JP2008004766A - 半導体製造装置及び半導体製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】本発明は、反応炉から回転機構へのガスの流入による回転機構の劣化や、ウェーハの汚染によるデバイスの劣化を抑えることが可能な半導体製造装置及び半導体製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体製造装置は、プロセスガスが供給・排出され、被処理ウェーハ1上に被膜を形成するための反応炉2と、反応炉2に設置され、被処理ウェーハ1を保持するための支持部と、反応炉2に設けられる開口部2aと、反応炉2に連結され、被処理ウェーハ1を回転させるための回転機構4と、開口部2aを貫通して支持部3及び回転機構4と連結し、軸方向にらせん状の翼部5aを有する回転軸5を備える。
【選択図】図1
【解決手段】本発明の半導体製造装置は、プロセスガスが供給・排出され、被処理ウェーハ1上に被膜を形成するための反応炉2と、反応炉2に設置され、被処理ウェーハ1を保持するための支持部と、反応炉2に設けられる開口部2aと、反応炉2に連結され、被処理ウェーハ1を回転させるための回転機構4と、開口部2aを貫通して支持部3及び回転機構4と連結し、軸方向にらせん状の翼部5aを有する回転軸5を備える。
【選択図】図1
Description
本発明は、例えば半導体ウェーハを回転させながら、ウェーハ上に反応ガスを供給して成膜を行なう半導体製造装置と半導体製造方法に関する。
近年、エピタキシャル成長装置を含むCVD装置において、反応炉にウェーハを設置し、回転機構によりウェーハを高速回転させながら、所定の条件でウェーハ上にプロセスガスを供給することにより、面内均一性の高い被膜を形成する手法が用いられている。
このとき、ウェーハは回転機構からの駆動力により回転されている。回転軸を貫通させるために反応炉に設けられた開口部において、回転軸との間隙を完全にシールすることは困難であり、炉と回転機構間で気流(流体)の行き来を遮断することができないそこで、例えば特許文献1の図1などに示されるように、回転駆動手段をパージし、同[0029]に記載されているように、これを減圧状態とすることにより、反応炉への金属を含むガスの流入による炉の汚染を抑えている。
しかしながら、回転機構側へのプロセスガスの流入により、回転機構と接続されるベアリングなどの表面に被膜が生成される。そして、これが粉化し、パーティクルとなって間隙から拡散し、反応炉内を汚染してしまう。また、反応炉内をクリーニングする際、塩素系ガスなどのクリーニングガスが、回転機構側へ流入することにより、軸受けなどの金属部材が腐食する。そして、腐食した金属が同様にパーティクルとなり、反応炉内を汚染してしまう。
特に、成膜生産性を向上させるために常圧成膜を行うと、小パーティクルの拡散がより生じやすくなるため、被処理ウェーハの汚染によるデバイスへの影響がより顕著となるという問題がある。
特開平10−340859号公報
上述したように、半導体製造装置において、回転機構へのガスの流入による回転機構の劣化や、ウェーハの汚染によるデバイスの劣化といった問題が生じている。
本発明は、回転機構へのガスの流入を抑えることが可能な半導体製造装置と半導体製造方法を提供することを目的とするものである。
本発明の一態様における半導体製造装置は、プロセスガスが供給・排出され、被処理ウェーハ上に被膜を形成するための反応炉と、反応炉に設置され、被処理ウェーハを保持するための支持部と、反応炉に設けられる開口部と、反応炉に連結され、被処理ウェーハを回転させるための回転機構と、開口部を貫通して支持部及び回転機構と連結し、軸方向にらせん状の翼部を有する回転軸を備えることを特徴とする。
この本発明の一態様における半導体製造装置において、回転軸は円筒状であり、回転軸の少なくとも外壁又は内壁に前記翼部が形成されていることが望ましい。
さらに、本発明の一態様における半導体製造装置において、回転軸の前記翼部形成面に対向する面を有する固定軸を備え、固定軸にはじゃま板が形成されており、前記じゃま板と対向する位置で、前記翼部が分割されていることが望ましい。
また、本発明の一態様における半導体製造方法は、反応炉に設置された支持部に、被処理ウェーハを載置する工程と、反応炉に、被処理ウェーハ上に被膜を形成するためのプロセスガスを供給する工程と、反応炉に連結された回転機構により、回転軸を介して支持部を回転させることにより、被処理ウェーハを回転させる工程と、回転軸の回転により、反応炉の被処理ウェーハ側に向かう気流を生成する工程を備えることを特徴とする。
