JP2008032507A - フラットパネルディスプレイ装置 - Google Patents

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外与志 河田
Takatoshi Akagi
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Abstract

【課題】簡単な構成で、低コストで、多数個のICの温度が検出できる温度検出回路を備えたPDP装置の実現。
【解決手段】パネル100と、表示電極を駆動するためのN(自然数)個のドライバIC201,201-1,201-16と、ドライバICの各々に内蔵されたN個のダイオード回路D,D1,D16と、ダイオード回路に順方向電流を供給する電流供給回路202と、ダイオード回路の各々への順方向電流を導通または遮断制御するN個のスイッチ素子SW1,SW2と、Nより小さなビット数のデジタル信号に応じてN個のスイッチ素子うちから1個を選択してオンとする選択制御回路205と、電圧検出回路203と、を備え、選択制御回路205の選択により時分割で順方向電流を選択的に流す制御を順次行い、電圧検出回路によりダイオード回路の順方向電圧降下を順次検出することによりドライバICの温度を検出する。
【選択図】図2

Description

本発明は、プラズマディスプレイ装置のようなフラットパネルディスプレイ装置に関し、特にフラットディスプレイパネルの表示電極を駆動するドライバICの温度を簡単な構成で検出する技術に関する。
最近のフラットディスプレイパネルを用いたディスプレイ装置の開発、実用化の進歩は目覚しいものがあり、特に3電極型面放電構造を有するAC型プラズマディスプレイ装置(PDP装置)は、大画面化、カラー化が容易であることから、大型テレビ等の用途で実用化、応用化が進んでいる。以下、PDP装置を例として説明を行うが、本発明はこれに限定されず、フラットパネルディスプレイ装置であれば適用可能である。
図1は,大画面ディスプレイ装置として普及が進んでいる3電極型AC面放電方式のPDPパネルの断面模式図を示している。
3電極型AC面放電方式のPDPパネルは,前面ガラス15と背面ガラス11の2枚のガラス基板によって構成されており,前面ガラス基板15には,維持電極のBUS電極17と透明電極16とで構成される共通維持電極(X電極:X1,X2〜Xn),および走査電極(Y電極:Y1,Y2〜Yn)を備えている。これらのX電極およびY電極は交互に配置されている。X電極およびY電極上に誘電体層18が形成され、誘電体層18の上にはMgOなどの保護膜19が形成されている。BUS電極17は高い導電性を有し、透明電極16の導電性を補うよう機能する。誘電体層18は壁電荷による放電を維持するよう機能し、低融点ガラスからなる。
また,背面ガラス基板にはX電極およびY電極と直交する形でアドレス電極(A1,A2〜Am)12を備えている。このアドレス電極12の上に誘電体層13が形成され、更に誘電体層13上においてアドレス電極12の間隙に対応する位置に隔壁14が形成されている。
隔壁14間には誘電体層13および隔壁側壁を覆うように蛍光体層R、G、Bが形成される。この蛍光体層R、G、Bは赤、緑、青の3色に対応する。PDP駆動時にはX電極とY電極との間の放電によって紫外線が生じ、蛍光体層R、G、Bが紫外線で励起され発行することにより画像表示が行われる。
X電極およびY電極が設けられた前面ガラス15とアドレス電極が設けられた背面ガラスとの間には、ネオンとキセノンの混合ガスなどの放電ガスが充填される。X電極およびY電極とアドレス電極とが交差する部分の空間が、1つの放電セル(画素)を構成する。
図2は,この3電極型AC面放電方式のPDP装置の全体構成を示し、特にPDPパネルに対する駆動回路の主要部を示すブロック図である。図2に示される駆動回路は、アドレスドライバ回路111、走査ドライバ回路112、Y共通ドライバ回路113、X共通ドライバ回路114、および制御回路115を含む。制御回路115は、表示データ制御部116、走査ドライバ制御部117、および共通ドライバ制御部118を含む。更に、表示データ制御部116はフレームメモリ119を含む。
