JP2008044923A - カルバゾ−ル含有アミン化合物およびその用途 - Google Patents
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Abstract
Description
すなわち本発明は、下記一般式[1]で表されるカルバゾ−ル含有アミン化合物に関する。
Ar2〜Ar4は、それぞれ独立に、置換基を有してもよい炭素数6〜18の一価の芳香族炭化水素基、置換基を有してもよい炭素数2〜18の一価の複素環基(但し、下記一般式[2]の場合を除く。)を表し、
Aは、置換基を有してもよい炭素数10〜30のアリ−レン基を表す。)
R1〜R7は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、もしくは、一価の有機残基を表す。)
また、本発明は、Aが、下記一般式[4]で表されることを特徴とする請求項1もしくは2記載のカルバゾ−ル含有アミン化合物に関する。
R30とR31、R32とR33、R34とR35、または、R36とR37が、置換基同士で結合して環を形成しても良い。)
一般式[14]
注入機能;電界印加時に陽極または正孔注入層より正孔を注入することができ、陰極または電子注入層より電子を注入することができる機能
輸送機能;注入した電荷(電子と正孔)を電界の力で移動させる機能
発光機能;電子と正孔の再結合の場を提供し、これを発光につなげる機能
ただし、正孔の注入されやすさと電子の注入されやすさには、違いがあってもよく、また正孔と電子の移動度で表される輸送能に大小があってもよいが、どちらか一方の電荷を移動することが好ましい。
9,10−ビス(N−(4−(2−フェニルビニル−1−イル)フェニル)−N−フェニルアミノ)アントラセン等も発光層の材料として用いることができる。さらには、特開平8−12600号公報に開示されているような下記一般式[21]で示されるフェニルアントラセン誘導体も発光材料として用いることができる。
A1−L−A2
有機EL積層構造体の各層のエネルギ−準位を規定し、トンネル注入を利用して発光させるもの(欧州特許第0390551号公報)。
同じくトンネル注入を利用する素子で実施例として白色発光素子が記載されているもの(特開平3−230584号公報)。
二層構造の発光層が記載されているもの(特開平2−220390号公報および特開平2−216790号公報)。
発光層を複数に分割してそれぞれ発光波長の異なる材料で構成されたもの(特開平4−51491号公報)。
青色発光体(蛍光ピ−ク380〜480nm)と緑色発光体(480〜580nm)とを積層させ、さらに赤色蛍光体を含有させた構成のもの(特開平6−207170号公報)。
青色発光層が青色蛍光色素を含有し、緑色発光層が赤色蛍光色素を含有した領域を有し、さらに緑色蛍光体を含有する構成のもの(特開平7−142169号公報)。
これらの中では、上記の構成のものが特に好ましい。
化合物(1)の製造方法
合成スキ−ムは式1〜3のとおりである。
窒素気流下、4つ口フラスコ中、ニトロベンゼン10g中に、N,N−ジフェニルアミン10g、4、4'−ジヨ−ドビフェニル30g、および無水炭酸カリウム9.4g、銅粉0.8gを200℃にて10時間加熱撹拌した。反応終了後、100gのトルエンで抽出を行ない、トルエン層を濃縮した。シリカゲルを用いたカラムクロマトグラフィ−により精製を行ない白色の蛍光を有する粉末8gを得た。FD−MSよる分子量分析により、化合物(III)であることを確認した。
窒素気流下、4つ口フラスコ中、1,3−ジメチル−2−イニダゾリジノン10g中に、3−ブロモ−9−フェニルカルバゾ−ル(IV)6.4g、アニリン2.3g、および無水炭酸カリウム2.0g、銅粉0.2gを200℃にて10時間加熱撹拌した。反応終了後、100gのトルエンで抽出を行ない、トルエン層を濃縮した。シリカゲルを用いたカラムクロマトグラフィ−により精製を行ない白色の個体5gを得た。FD−MSよる分子量分析により、化合物(VI)であることを確認した。
窒素気流下、4つ口フラスコ中、中間体(iii)7.4g、中間体(VI)5.5g、酢酸パラジウム0.35g、トリ−tert−ブチルホスフィン1.34g、ナトリウム−tert−ブトキサイド2.0gを200mlの4つ口フラスコにいれ、脱水キシレン50mlを加えて、1.5時間加熱還流した。反応液をメタノ−ル500ml中に注入し、析出した固体をろ取し、熱真空乾燥させた。粗生成物として(VII)(=化合物(1))が9.2g(収率85%)で得られた。得られた粗成生物を、シリカゲルカラムクロマトグラフィ−により精製し、さらに昇華精製を行った。この化合物の、元素分析(パ−キンエルマ−社製、2400II CHNO/O型)、1H−NMR、13C−NMR(日本電子製、GSX−270W)分析により、化合物(1)であることを確認した。
以下に、生成物の元素分析結果を、図1に1H−NMRスペクトルを示す。
C48H35N3 として
計算値(%):C:88.18 H:5.40 N:6.43
実測値(%):C:88.21 H:5.38 N:6.41
なお、化合物(1)の合成に使用した3−ブロモ−9−フェニルカルバゾ−ル(IV)は、工業化学雑誌,1967年発行,70巻,63頁を参考にして、カルバゾ−ルの3位を臭素化し、ついで銅触媒を用いたウルマン法によりヨ−ドベンゼンを反応させて合成したものを用いた。
化合物(2)の製造方法
合成スキ−ムは式4〜5のとおりである。
窒素気流下、4つ口フラスコ中、ニトロベンゼン10g中に、N−フェニル−1−ナフチルアミン13g、4、4'−ジヨ−ドビフェニル30g、および無水炭酸カリウム9.4g、銅粉0.8gを200℃にて10時間加熱撹拌した。反応終了後、100gのトルエンで抽出を行ない、トルエン層を濃縮した。シリカゲルを用いたカラムクロマトグラフィ−により精製を行ない淡黄色の蛍光を有する粉末9gを得た。FD−MSよる分子量分析により、化合物(IX)であることを確認した。
窒素気流下、4つ口フラスコ中、中間体(IX)7.9g、式2で得られた中間体(VI)5.5g、酢酸パラジウム0.35g、トリ−tert−ブチルホスフィン1.34g、ナトリウム−tert−ブトキサイド2.0gを200mlの4つ口フラスコにいれ、脱水キシレン50mlを加えて、1.5時間加熱還流した。反応液をメタノ−ル500ml中に注入し、析出した固体を濾取し、熱真空乾燥させた。粗生成物として(X)(=化合物(2))が8.1g(収率72%)で得られた。得られた粗成生物を、シリカゲルカラムクロマトグラフィ−により精製し、さらに昇華精製を行った。この化合物の、元素分析(パ−キンエルマ−社製、2400II CHNO/O型)、1H−NMR、13C−NMR(日本電子製、GSX−270W)分析により、化合物(2)であることを確認した。以下に、生成物の元素分析結果を、図2に1H−NMRスペクトルを示す。