さらに、本発明の一態様における半導体製造方法において、常圧で被処理ウェーハ上に被膜を形成することが望ましい。
本発明の半導体製造装置及び半導体製造方法を用いることにより、回転機構へのガスの流入による回転機構の劣化や、ウェーハの汚染によるデバイスの劣化を抑えることが可能となる。
以下本発明の実施形態について、図を参照して説明する。
(実施形態1)
図1に本実施形態の半導体製造装置の断面図を示す。図に示すように、被処理ウェーハ1上に被膜を形成するための反応炉2と、反応炉2に設置され、被処理ウェーハ1を保持するための支持部3と、反応炉2に設けられる開口部2aと、被処理ウェーハ1を回転させるための回転機構4が設置されている。そして、反応炉2の開口部2aを貫通して、支持部3及び回転機構4と連結する円筒状の回転軸5が連結されている。回転軸5には、その外壁の軸方向にらせん状の翼部5aが形成されている。また、反応炉2には、ソースガス、ドーパントガス及びキャリアガスを含むプロセスガスを供給するための供給口2b、排出するための排気口2cが設置されている。そして、回転軸5には被処理ウェーハ1を加熱するための加熱手段6が設置されており、その上部に設置されるヒータ7と接続されている。
図1に本実施形態の半導体製造装置の断面図を示す。図に示すように、被処理ウェーハ1上に被膜を形成するための反応炉2と、反応炉2に設置され、被処理ウェーハ1を保持するための支持部3と、反応炉2に設けられる開口部2aと、被処理ウェーハ1を回転させるための回転機構4が設置されている。そして、反応炉2の開口部2aを貫通して、支持部3及び回転機構4と連結する円筒状の回転軸5が連結されている。回転軸5には、その外壁の軸方向にらせん状の翼部5aが形成されている。また、反応炉2には、ソースガス、ドーパントガス及びキャリアガスを含むプロセスガスを供給するための供給口2b、排出するための排気口2cが設置されている。そして、回転軸5には被処理ウェーハ1を加熱するための加熱手段6が設置されており、その上部に設置されるヒータ7と接続されている。
図2に、回転軸のらせん状の翼部を示す。図に示すように、回転軸5の外壁に所定のピッチ、例えば3〜5mmピッチで、翼部幅3〜5mm、翼部厚1.5mmの翼部5aが形成されたスクリュー形状となっている。
このような半導体製造装置を用いて、被処理ウェーハ1上に被膜を形成する。このとき、プロセス条件は、例えば、
設定温度:920〜1020℃
反応炉内圧:2〜6.667KPa(15〜50torr)
ソースガス、流量:SiH4、0.4〜0.8slm
ドーパントガス:B2H6
キャリアガス、流量:H2、40〜50slm
ウェーハ回転速度:1300〜1500rpm
とする。そして、回転軸により被処理ウェーハ1を回転させるとともに、翼部5aを回転させることにより、回転軸5周辺に反応炉方向に向かう上昇気流を生成する。
設定温度:920〜1020℃
反応炉内圧:2〜6.667KPa(15〜50torr)
ソースガス、流量:SiH4、0.4〜0.8slm
ドーパントガス:B2H6
キャリアガス、流量:H2、40〜50slm
ウェーハ回転速度:1300〜1500rpm
とする。そして、回転軸により被処理ウェーハ1を回転させるとともに、翼部5aを回転させることにより、回転軸5周辺に反応炉方向に向かう上昇気流を生成する。
このように、回転軸5周辺に被処理ウェーハ1側に向かう上昇気流8を生成することにより、プロセスガスの回転機構4側への流出を抑えることができる。
このような半導体製造装置を用いて、例えば15枚の被処理ウェーハ上に被膜を形成した後、被処理ウェーハ上のパーティクル数を、パーティクルカウンターにより測定したところ、従来の半導体製造装置におけるパーティクル数より大幅に減少していることがわかった。
このように、回転機構の劣化を抑えることにより、ウェーハの汚染を抑えることができる。そして、このようなウェーハを用いることにより、デバイスの劣化を抑え、歩留りを向上させることが可能となる。
(実施形態2)
