JP2008028210A - 構造体およびその製造方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】異なる半導体チップに設けられた電極間を安定的に接続する。
【解決手段】
構造体１００は、表面に第一ソルダーレジスト１９５を有する第一基板１０１、表面に第二ソルダーレジスト１９７を有する第二基板１１１、およびこれらの基板表面に接して設けられた接着テープ１８１を含む。第一基板１０１および第二基板１１１に、それぞれ第一凹部１９２および第二凹部１９４が設けられ、第一凹部１９２および第二凹部１９４の底部が、それぞれ第一電極１９１および第二電極１９３により構成されている。接着テープ１８１中の複数の導電性粒子１８３は、第一電極１９１と第二電極１９３に接している第一導電性粒子１８３ａと、第一導電性粒子１８３ａと略同一の粒径を有し、第一ソルダーレジスト１９５および第二ソルダーレジスト１９７に陥入している第二導電性粒子１８３ｂと、を含む。
【選択図】図１

Description

本発明は、構造体およびその製造方法に関する。
電極が設けられた基板間を接続する技術としては、異方導電フィルム（Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｆｉｌｍ：ＡＣＦ）を用いるものがある（特許文献１）。特許文献２においては、基板の接着面に突出して設けられた電極同士を対向させて、電極間を異方導電フィルム中の導電性粒子により接続している。
特開平６−２８３２２６号公報 特開平５−１９００１４号公報
ところが、基板の表面に、ソルダーレジスト等の絶縁膜が設けられている場合、従来異方導電フィルムによる接着に供された基板とは構成の前提が異なっている。このため、異方導電フィルムによる基板間の接続方法を、表面に絶縁膜が設けられた基板間の接続にそのまま適用することはできなかった。
本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、異なる基板に設けられた電極間を確実に接続する技術を提供する。
本発明によれば、
表面に第一絶縁膜および第一電極を有する第一基板と、
表面に第二絶縁膜および第二電極を有する第二基板と、
を含み、
前記第一絶縁膜が前記第一基板の前記表面の一部を被覆し、前記第一絶縁膜の未被覆領域において、前記第一基板の前記表面に、前記第一絶縁膜の表面よりも前記第一基板側に後退して前記第一電極が設けられ、
前記第二絶縁膜が前記第二基板の前記表面の一部を被覆し、前記第二絶縁膜の未被覆領域において、前記第二基板の前記表面に、前記第二絶縁膜の表面よりも前記第二基板側に後退して前記第二電極が設けられ、
前記第一基板と前記第二基板とが、前記第一絶縁膜と前記第二絶縁膜とを内側にして対向するとともに、前記第一電極と前記第二電極とが対向した状態で、接着テープを介して接着されており、
前記接着テープが、第一樹脂と、前記第一樹脂中に存在する複数の導電性粒子と、を含み、
前記複数の導電性粒子が、
前記第一および第二電極が対向する領域にあって、これらの電極に接している第一導電性粒子と、
前記第一導電性粒子と略同一の粒径を有し、前記第一および第二絶縁膜が対向する領域にあって、前記第一および第二絶縁膜のうちの少なくとも一方に陥入している第二導電性粒子と、
を含む構造体が提供される。
本発明においては、接着テープ中に、粒径が略同一の第一および第二導電性粒子が含まれる。そして、第二導電性粒子が、第一または第二絶縁膜中に陥入しているため、第一電極と第二電極とが共通の第一同導電性粒子に接触する程度まで第一電極と第二電極との距離が近接した構成となっている。すなわち、本発明においては、第二導電性粒子の絶縁膜への陥入と第一導電性粒子の第一および第二電極への接触との協働作用により、絶縁膜の表面からそれぞれの基板側に後退して設けられた一対の電極間が一つの第一導電性粒子を介して確実に電気的に接続された構成となっている。
なお、本発明においては、電極の表面が、絶縁膜の表面つまり接着面の前端面よりも基板側に後退している構成において、電極間が接続される。このため、前述したように、基板表面から突出して設けられた電極の表面が、接着面の前端面となっている構成において、電極間を接続する場合とは構成の前提が異なる。この点について、以下、図５（ａ）および図５（ｂ）を参照してさらに説明する。
図５（ａ）は、基板に設けられた電極間の接続構造を示す断面図である。図５（ａ）では、第一基板２０１と第二基板２１１の電極形成面同士が接着テープ２８１により接着されている。接着テープ２８１においては、樹脂層２８９中に複数の導電性粒子２８３が分散している。第一基板２０１および第二基板２１１に、それぞれ、対向する基板に向かって突出した第一電極２９１および第二電極２９３が設けられている。第一電極２９１の表面が第一基板２０１の表面よりも第二基板２１１に近接しており、第二電極２９３の表面が第二基板２１１の表面よりも第一基板２０１に近接している。
図５（ａ）では、基板間距離Ｈが、電極間距離Ｌに等しい。このため、電極間距離Ｌが導電性粒子２８３の粒径ｄに等しくなった状態、つまり、第一電極２９１および第二電極２９３に挟まれた一つの導電性粒子２８３がこれらの電極に接触した状態で、電極間が電気的に接続される。
これに対し、本発明においては、第一および第二基板の表面に、それぞれ、第一および第二絶縁膜の未被覆領域が設けられており、これらの未被覆領域に、それぞれ、第一および第二電極が絶縁膜の表面から基板側に後退して設けられている。
図５（ｂ）は、このような基板の構成を示す断面図である。図５（ｂ）では、第一基板２０１および第二基板２１１が、表面に、それぞれ、第一絶縁膜２９５および第二絶縁膜２９７を有する。これらの絶縁膜は、たとえばソルダーレジストである。また、第一基板２０１および第二基板２１１に、それぞれ、第一凹部２９２および第二凹部２９４が設けられている。これらの凹部は、絶縁膜の未被覆領域である。また、これらの凹部の底部が、それぞれ、第一電極２９１および第二電極２９３により構成されている。第一電極２９１の表面が第一絶縁膜２９５の表面よりも第二基板２１１から離れており、第二電極２９３の表面が第二絶縁膜２９７の表面よりも第一基板２０１から離れている点で、接続しようとする電極の配置が図５（ａ）とは異なっている。
