JP2008034729A - ウエハボート - Google Patents

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Abstract

【課題】組み立て式のウエハボートで熱容量を低減できるようにする。
【解決手段】上側フランジ部材101aと下側フランジ部材101bとが、複数の支柱102により脱着可能に連結されている。またウエハー支持スリーブ103は、支柱102に外挿されて上側フランジ部材101aと下側フランジ部材101bとの間に配置されている。このように構成されたウエハボートによれば、ウエハー支持スリーブ103が中空構造とされているので、熱容量が低減されるようになる。
【選択図】 図1

Description

本発明は、半導体デバイスの製造工程で使用される縦型CVD装置などに用いるウエハボートに関する
シリコンを用いて製造される半導体デバイスは、シリコン基板(シリコンウエハ)の表面に酸化膜を形成する酸化工程,リンや硼素などの不純物を導入する拡散工程、及び窒化シリコンや多結晶シリコンの膜を形成する減圧CVD(化学的気相成長)法による成膜工程などにより、シリコン基板の上に微細な回路を形成することで製造されている。これらの酸化工程,拡散工程,及び成膜工程では、酸化拡散装置,アニール装置,及び減圧CVD装置なの半導体製造装置が使用される。これらの装置では、いずれも、複数のシリコンウエハを炉内に挿入してシリコンウエハ本体を高温に加熱する炉体部分,各種ガスを炉内に供給するガス導入部,及び排気部などを備え、複数枚のシリコンウエハを同時処理(バッチ処理)可能とされている。
図7は、一例として縦型減圧CVD装置を示したものである。図7に示すCVD装置は、処理対象のウエハが収容される炉本体701を備え、この内周面に図示しないヒータが配設され、炉本体701の内部を高温に加熱し、高温の状態が維持可能とされている。また、炉本体701は、図示しない真空ポンプに接続され、炉本体701の内部を1.3kPa以下に減圧可能とされている。また、炉本体701の内部には、高純度石英や炭化珪素(SiC)によって形成されたプロセスチューブ702が設けてある。
プロセスチューブ702によって覆われるベース703の中央部には、ボート受け704が設けられ、ボート受け704の上に、SiCや石英などから形成した縦型ラック状のウエハボート705が配置される。ウエハボート705の上下方向には、大規模集積回路(LSI)などの半導デバイスを形成するための複数のシリコンウエハ721が、所定の間隔をあけて保持されている。また、ウエハボート705の側部には、反応ガスを炉内に導入するためのガス導入管706が配設され、また、炉内の温度を測定する熱電対を内蔵した熱電対保護管707が設けられている。
このように構成された図7に示す縦型減圧CVD装置は、ウエハボート705を用いて複数のシリコンウエハ721が炉内に配置される。このようにしてシリコンウエハ721が配置された状態で、炉内を133kPa以下に減圧するとともに、例えば800〜1200℃の高温に加熱し、ガス導入管706を介してH2などのキャリアガスとともにSiCl4などの反応性ガス(原料ガス)を炉内に導入することで、シリコンウエハ721の表面に多結晶シリコン膜(ポリシリコン膜)やシリコン酸化膜(SiO2)の形成などが行われる。
ところで、このような縦型縦型減圧CVD装置において使用されるウエハボートは、炉への搬入及び搬出のときに、不均一な加熱或いは冷却を受け、大きな熱応力が発生する。また、従来からウエハボート705の上下部には、炉内でのガスの流れや温度の均一性を保持すること等を目的として、シリコンウエハ721と同一形状のダミーウエハ722を数枚ずつ配置している。また、ウエハボート705の上下方向には、シリコンウエハ721に付着するパーティクルの状態や、シリコンウエハ721に形成される膜の膜厚などを調べるために、所定の箇所に複数枚のモニタウエハ723をシリコンウエハ721と混在させて配置している。
このような縦型縦型減圧CVD装置においては、シリコンウエハ721、ダミーウエハ722、及びモニタウエハ723を保持するウエハボート705が用いられる。このウエハボートとして、CVD−SiC膜(厚さ300μm〜1500μm)のみから構成された中空体構造のものが提案されている(特許文献1参照)。このウエハボートによれば、基材を持たない高純度なSiCのみの構造のため、基材からの不純物による汚染が抑制できるようになる。以下、図8を用いてCVD−SiC膜のみから構成された中空体構造のウエハボート705につて簡単に説明する。