図3に本実施形態の半導体製造装置の断面図を示す。図に示すように、実施形態1と同様に、被処理ウェーハ11上に被膜を形成するための反応炉12と、反応炉12に設置され、被処理ウェーハ11を保持するための支持部13と、反応炉12に設けられる開口部12aと、被処理ウェーハ11を回転させるための回転機構14が設置されている。そして、反応炉12の開口部12aを貫通して、支持部13及び回転機構14と連結する円筒状の回転軸15が連結されている。回転軸15には、その外壁及び内壁に、軸方向にらせん状の翼部15a、15bが形成されている。また、反応炉12には、プロセスガスを供給するための供給口12b、排出するための排気口12cが設置されている。そして、回転軸15内部には被処理ウェーハ11を加熱するための加熱手段16が設置されており、その上部に設置されるヒータ17と接続されている。
図3に本実施形態の半導体製造装置の断面図を示す。図に示すように、実施形態1と同様に、被処理ウェーハ11上に被膜を形成するための反応炉12と、反応炉12に設置され、被処理ウェーハ11を保持するための支持部13と、反応炉12に設けられる開口部12aと、被処理ウェーハ11を回転させるための回転機構14が設置されている。そして、反応炉12の開口部12aを貫通して、支持部13及び回転機構14と連結する円筒状の回転軸15が連結されている。回転軸15には、その外壁及び内壁に、軸方向にらせん状の翼部15a、15bが形成されている。また、反応炉12には、プロセスガスを供給するための供給口12b、排出するための排気口12cが設置されている。そして、回転軸15内部には被処理ウェーハ11を加熱するための加熱手段16が設置されており、その上部に設置されるヒータ17と接続されている。
図4に、回転軸のらせん状の翼部を示す。図に示すように、回転軸15の外壁に翼部15a、内壁に翼部15bが、所定のピッチ、例えば3〜5mmピッチで形成されたスクリュー形状となっている。夫々翼部幅は、例えば3〜5mm、翼部厚は、例えば1.5mmとなっている。
このような半導体製造装置を用いて、被処理ウェーハ11上に被膜を形成する。このとき、プロセス条件は、例えば、
設定温度:980〜1100℃
反応炉内圧:10.67〜53.33KPa(80〜400torr)
ソースガス、流量:SiH2Cl2、0.5〜1.5slm
ドーパントガス:B2H6
キャリアガス、流量:H2、150〜300slm
ウェーハ回転速度:1300〜1500rpm
とする。そして、回転軸により被処理ウェーハ11を回転させるとともに、翼部15a、15bを回転させることにより、回転軸15周辺に被処理ウェーハ11側に向かう上昇気流18を生成する。
設定温度:980〜1100℃
反応炉内圧:10.67〜53.33KPa(80〜400torr)
ソースガス、流量:SiH2Cl2、0.5〜1.5slm
ドーパントガス:B2H6
キャリアガス、流量:H2、150〜300slm
ウェーハ回転速度:1300〜1500rpm
とする。そして、回転軸により被処理ウェーハ11を回転させるとともに、翼部15a、15bを回転させることにより、回転軸15周辺に被処理ウェーハ11側に向かう上昇気流18を生成する。
このように、回転軸15外周のみならず内周においても被処理ウェーハ11側に向かう上昇気流を生成することにより、プロセスガスの回転機構14側への流出を抑えることができる。
このような半導体製造装置を用いて、実施形態1と同様に被処理ウェーハ上のパーティクル数を評価したところ、同様に従来の半導体製造装置よりウェーハの汚染が抑えられていることがわかった。
このように、回転機構の劣化を抑えることにより、ウェーハの汚染を抑えることができる。そして、このようなウェーハを用いることにより、デバイスの劣化を抑え、歩留りを向上させることが可能となる。
(実施形態3)
図5に本実施形態の半導体製造装置の断面図を示す。図に示すように、実施形態1と同様に、被処理ウェーハ21上に被膜を形成するための反応炉22と、反応炉22に設置され、被処理ウェーハ21を保持するための支持部23と、反応炉22に設けられる開口部22aと、被処理ウェーハ21を回転させるための回転機構24が設置されている。そして、反応炉22の開口部22aを貫通して、支持部23及び回転機構24と連結する円筒状の回転軸25が連結されている。回転軸25の外壁には、軸方向にらせん状の翼部25aが形成されている。尚、翼部25aは、所定間隔で複数の部分に分割されている。また、反応炉22には、プロセスガスを供給するための供給口22b、排出するための排気口22cが設置されている。そして、回転軸25内部には被処理ウェーハ21を加熱するための加熱手段26が設置されており、その上部に設置されるヒータ27と接続されている。さらに、回転軸25の外周には、円筒状の固定軸29が設置されている。そして、固定軸29には、翼部25aの分割された領域に対応するように、複数のじゃま板29aが形成されている。