この場合、基板間距離Ｈは絶縁膜間の距離に等しく、電極間距離Ｌが基板間距離Ｈよりも大きい。このため、仮に、図５（ｂ）において、図５（ａ）と同様に接着テープ２８１を用いて基板同士を接着することを想定した場合、導電性粒子２８３が第一絶縁膜２９５および第二絶縁膜２９７に接触した状態で接着されると考えられる。また、第一絶縁膜２９５および第二絶縁膜２９７との対向領域に存在する導電性粒子２８３がこれらの絶縁膜中に非意図的に陥入することがあったとしても、第一電極２９１と第二電極２９３とが共通の導電性粒子２８３に接触する構成とはならない。
これに対し、本発明においては、第二導電性粒子を第一および第二絶縁膜中に意図的に陥入させた構成となっているため、第一および第二電極が半導体装置の外側に後退している構成でありながら、図５（ｂ）とは異なり、電極間が一つの第一導電性粒子に接触する構成が実現されている。よって、本発明によれば、第一および第二電極間を、単一の第一導電性粒子を介して確実に電気的に接続することができる。
ところで、本発明で見出された基板間の接続構造、すなわち第二導電性粒子が第一または第二絶縁膜中に陥入した構成は、従来の製法では得ることが困難であった。本発明においては、さらに、基板間を接続する際に、第一および第二絶縁膜の材料および第一樹脂の材料を選択するとともに、接着を所定の条件で行うことにより、このような接続構造を得ることが可能であることを見出した。たとえば、第一基板と第二基板との接着温度と第一および第二絶縁膜のガラス転移温度との関係を設定することにより、第二導電性粒子を絶縁膜中に陥入させることが可能となった。この点については、後述する実施形態および実施例においてさらに具体的に説明する。
なお、これらの各構成の任意の組み合わせや、本発明の表現を方法、装置などの間で変換したものもまた本発明の態様として有効である。
たとえば、本発明によれば、
上述した本発明の構造体の製造方法であって、
前記第一基板、前記第二基板および前記接着テープを準備する第一工程と、
前記接着テープの一方の面に前記第一絶縁膜の表面を当接させるとともに、前記接着テープの他方の面に前記第二絶縁膜の表面を当接させた状態で、前記第一および第二基板と前記接着テープとを圧着し、前記第一導電性粒子を前記第一および第二電極に接触させるとともに、前記第二導電性粒子を、前記第一および第二絶縁膜中に陥入させる第二工程と、
を含む構造体の製造方法が提供される。
以上説明したように、本発明によれば、接着テープ中の複数の導電性粒子が、第一および第二電極が対向する領域にあって、これらの電極に接している第一導電性粒子と、第一導電性粒子と略同一の粒径を有し、第一および第二絶縁膜が対向する領域にあって、第一および第二絶縁膜のうちの少なくとも一方に陥入している第二導電性粒子とを含むため、異なる基板に設けられた電極間を確実に接続することができる。
以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。なお、すべての図面において、共通の構成要素には同じ符号を付し、適宜説明を省略する。
（第一の実施形態）
図１は、本実施形態の構造体の構成を示す断面図である。
図１に示した構造体１００は、第一基板１０１、第二基板１１１および接着テープ１８１を含む。
第一基板１０１および第二基板１１１として、たとえば樹脂基板、半導体基板またはセラミック基板等が挙げられる。また、これらの基板は、たとえば配線基板である。
また、第一樹脂基板１０１または第二樹脂基板１１１に、半導体チップ（不図示）が搭載されていてもよい。
第一基板１０１は、表面に第一絶縁膜（第一ソルダーレジスト１９５）および第一電極１９１を有する。第一ソルダーレジスト１９５は、第一基板１０１の表面の一部を被覆している。また、第一基板１０１は、第一電極１９１を有する。第一基板１０１に、第一凹部１９２が設けられ、第一凹部１９２の底部が第一電極１９１により構成されている。第一凹部１９２は、第一ソルダーレジスト１９５の未被覆領域である。第一凹部１９２においては、第一ソルダーレジスト１９５が選択的に除去されて、開口している。また、第一凹部１９２の側面が、第一ソルダーレジスト１９５により構成されている。第一ソルダーレジスト１９５は、第一電極１９１の非形成領域から第一電極１９１の形成領域にわたって設けられている。
また、第一電極１９１は、第一ソルダーレジスト１９５の未被覆領域において、第一基板１０１の表面に設けられている。第一電極１９１の表面は、第一ソルダーレジスト１９５の表面よりも第一基板１０１側に後退して設けられている。
第二基板１１１は、表面に第二絶縁膜（第二ソルダーレジスト１９７）および第二電極１９３を有する。第二ソルダーレジスト１９７は、第二基板１１１の表面の一部を被覆している。また、第二基板１１１は、第二電極１９３を有する。第二基板１１１に、第二凹部１９４が設けられ、第二凹部１９４の底部が第二電極１９３により構成されている。第二凹部１９４は、第二ソルダーレジスト１９７の未被覆領域である。第二凹部１９４においては、第二ソルダーレジスト１９７が選択的に除去されて、開口している。また、第二凹部１９４の側面が、第二ソルダーレジスト１９７により構成されている。第二ソルダーレジスト１９７は、第二電極１９３の非形成領域から第二電極１９３の形成領域にわたって設けられている。
また、第二電極１９３は、第二ソルダーレジスト１９７の未被覆領域において、第二基板１１１の表面に設けられている。第二電極１９３の表面は、第二ソルダーレジスト１９７の表面よりも第二基板１１１側に後退して設けられている。
なお、図１では、第一電極１９１が第一凹部１９２の底部全体を構成し、第二電極１９３が第二凹部１９４の底部全体を構成している態様を例示したが、これらの電極は、凹部の少なくとも一部を構成していればよい。
また、図１においては、構造体１００中に第一凹部１９２と第二凹部１９４との対向領域が一つ設けられた構成を例示したが、凹部の対向領域は、構造体１００の所定の位置に所定の数だけ設けることができる。
第一基板１０１と第二基板１１１とは、第一ソルダーレジスト１９５と第二ソルダーレジスト１９７とを内側にして対向するとともに、第一凹部１９２の底部を構成する第一電極１９１と第二凹部１９４の底部を構成する第二電極１９３とが対向した状態で、接着テープ１８１を介して接着されている。
