JP2008041495A - マイクロ波プラズマトーチ - Google Patents

マイクロ波プラズマトーチ Download PDF

Info

Publication number
JP2008041495A
JP2008041495A JP2006215825A JP2006215825A JP2008041495A JP 2008041495 A JP2008041495 A JP 2008041495A JP 2006215825 A JP2006215825 A JP 2006215825A JP 2006215825 A JP2006215825 A JP 2006215825A JP 2008041495 A JP2008041495 A JP 2008041495A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
plasma
discharge tube
blocking means
antenna
microwave
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2006215825A
Other languages
English (en)
Other versions
JP4109301B2 (ja
Inventor
Takayuki Fukazawa
孝之 深沢
Hiroshi Kajiyama
博司 梶山
Tsutae Shinoda
傳 篠田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Adtec Plasma Technology Co Ltd
Original Assignee
Adtec Plasma Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Adtec Plasma Technology Co Ltd filed Critical Adtec Plasma Technology Co Ltd
Priority to JP2006215825A priority Critical patent/JP4109301B2/ja
Publication of JP2008041495A publication Critical patent/JP2008041495A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4109301B2 publication Critical patent/JP4109301B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Plasma Technology (AREA)

Abstract

【課題】大気圧〜数Torrの圧力下において、安定したプラズマ着火が可能なマイクロ波プラズマトーチを提供する。
【解決手段】誘電体からなる円筒状の放電管1と、放電管の一端開口を封閉する蓋体9と、蓋体を貫通して放電管内にその中心軸に沿ってのびるマイクロ波供給用アンテナ4と、放電管の外側を被覆するグランド電極2と、放電管内にプラズマ生成用ガスを供給するガス供給管3と、グランド電極の外面を被覆する誘電体の外被5を備える。アンテナには、その先端部から間隔をあけた位置にプラズマ遮断手段6a〜6cが設けられる。プラズマ遮断手段は誘電体からなり、プラズマ遮断手段と放電管との間、またはプラズマ遮断手段自体に、プラズマ生成用ガスを通過させるが、プラズマは遮断する通路が設けられる。
【選択図】図1