図5に本実施形態の半導体製造装置の断面図を示す。図に示すように、実施形態1と同様に、被処理ウェーハ21上に被膜を形成するための反応炉22と、反応炉22に設置され、被処理ウェーハ21を保持するための支持部23と、反応炉22に設けられる開口部22aと、被処理ウェーハ21を回転させるための回転機構24が設置されている。そして、反応炉22の開口部22aを貫通して、支持部23及び回転機構24と連結する円筒状の回転軸25が連結されている。回転軸25の外壁には、軸方向にらせん状の翼部25aが形成されている。尚、翼部25aは、所定間隔で複数の部分に分割されている。また、反応炉22には、プロセスガスを供給するための供給口22b、排出するための排気口22cが設置されている。そして、回転軸25内部には被処理ウェーハ21を加熱するための加熱手段26が設置されており、その上部に設置されるヒータ27と接続されている。さらに、回転軸25の外周には、円筒状の固定軸29が設置されている。そして、固定軸29には、翼部25aの分割された領域に対応するように、複数のじゃま板29aが形成されている。
図6に、回転軸のらせん状の翼部及び固定軸を示す。図に示すように、回転軸25の外壁に複数に分割された例えば翼部幅3〜5mm、翼部厚1.5mmの翼部25aが、例えば3〜5mmピッチで形成されたスクリュー形状となっている。固定軸29の内壁と翼部25a端部は間隙を有しており、例えば1.5〜3mm程度とする。そして、翼部25a端部より内側に達する複数のじゃま板29aが、例えば25〜33mm間隔で2箇所形成されている。回転軸25外壁とじゃま板29a端部は間隙を有しており、例えば1.5〜3mm程度とする。
このような半導体製造装置を用いて、被処理ウェーハ21上に被膜を形成する。このとき、プロセス条件は、例えば、
設定温度:1100〜1150℃
反応炉内圧:80〜101.3KPa(600〜760torr)
ソースガス、流量:SiHCl3、20〜35slm
ドーパントガス、流量:PH3、200〜250slm→40〜60slm
キャリアガス、流量:H2、100〜120slm
ウェーハ回転速度:800〜1000rpm
とする。そして、回転軸により被処理ウェーハ21を回転させるとともに、翼部25a、25bを回転させることにより、回転軸25周辺に被処理ウェーハ21側に向かう上昇気流28を生成する。
設定温度:1100〜1150℃
反応炉内圧:80〜101.3KPa(600〜760torr)
ソースガス、流量:SiHCl3、20〜35slm
ドーパントガス、流量:PH3、200〜250slm→40〜60slm
キャリアガス、流量:H2、100〜120slm
ウェーハ回転速度:800〜1000rpm
とする。そして、回転軸により被処理ウェーハ21を回転させるとともに、翼部25a、25bを回転させることにより、回転軸25周辺に被処理ウェーハ21側に向かう上昇気流28を生成する。
このように、回転軸25周辺に被処理ウェーハ21側に向かう上昇気流を生成することにより、プロセスガスの回転機構24側への流出を抑えることができる。さらに、じゃま板29aを設けることにより、固定軸29の内壁と翼部25aとの間隙を伝って下降する気流を抑止することができる。そして、さらに翼部25aを分割して、その部分に翼部25a端部より内側に達するじゃま板29aを形成することにより、固定軸29の内壁と翼部25aとの間隙を伝って下降する気流をより有効に抑止することが可能となる。
このような半導体製造装置を用いて、実施形態1と同様に被処理ウェーハ上のパーティクル数を評価したところ、同様に従来の半導体製造装置よりウェーハの汚染が抑えられていることがわかった。
このように、回転機構の劣化を抑えることにより、ウェーハの汚染を抑えることができる。そして、このようなウェーハを用いることにより、デバイスの劣化を抑え、歩留りを向上させることが可能となる。
本実施形態において、翼部の形状、サイズ、及び回転速度を例示しているが、回転速度に応じて翼部を設計することが好ましい。例えば、回転数が低いとき(例えば800rpm)は、例えば翼部幅5mm、翼部の段数(分割数)3とすることが好ましい。そして、回転数が高いとき(例えば1500rpm)は、例えば翼部幅3mmと狭く、翼部の分割数2と減少させることが好ましい。回転数を可変とする場合は、例えば翼部幅5mm、翼部の分割数3とすることが好ましい。