ここでは、第一ソルダーレジスト１９５および第二ソルダーレジスト１９７が、いずれも有機樹脂材料からなる。有機樹脂材料として、具体的には、エポキシ樹脂系、(メタ)アクリレート樹脂系およびポリイミド樹脂系の材料が挙げられる。これらは、単独または２種以上混合して用いてもよい。
次に、接着テープ１８１について説明する。
接着テープ１８１は、第一電極１９１と第二電極１９３との間に設けられるとともに、第一電極１９１の表面および第二電極１９３の表面に接して設けられている。また、接着テープ１８１は、第一樹脂（樹脂層１８９）と、樹脂層１８９に存在する複数の導電性粒子１８３と、を含む。
複数の導電性粒子１８３は、第一導電性粒子１８３ａおよび第二導電性粒子１８３ｂを含む。
第二導電性粒子１８３ｂは、第一導電性粒子１８３ａと略同一の粒径を有する。ここで、第一導電性粒子１８３ａと第二導電性粒子１８３ｂとが略同一の粒径を有するとは、第一凹部１９２と第二凹部１９４との対向領域が構造体１００中に複数設けられている場合にも、各対向領域において第一電極１９１と第二電極１９３とを第一導電性粒子１８３ａにより安定的に接続できる程度に同程度の粒径であって、プラスマイナス５％程度の粒径のばらつきは許容される。たとえば、第一導電性粒子１８３ａおよび第二導電性粒子１８３ｂの平均粒径が２μｍのとき、粒径が１．９〜２．１μｍ程度であってもよい。
また、第一導電性粒子１８３ａおよび第二導電性粒子１８３ｂの粒径は、第一凹部１９２の深さと第二凹部１９４の深さとの合計よりも大きい。これにより、第二導電性粒子１８３ｂが第一ソルダーレジスト１９５または第二ソルダーレジスト１９７に陥入した状態で、第一導電性粒子１８３ａを第一凹部１９２および第二凹部１９４の底部を構成する第一電極１９１および第二電極１９３にさらに確実に接触させることができる。
また、第一導電性粒子１８３ａおよび第二導電性粒子１８３ｂの粒径の上限に特に制限はないが、隣接電極間のショート不良を抑制する観点で、たとえば、１００μｍ以下とする。
第一導電性粒子１８３ａは、第一電極１９１および第二電極１９３が対向する領域（以下、第一領域とも呼ぶ。）にあって、これらの電極に接している。
また、第二導電性粒子１８３ｂは、第一ソルダーレジスト１９５および第二ソルダーレジスト１９７が対向する領域（以下、第二領域とも呼ぶ。）にあって、第一ソルダーレジスト１９５および第二ソルダーレジスト１９７のうちの少なくとも一方に陥入している。
また、複数の導電性粒子１８３は、第一および第二の領域において、以下のように存在している。
すなわち、第一領域においては、複数の導電性粒子１８３のうちの一部、つまり第一導電性粒子１８３ａが、第一電極１９１および第二電極１９３に接する姿態で存在する。これにより、第一電極１９１と第二電極１９３とが電気的に接続される。また、一つの第一領域中に、一つの第一導電性粒子１８３ａが存在している。また、積層方向において一対の電極間が一つの第一導電性粒子１８３ａにより接続されている。
また、第二領域においては、複数の導電性粒子１８３のうちの一部、つまり第二導電性粒子１８３ｂが、以下（ｉ）または（ｉｉ）の姿態で存在している。
（ｉ）第一ソルダーレジスト１９５および第二ソルダーレジスト１９７のうちのいずれか一方の膜中に、粒子の一部が陥入している。
（ｉｉ）第一ソルダーレジスト１９５および第二ソルダーレジスト１９７の両方に、粒子の一部がそれぞれ陥入している。
なお、図１では、上記（ｉｉ）の構成が例示されている。
複数の導電性粒子１８３は、第二樹脂からなるコア粒子１８５と、コア粒子１８５の外側を被覆する導電層（金属層１８７）とを含む。
第二樹脂の材料として、たとえば、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、メラミン樹脂、フェノール樹脂、ジビニルベンゼン共重合体、スチレン−ジビニルベンゼン共重合体、（メタ）アクリレート−ジビニルベンゼン共重合体、（メタ）アクリレート共重合体、スチレン樹脂、スチレンーブタジエン共重合体、ベンゾグアナミン樹脂等の有機物やシリカ等の無機物が挙げられる。その中でも、絶縁膜に対する陥入性と接着剤樹脂の緩みに追随できる弾力性を考慮すると、ジビニルベンゼン共重合体、（メタ）アクリレート−ジビニルベンゼン共重合体、アクリレート共重合体、ベンゾグアナミン樹脂が好ましい。また、コア粒子１８５は、中空であっても中実であってもよい。
金属層１８７は、コア粒子１８５全面を被覆している。金属層１８７は、たとえばめっき層であってもよい。金属層１８５の材質および厚さは特に制限されないが、導電性の観点から、材質はニッケル（Ｎｉ：内層）／金（Ａｕ：外層）メッキで、厚さは１００オングストローム以上５０００オングストローム以下が好ましい。
また、接着テープ１８１において、導電性粒子１８３の配合比は、導電性粒子１８３以外の成分に対して、接続信頼性を向上させる観点で０．１体積％以上、好ましくは１体積％以上とする。また、接着テープの成膜性を向上させる観点では、接着テープ中の導電性粒子１８３以外の成分に対して１０体積％以下、好ましくは５体積％以下とする。
接着テープ１８１の樹脂層１８９の材料としては、特に制限されるものではなく、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂あるいは熱可塑性樹脂および熱硬化性樹脂の混合系が用いられる。このうち、成膜性および樹脂の溶融粘度の観点から、熱可塑性樹脂と熱硬化性樹脂の混合系が好適である。さらに具体的には、樹脂層１８９の材料が、エポキシ樹脂およびアクリルゴムを含む構成としてもよい。
熱可塑性樹脂としては、特に制限されるものはなく、たとえば、フェノキシ樹脂、ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリイミド樹脂、シロキサン変性ポリイミド樹脂、ポリブタジエン、ポリプロピレン、スチレン−ブタジエン−スチレン共重合体、スチレン−エチレン−ブチレン−スチレン共重合体、ポリアセタール樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、ブチルゴム、クロロプレンゴム、ポリアミド樹脂、アクリロニトリル−ブタジエン共重合体、アクリロニトリル−ブタジエン−アクリル酸共重合体、アクリロニトリル−ブタジエン−スチレン共重合体、ポリ酢酸ビニル、ナイロン、アクリルゴム等を用いることができる。これらは、単独または２種以上を混合して用いることができる。