Description

本発明は、マイクロ波プラズマトーチ、特に、大気圧〜数Torrの圧力下において作動するマイクロ波プラズマトーチに関するものである。
図4は、従来のマイクロ波プラズマトーチの概略構成を示す縦断面図である。従来のマイクロ波プラズマトーチは、図4に示すように、石英ガラス製の円筒状の放電管10と、放電管10の上端開口を封閉する誘電体製の蓋体14と、放電管10の外側を被覆するステンレス製のグランド電極11を備えており、放電管10の内部には、蓋体14を貫通して中心軸に沿ってステンレス製のマイクロ波供給用アンテナ12が配置されている。さらに、放電管10の上部には、石英ガラス製のガス供給管13が接続されている。
そして、アンテナ12からマイクロ波が放電管10内に供給されるとともに、ガス供給管13からプラズマ生成用ガスが導入され、プラズマ生成用ガスは、放電管10内においてマイクロ波の電磁界によって励起され、プラズマ化されて、放電管10のプラズマ放出口10aから外部に放出される。
この場合、このマイクロ波プラズマトーチを大気圧下で作動させたときは、アンテナ12の先端部から下流側の領域でプラズマが着火、生成され、放電管10の先端開口10aからプラズマが放出され、安定したプラズマ着火が達成されるが、大気圧より減圧した100Torr〜数Torrの低圧下で作動させたときには、プラズマの着火が不安定化し、放電管内におけるアンテナ12の基部や、ガス供給管13内においてプラズマが着火、生成されてしまい、放電管10の先端開口10aからプラズマが放出されない、という問題を生じていた。
したがって、本発明の課題は、大気圧〜数Torrの圧力下において、安定したプラズマ着火が得られるマイクロ波プラズマトーチを提供することにある。
上記課題を解決するため、本発明は、誘電体からなる円筒状の放電管と、前記放電管の一端開口を封閉する蓋体と、前記蓋体を貫通して前記放電管内にその中心軸に沿ってのびるマイクロ波供給用アンテナと、前記放電管の外側を被覆するグランド電極と、前記放電管内にプラズマ生成用ガスを供給するガス供給管と、前記グランド電極の外面を被覆する誘電体の外被と、を備え、前記アンテナには、その先端部から間隔をあけた位置にプラズマ遮断手段が設けられており、前記プラズマ遮断手段は誘電体から形成され、前記プラズマ遮断手段と前記放電管との間、または前記プラズマ遮断手段自体に、プラズマ生成用ガスを通過させるが、プラズマは遮断する通路が設けられているものであることを特徴とするマイクロ波プラズマトーチを構成したものである。
上記構成において、好ましくは、前記プラズマ遮断手段は、前記アンテナにその外周を取り巻くように設けられた少なくとも1つの環状のフィンからなり、前記プラズマ遮断手段の通路は、前記フィンの外周縁と前記放電管の内壁面との間に形成された前記放電管の内径の10%以下の大きさの間隙からなっており、さらに好ましくは、複数の前記環状のフィンが前記アンテナの軸方向に間隔をあけて設けられており、隣接する前記フィンの間隔が10mm以下、より好ましくは5mm以下になっている。
また好ましくは、前記プラズマ遮断手段は、前記アンテナにその外周を取り巻くように設けられた少なくとも1つの環状のフィンからなり、前記フィンの外周縁は前記放電管の内壁に接触しており、前記プラズマ遮断手段の通路は、前記フィンに形成された少なくとも1つの開口からなっている。
また好ましくは、前記プラズマ遮断手段は、前記アンテナにその外周を取り巻くように設けられた単一の円筒状隆起部からなり、前記プラズマ遮断手段の通路は、前記円筒状隆起部の外周面と前記放電管の内壁面との間に形成された前記放電管の内径の10%以下の大きさの間隙からなっている。
上記構成において、誘電体からなるプラズマ遮断手段をアンテナの途中に設けたことにより、アンテナのプラズマ遮断手段からアンテナ先端部側は低インピーダンスとなる一方、プラズマ遮断手段からアンテナの基部側は高インピーダンスとなって、プラズマは低インピーダンスのアンテナ先端部側でしか着火しなくなる。さらに、プラズマ遮断手段と放電管との間、またはプラズマ遮断手段自体に通路を設けたことにより、この通路を通じてプラズマ生成用ガスがプラズマ生成領域に導入される一方、プラズマは、誘電体によって包囲された間隙中を通過し得ない。また、グランド電極の外側に誘電体の外被を設けたことにより、グランド電極表面からの放電の発生を防止することができる。こうして、本発明によれば、放電管内のアンテナ先端部においてプラズマが確実に着火、生成され、放電管先端のプラズマ放出口から安定的にプラズマが放出される。
以下、添付図面を参照して本発明の好ましい実施例について説明する。図1は、本発明の1実施例によるマイクロ波プラズマトーチの概略構成を示す縦断面図である。図1を参照して、本発明によれば、プラズマトーチは、石英ガラス等の誘電体からなる円筒状の放電管1と、放電管1の上端開口を封閉する誘電体製の蓋体9と、蓋体9を貫通して放電管1内にその中心軸に沿ってのびるマイクロ波供給用アンテナ4と、放電管1の外側を被覆するステンレス等の導体からなるグランド電極2を備えている。
