JP2008010139A - サスペンション及びハードディスクドライブ - Google Patents

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  • Adjustment Of The Magnetic Head Position Track Following On Tapes (AREA)

Abstract

【課題】高周波信号の損失を減少させることができるサスペンション及びハードディスクを提供する。
【解決手段】支持層330、導電層320、及び誘電層310を備えるサスペンションである。導電層320は、複数個のトレースからなる。支持層330は、導電層を支持するための剛性物質からなる。誘電層310は、支持層と導電層との間に位置し、1.1〜2.8F/mの誘電率を有する誘電物質からなる。これにより、電気信号が伝えられる時に高周波成分の損失を防止できるので、ライト/リード性能を改善することができる。
【選択図】図3

Description

本発明は、磁気ディスクドライブに係り、さらに詳細には、磁気ディスクドライブ内部に備えられるサスペンションに関する。
一般的に、磁気ディスクドライブは、機構構成要素からなるHDA(Head Disk Assembly)と、回路構成要素からなるPCB(Printed Circuit Board)と、を備える。磁気ディスクドライブは、回転する磁気ディスク上にデータを磁気的に記録したり、回転する磁気ディスクからデータを磁気的に読み取って、大量のデータに高速でアクセスできるので、コンピュータシステムの補助記憶装置として広く使われる。
磁気ディスクドライブは、回転する磁気ディスク上に同心円状に配列されるトラックに磁気パターンを記録することでデータを保存し、このトラックに記録された磁気パターンによって生じる磁気変化を検出することでデータを読み取る。これは、電気信号を磁気信号に変換するか、または磁気信号を電気信号に変換して、データを記録及び読み取る磁気ヘッドによって行われる。磁気ヘッドは、一般的にスライダの一面に付着される。
磁気ヘッドを利用して電気信号を伝達するためには、電流通路が必要であり、この電流通路が、トレースと呼ばれる。トレースは、一般的に導電層で形成され、サスペンションの上端に位置する。サスペンションと磁気ヘッドとを搭載したスライダを結合した構成をHGA(Head Gimbal Assembly)と言い、このHGAにアクチュエータを結合した構成をHSA(Head Stack Assembly)と言う。
図1は、電気信号の伝達過程を示す図である。
図1に示すように、プリアンプ(前置増幅器)110に伝えられた電気信号は、第1トレース120を介してスライダ140に伝えられる。スライダ140に伝えられた電気信号は、記録ヘッド150によってディスク(図示せず)に磁気的な形態に変換されて記録される。
また、読み取りヘッド160によってディスクから読み取られた磁気信号は、電気的な形態に変換されてスライダ140に伝えられる。スライダ140に伝えられた電気信号は、第2トレース130を介してプリアンプ110に伝えられる。
一方、最近、TPI(Track per inch)とBPI(Bit per inch)とが増加するにつれて、ディスクへのデータの記録やディスクからのデータの読み取りに使用する電気信号の周波数も高くなっている。そこで、高周波信号を速く伝送するためには、信号の立ち上がり時間及び立ち下り時間を速くする必要である。したがって、電気信号を伝達する第1トレース110及び第2トレース120の役割が非常に重要である。
図2Aは、従来のサスペンションの一例を示す図であり、図2Bは、従来のサスペンションの他の例を示す断面図である。
図2Aに示すように、従来のサスペンションの一例は、高伝導性の銅からなる導電層210と、低伝導性のステンレススチールからなる支持層230と、導電層210と支持層230との間に位置し、誘電率が約3.5であるポリアミドからなる誘電層220と、を備える。導電層210は、電気信号が伝送されるトレース120,130の役割を行う。
一方、導電層210を介して第1方向に電気信号が伝えられる時、支持層230を介して第1方向と反対方向に復帰電流が流れる。しかし、支持層230は、外部衝撃を保護するために、低伝導性及び高抵抗の物質を使用するので、支持層230を介して流れる復帰電流には損失が発生する。
支持層を介して流れる復帰電流に損失が発生すれば、電気信号の立ち上がり時間または立ち下り時間が減少して、高速動作を実現するのが困難になってしまう。このような現象は、支持層が高抵抗の物質から形成される場合にさらに著しい。しかし、支持層は、外部的な衝撃を保護することが主な機能であるため、低抵抗の物質を使用できないという問題点がある。
このような問題点を解決するために、図2Bに示すように、従来のサスペンションの他の例では、支持層260の中央に開口部を形成して支持層260をアンバック(unbacked)構造で形成することによって、支持層260に復帰電流が形成されないようにする方法と、相対的に伝導性が高く、抵抗の低い銅合金を支持層として使用する方法とが採択されたが、高周波信号の損失成分の除去には限界があった。