制御回路115は、外部より入力されるクロック信号CLK、表示データD、垂直同期信号VSYNC、水平同期信号HSYNCなどに応じてパネル駆動を制御するための制御信号を生成する。具体的には、表示データ制御部116が、表示データDを受け取りフレームメモリ119に格納し、クロックCLKに同期してフレームメモリ119の表示データDに応じたアドレス制御信号を生成する。アドレス制御信号は、アドレスドライバ回路111に供給される。また、走査ドライバ制御部117は、垂直同期信号VSYNCおよび水平同期信号HSYNCに同期して、走査ドライバ回路112を制御する走査ドライバ制御信号を生成する。また共通ドライバ制御部118は、垂直同期信号VSYNCおよび水平同期信号HSYNCに同期して、Y共通ドライバ回路113およびX共通ドライバ回路114を駆動する。
アドレスドライバ回路111は、表示データ制御部116からのアドレス制御信号に応じて動作し、表示データに対応したアドレスパルスを各アドレス電極A1乃至Amに印加する。走査ドライバ回路112は、走査ドライバ制御部117からの走査ドライバ制御信号に応じて動作し、各走査電極(Y電極)Y1乃至Ynを独立して駆動する。走査ドライバ回路112が各走査電極(Y電極)Y1乃至Ynを順次走査パルスを印加するのに同期して、アドレスドライバ回路111がアドレスパルスを各アドレス電極A1乃至Amに印加することにより、表示するセルを選択して、各セル(画素)103の表示(点灯)・不表示(非点灯)(選択/非選択)を制御する。
Y共通ドライバ回路113によりY電極Y1乃至Ynにサスティンパルスを印加し、X共通ドライバ回路114によりX電極X1乃至Xnにサスティンパルスを印加する。サスティンパルスを印加することで、表示セルとして選択されたセルにおいて、X電極とY電極の間に維持放電を発生させる。
アドレスドライバ回路111はアドレスドライバICより構成され、走査ドライバ回路112は走査ドライバICより構成される。
図3には、パネル100の背面に駆動用回路等が組み込まれて完成されたフラットディスプレイ装置を斜めから見た外観を示している。アドレスドライバ回路111はアドレスドライバ回路121に、走査ドライバ回路112はSDM回路部122に、Y共通ドライバ回路113はY−SUS回路部123に、X共通ドライバ回路114はX−SUS回路部124に、制御回路115はロジック回路部125に、それぞれ収容される。パネル100の背面には、X−SUS回路部124とX電極端子を接続するX−BUS回路部126と、電源回路部127が設けられる。
上記のように、この図2の回路構成において、走査ドライバ回路112およびアドレス側ドライバ回路111に対しては、各電極対応に選択的に駆動パルスを印加するための回路が必要であり、一般的にIC化された素子を主要回路部品として使用している。
例えば、42インチクラスのPDPでは、走査電極側には512本の走査電極、アドレス電極側には1024画素分(1画素はRGBの3ライン)の3072本の電極が存在しており、各電極対応に駆動回路を接続する必要がある。
通常、このような駆動回路用のドライバICとしては、1IC当り64電極分〜192電極分を駆動できる回路が集積化されているのが一般的である。
従って、走査電極側には電極512本に対して8個、アドレス電極側には電極3072本に対して48個〜16個のドライバICを使用しているのが一般的である。
このドライバICは、負荷であるパネルへの発光電流を供給したり、電極間の容量を高電圧で充放電駆動しているため、パネルの表示負荷の状態によっては1IC当り1〜3W程度の電力を消費する場合もあり得る。
このため、各ドライバICに対しては放熱性の良い実装構造を適用して、その温度上昇を抑えて品質、信頼性を保持するようにする一方で、各ICの温度上昇をモニターして、その温度上昇がある一定値を超えた場合には、消費電力を抑えるように駆動フィードバック制御することも行われている。
また、上述のように多数のドライバICを駆動回路の一部として組み込んで使用していることから、これらの回路動作が正常に機能しているかどうかをモニターしておく必要性からもドライバIC乃至実装基板等の温度を検出することが行われている。
図4から図6は、アドレスドライバモジュール(ADM)に対する従来の温度検出回路の構成例を示しており、温度検出素子を利用した構成例を示す。図4は温度検出素子の実装状態を示しており、(A)は正面図であり、(B)は側断面図である。図示のように、アドレスドライバIC131は放熱と固定保持用を兼ねたアルミ板133上に搭載されており、アルミ板133に固定された接続配線用のフレキシブル基板132との間で配線を行った後、封止樹脂134でモールドされている。フレキシブル基板132の両端には入力端子136と出力端子137が設けられ、フレキシブル基板132上に温度検出用の素子135としてサーミスタ等が実装されている。