また、上記熱可塑性樹脂は、接着性や他の樹脂との相溶性を向上させる目的で、ニトリル基、エポキシ基、水酸基、カルボキシル基を有するものを用いてもよく、このような樹脂として、たとえばアクリルゴムを用いることができる。
熱硬化性樹脂としては、特に制限されるものではないが、エポキシ樹脂、オキセタン樹脂、フェノール樹脂、（メタ）アクリレート樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ジアリルフタレート樹脂、マレイミド樹脂等が用いられる。中でも、硬化性と保存性、硬化物の耐熱性、耐湿性、耐薬品性に優れるエポキシ樹脂が好適に用いられる。
エポキシ樹脂は、室温で固形のエポキシ樹脂と、室温で液状のエポキシ樹脂のうち、いずれを用いてもよい。また、樹脂が室温で固形のエポキシ樹脂と、室温で液状のエポキシ樹脂とを含んでもよい。これにより、樹脂層１８９を構成する樹脂の溶融挙動の設計の自由度をさらに高めることができる。
室温で固形のエポキシ樹脂としては、特に限定されるものではなく、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂、３官能エポキシ樹脂、４官能エポキシ樹脂等が挙げられる。さらに具体的には、固形３官能エポキシ樹脂とクレゾールノボラック型エポキシ樹脂とを含んでもよい。
また、室温で液状のエポキシ樹脂は、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂またはビスフェノールＦ型エポキシ樹脂とすることができる。また、これらを組み合わせて用いてもよい。
また、樹脂層１８９がアクリルゴムを含む構成とすることにより、フィルム状の接着テープを作製する際の成膜安定性を向上させることができる。また、接着テープの弾性率を低下させ、被接着物と接着テープ間の残留応力を低減できることができるため、被接着物に対する密着性を向上させることができる。
接着テープ１８１において、樹脂の配合比は、導電性粒子１８３を除く接着テープ１８１の構成成分の合計に対し、たとえばアクリルゴムが１０重量％以上５０重量％以下とする。アクリルゴムの配合比を１０重量％以上とすることにより、成膜性の低下を抑制し、さらに、接着テープの硬化後の弾性率の増加が抑制されるため、被接着物との密着性をさらに向上させることができる。また、アクリルゴムの配合比を５０重量％以下とすることにより、樹脂の溶融粘度の増加を抑制し、導電性粒子１８３が導電部材の表面へさらに確実に接触できるようになる。
また、エポキシ樹脂の配合比は、導電性粒子１８３を除く接着テープ１８１の構成成分の合計に対し、たとえば２０重量％以上８０重量％以下とする。エポキシ樹脂の配合比を２０重量％以上とすることにより、接着後の弾性率をさらに充分に確保し、接続信頼性を向上させることができる。また、エポキシ樹脂の配合比を８０重量％以下とすることにより、溶融粘度をさらに高めることができるため、第一導電性粒子１８３ａおよび第二導電性粒子１８３ｂをそれぞれ上述した第一領域中および第二領域中にさらに確実に存在させることができる。
また、接着テープ１８１は、樹脂層１８９中に硬化剤をさらに含んでもよく、また、硬化剤として機能する樹脂を含んでいてもよい。
硬化剤としては、特に限定されるものではなく、フェノール類、アミン類、チオール類があげられるが、エポキシ樹脂との反応性や硬化後の物性を考えた場合、フェノール類が好適に用いられる。
フェノール類としては、特に限定されるものではないが、接着テープの硬化後の物性を考えた場合、２官能以上が好ましい。たとえば、ビスフェノールＡ、テトラメチルビスフェノールＡ、ジアリルビスフェノールＡ、ビフェノール、ビスフェノールＦ、ジアリルビスフェノールＦ、トリスフェノール、テトラキスフェノール、フェノールノボラック類、クレゾールノボラック類等が挙げられるが、溶融粘度、エポキシ樹脂との反応性および硬化後の物性を考えた場合、フェノールノボラック類およびクレゾールノボラック類を好適に用いることができる。
また、硬化剤の配合量は、導電性粒子１８３を除く接着テープ１８１の構成成分の合計を１００としたときに、樹脂を確実に硬化させる観点では、たとえば５重量％以上、好ましくは１０重量％以上とする。また、接着時の樹脂の流動性を向上させる観点では、導電性粒子１８３を除く接着テープ１８１の構成成分の合計を１００としたときに、硬化剤の配合量をたとえば４０重量％以下、好ましくは３０重量％以下とする。
また、接着テープ１８１は、樹脂層１８９中に硬化触媒をさらに含んでもよい。硬化触媒を含む構成とすることにより、接着テープの作製時に、樹脂をさらに確実に硬化させることができる。
硬化触媒は、樹脂の種類に応じて適宜選択できるが、たとえば、融点が１５０℃以上のイミダゾール化合物を使用することができる。イミダゾール化合物の融点が低すぎると、導電性粒子１８３が電極表面へ接触する前に接着テープ１８１の樹脂が硬化してしまい接続が不安定になったり、接着テープ１８１の保存性が低下する懸念がある。そのため、イミダゾールの融点は１５０℃以上が好ましい。融点が１５０℃以上のイミダゾール化合物として、２−フェニルヒドロキシイミダゾール、２−フェニル−４−メチルヒドロキシイミダゾール等が挙げられる。なお、イミダゾール化合物の融点の上限に特に制限はなく、たとえば接着テープ１８１の接着温度に応じて適宜設定することができる。
また、硬化触媒の配合比は、導電性粒子１８３を除く接着テープ１８１の構成成分の合計を１００としたときに、たとえば０．０１重量％以上５重量％以下とする。硬化触媒の配合比を０．０１重量％以上とすることにより、エポキシ樹脂の硬化触媒としての機能をさらに効果的に発揮させて、接着テープ１８１の硬化性を向上させることができる。また、硬化触媒の配合比を５重量％以下とすることにより、接着テープ１８１の保存性をさらに向上させることができる。