尚、本実施形態において、じゃま板29aを回転軸25の外周に形成しているが、図7に示すように、回転軸25の内壁に翼部25bを形成する場合、回転軸25内部の固定軸29にじゃま板29’a形成してもよい。
また、これら実施形態において、プロセス条件を例示したが、夫々これらの条件に限定されるものではなく、種々の条件を適用することが可能である。例えば、実施形態3のような常圧成膜においても、夫々顕著な効果を得ることが可能である。
(実施形態4)
図1に示す半導体製造装置において、内部のクリーニングを行う。このとき、クリーニング条件は、SiH4、SiH2Cl2、SiHCl3を用いて成膜した場合、それぞれ成膜条件に近い条件が選択され、例えば、
温度:SiH4、SiH2Cl2 1020〜1080℃
SiHCl3 1000〜1050℃
ガス種、流量:SiH4、SiH2Cl2
H2:Cl=12〜15slm:10〜12slm
SiHCl3
H2:Cl=10〜12slm:12〜15slm
圧力:SiH4 2〜6.667KPa(15〜50torr)
SiH2Cl2 10.67〜53.33KPa(80〜400torr)
SiHCl3 80〜101.3KPa(600〜760torr)
とすることができる。そして、翼部5aを、
回転速度:SiH4、SiH2Cl2 1300〜1500rpm
SiHCl3 800〜1000rpm
で回転させることにより、回転軸5周辺に被処理ウェーハ1側に向かう上昇気流を生成する。
図1に示す半導体製造装置において、内部のクリーニングを行う。このとき、クリーニング条件は、SiH4、SiH2Cl2、SiHCl3を用いて成膜した場合、それぞれ成膜条件に近い条件が選択され、例えば、
温度:SiH4、SiH2Cl2 1020〜1080℃
SiHCl3 1000〜1050℃
ガス種、流量:SiH4、SiH2Cl2
H2:Cl=12〜15slm:10〜12slm
SiHCl3
H2:Cl=10〜12slm:12〜15slm
圧力:SiH4 2〜6.667KPa(15〜50torr)
SiH2Cl2 10.67〜53.33KPa(80〜400torr)
SiHCl3 80〜101.3KPa(600〜760torr)
とすることができる。そして、翼部5aを、
回転速度:SiH4、SiH2Cl2 1300〜1500rpm
SiHCl3 800〜1000rpm
で回転させることにより、回転軸5周辺に被処理ウェーハ1側に向かう上昇気流を生成する。
このように、回転軸5周辺に被処理ウェーハ1側に向かう上昇気流8を生成することにより、腐食性の高いクリーニングガスの回転機構4側への流出を抑えることができる。
これら実施形態に示す半導体製造装置において、例えば15枚の被処理ウェーハ処理した後、クリーニングを行う。その後SPV(Surface Photovoltage)法により被処理ウェーハ上の金属汚染を評価したところ、従来の半導体製造装置より金属汚染が抑えられていることがわかった。
尚、本実施形態において、エピタキシャル成長とクリーニングを繰り返す、立ち上げ運転を行った方がよい。
このように、回転機構の腐食による劣化を抑えることにより、ウェーハの汚染を抑えることができる。そして、このようなウェーハを用いることにより、デバイスの劣化を抑え、歩留りを向上させることが可能となる。
これら実施形態において、被処理ウェーハを回転させるための回転軸に、上昇気流を生成するための翼部を設けているが、独立して設けても良く、別途設けられた上昇気流生成用の回転機構と接続した回転軸に翼部を形成しても良い。この場合、被膜の形成のための回転数と異なる回転数を設定することができ、より好適な上昇気流を生成することが可能となる。
このような半導体製造装置を用いて、半導体ウェーハ上にエピタキシャル膜を形成し、素子形成工程を経て、半導体装置が形成される。生産性高く且つ安定してパーティクルの発生を抑えることができるため、厚膜形成が要求される半導体装置の形成に適している。特に、例えば、数10μm程度の厚膜エピタキシャル成長が必要なパワーMOSやIGBT(絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ)といった高耐圧半導体装置の形成に有効である。
尚、本発明は、上述した実施形態に限定されるものではない。その他要旨を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。