図5は、PDP装置のアドレス制御に関係する回路構成を示す図である。例えば8個のアドレスドライバモジュール(ADM)141が設けられており、各ADMは2個の駆動IC142と温度検出素子Sとを有する。制御回路115内の表示データ制御部116内に設けられるアドレス制御回路143は、制御ロジック144と、温度検出制御回路145と、を有する。制御ロジック144は、制御入力に従って、各ADM141のIC142に供給する制御信号を生成する。温度検出制御回路145は、各ADM141に設けられた温度検出素子Sの出力する温度検出信号を収集して、各ADM141の温度を監視(モニター)する。
図6は、温度検出制御回路145及び温度検出素子Sの部分の構成を示す。図示のように、温度検出素子S1〜S8と抵抗R1〜R8が、電源間に直列に接続されており、温度に応じて温度検出素子と抵抗の接続ノードの電圧が変化する。すなわち、各接続ノードに電圧信号である温度検出信号が発生する。アナログスイッチ146は、各入力端子が8個の接続ノードに接続されており、8個のスイッチのうちの1つをオンすることにより、1つの温度検出信号を選択して比較回路(コンパレータ)147に出力する。コンパレータ147は、入力された温度検出信号の電圧値を基準電圧Vrefと比較して、比較結果を温度制御出力として出力する。基準電圧Vrefは所定温度に対応しており、温度制御出力はこの所定温度より高いか又は低いかを示す。アナログスイッチ146の接続を順次切り換えることにより、各接続ノードの温度、すなわち各ADMの温度が所定温度以上になったかが検出できる。
上記の方法で検出しているのは前述の図4に示したようにアルミ板133上に貼り合わされているフレキシブル基板132の温度であり、直接ICの温度を検出しておらず、あくまでも間接的なICの温度検出方法であり、IC温度に対しては誤差が生じるという課題がある。
そこで、ICの温度検出を直接行う方法として、ドライバIC内に温度検出用のダイオードを内蔵させる方式が提案されている。内蔵ダイオードによる温度検出方法は、ダイオードへの一定電流に対する順方向電圧降下VFの変動をモニターすることで行われている。順方向電圧降下VFの値と温度との関係は逆比例の関係にあり、温度上昇に伴いほぼ正確に直線的に電圧値が低くなることが知られている。
例えば、通常のプロセスで作製されたダイオードにおいては、一定電流100μAに対して常温付近ではVFは0.7〜0.8Vの値を示し、これより温度が上昇すると1℃当り1〜3mV程度の割合でほぼ直線的にVF値が低下する。
この順方向電圧降下VFの温度依存性を温度係数αと呼んでおり、プロセス条件が決まったものに対しては、所定のVF値が得られるので、このVF値を知ることにより逆に温度を把握することが可能である。
また、順方向電圧降下VF値は、順方向電流IFによっても変化し、IFを大きくすると相対的に大きなVFを得られるが温度係数αは小さくなり、逆にIFを小さくすると温度係数αは大きな値が得られるがIFが小さいことにより安定性が悪くなる欠点があるため、ある最適値に選ぶようにしている。
更には、ダイオード素子単体では得られるVF値に限界があり、十分な検出感度が得られないため、複数のダイオードを直列接続することにより検出感度をアップさせことも行われている。
上述したように、半導体素子に内蔵したダイオード素子単体あるいは複数の直列回路により、この順方向電圧降下VFの温度係数αを利用することにより温度を検出することが可能である。
図7は、ドライバIC150内に設けられたダイオードDの順方向電圧降下量を検出することによりICの温度を検出する基本構成を示す図である。図示のように、ダイオードDに一定電流を流すための定電流回路151と、VF値を検出するためのモニター(コンパレータ)回路152と、が設けられる。内蔵のダイオードDのアノードはIC150の端子に接続されており、この端子が定電流回路151の出力及びコンパレータ回路152の入力端子に接続され、コンパレータの他方の入力端子には基準電圧Vrefが入力される。このような構成において、ダイオードDの順方向電圧降下VFは、温度が上昇するに伴い下がり続けるが、VFが基準電圧Vrefを下回るとコンパレータ152の出力にはHレベルの電圧が出力される。
さらに時間が経過し温度が低下すると、VFは大きくなり基準電圧を超えるとコンパレータ出力はゼロレベルに復帰する。基準電圧Vrefを検出したい温度に合わせて設定することにより、任意の温度のレベルに対して検出することが可能である。