また、接着テープ１８１は、樹脂層１８９中にシランカップリング剤をさらに含んでもよい。シランカップリング剤を含む構成とすることにより、第一ソルダーレジスト１９５および第一ソルダーレジスト１９５に対する接着テープ１８１の密着性をさらに高めることができる。シランカップリング剤としては、エポキシシランカップリング剤、芳香族含有アミノシランカップリング剤等が挙げられ、これらの少なくとも一方を含めばよい。また、たとえばこれらの両方を含む構成とすることができる。シランカップリング剤の配合比は、導電性粒子１８３を除く接着テープ１８１の構成成分の合計を１００としたときに、たとえば０．０１〜５重量％程度とする。
さらに、接着テープ１８１は、樹脂層１８９中に上記以外の成分を含んでいてもよい。たとえば、樹脂の相溶性、安定性、作業性等の各種特性向上のため、各種添加剤を適宜添加してもよい。
次に、構造体１００の製造方法を説明する。構造体１００の製造方法は、具体的には、以下の工程を含む。
ステップ１１：第一基板１０１、第二基板１１１および接着テープ１８１を準備する第一工程、および、
ステップ１２：接着テープ１８１の一方の面に第一ソルダーレジスト１９５の表面を当接させるとともに、接着テープ１８１の他方の面に第二ソルダーレジスト１９７の表面を当接させた状態で、第一基板１０１および第二基板１１１と接着テープ１８１とを圧着し、第一導電性粒子１８３ａを第一電極１９１および第二電極１９３に接触させるとともに、第二導電性粒子１８３ｂを、第一ソルダーレジスト１９５および第二ソルダーレジスト１９７に陥入させる第二工程。
ステップ１１において、フィルム状の接着テープ１８１は、樹脂、導電性粒子１８３、および必要に応じて他の添加剤を混合し、樹脂中に導電性粒子１８３を分散させる。そして、ポリエステルシート等の剥離基材上に得られた分散液を塗布し、所定の温度で乾燥することにより得られる。
次に、ステップ１２においては、第一基板１０１、接着テープ１８１および第二基板１１１を下からこの順に積層する。このとき、第一基板１０１の表面に設けられた第一電極１９１と第二基板１１１の表面に設けられた第二電極１９３とを対向させる。そして、積層体を所定の温度で加熱して接着する。
ただし、第一導電性粒子１８３ａが第一電極１９１および第二電極１９３に接するとともに第二導電性粒子１８３ｂが第一ソルダーレジスト１９５または第二ソルダーレジスト１９７中に陥入している構造は、従来の方法で得ることは困難である。そこで、本実施形態においては、第一ソルダーレジスト１９５および第二ソルダーレジスト１９７ならびに樹脂層１８９として所定の材料を選択して用いる。
具体的には、導電性粒子１８３が絶縁膜（第一ソルダーレジスト１９５または第二ソルダーレジスト１９７）に陥入するかどうかは、熱圧着時の導電性粒子１８３の硬さとソルダーレジストの硬さの関係で決まり、
（熱圧着時の導電性粒子の硬さ）＞（熱圧着時のソルダーレジストの硬さ）
の場合に良好な接続が得られることから、かかる条件を選択する。
また、本発明者がさらに検討した結果、熱圧着時の導電性粒子１８３の硬さを示す指標として、圧着温度における導電性粒子１８３のＫ値（単位：Ｎ／ｍｍ2）（Ａ）を用い、熱圧着時のソルダーレジストの硬さを示す指標として、圧着温度における第一ソルダーレジスト１９５または第二ソルダーレジスト１９７の引っ張り弾性率（単位：ＭＰａ）（Ｂ）を用い、
３＜（圧着温度における導電性粒子のＫ値（Ｎ／ｍｍ2）：Ａ）／（圧着温度におけるソルダーレジストの引っ張り弾性率（ＭＰａ）：Ｂ）＜３０、
より好ましくは、
５＜（Ａ）／（Ｂ）＜２０、
を満たす条件とすることにより、第一電極１９１と第二電極１９３とがより一層高い信頼性で安定的に電気的に接続されることが実験的に見出された。
（Ａ）／（Ｂ）の値が小さすぎると、第二導電性粒子１８３ｂが対向するソルダーレジスト間で破壊される懸念がある。また、第一ソルダーレジスト１９５と第二ソルダーレジスト１９７とが接触する懸念がある。これにより、電極間の間隔が狭くなり、電極上の第一導電性粒子１８３ａが塑性変形し、接続信頼性が低下する懸念がある。
また、（Ａ）／（Ｂ）の値が大きすぎると、第二導電性粒子１８３ｂの第一ソルダーレジスト１９５または第二ソルダーレジスト１９７に対する陥入性が良すぎるため、下地である基板を損傷し接続信頼性を低下させる懸念がある。
（Ａ）／（Ｂ）の値を上記範囲とすることにより、第二導電性粒子１８３ｂを第一ソルダーレジスト１９５または第二ソルダーレジスト１９７中に確実に陥入させて電極間を第一導電性粒子１８３ａにより確実に接続し、また接続信頼性を向上させることができる。
なお、以上において、熱圧着時の導電性粒子の硬さの指標として用いるＫ値の定義は、特許文献２に記載された通りである。
すなわち、同文献には、Ｋ値について以下のように記載されている。
ランダウーリフシッツ理論物理学教程「弾性理論」（東京図書１９７２年発行）４２頁によれば、半径がそれぞれＲ、Ｒ'の二つの弾性球体の接触問題は次式により与えられる。
ｈ＝Ｆ2/3［Ｄ2（１／Ｒ+１／Ｒ'）］1/3 （１）
Ｄ＝（３／４）［（１−σ2）／Ｅ＋（１−σ'2）／Ｅ'］ （２）
ここに、ｈはＲ＋Ｒ'と両球の中心間の距離の差、Ｆは圧縮力、ＥおよびＥ'は二つの弾性球の弾性率、σおよびσ'は弾性球のポアッソン比を表す。
一方、球を剛体の板に置き換えて、かつ両側から圧縮する場合、Ｒ'→∞（無限大）、Ｅ＞＞Ｅ'とすると、近似的に次式が得られる。
Ｆ＝（２1/2／３）（Ｓ3/2）（Ｅ・Ｒ1/2）（１−σ2） （３）
ここで、Ｓは圧縮変形量を表す。
圧縮硬さＫを次のように定義する。
Ｋ＝Ｅ／（１−σ2） （４）
よって、（３）式よりＫ値を表す式
Ｋ＝（３／√２）・Ｆ・Ｓ-3/2・Ｒ-1/2 （５）
が得られる。
このＫ値は球体の硬さを普遍的かつ定量的に表すものである。このＫ値を用いることにより、微細電極間の導電接続に使用される導電性微球体の好適な硬さを定量的かつ一義的に表すことが可能となる。
なお、上記式（５）中、Ｒは、第二導電性粒子１８３ｂの半径である。なお、本実施形態においては、第一導電性粒子１８３ａの半径は第二導電性粒子１８３ｂの半径に等しい。また、本実施形態において、ＦおよびＳは、それぞれ、第二導電性粒子１８３ｂの１０％圧縮変形における荷重値（Ｎ）および圧縮変位（ｍｍ）である。
さらに、同文献には、Ｋ値の測定方法について、以下の内容が記載されている。