C52H37N3 として
計算値(%):C:88.73 H:5.30 N:5.97
実測値(%):C:88.56 H:5.38 N:6.03
化合物(3)の製造方法
合成スキ−ムは式6〜7のとおりである。
窒素気流下、4つ口フラスコ中、1,3−ジメチル−2−イミダゾリジノン10g中に、3−ブロモ−9−フェニルカルバゾ−ル(IV)6.4g、1−ナフチルアミン3.5g、および無水炭酸カリウム2.0g、銅粉0.2gを200℃にて10時間加熱撹拌した。反応終了後、100gのトルエンで抽出を行ない、トルエン層を濃縮した。シリカゲルを用いたカラムクロマトグラフィ−により精製を行ない白色の個体6gを得た。FD−MSよる分子量分析により、化合物(XII)であることを確認した。
窒素気流下、4つ口フラスコ中、式1より得られた中間体(iii)7.4g、中間体(XII)6.0g、酢酸パラジウム0.35g、トリ−tert−ブチルホスフィン1.34g、ナトリウム−tert−ブトキサイド2.0gを200mlの4つ口フラスコにいれ、脱水キシレン50mlを加えて、1.5時間加熱還流した。反応液をメタノ−ル500ml中に注入し、析出した固体をろ取し、熱真空乾燥させた。粗生成物として(XIII)(=化合物(3))が7.3g(収率65%)で得られた。得られた粗成生物を、シリカゲルカラムクロマトグラフィ−により精製し、さらに昇華精製を行った。この化合物の、元素分析(パ−キンエルマ−社製、2400II CHNO/O型)、1H−NMR、13C−NMR(日本電子製、GSX−270W)分析により、化合物(3)であることを確認した。以下に、生成物の元素分析結果を示す。
C53H38N3 として
計算値(%):C:88.80 H:5.34 N:5.86
実測値(%):C:88.61 H:5.38 N:6.01
化合物(4)の製造方法
合成スキ−ムは式8のとおりである。
窒素気流下、4つ口フラスコ中、式4より得られた中間体(IX)7.9g、中間体(XII)6.0g、酢酸パラジウム0.35g、トリ−tert−ブチルホスフィン1.34g、ナトリウム−tert−ブトキサイド2.0gを200mlの4つ口フラスコにいれ、脱水キシレン50mlを加えて、1.5時間加熱還流した。反応液をメタノ−ル500ml中に注入し、析出した固体をろ取し、熱真空乾燥させた。粗生成物として(XIV)(=化合物(4))が8.5g(収率71%)で得られた。得られた粗成生物を、シリカゲルカラムクロマトグラフィ−により精製し、さらに昇華精製を行った。この化合物の、元素分析(パ−キンエルマ−社製、2400II CHNO/O型)、1H−NMR、13C−NMR(日本電子製、GSX−270W)分析により、化合物(4)であることを確認した。以下に、生成物の元素分析結果を示す。
C56H39N3 として
計算値(%):C:89.21 H:5.21 N:5.57
実測値(%):C:89.25 H:5.36 N:5.39
化合物(5)の製造方法
合成スキ−ムは式9〜11のとおりである。
窒素気流下、4つ口フラスコ中、ニトロベンゼン10g中に、N、N−ビス(p-ビフェニル)アミン13g、4、4'−ジヨ−ドビフェニル30g、および無水炭酸カリウム9.4g、銅粉0.8gを200℃にて10時間加熱撹拌した。反応終了後、100gのトルエンで抽出を行ない、トルエン層を濃縮した。シリカゲルを用いたカラムクロマトグラフィ−により精製を行ない淡黄色の蛍光を有する粉末9gを得た。FD−MSよる分子量分析により、化合物(XVI)であることを確認した。
窒素気流下、4つ口フラスコ中、1,3−ジメチル−2−イミダゾリジノン10g中に、3−ブロモ−9−フェニルカルバゾ−ル(IV)6.4g、4−アミノビフェニル4.2g、および無水炭酸カリウム2.0g、銅粉0.2gを200℃にて10時間加熱撹拌した。反応終了後、100gのトルエンで抽出を行ない、トルエン層を濃縮した。シリカゲルを用いたカラムクロマトグラフィ−により精製を行ない白色の個体4.6gを得た。FD−MSよる分子量分析により、化合物(XVIII)であることを確認した。
窒素気流下、4つ口フラスコ中、中間体(XVI)9.6g、中間体(XVIII)6.6g、酢酸パラジウム0.35g、トリ−tert−ブチルホスフィン1.34g、ナトリウム−tert−ブトキサイド2.0gを200mlの4つ口フラスコにいれ、脱水キシレン50mlを加えて、1.5時間加熱還流した。反応液をメタノ−ル500ml中に注入し、析出した固体をろ取し、熱真空乾燥させた。粗生成物として(XIX)(=化合物(5))が8.7g(収率62%)で得られた。得られた粗成生物を、シリカゲルカラムクロマトグラフィ−により精製し、さらに昇華精製を行った。この化合物の、元素分析(パ−キンエルマ−社製、2400II CHNO/O型)、1H−NMR、13C−NMR(日本電子製、GSX−270W)分析により、化合物(5)であることを確認した。以下に、生成物の元素分析結果を示す。
C67H51N3 として
計算値(%):C:89.60 H:5.72 N:4.68
実測値(%):C:89.50 H:5.48 N:5.02
化合物(6)の製造方法
合成スキ−ムは式12〜13のとおりである。
窒素気流下、4つ口フラスコ中、ニトロベンゼン10g中に、N−フェニル−N-p−ビフェニリルアミン15g、4、4'−ジヨ−ドビフェニル30g、および無水炭酸カリウム9.4g、銅粉0.8gを200℃にて10時間加熱撹拌した。反応終了後、100gのトルエンで抽出を行ない、トルエン層を濃縮した。シリカゲルを用いたカラムクロマトグラフィ−により精製を行ない淡黄色の蛍光を有する粉末10gを得た。FD−MSよる分子量分析により、化合物(XXI)であることを確認した。
窒素気流下、4つ口フラスコ中、中間体(XXI)8.3g、中間体(XVIII)6.5g、酢酸パラジウム0.35g、トリ−tert−ブチルホスフィン1.34g、ナトリウム−tert−ブトキサイド2.0gを200mlの4つ口フラスコにいれ、脱水キシレン50mlを加えて、1.5時間加熱還流した。反応液をメタノ−ル500ml中に注入し、析出した固体をろ取し、熱真空乾燥させた。粗生成物として(XXIII)(=化合物(6))が8.9g(収率67%)で得られた。得られた粗成生物を、シリカゲルカラムクロマトグラフィ−により精製し、さらに昇華精製を行った。この化合物の、元素分析(パ−キンエルマ−社製、2400II CHNO/O型)、1H−NMR、13C−NMR(日本電子製、GSX−270W)分析により、化合物(6)であることを確認した。以下に、生成物の元素分析結果を示す。
C60H43N3 として
