JP2008046450A - ミラー制御装置およびミラー制御方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】ミラーの共振周波数を所望の値に維持する。
【解決手段】ミラー制御装置は、回動可能に支持されたミラー230と、ミラー230から離間して配置された電極340a〜340dと、ミラー230の所望の傾斜角に応じた駆動電圧を電極毎に生成する駆動電圧生成手段401と、ミラー230の共振周波数を検出するミラー共振周波数検出手段402と、各電極340a〜340dに共通のバイアス電圧を生成し、バイアス電圧と電極毎の駆動電圧とを加算して、加算後の電圧を対応する電極340a〜340dに印加するバイアス電圧印加手段403とを備える。バイアス電圧印加手段403は、ミラー230の共振周波数が所望の値になるようにバイアス電圧を制御する。
【選択図】 図3

Description

本発明は、通信用の光スイッチやスキャナ等に使用されるミラー制御装置およびミラー制御方法に関するものである。
光スイッチ等のハードウェアを実現する技術の一つとして、マイクロマシン技術により製作されるミラー制御装置が提案されている(例えば、特許文献1参照)。図1は本発明の実施の形態に係るミラー制御装置の構成を示す分解斜視図、図2は図1のミラー制御装置の断面図であるが、従来のミラー制御装置においても機械的な構成は同様であるので、図1、図2を用いて従来のミラー制御装置を説明する。
ミラー制御装置100は、ミラーが形成されたミラー基板(上部基板)200と、電極が形成された電極基板(下部基板)300とが平行に配設された構造を有する。
ミラー基板200は、板状の枠部210と、枠部210の開口内に配設された可動枠220と、可動枠220の開口内に配設されたミラー230とを有する。枠部210、トーションバネ211a,211b,221a,221b、可動枠220およびミラー230は、例えば単結晶シリコンで一体形成されている。ミラー230の表面には例えば3層のTi/Pt/Au層が形成されている。一対のトーションバネ211a,211bは、枠部210と可動枠220とを連結している。可動枠220は、一対のトーションバネ211a,211bを通る図1の可動枠回動軸xを軸として回動することができる。同様に、一対のトーションバネ221a,221bは、可動枠220とミラー230とを連結している。ミラー230は、一対のトーションバネ221a,221bを通る図1のミラー回動軸yを軸として回動することができる。可動枠回動軸xとミラー回動軸yとは、互いに直交している。結果として、ミラー230は、直交する2軸で回動する。
電極基板300は、板状の基部310と、段丘状の突出部320とを有する。基部310と突出部320は例えば単結晶シリコンからなる。突出部320は、基部310の上面に形成された角錐台の形状を有する第2テラス322と、第2テラス322の上面に形成された角錐台の形状を有する第1テラス321と、第1テラス321の上面に形成された柱状の形状を有するピボット330とから構成される。突出部320の四隅とこの四隅に続く基部310の上面には、4つの電極340a〜340dが形成されている。また、基部310の上面には、突出部320を挟むように並設された一対の凸部360a,360bが形成されている。さらに、基部310の上面には、配線370が形成されており、この配線370には、引き出し線341a〜341dを介して電極340a〜340dが接続されている。なお、基部310の表面には酸化シリコン等からなる絶縁層311が形成されており、この絶縁層311の上に電極340a〜340d、引き出し線341a〜341d、配線370が形成されている。
以上のようなミラー基板200と電極基板300とは、ミラー230と電極340a〜340dとが対向配置されるように、枠部210の下面と凸部360a,360bの上面とを接合することにより、図2に示すようなミラー制御装置100を構成する。このようなミラー制御装置100においては、ミラー230を接地し、電極340a〜340dに正の駆動電圧を与えて、しかも電極340a〜340d間に非対称な電位差を生じさせることにより、ミラー230を静電引力で吸引し、ミラー230を任意の方向へ回動させることができる。
特開2003−57575号公報
例えばミラーを振動させてレーザ光を走査する共振型スキャナにミラー制御装置100を用いる場合、スキャナの走査周波数をミラー230の共振周波数に合わせるようにすれば、スキャナを安定かつ効率的に駆動することができ、スキャナの高速化にとって有利である。しかしながら、材質の経年変化や環境の変化などが要因となって、ミラー230の共振周波数が変化してしまうという問題点があり、スキャナの走査周波数が変化してしまう可能性があった。