図8は、ICに内蔵されたダイオードの順方向電圧降下を検出することによりPDP装置のアドレスドライバICの温度を検出する場合の回路構成を示す図である。ADMには2個のICが設けられているため、温度検出制御回路145の入力が増加する以外は、図5と同じである。
また、図9は、ICに内蔵されたダイオードの順方向電圧降下を検出する温度検出制御回路145及びIC部分の構成を示す図であるが、温度検出素子の代わりにダイオードを使用する以外は図6と類似の構成である。
図9の構成では、温度モニターすべき半導体素子が複数個あるような装置に対しては、図示のように個々のICに内蔵したダイオード回路に対して、それぞれに定電流回路151を接続することが必要であり、装置全体としては回路規模が大きくなりコスト高になるという課題があった。
以上、アドレスドライバ回路の例を説明したが、走査ドライバ回路についても同様の温度検出回路が使用される。
特許文献1は、自動車用駆動回路のIC温度を検出する構成で、複数のICにそれぞれ内蔵されたダイオード回路の接続を切り換えて、定電流回路及びコンパレータ回路を共通化する構成を記載している。
特開2004−117260
フラットディスプレイパネル駆動用のドライバICの温度検出回路では、多数個のドライバICがパネル周辺に分散配置されている関係上、各ドライバICへの配線本数を極力減らして、回路の入出力部を簡単化することが、コスト低減、小型化、及びノイズによる誤動作防止のために重要である。
特許文献1に記載によれば、定電流回路の各ダイオードへの接続を切り換えるためのスイッチ構成について具体的には記載されておらず、図示された例はCPUから各スイッチを制御するスイッチ制御信号線が個別に設けられる構成であり、信号線及び入出力端子がスイッチの個数分必要である。そのため、この構成をフラットディスプレイパネル駆動用のドライバICの温度検出回路に適用すると、配線本数が膨大になり、コスト増や大型化という問題が生じる。
また、半導体素子を量産した時のVFの特性として、制御されたプロセス条件による製造工程においても、ある程度のバラツキが発生してしまうという問題があり、このVFバラツキにより、温度の検出誤差が大きくなるという問題がある。しかし、特許文献1は、この問題については何ら記載していない。
以上の問題を解決するもので、本発明の第1の目的は、簡単な構成で、低コストで、多数個のICの温度が検出できる温度検出回路を備えたPDP装置の実現であり、本発明の第2の目的は、温度検出回路の検出精度を向上したPDP装置の実現である。
上記第1の目的を実現するため、本発明の第1の態様のプラズマディスプレイ装置(PDP装置)は、電流供給回路からN(自然数)個のドライバICに各々に内蔵されたN個のダイオード回路に順方向電流を流せるように構成し、N個のスイッチ素子でN個のダイオード回路の各々への順方向電流を導通または遮断制御し、各ダイオード回路の順方向電圧降下を検出する構成において、Nより小さなビット数のデジタル信号に応じてN個のスイッチ素子うちから1個を選択してオンとする選択制御回路を設けることを特徴とする。
本発明の第1の態様のPDP装置は、N個のスイッチ素子の選択をNより小さなビット数のデジタル信号で行うので、信号線数及び端子数を低減できる。
N個のスイッチ素子は、ダイオード回路のカソード端子とドライバICの基準電位間にそれぞれ設けることも、ダイオード回路のアノード端子と電流供給回路の間にそれぞれ設けることも可能である。後者の場合、ダイオード回路のカソード端子をIC内の基準電位に接続すれば、端子数を半分に減らすことができる。
ダイオード回路は、単素子のダイオードでもよいが、直列に接続した複数個のダイオードを使用すれば順方向電圧降下量が増加して検出精度が向上する。
また、ダイオード回路において、単素子のダイオード又は直列に接続した複数個のダイオードに並列に、逆方向に接続した単素子のダイオード又は直列に接続した複数個のダイオードをさらに設けてもよい。これにより、ノイズの影響を低減できる。
電流供給回路は、定電流源回路であることが望ましい。
本発明は、どのようなフラットディスプレイパネルにも適用できるが、特に高電圧の駆動信号を使用するプラズマディスプレイパネルに適用すると効果的である。
電圧検出回路は、検出した温度が所定温度以上であるかを判定するのであればコンパレータを使用すればよいが、補正処理などを行う場合にはA/Dコンバータを使用して電圧値をデジタル信号に変換することが望ましい。