計算値(%):C:89.41 H:5.38 N:5.21
実測値(%):C:89.25 H:5.35 N:6.40
化合物(7)の製造方法
合成スキ−ムは式14〜15のとおりである。
窒素気流下、4つ口フラスコ中、ニトロベンゼン10g中に、N−フェニル−N−9−フェナントリルアミン20g、4、4'−ジヨ−ドビフェニル30g、および無水炭酸カリウム9.4g、銅粉0.8gを200℃にて10時間加熱撹拌した。反応終了後、100gのトルエンで抽出を行ない、トルエン層を濃縮した。シリカゲルを用いたカラムクロマトグラフィ−により精製を行ない淡黄色の蛍光を有する粉末12gを得た。FD−MSよる分子量分析により、化合物(XXV)であることを確認した。
窒素気流下、4つ口フラスコ中、中間体(XXV)8.7g、中間体(VI)6.6g、酢酸パラジウム0.35g、トリ−tert−ブチルホスフィン1.34g、ナトリウム−tert−ブトキサイド2.0gを200mlの4つ口フラスコにいれ、脱水キシレン50mlを加えて、1.5時間加熱還流した。反応液をメタノ−ル500ml中に注入し、析出した固体をろ取し、熱真空乾燥させた。粗生成物として(XXVI)(=化合物(7))が8.5g(収率63%)で得られた。得られた粗成生物を、シリカゲルカラムクロマトグラフィ−により精製し、さらに昇華精製を行った。この化合物の、元素分析(パ−キンエルマ−社製、2400II CHNO/O型)、1H−NMR、13C−NMR(日本電子製、GSX−270W)分析により、化合物(7)であることを確認した。以下に、生成物の元素分析結果を、図3に1H−NMRスペクトルを示す。
C56H39N3 として
計算値(%):C:89.21 H:5.21 N:5.57
実測値(%):C:89.31 H:5.38 N:5.31
化合物(8)の製造方法
合成スキ−ムは式16〜17のとおりである。
窒素気流下、4つ口フラスコ中、ニトロベンゼン10g中に、N−(1−ナフチル)−N−(2−ナフチル)アミン18g、4、4'−ジヨ−ドビフェニル30g、および無水炭酸カリウム9.4g、銅粉0.8gを200℃にて10時間加熱撹拌した。反応終了後、100gのトルエンで抽出を行ない、トルエン層を濃縮した。シリカゲルを用いたカラムクロマトグラフィ−により精製を行ない淡黄色の蛍光を有する粉末10gを得た。FD−MSよる分子量分析により、化合物(XXVIII)であることを確認した。
窒素気流下、4つ口フラスコ中、中間体(XXVIII)8.7g、中間体(XXIX)6.2g、酢酸パラジウム0.35g、トリ−tert−ブチルホスフィン1.34g、ナトリウム−tert−ブトキサイド2.0gを200mlの4つ口フラスコにいれ、脱水キシレン50mlを加えて、1.5時間加熱還流した。反応液をメタノ−ル500ml中に注入し、析出した固体をろ取し、熱真空乾燥させた。粗生成物として(XXX)(=化合物(8))が7.8g(収率60%)で得られた。得られた粗成生物を、シリカゲルカラムクロマトグラフィ−により精製し、さらに昇華精製を行った。この化合物の、元素分析(パ−キンエルマ−社製、2400II CHNO/O型)、1H−NMR、13C−NMR(日本電子製、GSX−270W)分析により、化合物(8)であることを確認した。以下に、生成物の元素分析結果を示す。
C60H41N3 として
計算値(%):C:89.63 H:5.14 N:5.23
実測値(%):C:89.50 H:5.23 N:5.27
化合物(9)の製造方法
合成スキ−ムは式18に従う。
窒素気流下、4つ口フラスコ中、中間体(XXXI)7.9g、中間体(XXIX)6.1g、酢酸パラジウム0.35g、トリ−tert−ブチルホスフィン1.34g、ナトリウム−tert−ブトキサイド2.0gを200mlの4つ口フラスコにいれ、脱水キシレン50mlを加えて、1.5時間加熱還流した。反応液をメタノ−ル500ml中に注入し、析出した固体をろ取し、熱真空乾燥させた。粗生成物として(XXXII)(=化合物(9))が7.8g(収率65%)で得られた。得られた粗成生物を、シリカゲルカラムクロマトグラフィ−により精製し、さらに昇華精製を行った。この化合物の、元素分析(パ−キンエルマ−社製、2400II CHNO/O型)、1H−NMR、13C−NMR(日本電子製、GSX−270W)分析により、化合物(9)であることを確認した。以下に、生成物の元素分析結果を示す。
C56H39N3 として
計算値(%):C:89.21 H:5.21 N:5.57
実測値(%):C:89.02 H:5.38 N:5.60
化合物(10)の製造方法
合成スキ−ムは式19に従う。
窒素気流下、4つ口フラスコ中、中間体(XXXIII)8.7g、中間体(XXIV)7.0g、酢酸パラジウム0.35g、トリ−tert−ブチルホスフィン1.34g、ナトリウム−tert−ブトキサイド2.0gを200mlの4つ口フラスコにいれ、脱水キシレン50mlを加えて、1.5時間加熱還流した。反応液をメタノ−ル500ml中に注入し、析出した固体をろ取し、熱真空乾燥させた。粗生成物として(XXXV)(=化合物(10))が8.2g(収率60%)で得られた。得られた粗成生物を、シリカゲルカラムクロマトグラフィ−により精製し、さらに昇華精製を行った。この化合物の、元素分析(パ−キンエルマ−社製、2400II CHNO/O型)、1H−NMR、13C−NMR(日本電子製、GSX−270W)分析により、化合物(10)であることを確認した。以下に、生成物の元素分析結果を示す。
C64H43N3 として
計算値(%):C:90.01 H:5.07 N:4.92
実測値(%):C:90.20 H:5.13 N:4.67
化合物(11)の製造方法
合成スキ−ムは式20に従う。
窒素気流下、4つ口フラスコ中、中間体(XXXVI)8.7g、中間体(XXXVII)7.0g、酢酸パラジウム0.35g、トリ−tert−ブチルホスフィン1.34g、ナトリウム−tert−ブトキサイド2.0gを200mlの4つ口フラスコにいれ、脱水キシレン50mlを加えて、1.5時間加熱還流した。反応液をメタノ−ル500ml中に注入し、析出した固体をろ取し、熱真空乾燥させた。粗生成物として(XXXVIII)(=化合物(11))が8.3g(収率62%)で得られた。得られた粗成生物を、シリカゲルカラムクロマトグラフィ−により精製し、さらに昇華精製を行った。この化合物の、元素分析(パ−キンエルマ−社製、2400II CHNO/O型)、1H−NMR、13C−NMR(日本電子製、GSX−270W)分析により、化合物(11)であることを確認した。以下に、生成物の元素分析結果を示す。
C64H43N3 として
計算値(%):C:90.01 H:5.07 N:4.92