米国特許第5,955,176号明細書 米国特許第6,608,736号明細書 特開平09−320224号公報 特開2004−055126号公報
そこで、本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、本発明の目的とするところは、電気信号がトレースを介して伝えられる時、高周波信号の損失成分を低減することによって、トレースを介して伝えられる電気信号の速い立ち上がり時間を確保することが可能な、新規かつ改良されたサスペンション及びハードディスクドライブを提供することにある。
上記課題を解決するために、本発明のある観点によれば、記録/読み取りヘッドを支持するサスペンションにおいて、少なくとも1つ以上のトレースからなる導電層と、導電層を支持するための剛性物質からなる支持層と、支持層と導電層との間に位置し、1.1〜2.8F/mの範囲の誘電率を有する誘電物質からなる誘電層と、を備えることを特徴とする、サスペンションが提供される。
また、誘電物質は、デュロイド(Duroid)であってもよい。
また、誘電物質は、エアフォーム(Air−form)であってもよい。
また、支持層の中央には、複数の開口部が形成されてもよい。
このサスペンションは、フロッピー(登録商標)ディスクドライブ、光学ディスクドライブ、コンパクトディスクドライブのうちいずれか1つに適用され、特に、ハードディスクドライブに適用されることが望ましい。
また、上記課題を解決するために、本発明の別の観点によれば、データを記録/読み取りするための記録/読み取りヘッドと、記録/読み取りヘッドを支持するサスペンションと、を備え、サスペンションは、少なくとも1つ以上のトレースからなる導電層と、導電層を支持するための剛性物質からなる支持層と、支持層と導電層との間に位置し、1.1〜2.8F/mの範囲の誘電率を有する誘電物質からなる誘電層と、を備えることを特徴とする、ハードディスクドライブが提供される。
以上説明したように本発明によれば、電気信号がトレースを介して伝えられる時、高周波信号の損失成分を低減することによって、トレースを介して伝えられる電気信号の速い立ち上がり時間を確保することができる。
以下に添付図面を参照しながら、本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する構成要素については、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
<一実施形態>
図3は、本発明の一実施形態に係るサスペンションを示す断面図である。
図3に示すように、本実施形態に係るサスペンションは、高伝導性の銅からなる導電層310と、低伝導性のステンレススチールからなる支持層330と、導電層310と支持層330との間に位置し、誘電率が約2.8であるデュロイド(duroid)からなる誘電層320と、を備える。導電層310は、電気信号を伝送するトレースの役割を行う。
支持層330は、ステンレススチールの他にもチタンまたはベリリウム銅のような剛性物質(他の物質に比べて高い剛性を有する物質)からなってもよい。支持層330の中央には、複数の開口部が形成されてもよい。開口部は、支持層330に生成される復帰電流の形成を低減するためのものであり、例えば、長方形又は正方形からなりうる。つまり、開口部は、支持層330の面積を減少させることにより、支持層330に生成される復帰電流の形成を低減することができ、その結果、支持層330の周辺の部材に復帰電流が、形成される。このように支持層330以外の部材に復帰電流を生成すると、支持層330に形成される復帰電流には損失が発生しなくなる。従って、この開口部を形成することにより、支持層330に流れる復帰電流の損失を低減することができる。
導電層310は、トレースが所定の間隔で離隔して相互に対称的に配置された形態からなる。導電層310は、電気信号を伝達するための電気配線の役割を行う。図3には、2つのトレースを示したが、トレースの数は、磁気ディスクの数によって変更されうる。
誘電層320は、支持層330と導電層310との間に位置する。本実施形態による誘電層320は、デュロイドという誘電物質からなる。デュロイドは、低誘電率の物質であり、導電層310と支持層330との間に形成される静電結合を減少させる役割を行う。
望ましくは、誘電層320を構成する誘電物質として1.1〜2.8の誘電率を有する物質を使用する。上記のように低誘電率の誘電物質を誘電層320として使用する理由は、下記の数式の分析を通じて確認することができる。
Figure 2008010139
数1において、Cは静電容量、εは自由空間の誘電率、εrは誘電率、Aは面積、及びhは高さを表す。