すなわち、Ｋ値の測定は、以下のようにして行われる。室温において、平滑表面を有する鋼板の上に樹脂微球体を散布し、その中から１個の樹脂微球体を選ぶ。次に、微小圧縮試験機（たとえば、ＰＣＴ−２００型 島津製作所製）を用いて、ダイヤモンド製の直径５０μｍの円柱の平滑な端面で樹脂微球体を圧縮する。この際、圧縮荷重を電磁力として電気的に検出し、圧縮変位を作動トランスによる変位として電気的に検出する。
そして、圧縮変位−荷重の関係が求められる。この関係から、樹脂微球体の１０％圧縮変形における荷重値（Ｆ）、圧縮変位（Ｓ）がそれぞれ求められ、これらの値と（５）式とから、Ｋ値と圧縮歪との関係が求められる。但し、圧縮歪は圧縮変位を樹脂微球体の粒子径で割った値を％で表したものである。
後述する実施例中のＫ値の測定においては、同文献と同様に、圧縮速度としては、定負荷速度圧縮方式で行い、毎秒の２．６ｍＮの割合で荷重を増加させた。最大荷重を９８ｍＮとした。
また、所定の材料の選別とともに、圧着温度とソルダーレジストのガラス転移温度との関係を工夫して設定し、さらに選別した材料に対応する圧着条件を選択する。こうすることにより、第一導電性粒子１８３ａおよび第二導電性粒子１８３ｂが上述した姿態で設けられた構造体１００を得ることがはじめて可能となる。
すなわち、第一導電性粒子１８３ａが第一電極１９１および第二電極１９３に接触する程度まで第二導電性粒子１８３ｂを第一ソルダーレジスト１９５または第二ソルダーレジスト１９７中に陥入させるように、第一ソルダーレジスト１９５および第二ソルダーレジスト１９７のガラス転移温度を、樹脂層１８９の硬化温度よりも低くする。これにより、接着時に、第一ソルダーレジスト１９５または第二ソルダーレジスト１９７中に第二導電性粒子１８３ｂを確実に陥入させるともに、第一電極１９１と第二電極１９３とを第一導電性粒子１８３ａにより確実に接続することができる。また、第一ソルダーレジスト１９５および第二ソルダーレジスト１９７のガラス転移温度が、いずれも、導電性粒子１８３のコア粒子１８５のガラス転移温度よりも低い構成とする。
なお、第一ソルダーレジスト１９５および第二ソルダーレジスト１９７のガラス転移温度は、たとえばＪＩＳ Ｋ７１２７に準拠した方法により求められる。また、樹脂層１８９の硬化温度は、たとえばたとえばＤＳＣ（Differential Scanning Calorimeter：示差走査熱量計）を用い、昇温速度１０℃／分で接着テープを測定した際の発熱ピーク温度とする。
また、ステップ１２において、第一ソルダーレジスト１９５または第二ソルダーレジスト１９７のガラス転移温度よりも高い温度で第一基板１０１および第二基板１１１と接着テープ１８１とを圧着する。
また、接着温度は、樹脂層１８９の物性および第一ソルダーレジスト１９５および第二ソルダーレジスト１９７の物性に応じて設定される。また、接着温度は、樹脂層１８９の溶融温度以上とする。この観点では、接着温度をたとえば１２０℃以上、好ましくは１４０℃以上とする。また、接着温度において、樹脂の溶融粘度が低いことが好ましく、この観点では、接着温度をたとえば２５０℃以下、好ましくは２００℃以下とする。また、樹脂の溶融粘度が低い領域を広げる観点で、接着温度を低くするとよい。また、接着温度は、第一基板１０１および第二基板１１１に形成された素子に応じて、素子が劣化しない温度とすることができる。
また、第二領域において、第二導電性粒子１８３ｂを第一ソルダーレジスト１９５または第二ソルダーレジスト１９７中にさらに確実に陥入させて電極間を近接させるため、接着時に所定の圧力を加える。加圧圧力は、第二導電性粒子１８３ｂを第一ソルダーレジスト１９５または第二ソルダーレジスト１９７中にさらに確実に陥入させる観点では、たとえば、０．１ＭＰａ以上、好ましくは１ＭＰａ以上とする。また、加圧圧力の上限は、たとえば導電性粒子１８３の硬さに応じて設定することができ、たとえば１０ＭＰａ以下、好ましくは６ＭＰａ以下とする。
加熱により、樹脂層１８９中の樹脂が溶融する。また、加圧により、第二領域において、第二導電性粒子１８３ｂが第一ソルダーレジスト１９５または第二ソルダーレジスト１９７中に陥入する。それとともに、溶融した樹脂が第一導電性粒子１８３ａと第一電極１９１および第二電極１９３との間の領域から排出される。
ここで、第二導電性粒子１８３ｂと第一導電性粒子１８３ａとは、略同一の粒径である。このため、第二導電性粒子１８３ｂは、電極間隔Ｌが第一導電性粒子１８３ａの粒径ｄと等しくなるまで第一ソルダーレジスト１９５または第二ソルダーレジスト１９７中に陥入する。そして、電極間隔Ｌが第一導電性粒子１８３ａの粒径ｄと等しくなった状態、つまり第一導電性粒子１８３ａが第一電極１９１および第二電極１９３に接触した状態で、積層体を冷却することにより、樹脂層１８９が硬化し、電極間が第一導電性粒子１８３ａにより接続されるとともに、第二導電性粒子１８３ｂが第一ソルダーレジスト１９５または第二ソルダーレジスト１９７中に陥入した状態が維持される。
本実施形態においては、複数の導電性粒子１８３が、第一導電性粒子１８３ａおよび第二導電性粒子１８３ｂを含む。そして、第二導電性粒子１８３ｂが、第二領域において第一ソルダーレジスト１９５および第二ソルダーレジスト１９７のうち少なくとも一方に陥入しており、第一基板１０１および第二基板１１１の素子形成面から構造体１００の外側に後退した第一電極１９１と第二電極１９３とが、共通の第一導電性粒子１８３ａに接触できる程度に近接した構成となっている。このため、基板の積層方向において、第一電極１９１と第二電極１９３とが、積層方向において、一つの第一導電性粒子１８３ａを介して確実に電気的に接続される。
また、本実施形態においては、第一凹部１９２の深さが、第二領域つまり電極の非形成領域における第一ソルダーレジスト１９５の厚さよりも小さく、第二凹部１９４の深さが第二領域つまり電極の非形成領域における第二ソルダーレジスト１９７の厚さよりも小さい。このため、第一電極１９１および第二電極１９３と第一導電性粒子１８３ａとが接触している状態で、第二領域において、第一ソルダーレジスト１９５の構造体１００の外側の面と第二ソルダーレジスト１９７の構造体１００の外側の面との距離が、第一導電性粒子１８３ａの粒径よりも大きく、第二導電性粒子１８３ｂの陥入量について、厚さ方向にマージンが確保された構成となっている。