図8に示すウエハボート705は、収納するウエハよりも大きい外径を有する一対の上側フランジ部材751a,下側フランジ部材751bと、これらを連結する複数本(図示では4本)のスリット棒部材752とで一体に構成されている。これらは、CVD−SiC膜による中空体構造とされている。上側フランジ部材751aは、ダミーウエハ722の上側に配置され、この下側に配置される下側フランジ部材751bは、ボート受け704の上に載置される部分となる。上側フランジ部材751aの中央部には上側孔755が、また、下側フランジ部材751bの中央部には下側孔756が開けられている。また、各スリット棒部材752のボート内面側には、上記各ウエハを保持するための溝753(図示では一部表示している)が切り込まれている。
また、上側フランジ部材751aと下側フランジ部材751bには、これらの中央部よりも他端側に切り欠き溝754が切られている。切り欠き溝754は、各フランジ部材751a、751bの外周部と内周部の間に切られている。また、切り欠き溝754は、上側フランジ部材751aと下側フランジ部材751bとがスリット棒部材752により連結され支持位置より、離間した位置に設けられている。
特開2002−288537号公報 特許第3479201号公報
ところが、上述した従来のCVD−SiC膜の中空体構造によるウエハボートは、2つのフランジとこれを連結するスリット棒部材とが一体に形成されていたため、各部分を交換することが実質的に不可能な状態であった。このようなウエハボートを使用する中で、破損などの問題が発生する部位は、例えば切り欠き溝の部分など、特定の一部に集中する。このように特定の一部が破損しただけでも、上述した従来のウエハボートでは、全体を交換することになり、使用者にコストの面も含めて多大な負担をかけていた。このように、CVD−SiC膜の中空体構造によるウエハボートは、基材からの汚染発生がないなどの特徴を備えているが、実際の生産現場で使用し難いという問題があった。
これに対し、上側フランジ部材及び下側フランジ部材とこれらを連結するスリット棒部材とが、着脱可能な個別の部品で構成された組み立て式のウエハボートがある(特許文献2参照)。組み立て式のウエハボートであれば、部品毎の交換が可能であり、例えば破損したスリット棒部材のみを交換することが可能である。しかしながら、組み立て式のウエハボートでは、スリット棒部材を中空構造としていない。当然ではあるが、ウエハ載置部となる溝の部分を中空構造とはしていない。これは、連結部となるスリット棒部材の強度を維持した状態で、中空構造とすることが非常に困難なためと考えられる。このように、組み立て式のウエハボートでは、ウエハが接触するスリット棒部材が中空構造ではないため、熱容量が大きい構造となっている。
本発明は、以上のような問題点を解消するためになされたものであり、組み立て式のウエハボートで熱容量を低減できるようにすることを目的とする。
本発明に係るウエハボートは、第1基盤及び第2基盤と、第1基盤及び第2基盤を脱着可能に連結する複数の支柱と、ウエハ載置用の溝部が形成された中空構造の複数のウエハ支持部材とを備え、ウエハ支持部材は、支柱が貫通されることによって第1基盤及び第2基盤の間に保持されるようにしたものである。従って、処理対象のウエハが接触するウエハ支持部材の熱容量が、中空構造となっていない場合に比較して低減される。
上記ウエハボートにおいて、ウエハ支持部材は、化学的気相成長法により堆積された炭化珪素より形成されていればよい。
以上説明したように、本発明によれば、ウエハボートの第1基盤と第2基盤とは、支柱により脱着可能に連結し、ウエハ支持部材は、支柱が貫通されることによって保持される構成としたので、組み立て式のウエハボートで熱容量を低減できるようなるという優れた効果が得られる。
以下、本発明の実施の形態について図を参照して説明する。図1は、本発明の実施の形態におけるウエハボートの構成例を示す斜視図である。図1に示すように、上記各ウェハよりも大きい外径を有する一対の上側フランジ部材(第1基盤)101a,下側フランジ部材(第2基盤)101bと、これらを連結する複数本(図示では4本)の支柱102とを備える。また、図1に示すウエハボートは、ウエハを保持するための溝104が形成された中空構造のウエハ支持スリーブ(ウエハ支持部材)103を備える。
ウエハ支持スリーブ103は、支柱102が貫通されることによって、上側フランジ部材101a及び下側フランジ部材101bの間に保持される。また、各々のウエハ支持スリーブ103は、溝104がウエハボートの内側を向くように配置される。言い換えると、溝104が、上側フランジ部材(第1基盤)101aと下側フランジ部材(第2基盤)101bとの中心線が通る側を向くように、ウエハ支持スリーブ103は保持される。なお、溝104の形成されている面の法線は、必ずしも上記中心線を通るものではない。これらの各部材は、炭化珪素(SiC)から構成されており、例えば、化学的気相成長法により堆積された炭化珪素より形成可能である。
