形成されており、
導電性材料(18、26、27)で形成された電気接合部が、各ナノワイヤの前記コアと前記外被とを、各ナノワイヤの前記自由端で個別的に接続している、
ことを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の部品。 - 2つの隣接するナノワイヤ(13)の前記コア(15)同士が、第1のタイプのドープされた半導体材料の層により接続されており、
前記第1のタイプのドープされた半導体材料の層が、前記複数のナノワイヤにほぼ垂直なベース(19)を構成している、
ことを特徴とする請求項5に記載の部品。 - 前記絶縁材料の層(16)が、2つの隣接するナノワイヤ(13)間の前記ベース(19)を覆っており、
2つの隣接するナノワイヤ(13)の前記外被(17)同士が、前記絶縁材料の層(16)上で、第2のタイプのドープされた半導体材料の層により接続されている、
ことを特徴とする請求項6に記載の部品。 - 沸騰及び凝縮による熱伝達を利用した電子部品、を製造する方法であって、
熱電変換器(1)を形成するステップであって、前記熱電変換器(1)が、ベース基板(14)上に複数のナノワイヤ(13)を備え、各ナノワイヤ(13)が、2つの同軸の枝路により構成される熱電対を形成し、前記2つの同軸の枝路が、異なる種類の材料から形成され、電気絶縁材料の層(16)により分離され、前記ナノワイヤの自由端に個別的に電気接続される、ような熱電変換器(1)を形成するステップと、
前記複数のナノワイヤを、熱伝導性の低い電気絶縁被覆材料(22)により部分的に埋め込むステップと、
前記複数のナノワイヤの複数の自由端を、ヒートパイプ(9)の熱伝導流体(11)中に浸漬するステップと、
を備えることを特徴とする方法。 - 前記被覆材料(22)が、ポリマーであることを特徴とする請求項8に記載の方法。
- 前記被覆材料(22)が、パリレンであることを特徴とする請求項9に記載の方法。
- 前記複数のナノワイヤ(13)を部分的に埋め込むステップは、
流体相又は気相で前記被覆材料(22)を堆積するステップと、
前記被覆材料を所定の厚さだけ除去して、前記複数のナノワイヤの複数の端を開放するステップと、
を備えることを特徴とする請求項8乃至10のいずれか1項に記載の方法。 - 流体相又は気相で前記被覆材料(22)を堆積するステップと、
平坦化ステップと、
金属堆積を行って、前記複数のナノワイヤ(13)の前記枝路間に複数の電気接合部(26、27)を形成するステップと、
前記被覆材料(22)を所定の厚さだけ除去して、前記複数のナノワイヤの複数の端を開放するステップと、
を順々に備えることを特徴とする請求項8乃至10のいずれか1項に記載の方法。 - 前記複数のナノワイヤ(13)が、凹型キャビティを構成するギャップ(25)により隔てられた複数の隣接パケット(24)にグループ化され、
前記金属堆積(27)により、1つのパケット(24)の前記複数のナノワイヤ(13)の前記複数の自由端の全てが電気接続される、
ことを特徴とする請求項12に記載の方法。 - 前記熱電変換器(1)を形成するステップは、
気体−流体−固体成長により、前記ベース基板(14)上に複数のコア(15)を形成する成長ステップであって、前記複数のコアが、金属材料又は半導体材料で形成され、各コアが、前記複数のナノワイヤの内の1つのナノワイヤの、2つの枝路の内の一方の枝路を構成する、ような複数のコア(15)を形成する成長ステップと、
各コア(15)の周囲を覆うような前記電気絶縁材料の層(16)を形成するステップと、
次いで複数の外被(17)を形成するステップであって、前記複数の外被が、異なる金属材料又は異なるタイプの半導体材料で形成され、前記複数のナノワイヤの他方の枝路を構成する、ような複数の外被(17)を形成するステップと、
を順々に備え、
導電性材料で形成された電気接合部(18、26、27)が、各ナノワイヤの前記コア(15)と前記外被(17)とを、各ナノワイヤの前記自由端で個別的に接続する、
ことを特徴とする請求項8乃至13のいずれか1項に記載の方法。 - 前記成長ステップ中に触媒として作用した導電性材料の小滴(18)が、前記成長ステップの最後に各ナノワイヤの前記コア(15)の上部に残存し、前記触媒の小滴(18)が、前記ナノワイヤの前記コアと前記外被との間の前記電気接合部を構成することを特徴とする請求項14に記載の方法。
- 前記電気絶縁材料の層(16)が、前記枝路の酸化により形成され、前記枝路の周囲を覆うことを特徴とする請求項8乃至15のいずれか1項に記載の方法。
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012015415A (ja) * | 2010-07-02 | 2012-01-19 | Fujitsu Ltd | 電子デバイスとその製造方法 |
JP2013528941A (ja) * | 2010-05-05 | 2013-07-11 | コミサリア ア レネルジー アトミック エ オ ゼネルジー アルテルナティブ | 調節可能な熱電装置 |
JP2015088560A (ja) * | 2013-10-29 | 2015-05-07 | 富士通株式会社 | 電子デバイス及びその製造方法 |
Families Citing this family (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8278800B2 (en) * | 2008-08-21 | 2012-10-02 | Innowattech Ltd. | Multi-layer piezoelectric generator |
US9163883B2 (en) | 2009-03-06 | 2015-10-20 | Kevlin Thermal Technologies, Inc. | Flexible thermal ground plane and manufacturing the same |
US8568027B2 (en) | 2009-08-26 | 2013-10-29 | Ut-Battelle, Llc | Carbon nanotube temperature and pressure sensors |