よって、構造体１００は、製造工程において、第二導電性粒子１８３ｂが、第一ソルダーレジスト１９５または第二ソルダーレジスト１９７よりも構造体１００の外側まで陥入することが抑制される構造となっている。このため、第二導電性粒子１８３ｂが、第一ソルダーレジスト１９５または第二ソルダーレジスト１９７よりも構造体１００の外側（ソルダーレジストの下層側）に配置された構成部材に接触または陥入しにくい。このため、構造体１００は、第一ソルダーレジスト１９５および第二ソルダーレジスト１９７の下層の設計の自由度が高く、また、製造安定性により一層優れた構成となっている。
また、本実施形態では、フィルム状の接着テープ１８１を用いており、接着時に所定の単一温度に加熱処理すればよく、基板間を簡単に接着することができる。ただし、接着時の加熱処理は、単一温度での処理には限られず、たとえば、１５０℃で１００秒加熱後２００℃で１００秒加熱するステップキュアや、１８０℃で１０秒熱圧着後、２００℃で１０分オーブン硬化させるポストキュアを行ってもよい。
（第二の実施形態）
本実施形態においては、第一の実施形態に記載の構造体１００を半導体装置に適用した具体例を説明する。ここでは、半導体パッケージをＰＣボード等の基板に二次実装した構成を例に説明する。
図２は、本実施形態の半導体装置の構成を示す断面図である。図２に示した半導体装置１１０では、第一の実施形態に記載の構造体１００を有し、第一基板１０１上に複数のチップが搭載されたスタック構造となっている。
第一基板１０１は、第一半導体チップ１２５および第二半導体チップ１３１が搭載された実装基板である。第一基板１０１は、ここでは、ビルトアップ１０３、コア１０５およびビルトアップ１０７が積層してなる樹脂基板である。また、第二基板１１１は、たとえばＰＣボードとすることができる。第二基板１１１は、ここでは、ビルトアップ１１３、コア１１５およびビルトアップ１１７が積層してなる樹脂基板である。第一半導体チップ１２５と第二半導体チップ１３１との間には樹脂１６７が充填されている。また、第一半導体チップ１２５および第二半導体チップ１３１に設けられた電極（不図示）は、それぞれ、ワイヤ１６９およびワイヤ１７１を介して第一基板１０１上の電極（不図示）に接続されている。
図２においては、第一基板１０１と第二基板１１１とが接着テープ１８１により接着されているため、第一基板１０１および第二基板１１１に設けられた第一電極（不図示）および第二電極（不図示）を短い導通経路で確実に電気的に接続することができる。
また、接着テープ１８１を用いることにより、基板間の接続を簡素なプロセスで行うとともに、電極間を高い信頼性で安定的に接続することができる。また、基板の間隔を小さくすることができるため、パッケージ全体の厚さを薄くすることができる。
以上、図面を参照して本発明の実施形態について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。
たとえば、以上の実施形態においては、第一基板１０１および第二基板１１１に設けられた第一および第二絶縁膜が、いずれもソルダーレジストである場合を例に説明したが、絶縁膜はソルダーレジストには限られない。また、第一および第二絶縁膜が、有機樹脂材料により構成されていてもよい。
（実施例１）
（接着テープの作製）
樹脂層中に導電性粒子を含む厚さ４５μｍの接着テープを作製した。
樹脂層の構成成分および配合比は、表１に示した通りとした。なお、表１において、特に断りのない限り、配合を重量部で示した。
導電性粒子として、以下のものを用いた。
平均粒径（数平均粒子径）：２５μｍ
コア粒子材料：ジビニルベンゼン共重合体
金属層：Ｎｉ／Ａｕめっき
また、接着テープ中の導電性粒子の配合量は、接着テープ中のアクリルゴム、エポキシ樹脂、フェノールノボラック、シランカップリング剤およびイミダゾールの合計体積に対して、２．５ｖｏｌ％とした。
樹脂層の構成成分を表１に示した配合で混合し、これに導電性粒子を分散させて得られたワニスをポリエステルシートに塗布し、上記有機溶剤が揮発する温度で乾燥させたところ、良好な成膜性の接着テープが得られた。
（基板の接着および評価）
上で得られた接着テープを用いて基板間を接続し、図１に示した構造体を作製した。構造体の材料および構成は、以下の通りである。
第一基板１０１：住友ベークライト社製ＦＲ−４、厚さ０．４ｍｍ
第二基板１１１：住友ベークライト社製ＦＲ−４、厚さ０．４ｍｍ
第一ソルダーレジスト（ＳＲ）１９５：太陽インキ製造社製ＰＳＲ−４０００ ＡＵＳ７０３（エポキシ／アクリレート混合系）、厚さ２０μｍ
第二ソルダーレジスト１９７：太陽インキ製造社製ＰＳＲ−４０００ ＡＵＳ７０３（エポキシ／アクリレート混合系）、厚さ２０μｍ
第一電極１９１：銅箔１２μｍ、Ｎｉ／Ａｕメッキ、Φ３００μｍ
第二電極１９３：銅箔１２μｍ、Ｎｉ／Ａｕメッキ、Φ３００μｍ
第一凹部１９２：深さ８μｍ
第二凹部１９４：深さ８μｍ
接着の際は、第一基板１０１と第二基板１１１との間に接着テープ１８１を配し、さらに、基板の上面に圧力が均一に加わるように２００μｍ厚のシリコンゴムを配し、１８０℃、２ＭＰａ、６００秒で熱圧着した。
なお、圧着温度における導電性粒子１８３の硬さの指標（Ａ）として、導電性粒子の圧縮硬さ（Ｋ値）を、上述した方法により測定した。なお、圧縮速度としては、定負荷速度圧縮方式で行い、毎秒の２．６ｍＮの割合で荷重を増加させた。また、最大荷重を９８ｍＮとした。
また、圧着温度における第一ソルダーレジスト１９５および第二ソルダーレジスト１９７の硬さの指標（Ｂ）として、ソルダーレジストの引張弾性率をＪＩＳ Ｋ７１２７に基づき測定した。
得られた積層体の隣接端子間の接続抵抗値を４端子法により１２点測定し、平均値を測定値とした。表１において、測定値が３０ｍΩ以下の場合「○」、３０ｍΩより大きいの場合「×」と判定した。
図３および図４は、本実施例で得られた構造体の断面像を示す図である。
図３に示したように、第一領域つまり電極の対向領域においては、一つの第一導電性粒子１８３ａが第一電極１９１および第二電極１９３に接触していた。
また、図４に示したように、第二領域つまりソルダーレジスト（ＳＲ）の対向領域において、第一絶縁膜１９６中および第二絶縁膜１９８中に陥入している第二導電性粒子１８３ｂが確認された。