上記数式を分析すれば、静電容量Cは、εr(誘電率)、A(面積)、及びh(高さ)によって変わる。しかし、面積を減らしたり、高さを増やすには限界がある。したがって、本実施形態では、誘電率εrの値を従来に比べて減らす方法を利用して、導電層310と支持層330との間に形成される静電結合を減少させることによって、高抵抗の支持層330を使用しても、復帰電流の損失を減らすことができる。
本実施形態による誘電層320に使われる物質は、1.1〜2.8F/mの誘電率を有する誘電物質である。かかる要件を満たす物としては、例えば、デュロイド(Duroid)、エアフォーム(Air−form)などがある。
デュロイドは、誘電特性に優れ、広い周波数及び温度範囲にかけて安定的であり、約2.8F/mの誘電率を有し、エアフォームは、約1.1F/mの誘電率を有する。また、具体的に記載してはいないが、1.1〜2.8F/mの誘電率を有する他の誘電物質を使用してもよい。
誘電層320に使われる誘電物質として2.8F/m以下の誘電率を有する誘電物質を使用する場合、電気信号が導電層310を介して伝えられるとき、導電層310と支持層330との間に静電結合を従来に比べて減らすことができるので、支持層330に流れる復帰電流の損失を減らすことができる。また、大気(空気)の誘電率が約1.0F/mであるため、1.1F/m以上の誘電率を有する誘電物質を使用することにより、支持層330に流れる復帰電流の発生効率を向上させることができる。
また、高周波成分は、この復帰電流が低伝導性の支持層330を介して流れることにより発生するので、本実施形態によれば、復帰電流が損失されないので、この高周波信号成分が損失することも減少させることができる。従って、結局サスペンションを介して磁気ヘッドに伝えられる電気信号の速い立ち上がり時間を確保することができるという長所がある。
<他の実施形態>
図4は、本発明の他の実施形態に係るサスペンションの斜視図である。
図4を参照すれば、本実施形態によるサスペンションは、最下部に形成される支持層430と、支持層430の上部に形成される誘電層420と、を備え、支持層430と誘電層420とは、互いに平行に形成される。支持層430と誘電層420とは、塗布剤を利用して結合できる。誘電層420の上部には、長いストリップ形態のトレース412、414が所定の間隔で互いに離隔して配置される。
トレース412、414は、電気信号を伝える際に、何らの妨害を受けずに高速で電気信号を伝えることができるように、高伝導性の物質からなる。上記のように、トレース412、414を構成する物質としては、例えば、純銅の以外にも銅合金が使用されうる。尚、銅合金は、銅含有率が80質量%以上であることを意味する。
トレース412、414は、相互に対称的に複数配置される。一方、電気信号は、第1トレース412を介してプリアンプ(図示せず)から磁気ヘッド(図示せず)に伝えられ、第2トレース414を介して磁気ヘッド(図示せず)からプリアンプ(図示せず)に伝えられる。第1トレース412と第2トレース414とを介して伝えられる電気信号は、同じ周波数と振幅を有し、互いに反対の位相を有する信号である。
<高周波成分の損失量>
図5Aは、高周波成分の損失量を周波数領域で示すグラフであり、図5Bは、図5Aのグラフを時間領域に変換したグラフである。
S1は、プリアンプから出力される信号を示し、S2は、低誘電率の物質を誘電層として使用したサスペンションを介して磁気ヘッドに伝えられた信号を示し、S3は、高誘電率の物質を誘電層として使用したサスペンションを介して磁気ヘッドに伝えられた信号を示す。そして、f、f21、f22及びf23は、コーナー周波数を示し、f21、f22及びf23を数式で表現すれば、次の通りである。
Figure 2008010139
したがって、第1コーナー周波数fは振幅と関連するので、伝送速度によって一定の値を有するが、f21、f22、f23は、立ち上がり時間tによって変わる。特に、図5Bに示すように、S3は、S1に比べて△=tr3−tr1の立ち上がり時間の差がある。このような立ち上がり時間の差は、周波数帯域が高くなるほど大きくなる。
一方、図5Bに示すように、S2は、S1に比べて△=tr2−tr1の立ち上がり時間の差がある。このような現象は、誘電率の差によって起因し、周波数帯域が高くなるほどS3とS2との差は一層大きくなる。
<シミュレーション結果>
図6Aは、誘電率による高周波成分の損失量をシミュレーションした結果を示すグラフであり、図6Bは、図6Aのグラフを時間領域に変換したグラフである。
このシミュレーションでは、サスペンションを構成する誘電層の誘電率を1.5、2.0、2.5、3.0及び3.5F/mに変更しながら、サスペンションを通過して出力される信号の周波数による損失量を比較した。
図6Aに示すように、電気信号の周波数が約1GHzであるときの電気信号の利得のデシベル変化は、誘電率が1.5F/mである場合に−2.62dB、誘電率が2.0である場合に−2.86dB、誘電率が2.5F/mである場合に−3.06dB、そして誘電率が3.0F/mである場合に−3.27dBであった。
このような誘電率による利得損失の差は、周波数が高くなるほど、導体表面に電流が集中する現象である表面効果(Skin depth)によってさらに大きくなる。
また、電気信号の周波数が約10GHzであるときの電気信号の利得のデシベル変化は、誘電率が1.5F/mである場合に−9.23dB、誘電率が2.0F/mである場合に−10.20dB、誘電率が2.5F/mである場合−11.07dB、誘電率が3.0F/mである場合に−11.94dB、そして誘電率が3.5F/mである場合に−12.58dBであった。すなわち、誘電率が低くなるほど高周波成分の損失が小さくなると確認された。
前記図6Aに示すグラフの数値を下記の表で示す。
Figure 2008010139
図6Bに示すように、ピーク電圧(約250mVと仮定する)の80%に到達するまでかかる時間は、誘電率が1.5である場合に0.33ns、誘電率が2.0である場合に0.38ns、誘電率が2.5である場合に0.40ns、誘電率が3.0である場合に0.45ns、そして誘電率が3.5である場合に0.49nsであると確認された。すなわち、誘電率が低くなるほど立ち上がり時間が速くなると確認された。
また、ピーク電圧の大きさは、誘電率が1.5である場合に275mV、誘電率が2.0である場合に273mV、誘電率が2.5である場合に272mV、誘電率が3.0である場合に260mV、誘電率が3.5である場合に258mVであった。このような結果は、サスペンションを構成する誘電層の誘電率によって、AC成分だけでなくDC成分も減少することを意味する。
一方、立ち上がり時間は、ハードディスクドライブの高速動作が可能であるか否かを判断する基準として作用する。すなわち、立ち上がり時間が短いほど高速動作が可能である。したがって、上記の実施形態による誘電率を有する誘電体をサスペンションに使用する場合、高周波成分の損失分を最大限減らし、かつ、速い立ち上がり時間を確保できるので、高速動作に非常に有利である。
前記図6Bに示すグラフの数値を下記の表で示す。
Figure 2008010139
<効果>
以上説明したように、上記の実施形態によるサスペンションは、従来のサスペンションに比べて追加的な工程を行ったり、機構的な性能を低下させることなく、誘電体の誘電率のみを変更することによって、導電層と誘電層との間に形成されるカップリングを減らすことができるので、高周波印加時に復帰電流の減少による高周波成分の損失を防止して、信号の速い立ち上がり時間を確保することができる。したがって、記録性能及び読み取り性能を向上させることができる。
以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について説明したが、本発明はかかる例に限定されないことは言うまでもない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
本発明は、磁気ディスクドライブ関連の技術分野に好適に適用可能である。
一般的なサスペンションの位置を示す図である。 従来のサスペンションの一例を示す図である。 従来のサスペンションの他の例を示す断面図である。 本発明の一実施形態に係るサスペンションを示す断面図である。 本発明の他の実施形態に係るサスペンションを示す斜視図である。 高周波成分の損失量を周波数領域で示すグラフである。 高周波成分の損失量を時間領域で示すグラフである。 誘電率による高周波成分の損失量をシミュレーションした結果を示すグラフである。 図6Aのグラフを時間領域に変換したグラフである。
符号の説明
310、410 導電層
320、420 誘電層
330、430 支持層

Claims (5)

  1. 記録/読み取りヘッドを支持するサスペンションにおいて、
    少なくとも1つ以上のトレースからなる導電層と、
    前記導電層を支持するための剛性物質からなる支持層と、
    前記支持層と前記導電層との間に位置し、1.1〜2.8F/mの範囲の誘電率を有する誘電物質からなる誘電層と、
    を備えることを特徴とする、サスペンション。
  2. 前記誘電物質は、デュロイドであることを特徴とする、請求項1に記載のサスペンション。
  3. 前記誘電物質は、エアフォームであることを特徴とする、請求項1に記載のサスペンション。
  4. 前記支持層の中央には、複数の開口部が形成されることを特徴とする、請求項1に記載のサスペンション。
  5. データを記録/読み取りするための記録/読み取りヘッドと、
    前記記録/読み取りヘッドを支持するサスペンションと、
    を備え、
    前記サスペンションは、
    少なくとも1つ以上のトレースからなる導電層と、
    前記導電層を支持するための剛性物質からなる支持層と、
    前記支持層と前記導電層との間に位置し、1.1〜2.8F/mの範囲の誘電率を有する誘電物質からなる誘電層と、
    を備えることを特徴とする、ハードディスクドライブ。
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