EP2312661A1 (en) * | 2009-10-16 | 2011-04-20 | Alcatel Lucent | Thermoelectric assembly |
US8344597B2 (en) * | 2009-10-22 | 2013-01-01 | Lawrence Livermore National Security, Llc | Matrix-assisted energy conversion in nanostructured piezoelectric arrays |
KR20110064702A (ko) * | 2009-12-08 | 2011-06-15 | 삼성전자주식회사 | 요철 구조를 지닌 코어-쉘 나노 와이어 및 이를 이용한 열전 소자 |
US8642974B2 (en) * | 2009-12-30 | 2014-02-04 | Fei Company | Encapsulation of electrodes in solid media for use in conjunction with fluid high voltage isolation |
IT1398955B1 (it) * | 2010-03-22 | 2013-03-28 | Itec Srl | Radiatore di tipo alettato |
US9444027B2 (en) * | 2011-10-04 | 2016-09-13 | Infineon Technologies Ag | Thermoelectrical device and method for manufacturing same |
US20140096939A1 (en) * | 2012-10-10 | 2014-04-10 | Novel Concepts, Inc. | Heat Spreader with Thermal Conductivity Inversely Proportional to Increasing Heat |
CN103233966B (zh) * | 2012-12-21 | 2015-06-03 | 珠海一多监测科技有限公司 | 具有测温功能的智能螺栓 |
GB201312535D0 (en) * | 2013-07-12 | 2013-08-28 | Europ Thermodynamics Ltd | Thermoelectric generator |
CN103515524B (zh) * | 2013-10-23 | 2015-08-12 | 中国科学院半导体研究所 | 面向片上集成的热电器件制备方法 |
CN103904209B (zh) * | 2014-04-18 | 2016-08-24 | 中国科学院半导体研究所 | 基于纳米线的平面热电器件的制备方法 |
EP3194113B1 (en) | 2014-09-17 | 2022-06-08 | The Regents Of The University Of Colorado, A Body Corporate, A Colorado Non-Profit | Micropillar-enabled thermal ground plane |
US11598594B2 (en) | 2014-09-17 | 2023-03-07 | The Regents Of The University Of Colorado | Micropillar-enabled thermal ground plane |
US11988453B2 (en) | 2014-09-17 | 2024-05-21 | Kelvin Thermal Technologies, Inc. | Thermal management planes |
CN116936500A (zh) * | 2016-11-08 | 2023-10-24 | 开尔文热技术股份有限公司 | 用于在热接地平面中散布高热通量的方法和设备 |
US11930621B2 (en) | 2020-06-19 | 2024-03-12 | Kelvin Thermal Technologies, Inc. | Folding thermal ground plane |
US11477911B1 (en) * | 2021-05-19 | 2022-10-18 | Dell Products L.P. | Heat pipe tapered down in fin stack region and oppositely tapered fin stack |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11121816A (ja) * | 1997-10-21 | 1999-04-30 | Morikkusu Kk | 熱電モジュールユニット |
JP2004003816A (ja) * | 2002-04-02 | 2004-01-08 | Mitsubishi Electric Corp | 熱輸送素子および熱輸送素子を用いた半導体装置および熱輸送素子を用いた大気圏外移動体 |
JP2004532133A (ja) * | 2001-03-30 | 2004-10-21 | ザ・リージェンツ・オブ・ザ・ユニバーシティ・オブ・カリフォルニア | ナノ構造及びナノワイヤーの組立方法並びにそれらから組立てられた装置 |
JP2006108631A (ja) * | 2004-09-13 | 2006-04-20 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 冷却効果を持つ電子素子および配線構造、並びに温度差を電圧に変換する機能を持つ電子素子 |
JP2007515299A (ja) * | 2003-04-08 | 2007-06-14 | ザ リージェンツ オブ ザ ユニヴァーシティ オブ カリフォルニア | 流体ナノチューブおよび装置 |