なお、図1(a)では、一部のウエハ支持スリーブ103を示さずに、一部の支柱102を示し、図1(b)では、ウエハ支持スリーブ103を設けずに、支柱102により上側フランジ部材101aと下側フランジ部材101bとが連結された状態を示している。なお、4本の支柱102で上側フランジ部材101aと下側フランジ部材101bとを連結しているが、これに限らず、3本の支柱102により上側フランジ部材101aと下側フランジ部材101bとを連結してもよく、5本以上の支柱102により上側フランジ部材101aと下側フランジ部材101bとを連結してもよい。また、全ての支柱102にウエハ支持スリーブ103を備える必要はない。例えば、5本の支柱102により上側フランジ部材101aと下側フランジ部材101bとを連結し、このうち3本の支柱102にウエハ支持スリーブ103を備えるようにしてもよい。
例えば、支柱102は、外径10mmの円柱に形成されている。ウエハ支持スリーブ103は、溝104の断面が12mm×7mmの矩形に形成され、溝104を構成するための突起部の断面が12mm×12mmの矩形に形成されている。また、溝104の間隔は8mmとされ、溝104の配列方向の幅は、5mmに形成され、全長1000mmとされている。
また、図2(a)の斜視図に示すように、各支柱102は、連結ねじ204とナット205とにより、下側フランジ部材101bに固定されている。これは、上部フランジ部材101aにおいても同様である。支柱102は、端部に雌ネジ部121が設けられ、個々に連結ねじ204の一方の雄ネジ部241が螺着される。支柱102に雄ネジ部241が螺着された連結ねじ204の他方の雄ネジ部242が、下部フランジ部材101bに設けられた貫通孔を貫通し、ナット205に螺着されて締め付けられることで、支柱102の一端(下端)が下部フランジ部材101bに固定される。
また、下部フランジ部材101bの貫通孔には、ナット205が収容される円形の凹部からなるナット収容部111が形成されている。連結ねじ204の雄ネジ部242に螺着されるナット205が、ナット収容部111に収容されることで、下部フランジ部材101bの下面は、突起のない平坦な状態とされている。また、図2(b)の平面図に示すように、ナット205の側面は、対向する平行な平面部とこれらに続く外側に凸の曲面の部分とから構成され、所定の治具により、ナット収容部111の内部で雄ネジ部242に螺着させかつ締め付けることが可能とされている。なお、ナット収容部を備えない場合もある。
上述したように、図1及び図2に例示するウエハボートによれば、上側フランジ部材101aと下側フランジ部材101bとが、複数の支柱102により脱着可能に連結されている。また、上側フランジ部材101aと下側フランジ部材101bとを連結する支柱102とは別に、ウエハ支持スリーブ103を設けているので、支柱102及びウエハ支持スリーブ103などの部品単位で交換することが可能となる。例えば、4箇所に設けられた内の1つのウエハ支持スリーブ103に破損が生じた場合でも、本ウエハボートによれば、破損が生じたウエハ支持スリーブ103のみを交換すればよく、ウエハボート全体を交換する必要がない。
また、上側フランジ部材101aと下側フランジ部材101bとの連結は、ウエハ支持スリーブ103ではなく、支柱102によりなされているため、ウエハ支持スリーブ103は、ウエハを支持(保持)する強度を備えていればよい。このため、ウエハ支持スリーブ103の形状の自由度が増やせる。
なお、図1にも示すように、上側フランジ部材101aの中央部には上側孔151aが開けられ、また、下側フランジ部材101bの中央部には下側孔151bが開けられている。上側孔151aと下側孔151bとは、同じ形状の中実構造の円盤形状に形成されている。上側孔151a、下側孔151bは、円形形状、楕円形状、あるいは、樽型形状などが望ましい。
なお、上側フランジ部材101aと下側フランジ部材101bに、これらの中央部よりも他端側に切り欠き溝を設けるようにしてもよい。この切り欠き溝は、例えば、上側フランジ部材101aの外周部と内周部の間に設けられていればよい。下側フランジ部材101bについても同様である。また、上記切り欠き溝は、支柱102により連結され支持されている位置より離間した箇所に設けられていればよい。また、切り欠き溝は、幅は1mm〜4mmとされていればよい。切り欠き溝を設けることにより、上側フランジ部材101aと下側フランジ部材101bとの間に温度差が生じて直径方向の膨張及び収縮に差が生じても、各々が切り欠き溝によって支柱102の延在方向に撓む。このため、各支柱102に加わる曲げ力が小さくなり、支柱102の割れの発生を抑制可能となる(特許文献1参照)。