上記第2の目的を実現するため、本発明のフラットパネルディスプレイ装置(PDP装置)は、電流経路からドライバICに内蔵されたダイオード回路に順方向に流す電流をスイッチ素子で導通または遮断制御し、ダイオード回路の順方向電圧降下を検出する構成において、順方向電圧をA/Dコンバータでデジタルデータに変換し、あらかじめ測定された、ダイオード回路での所定の順方向電流においての単位温度変化ΔTあたりの順方向電圧降下変化量ΔVFの関係である温度係数αを温度計数記憶回路に記憶しておき、フラットディスプレイパネルの動作停止状態におけるダイオード回路の室温順方向電圧降下VF1と周囲温度T1を検出して室温状態記憶回路に記憶しておき、表示動作状態におけるダイオード回路の動作時順方向電圧降下VF2を検出し、温度算出回路により、動作時順方向電圧降下VF2と室温順方向電圧降下VF1の差ΔVFに温度係数αを乗じた値に周囲温度T1を加算して動作時温度T2を算出することを特徴とする。
本発明の第1の態様によれば、PDP装置の多数個のICの温度を検出する温度検出回路の構成を簡単にして、コストを低減できる。
本発明の第2の態様によれば、PDP装置のICの温度を検出する温度検出回路の検出精度が向上する。
図10は、本発明の第1実施例のPDP装置のドライバICの温度検出に関係する部分の構成を示す図である。第1実施例のPDP装置は、図2から図4に示した構成を有し、パネルは図1に示したような構造を有する。アドレス制御回路は図8に示すような構成を有する。アドレスドライバ回路は、図8に示すように、複数個(ここでは16個)のICで構成される。また、走査ドライバ回路も複数個のICで構成される。走査ドライバ回路を構成するICの温度も、以下に説明するアドレスドライバ回路を構成するICの温度検出と同様の方法で検出されるが、説明は省略する。
図10に示すように、アドレスドライバ回路を構成する16個のIC201−1、201−2、…、201−16内には温度検出用ダイオードD1、D2、…、D16が内蔵されている。第1実施例では、アドレス制御回路内の温度検出制御回路は、1個の電流供給回路202と、選択回路部204と、コンパレータ203と、を有する。
電流供給回路202は、温度検出用ダイオードD1、D2、…、D16の1個の順方向電圧降下を検出するのに適した電流を流す回路であれば、どのような構成の回路でもよく、例えば、図11の(A)から(C)に示すような回路で実現される。
図11の(A)の回路は、抵抗のみで構成され、順方向電圧降下VF値に対して1桁程度高い例えば数10V(10V〜70V)の定電圧電源に対して数100kΩ程度の高抵抗を直列接続したもので、図の例では約0.1mAの電流を流す。
図11の(B)の回路は、スイッチ素子として一般的なMOSFETの飽和領域の定電流特性を利用したもので、電源電圧を抵抗分割した電圧をトランジスタのゲートに印加することにより、一定電流を流す回路である。
図11の(C)は、図11の(B)の回路でゲート電圧をより正確に発生するため、ツェナーダイオードを使用した回路である。
図10に戻って、電流供給流回路202の出力端子は、内蔵したダイオードD1、D2、…、D16のアノード端子に接続される各ICの端子に共通に接続される。また、内蔵したダイオードD1、D2、…、D16のカソード端子に接続される各ICの端子は、選択回路部204に接続される。
選択回路部204は、16個のダイオードD1、D2、…、D16に対応して16個のスイッチ素子SW1、SW2、…、SW16と、16個のスイッチ素子SW1、SW2、…、SW16の導通または遮断を制御するデコードセレクタ205と、を有する。スイッチ素子は、ダイオードD1、D2、…、D16のカソード端子に接続される端子とICの基準電位(GND)との間に接続されるトランジスタで、ゲート電圧を制御することにより、導通又は遮断できる。デコードセレクタ205は、4ビットの入力に応じて16個のスイッチ素子の1個を導通させ、他を遮断する信号を出力するマルチプレクサである。従って、16個のダイオードD1、D2、…、D16のうち、導通する1個のスイッチ素子に接続されるダイオードのみに電流供給回路202から順方向電流が流れ、他の15個のダイオードには電流が流れない。デコードセレクタ205に入力する4ビットの入力データを変えることにより、導通するスイッチ素子を選択して、対応するダイオードに順方向電流を流すことができる。なお、選択回路部204は、アドレス制御回路などが実現されるIC内に一緒に設けられる。