また、放電管1の上部には、石英ガラス等の誘電体からなるガス供給管3が接続され、放電管1から半径方向外向きにグランド電極2を貫通してのびている。
さらに、グランド電極2の外面は、ガス供給管3から下方の領域がすべて、誘電体の外被5によって被覆されている。
図2(A)は、図1のマイクロ波プラズマトーチのアンテナの先端部近傍の拡大斜視図であり、図2(B)は、アンテナに設けられたプラズマ遮断手段の構成を示す分解斜視図である。図2(A)を参照して、アンテナ4には、その先端部4aから間隔をあけた位置にプラズマ遮断手段が設けられている。この実施例では、プラズマ遮断手段は、アンテナ4にその外周を取り巻くように設けられた3つの環状のフィン6a〜6cからなっている。これらのフィン6a〜6cのアンテナ4への取り付けは、図2(B)に示すように、内径がアンテナ4の外径に対応する円筒形状のスペーサ7a〜7cと、中央にアンテナ4の外径に対応する開口を備えた円板形状のフィン6a〜6cを、交互にアンテナ4に挿通することによってなされる。
3つのフィン6a〜6cは、アンテナ4の軸方向に間隔をあけて配置され、隣接するフィンの間隔は10mm以下、より好ましくは5mm以下になっている。また、各フィン6a〜6cの外周縁と放電管1の内壁面との間には、放電管1の内径の10%以下の大きさの間隙が形成されている。
プラズマ遮断手段は、この実施例に限定されるものではなく、誘電体から形成され、プラズマ遮断手段と放電管との間、またはプラズマ遮断手段自体に、プラズマ生成用ガスを通過させるが、プラズマは遮断する通路が設けられているものであれば何でもよい。なお、上記実施例のフィンの場合には、通路は、フィンの外周縁と放電管の内壁面との間に形成された間隙からなっている。
図3には、プラズマ遮断手段の変形例を示した。図3(A)の変形例では、プラズマ遮断手段は、アンテナ4にその外周を取り巻くように設けられた少なくとも1つの環状のフィン6’からなり、フィン6’の外周縁は放電管1の内壁に接触しており、プラズマ遮断手段の通路は、フィン6’に形成された少なくとも1つの開口8からなっている。
図3(B)の変形例では、プラズマ遮断手段は、アンテナ4にその外周を取り巻くように設けられた単一の円筒状隆起部6”からなり、プラズマ遮断手段の通路は、円筒状隆起部6”の外周面と放電管1の内壁面との間に形成された放電管1の内径の10%以下の大きさの間隙からなっている。
本発明のマイクロ波プラズマトーチは、ガス供給管3より下側の外被5によって被覆された部分が、真空チャンバ内に挿入され、真空チャンバに気密シールされた状態で装着される。なお、マイクロ波プラズマトーチを大気圧下で作動させる場合には、真空チャンバでなくてもよい。そして、真空チャンバが所望の圧力まで減圧され、ガス供給管3を通じて放電管1内にプラズマ生成用ガスが導入されるとともに、アンテナ4を通じて放電管1内にマイクロ波が供給される。こうして、マイクロ波の電磁界によってプラズマ生成用ガスが励起され、プラズマ化されて、放電管1の先端のプラズマ放出口1aからプラズマが外部に放出される。
この場合、誘電体からなるプラズマ遮断手段がアンテナの途中に設けられているので、アンテナのプラズマ遮断手段からアンテナ先端部側は低インピーダンスとなる一方、プラズマ遮断手段からアンテナの基部側は高インピーダンスとなって、プラズマは低インピーダンスのアンテナ先端部側でしか着火しなくなる。さらに、プラズマ遮断手段と放電管との間、またはプラズマ遮断手段自体に通路が設けられているので、この通路を通じてプラズマ生成用ガスがプラズマ生成領域に導入される一方、プラズマは、誘電体によって包囲された間隙中を通過し得ない。また、グランド電極の外側に誘電体の外被が設けられていることにより、グランド電極表面からの放電の発生を防止することができる。その結果、大気圧以下〜数Torrの低圧下においても、さらにマイクロ波の供給電力を上げても、放電管内のアンテナ先端部においてプラズマが確実に着火、生成され、放電管先端のプラズマ放出口から安定的にプラズマが放出される。
本発明の1実施例によるマイクロ波プラズマトーチの概略構成を示す縦断面図である。 (A)は、図1のマイクロ波プラズマトーチのアンテナの先端部近傍の拡大斜視図であり、(B)は、アンテナに設けられたプラズマ遮断手段の構成を示す分解斜視図である。 プラズマ遮断手段の変形例を示す図である。 従来のマイクロ波プラズマトーチの概略構成を示す縦断面図である。
符号の説明
1 放電管
2 グランド電極
3 ガス供給管
4 アンテナ
4a アンテナ先端部
5 外被
6a〜6c フィン
7a〜7c スペーサ
9 蓋体