本発明は、上記課題を解決するためになされたもので、ミラーの共振周波数を所望の値に維持することができるミラー制御装置およびミラー制御方法を提供することを目的とする。
本発明のミラー制御装置は、回動可能に支持されたミラーと、このミラーから離間して配置された複数の電極と、前記ミラーの所望の傾斜角に応じた駆動電圧を前記電極毎に生成する駆動電圧生成手段と、前記ミラーの共振周波数を検出するミラー共振周波数検出手段と、各電極に共通のバイアス電圧を生成し、このバイアス電圧と前記電極毎の駆動電圧とをそれぞれ加算して、加算後の電圧を対応する前記電極に印加するバイアス電圧印加手段とを備え、前記バイアス電圧印加手段は、前記ミラーの共振周波数が所望の値になるように前記バイアス電圧を制御するものである。
また、本発明のミラー制御装置の1構成例において、前記ミラー共振周波数検出手段は、前記ミラーの反射光の周期性に基づいて前記ミラーの共振周波数を検出するようにしたものである。
また、本発明のミラー制御装置の1構成例において、前記ミラー共振周波数検出手段は、前記電極に流れる駆動電流の周期性に基づいて前記ミラーの共振周波数を検出するようにしたものである。
また、本発明のミラー制御装置の1構成例において、前記バイアス電圧印加手段は、前記ミラーの共振周波数の上昇に応じて前記バイアス電圧を上昇させ、前記ミラーの共振周波数の低下に応じて前記バイアス電圧を低下させるようにしたものである。
また、本発明は、回動可能に支持されたミラーとこのミラーから離間して配置された複数の電極とを備えたミラー制御装置に対して、前記電極に駆動電圧を印加することより前記ミラーの動きを制御するミラー制御方法であって、前記ミラーの所望の傾斜角に応じた駆動電圧を前記電極毎に生成する駆動電圧生成ステップと、各電極に共通のバイアス電圧を生成し、このバイアス電圧と前記電極毎の駆動電圧とをそれぞれ加算して、加算後の電圧を対応する前記電極に印加するバイアス電圧印加ステップとを備え、前記バイアス電圧印加ステップは、前記ミラーの共振周波数が所望の値になるように、前記ミラーの共振周波数が前記所望の値より高い場合には前記バイアス電圧を上昇させ、前記ミラーの共振周波数が前記所望の値より低い場合には前記バイアス電圧を低下させるようにしたものである。
本発明によれば、ミラーの共振周波数が所望の値になるように、各電極に共通のバイアス電圧を制御することにより、ミラーを所望の周波数で共振させることができ、材質の経年変化や環境の変化などのようにミラーの共振周波数を変化させる要因が生じたとしても、ミラーの共振周波数を所望の値に維持することができる。
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。図1は本発明の実施の形態に係るミラー制御装置の構成を示す分解斜視図、図2は図1のミラー制御装置の断面図である。前述のとおり、枠部210、トーションバネ211a,211b,221a,221b、可動枠220およびミラー230は導電性の材料(本実施の形態では単結晶シリコン)で一体形成されており、ミラー230はミラー基板200に対して回動可能に支持されている。一方、単結晶シリコン等からなる基部310の表面には酸化シリコン等からなる絶縁層311が形成されており、この絶縁層311の上に電極340a〜340d、引き出し線341a〜341d、配線370が形成されている。
本実施の形態と従来のミラー制御装置との大きな相違点は、従来のミラー制御装置ではミラー230を所望の角度に制御するための駆動電圧を電極340a〜340dに印加しているのに対して、本実施の形態では各電極340a〜340dに共通のバイアス電圧と電極毎の駆動電圧との組み合わせ(加減算)で各電極340a〜340dへの印加電圧を決定し、さらにバイアス電圧をミラー230の共振周波数に応じて変化させる点である。
以下、本実施の形態と従来のミラー制御装置との相違点についてより詳細に説明する。図3は本実施の形態のミラー制御装置の電気的な接続関係を示すブロック図である。
ミラー電圧印加手段400は、枠部210とトーションバネ211a,211bと可動枠220とトーションバネ221a,221bとを介してミラー230に接地電位を印加する。
駆動電圧生成手段401は、ミラー230の所望の傾斜角に応じた駆動電圧を電極340a〜340d毎に生成する。駆動電圧生成手段401は、予めミラー230の傾斜角と駆動電圧値との関係が設定されたテーブルを内部に備えており、ミラー230の所望の傾斜角に対応する駆動電圧値をテーブルから取得して、電極毎の駆動電圧を生成する。
ミラー共振周波数検出手段402は、ミラー230の共振周波数を検出する。ミラー230の共振周波数を検出する方法としては、ミラー230の反射光に基づいて検出する方法と、ミラー駆動電流に基づいて検出する方法とがある。
図4に示すように傾斜角が周期的に変化するようにミラー230を振動させて、光源500からのレーザ光をミラー230で反射させ、対象物体501をレーザ光で走査する共振型スキャナの場合、ミラー230の反射光の位置は周期的に変化する。そこで、図4に示すようにミラー230と対象物体501との間の光路から外れた位置にフォトダイオードなどの受光素子502を設置して、この受光素子502にもミラー230の反射光が入射するようにしておけば、反射光が受光素子502に入射する周波数を検出することにより、ミラー230の共振周波数を検出できることになる。
また、ミラー230が振動すると、ミラー230と電極340a〜340dとの距離は周期的に変化する。このため、ミラー230と電極340a〜340dとの間の静電容量が周期的に変化し、電極340a〜340dに流れる駆動電流も周期的に変化することになる。そこで、電極340a〜340dに流れる駆動電流の周波数を検出すれば、ミラー230の共振周波数を検出できることになる。なお、駆動電流は、電極340a〜340dのうちミラー230の駆動に係わる少なくとも1つについて検出すればよい。
ミラー230を振動させる方法としては、所望の共振周波数に近い正弦波信号を駆動電圧として電極340a〜340dに印加する第1の方法と、ステップ関数あるいはインパルス関数などの信号を駆動電圧として電極340a〜340dに印加する第2の方法がある。第2の方法は、後述する初期化時やメンテナンス時に利用する方法である。
バイアス電圧印加手段403は、各電極340a〜340dに共通のバイアス電圧Vbと駆動電圧生成手段401が生成した電極毎の駆動電圧とをそれぞれ加算して、加算後の電圧を対応する電極340a〜340dに印加する。各電極340a〜340dには、それぞれ引き出し線341a〜341dを介して電圧が印加される。このとき、バイアス電圧印加手段403は、ミラー共振周波数検出手段402が検出したミラー230の共振周波数に応じてバイアス電圧Vbを変化させる。
図5にバイアス電圧Vbを0Vから50Vまで変化させたときのミラー230の周波数特性を測定した結果を示す。図5に示すように、周波数特性のピーク位置、すなわちミラー230の共振周波数は、バイアス電圧Vbを上げていくことにより下がっていくことが分かる。つまり、バイアス電圧Vbを変化させると、ミラー230の共振周波数を制御できることになる。
図6はバイアス電圧印加手段403の構成例を示すブロック図である。バイアス電圧印加手段403は、予め設定されたミラー230の基準共振周波数frefに対応する基準電圧Vfrefを受けて、この基準電圧Vfrefから後述するFV変換部407の出力電圧を減算する減算部404と、減算部404の出力電圧が零になるようにバイアス電圧Vbを生成するバイアス電圧制御部405と、バイアス電圧Vbと駆動電圧生成手段401が生成した電極毎の駆動電圧とをそれぞれ加算する加算部406a〜406dと、ミラー共振周波数検出手段402が検出したミラー230の共振周波数の値fを電圧に変換するFV(周波数−電圧)変換部407とから構成される。
ミラー230の共振周波数fに応じた電圧が減算部404に入力されるため、ミラー230の共振周波数fが基準共振周波数frefに対して低くなると、減算部404の出力には正の電圧が現れる。バイアス電圧制御部405は、この正の電圧に応じてバイアス電圧Vbを低下させて、減算部404の出力電圧が零になるようにする。バイアス電圧制御部405には、減算部404の出力電圧とバイアス電圧Vbとの関係が、テーブル若しくは計算式の形で予め登録されている。バイアス電圧制御部405は、テーブル若しくは計算式に従って、減算部404の出力電圧に応じたバイアス電圧Vbを生成する。
加算部406a〜406dは、各電極に共通のバイアス電圧Vbと駆動電圧生成手段401が生成した電極毎の駆動電圧とをそれぞれ加算して、加算後の電圧を対応する電極340a〜340dに印加する。バイアス電圧Vbの低下により、ミラー230の共振周波数fは上昇して基準共振周波数frefに近づく。
一方、ミラー230の共振周波数fが基準共振周波数frefに対して高くなると、減算部404の出力には負の電圧が現れる。バイアス電圧制御部405は、この負の電圧に応じてバイアス電圧Vbを上昇させて、減算部404の出力電圧が零になるようにする。バイアス電圧Vbの上昇により、ミラー230の共振周波数fは低下して基準共振周波数frefに近づく。
以上のようなフィードバック制御により、バイアス電圧印加手段403は、ミラー230の共振周波数fが基準共振周波数frefと一致するようにバイアス電圧Vbを制御する。
本実施の形態によれば、ミラー230を所望の周波数で共振させることができ、材質の経年変化や環境の変化などのようにミラー230の共振周波数を変化させる要因が生じたとしても、ミラー230の共振周波数を所望の値に維持することができる。したがって、本実施の形態のミラー制御装置を共振型スキャナに用いる場合、スキャナの走査周波数を設計当初の高い値に維持することができる。
なお、本実施の形態では、電極340a〜340dへの電圧印加→ミラー230の共振周波数検出→バイアス電圧制御という一連のフィードバック制御を装置の通常の運用時に繰り返し行う場合で説明したが、このような制御方法以外に、装置を起動した初期化時のみ行う制御方法や、定期的なメンテナンス時のみ行う制御方法が考えられる。
初期化時のみ行う制御方法の場合は、例えば光スイッチのように複数のミラー230が存在する装置において、個々のミラー230によって異なる共振周波数を均一化する場合を想定している。
一方、メンテナンス時のみ行う制御方法の場合は、ミラー230の共振周波数の変化が例えば経時変化のように緩やかな場合で、装置のメンテナンスに合わせた定期的な(あるいは間欠的な)共振周波数の補正でも十分対応しうる場合を想定している。
なお、初期化時あるいはメンテナンス時のみミラー230の共振周波数を調整する場合は、共振周波数が所望の値になるまで前記一連のフィードバック制御を行って、共振周波数を調整した後は、この調整のときに決定したバイアス電圧Vbの値を次の初期化時あるいはメンテナンス時まで維持することになる。
本発明は、ミラー制御装置に適用することができる。
本発明の実施の形態に係るミラー制御装置の構成を示す分解斜視図である。 図1のミラー制御装置の断面図である。 本発明の実施の形態に係るミラー制御装置の電気的な接続関係を示すブロック図である。 共振型スキャナの模式的な構成を示すブロック図である。 バイアス電圧を変化させたときのミラーの周波数特性を測定した結果を示す図である。 本発明の実施の形態に係るミラー制御装置のバイアス電圧印加手段の構成例を示すブロック図である。
符号の説明
100…ミラー制御装置、200…ミラー基板、211a,211b,221a,221b…トーションバネ、220…可動枠、230…ミラー、300…電極基板、340a〜340d…電極、400…ミラー電圧印加手段、401…駆動電圧生成手段、402…ミラー共振周波数検出手段、403…バイアス電圧印加手段、404…減算部、405…バイアス電圧制御部、406a〜406d…加算部、407…FV変換部。

Claims (5)

  1. 回動可能に支持されたミラーと、
    このミラーから離間して配置された複数の電極と、
    前記ミラーの所望の傾斜角に応じた駆動電圧を前記電極毎に生成する駆動電圧生成手段と、
    前記ミラーの共振周波数を検出するミラー共振周波数検出手段と、
    各電極に共通のバイアス電圧を生成し、このバイアス電圧と前記電極毎の駆動電圧とをそれぞれ加算して、加算後の電圧を対応する前記電極に印加するバイアス電圧印加手段とを備え、
    前記バイアス電圧印加手段は、前記ミラーの共振周波数が所望の値になるように前記バイアス電圧を制御することを特徴とするミラー制御装置。
  2. 請求項1記載のミラー制御装置において、
    前記ミラー共振周波数検出手段は、前記ミラーの反射光の周期性に基づいて前記ミラーの共振周波数を検出することを特徴とするミラー制御装置。
  3. 請求項1記載のミラー制御装置において、
    前記ミラー共振周波数検出手段は、前記電極に流れる駆動電流の周期性に基づいて前記ミラーの共振周波数を検出することを特徴とするミラー制御装置。
  4. 請求項1乃至3のいずれか1項に記載のミラー制御装置において、
    前記バイアス電圧印加手段は、前記ミラーの共振周波数の上昇に応じて前記バイアス電圧を上昇させ、前記ミラーの共振周波数の低下に応じて前記バイアス電圧を低下させることを特徴とするミラー制御装置。
  5. 回動可能に支持されたミラーとこのミラーから離間して配置された複数の電極とを備えたミラー制御装置に対して、前記電極に駆動電圧を印加することより前記ミラーの動きを制御するミラー制御方法であって、
    前記ミラーの所望の傾斜角に応じた駆動電圧を前記電極毎に生成する駆動電圧生成ステップと、
    各電極に共通のバイアス電圧を生成し、このバイアス電圧と前記電極毎の駆動電圧とをそれぞれ加算して、加算後の電圧を対応する前記電極に印加するバイアス電圧印加ステップとを備え、
    前記バイアス電圧印加ステップは、前記ミラーの共振周波数が所望の値になるように、前記ミラーの共振周波数が前記所望の値より高い場合には前記バイアス電圧を上昇させ、前記ミラーの共振周波数が前記所望の値より低い場合には前記バイアス電圧を低下させることを特徴とするミラー制御方法。
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