コンパレータ203は、電流供給回路202の出力端子とダイオードD1、D2、…、D16のアノード端子の接続ノードの電圧を基準電圧Vrefと比較して、Vrefより低くなるとコンパレータの出力が「高(H)」レベルに変化する。ダイオードの順方向電圧降下VFは、温度が上昇するに伴い低下する。Vrefを検出したい温度に合わせて設定することにより、ICが任意のレベル以上の温度になったことを検出する。
本実施例では、デコードセレクタ205に入力する4ビットの入力データを順次変化させてダイオードD1、D2、…、D16のそれぞれに順方向電流が流れる状態を時分割で順次実現し、その時のコンパレータ203の出力を検出して各ICの温度が所定の温度レベルを超えていないか監視する。この動作を、繰り返し行い、16個のICの温度を常時監視する。図12は、この動作を説明する図である。図示のようにデコードセレクタ205の4ビットの入力A〜Dを変化させることにより、16個のスイッチ素子SW1〜SW16のうちの導通するスイッチ素子が順に変化する。スイッチ素子が導通すると対応するダイオードに順方向電流が流れて、その順方向電圧がコンパレータで比較されてその結果が温度制御出力として出力される。
以上のように、本実施例では、16個のスイッチ素子があるが、選択回路部204のデコードセレクタ205への入力信号線は4本でよく、選択回路部204が収容されるICの端子数を低減できる。
温度検出用として半導体素子に内蔵させるダイオードD1、D2、…、D16は、当然ながら電流が一つの方向しか流れないので、周辺の回路系にノイズ源があってGND線にノイズが重畳されている場合には、ノイズがダイオードにより検波され順方向電圧降下が通常より低めに出てしまい、正確な検出が困難になるという問題がある。そこで、図13の(A)に示すように、ダイオード回路において、順方向のダイオードDAに、ダイオードDBを逆方向に並列接続する。これにより、GND線にノイズが乗っていてもダイオード回路において検波されることはなく、したがって検出レベルはその影響を受け難くなり、このようなノイズに対する耐性を向上させることができる。
また、1個のダイオードでは、順方向電圧降下の量が小さいので高い精度で検出するのが難しい。そこで、図13の(B)に示すように、図13の(B)に示すように、ダイオード回路において、1個のダイオードの代わりに、複数のダイオードを直列に接続したダイオード列ADAを使用して、順方向電圧降下量を大きくしてもよい。図13の(B)では、図13の(A)のように並列に接続する逆方向のダイオードもダイオード列ADBにしている。なお、ダイオード列ADBの数はADAの数と異ならせることも可能であり、最小1個であっても良い。
図14は、本発明の第2実施例のPDP装置のドライバICの温度検出に関係する部分の構成を示す図である。第2実施例は、電流供給回路202の出力端子と各ICに内蔵された温度検出用ダイオードD1、D2、…、D16の接続線の途中にスイッチ素子SW1、SW2、…、SW16を設けた点が第1実施例と異なる。なお、第1実施例では、スイッチ素子としてNチャンネルMOSトランジスタが使用されたが、第2実施例のスイッチ素子はPチャンネルMOSトランジスタで実現される。各ICに内蔵された温度検出用ダイオードD1、D2、…、D16のカソード端子は、各ICの基準電位(GND)に接続される。
第2実施例でも、第1実施例と同様に、16個のスイッチ素子があるが、選択回路部211のデコードセレクタ212への入力信号線は4本でよく、選択回路部211が収容されるICの端子数を低減できる。
更に、第1実施例では各ICに内蔵された温度検出用ダイオードのアノード端子とカソード端子に接続される2個の端子をICに設ける必要があるが、第2実施例ではアノード端子に接続される1個の端子のみを設ければよく、ドライバICの端子数を低減できる。
図15は、本発明の第3実施例のPDP装置のドライバICの温度検出に関係する部分の構成を示す図である。第3実施例は、第1実施例において、コンパレータ203の代わりにA/Dコンバータ221を設け、更にIC周囲温度センサ222とCPU223を設けた点が異なる。CPU223自体は、図示していないが第1実施例でも設けられている。
半導体素子としてのドライバICを数多く生産する場合には、同一材料およびプロセス条件による製造にも関らず、ある程度のVF値のバラツキが発生してしまうという問題があった。第3実施例では、このバラツキによる検出誤差を小さくするように補正を行う。