Claims (5)

  1. 誘電体からなる円筒状の放電管と、
    前記放電管の一端開口を封閉する蓋体と、
    前記蓋体を貫通して前記放電管内にその中心軸に沿ってのびるマイクロ波供給用アンテナと、
    前記放電管の外側を被覆するグランド電極と、
    前記放電管内にプラズマ生成用ガスを供給するガス供給管と、
    前記グランド電極の外面を被覆する誘電体の外被と、を備え、
    前記アンテナには、その先端部から間隔をあけた位置にプラズマ遮断手段が設けられており、前記プラズマ遮断手段は誘電体から形成され、前記プラズマ遮断手段と前記放電管との間、または前記プラズマ遮断手段自体に、プラズマ生成用ガスを通過させるが、プラズマは遮断する通路が設けられているものであることを特徴とするマイクロ波プラズマトーチ。
  2. 前記プラズマ遮断手段は、前記アンテナにその外周を取り巻くように設けられた少なくとも1つの環状のフィンからなり、前記プラズマ遮断手段の通路は、前記フィンの外周縁と前記放電管の内壁面との間に形成された前記放電管の内径の10%以下の大きさの間隙からなっていることを特徴とする請求項1に記載のマイクロ波プラズマトーチ。
  3. 複数の前記環状のフィンが前記アンテナの軸方向に間隔をあけて設けられており、隣接する前記フィンの間隔が10mm以下であることを特徴とする請求項2に記載のマイクロ波プラズマトーチ。
  4. 前記プラズマ遮断手段は、前記アンテナにその外周を取り巻くように設けられた少なくとも1つの環状のフィンからなり、前記フィンの外周縁は前記放電管の内壁に接触しており、前記プラズマ遮断手段の通路は、前記フィンに形成された少なくとも1つの開口からなっていることを特徴とする請求項1に記載のマイクロ波プラズマトーチ。
  5. 前記プラズマ遮断手段は、前記アンテナにその外周を取り巻くように設けられた単一の円筒状隆起部からなり、前記プラズマ遮断手段の通路は、前記円筒状隆起部の外周面と前記放電管の内壁面との間に形成された前記放電管の内径の10%以下の大きさの間隙からなっていることを特徴とする請求項1に記載のマイクロ波プラズマトーチ。
JP2006215825A 2006-08-08 2006-08-08 マイクロ波プラズマトーチ Expired - Fee Related JP4109301B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006215825A JP4109301B2 (ja) 2006-08-08 2006-08-08 マイクロ波プラズマトーチ

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006215825A JP4109301B2 (ja) 2006-08-08 2006-08-08 マイクロ波プラズマトーチ

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2008041495A true JP2008041495A (ja) 2008-02-21
JP4109301B2 JP4109301B2 (ja) 2008-07-02

Family

ID=39176272

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2006215825A Expired - Fee Related JP4109301B2 (ja) 2006-08-08 2006-08-08 マイクロ波プラズマトーチ

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4109301B2 (ja)