次に、複数の支柱を連結することについて説明する。図3(a)及び図3(b)に示すように、複数の支柱102aを、連結ねじ204により継合させてより長い支柱102として用いることが可能である。
また、複数のウエハ支持スリーブをつなげて用いる場合、例えば、図4に示すように、ウエハ支持スリーブ103a及びウエハ支持スリーブ103bに、継手131a及び継手132bを設け、これらを係合させればよい。このように複数のウエハ支持スリーブを係合させれば、いずれか1つのウエハ支持スリーブを、内装される支柱を軸とした回転が不能に固定しておけば、他のウエハ支持スリーブも回転が不能とされるようになる。この結果、1つの支柱が貫通される複数のウエハ支持スリーブは、各々の溝が形成されている面を常に同一の方向に向けておくことができる。なお、この構造では、支柱の延在方向には、ウエハ支持スリーブが固定されることはなく、支柱と拘束し合うこともない。
次に、支柱102とウエハ支持スリーブ103とについて説明する。図5に示すように、ウエハ支持スリーブ103に内装される支柱102とウエハ支持スリーブ103の内壁面とは、所定の間隔の間隙501が設けられている。このように、間隙501を設けることで、ウエハ支持スリーブ103に、支柱102を容易に差し込むことができる。加えて、間隙501が断熱層として機能するために、ウエハボートが加熱された際に、ウエハが支持される領域の熱容量は、ウエハ支持スリーブ103の熱容量となり、熱容量が下げられるようになる。熱容量は重量(質量)に比例するため、中空構造とされたウエハ支持スリーブ103は、中実構造のウエハ支持スリーブに比較して大幅に質量が低減し、大幅な熱容量の低下が見込める。また、図5(b)に示すように、溝104を構成する突起部502の部分にも中空部503が設けられているようにすることで、熱容量をより低下させることができる。
次に、炭化珪素より構成された本ウエハボートの製造方法について簡単に説明する。以下では、ウエハ支持スリーブ103を形成する場合を例に説明する。先ず、図6(a)に示すように、黒鉛よりなる基材601を形成する。基材601は、溝を形成するための突起部となる部分602を備える。次に、図6(b)に示すように、基材601の表面に、化学的気相成長(CVD)法により炭化珪素を堆積することで、膜厚300〜1500μm程度に炭化珪素膜611が成形された状態とする。
このようにして炭化珪素膜611が形成されたら、これらを酸素雰囲気で例えば900℃に加熱することで、基材601が露出している開口部を介して基材601を燃焼除去すれば、図6(c)に示すように、中空構造のウエハ支持スリーブ103が成形される。支柱102,連結ねじ204,及びナット205も、上述同様に成形可能である。従って、上側フランジ部材101a,下側フランジ部材101bも中空構造となっている。また、支柱102,連結ねじ204,及びナット205は、上述同様に成形した後に、雌ネジ部121及び雄ネジ部241を形成する。なお、上側フランジ部材101a及び下側フランジ部材101bは、中実構造とされているが、これらを中空構造に形成することも可能である。
このように、CVD法により形成した炭化珪素膜のみで成形されたウエハボートによれば、半導体デバイスの製造に使用するウェハへの汚染を防止することができ、使用回数の増加が可能となり、より高い耐久性を備えた状態とすることができる。なお、上述では、溝104が断面矩形のウエハ支持スリーブ103の一面側に形成されているようにしたが、これに限るものではない。例えば、ウエハ支持スリーブ103の4つの側面に溝が形成されているようにしてもよい。この場合、溝により形成される庇の部分が、平面視円形にされていればよい。また、この場合、ウエハ支持スリーブは、円筒に形成されていてもよい。
また、上述では、ウエハボートの各部品をCVD法により形成した炭化珪素膜のみで構成するようにしたが、これに限るものではなく、例えば、石英や炭化珪素の焼結体から構成されていても良い。例えば、上側フランジ部材101a及び下側フランジ部材101bが、石英から構成され、また、支柱102などが石英や炭化珪素の焼結体から構成されるなど、部分的に異なる材料から構成されていても良い。ただし、前述したように、CVD法により基材の表面に炭化珪素を堆積する製造方法で、中空構造が容易に形成できるので、ウエハ支持スリーブは、CVD法により堆積された炭化珪素より形成することが好ましい。また、ウエハ支持スリーブは、処理対象のウエハが接触するので、汚染の観点からもCVD法により堆積された炭化珪素より形成することが好ましい。