1、11、21…被処理ウェーハ、2、12、22…反応炉、3、13、23…支持部、4、14、24…回転機構、5、15、25…回転軸、5a、15a、15b,25a…翼部、6、16、26…加熱手段、7、17、27…ヒータ、8、18、28…上昇気流、29、29’…固定軸、29a、29’a…じゃま板
Claims (5)
- プロセスガスが供給・排出され、被処理ウェーハ上に被膜を形成するための反応炉と、
前記反応炉に設置され、前記被処理ウェーハを保持するための支持部と、
前記反応炉に設けられる開口部と、
前記反応炉に連結され、前記被処理ウェーハを回転させるための回転機構と、
前記開口部を貫通して前記支持部及び前記回転機構と連結し、軸方向にらせん状の翼部を有する回転軸を備えることを特徴とする半導体製造装置。 - 前記回転軸は円筒状であり、前記回転軸の少なくとも外壁又は内壁に、前記翼部が形成されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体製造装置。
- 前記回転軸の前記翼部形成面に対向する面を有する固定軸を備え、
前記固定軸にはじゃま板が形成されており、前記じゃま板と対向する位置で、前記翼部が分割されていることを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体製造装置。 - 反応炉に設置された支持部に、被処理ウェーハを載置する工程と、
前記反応炉に、前記被処理ウェーハ上に被膜を形成するためのプロセスガスを供給する工程と、
前記反応炉に連結された回転機構により、回転軸を介して前記支持部を回転させることにより、前記被処理ウェーハを回転させる工程と、
前記回転軸の回転により、前記反応炉の前記被処理ウェーハ側に向かう気流を生成する工程を備えることを特徴とする半導体製造方法。 - 常圧で前記被処理ウェーハ上に被膜を形成することを特徴とする請求項4に記載の半導体製造方法。
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9213199B2 (en) | 2014-03-19 | 2015-12-15 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Liquid crystal display device and method for manufacturing same |
CN112242328A (zh) * | 2019-07-18 | 2021-01-19 | 细美事有限公司 | 基板处理装置和旋转组件 |
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Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9213199B2 (en) | 2014-03-19 | 2015-12-15 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Liquid crystal display device and method for manufacturing same |
KR20160128325A (ko) | 2014-03-19 | 2016-11-07 | 다이니폰 인사츠 가부시키가이샤 | 액정 표시 장치 및 그 제조 방법 |
CN112242328A (zh) * | 2019-07-18 | 2021-01-19 | 细美事有限公司 | 基板处理装置和旋转组件 |
KR20210009888A (ko) * | 2019-07-18 | 2021-01-27 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 회전 어셈블리 |
KR102240924B1 (ko) * | 2019-07-18 | 2021-04-14 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 회전 어셈블리 |
US11456191B2 (en) | 2019-07-18 | 2022-09-27 | Semes Co., Ltd. | Substrate treating apparatus and rotating assembly |
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