Cited By (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012528453A (ja) * 2008-05-30 2012-11-12 コロラド ステート ユニバーシティー リサーチ ファウンデーション プラズマ適用のためのシステムおよび方法
JP2014511543A (ja) * 2011-01-25 2014-05-15 アドバンスト・エナジー・インダストリーズ・インコーポレイテッド 静電遠隔プラズマ源
US8994270B2 (en) 2008-05-30 2015-03-31 Colorado State University Research Foundation System and methods for plasma application
JP2015099643A (ja) * 2013-11-18 2015-05-28 パナソニックIpマネジメント株式会社 プラズマ処理装置及び方法
US9272359B2 (en) 2008-05-30 2016-03-01 Colorado State University Research Foundation Liquid-gas interface plasma device
WO2016112473A1 (zh) * 2015-01-12 2016-07-21 王守国 可插拔的等离子体放电管装置
CN106222711A (zh) * 2016-08-11 2016-12-14 浙江全世科技有限公司 微波等离子体炬仪器炬管的表面处理方法
US9532826B2 (en) 2013-03-06 2017-01-03 Covidien Lp System and method for sinus surgery
US9555145B2 (en) 2013-03-13 2017-01-31 Covidien Lp System and method for biofilm remediation
US10237962B2 (en) 2014-02-26 2019-03-19 Covidien Lp Variable frequency excitation plasma device for thermal and non-thermal tissue effects
DE102017130210A1 (de) * 2017-12-15 2019-06-19 Hegwein GmbH Plasmabrennerspitze für einen Plasmabrenner
US10368939B2 (en) 2015-10-29 2019-08-06 Covidien Lp Non-stick coated electrosurgical instruments and method for manufacturing the same
US10441349B2 (en) 2015-10-29 2019-10-15 Covidien Lp Non-stick coated electrosurgical instruments and method for manufacturing the same
US10709497B2 (en) 2017-09-22 2020-07-14 Covidien Lp Electrosurgical tissue sealing device with non-stick coating
US10973569B2 (en) 2017-09-22 2021-04-13 Covidien Lp Electrosurgical tissue sealing device with non-stick coating
US11207124B2 (en) 2019-07-08 2021-12-28 Covidien Lp Electrosurgical system for use with non-stick coated electrodes
US11369427B2 (en) 2019-12-17 2022-06-28 Covidien Lp System and method of manufacturing non-stick coated electrodes

Cited By (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8994270B2 (en) 2008-05-30 2015-03-31 Colorado State University Research Foundation System and methods for plasma application
US9272359B2 (en) 2008-05-30 2016-03-01 Colorado State University Research Foundation Liquid-gas interface plasma device
US9287091B2 (en) 2008-05-30 2016-03-15 Colorado State University Research Foundation System and methods for plasma application
US9288886B2 (en) 2008-05-30 2016-03-15 Colorado State University Research Foundation Plasma-based chemical source device and method of use thereof
JP2012528453A (ja) * 2008-05-30 2012-11-12 コロラド ステート ユニバーシティー リサーチ ファウンデーション プラズマ適用のためのシステムおよび方法
JP2014511543A (ja) * 2011-01-25 2014-05-15 アドバンスト・エナジー・インダストリーズ・インコーポレイテッド 静電遠隔プラズマ源
US9142388B2 (en) 2011-01-25 2015-09-22 Advanced Energy Industries, Inc. Capacitively coupled remote plasma source
JP2016149365A (ja) * 2011-01-25 2016-08-18 アドバンスト・エナジー・インダストリーズ・インコーポレイテッドAdvanced Energy Industries, Inc. 静電遠隔プラズマ源
US9524854B2 (en) 2011-01-25 2016-12-20 Advanced Energy Industries, Inc. Electrostatic remote plasma source system and method
US9532826B2 (en) 2013-03-06 2017-01-03 Covidien Lp System and method for sinus surgery
US10524848B2 (en) 2013-03-06 2020-01-07 Covidien Lp System and method for sinus surgery
US9555145B2 (en) 2013-03-13 2017-01-31 Covidien Lp System and method for biofilm remediation
US9691593B2 (en) 2013-11-18 2017-06-27 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Plasma processing device and plasma processing method
JP2015099643A (ja) * 2013-11-18 2015-05-28 パナソニックIpマネジメント株式会社 プラズマ処理装置及び方法
US10237962B2 (en) 2014-02-26 2019-03-19 Covidien Lp Variable frequency excitation plasma device for thermal and non-thermal tissue effects
US10750605B2 (en) 2014-02-26 2020-08-18 Covidien Lp Variable frequency excitation plasma device for thermal and non-thermal tissue effects
WO2016112473A1 (zh) * 2015-01-12 2016-07-21 王守国 可插拔的等离子体放电管装置
US10368939B2 (en) 2015-10-29 2019-08-06 Covidien Lp Non-stick coated electrosurgical instruments and method for manufacturing the same
US10441349B2 (en) 2015-10-29 2019-10-15 Covidien Lp Non-stick coated electrosurgical instruments and method for manufacturing the same
US11135007B2 (en) 2015-10-29 2021-10-05 Covidien Lp Non-stick coated electrosurgical instruments and method for manufacturing the same
US11298179B2 (en) 2015-10-29 2022-04-12 Covidien Lp Non-stick coated electrosurgical instruments and method for manufacturing the same
US11969204B2 (en) 2015-10-29 2024-04-30 Covidien Lp Non-stick coated electrosurgical instruments and method for manufacturing the same
CN106222711A (zh) * 2016-08-11 2016-12-14 浙江全世科技有限公司 微波等离子体炬仪器炬管的表面处理方法
US10709497B2 (en) 2017-09-22 2020-07-14 Covidien Lp Electrosurgical tissue sealing device with non-stick coating
US10973569B2 (en) 2017-09-22 2021-04-13 Covidien Lp Electrosurgical tissue sealing device with non-stick coating
US11432869B2 (en) 2017-09-22 2022-09-06 Covidien Lp Method for coating electrosurgical tissue sealing device with non-stick coating
DE102017130210A1 (de) * 2017-12-15 2019-06-19 Hegwein GmbH Plasmabrennerspitze für einen Plasmabrenner
US11207124B2 (en) 2019-07-08 2021-12-28 Covidien Lp Electrosurgical system for use with non-stick coated electrodes
US11369427B2 (en) 2019-12-17 2022-06-28 Covidien Lp System and method of manufacturing non-stick coated electrodes