本発明の実施の形態におけるウエハボートの構成例を示す斜視図である。 本発明の実施の形態におけるウエハボートの一部の構成例を示す斜視図である。 本発明の実施の形態におけるウエハボートの一部の構成例を示す構成図である。 本発明の実施の形態におけるウエハボートの一部の構成例を示す斜視図である。 本発明の実施の形態におけるウエハボートの一部の構成例を示す断面図である。 本発明の実施の形態におけるウエハボートの製造方法例を示す工程図である。 縦型減圧CVD装置の構成例を示す構成図である。 従来よりあるウエハボートの構成例を示す斜視図である。
符号の説明
101a…上側フランジ部材(第1基盤)、101b…下側フランジ部材(第2基盤)、102…支柱、103…ウエハ支持スリーブ(ウエハ支持部材)、104…溝、111…ナット収容部、121…雌ネジ部、204…連結ねじ、205…ナット、241,242…雄ネジ部。

Claims (2)

  1. 第1基盤及び第2基盤と、
    前記第1基盤及び前記第2基盤を脱着可能に連結する複数の支柱と、
    ウエハ載置用の溝部が形成された中空構造の複数のウエハ支持部材と
    を備え、
    前記ウエハ支持部材は、前記支柱が貫通されることによって前記第1基盤及び前記第2基盤の間に保持される
    ことを特徴とするウエハボート。
  2. 請求項1記載のウエハボートにおいて、
    前記ウエハ支持部材は、化学的気相成長法により堆積された炭化珪素より形成されている
    ことを特徴とするウエハボート。
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Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014194892A1 (de) * 2013-06-06 2014-12-11 Centrotherm Photovoltaics Ag Haltevorrichtung, verfahren zu deren herstellung und verwendung derselben
JP2017005112A (ja) * 2015-06-10 2017-01-05 クアーズテック株式会社 ウエハボート及びその製造方法
CN107641799A (zh) * 2017-09-15 2018-01-30 浙江爱旭太阳能科技有限公司 改善el边角发黑和卡点发黑的管式perc电池石墨舟
CN107641798A (zh) * 2017-09-15 2018-01-30 浙江爱旭太阳能科技有限公司 改善el边角发黑和卡点发黑的管式perc电池石墨舟
TWI701718B (zh) * 2019-02-28 2020-08-11 日商亞都麻布股份有限公司 SiC膜構造體
CN113488382A (zh) * 2021-05-31 2021-10-08 北海惠科半导体科技有限公司 晶舟及扩散设备
CN114351256A (zh) * 2020-10-13 2022-04-15 中国科学院微电子研究所 晶舟、拆装工具以及晶圆加工设备
CN115662928A (zh) * 2022-11-16 2023-01-31 杭州盾源聚芯半导体科技有限公司 一种降低硅片损伤的硅舟

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH067238U (ja) * 1992-06-29 1994-01-28 株式会社福井信越石英 半導体熱処理装置
JPH06132390A (ja) * 1992-10-15 1994-05-13 M C Electron Kk ウェーハボート
JPH08236468A (ja) * 1995-03-01 1996-09-13 Yamagata Shinetsu Sekiei:Kk ウエハ保持装置
JPH11186181A (ja) * 1997-12-24 1999-07-09 Shinetsu Quartz Prod Co Ltd 基盤熱処理用支持治具
JP2000150401A (ja) * 1998-11-04 2000-05-30 Toshiba Ceramics Co Ltd 組立式ウェーハボート
JP2002289537A (ja) * 2001-03-27 2002-10-04 Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd CVD―SiC中空体縦型ウェハボート