実測値(%):C:90.12 H:5.18 N:4.70
化合物(12)の製造方法
合成スキ−ムは式21に従う。
窒素気流下、4つ口フラスコ中、中間体(XXXIX)7.3g、中間体(XL)5.6g、酢酸パラジウム0.35g、トリ−tert−ブチルホスフィン1.34g、ナトリウム−tert−ブトキサイド2.0gを200mlの4つ口フラスコにいれ、脱水キシレン50mlを加えて、1.5時間加熱還流した。反応液をメタノ−ル500ml中に注入し、析出した固体をろ取し、熱真空乾燥させた。粗生成物として(XL)(=化合物(12))が6.5g(収率60%)で得られた。得られた粗成生物を、シリカゲルカラムクロマトグラフィ−により精製し、さらに昇華精製を行った。この化合物の、元素分析(パ−キンエルマ−社製、2400II CHNO/O型)、1H−NMR、13C−NMR(日本電子製、GSX−270W)分析により、化合物(12)であることを確認した。以下に、生成物の元素分析結果を示す。
C50H39N3 として
計算値(%):C:88.07 H:5.77 N:6.16
実測値(%):C:88.21 H:5.81 N:5.98
化合物(13)の製造方法
合成スキ−ムは式22に従う。
窒素気流下、4つ口フラスコ中、中間体(XLII)7.4g、中間体(XLIII)5.6g、酢酸パラジウム0.35g、トリ−tert−ブチルホスフィン1.34g、ナトリウム−tert−ブトキサイド2.0gを200mlの4つ口フラスコにいれ、脱水キシレン50mlを加えて、1.5時間加熱還流した。反応液をメタノ−ル500ml中に注入し、析出した固体をろ取し、熱真空乾燥させた。粗生成物として(XLIV)(=化合物(13))が7.0g(収率64%)で得られた。得られた粗成生物を、シリカゲルカラムクロマトグラフィ−により精製し、さらに昇華精製を行った。この化合物の、元素分析(パ−キンエルマ−社製、2400II CHNO/O型)、1H−NMR、13C−NMR(日本電子製、GSX−270W)分析により、化合物(13)であることを確認した。以下に、生成物の元素分析結果を示す。
C48H33F2N3 として
計算値(%):C:83.58 H:4.82 F:5.51 N:6.09
実測値(%):C:83.63 H:4.75 F:5.46 N:6.16
化合物(14)の製造方法
合成スキ−ムは式23に従う。
窒素気流下、4つ口フラスコ中、中間体(XLV)7.6g、中間体(XLVI)5.8g、酢酸パラジウム0.35g、トリ−tert−ブチルホスフィン1.34g、ナトリウム−tert−ブトキサイド2.0gを200mlの4つ口フラスコにいれ、脱水キシレン50mlを加えて、1.5時間加熱還流した。反応液をメタノ−ル500ml中に注入し、析出した固体をろ取し、熱真空乾燥させた。粗生成物として(XLVII)(=化合物(14))が6.9g(収率61%)で得られた。得られた粗成生物を、シリカゲルカラムクロマトグラフィ−により精製し、さらに昇華精製を行った。この化合物の、元素分析(パ−キンエルマ−社製、2400II CHNO/O型)、1H−NMR、13C−NMR(日本電子製、GSX−270W)分析により、化合物(14)であることを確認した。以下に、生成物の元素分析結果を示す。
C50H39N3O2として
計算値(%):C:84.12 H:5.51 N:5.89 O:4.48
実測値(%):C:84.18 H:5.42 N:5.68 O:4.72
化合物(15)の製造方法
合成スキ−ムは式23に従う。
窒素気流下、4つ口フラスコ中、中間体(XLVIII)7.2g、中間体(XLIX)5.4g、酢酸パラジウム0.35g、トリ−tert−ブチルホスフィン1.34g、ナトリウム−tert−ブトキサイド2.0gを200mlの4つ口フラスコにいれ、脱水キシレン50mlを加えて、1.5時間加熱還流した。反応液をメタノ−ル500ml中に注入し、析出した固体をろ取し、熱真空乾燥させた。粗生成物として(L)(=化合物(15))が6.5g(収率62%)で得られた。得られた粗成生物を、シリカゲルカラムクロマトグラフィ−により精製し、さらに昇華精製を行った。この化合物の、元素分析(パ−キンエルマ−社製、2400II CHNO/O型)、1H−NMR、13C−NMR(日本電子製、GSX−270W)分析により、化合物(15)であることを確認した。以下に、生成物の元素分析結果を示す。
C46H33N5 として
計算値(%):C:84.25 H:5.07 N:10.68
実測値(%):C:84.21 H:5.18 N:10.61
化合物(16)の製造方法
合成スキ−ムは式24に従う。
窒素気流下、4つ口フラスコ中、中間体(LI)7.2g、中間体(LII)5.4g、酢酸パラジウム0.35g、トリ−tert−ブチルホスフィン1.34g、ナトリウム−tert−ブトキサイド2.0gを200mlの4つ口フラスコにいれ、脱水キシレン50mlを加えて、1.5時間加熱還流した。反応液をメタノ−ル500ml中に注入し、析出した固体をろ取し、熱真空乾燥させた。粗生成物として(LIII)(=化合物(16))が6.8g(収率63%)で得られた。得られた粗成生物を、シリカゲルカラムクロマトグラフィ−により精製し、さらに昇華精製を行った。この化合物の、元素分析(パ−キンエルマ−社製、2400II CHNO/O型)、1H−NMR、13C−NMR(日本電子製、GSX−270W)分析により、化合物(16)であることを確認した。以下に、生成物の元素分析結果を示す。
C44H31N3S2として
計算値(%):C:79.37 H:4.69 N:6.31 S:9.63
実測値(%):C:79.40 H:4.65 N:6.25 S:9.70
化合物(17)の製造方法
合成スキ−ムは式25に従う。
窒素気流下、4つ口フラスコ中、中間体(iii)7.1g、中間体(LIV)5.5g、酢酸パラジウム0.35g、トリ−tert−ブチルホスフィン1.34g、ナトリウム−tert−ブトキサイド2.0gを200mlの4つ口フラスコにいれ、脱水キシレン50mlを加えて、1.5時間加熱還流した。反応液をメタノ−ル500ml中に注入し、析出した固体をろ取し、熱真空乾燥させた。粗生成物として(LV)(=化合物(17))が8.7g(収率82%)で得られた。得られた粗成生物を、シリカゲルカラムクロマトグラフィ−により精製し、さらに昇華精製を行った。この化合物の、元素分析(パ−キンエルマ−社製、2400II CHNO/O型)、1H−NMR、13C−NMR(日本電子製、GSX−270W)分析により、化合物(17)であることを確認した。以下に、生成物の元素分析結果を示す。
C49H37N3 として
計算値(%):C:88.12 H:5.58 N:6.29
実測値(%):C:88.09 H:5.38 N:6.53