図16は、この温度補正の手順を示すフローチャートである。ステップ301から304は、例えば工場の生産ライン等においてディスプレイ装置の組立てが終了した後の出荷直前のタイミングにおいて行われる。
ステップ301では、ダイオード回路での所定の順方向電流においての単位温度変化ΔTあたりの順方向電圧降下変化量ΔVFの関係である温度係数αを、温度係数記憶回路に記憶する。温度係数記憶回路は、CPU223のメモリで実現される。温度係数αは、既知であるか、既知でなければあらかじめ測定される。
ステップ302では、ディスプレイ装置の電源をOFFとしてドライバICの回路機能をほぼ自己発熱のない状態まで停止した状態とし、ステップ303で、IC周囲温度センサ222によりこの時の周囲温度T1を検出して記憶し、ステップ304で、A/Dコンバータ221の出力を読み取って動作停止状態における順方向電圧降下VF1を検出して記憶する。T1及びVF1はCPU223のメモリ内の室温状態記憶回路に記憶される。
以下のステップは、市場へ出荷された後の通常の使用状態において行われる。
ステップ305で、ディスプレイ装置の電源をONとし表示の動作状態としてドライバICの回路機能を働かせて自己発熱(温度上昇)がある状態になる。
ステップ306で、この時の順方向電圧降下VF2を検出する。
ステップ307で、このVF2と先に記憶してあるVF1との差分ΔVFを算出する。
ステップ308で、ΔVFに温度係数αを乗じて温度上昇値ΔTを算出する。
ステップ309で、先のステップ303で記憶されたT1にΔTを加算することにより、現回路動作中のドライバICの温度T2を算出する。
以下、ステップ306から309を繰り返す。
第3実施例の補正方法によれば、順方向電圧降下VFにバラツキがあっても予め工場出荷前の段階において、VFと温度の関係を測定記憶しておくため、バラツキによる温度誤差を無くすことが可能となり、検出精度を高めることが可能となる。
なお、温度係数αのバラツキは、順方向電圧降下VFのバラツキと比べて小さいことが知られている。
上述したように、本発明によれば、大画面、高精細フラットディスプレイ装置のように多数の半導体素子が組込まれた、特にドライバICのような高発熱素子のものに対して、簡単な構成で低コスト、しかも検出精度の高い温度検出回路および検出方法が実現される。
以上で述べた本発明の温度検出回路の応用例としては、近年、大画面、高精細化表示が著しいカラープラズマディスプレイ装置や液晶ディスプレイ装置のパネル電極駆動用のドライバIC等に適用することが考えられる。
特に、カラープラズマディスプレイ装置のドライバICは比較的高電圧が印加され、大電流が流れ消費電力が大きいという特性より、IC自体での温度検出を行うことが理想的であり、本願の適用により、簡単で低コストの温度検出回路方式を実現することが可能となる。
プラズマディスプレイパネルの構造を示す図である。 プラズマディスプレイ装置(PDP装置)の駆動回路の概略構成を示すブロック図である。 PDP装置の背面斜視図である。 駆動ICの取り付け構造を示す図である。 アドレスドライバ回路のICの温度検出の従来の構成を示す図である。 従来例の温度検出に関係する回路構成を示す図である。 ドライバICに内蔵されたダイオードを利用した温度検出の原理を説明する図である。 アドレスドライバ回路のICの温度検出の別の従来の構成を示す図である。 別の従来例の温度検出に関係する回路構成を示す図である。 本発明の第1実施例のPDP装置のドライバ回路のICの温度検出の構成を示す図である。 電流供給回路の構成例を示す図である。 第1実施例における温度検出の動作を示す図である。 温度検出用ダイオード回路の変形例を示す図である。 本発明の第2実施例のPDP装置のドライバ回路のICの温度検出の構成を示す図である。 本発明の第3実施例のPDP装置のドライバ回路のICの温度検出の構成を示す図である。 第3実施例における温度補正手順を示すフローチャートである。
符号の説明
100 プラズマディスプレイパネル
111 アドレスドライバ回路
112 走査ドライバ回路
113 Y共通ドライバ回路
114 X共通ドライバ回路
115 制御回路
201、201−1、201−16 ドライバIC
202 電流供給回路
203 コンパレータ
204 選択回路部
205 デコーダセレクタ
D、D1、D2、D16 温度検出用ダイオード
SW1、SW2、SW16 スイッチ素子

Claims (10)

  1. フラットディスプレイパネルと、
    前記フラットディスプレイパネルの表示電極を駆動するためのN(自然数)個のドライバICと、