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH067238U (ja) * 1992-06-29 1994-01-28 株式会社福井信越石英 半導体熱処理装置
JPH06132390A (ja) * 1992-10-15 1994-05-13 M C Electron Kk ウェーハボート
JPH08236468A (ja) * 1995-03-01 1996-09-13 Yamagata Shinetsu Sekiei:Kk ウエハ保持装置
JPH11186181A (ja) * 1997-12-24 1999-07-09 Shinetsu Quartz Prod Co Ltd 基盤熱処理用支持治具
JP2000150401A (ja) * 1998-11-04 2000-05-30 Toshiba Ceramics Co Ltd 組立式ウェーハボート
JP2002289537A (ja) * 2001-03-27 2002-10-04 Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd CVD―SiC中空体縦型ウェハボート

Cited By (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014194892A1 (de) * 2013-06-06 2014-12-11 Centrotherm Photovoltaics Ag Haltevorrichtung, verfahren zu deren herstellung und verwendung derselben
CN105453249A (zh) * 2013-06-06 2016-03-30 森特瑟姆光伏股份有限公司 保持架、其制造方法及其使用
JP2017005112A (ja) * 2015-06-10 2017-01-05 クアーズテック株式会社 ウエハボート及びその製造方法
CN107641799A (zh) * 2017-09-15 2018-01-30 浙江爱旭太阳能科技有限公司 改善el边角发黑和卡点发黑的管式perc电池石墨舟
CN107641798A (zh) * 2017-09-15 2018-01-30 浙江爱旭太阳能科技有限公司 改善el边角发黑和卡点发黑的管式perc电池石墨舟
CN107641799B (zh) * 2017-09-15 2024-01-12 浙江爱旭太阳能科技有限公司 改善el边角发黑和卡点发黑的管式perc电池石墨舟
CN107641798B (zh) * 2017-09-15 2024-01-12 浙江爱旭太阳能科技有限公司 改善el边角发黑和卡点发黑的管式perc电池石墨舟
CN111868884A (zh) * 2019-02-28 2020-10-30 艾德麦普株式会社 SiC膜构造体
US10804096B2 (en) 2019-02-28 2020-10-13 Admap Inc. SiC film structure and method for manufacturing SiC film structure
TWI720700B (zh) * 2019-02-28 2021-03-01 日商亞都麻布股份有限公司 SiC膜構造體及SiC膜構造體的製造方法
US11508570B2 (en) 2019-02-28 2022-11-22 Admap Inc. SiC film structure
WO2020174725A1 (ja) * 2019-02-28 2020-09-03 株式会社アドマップ SiC膜構造体
TWI701718B (zh) * 2019-02-28 2020-08-11 日商亞都麻布股份有限公司 SiC膜構造體
CN111868884B (zh) * 2019-02-28 2024-05-10 艾德麦普株式会社 SiC膜构造体
CN114351256A (zh) * 2020-10-13 2022-04-15 中国科学院微电子研究所 晶舟、拆装工具以及晶圆加工设备
CN113488382A (zh) * 2021-05-31 2021-10-08 北海惠科半导体科技有限公司 晶舟及扩散设备
CN115662928A (zh) * 2022-11-16 2023-01-31 杭州盾源聚芯半导体科技有限公司 一种降低硅片损伤的硅舟
CN115662928B (zh) * 2022-11-16 2023-08-29 杭州盾源聚芯半导体科技有限公司 一种降低硅片损伤的硅舟

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