JP2007538406A (ja) * | 2004-05-19 | 2007-12-27 | インテル コーポレイション | 熱電ナノワイヤ素子 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7163659B2 (en) * | 2002-12-03 | 2007-01-16 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Free-standing nanowire sensor and method for detecting an analyte in a fluid |
US6864571B2 (en) * | 2003-07-07 | 2005-03-08 | Gelcore Llc | Electronic devices and methods for making same using nanotube regions to assist in thermal heat-sinking |
US20050126766A1 (en) * | 2003-09-16 | 2005-06-16 | Koila,Inc. | Nanostructure augmentation of surfaces for enhanced thermal transfer with improved contact |
AU2005325265A1 (en) * | 2004-07-07 | 2006-07-27 | Nanosys, Inc. | Systems and methods for harvesting and integrating nanowires |
US6880346B1 (en) * | 2004-07-08 | 2005-04-19 | Giga-Byte Technology Co., Ltd. | Two stage radiation thermoelectric cooling apparatus |
US20060090885A1 (en) * | 2004-10-29 | 2006-05-04 | Stephen Montgomery | Thermally conductive channel between a semiconductor chip and an external thermal interface |
US7449776B2 (en) * | 2005-05-10 | 2008-11-11 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Cooling devices that use nanowires |
WO2007019558A2 (en) * | 2005-08-09 | 2007-02-15 | The Regents Of The University Of California | Nanostructured micro heat pipes |
-
2006
- 2006-07-20 FR FR0606615A patent/FR2904145B1/fr not_active Expired - Fee Related
-
2007
- 2007-07-10 EP EP07354044A patent/EP1881538B1/fr not_active Not-in-force
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Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11121816A (ja) * | 1997-10-21 | 1999-04-30 | Morikkusu Kk | 熱電モジュールユニット |
JP2004532133A (ja) * | 2001-03-30 | 2004-10-21 | ザ・リージェンツ・オブ・ザ・ユニバーシティ・オブ・カリフォルニア | ナノ構造及びナノワイヤーの組立方法並びにそれらから組立てられた装置 |
JP2004003816A (ja) * | 2002-04-02 | 2004-01-08 | Mitsubishi Electric Corp | 熱輸送素子および熱輸送素子を用いた半導体装置および熱輸送素子を用いた大気圏外移動体 |
JP2007515299A (ja) * | 2003-04-08 | 2007-06-14 | ザ リージェンツ オブ ザ ユニヴァーシティ オブ カリフォルニア | 流体ナノチューブおよび装置 |
JP2007538406A (ja) * | 2004-05-19 | 2007-12-27 | インテル コーポレイション | 熱電ナノワイヤ素子 |
JP2006108631A (ja) * | 2004-09-13 | 2006-04-20 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 冷却効果を持つ電子素子および配線構造、並びに温度差を電圧に変換する機能を持つ電子素子 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013528941A (ja) * | 2010-05-05 | 2013-07-11 | コミサリア ア レネルジー アトミック エ オ ゼネルジー アルテルナティブ | 調節可能な熱電装置 |
JP2012015415A (ja) * | 2010-07-02 | 2012-01-19 | Fujitsu Ltd | 電子デバイスとその製造方法 |
JP2015088560A (ja) * | 2013-10-29 | 2015-05-07 | 富士通株式会社 | 電子デバイス及びその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP1881538B1 (fr) | 2009-06-24 |
JP5042736B2 (ja) | 2012-10-03 |
DE602007001366D1 (de) | 2009-08-06 |
EP1881538A1 (fr) | 2008-01-23 |
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