化合物(18)の製造方法
合成スキ−ムは式26に従う。
窒素気流下、4つ口フラスコ中、中間体(iii)7.1g、中間体(LVI)5.6g、酢酸パラジウム0.35g、トリ−tert−ブチルホスフィン1.34g、ナトリウム−tert−ブトキサイド2.0gを200mlの4つ口フラスコにいれ、脱水キシレン50mlを加えて、1.5時間加熱還流した。反応液をメタノ−ル500ml中に注入し、析出した固体をろ取し、熱真空乾燥させた。粗生成物として(LV)(=化合物(18))が8.7g(収率81%)で得られた。得られた粗成生物を、シリカゲルカラムクロマトグラフィ−により精製し、さらに昇華精製を行った。この化合物の、元素分析(パ−キンエルマ−社製、2400II CHNO/O型)、1H−NMR、13C−NMR(日本電子製、GSX−270W)分析により、化合物(18)であることを確認した。以下に、生成物の元素分析結果を示す。
C48H34FN3 として
計算値(%):C:85.82 H:5.10 F:2.83 N:6.25
実測値(%):C:85.75 H:5.12 F:2.80 N:6.35
化合物(19)の製造方法
合成スキ−ムは式27に従う。
窒素気流下、4つ口フラスコ中、中間体(iii)7.1g、中間体(LVIII)6.5g、酢酸パラジウム0.35g、トリ−tert−ブチルホスフィン1.34g、ナトリウム−tert−ブトキサイド2.0gを200mlの4つ口フラスコにいれ、脱水キシレン50mlを加えて、1.5時間加熱還流した。反応液をメタノ−ル500ml中に注入し、析出した固体をろ取し、熱真空乾燥させた。粗生成物として(LIX)(=化合物(19))が8.8g(収率76%)で得られた。得られた粗成生物を、シリカゲルカラムクロマトグラフィ−により精製し、さらに昇華精製を行った。この化合物の、元素分析(パ−キンエルマ−社製、2400II CHNO/O型)、1H−NMR、13C−NMR(日本電子製、GSX−270W)分析により、化合物(19)であることを確認した。以下に、生成物の元素分析結果を示す。
C54H39N3 として
計算値(%):C:88.86 H:5.39 N:5.76
実測値(%):C:88.72 H:5.28 N:6.00
化合物(20)の製造方法
合成スキ−ムは式28に従う。
窒素気流下、4つ口フラスコ中、中間体(LX)7.5、中間体(LXI)5.7g、酢酸パラジウム0.35g、トリ−tert−ブチルホスフィン1.34g、ナトリウム−tert−ブトキサイド2.0gを200mlの4つ口フラスコにいれ、脱水キシレン50mlを加えて、1.5時間加熱還流した。反応液をメタノ−ル500ml中に注入し、析出した固体をろ取し、熱真空乾燥させた。粗生成物として(LXII)(=化合物(20))が7.3g(収率65%)で得られた。得られた粗成生物を、シリカゲルカラムクロマトグラフィ−により精製し、さらに昇華精製を行った。この化合物の、元素分析(パ−キンエルマ−社製、2400II CHNO/O型)、1H−NMR、13C−NMR(日本電子製、GSX−270W)分析により、化合物(20)であることを確認した。以下に、生成物の元素分析結果を示す。
C49H32N6 として
計算値(%):C:83.50 H:4.58 N:11.92
実測値(%):C:83.45 H:4.48 N:12.07
化合物(21)の製造方法
合成スキ−ムは式29に従う。
窒素気流下、4つ口フラスコ中、中間体(LXIII)8.4、中間体(VI)5.3g、酢酸パラジウム0.35g、トリ−tert−ブチルホスフィン1.34g、ナトリウム−tert−ブトキサイド2.0gを200mlの4つ口フラスコにいれ、脱水キシレン50mlを加えて、1.5時間加熱還流した。反応液をメタノ−ル500ml中に注入し、析出した固体をろ取し、熱真空乾燥させた。粗生成物として(LXIV)(=化合物(21))が7.2g(収率62%)で得られた。得られた粗成生物を、シリカゲルカラムクロマトグラフィ−により精製し、さらに昇華精製を行った。この化合物の、元素分析(パ−キンエルマ−社製、2400II CHNO/O型)、1H−NMR、13C−NMR(日本電子製、GSX−270W)分析により、化合物(21)であることを確認した。以下に、生成物の元素分析結果を示す。
C54H39N3 として
計算値(%):C:88.86 H:5.39 N:5.76
実測値(%):C:88.76 H:5.28 N:5.96
化合物(22)の製造方法
合成スキ−ムは式30に従う。
窒素気流下、4つ口フラスコ中、中間体(LXV)10.0、中間体(VI)5.3g、酢酸パラジウム0.35g、トリ−tert−ブチルホスフィン1.34g、ナトリウム−tert−ブトキサイド2.0gを200mlの4つ口フラスコにいれ、脱水キシレン50mlを加えて、1.5時間加熱還流した。反応液をメタノ−ル500ml中に注入し、析出した固体をろ取し、熱真空乾燥させた。粗生成物として(LXVI)(=化合物(22))が7.4g(収率56%)で得られた。得られた粗成生物を、シリカゲルカラムクロマトグラフィ−により精製し、さらに昇華精製を行った。この化合物の、元素分析(パ−キンエルマ−社製、2400II CHNO/O型)、1H−NMR、13C−NMR(日本電子製、GSX−270W)分析により、化合物(22)であることを確認した。以下に、生成物の元素分析結果を示す。
C62H43N3 として
計算値(%):C:89.72 H:5.22 N:5.06
実測値(%):C:89.65 H:5.38 N:5.03
化合物(23)の製造方法
合成スキ−ムは式31に従う。
窒素気流下、4つ口フラスコ中、中間体(LXVII)10.0g、中間体(VI)5.3g、酢酸パラジウム0.35g、トリ−tert−ブチルホスフィン1.34g、ナトリウム−tert−ブトキサイド2.0gを200mlの4つ口フラスコにいれ、脱水キシレン50mlを加えて、1.5時間加熱還流した。反応液をメタノ−ル500ml中に注入し、析出した固体をろ取し、熱真空乾燥させた。粗生成物として(LXVIII)(=化合物(23))が5.6g(収率43%)で得られた。得られた粗成生物を、シリカゲルカラムクロマトグラフィ−により精製し、さらに昇華精製を行った。この化合物の、元素分析(パ−キンエルマ−社製、2400II CHNO/O型)、1H−NMR、13C−NMR(日本電子製、GSX−270W)分析により、化合物(23)であることを確認した。以下に、生成物の元素分析結果を示す。
C80H44N4 として
計算値(%):C:87.77 H:5.40 N:6.82
実測値(%):C:87.70 H:5.59 N:6.71
化合物(24)の製造方法
合成スキ−ムは式32に従う。