    前記N個のドライバICの各々に内蔵されたN個のダイオード回路と、
    前記N個のダイオード回路に順方向電流を供給する電流供給回路と、
    前記N個のダイオード回路の各々への順方向電流を導通または遮断制御するN個のスイッチ素子と、
    前記Nより小さなビット数のデジタル信号に応じて、前記N個のスイッチ素子のうちから1個を選択してオンとする選択制御回路と、
    前記電流供給回路と前記ダイオード回路の接続ノードの電圧を検出する電圧検出回路と、を備え、
    前記N個のダイオード回路に対して、前記選択制御回路の選択により時分割で順方向電流を選択的に流す制御を順次行い、前記電圧検出回路により前記N個のダイオード回路の選択したダイオード回路の順方向電圧降下を順次検出することにより、前記N個のドライバICの温度を検出することを特徴とするフラットパネルディスプレイ装置。
  2. 前記N個のスイッチ素子は、前記ダイオード回路のカソード端子と前記ドライバICの基準電位間にそれぞれ設けられる請求項1に記載のフラットパネルディスプレイ装置。
  3. 前記N個のスイッチ素子は、前記ダイオード回路のアノード端子と前記電流供給回路の間にそれぞれ設けられる請求項1に記載のフラットパネルディスプレイ装置。
  4. 前記ダイオード回路は、単素子のダイオード又は直列に接続した複数個のダイオードである請求項1に記載のフラットパネルディスプレイ装置。
  5. 前記ダイオード回路は、単素子のダイオード又は直列に接続した複数個のダイオードに並列に、逆方向に接続した単素子のダイオード又は直列に接続した複数個のダイオードをさらに備える請求項1から4のいずれか1項に記載のフラットパネルディスプレイ装置。
  6. 前記電流供給回路は、定電流源回路である請求項1から4のいずれか1項に記載のフラットパネルディスプレイ装置。
  7. 前記フラットディスプレイパネルは、プラズマディスプレイパネルである請求項1から6のいずれか1項に記載のフラットパネルディスプレイ装置。
  8. 前記電圧検出回路は、前記電流供給回路と前記ダイオード回路の接続ノードの電圧を基準電圧と比較するコンパレータである請求項1から7のいずれか1項に記載のフラットパネルディスプレイ装置。
  9. フラットディスプレイパネルと、
    前記フラットディスプレイパネルの表示電極を駆動するためのドライバICと、
    前記ドライバICに内蔵されたダイオード回路と、
    前記ダイオード回路に供給する順方向電流を出力する電流供給回路と、
    前記電流供給回路と前記ダイオード回路との接続ノードの電圧をデジタルデータに変換するA/Dコンバータと、
    あらかじめ測定された、前記ダイオード回路での所定の順方向電流においての単位温度変化ΔTあたりの順方向電圧降下変化量ΔVFの関係である温度係数αを記憶する温度係数記憶回路と、
    前記フラットディスプレイパネルの動作停止状態における前記ダイオード回路の室温順方向電圧降下VF1と周囲温度T1を検出して記憶する室温状態記憶回路と、
    前記フラットディスプレイパネルの表示動作状態における前記ダイオード回路の動作時順方向電圧降下VF2を検出し、前記動作時順方向電圧降下VF2と前記室温順方向電圧降下VF1の差ΔVFに前記温度係数αを乗じた値に前記周囲温度T1を加算して前記表示動作状態におけるドライバICの温度T2を算出する温度算出回路と、を備えることを特徴とするフラットパネルディスプレイ装置。
  10. 前記フラットディスプレイパネルは、プラズマディスプレイパネルである請求項9に記載のフラットパネルディスプレイ装置。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110640341A (zh) * 2019-09-23 2020-01-03 天津大学 一种激光焊接等离子体温度实时监测方法
US11187597B2 (en) 2019-02-01 2021-11-30 Keihin Corporation Temperature detection device, abnormality detection device, and electric power conversion apparatus
WO2024013999A1 (ja) * 2022-07-15 2024-01-18 日立Astemo株式会社 インバータ制御装置

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