（実施例２）
実施例１において、接着テープ中の導電性粒子として、以下のものを用いた。
平均粒径（数平均粒子径）：５０μｍ
コア粒子材料：ジビニルベンゼン共重合体
金属層：Ｎｉ／Ａｕめっき
それ以外は、実施例１の材料および方法に準じて接着テープおよびこれを用いた構造体の作製ならびに評価を行った。
（実施例３）
実施例１において、接着テープ中の導電性粒子として、以下のものを用いた。
平均粒径（数平均粒子径）：２５μｍ
コア粒子材料：アクリレート共重合体
金属層：Ｎｉ／Ａｕめっき
それ以外は、実施例１の材料および方法に準じて、接着テープおよびこれを用いた構造体の作製ならびに評価を行った。
（比較例１）
実施例１において、接着テープ中の導電性粒子として、以下のものを用いた。
平均粒径（数平均粒子径）：２５μｍ
コア粒子材料：ジビニルベンゼン共重合体
金属層：Ｎｉ／Ａｕめっき
実施例１の材料および方法に準じて、接着テープおよびこれを用いた構造体の作製ならびに評価を行った。ただし、本比較例では、圧着条件を１００℃、１ＭＰａ、６００秒とした。
この圧着条件では、ソルダーレジストの上の導電性粒子は、ソルダーレジストに陥入せずに、球状を保った状態で存在した。また、電極上の導電性粒子は電極に接触することができずに、接続抵抗値はｏｐｅｎとなった。
Figure 2008028210
本実施形態における構造体の構成を示す断面図である。 本実施形態における半導体装置の構成を示す断面図である。 実施例における構造体の構成を示す断面図である。 実施例における構造体の構成を示す断面図である。 構造体の構成を示す断面図である。
符号の説明
１００ 構造体
１０１ 第一基板
１０３ ビルトアップ
１０５ コア
１０７ ビルトアップ
１１０ 半導体装置
１１１ 第二基板
１１３ ビルトアップ
１１５ コア
１１７ ビルトアップ
１２５ 第一半導体チップ
１３１ 第二半導体チップ
１６３ 封止樹脂
１６７ 樹脂
１６９ ワイヤ
１７１ ワイヤ
１８１ 接着テープ
１８３ 導電性粒子
１８３ａ 第一導電性粒子
１８３ｂ 第二導電性粒子
１８５ コア粒子
１８７ 金属層
１８９ 樹脂層
１９１ 第一電極
１９２ 第一凹部
１９３ 第二電極
１９４ 第二凹部
１９５ 第一ソルダーレジスト
１９７ 第二ソルダーレジスト
２０１ 第一基板
２１１ 第二基板
２８１ 接着テープ
２８３ 導電性粒子
２８９ 樹脂層
２９１ 第一電極
２９２ 第一凹部
２９３ 第二電極
２９４ 第二凹部
２９５ 第一絶縁膜
２９７ 第二絶縁膜

Claims (9)

  1. 表面に第一絶縁膜および第一電極を有する第一基板と、
    表面に第二絶縁膜および第二電極を有する第二基板と、
    を含み、
    前記第一絶縁膜が前記第一基板の前記表面の一部を被覆し、前記第一絶縁膜の未被覆領域において、前記第一基板の前記表面に、前記第一絶縁膜の表面よりも前記第一基板側に後退して前記第一電極が設けられ、
    前記第二絶縁膜が前記第二基板の前記表面の一部を被覆し、前記第二絶縁膜の未被覆領域において、前記第二基板の前記表面に、前記第二絶縁膜の表面よりも前記第二基板側に後退して前記第二電極が設けられ、
    前記第一基板と前記第二基板とが、前記第一絶縁膜と前記第二絶縁膜とを内側にして対向するとともに、前記第一電極と前記第二電極とが対向した状態で、接着テープを介して接着されており、
    前記接着テープが、第一樹脂と、前記第一樹脂中に存在する複数の導電性粒子と、を含み、
    前記複数の導電性粒子が、
    前記第一および第二電極が対向する領域にあって、これらの電極に接している第一導電性粒子と、
    前記第一導電性粒子と略同一の粒径を有し、前記第一および第二絶縁膜が対向する領域にあって、前記第一および第二絶縁膜のうちの少なくとも一方に陥入している第二導電性粒子と、
    を含む構造体。
  2. 請求項１に記載の構造体において、
    前記第一基板または前記第二基板に、半導体チップが搭載されている構造体。
  3. 請求項１または２に記載の構造体において、
    前記第一および第二絶縁膜が、有機樹脂材料からなる構造体。
  4. 請求項１または２に記載の構造体において、
    前記第一および第二絶縁膜の材料がソルダーレジストである構造体。
  5. 請求項１乃至４いずれかに記載の構造体において、
    前記第一および前記第二絶縁膜のガラス転移温度が、前記第一樹脂の硬化温度よりも低い、構造体。
  6. 請求項１乃至５いずれかに記載の構造体において、
    前記導電性粒子が、第二樹脂からなるコアと、前記コアの外側を被覆する導電層と、
    を有する構造体。
  7. 請求項１乃至６いずれかに記載の構造体において、
    前記接着テープの圧着温度における前記第二導電性粒子の下記式で示されるＫ値（Ｎ／ｍｍ2）を（Ａ）とし、前記圧着温度における前記第一または第二絶縁膜の引っ張り弾性率（ＭＰａ）を（Ｂ）としたときに、
    ３＜（Ａ）／（Ｂ）＜３０
    である、構造体。
    Ｋ＝（３／√２）・Ｆ・Ｓ-3/2・Ｒ-1/2
    （ただし、上記式において、ＦおよびＳは、それぞれ、前記第二導電性粒子の１０％圧縮変形における荷重値（Ｎ）および圧縮変位（ｍｍ）である。また、Ｒは前記第二導電性粒子の半径である。）
  8. 請求項１乃至７いずれかに記載の構造体の製造方法であって、
    前記第一基板、前記第二基板および前記接着テープを準備する第一工程と、
    前記接着テープの一方の面に前記第一絶縁膜の表面を当接させるとともに、前記接着テープの他方の面に前記第二絶縁膜の表面を当接させた状態で、前記第一および第二基板と前記接着テープとを圧着し、前記第一導電性粒子を前記第一および第二電極に接触させるとともに、前記第二導電性粒子を、前記第一および第二絶縁膜中に陥入させる第二工程と、
    を含む構造体の製造方法。
  9. 請求項８に記載の構造体の製造方法において、
    前記第二工程において、前記第一および第二絶縁層のガラス転移温度よりも高い温度で前記第一および第二基板と前記接着テープとを圧着する構造体の製造方法。
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