窒素気流下、4つ口フラスコ中、中間体(LXVII)7.8g、中間体(VI)5.4g、酢酸パラジウム0.35g、トリ−tert−ブチルホスフィン1.34g、ナトリウム−tert−ブトキサイド2.0gを200mlの4つ口フラスコにいれ、脱水キシレン50mlを加えて、1.5時間加熱還流した。反応液をメタノ−ル500ml中に注入し、析出した固体をろ取し、熱真空乾燥させた。粗生成物として(LXVIII)(=化合物(24))が4.6g(収率42%)で得られた。得られた粗成生物を、シリカゲルカラムクロマトグラフィ−により精製し、さらに昇華精製を行った。この化合物の、元素分析(パ−キンエルマ−社製、2400II CHNO/O型)、1H−NMR、13C−NMR(日本電子製、GSX−270W)分析により、化合物(24)であることを確認した。以下に、生成物の元素分析結果を示す。
C50H39N3 として
計算値(%):C:88.07 H:5.77 N:6.16
実測値(%):C:88.20 H:5.58 N:6.22
化合物(25)の製造方法
合成スキ−ムは式33に従う。
窒素気流下、4つ口フラスコ中、中間体(LXIX)7.2g、中間体(LXX)6.2g、酢酸パラジウム0.35g、トリ−tert−ブチルホスフィン1.34g、ナトリウム−tert−ブトキサイド2.0gを200mlの4つ口フラスコにいれ、脱水キシレン50mlを加えて、1.5時間加熱還流した。反応液をメタノ−ル500ml中に注入し、析出した固体をろ取し、熱真空乾燥させた。粗生成物として(LXXI)(=化合物(25))が3.5g(収率31%)で得られた。得られた粗成生物を、シリカゲルカラムクロマトグラフィ−により精製し、さらに昇華精製を行った。この化合物の、元素分析(パ−キンエルマ−社製、2400II CHNO/O型)、1H−NMR、13C−NMR(日本電子製、GSX−270W)分析により、化合物(25)であることを確認した。以下に、生成物の元素分析結果を示す。
C52H37N3 として
計算値(%):C:88.36 H:5.30 N:5.97
実測値(%):C:88.55 H:5.28 N:6.17
実施例25と同様の合成方法により、化合物(26)〜(30)を合成した。表8に、生成物の元素分析結果を示す。
洗浄したITO電極め付きガラス板上に、化合物(1)を真空蒸着して膜厚60nmの正孔注入層を得た。次いで、N,N’−ビス(4’−ジフェニルアミノ−4−ビフェニリル)−N,N’−ジフェニルベンジジンを真空蒸着して20nmの正孔輸送層を得た。さらに、トリス(8−ヒドロキシキノリン)アルミニウム錯体を真空蒸着して膜厚60nmの電子注入型発光層を作成し、その上に、まずフッ化リチウムを1nm、次いでアルミニウムを200nm蒸着して電極を形成して、有機EL素子を得た。
正孔注入層を化合物(1)のかわりに、表1の化合物(2)〜(30)を用いた以外は、実施例31と同様の有機EL素子を作成した。 実施例31〜56の素子を室温および100℃の環境で、10mA/cm2の電流密度で一定時間連続して発光させ輝度を測定した。結果を表9に示す。
ITO電極め付きガラス板上に、銅フタロシアニンを蒸着して膜厚25nmの正孔注入層を形成した。次に、表1の化合物19と化合物(A)とを100:8の組成比で共蒸着して膜厚45nmの発光層を形成した。さらに(B)を蒸着して膜厚20nmの電子注入層を形成した。その上に、酸化リチウム(Li2O)を1nm、さらにアルミニウム(Al)を100nm蒸着によって陰極を形成して有機エレクトロルミネッセンス素子を得た。この素子は、直流電圧10Vでの外g量子効率は6.5%を示した。また、発光輝度150(cd/m2)で定電流駆動したときの半減寿命は5000時間以上であった。
発光層を化合物19のかわりに、表10の化合物を用いた以外は、実施例61と同様の有機EL素子を作成した。 実施例62〜68の素子を室温および100℃の環境で、10mA/cm2の電流密度で一定時間連続して発光させ輝度を測定した。結果を表10に示す。
ITO電極め付きガラス板上に、化合物(C)を蒸着して膜厚60nmの正孔注入層を形成した後、表1の化合物(13)を蒸着して膜厚20nmの正孔輸送層を形成した。次に、Alq3を蒸着して膜厚60nmの電子注入性発光層を形成し、その上に、フッ化リチウムを1nm、さらにアルミニウムを200nm真空蒸着によって電極を形成して有機エレクトロルミネッセンス素子を得た。この素子の直流電圧5Vでの発光効率は1.6(lm/W)であった。また、発光輝度500(cd/m2)で室温にて定電流駆動したときの半減寿命は5000時間以上であった。
正孔輸送層の化合物(13)のかわりに、表11の化合物を用いた以外は、実施例69と同様の有機EL素子を作成した。 実施例64〜67の素子を室温および100℃の環境で、10mA/cm2の電流密度で一定時間連続して発光させ輝度を測定した。結果を表11に示す。
ITO電極め付きガラス板上に、N,N’−ビス(4’−ジフェニルアミノ−4−ビフェニリル)−N,N’−ジフェニルベンジジンを真空蒸着して膜厚40nmの正孔注入層を得た。次いで、化合物(1)と化合物(D)を98:3の比率で共蒸着して、膜厚40nmの発光層を作成し、次いでAlq3を真空蒸着して膜厚30nmの電子注入層を作成した。その上に、フッ化リチウムを0.7nm、次いでアルミニウムを200nm真空蒸着することで電極を形成して、有機燐光発光素子を得た。この素子は、直流電圧5Vでの発光輝度350(cd/m2)、最大発光輝度76600(cd/m2)の発光が得られた。また、発光輝度500(cd/m2)で定電流駆動したときの半減寿命は4000時間であった。
発光層の化合物(1)のかわりに、表12の化合物を用いた以外は、実施例73と同様の有機EL素子を作成した。 実施例68〜70の素子を室温および100℃の環境で、10mA/cm2の電流密度で一定時間連続して発光させ輝度を測定した。結果を表12に示す。
ITO電極め付きガラス板上に、PEDOT/PSS(ポリ(3,4−エチレンジオキシ)−2,5−チオフェン/ポリスチレンスルホン酸)をスピンコ−ト法で60nmの膜厚に製膜した。さらに、表1の化合物(3)と化合物(A)とを100:8の組成比でトルエン溶媒に溶解させスピンコ−ト法にて塗布し、膜厚50nmの発光層を作成した。この塗布基板に真空蒸着法にさらに(B)を蒸着して膜厚20nmの電子注入層を形成した。その上に、酸化リチウム(Li2O)を1nm、さらにアルミニウム(Al)を100nm蒸着によって陰極を形成して有機エレクトロルミネッセンス素子を得た。この素子は、直流電圧10Vでの外部量子効率は5.3%を示した。また、発光輝度100(cd/m2)で定電流駆動したときの半減寿命は5000時間以上であった。