Also Published As

Publication number Publication date
JP4109301B2 (ja) 2008-07-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4109301B2 (ja) マイクロ波プラズマトーチ
EP1734798B1 (en) Coaxial microwave plasma torch
KR102164678B1 (ko) 무선 주파수 (rf) 접지 복귀 장치들
JP2013503494A (ja) プラズマ閉じ込めを実施するためのマルチペリフェラルリング構成
KR960030338A (ko) 플라즈마처리장치
WO2003015123A3 (en) Dual frequency plasma etch reactor with independent plasma density/chemistry and ion energy control
WO2006096716A3 (en) Plasma generator
KR101170926B1 (ko) 플라즈마 방전을 위한 점화 장치가 장착된 플라즈마 반응기
RU2536126C2 (ru) Вакуумнодуговой испаритель для генерирования катодной плазмы
US5292396A (en) Plasma processing chamber
JP2008503030A (ja) 弱電離ガスを生成するためのキャピラリ内蔵リング電極型ガス放電発生器及びその使用方法
RU2012946C1 (ru) Плазменный катод-компенсатор
KR20010049771A (ko) 가스 방전 램프
KR100451453B1 (ko) 베이스를 구비하는 방전 램프
JP2007103319A (ja) X線管
US20060112879A1 (en) Plasma processing apparatus
JP4440371B2 (ja) プラズマ発生装置
JP4417945B2 (ja) イオン発生装置
JP6847267B2 (ja) プラズマ源
US20120235565A1 (en) Magnetron and apparatus that uses microwaves
JP2004111396A (ja) プラズマ源
JP2009158365A (ja) カソード保持構造およびそれを備えるイオン源
JP2008204938A (ja) プラズマガン
WO2013055241A1 (en) Electrode cooling system in a multi-electrode microwave plasma excitation source
JP4854235B2 (ja) プラズマ処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20071120

A072 Dismissal of procedure

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A072

Effective date: 20071211

A871 Explanation of circumstances concerning accelerated examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871

Effective date: 20071218

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20080116

A975 Report on accelerated examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005

Effective date: 20080319

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20080326

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20080403

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110411

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent (=grant) or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees