US8314765B2
(en)
|
2008-06-17 |
2012-11-20 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Driver circuit, display device, and electronic device
|
TWI626744B
(zh)
|
2008-07-31 |
2018-06-11 |
半導體能源研究所股份有限公司 |
半導體裝置及半導體裝置的製造方法
|
JP5525224B2
(ja)
*
|
2008-09-30 |
2014-06-18 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
表示装置
|
KR102095625B1
(ko)
*
|
2008-10-24 |
2020-03-31 |
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
반도체 장치 및 그 제조 방법
|
US8106400B2
(en)
*
|
2008-10-24 |
2012-01-31 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device and method for manufacturing the same
|
KR101511126B1
(ko)
*
|
2008-10-30 |
2015-04-13 |
삼성디스플레이 주식회사 |
게이트 구동회로 및 이를 구비한 표시 장치
|
KR101432764B1
(ko)
*
|
2008-11-13 |
2014-08-21 |
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
반도체장치의 제조방법
|
US8232947B2
(en)
|
2008-11-14 |
2012-07-31 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Liquid crystal display device
|
TWI482226B
(zh)
*
|
2008-12-26 |
2015-04-21 |
Semiconductor Energy Lab |
具有包含氧化物半導體層之電晶體的主動矩陣顯示裝置
|
TWI792068B
(zh)
|
2009-01-16 |
2023-02-11 |
日商半導體能源研究所股份有限公司 |
液晶顯示裝置及其電子裝置
|
US9741309B2
(en)
|
2009-01-22 |
2017-08-22 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Method for driving display device including first to fourth switches
|
EP2234100B1
(en)
|
2009-03-26 |
2016-11-02 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Liquid crystal display device
|
US8872751B2
(en)
|
2009-03-26 |
2014-10-28 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Liquid crystal display device having interconnected transistors and electronic device including the same
|
KR101752640B1
(ko)
|
2009-03-27 |
2017-06-30 |
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
반도체장치
|
JP5540430B2
(ja)
|
2009-04-14 |
2014-07-02 |
Nltテクノロジー株式会社 |
走査線駆動回路、表示装置及び走査線駆動方法
|
JP5210955B2
(ja)
*
|
2009-04-21 |
2013-06-12 |
株式会社ジャパンディスプレイイースト |
ゲート信号線駆動回路及び表示装置
|
WO2011010545A1
(en)
*
|
2009-07-18 |
2011-01-27 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device and method for manufacturing the same
|
WO2011027656A1
(en)
|
2009-09-04 |
2011-03-10 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Transistor and display device
|
WO2011027701A1
(en)
*
|
2009-09-04 |
2011-03-10 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Light-emitting device and method for manufacturing the same
|
TWI783356B
(zh)
*
|
2009-09-10 |
2022-11-11 |
日商半導體能源研究所股份有限公司 |
半導體裝置和顯示裝置
|
US9715845B2
(en)
*
|
2009-09-16 |
2017-07-25 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor display device
|
KR101843558B1
(ko)
|
2009-10-09 |
2018-03-30 |
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
시프트 레지스터, 표시 장치, 및 그 구동 방법
|
WO2011046003A1
(en)
*
|
2009-10-14 |
2011-04-21 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device and manufacturing method thereof
|
WO2011070929A1
(en)
|
2009-12-11 |
2011-06-16 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device and electronic device
|
WO2011096153A1
(en)
*
|
2010-02-05 |
2011-08-11 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Display device
|
KR102586642B1
(ko)
|
2010-02-18 |
2023-10-11 |
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
반도체 장치
|
KR102455879B1
(ko)
|
2010-02-23 |
2022-10-19 |
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
반도체 장치 및 그 제조 방법
|
KR102334169B1
(ko)
*
|
2010-08-27 |
2021-12-01 |
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
기억 장치, 반도체 장치
|
JP5839896B2
(ja)
|
2010-09-09 |
2016-01-06 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
表示装置
|
JP2012151453A
(ja)
*
|
2010-12-28 |
2012-08-09 |
Semiconductor Energy Lab Co Ltd |
半導体装置および半導体装置の駆動方法
|
KR102294507B1
(ko)
*
|
2013-09-06 |
2021-08-30 |
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
반도체 장치
|
US10199006B2
(en)
|
2014-04-24 |
2019-02-05 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device, display module, and electronic device
|
KR102397388B1
(ko)
*
|
2014-07-24 |
2022-05-13 |
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
반도체 장치, 표시 모듈 및 전자 기기
|
US9450581B2
(en)
|
2014-09-30 |
2016-09-20 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Logic circuit, semiconductor device, electronic component, and electronic device
|
US10541375B2
(en)
|
2016-07-21 |
2020-01-21 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Display device and electronic device
|