化合物(3)のかわりに表1中の化合物(6)、化合物(8)、化合物(9)、化合物(10)、化合物(18)、化合物(21)、化合物(22)、化合物(24)、化合物(25)、化合物(27)を用いた以外は、実施例76と同様に素子を作成した。これらの素子を発光輝度100(cd/m2)で室温にて定電流駆動したときの半減寿命はすべて5000時間以上であった。
ITO電極付きガラス板上に、表2中のHIM9を蒸着して膜厚50nmの正孔注入層を形成した後、化合物(1)を20nm蒸着して正孔輸送層を形成した。さらにAlq3を蒸着して膜厚20nmの発光層を形成した。さらに、表4中の化合物EX3を蒸着して膜厚30nmの電子注入層を形成した。その上に、酸化リチウムを1nm、さらにアルミニウムを100nm蒸着によって陰極を形成して有機EL素子を得た。この素子は、直流電圧5.0Vでの発光輝度は720(cd/m2)を示した。また、素子作成直後ならびに150℃のオーブン中にて1時間保存後の素子について、発光輝度500(cd/m2)で室温にて定電流駆動したときの半減寿命は、5000時間以上であった。
化合物EX3の代わりに電子注入層として、表4中の化合物EX1、化合物EX2、化合物EX4〜化合物EX16を用いて、実施例87と同じ条件で素子を作成した。素子作成直後ならびに150℃のオーブン中にて1時間保存後の素子について、素子の特性を測定した。その結果、いずれの素子も、電流密度10(mA/cm2)で駆動した際の素子特性は、電圧は4.0(V)以下、輝度は500(cd/m2)以上であり、発光輝度500(cd/m2)で室温にて定電流駆動したときの半減寿命は5000時間以上であった。
化合物(1)のかわりに、表1中の化合物(8)、化合物(9)、化合物(10)、化合物(11)、化合物(13)、化合物(14)、化合物(15)、化合物(16)、化合物(21)、化合物(27)、化合物(28)、化合物(30)を用いた以外は、実施例87と同じ条件で素子を作成した。素子作成直後ならびに150℃のオーブン中にて1時間保存後の素子について、素子の特性を測定した。その結果、いずれの素子も、電流密度10(mA/cm2)で駆動した際の素子特性は、電圧は4.0(V)以下、輝度は500(cd/m2)以上であり、発光輝度500(cd/m2)で室温にて定電流駆動したときの半減寿命は5000時間以上であった。
ITO電極付きガラス板上に、表2中の化合物HIM10を蒸着して膜厚55nmの正孔注入層を形成した後、化合物(9)を20nm蒸着して正孔輸送層を形成した。さらにAlq3を蒸着して膜厚20nmの発光層を形成した。さらに表4中の化合物ET3を蒸着して膜厚30nmの電子注入層を形成した。その上に、酸化リチウムを1nm、さらにアルミニウムを100nm蒸着によって陰極を形成して有機EL素子を得た。この素子は、この素子は、直流電圧5Vでの発光輝度は680(cd/m2)を示した。また、素子作成直後ならびに150℃のオーブン中にて1時間保存後の素子について、発光輝度500(cd/m2)で室温にて定電流駆動したときの半減寿命は、いずれの素子も5000時間以上であった。
化合物ET3の代わりに、電子注入層として化合物ET2、化合物ET4、化合物ET6、化合物ET9、化合物ET10、化合物ET12〜化合物ET14、化合物ET16〜化合物ET20を用いて、実施例115と同じ条件で素子を作成した。素子作成直後ならびに150℃のオーブン中にて1時間保存後の素子について、素子の特性を測定した。その結果、いずれの素子も、電流密度10(mA/cm2)で駆動した際の素子特性は、電圧は4.0(V)以下、輝度は500(cd/m2)以上であり、発光輝度500(cd/m2)で室温にて定電流駆動したときの半減寿命は5000時間以上であった。
ITO電極付きガラス板上に、表2中の化合物HIM11を蒸着して膜厚60nmの正孔注入層を形成した後、化合物(20)を15nm蒸着して正孔輸送層を形成した。さらにAlq3を蒸着して膜厚20nmの発光層を形成した。さらに化合物ES5を蒸着して膜厚30nmの電子注入層を形成した。その上に、酸化リチウムを1nm、さらにアルミニウムを100nm蒸着によって陰極を形成して有機EL素子を得た。この素子は、この素子は、直流電圧5.0Vでの発光効率は3.5(lm/W)を示した。また、素子作成直後ならびに150℃のオーブン中にて1時間保存後の素子について、発光輝度500(cd/m2)で室温にて定電流駆動したときの半減寿命は、いずれの素子も5000時間以上であった。
ITO電極付きガラス板上に、化合物(11)を1,2−ジクロロエタンに溶解させ、スピンコーティング法により膜厚50nmの正孔注入層を形成した。次に、Alq3を蒸着して膜厚30nmの電子注入性発光層を作成し、その上に、マグネシウムと銀を10:1で混合した合金で膜厚100nmの電極を形成して素子を得た。この素子の直流電圧8.0Vでの発光効率は3.0(lm/W)であった。また、発光輝度500(cd/m2)で室温にて定電流駆動したときの半減寿命は5000時間以上であった。
ITO電極付きガラス板上に、化合物(12)を蒸着して膜厚35nmの正孔注入層を形成した。次に、以下に示す化合物(F)とAlq3を1:50の組成比で共蒸着して膜厚40nmの発光層を形成した。さらに、Alq3を蒸着して膜厚30nmの電子注入層を形成した。その上に、フッ化リチウム(LiF)を1nm、さらにアルミニウム(Al)を200nm真空蒸着によって電極を形成して素子を得た。この素子は、直流電圧5.0Vでの発光効率は0.70(lm/W)を示した。また、発光輝度500(cd/m2)で定電流駆動したときの半減寿命は5000時間以上であった。
ITO電極付きガラス板上に、化合物(13)と化合物(14)とを1:1の組成比で共蒸着して膜厚60nmの正孔注入層を形成した。次に、以下に示す化合物(G)を蒸着して膜厚20nmの発光層を形成した。さらに、Alq3を蒸着して膜厚20nmの電子注入層を形成した。その上に、フッ化リチウム(LiF)を1nm、さらにアルミニウム(Al)を200nm真空蒸着によって電極を形成して素子を得た。この素子は、直流電圧5.0Vでの発光効率は3.0(lm/W)を示した。また、発光輝度500(cd/m2)で定電流駆動したときの半減寿命は5000時間以上であった。
ITO電極付きガラス板上に、化合物(7)を蒸着して膜厚60nmの正孔注入層を形成した。次に、以下に示す化合物(H)と以下に示す化合物(I)とを20:1の組成比で共蒸着して膜厚20nmの発光層を形成した。さらに、Alq3を蒸着して膜厚20nmの電子注入層を形成した。その上に、フッ化リチウム(LiF)を1nm、さらにアルミニウム(Al)を200nm真空蒸着によって電極を形成して素子を得た。この素子は、直流電圧5.0Vでの発光効率は6.0(lm/W)を示した。また、発光輝度500(cd/m2)で定電流駆動したときの半減寿命は5000時間以上であった。
ITO電極付きガラス板上に、化合物(13)を蒸着して膜厚45nmの正孔注入層を形成した。次に以下に示す化合物(J)と以下に示す化合物(K)とを20:1の組成比で共蒸着して膜厚40nmの発光層を形成した。さらに、Alq3を蒸着して膜厚30nmの電子注入層を形成した。その上に、フッ化リチウム(LiF)を1nm、さらにアルミニウム(Al)を200nm真空蒸着によって電極を形成して素子を得た。この素子は、直流電圧4.0Vでの発光効率は3.5(lm/W)を示した。また、発光輝度500(cd/m2)で定電流駆動したときの半減寿命は5000時間以上であった。
ITO電極付きガラス板上に、本発明の化合物(6)を蒸着して膜厚70nmの正孔注入層を形成した。次に、以下に示す化合物(L)とAlq3とを1:1の組成比で共蒸着して膜厚45nmの電子輸送性発光層を形成した。さらに、その上に、マグネシウムと銀を1:3で混合した合金で膜厚200nmの電極を形成して素子を得た。この素子の直流電圧7.0での発光効率は2.0(lm/W)であった。また、発光輝度500(cd/m2)で室温にて定電流駆動したときの半減寿命は5000時間以上であった。
ITO電極付きガラス板上に、化合物(12)を蒸着して膜厚50nmの正孔注入層を形成した。次に、化合物(J)と以下に示す化合物(M)とを100:1の組成比で共蒸着して膜厚25nmの発光層を形成した。さらに、BCPを蒸着して膜厚25nmの電子注入層を形成した。その上に、リチウム(Li)を0.5nm、さらに銀を150nm蒸着して素子を得た。この素子は、直流電圧8.0Vでの発光効率は1.5(lm/W)を示した。また、発光輝度500(cd/m2)で定電流駆動したときの半減寿命は5000時間以上であった。
ITO電極付きガラス板上に、本発明の化合物(15)を蒸着して膜厚40nmの正孔注入層を形成した。次に、以下に示す化合物(N)を10nm蒸着して正孔輸送層を形成した。さらに以下に示す化合物(O)と以下に示す化合物(P)とを1:9の組成比で共蒸着して膜厚25nmの発光層を形成した。さらにBCPを蒸着して15nmの正孔阻止層を形成した。さらにAlq3を蒸着して膜厚25nmの電子注入層を形成した。その上に、フッ化リチウム(LiF)を1nm、さらにアルミニウム(Al)を100nm蒸着によって陰極を形成して素子を得た。この素子は、直流電圧8Vでの外部量子効率は8.0%を示した。また、発光輝度200(cd/m2)で定電流駆動したときの半減寿命は5000時間以上であった。
ITO電極付きガラス板上に、本発明の化合物(10)を60nm蒸着して正孔注入層を形成した。さらにAlq3を蒸着して膜厚20nmの発光層を形成した。以下に示す化合物(Q)を蒸着して膜厚30nmの電子注入層を形成した。その上に、酸化リチウム(Li2O)を1nm、さらにアルミニウム(Al)を100nm蒸着によって陰極を形成して素子を得た。この素子は、この素子は、直流電圧4.0Vでの発光効率は3.3(lm/W)を示した。また、発光輝度500(cd/m2)で定電流駆動したときの半減寿命は5000時間以上であった。
電子注入層として化合物(Q)のかわりにES11、EP2〜5、EP10、EP22を用いた以外は実施例132と同じ条件で実験を行った。素子作成直後ならびに150℃のオーブン中にて1時間保存後の素子について、実施例138と同様に素子の特性を測定した。その結果、いずれの素子も、電流密度10(mA/cm2)で駆動した際の素子特性は、電圧は4.0(V)以下、輝度は500(cd/m2)以上であり、発光輝度500(cd/m2)で室温にて定電流駆動したときの半減寿命は5000時間以上であった。
ITO電極付きガラス板上に、本発明の化合物(2)を蒸着して膜厚35nmの正孔注入層を形成した。さらに、HTM9を蒸着して膜厚20nmの正孔輸送層を形成した。次に以下に示す化合物(R)と以下に示す化合物(S)とを50:1の組成比で共蒸着して膜厚35nmの発光層を形成した。さらに、以下に示す化合物(T)を蒸着して膜厚30nmの電子注入層を形成した。その上に、フッ化リチウム(LiF)を1nm、さらにアルミニウム(Al)を200nm真空蒸着によって電極を形成して素子を得た。この素子は、直流電圧3.5Vでの発光効率は5.0(lm/W)を示した。また、発光輝度500(cd/m2)で定電流駆動したときの半減寿命は5000時間以上であった。
化合物(2)のかわりに化合物(4)、化合物(8)、化合物(12)、化合物(15)、化合物(19)、化合物(22)、化合物(26)を用いた以外は、実施例146と同じ条件で素子を作成した。その結果、いずれの素子も、電流密度10(mA/cm2)で駆動した際の素子特性は、電圧は4.0(V)以下、輝度は500(cd/m2)以上であり、発光輝度500(cd/m2)で室温にて定電流駆動したときの半減寿命は5000時間以上であった。
正孔注入層を化合物(1)のかわりに以下の化合物(U)を用いた以外は、実施例31と同様の有機EL素子を作成した。
正孔注入層を化合物(1)のかわりに以下の化合物(V)を用いた以外は、実施例31と同様の有機EL素子を作成した。
Claims (7)
- 下記一般式[1]で表されるカルバゾ−ル含有アミン化合物。
一般式[1]
Ar2〜Ar4は、それぞれ独立に、置換基を有してもよい炭素数6〜18の一価の芳香族炭化水素基、置換基を有してもよい炭素数2〜18の一価の複素環基(但し、下記一般式[2]の場合を除く。)を表し、
Aは、置換基を有してもよい炭素数10〜30のアリ−レン基を表す。)
一般式[2]
R1〜R7は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、もしくは、一価の有機残基を表す。) - 請求項1〜4いずれか記載のカルバゾ−ル含有アミン化合物を含んでなる有機エレクトロルミネッセンス素子用材料。
- 一対の電極間に発光層または発光層を含む複数層の有機層を形成してなる有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記有機層の少なくとも一層が、請求項5記載の有機エレクトロルミネッセンス素子用材料を含んでなる有機エレクトロルミネッセンス素子。
- 正孔注入層および/または正孔輸送層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記正孔注入層および/または正孔輸送層が、請求項6記載の有機エレクトロルミネッセンス素子用材料を含んでなる有機エレクトロルミネッセンス素子。
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